JPH07193282A - 指向性の少ない赤外可視変換発光ダイオード - Google Patents
指向性の少ない赤外可視変換発光ダイオードInfo
- Publication number
- JPH07193282A JPH07193282A JP5331482A JP33148293A JPH07193282A JP H07193282 A JPH07193282 A JP H07193282A JP 5331482 A JP5331482 A JP 5331482A JP 33148293 A JP33148293 A JP 33148293A JP H07193282 A JPH07193282 A JP H07193282A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- infrared
- emitting diode
- diode chip
- infrared light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 30
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000010137 moulding (plastic) Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 指向性の少ない赤外可視変換発光ダイオード
を提供する。 【構成】 赤外発光ダイオードの放射する赤外光を赤外
可視変換蛍光体を用いて可視光に変換して放射する赤外
可視変換発光ダイオードにおいて、赤外可視変換蛍光体
を分散含有するドーム状樹脂成型体を赤外発光ダイオー
ドチップに対して所定の距離を設けて装着するととも
に、前記ダイオードチップとドーム状成型体の間に赤外
光散乱体、望ましくは上面を凹面フレネルレンズ、梨地
模様、同心円溝とした赤外光散乱体を設ける。
を提供する。 【構成】 赤外発光ダイオードの放射する赤外光を赤外
可視変換蛍光体を用いて可視光に変換して放射する赤外
可視変換発光ダイオードにおいて、赤外可視変換蛍光体
を分散含有するドーム状樹脂成型体を赤外発光ダイオー
ドチップに対して所定の距離を設けて装着するととも
に、前記ダイオードチップとドーム状成型体の間に赤外
光散乱体、望ましくは上面を凹面フレネルレンズ、梨地
模様、同心円溝とした赤外光散乱体を設ける。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、表示用などに広く用
いられている赤外可視変換発光ダイオード(以下、変換
発光ダイオードという)に関するものである。
いられている赤外可視変換発光ダイオード(以下、変換
発光ダイオードという)に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、一般に変換発光ダイオードは赤外
発光部と赤外可視変換蛍光体含有樹脂層(以下、蛍光体
層という)とそれを覆う透明樹脂モールドよりなり、赤
外発光部は図2の概略断面図に示されるように赤外発光
ダイオードチップ1(以下、ダイオードチップという)
のN型層を金属ステム4Aに、同じくP型層をリード線
6を経て金属ステム4Bにボンディングしてなり、かつ
金属ステム4A、4Bは端子5A、5Bと一体のものか
らなり、また前記蛍光体層8は赤外可視変換蛍光体(以
下、変換蛍光体という)の粉末を分散含有するエポキシ
樹脂をダイオードチップ1に塗布することによって形成
され、赤外発光部と蛍光体層8が透明樹脂モールド7で
パッケージされている。
発光部と赤外可視変換蛍光体含有樹脂層(以下、蛍光体
層という)とそれを覆う透明樹脂モールドよりなり、赤
外発光部は図2の概略断面図に示されるように赤外発光
ダイオードチップ1(以下、ダイオードチップという)
のN型層を金属ステム4Aに、同じくP型層をリード線
6を経て金属ステム4Bにボンディングしてなり、かつ
金属ステム4A、4Bは端子5A、5Bと一体のものか
らなり、また前記蛍光体層8は赤外可視変換蛍光体(以
下、変換蛍光体という)の粉末を分散含有するエポキシ
樹脂をダイオードチップ1に塗布することによって形成
され、赤外発光部と蛍光体層8が透明樹脂モールド7で
パッケージされている。
【0003】また、上記変換発光ダイオードにおいて
は、端子5Aと5Bの間に電圧を加えてダイオードチッ
プ1のPN接合面の近傍からから赤外光を放射し、この
赤外光が上記の蛍光体層8を通過する間に変換蛍光体に
吸収されて特定波長の可視光に変換され透明樹脂モール
ド7を通って外部へ放射される。
は、端子5Aと5Bの間に電圧を加えてダイオードチッ
プ1のPN接合面の近傍からから赤外光を放射し、この
赤外光が上記の蛍光体層8を通過する間に変換蛍光体に
吸収されて特定波長の可視光に変換され透明樹脂モール
ド7を通って外部へ放射される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、近年変換発光
ダイオードの大型化はめざましく、高い輝度を持つよう
になったが、上記の従来変換発光ダイオードにおいては
蛍光体層が一般に塗布あるいは滴下などによってダイオ
ードチップ上に形成されているので、均一な被着が困難
となるばかりでなく、この結果観察方向によって輝度が
異なるという指向性があらわれ、表示が不鮮明にならざ
るを得ないというのが現状である。
ダイオードの大型化はめざましく、高い輝度を持つよう
になったが、上記の従来変換発光ダイオードにおいては
蛍光体層が一般に塗布あるいは滴下などによってダイオ
ードチップ上に形成されているので、均一な被着が困難
となるばかりでなく、この結果観察方向によって輝度が
異なるという指向性があらわれ、表示が不鮮明にならざ
るを得ないというのが現状である。
【0005】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは上
述のような観点から、大型化しても鮮明な表示の得られ
る、指向性の少ない発光ダイオードを開発すべく研究を
おこなった結果、上記従来変換発光ダイオードにおける
蛍光体層をドーム状の蛍光体成型体(以下、蛍光成型体
という)とするとともに、ダイオードチップと蛍光成型
体との間にフレネルレンズなどを用いた散乱体を設置し
て赤外光が前記蛍光成型体に均一に照射されるようにす
ると観察方向による輝度の差に起因する指向性が少なく
なって鮮明な表示が得られるという研究結果を得たので
ある。
述のような観点から、大型化しても鮮明な表示の得られ
る、指向性の少ない発光ダイオードを開発すべく研究を
おこなった結果、上記従来変換発光ダイオードにおける
蛍光体層をドーム状の蛍光体成型体(以下、蛍光成型体
という)とするとともに、ダイオードチップと蛍光成型
体との間にフレネルレンズなどを用いた散乱体を設置し
て赤外光が前記蛍光成型体に均一に照射されるようにす
ると観察方向による輝度の差に起因する指向性が少なく
なって鮮明な表示が得られるという研究結果を得たので
ある。
【0006】この発明は、上記の研究結果にもとづいて
なされたものであって、赤外発光ダイオードの放射する
赤外光を変換蛍光体を用いて可視光に変換して放射する
変換発光ダイオードにおいて、変換蛍光体を分散含有す
る蛍光成型体をダイオードチップに対して所定の距離を
設けて装着するとともに、前記ダイオードチップと蛍光
成型体の間に赤外光散乱体、望ましくは上面をフレネル
凹レンズ、梨地模様、同心円溝とした赤外光散乱体を設
けた構造とした指向性の少ない変換発光ダイオードに特
徴を有するものである。
なされたものであって、赤外発光ダイオードの放射する
赤外光を変換蛍光体を用いて可視光に変換して放射する
変換発光ダイオードにおいて、変換蛍光体を分散含有す
る蛍光成型体をダイオードチップに対して所定の距離を
設けて装着するとともに、前記ダイオードチップと蛍光
成型体の間に赤外光散乱体、望ましくは上面をフレネル
凹レンズ、梨地模様、同心円溝とした赤外光散乱体を設
けた構造とした指向性の少ない変換発光ダイオードに特
徴を有するものである。
【0007】
【実施例】次に、この発明の変換発光ダイオードを実施
例により具体的に説明する。まず、表1に示される3種
類の変換蛍光体を同じく表1に示される割合でエポキシ
樹脂に分散混合し、これを外径3.0mm、高さ3.0
mm、厚さ0.5mmの蛍光の成型体とした。つぎに、
直径2.0mm、深さ4.0mmのキャビティーを有す
るプラスティック成型用金型を用意し、このキャビティ
ーの底部に各々フレネル凹レンズ、梨地模様、同心円溝
のパターンをもうけ、各々のキャビティーに未固化のエ
ポキシ樹脂を注入するとともに、前述の従来変換発光ダ
イオードと同じ構造を持つ赤外発光部を用意し、この赤
外発光部のダイオードチップがキャビティ断面の中心で
かつ底面から1.0mmの位置にくるよう前記未固化の
エポキシ樹脂に浸漬して固化したのち、これを金型から
抜いて、図1に示すように赤外光散乱体9の上面がダイ
オードチップ1の直上に位置する赤外発光体とし、この
赤外発光体を前記の蛍光成型体2に挿入してその周囲を
透明樹脂モールド7でパッケージすることにより本発明
変換発光ダイオード1〜3をそれぞれ製造した。
例により具体的に説明する。まず、表1に示される3種
類の変換蛍光体を同じく表1に示される割合でエポキシ
樹脂に分散混合し、これを外径3.0mm、高さ3.0
mm、厚さ0.5mmの蛍光の成型体とした。つぎに、
直径2.0mm、深さ4.0mmのキャビティーを有す
るプラスティック成型用金型を用意し、このキャビティ
ーの底部に各々フレネル凹レンズ、梨地模様、同心円溝
のパターンをもうけ、各々のキャビティーに未固化のエ
ポキシ樹脂を注入するとともに、前述の従来変換発光ダ
イオードと同じ構造を持つ赤外発光部を用意し、この赤
外発光部のダイオードチップがキャビティ断面の中心で
かつ底面から1.0mmの位置にくるよう前記未固化の
エポキシ樹脂に浸漬して固化したのち、これを金型から
抜いて、図1に示すように赤外光散乱体9の上面がダイ
オードチップ1の直上に位置する赤外発光体とし、この
赤外発光体を前記の蛍光成型体2に挿入してその周囲を
透明樹脂モールド7でパッケージすることにより本発明
変換発光ダイオード1〜3をそれぞれ製造した。
【0008】つぎに、この結果得られた本発明変換発光
ダイオード1〜3について、可視光の指向特性を評価す
る目的で端子5Aと5Bの間に約1.2ボルトの電圧を
加え50mAの順方向の電流を流すことによってダイオ
ードチップ1より赤外光を放射し、変換された可視光の
強度をダイオードの中心線にたいして30度の角度で透
明樹脂モールド7の表面から30cm離れた位置で、水
平面上円周方向に沿って60度毎に、光パワーメーター
を用いて測定し、また光軸を含む垂直面上で、同じくダ
イオードチップ1を中心点として所定の傾斜角で測定
し、中心線で測定した強度を100として相対強度を算
出しこの算出強度を表1に示した。
ダイオード1〜3について、可視光の指向特性を評価す
る目的で端子5Aと5Bの間に約1.2ボルトの電圧を
加え50mAの順方向の電流を流すことによってダイオ
ードチップ1より赤外光を放射し、変換された可視光の
強度をダイオードの中心線にたいして30度の角度で透
明樹脂モールド7の表面から30cm離れた位置で、水
平面上円周方向に沿って60度毎に、光パワーメーター
を用いて測定し、また光軸を含む垂直面上で、同じくダ
イオードチップ1を中心点として所定の傾斜角で測定
し、中心線で測定した強度を100として相対強度を算
出しこの算出強度を表1に示した。
【0009】比較の目的で図2に示されるとおり、蛍光
成型体に代わって平均厚さ0.5mmの蛍光体層8を塗
布するとともに、空間の形成なくパッケージすること以
外は同一の条件で従来変換発光ダイオード1〜3につい
て同一の条件で可視光の強度を測定し同じく相対強度を
算出して表1に示した。
成型体に代わって平均厚さ0.5mmの蛍光体層8を塗
布するとともに、空間の形成なくパッケージすること以
外は同一の条件で従来変換発光ダイオード1〜3につい
て同一の条件で可視光の強度を測定し同じく相対強度を
算出して表1に示した。
【0010】
【表1】
【0011】なお、本発明発光ダイオードにおいて赤外
光は透過するが可視光を反射する膜で前記ドーム状成型
体の内面をコーティングし、同じく外面を可視光は透過
するが赤外光は反射する膜でコーティング処理すると輝
度を高めることが出来る。
光は透過するが可視光を反射する膜で前記ドーム状成型
体の内面をコーティングし、同じく外面を可視光は透過
するが赤外光は反射する膜でコーティング処理すると輝
度を高めることが出来る。
【0012】
【発明の効果】表1から明らかなように、本発明変換発
光ダイオードは観測の位置によるばらつきがなく均一な
強度を示すので、極めて指向性が少なく、従って、大型
にしても鮮明な表示が可能となるなど工業上有用な特性
を有する。
光ダイオードは観測の位置によるばらつきがなく均一な
強度を示すので、極めて指向性が少なく、従って、大型
にしても鮮明な表示が可能となるなど工業上有用な特性
を有する。
【図1】 本発明変換発光ダイオードの断面図
【図2】 従来変換発光ダイオードの断面図
1. ダイオードチップ 2. 蛍光成型体 3. 空間 4A.4B. 金属ステム 5A.5B. 端子 6. リード線 7. 透明樹脂モールド 8. 蛍光体層 9. 赤外光散乱体
Claims (2)
- 【請求項1】 赤外発光ダイオードの放射する赤外光を
赤外可視変換蛍光体を用いて可視光に変換して放射する
赤外可視変換発光ダイオードにおいて、赤外可視変換蛍
光体を分散含有するドーム状樹脂成型体を赤外発光ダイ
オードチップに対して所定の距離を設けて装着するとと
もに、前記ダイオードチップとドーム状樹脂成型体の間
に赤外光散乱体を設けたことを特徴とする指向性の少な
い赤外可視変換発光ダイオード。 - 【請求項2】 上記赤外光散乱体は透明樹脂製にして上
面がフレネル凹レンズ面、梨地模様面、または同心円溝
を有することを特徴とする上記請求項1の赤外可視変換
発光ダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5331482A JPH07193282A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 指向性の少ない赤外可視変換発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5331482A JPH07193282A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 指向性の少ない赤外可視変換発光ダイオード |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07193282A true JPH07193282A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18244144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5331482A Withdrawn JPH07193282A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 指向性の少ない赤外可視変換発光ダイオード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07193282A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11163417A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード |
KR100241532B1 (ko) * | 1996-12-28 | 2000-02-01 | 김영환 | 집광기능이 구비된 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
US6661030B2 (en) | 1997-09-01 | 2003-12-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device including a fluorescent material |
JP2005252293A (ja) * | 1996-06-26 | 2005-09-15 | Siemens Ag | 半導体発光素子 |
EP1748498A2 (en) * | 2005-07-26 | 2007-01-31 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Light emitting diode package with diffuser and method of manufacturing the same |
JP2007251199A (ja) * | 2007-05-21 | 2007-09-27 | Kasei Optonix Co Ltd | 白色発光素子 |
KR100888815B1 (ko) * | 2007-10-12 | 2009-03-17 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 패키지 |
WO2010053884A1 (en) * | 2008-11-07 | 2010-05-14 | Idd Aerospace Corporation | Lighting systems |
EP2448021A3 (en) * | 2004-11-15 | 2013-08-21 | Philips Lumileds Lighting Company, LLC. | Molding a lens over a LED die |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP5331482A patent/JPH07193282A/ja not_active Withdrawn
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005252293A (ja) * | 1996-06-26 | 2005-09-15 | Siemens Ag | 半導体発光素子 |
US9196800B2 (en) | 1996-06-26 | 2015-11-24 | Osram Gmbh | Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element |
KR100241532B1 (ko) * | 1996-12-28 | 2000-02-01 | 김영환 | 집광기능이 구비된 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
US6661030B2 (en) | 1997-09-01 | 2003-12-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device including a fluorescent material |
US6674097B2 (en) | 1997-09-01 | 2004-01-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device including a fluorescent material |
JPH11163417A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード |
US9081167B2 (en) | 2004-11-15 | 2015-07-14 | Koninklijke Philips N.V. | Lens compression molded over LED die |
EP2448021A3 (en) * | 2004-11-15 | 2013-08-21 | Philips Lumileds Lighting Company, LLC. | Molding a lens over a LED die |
EP1748498A3 (en) * | 2005-07-26 | 2013-01-02 | Samsung LED Co., Ltd. | Light emitting diode package with diffuser and method of manufacturing the same |
EP1748498A2 (en) * | 2005-07-26 | 2007-01-31 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Light emitting diode package with diffuser and method of manufacturing the same |
JP2007251199A (ja) * | 2007-05-21 | 2007-09-27 | Kasei Optonix Co Ltd | 白色発光素子 |
KR100888815B1 (ko) * | 2007-10-12 | 2009-03-17 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 패키지 |
CN102210033A (zh) * | 2008-11-07 | 2011-10-05 | Idd航空宇宙公司 | 照明系统 |
US8523372B2 (en) | 2008-11-07 | 2013-09-03 | Idd Aerospace Corporation | Lighting systems |
WO2010053884A1 (en) * | 2008-11-07 | 2010-05-14 | Idd Aerospace Corporation | Lighting systems |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7129638B2 (en) | Light emitting devices with a phosphor coating having evenly dispersed phosphor particles and constant thickness | |
JP4861816B2 (ja) | 電磁放射の放出及び受動又はそのいずれか一方を行う半導体コンポーネント及びそのようなコンポーネントのためのハウジング基体 | |
US7126273B2 (en) | LED light source with lens | |
US7315119B2 (en) | Light-emitting device having a phosphor particle layer with specific thickness | |
JP5580246B2 (ja) | 発光ダイオードを用いる発光装置の製造方法 | |
US7777412B2 (en) | Phosphor converted LED with improved uniformity and having lower phosphor requirements | |
JP4167717B1 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
US6472765B1 (en) | Plastic encapsulated semiconductor light emitting device with a cover of fluorescent particles | |
US20030002272A1 (en) | Light-emitting diode | |
JPH07193281A (ja) | 指向性の少ない赤外可視変換発光ダイオード | |
US4599537A (en) | IR light emitting apparatus with visible detection means | |
US9231176B2 (en) | Narrow viewing angle plastic leaded chip carrier | |
US20080006839A1 (en) | Light emitting device and method for manufacturing the same | |
JPH07193282A (ja) | 指向性の少ない赤外可視変換発光ダイオード | |
US20140151731A1 (en) | Photon conversion structures, devices for light emitting devices | |
KR20110090126A (ko) | 발광소자 패키지 | |
JP4239564B2 (ja) | 発光ダイオードおよびledライト | |
CN106688096B (zh) | 光电子构件 | |
US20120211778A1 (en) | Led package for uniform color emission | |
JP2004087630A (ja) | 発光ダイオードおよびledライト | |
US10937933B2 (en) | Light-emitting component and method of producing a light-emitting component | |
KR101683889B1 (ko) | 발광장치 및 그 제조방법 | |
CN110233196A (zh) | 光电子器件和发光机构 | |
KR20050090505A (ko) | 백색 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
KR100585917B1 (ko) | 발광 다이오드 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010306 |