JP5646799B2 - Ledダイ上のオーバーモールドレンズ - Google Patents

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    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007Types of components
    • H05K2201/10106Light emitting diode [LED]

Description

関連出願への相互参照
本出願は、Grigoriy Basin他による2004年11月15日出願の「LEDダイの上に成形されたレンズ」という名称の米国特許出願出願番号第10/990,208号の一部継続出願である。
本発明は、発光ダイオード(LED)と、特にLEDダイの上にレンズを形成するための技術に関する。
LEDダイは、通常はランベルトパターンで光を放射する。ビームを縮小するか又は側面放射パターンを作成するためにLEDダイの上にレンズを使用することは公知である。表面装着型LEDのための一般的な種類のレンズは、LEDダイが装着されるパッケージに結合されるプリフォーム成形プラスチックである。1つのそのようなレンズは、「Lumileds Lighting」に譲渡され、本明細書において引用により組み込まれている米国特許第6,274,924号に示されている。
米国特許出願出願番号第10/990,208号 米国特許第6,274,924号 米国特許第6,649,440号 米国特許第6,274,399号 米国特許第6,576,488号
必要とされているのは、表面装着型LEDのためのレンズを形成する技術である。
表面装着型LEDのためのレンズを形成する技術を本明細書に説明する。
1以上のLEDダイが支持構造体上に装着される。支持構造体は、セラミック基板、シリコン基板、又は他の種類の支持構造体とすることができ、LEDダイは、支持構造体上の金属パッドに電気的に接続される。支持構造体は、パッケージ内の回路基板又は放熱板上に装着されたサブマウントとすることができる。
モールドは、モールド内に支持構造体上のLEDダイの位置に対応する凹部を有する。凹部は、硬化した時に固化レンズ材料を形成するシリコーンのような液体の光学透明材料で充填される。凹部の形状は、レンズの形状であることになる。モールドとLEDダイ/支持構造体は、各LEDダイが関連する凹部の液体レンズ材料内にあるように互いに合わせられる。
モールドは、次に、加熱されてレンズ材料を硬化(固化)する。モールドと支持構造体は、次に分離され、各LEDダイの上に完成したレンズを残す。この一般的な処理を以下にオーバーモールド法と呼ぶ。
オーバーモールド処理は、異なるモールドを用いて反復することができ、レンズの同心又は重複シェルが作成される。各レンズは、燐光体を含有し、異なる材料であり、異なる放射パターンをもたらし、異なる硬度値を有し、異なる屈折率を有し、又は異なる技術(例えば、UV対加熱)によって硬化可能であるというような異なる特性を有することができる。
予備的なこととして、従来型LEDが成長基板上に形成される。用いた実施例においては、LEDは、青色光又はUV光を生成させるためのAlInGaNのLEDのようなGaNベースLEDである。通常、比較的厚いn型GaN層が、通常の技術を用いてサファイア成長基板上に形成される。この比較的厚いGaN層は、通常は、低温核生成層と、n型クラッド層及び活性層のための低欠陥格子構造を提供するための1以上の追加層とを含む。次に、1以上のn型クラッド層が厚いn型層の上に形成され、引続き、活性層、1以上のp型クラッド層、及びp型接点層(メタライゼーションのため)が形成される。
様々な技術がn型層への電気的アクセスを得るために使用される。フリップチップ実施例においては、p層及び活性層の一部はエッチングで除去され、メタライゼーションのためにn層が露出される。このようにして、p接点及びn接点がチップの同じ側にされ、パッケージ(又はサブマウント)接点パッドに直接電気的に接続することができる。n金属接点からの電流は、最初に側面に沿って流れてn層を通過する。対照的に、垂直注入型(非フリップチップ型)LEDにおいては、n接点は、チップの一方の側に形成され、p接点は、チップの他方の側に形成される。p又はn接点の一方への電気接触は、ワイヤ又は金属ブリッジを用いて行われ、他方の接点は、パッケージ(又はサブマウント)接点パッドに直接結合される。簡単にするために、図1−図3の実施例においては、フリップチップ型LEDが使用されている。
LED形成の例は、共に「Lumileds Lighting」に譲渡され、本明細書において引用により組み込まれている米国特許第6,649,440号及び第6,274,399号に説明されている。
任意的に、導電性基板がLED層(通常p層)に結合され、サファイア基板が取り外される。図5及び図6に関してより詳細に説明すると、導電性基板がサブマウントに直接結合した状態で、1以上のLEDダイをサブマウントに結合することができる。1以上のサブマウントは、他のLED又は電源部への接続のための金属リードを含むプリント基板に結合することができる。プリント基板は、様々なLEDと直列及び/又は並列に相互接続する。
形成される特定のLED及びそれらがサブマウントに装着されているか否かは、本発明を理解する目的のためには重要ではない。
図1は、支持構造体12上に装着された4つのLED10の側面図である。支持構造体は、サブマウント(例えば、金属リードを有するセラミック又はシリコン)、金属放熱板、プリント基板、又は何れかの他の構造体とすることができる。本発明の実施例においては、支持構造体12は、金属パッド/リードである。
モールド14は、各LEDダイ10の上のレンズの望ましい形状に対応する凹部16を有する。モールド14は、好ましくは金属で形成される。モールド14の概略の形状を有する非常に薄い付着防止フィルム18がモールド14の上に置かれる。フィルム18は、金属に対するシリコーンの付着を防止する公知の従来材料のものである。
レンズ材料がモールドに付着しない時にはフィルム18を必要としない。これは、付着防止モールドコーティングの使用、非付着性モールド材料の使用、又は非付着性境界面を生じさせる成形処理の使用によって達成される。そのような処理には、付着を最小にするための所定の処理温度を選択することが含まれる。フィルム18を使用しないことにより、より複雑なレンズを形成することができる。
図2において、モールドの凹部16は、熱硬化性の液体レンズ材料20で充填されている。レンズ材料20は、シリコーン、エポキシ、又はシリコーン/エポキシ混成物のような何れかの適切な光学透明材料とすることができる。混成物を使用して、熱膨張係数(CTE)の一致を達成することができる。シリコーン及びエポキシは、AlInGaN又はAlInGaPのLEDからの光抽出を大きく向上させ、並びにレンズの役割を果たすのに十分に高い屈折率(1.4よりも大きい)を有する。1つの種類のシリコーンは、1.76の屈折率を有する。
真空密封が支持構造体12の周囲とモールド14の間に作り出され、この2つの部分は、互いに押付けられ、それによって各LEDダイ10が液体のレンズ材料20内に挿入され、レンズ材料20が圧縮状態となる。
モールドは、次に、摂氏約150度(又は他の適切な温度)までレンズ材料20が固化するための時間に亘って加熱される。
次に、支持構造体12がモールド14から分離される。フィルム18は、得られる固化レンズがモールド14から容易に離れるようにするものである。次に、フィルム18は取り外される。
別の実施形態では、図1のLEDダイ10は、シリコーン又は結合剤中の燐光体のような材料で最初に覆うことができる。モールドの凹部16は、別の材料で充填される。ダイがモールド内に置かれた時に、モールド材料が被覆材料の上に成形される。
図3は、各LEDダイ10の上に成形レンズ22がある得られる構造体を示している。一実施形態では、成形レンズは、1mmと5mmと間の直径である。レンズ22は、あらゆる寸法又は形状にすることができる。
図4は、得られる構造体の斜視図であり、支持構造体12は、各々が成形レンズ22を有するLEDダイのアレイを支持している。使用されるモールドは、対応する凹部のアレイを有するであろう。仮に支持構造体12がセラミック又はシリコンサブマウントであれば、各LEDは(その下にあるサブマウント部分と共に)、サブマウント12を切断又は破断することによって分離され、個々のLEDダイを形成することができる。代替的に、支持構造体12は、LEDのサブグループを支持するために分離/ダイシングすることができ、又は分離/ダイシングされずに使用することもできる。
レンズ22は、LEDダイからの光抽出を向上させて望ましい放射パターンを作り出すように光を反射させるのみならず、このレンズはまた、汚染からLEDダイを保護し、機械的強度を付加し、あらゆるワイヤ結合を保護するためにLEDダイを封入する。
図5は、セラミック又はシリコンのような何れかの適切な材料で形成されたサブマウント24上の単一フリップチップ型LEDダイ10の一実施形態の簡略化した詳細図である。一実施形態では、図1−図4の支持構造体12の役目を果たすサブマウント23及び図5のダイ/サブマウントは、切断によって図4の構造体から分離されたものである。図5のLEDダイ10は、底部p接点層26、p金属接点27、p型層28、発光活性層30、n型層32、及びn型層32に接触するn金属接点31を有する。サブマウント24上の金属パッドは、接点27及び31に直接に金属結合される。サブマウント24を通過するバイアは、サブマウント24の底面上の金属パッド内で終端となり、それらは、回路基板45上の金属リード40及び44に結合される。金属リード40及び44は、他のLED又は電源部に接続することができる。回路基板45は、絶縁層の上にある金属リード40及び44を有する金属プレート(例えば、アルミニウム)とすることができる。図1−図3の技術を用いて形成された成形レンズ22は、LEDダイ10を封入する。
図5のLEDダイ10は、サブマウント24上の金属パッドに上部n層32を接続するワイヤを有する非フリップチップ型ダイとすることができる。レンズ22は、このワイヤを封入することができる。
一実施形態では、回路基板45それ自体を図1−図3の支持構造体12とすることができる。そのような実施形態は図6に示されている。図6は、ワイヤ38によって回路基板45上の金属リード40に接続した上部n金属接点34を有する非フリップチップ型LEDダイ10の簡略化した詳細図である。LEDダイ10は、図6の実施例においては金属スラブであるサブマウント36に装着される。ワイヤ42は、p層26/28を回路基板45上の金属リード44に電気的に接続する。レンズ22は、ワイヤ及びサブマウント36を完全に封入して示されているが、他の実施形態では、全サブマウント又は全ワイヤが封入されることを要しない。
よく用いられる従来技術の封入方法は、保護コーティング上のスピン法によるものである。この封入処理は、LEDダイに燐光体コーティングを付加するためには不適切であり、それは、LEDダイの上の封入材料の厚みが不均一であることによる。また、このような封入方法はレンズを形成しない。LEDの上の燐光体を提供するための通常の技術は、シリコーン/燐光体組成物をLEDダイを取囲む反射カップに充填することである。しかし、その技術は、変化する厚みを有する燐光体を形成し、適切なレンズを形成しない。レンズが要望される時は、付加的な処理により、依然としてプラスチック成形レンズを作成し、LEDダイの上にこのレンズを取り付けなければならない。
図7−図11は、上述の技術を用いて形成することができる様々なレンズを示している。
図7は、何れかの適切な方法を用いて燐光体60で被覆されているLEDダイ10を示している。1つのそのような方法は、「Lumileds Lighting」に譲渡され、本明細書において引用により組み込まれている米国特許第6,576,488号に説明されている電気泳動法によるものである。適切な燐光体は公知のものである。レンズ22は、上述の技術を用いて形成される。燐光体60は、LED放射(例えば、青色光又はUV光)によって励起され、緑、黄、又は赤のような異なる波長の光を放射する。燐光体の放射は、単独で又はLED放射と共に白色光を形成することができる。
LEDを燐光体で被覆する処理は、長時間を要するものである。LEDダイを燐光体で被覆する処理を除くために、燐光体粉末は、図8に示すように、レンズ62内に組み込まれるように液体シリコーンに混合することができる。
図9に示すように、LEDダイの上の燐光体材料の注意深く制御された厚みを提供するために、内側レンズ64が上述の技術を用いて形成され、別々の成形段階(より深くより広い凹部を用いる)が用いられて、内側レンズ64の上にあらゆる厚みの外側燐光体/シリコーンシェル66が直接形成される。
図10は、ビームを更に成形するために別のモールドを用いて燐光体/シリコーンシェル66の上に形成することができる外側レンズ68を示している。
図11は、透明シリコーンシェル76、78、及び80の上にあるそれぞれ赤色、緑色、及び青色放射燐光体のシェル70、72、及び74を示している。この場合には、LEDダイ10は、UV光を放射し、赤色、緑色、及び青色放射の組合せで白色光が生成される。
多くの他の形状のレンズを上述の成形技術を用いて形成することができる。図12は、LED10、サブマウント24、及び成形側面放射レンズ84の断面図である。一実施形態では、レンズ84は、モールドから取り外される時に撓むシリコーンのような非常に可撓性の材料で形成される。レンズが単純な形状でない時には、離型フィルム18(図1)は一般的に使用されないことになる。
図13は、LED10、サブマウント24、及び成形コリメータレンズ86の断面図である。レンズ86は、変形可能なモールドを用いて製作することができ、又は、モールドから引き出される時に縮み、モールドから離された後にその成形形状に膨張する軟質レンズ材料を使用することにより製作することができる。
図14は、プリフォームレンズ88を成形ランベルト型レンズ22の上に取り付けることができる方法を示している。図14の実施例において、レンズ22は、上述の方式によって形成される。レンズ22は、LED10を封入して汚染から保護するために役立つものである。次に、プリフォーム側面放射型レンズ88が、UV硬化接着剤又は機械的クランプを用いてレンズ22の上に取り付けられる。このレンズ形成技術は、従来型技術に優る利点を有する。従来型技術においては、プリフォームレンズ(例えば、側面放射型レンズ)がLEDダイの上に接着的に取り付けられ、あらゆる間隙はシリコーン注入によって塞がれる。従来型処理は、他にも理由はあるが特に、レンズ配置に対する分離したダイ/サブマウントの慎重な位置決め及び間隙充填の段階のために実施が困難である。図14の本発明の方法を用いれば、LED(図4)の大型アレイは、各々の上に成形レンズを形成することによって同時に封入することができる。次に、LEDがまだアレイ内にあるか(図4)又は分離された後で、プリフォームレンズ88を各成形レンズ22の上に取り付けることができる。
加えて、成形レンズは、従来型のレンズとは違って非常に小さく生成することができる(例えば、直径1−2mm)。このようにして、非常に小さく完全に封入されたLEDを形成することができる。そのようなLEDは、非常に小さい外形を有して生成することができ、そのことはある一定の用途に有用である。
図14には、サブマウント24が装着された回路基板45もまた示されている。この回路基板45は、その上にLED/サブマウント24のアレイを装着している場合がある。
図15は、液晶ディスプレイ(LCD)又はバックライトを用いる他のディスプレイのためのバックライトの断面図である。一般的な用途は、テレビジョン、モニタ、携帯電話などのためのものである。LEDは、白色光を作り出すために赤色、緑色、及び青色とすることができる。LEDは、二次元アレイを形成する。図示の実施例において、各LEDの構造は図14に示すものであるが、あらゆる適切なレンズを使用することができる。バックライトボックスの底部及び側壁90は、好ましくは、白色の反射拡散材料で被覆される。各LEDの直上には、白色のディフューザ・ドット92があり、各LEDの直上のバックライトによって光のスポットが放射されないようにする。ドット92は、透明又は拡散性PMMAシート94によって支持される。側面放射レンズ88によって放射された光は、バックライトの下側部分内で混合され、次に、上側ディフューザ96を出る前にバックライトの上側部分内で更に混合される。LEDの線形アレイは、狭い回路基板45に装着することができる。
図16は、カメラのフラッシュとして使用される成形レンズ22を有するLED10を示している。図16内におけるカメラは、携帯電話98の一部である。携帯電話98は、カラー画面100(これは、本明細書に説明したLEDを用いるバックライトを有することができる)及びキーパッド102を含む。
図10に関して説明したように、ビームを更に成形するために、外側レンズを内側シェルの上に形成することができる。異なるシェル材料を様々なシェルの要件に応じて使用することができる。図17−図30は、オーバーモールド処理に関連して使用することができる様々なレンズ及び材料の実施例を示している。
図17及び図18は、上述の成形技術を用いて形成された内側シェル用の成形レンズの2つの形状を示している。多くのLED10を同じ支持構造体12上に装着することができる。支持構造体12は、上述のように、金属トレース及び接点パッドを有するセラミック又はシリコンのサブマウントとすることができる。あらゆる数のLEDを同じ支持構造体12上に装着することができ、同じ支持構造体12上の全てのLEDは、通常は同一方式で加工されるであろうが、必ずしもその必要はない。例えば、支持構造体が大きく、かつLEDアレイ全体に関する光パターンが定められていれば、各LEDレンズは、その定められた光パターンがもたらされるように異なっていてもよい。
LEDダイ10の底部と支持構造体12の間のあらゆる間隙を満たすために、アンダーフィル材料を注入することができ、LEDの下のあらゆる空隙が避けられて特に熱伝導が向上する。
図17は、内側成形レンズ22がランベルト放射パターンのための概略半球形である図3−図6に関して上述したものである。図18の内側成形レンズ106は、丸い縁部を有する概略矩形である。外側レンズによってもたらされる放射パターンに基づき、内側成形レンズ22及び106の一方がより適切である。内側成形レンズの他の形状もまた適切である。各レンズの上からみた図は、一般的に円形になることになる。
図19は、望ましい放射パターンを達成するように光を屈折させるパターンを有するレンズ外面を伴った図18の構造体を示している。外面パターンは、内側成形レンズに直接形成することができ(モールドそれ自体により)、又は外面パターンは、内側成形レンズ上にオーバーモールドされるか又は接着剤(例えば、シリコーン、エポキシなど)によって内側成形レンズに取り付けた外側レンズに形成することができる。パターン108は、回折格子であり、一方でパターン110は、バイナリステップを用いて光を屈折させる。この実施例においては、このパターンは、図20に示されている放射パターンを有するほぼ側面放射のレンズを形成する。図20において、ピーク強度は、50−80度以内に発生し、0度での強度よりも顕著に大きい。
内側レンズに関する要件は、外側レンズに関する要件とは一般的に異なる。例えば、内側レンズは、支持構造体への良好な接着性を有する必要があり、長期に亘って黄化するか又はより不透明になってはならず、高屈折率を有する必要があり(1.4よりも大きい)、LEDへのあらゆるワイヤを破損又は圧迫してはならず、高いLED温度に耐えなければならず、かつ適合する熱係数を有するべきである。内側レンズは、LED又はあらゆるワイヤに応力を与えないように軟質のもの(例えば、シリコーン)であるべきである。対照的に、外側レンズは、望ましいパターンでパターン化することができ、内側レンズに接着することができることを要するだけである。外側レンズは、オーバーモールドするか又は予備成形されて内側レンズに接着的に取り付けることができる。外側レンズ用の材料は、UV硬化性とすることができ、一方で内側レンズ用の材料は、熱硬化性とすることができる。熱硬化は、UV硬化よりも時間が掛かる。
一般的に、内側レンズ材料に対する硬度の範囲は、「Shore 00 5−90」であり、一方で外側シェルに対する硬度の範囲は、「Shore A 30」又はそれ以上である。
図21は、図20のものに類似した概略側面放射光パターンを作り出すためにレンズの外面上に形成されたフレネルレンズパターン112を示している。この外面は、内側成形レンズの外面とすることができ、又は図19に関して説明したように外側シェルの外面とすることができる。これは、本明細書に説明した全てのパターンに適用される。
図22は、平行光パターン又は他の光パターンを作り出すための外側レンズ表面上のピラミッド114又は錐体形116パターンを示している。
図23は、平行パターンを作り出すための高ドーム形外側レンズ118を示している。
図19及び図21−図23の表面パターンは、あらゆる光パターンを作り出すように設定することができる(例えば、表面角度の変化により)。ホログラフィ構造、TIR、及び他のパターンを形成することができる。平行光パターンは、背面投射型テレビ用に通常は使用され、一方で側面放射光パターンは、LCD画面をバックライト照射するために通常は用いられる。
図24は、LED10に結合されたワイヤ126に応力をかけないための内側成形レンズ124としてのシリコーンゲルのような軟質(例えば、「Shore XX」)の材料の使用を示している。このゲルは、通常はUV硬化される。外側レンズ128は、成形するか又は予備成形されて接着剤で取り付け可能である。外側レンズ128は、一般的に、耐久性、粒子に対する抵抗性などに関してより強固であることになる。外側レンズ128は、シリコーン、エポキシ−シリコーン、エポキシ、シリコーンエラストマー、硬質ゴム、他のポリマー、又は他の材料とすることができる。外側レンズは、UV硬化又は熱硬化することができる。
図25は、図24に類似するが、異なる放射パターン又は低プロフィールであるように異なる形状の内側成形レンズ129を有するものである(図18のような)。レンズ129は、軟質シリコーンゲルとすることができる。外側レンズ130は、放射パターンを更に成形し、かつ軟質の内側レンズ129を保護することになる。
全ての図のLEDは、フリップチップ型又はワイヤ結合型とすることができる。
図26は、内側レンズに要求される特性を有する内側成形レンズ132と、界面層の役割を果たすと共に構造安定性のための中間シェル134と、側面放射光パターンを作り出すための外側レンズ136とを有するLED構造体を示している。外側レンズ136は、成形処理を容易とするように軟質とすることができる。代替的に、外側レンズ136は、予備成形されて中間シェル134に接着的に取り付けることができる。中間シェル134の使用は、外側レンズ材料の選択を内側レンズ材料と本質的に無関係にするものである。
図27は、外側レンズ138を中間シェル134又は内側レンズ132の何れかの部分上に形成することができる方法を示している。
図28は、内側レンズ144材料上への直接の外側レンズ142の形成を示している。
図29は、内側レンズ132の上に成形された別の形状の側面放射レンズ145を示している。レンズ145は、どの内側レンズのないLEDダイ10の上にも直接形成することができる。
図30は、各シェル146、147、及び148が赤色放射燐光体、緑色放射燐光体、及び青色放射燐光体のような異なる燐光体材料を含有するLEDを示している。LEDダイ10は、UVを放射することができる。燐光体粒子間の間隙は、UVが内側シェルを通過して外側シェル内の燐光体を励起することを可能にするものである。代替的に、赤色燐光体及び緑色燐光体のみが使用され、LEDダイ10は、青色光を放射する。赤色光、緑色光、及び青色光の組合せは、白色光を作り出す。特に、シェルの厚みと、燐光体粒子の密度と、燐光体の色の順序とは、望ましい色を得るために調整することができる。あらゆる形状のレンズを使用することができる。
図31は、支持構造体12それ自体の上でのモールドパターン149の使用を示している。高屈折率材料(例えば、ポリマー)又は反射性材料(例えば、アルミニウム又は銀)は、図1に示す方法に類似する方法を用いるか、メタライゼーション処理を用いるか、又は別の適切な処理を用いて、支持構造体12上にパターンを成形することによって形成される。モールドパターン149は、次に、レンズ150を形成する別の材料のためのモールドとして使用される。一実施形態おいて、レンズ150の材料は、支持構造体12上に形成されたモールド内に堆積して次に硬化する液体(例えば、シリコーン)である。次に、この表面を平坦化することができる。得られるレンズは、反射カップのような壁に衝突する光を反射/回折することにより光を平行化する。
図32は、LED10によって放射された光を反射する、側面の周囲にスパッタリングされた金属151を有する成形レンズ22を示している。反射光は、LED10によって散乱され、最終的に上部開口部から放射される。金属151は、アルミニウム又は銀のようなあらゆる反射性材料とすることができる。代わりに、この金属をレンズ22の上面にスパッタリングすることができ、側面放射パターンが作り出される。レンズ22は、望ましい光放射パターンを作り出すためのあらゆる形状とすることができる。
図33は、制御可能なRGBピクセルを有するLCD画面154と、ディフューザ156と、赤色、緑色、及び青色LED160からの光を混合して白色光を作り出すバックライト158とを含む液晶ディスプレイ(LCD)152の側面図である。バックライト158は、拡散反射性ボックスである。LED160は、上述の技術の何れかを用いて生成された側面放射型レンズを有する。
図34は、指定された視角内の像を照らすための前方レンズ164と、一組の赤色、緑色、及び青色LED166と、RGB光を変調/合焦してカラーTV画像を生成する変調器/光学機器170と、反射体172とを有する背面投射型テレビ162の側面図である。変調器は、制御可能ミラーのアレイ、LCDパネル、又は何れかの他の適切な素子とすることができる。LED166は、上述の技術の何れかを使用して生成されたコリメータレンズを有する。
本発明の特定的な実施形態を示して説明したが、本発明から逸脱することなくそのより広範な態様において変更及び修正を行ってもよく、従って、特許請求の範囲は、全てのそのような変更及び修正を本発明の真の精神及び範囲に該当するものとしてその範囲に含むものとすることが当業者には明白であろう。
サブマウントのような支持構造体に装着された4つのLEDダイ、及び各LEDダイの周りにレンズを形成するためのモールドの側面図である。 液体のレンズ材料で充填されたモールドの凹部の中に挿入されているLEDダイの側面図である。 各LEDダイを封入するレンズをもたらす、液体の硬化が終わった後にモールドから取り外されたLEDダイの側面図である。 各LEDダイの上に形成された成形レンズを有する、サブマウント又は回路基板上のLEDダイのアレイの斜視図である。 サブマウント上に装着されたフリップチップ型LEDダイを示し、サブマウントが次に回路基板上に装着され、LEDダイの上に成形レンズが形成された詳細側面図である。 サブマウント上に装着された非フリップチップ型LEDダイを示し、サブマウントが次に回路基板上に装着され、ワイヤがLEDダイ上のn及びp型金属を回路基板上のリードに電気的に接続し、LEDダイの上に成形レンズが形成された詳細側面図である。 様々なレンズが上に形成されたLEDダイの断面図である。 様々なレンズが上に形成されたLEDダイの断面図である。 様々なレンズが上に形成されたLEDダイの断面図である。 様々なレンズが上に形成されたLEDダイの断面図である。 様々なレンズが上に形成されたLEDダイの断面図である。 本発明の技術を用いてLEDダイ上に成形された側面放射レンズの断面図である。 本発明の技術を用いてLEDダイ上に成形されたコリメータレンズの断面図である。 本発明の技術を用いてLEDダイ上に成形されたランベルト型レンズの上に取り付けたプリフォーム側面放射レンズの断面図である。 図14のLED及び側面放射レンズを用いた液晶ディスプレイ又は他の種類のディスプレイ用のバックライトの断面図である。 成形レンズを有するLEDをフラッシュとして用いるカメラを有する携帯電話の斜視図である。 本発明は非対称レンズにも同様に適用することができるが、図示の全てのレンズが中心軸の周りに対称である2つの種類の成形レンズの1つを示す断面図である。 本発明は非対称レンズにも同様に適用することができるが、図示の全てのレンズが中心軸の周りに対称である2つの種類の成形レンズの1つを示す断面図である。 望ましい放射パターンを得るための内側レンズ又は外側シェルレンズ上の表面形態を示す図である。 望ましい放射パターンを得るための内側レンズ又は外側シェルレンズ上の表面形態を示す図である。 望ましい放射パターンを得るための内側レンズ又は外側シェルレンズ上の表面形態を示す図である。 望ましい放射パターンを得るための内側レンズ又は外側シェルレンズ上の表面形態を示す図である。 平行放射パターンのための高ドーム形レンズの使用を示す図である。 ワイヤ結合に対する応力を制限するための硬い外側レンズ及び軟らかい内側レンズの使用を示す図である。 ワイヤ結合に対する応力を制限するための硬い外側レンズ及び軟らかい内側レンズの使用を示す図である。 側面放射パターンのための様々な種類の内側又は中間レンズの1つに形成された外側レンズの使用を示す図である。 側面放射パターンのための様々な種類の内側又は中間レンズの1つに形成された外側レンズの使用を示す図である。 側面放射パターンのための様々な種類の内側又は中間レンズの1つに形成された外側レンズの使用を示す図である。 別の側面放射成形レンズを示す図である。 各々が異なる燐光体を含有する成形シェルの使用を示す図である。 成形レンズを形成するために支持基板上にモールド部分を形成する段階を示す図である。 望ましい放射パターンを達成するためにレンズの一部分の上に金属反射体を堆積させる段階を示す図である。 側面放射レンズを有するLEDをバックライトに用いる液晶ディスプレイの側面図である。 コリメータレンズを有するLEDをRGB光源として用いる背面投射型テレビの側面図である。
符号の説明
10 LED
12 支持構造体
14 モールド
16 凹部
18 フィルム

Claims (7)

  1. 発光ダイオード(LED)ダイと、
    前記LEDダイから発される光を屈折させる前記LEDダイに対して固定されたレンズであって、前記LEDダイ上にオーバーモールドされた第1のレンズ、及び前記第1のレンズ上の第2のレンズを有しているレンズと、
    を有するLED構造であって、
    前記レンズの外面パターンは、ピーク強度が中心軸から50−80度以内において発生するように、前記第2のレンズに形成されており、
    前記パターンは、フレネルレンズ、回折格子、又は、バイナリパターンを含む、LED構造。
  2. 発光ダイオード(LED)ダイと、
    前記LEDダイから発される光を屈折させる前記LEDダイに対して固定されたレンズであって、前記LEDダイ上にオーバーモールドされた第1のレンズ、及び前記第1のレンズ上の第2のレンズを有しているレンズと、
    を有するLED構造であって、
    前記レンズの外面パターンは、ピーク強度が中心軸から50−80度以内において発生するように、前記第2のレンズに形成されており、
    前記パターンは、フレネルレンズを含む、LED構造。
  3. 発光ダイオード(LED)ダイと、
    前記LEDダイから発される光を屈折させる前記LEDダイに対して固定されたレンズであって、前記LEDダイ上にオーバーモールドされた第1のレンズ、及び前記第1のレンズ上の第2のレンズを有しているレンズと、
    を有するLED構造であって、
    前記レンズの外面パターンは、ピーク強度が中心軸から50−80度以内において発生するように、前記第2のレンズに形成されており、
    前記パターンは、回折格子を含む、LED構造。
  4. 発光ダイオード(LED)ダイと、
    前記LEDダイから発される光を屈折させる前記LEDダイに対して固定されたレンズであって、前記LEDダイ上にオーバーモールドされた第1のレンズ、及び前記第1のレンズ上の第2のレンズを有しているレンズと、
    を有するLED構造であって、
    前記レンズの外面パターンは、ピーク強度が中心軸から50−80度以内において発生するように、前記第2のレンズに形成されており、
    前記パターンは、バイナリパターンを含む、LED構造。
  5. 前記LEDダイは、前記LEDダイ上の金属接点に電気的に接触した金属リードを有するサブマウントを含む支持構造体に取り付けられていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のLED構造。
  6. 前記LEDダイは、支持構造体に取り付けた複数のLEDダイのうちの1つであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のLED構造。
  7. 前記第1のレンズは、前記LEDダイと直接接触して形成されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のLED構造
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Families Citing this family (352)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101148332B1 (ko) * 2003-04-30 2012-05-25 크리, 인코포레이티드 콤팩트 광학 특성을 지닌 높은 전력의 발광 소자 패키지
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
KR100565810B1 (ko) * 2004-06-16 2006-03-29 삼성전자주식회사 색신호 처리장치 및 방법
US7534633B2 (en) * 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
WO2006029025A2 (en) * 2004-09-04 2006-03-16 Applied Materials, Inc. Substrate carrier having reduced height
US8324641B2 (en) 2007-06-29 2012-12-04 Ledengin, Inc. Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device
US9929326B2 (en) 2004-10-29 2018-03-27 Ledengin, Inc. LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser
US8134292B2 (en) * 2004-10-29 2012-03-13 Ledengin, Inc. Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material
US8816369B2 (en) 2004-10-29 2014-08-26 Led Engin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
US7352011B2 (en) * 2004-11-15 2008-04-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wide emitting lens for LED useful for backlighting
US7858408B2 (en) * 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
US7344902B2 (en) 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
US20060124941A1 (en) * 2004-12-13 2006-06-15 Lee Jae S Thin gallium nitride light emitting diode device
US9070850B2 (en) * 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US20070000849A1 (en) * 2005-01-25 2007-01-04 Daktronics, Inc. Modular display system
US20080296589A1 (en) * 2005-03-24 2008-12-04 Ingo Speier Solid-State Lighting Device Package
CA2614803C (en) * 2005-04-05 2015-08-25 Tir Technology Lp Electronic device package with an integrated evaporator
EP1883678B1 (en) * 2005-05-26 2008-10-08 Dow Corning Corporation Process and silicone encapsulant composition for molding small shapes
US9412926B2 (en) 2005-06-10 2016-08-09 Cree, Inc. High power solid-state lamp
KR101133572B1 (ko) * 2005-06-21 2012-04-05 삼성전자주식회사 다수의 색재현 범위를 갖는 색재현 장치 및 그 색신호처리방법
US20070039561A1 (en) * 2005-08-12 2007-02-22 Tarlton Peter B Luminous Resilient Leash
KR100722590B1 (ko) * 2005-08-30 2007-05-28 삼성전기주식회사 백라이트용 led 렌즈
DE102006020529A1 (de) * 2005-08-30 2007-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP2007116131A (ja) * 2005-09-21 2007-05-10 Sanyo Electric Co Ltd Led発光装置
KR20070033801A (ko) * 2005-09-22 2007-03-27 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
US7595515B2 (en) * 2005-10-24 2009-09-29 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device having a molded encapsulant
CN101297411B (zh) * 2005-10-24 2010-05-19 3M创新有限公司 发光器件的制造方法及发光器件
US8172097B2 (en) * 2005-11-10 2012-05-08 Daktronics, Inc. LED display module
US8130175B1 (en) 2007-04-12 2012-03-06 Daktronics, Inc. Pixel interleaving configurations for use in high definition electronic sign displays
US7907133B2 (en) 2006-04-13 2011-03-15 Daktronics, Inc. Pixel interleaving configurations for use in high definition electronic sign displays
US7943946B2 (en) * 2005-11-21 2011-05-17 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device
US20070120138A1 (en) * 2005-11-28 2007-05-31 Visteon Global Technologies, Inc. Multi-layer light emitting device with integrated thermoelectric chip
US7375379B2 (en) * 2005-12-19 2008-05-20 Philips Limileds Lighting Company, Llc Light-emitting device
JP2009527071A (ja) 2005-12-22 2009-07-23 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明装置
KR20080106402A (ko) 2006-01-05 2008-12-05 일루미텍스, 인크. Led로부터 광을 유도하기 위한 개별 광학 디바이스
EP1973963B1 (en) * 2006-01-17 2013-06-19 Dow Corning Corporation Thermally stable transparent silicone resin compositions and methods for their preparation and use
KR100764148B1 (ko) * 2006-01-17 2007-10-05 루시미아 주식회사 시트상 형광체와 그 제조방법 및 이를 이용한 발광장치
JP2009525507A (ja) * 2006-02-01 2009-07-09 ダウ・コーニング・コーポレイション 耐衝撃性光導波路およびその製造方法
KR100867519B1 (ko) * 2006-02-02 2008-11-07 삼성전기주식회사 발광 다이오드 모듈
US8258502B2 (en) * 2006-02-24 2012-09-04 Dow Corning Corporation Light emitting device encapsulated with silicones and curable silicone compositions for preparing the silicones
CN102437152A (zh) * 2006-04-24 2012-05-02 克利公司 侧视表面安装式白光led
KR100731678B1 (ko) * 2006-05-08 2007-06-22 서울반도체 주식회사 칩형 발광 다이오드 패키지 및 그것을 갖는 발광 장치
US7655486B2 (en) * 2006-05-17 2010-02-02 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with multilayer silicon-containing encapsulant
US20070269586A1 (en) * 2006-05-17 2007-11-22 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing composition
EP2027602A4 (en) * 2006-05-23 2012-11-28 Cree Inc LIGHTING DEVICE AND METHOD OF MAKING
KR100789951B1 (ko) * 2006-06-09 2008-01-03 엘지전자 주식회사 발광 유닛 제작 장치 및 방법
DE102006050880A1 (de) * 2006-06-30 2008-04-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Beleuchtungseinrichtung
US7906794B2 (en) 2006-07-05 2011-03-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device package with frame and optically transmissive element
JP5178714B2 (ja) * 2006-07-06 2013-04-10 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 照明装置パッケージ
US20080012034A1 (en) * 2006-07-17 2008-01-17 3M Innovative Properties Company Led package with converging extractor
DE102007021042A1 (de) 2006-07-24 2008-01-31 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd., Suwon Leuchtdiodenmodul für Lichtquellenreihe
JP4937845B2 (ja) * 2006-08-03 2012-05-23 日立マクセル株式会社 照明装置および表示装置
JP2008060542A (ja) * 2006-08-03 2008-03-13 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置、発光装置の製造方法、及びこれを備えた光源装置
US8092735B2 (en) * 2006-08-17 2012-01-10 3M Innovative Properties Company Method of making a light emitting device having a molded encapsulant
US7909482B2 (en) 2006-08-21 2011-03-22 Innotec Corporation Electrical device having boardless electrical component mounting arrangement
US7763478B2 (en) * 2006-08-21 2010-07-27 Cree, Inc. Methods of forming semiconductor light emitting device packages by liquid injection molding
EP2402796A3 (en) 2006-08-28 2012-04-18 Dow Corning Corporation Optical devices and silicone compositions and processes fabricating the optical devices
JP2010502000A (ja) * 2006-08-29 2010-01-21 パナソニック株式会社 発光光源及びその製造方法
KR100790741B1 (ko) * 2006-09-07 2008-01-02 삼성전기주식회사 엘이디 패키지용 렌즈의 제작 방법
US20100224890A1 (en) * 2006-09-18 2010-09-09 Cree, Inc. Light emitting diode chip with electrical insulation element
KR100755612B1 (ko) * 2006-09-21 2007-09-06 삼성전기주식회사 Led 패키지 제조방법 및 백색 광원 모듈 제조방법
CN101563791B (zh) * 2006-09-27 2011-09-07 株式会社东芝 半导体发光装置以及包括该半导体发光装置的背光源和显示装置
DE112007002896A5 (de) 2006-09-29 2009-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
EP2070123A2 (en) 2006-10-02 2009-06-17 Illumitex, Inc. Led system and method
BRPI0718086A2 (pt) * 2006-10-31 2013-11-05 Tir Technology Lp Acondicionamento de dispositivo de iluminação
KR101271225B1 (ko) * 2006-10-31 2013-06-03 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 칩 및 발광 다이오드 광원 모듈의 제조 방법
JP5028562B2 (ja) * 2006-12-11 2012-09-19 株式会社ジャパンディスプレイイースト 照明装置及びこの照明装置を用いた表示装置
JP2010512662A (ja) 2006-12-11 2010-04-22 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 透明発光ダイオード
JP2008166782A (ja) * 2006-12-26 2008-07-17 Seoul Semiconductor Co Ltd 発光素子
KR101297405B1 (ko) 2006-12-26 2013-08-19 서울반도체 주식회사 유전체 다층막 반사 미러를 채택한 발광 소자
KR101253183B1 (ko) * 2007-01-26 2013-04-10 엘지전자 주식회사 인쇄회로기판, 이를 포함하는 발광 장치 및 그 제조 방법
SG144777A1 (en) * 2007-01-31 2008-08-28 Advanced Systems Automation Direct molding system and process
US7709853B2 (en) * 2007-02-12 2010-05-04 Cree, Inc. Packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US9061450B2 (en) * 2007-02-12 2015-06-23 Cree, Inc. Methods of forming packaged semiconductor light emitting devices having front contacts by compression molding
US20080197369A1 (en) * 2007-02-20 2008-08-21 Cree, Inc. Double flip semiconductor device and method for fabrication
US7446385B2 (en) * 2007-03-02 2008-11-04 Micron Technology, Inc. Methods of fabricating optical packages, systems comprising the same, and their uses
JP2008227119A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光ダイオードチップとレンズとの一体化構造物及びその製造方法
US8408773B2 (en) 2007-03-19 2013-04-02 Innotec Corporation Light for vehicles
EP2132778A1 (en) * 2007-03-29 2009-12-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light-emitting device comprising an elastomeric layer
JP5149529B2 (ja) * 2007-03-30 2013-02-20 株式会社朝日ラバー 照明用光学部品及びそれを用いた照明器具
DE102007017855A1 (de) * 2007-04-16 2008-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes und optoelektronisches Bauelement
US7964888B2 (en) * 2007-04-18 2011-06-21 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device packages and methods
US7976194B2 (en) * 2007-05-04 2011-07-12 Ruud Lighting, Inc. Sealing and thermal accommodation arrangement in LED package/secondary lens structure
JP5006102B2 (ja) * 2007-05-18 2012-08-22 株式会社東芝 発光装置およびその製造方法
DE102007025749A1 (de) * 2007-06-01 2008-12-11 Wacker Chemie Ag Leuchtkörper-Silicon-Formteil
US9046634B2 (en) * 2007-06-14 2015-06-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Thin flash or video recording light using low profile side emitting LED
US20090008662A1 (en) * 2007-07-05 2009-01-08 Ian Ashdown Lighting device package
US8350788B1 (en) 2007-07-06 2013-01-08 Daktronics, Inc. Louver panel for an electronic sign
US8791631B2 (en) 2007-07-19 2014-07-29 Quarkstar Llc Light emitting device
US20090039375A1 (en) * 2007-08-07 2009-02-12 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with separated wavelength conversion materials and methods of forming the same
US7863635B2 (en) * 2007-08-07 2011-01-04 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials
CN101373223B (zh) * 2007-08-20 2012-09-26 香港应用科技研究院有限公司 光学元件及包含其之背光模块
JP2009051107A (ja) * 2007-08-28 2009-03-12 Towa Corp 光素子の樹脂封止成形方法及び装置
TW200910648A (en) 2007-08-31 2009-03-01 Isotech Products Inc Forming process of resin lens of an LED component
JP5044329B2 (ja) 2007-08-31 2012-10-10 株式会社東芝 発光装置
JP5378666B2 (ja) * 2007-09-03 2013-12-25 日東電工株式会社 光半導体装置の製造方法
US20090065792A1 (en) * 2007-09-07 2009-03-12 3M Innovative Properties Company Method of making an led device having a dome lens
TW200915599A (en) * 2007-09-17 2009-04-01 Helio Optoelectronics Corp Manufacturing method of LED having multi-layered optical lens, and structure thereof
DE102007052181A1 (de) * 2007-09-20 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
EP2040316B1 (de) 2007-09-20 2014-08-06 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US20100163909A1 (en) * 2007-09-27 2010-07-01 Ming-Hung Chen Manufacturing method and structure of light-emitting diode with multilayered optical lens
DE102007049799A1 (de) 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP2009094199A (ja) * 2007-10-05 2009-04-30 Sharp Corp 発光装置、面光源、表示装置と、その製造方法
JP5262054B2 (ja) * 2007-10-10 2013-08-14 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
WO2009055079A1 (en) * 2007-10-26 2009-04-30 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Illumination device having one or more lumiphors, and methods of fabricating same
US9666762B2 (en) * 2007-10-31 2017-05-30 Cree, Inc. Multi-chip light emitter packages and related methods
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US7846751B2 (en) * 2007-11-19 2010-12-07 Wang Nang Wang LED chip thermal management and fabrication methods
WO2009076579A2 (en) 2007-12-12 2009-06-18 Innotec Corporation Overmolded circuit board and method
US9431589B2 (en) * 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
US10008637B2 (en) 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
EP2240968A1 (en) 2008-02-08 2010-10-20 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
DE102008009808A1 (de) * 2008-02-19 2009-08-27 Lighting Innovation Group Ag LED-Lichtleiste höherer Schutzart
DE102008026841A1 (de) * 2008-02-22 2009-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
US20090230409A1 (en) * 2008-03-17 2009-09-17 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Underfill process for flip-chip leds
JP2009252781A (ja) * 2008-04-01 2009-10-29 Shin Etsu Chem Co Ltd 樹脂封止型発光ダイオードの製造方法
US7841734B2 (en) * 2008-05-27 2010-11-30 Ruud Lighting, Inc. LED lighting fixture
DE102008025491A1 (de) * 2008-05-28 2009-12-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Leiterplatte
EP2290712A1 (en) * 2008-06-23 2011-03-02 Panasonic Corporation Light emitting apparatus, planar light emitting apparatus and display apparatus
US8105853B2 (en) * 2008-06-27 2012-01-31 Bridgelux, Inc. Surface-textured encapsulations for use with light emitting diodes
TWI361261B (en) * 2008-06-30 2012-04-01 E Pin Optical Industry Co Ltd Aspherical led angular lens for wide distribution patterns and led assembly using the same
TWI395908B (zh) * 2008-06-30 2013-05-11 E Pin Optical Industry Co Ltd 非球面正照角發光二極體光學鏡片及其所構成的發光二極體組件
TW201000602A (en) * 2008-06-30 2010-01-01 Paragon Technologies Co Ltd Organic membrane for transmitting optical spectrum and LED chip package module
TWI357164B (en) * 2008-06-30 2012-01-21 E Pin Optical Industry Co Ltd Aspherical led angular lens for narrow distributio
JP2010027974A (ja) * 2008-07-23 2010-02-04 Sharp Corp 発光装置の製造方法
WO2010021346A1 (ja) * 2008-08-20 2010-02-25 三菱化学株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
KR100993317B1 (ko) * 2008-08-26 2010-11-09 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지의 렌즈 제조방법
US8403538B2 (en) * 2008-09-30 2013-03-26 Tyco Electronics Corporation Color homogenizing optical assembly
GB2464102A (en) * 2008-10-01 2010-04-07 Optovate Ltd Illumination apparatus comprising multiple monolithic subarrays
US8944626B2 (en) 2008-10-09 2015-02-03 Surefire, Llc Lighting device with switchable light sources
US8182109B2 (en) * 2008-10-09 2012-05-22 Surefire, Llc Lighting device with switchable light sources
US8534890B2 (en) * 2008-10-09 2013-09-17 Tyco Electronics Canada Ulc Light pipe assembly having optical concentrator
US8147089B2 (en) * 2008-10-09 2012-04-03 Surefire, Llc Switchable light sources
US8075165B2 (en) * 2008-10-14 2011-12-13 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device
JP2010103522A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Seoul Opto Devices Co Ltd 遅延蛍光体を備える交流駆動型の発光素子及び発光素子モジュール
US8008845B2 (en) * 2008-10-24 2011-08-30 Cree, Inc. Lighting device which includes one or more solid state light emitting device
US20100109025A1 (en) * 2008-11-05 2010-05-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Over the mold phosphor lens for an led
DE102008057140A1 (de) * 2008-11-13 2010-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US20100123386A1 (en) * 2008-11-13 2010-05-20 Maven Optronics Corp. Phosphor-Coated Light Extraction Structures for Phosphor-Converted Light Emitting Devices
KR101018153B1 (ko) * 2008-11-27 2011-02-28 삼성엘이디 주식회사 Led 패키지
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US7841747B2 (en) * 2008-12-11 2010-11-30 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting device
US8507300B2 (en) * 2008-12-24 2013-08-13 Ledengin, Inc. Light-emitting diode with light-conversion layer
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
DE102009005907A1 (de) * 2009-01-23 2010-07-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP5428358B2 (ja) * 2009-01-30 2014-02-26 ソニー株式会社 光学素子パッケージの製造方法
JP5327042B2 (ja) * 2009-03-26 2013-10-30 豊田合成株式会社 Ledランプの製造方法
US8382347B2 (en) * 2009-04-02 2013-02-26 Abl Ip Holding Llc Light fixture
US8212263B2 (en) * 2009-04-03 2012-07-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Backlight including semiconductior light emitting devices
JP2010245477A (ja) 2009-04-10 2010-10-28 Dow Corning Toray Co Ltd 光デバイス及びその製造方法
US10422503B2 (en) * 2009-10-30 2019-09-24 Ideal Industries Lighting Llc One-piece multi-lens optical member and method of manufacture
US20120086035A1 (en) * 2009-05-11 2012-04-12 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. LED Device With A Light Extracting Rough Structure And Manufacturing Methods Thereof
US8434883B2 (en) 2009-05-11 2013-05-07 SemiOptoelectronics Co., Ltd. LLB bulb having light extracting rough surface pattern (LERSP) and method of fabrication
US8545033B2 (en) * 2009-05-28 2013-10-01 Koninklijke Philips N.V. Illumination device with an envelope enclosing a light source
CN102414275A (zh) 2009-05-29 2012-04-11 道康宁公司 用于产生透明硅氧烷材料和光学器件的硅氧烷组合物
US8921876B2 (en) 2009-06-02 2014-12-30 Cree, Inc. Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
US8168998B2 (en) * 2009-06-09 2012-05-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with remote phosphor layer and reflective submount
US8384114B2 (en) 2009-06-27 2013-02-26 Cooledge Lighting Inc. High efficiency LEDs and LED lamps
JP5380182B2 (ja) * 2009-07-03 2014-01-08 パナソニック株式会社 発光装置、面光源および液晶ディスプレイ装置
US8431423B2 (en) * 2009-07-16 2013-04-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Reflective substrate for LEDS
US8097894B2 (en) * 2009-07-23 2012-01-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with molded reflective sidewall coating
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US20110051413A1 (en) * 2009-08-25 2011-03-03 Abl Ip Holding Llc Optic shielding
US20110049545A1 (en) 2009-09-02 2011-03-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led package with phosphor plate and reflective substrate
US8704259B2 (en) * 2009-09-25 2014-04-22 Luxintec, S.L. Optical illumination device
CN102575822B (zh) * 2009-09-25 2014-11-12 欧司朗光电半导体有限公司 照明设备
US20110089447A1 (en) * 2009-10-19 2011-04-21 Wu-Cheng Kuo Light-emiting device chip with micro-lenses and method for fabricating the same
JP5637675B2 (ja) * 2009-10-29 2014-12-10 株式会社朝日ラバー ハイブリッドレンズ
US8203161B2 (en) 2009-11-23 2012-06-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength converted semiconductor light emitting device
US8465172B2 (en) * 2009-12-17 2013-06-18 Phoseon Technology, Inc. Lighting module with diffractive optical element
KR101186648B1 (ko) * 2009-12-21 2012-09-28 서울반도체 주식회사 Led 패키지 및 그의 제조 방법
US8653539B2 (en) 2010-01-04 2014-02-18 Cooledge Lighting, Inc. Failure mitigation in arrays of light-emitting devices
US9480133B2 (en) 2010-01-04 2016-10-25 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting element repair in array-based lighting devices
KR20110087579A (ko) * 2010-01-26 2011-08-03 삼성엘이디 주식회사 Led 모듈과 이를 구비하는 백라이트 유닛
JP5010693B2 (ja) * 2010-01-29 2012-08-29 株式会社東芝 Ledパッケージ
JP5623092B2 (ja) * 2010-02-04 2014-11-12 信越化学工業株式会社 発光ダイオードチップとレンズとの一体化構造物の製造方法
US8783915B2 (en) 2010-02-11 2014-07-22 Bridgelux, Inc. Surface-textured encapsulations for use with light emitting diodes
US8771577B2 (en) * 2010-02-16 2014-07-08 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device with molded wavelength converting layer
US8632196B2 (en) 2010-03-03 2014-01-21 Cree, Inc. LED lamp incorporating remote phosphor and diffuser with heat dissipation features
US9625105B2 (en) 2010-03-03 2017-04-18 Cree, Inc. LED lamp with active cooling element
US9024517B2 (en) 2010-03-03 2015-05-05 Cree, Inc. LED lamp with remote phosphor and diffuser configuration utilizing red emitters
US8562161B2 (en) 2010-03-03 2013-10-22 Cree, Inc. LED based pedestal-type lighting structure
US8931933B2 (en) 2010-03-03 2015-01-13 Cree, Inc. LED lamp with active cooling element
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
US9310030B2 (en) 2010-03-03 2016-04-12 Cree, Inc. Non-uniform diffuser to scatter light into uniform emission pattern
US9062830B2 (en) 2010-03-03 2015-06-23 Cree, Inc. High efficiency solid state lamp and bulb
US9500325B2 (en) 2010-03-03 2016-11-22 Cree, Inc. LED lamp incorporating remote phosphor with heat dissipation features
US10359151B2 (en) 2010-03-03 2019-07-23 Ideal Industries Lighting Llc Solid state lamp with thermal spreading elements and light directing optics
US9316361B2 (en) 2010-03-03 2016-04-19 Cree, Inc. LED lamp with remote phosphor and diffuser configuration
US9057511B2 (en) 2010-03-03 2015-06-16 Cree, Inc. High efficiency solid state lamp and bulb
TWI476959B (zh) * 2010-04-11 2015-03-11 Achrolux Inc 轉移均勻螢光層至一物件上之方法及所製得之發光結構
US8431942B2 (en) * 2010-05-07 2013-04-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED package with a rounded square lens
TWI442604B (zh) * 2010-06-17 2014-06-21 Achrolux Inc 發光結構及其製法
TW201201409A (en) * 2010-06-29 2012-01-01 Semileds Optoelectronics Co Chip-type light emitting device having precisely coated wavelength-converting layer and packaged structure thereof
CN102959708B (zh) 2010-06-29 2016-05-04 柯立芝照明有限公司 具有易弯曲基板的电子装置
US8835199B2 (en) * 2010-07-28 2014-09-16 GE Lighting Solutions, LLC Phosphor suspended in silicone, molded/formed and used in a remote phosphor configuration
US10451251B2 (en) 2010-08-02 2019-10-22 Ideal Industries Lighting, LLC Solid state lamp with light directing optics and diffuser
TW201207324A (en) * 2010-08-13 2012-02-16 Foxsemicon Integrated Tech Inc Lightening structure of LED light source
DE102011107892A1 (de) 2011-07-18 2013-01-24 Heraeus Noblelight Gmbh Beschichtungsverfahren für einoptoelektronisches Chip-On-Board-Modul
DE102010044471A1 (de) 2010-09-06 2012-03-08 Heraeus Noblelight Gmbh Beschichtungsverfahren für ein optoelektronisches Chip-On-Board-Modul
CN103109587B (zh) * 2010-09-06 2016-10-19 贺利氏特种光源有限责任公司 光电子板上芯片模块的涂层方法
US20120056228A1 (en) * 2010-09-07 2012-03-08 Phostek, Inc. Led chip modules, method for packaging the led chip modules, and moving fixture thereof
DE102010045316A1 (de) * 2010-09-14 2012-03-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
JP2012069589A (ja) * 2010-09-21 2012-04-05 Toshiba Corp 発光装置
JP5767062B2 (ja) * 2010-09-30 2015-08-19 日東電工株式会社 発光ダイオード封止材、および、発光ダイオード装置の製造方法
CN102447042A (zh) * 2010-10-15 2012-05-09 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构及制程
TWI478400B (zh) * 2010-10-22 2015-03-21 Advanced Optoelectronic Tech 封裝體、發光二極體封裝結構及封裝體的製造方法
US8455895B2 (en) 2010-11-08 2013-06-04 Bridgelux, Inc. LED-based light source utilizing asymmetric conductors
US9478719B2 (en) 2010-11-08 2016-10-25 Bridgelux, Inc. LED-based light source utilizing asymmetric conductors
DE102010063760B4 (de) * 2010-12-21 2022-12-29 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
KR101725220B1 (ko) 2010-12-22 2017-04-10 삼성전자 주식회사 형광체 도포 방법 및 형광체 도포 장치
TWI441361B (zh) * 2010-12-31 2014-06-11 Interlight Optotech Corp 發光二極體封裝結構及其製造方法
US8652860B2 (en) 2011-01-09 2014-02-18 Bridgelux, Inc. Packaging photon building blocks having only top side connections in a molded interconnect structure
US8354684B2 (en) 2011-01-09 2013-01-15 Bridgelux, Inc. Packaging photon building blocks having only top side connections in an interconnect structure
US8536605B2 (en) * 2011-11-28 2013-09-17 Bridgelux, Inc. Micro-bead blasting process for removing a silicone flash layer
KR101923588B1 (ko) 2011-01-21 2018-11-29 스탠리 일렉트릭 컴퍼니, 리미티드 발광장치, 그 제조방법 및 조명장치
US9234655B2 (en) 2011-02-07 2016-01-12 Cree, Inc. Lamp with remote LED light source and heat dissipating elements
US9068701B2 (en) 2012-01-26 2015-06-30 Cree, Inc. Lamp structure with remote LED light source
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
TW201238099A (en) * 2011-03-02 2012-09-16 E Pin Optical Industry Co Ltd LED with primary optical lens packing method and LED assembly thereof
KR101367378B1 (ko) 2011-03-31 2014-02-26 서울반도체 주식회사 유전체 다층막 반사 미러를 채택한 발광 소자
US9029887B2 (en) 2011-04-22 2015-05-12 Micron Technology, Inc. Solid state lighting devices having improved color uniformity and associated methods
US9074357B2 (en) 2011-04-25 2015-07-07 Delta Faucet Company Mounting bracket for electronic kitchen faucet
US8257988B1 (en) 2011-05-17 2012-09-04 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Method of making light emitting diodes
US8497519B2 (en) * 2011-05-24 2013-07-30 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Batwing LED with remote phosphor configuration
JP2014525146A (ja) 2011-07-21 2014-09-25 クリー インコーポレイテッド 発光デバイス、パッケージ、部品、ならびに改良された化学抵抗性のための方法および関連する方法
US10686107B2 (en) 2011-07-21 2020-06-16 Cree, Inc. Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods
US10211380B2 (en) 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
US9845943B2 (en) 2011-07-22 2017-12-19 Guardian Glass, LLC Heat management subsystems for LED lighting systems, LED lighting systems including heat management subsystems, and/or methods of making the same
US20130037931A1 (en) * 2011-08-08 2013-02-14 Leo M. Higgins, III Semiconductor package with a heat spreader and method of making
US9166120B2 (en) 2011-08-16 2015-10-20 Samsung Electronics Co., Ltd. LED device having improved luminous efficacy
US8450445B2 (en) 2011-08-17 2013-05-28 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Light emitting diode manufacturing method
US20130056749A1 (en) * 2011-09-07 2013-03-07 Michael Tischler Broad-area lighting systems
US8579451B2 (en) * 2011-09-15 2013-11-12 Osram Sylvania Inc. LED lamp
US8957440B2 (en) * 2011-10-04 2015-02-17 Cree, Inc. Light emitting devices with low packaging factor
US9057184B2 (en) 2011-10-19 2015-06-16 Delta Faucet Company Insulator base for electronic faucet
EP2587560A1 (en) * 2011-10-26 2013-05-01 Forschungsverbund Berlin e.V. Light emitting diode
WO2013061228A1 (en) * 2011-10-28 2013-05-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device with integral shaped reflector
CN104115290B (zh) 2011-11-23 2017-04-05 夸克星有限责任公司 提供光的不对称传播的发光装置
CN104081545A (zh) * 2011-12-01 2014-10-01 夸克星有限责任公司 固态照明装置及其制造方法
US8746923B2 (en) 2011-12-05 2014-06-10 Cooledge Lighting Inc. Control of luminous intensity distribution from an array of point light sources
US9496466B2 (en) 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
WO2013112435A1 (en) 2012-01-24 2013-08-01 Cooledge Lighting Inc. Light - emitting devices having discrete phosphor chips and fabrication methods
US8907362B2 (en) 2012-01-24 2014-12-09 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
US8896010B2 (en) 2012-01-24 2014-11-25 Cooledge Lighting Inc. Wafer-level flip chip device packages and related methods
EP2812929B1 (en) * 2012-02-10 2020-03-11 Lumileds Holding B.V. Molded lens forming a chip scale led package and method of manufacturing the same
US9240530B2 (en) * 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
EP2823515A4 (en) * 2012-03-06 2015-08-19 Soraa Inc LIGHT-EMITTING DIODES WITH MATERIAL LAYERS WITH LOW BREAKING INDEX TO REDUCE LIGHT PIPE EFFECTS
US9488359B2 (en) 2012-03-26 2016-11-08 Cree, Inc. Passive phase change radiators for LED lamps and fixtures
US9897284B2 (en) 2012-03-28 2018-02-20 Ledengin, Inc. LED-based MR16 replacement lamp
JP2015519728A (ja) * 2012-04-12 2015-07-09 サン−ゴバン パフォーマンス プラスティックス コーポレイション 発光装置を製造する方法
JP2013230618A (ja) 2012-04-27 2013-11-14 Dow Corning Toray Co Ltd 離型フィルム、圧縮成型方法、および圧縮成型装置
US10145026B2 (en) 2012-06-04 2018-12-04 Slt Technologies, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of semipolar gallium nitride boules
JP5677371B2 (ja) * 2012-06-04 2015-02-25 株式会社東芝 発光装置
US9231178B2 (en) 2012-06-07 2016-01-05 Cooledge Lighting, Inc. Wafer-level flip chip device packages and related methods
DE112013002944T5 (de) 2012-06-13 2015-02-19 Innotec, Corp. Flexibler Hohllichtleiter
JP6348491B2 (ja) 2012-07-20 2018-06-27 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. セラミック緑色蛍光体と保護された赤色蛍光体層とを有するled
US8974077B2 (en) 2012-07-30 2015-03-10 Ultravision Technologies, Llc Heat sink for LED light source
DE102012107290A1 (de) * 2012-08-08 2014-02-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil, Konversionsmittelplättchen und Verfahren zur Herstellung eines Konversionsmittelplättchens
JP2014049625A (ja) * 2012-08-31 2014-03-17 Panasonic Corp Ledモジュール
WO2014138591A1 (en) 2013-03-07 2014-09-12 Quarkstar Llc Illumination device with multi-color light-emitting elements
EP2895793B1 (en) 2012-09-13 2020-11-04 Quarkstar LLC Light-emitting devices with reflective elements
WO2014043384A1 (en) 2012-09-13 2014-03-20 Quarkstar Llc Light-emitting device with remote scattering element and total internal reflection extractor element
US9299687B2 (en) * 2012-10-05 2016-03-29 Bridgelux, Inc. Light-emitting assemblies comprising an array of light-emitting diodes having an optimized lens configuration
US9022607B2 (en) 2012-10-18 2015-05-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Leadframe-based surface mount technology segmented display design and method of manufacture
KR101979825B1 (ko) * 2012-11-19 2019-05-17 서울반도체 주식회사 발광디바이스 및 이를 포함하는 전자장치
US20140146543A1 (en) * 2012-11-26 2014-05-29 Magic Lighting Optics Outdoor lighting device
CN102954388A (zh) * 2012-12-12 2013-03-06 陕西烽火佰鸿光电科技有限公司 一种改进型led灯具及其镀膜方法
US8727567B1 (en) * 2012-12-18 2014-05-20 Jds Uniphase Corporation Semiconductor light source having a reflector
US9761763B2 (en) 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
TW201430400A (zh) * 2013-01-31 2014-08-01 鴻海精密工業股份有限公司 擴散鏡片、光源模組及面光源
US9267661B1 (en) * 2013-03-01 2016-02-23 Soraa, Inc. Apportioning optical projection paths in an LED lamp
US9752757B2 (en) 2013-03-07 2017-09-05 Quarkstar Llc Light-emitting device with light guide for two way illumination
US9470395B2 (en) 2013-03-15 2016-10-18 Abl Ip Holding Llc Optic for a light source
US10811576B2 (en) 2013-03-15 2020-10-20 Quarkstar Llc Color tuning of light-emitting devices
US9920901B2 (en) 2013-03-15 2018-03-20 Cree, Inc. LED lensing arrangement
US10400984B2 (en) 2013-03-15 2019-09-03 Cree, Inc. LED light fixture and unitary optic member therefor
US9333698B2 (en) 2013-03-15 2016-05-10 Delta Faucet Company Faucet base ring
EP3081365B1 (en) 2013-05-10 2021-02-17 ABL IP Holding LLC Method and apparatus for manufacturing silicone optics
US20140338237A1 (en) * 2013-05-20 2014-11-20 Yun-Ping Chu Vehicle sign display employing semiconductor lighting elements
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
WO2015008243A1 (en) * 2013-07-19 2015-01-22 Koninklijke Philips N.V. Pc led with optical element and without substrate carrier
US20150028365A1 (en) * 2013-07-24 2015-01-29 Juanita N. Kurtin Highly refractive, transparent thermal conductors for better heat dissipation and light extraction in white leds
JP6318495B2 (ja) 2013-08-07 2018-05-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
TW201506456A (zh) * 2013-08-15 2015-02-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 透鏡組及使用該透鏡組的光源裝置
WO2015024794A1 (en) 2013-08-21 2015-02-26 Koninklijke Philips N.V. Textile optics – solution for robust flexible light treatment pads
WO2015104604A1 (en) * 2014-01-08 2015-07-16 Koninklijke Philips N.V. Wavelength converted semiconductor light emitting device
US9343443B2 (en) 2014-02-05 2016-05-17 Cooledge Lighting, Inc. Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
US9360188B2 (en) 2014-02-20 2016-06-07 Cree, Inc. Remote phosphor element filled with transparent material and method for forming multisection optical elements
CN103887406B (zh) * 2014-03-14 2016-06-15 苏州晶品光电科技有限公司 多层次多介质led发光器件封装结构
DE102014217986A1 (de) * 2014-03-27 2015-10-01 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED Modul mit integrierter Sekundäroptik
JP6781047B2 (ja) * 2014-05-21 2020-11-04 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 高いアライメント精度でレンズをledモジュールに取り付ける方法
CN104090423B (zh) * 2014-06-23 2017-08-01 京东方科技集团股份有限公司 透明显示装置
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
JP2014199958A (ja) * 2014-08-01 2014-10-23 信越化学工業株式会社 発光ダイオードチップとレンズとの一体化構造物及びその製造方法
CN111496379B (zh) * 2014-08-19 2022-08-26 亮锐控股有限公司 用于减少在管芯级激光剥离期间所受机械损伤的蓝宝石收集器
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
US10207440B2 (en) 2014-10-07 2019-02-19 Cree, Inc. Apparatus and method for formation of multi-region articles
US10249599B2 (en) * 2016-06-29 2019-04-02 eLux, Inc. Laminated printed color conversion phosphor sheets
US10032969B2 (en) 2014-12-26 2018-07-24 Nichia Corporation Light emitting device
US9752925B2 (en) * 2015-02-13 2017-09-05 Taiwan Biophotonic Corporation Optical sensor
ES2654376T3 (es) 2015-03-13 2018-02-13 Lunux Gmbh Dispositivo de iluminación
EP3070396B1 (de) 2015-03-13 2017-12-20 Lunux GmbH Lichtmodul
DE102015103747A1 (de) 2015-03-13 2016-09-15 Hella Kgaa Hueck & Co. Lichtmodul
KR102346157B1 (ko) * 2015-03-23 2021-12-31 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지
US10091887B2 (en) * 2015-04-02 2018-10-02 Tactotek Oy Multi-material structure with embedded electronics
JP2016200979A (ja) * 2015-04-10 2016-12-01 ホーチキ株式会社 煙感知器
EP3295479B1 (en) * 2015-05-13 2018-09-26 Lumileds Holding B.V. Sapphire collector for reducing mechanical damage during die level laser lift-off
KR20170003182A (ko) 2015-06-30 2017-01-09 서울반도체 주식회사 발광 다이오드
US20170338387A1 (en) * 2015-06-30 2017-11-23 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode
JP2017098414A (ja) * 2015-11-24 2017-06-01 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. 発光装置
CN106848031A (zh) 2015-12-04 2017-06-13 财团法人工业技术研究院 紫外光发光二极管的封装结构
KR20170075897A (ko) 2015-12-23 2017-07-04 삼성전자주식회사 발광 다이오드 패키지
TWI581465B (zh) * 2015-12-30 2017-05-01 行家光電股份有限公司 晶片級封裝發光裝置及其製造方法
US10693046B2 (en) 2015-12-30 2020-06-23 Maven Optronics Co., Ltd. Chip scale packaging light emitting device and manufacturing method of the same
RU2691128C1 (ru) * 2016-01-19 2019-06-11 Мицубиси Электрик Корпорейшн Способ производства панели светодиодного дисплея
KR102407777B1 (ko) * 2016-02-04 2022-06-10 에피스타 코포레이션 발광소자 및 그의 제조방법
TWI780041B (zh) 2016-02-04 2022-10-11 晶元光電股份有限公司 一種發光元件及其製造方法
ITUB20161150A1 (it) * 2016-02-29 2017-08-29 Osram Gmbh Procedimento per realizzare dispositivi di illuminazione e corrispondente dispositivo
CN109791968A (zh) 2016-07-26 2019-05-21 克利公司 发光二极管、组件和相关方法
US10230027B2 (en) * 2016-08-05 2019-03-12 Maven Optronics Co., Ltd. Moisture-resistant chip scale packaging light-emitting device
CN106252495A (zh) * 2016-09-05 2016-12-21 清华大学深圳研究生院 一种led封装及其荧光粉壳体
US10697628B2 (en) 2017-04-25 2020-06-30 Delta Faucet Company Faucet illumination device
JP7077202B2 (ja) * 2017-10-26 2022-05-30 晶元光電股▲ふん▼有限公司 発光装置
CN107833947B (zh) * 2017-11-28 2020-12-18 浙江清华柔性电子技术研究院 一种led封装方法
CN107863440A (zh) * 2017-11-28 2018-03-30 西安科锐盛创新科技有限公司 高发光率led
CN107833948A (zh) * 2017-11-28 2018-03-23 西安科锐盛创新科技有限公司 Led封装结构及其方法
JP7268315B2 (ja) * 2017-12-12 2023-05-08 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びその製造方法、並びに発光装置
JP7218378B2 (ja) * 2018-02-19 2023-02-06 シグニファイ ホールディング ビー ヴィ ライトエンジンを備える封止デバイス
US11024785B2 (en) * 2018-05-25 2021-06-01 Creeled, Inc. Light-emitting diode packages
US11335833B2 (en) 2018-08-31 2022-05-17 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
US11233183B2 (en) 2018-08-31 2022-01-25 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
USD902448S1 (en) 2018-08-31 2020-11-17 Cree, Inc. Light emitting diode package
US11333320B2 (en) * 2018-10-22 2022-05-17 American Sterilizer Company Retroreflector LED spectrum enhancement method and apparatus
TWI767282B (zh) * 2018-10-31 2022-06-11 億光電子工業股份有限公司 發光裝置及發光模組
US11695093B2 (en) 2018-11-21 2023-07-04 Analog Devices, Inc. Superlattice photodetector/light emitting diode
JP7042735B2 (ja) * 2018-12-24 2022-03-28 三菱電機株式会社 レンズ
ES2769903B2 (es) * 2018-12-28 2021-05-24 Seat Sa Emblema con iluminacion para un vehiculo
CN110021698B (zh) * 2019-04-25 2020-05-29 吴宇嘉 双层封胶结构的led显示屏的封装工艺
US11101411B2 (en) 2019-06-26 2021-08-24 Creeled, Inc. Solid-state light emitting devices including light emitting diodes in package structures
JP6787515B1 (ja) * 2019-08-02 2020-11-18 日亜化学工業株式会社 発光装置および面発光光源
USD933881S1 (en) 2020-03-16 2021-10-19 Hgci, Inc. Light fixture having heat sink
KR102341319B1 (ko) * 2020-03-16 2021-12-21 (주) 헥사이노힐 저출력 레이저 치료 요법(lllt)을 위한 일체형 칩온보드 타입의 의료용 발광 소자 제조 방법 및 이를 이용한 의료용 발광 소자
USD933872S1 (en) 2020-03-16 2021-10-19 Hgci, Inc. Light fixture
US11032976B1 (en) * 2020-03-16 2021-06-15 Hgci, Inc. Light fixture for indoor grow application and components thereof
US10962700B1 (en) 2020-03-18 2021-03-30 Ideal Industries Lighting Llc Field-reconfigurable luminaire
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
DE102020114368A1 (de) 2020-05-28 2021-12-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Family Cites Families (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1796468A (en) 1927-07-26 1931-03-17 Main Georges Incandescent electric lamp
JPS5419660A (en) * 1977-07-15 1979-02-14 Stanley Electric Co Ltd Method of packaging optical semiconductor resin mold
JPS594655U (ja) * 1982-06-30 1984-01-12 サンケン電気株式会社 発光ダイオ−ドを使用した面照明装置
JPS594657U (ja) * 1982-08-07 1984-01-12 サンケン電気株式会社 発光ダイオ−ド
JPS611067A (ja) * 1984-06-13 1986-01-07 Stanley Electric Co Ltd プリント基板に装着されたledチツプのモ−ルド方法
JPS624380A (ja) * 1985-06-29 1987-01-10 Toshiba Corp 発光ダイオ−ド装置
JPS62269376A (ja) 1986-05-19 1987-11-21 Canon Inc 半導体装置
GB2252746B (en) 1991-01-17 1995-07-12 Towa Corp A method of molding resin to seal an electronic part on a lead frame and apparatus therefor
JP2900000B2 (ja) 1991-07-12 1999-06-02 タキロン株式会社 発光表示体及びその製造方法
JP2859992B2 (ja) 1991-08-06 1999-02-24 シャープ株式会社 磁気記録再生装置
JPH05167102A (ja) * 1991-12-17 1993-07-02 Victor Co Of Japan Ltd 発光装置及びその製造方法
JPH05198845A (ja) 1992-01-10 1993-08-06 Nippon Kayaku Co Ltd 発光ダイオード素子の封止方法
JPH0685325A (ja) * 1992-08-28 1994-03-25 Stanley Electric Co Ltd Ledの製造方法
JP2524955B2 (ja) 1993-04-22 1996-08-14 トーワ株式会社 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
EP0632511A3 (en) * 1993-06-29 1996-11-27 Mitsubishi Cable Ind Ltd Light emitting diode module and method for its manufacture.
JPH07193282A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Mitsubishi Materials Corp 指向性の少ない赤外可視変換発光ダイオード
JP3423766B2 (ja) 1994-03-11 2003-07-07 Towa株式会社 電子部品の樹脂封止成形方法及び金型装置
JPH08335720A (ja) * 1995-06-08 1996-12-17 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体発光ダイオード
JPH09153646A (ja) * 1995-09-27 1997-06-10 Toshiba Corp 光半導体装置およびその製造方法
JP3234905B2 (ja) * 1995-10-06 2001-12-04 シャープ株式会社 Led表示装置、その製造用金型及びled表示装置の製造方法
EP0856202A2 (en) * 1996-06-11 1998-08-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Visible light emitting devices including uv-light emitting diode and uv-excitable, visible light emitting phosphor, and method of producing such devices
JP3752760B2 (ja) * 1997-01-14 2006-03-08 豊田合成株式会社 発光ダイオード装置
US6274890B1 (en) 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
JPH10284757A (ja) * 1997-04-04 1998-10-23 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード装置
US5847507A (en) 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens
US6194742B1 (en) 1998-06-05 2001-02-27 Lumileds Lighting, U.S., Llc Strain engineered and impurity controlled III-V nitride semiconductor films and optoelectronic devices
JP3486345B2 (ja) 1998-07-14 2004-01-13 東芝電子エンジニアリング株式会社 半導体発光装置
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6670207B1 (en) * 1999-03-15 2003-12-30 Gentex Corporation Radiation emitter device having an integral micro-groove lens
US6274924B1 (en) 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
JP2000216443A (ja) * 1999-01-25 2000-08-04 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオ―ド及びその製造方法
US6521916B2 (en) * 1999-03-15 2003-02-18 Gentex Corporation Radiation emitter device having an encapsulant with different zones of thermal conductivity
US6133589A (en) 1999-06-08 2000-10-17 Lumileds Lighting, U.S., Llc AlGaInN-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction
KR100425566B1 (ko) 1999-06-23 2004-04-01 가부시키가이샤 시티즌 덴시 발광 다이오드
JP3492945B2 (ja) 1999-07-19 2004-02-03 株式会社シチズン電子 発光ダイオード
JP2001148514A (ja) * 1999-11-18 2001-05-29 Matsushita Electric Works Ltd 照明光源
JP2001228809A (ja) 1999-12-09 2001-08-24 Fuji Photo Film Co Ltd ディスプレイ装置
US6717348B2 (en) 1999-12-09 2004-04-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Display apparatus
JP3685018B2 (ja) * 2000-05-09 2005-08-17 日亜化学工業株式会社 発光素子とその製造方法
JP4239439B2 (ja) 2000-07-06 2009-03-18 セイコーエプソン株式会社 光学装置およびその製造方法ならびに光伝送装置
US20020085390A1 (en) * 2000-07-14 2002-07-04 Hironobu Kiyomoto Optical device and apparatus employing the same
JP2002133925A (ja) * 2000-10-25 2002-05-10 Sanken Electric Co Ltd 蛍光カバー及び半導体発光装置
JP3791323B2 (ja) 2000-10-26 2006-06-28 オムロン株式会社 光素子用光学デバイス
JP2002176201A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Okaya Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子
JP3614776B2 (ja) * 2000-12-19 2005-01-26 シャープ株式会社 チップ部品型ledとその製造方法
US7560145B2 (en) 2000-12-27 2009-07-14 Kaneka Corporation Curing agent, curable compositions, compositions for optical materials, optical materials, their production and liquid crystal displays and LED's made by using the materials
JP4066229B2 (ja) * 2001-02-14 2008-03-26 株式会社カネカ 硬化剤、硬化性組成物、光学材料用組成物、光学材料、その製造方法、並びに、それを用いた液晶表示装置及びled
US6987613B2 (en) * 2001-03-30 2006-01-17 Lumileds Lighting U.S., Llc Forming an optical element on the surface of a light emitting device for improved light extraction
JP2002299699A (ja) 2001-03-30 2002-10-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
DE10120703A1 (de) * 2001-04-27 2002-10-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip für die Optoelektronik
JP2002343123A (ja) * 2001-05-14 2002-11-29 Stanley Electric Co Ltd 導光板用led
JP2002344027A (ja) * 2001-05-15 2002-11-29 Stanley Electric Co Ltd 面実装led
US6576488B2 (en) 2001-06-11 2003-06-10 Lumileds Lighting U.S., Llc Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor
DE10129785B4 (de) * 2001-06-20 2010-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2003080537A (ja) * 2001-09-14 2003-03-19 Citizen Electronics Co Ltd プラスチックの成形型及び成形方法
US6610598B2 (en) * 2001-11-14 2003-08-26 Solidlite Corporation Surface-mounted devices of light-emitting diodes with small lens
US6734465B1 (en) * 2001-11-19 2004-05-11 Nanocrystals Technology Lp Nanocrystalline based phosphors and photonic structures for solid state lighting
JP2003188421A (ja) * 2001-12-20 2003-07-04 Alps Electric Co Ltd 発光装置
JP2003229604A (ja) * 2002-02-04 2003-08-15 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置
US6791116B2 (en) * 2002-04-30 2004-09-14 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode
US6679621B2 (en) * 2002-06-24 2004-01-20 Lumileds Lighting U.S., Llc Side emitting LED and lens
US7224000B2 (en) 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
JP4268389B2 (ja) 2002-09-06 2009-05-27 Towa株式会社 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
US6682331B1 (en) * 2002-09-20 2004-01-27 Agilent Technologies, Inc. Molding apparatus for molding light emitting diode lamps
DE10245946C1 (de) * 2002-09-30 2003-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Lichtquellenmoduls
JP3717480B2 (ja) * 2003-01-27 2005-11-16 ローム株式会社 半導体発光装置
US7824937B2 (en) * 2003-03-10 2010-11-02 Toyoda Gosei Co., Ltd. Solid element device and method for manufacturing the same
EP1460748B1 (de) 2003-03-21 2006-08-02 Grundfos A/S Pumpenaggregat
EP1460738A3 (en) * 2003-03-21 2004-09-29 Avalon Photonics AG Wafer-scale replication-technique for opto-mechanical structures on opto-electronic devices
JP2004319591A (ja) * 2003-04-11 2004-11-11 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
KR101148332B1 (ko) * 2003-04-30 2012-05-25 크리, 인코포레이티드 콤팩트 광학 특성을 지닌 높은 전력의 발광 소자 패키지
US7329029B2 (en) 2003-05-13 2008-02-12 Light Prescriptions Innovators, Llc Optical device for LED-based lamp
EP2520953A1 (en) * 2003-07-29 2012-11-07 Light Engine Limited Circumferentially emitting luminaires and lens elements formed by transverse-axis profile-sweeps
US7868343B2 (en) 2004-04-06 2011-01-11 Cree, Inc. Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same
JP5004410B2 (ja) 2004-04-26 2012-08-22 Towa株式会社 光素子の樹脂封止成形方法および樹脂封止成形装置
JP4996463B2 (ja) 2004-06-30 2012-08-08 クリー インコーポレイテッド 発光デバイスをパッケージするためのチップスケール方法およびチップスケールにパッケージされた発光デバイス
JP5128047B2 (ja) 2004-10-07 2013-01-23 Towa株式会社 光デバイス及び光デバイスの生産方法
JP4432724B2 (ja) 2004-10-22 2010-03-17 パナソニック電工株式会社 照明光源の製造方法および照明光源
US20060091418A1 (en) 2004-11-04 2006-05-04 Chew Tong F Side emitting LED device and method of fabrication
US7344902B2 (en) 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die

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