JP2002133925A - 蛍光カバー及び半導体発光装置 - Google Patents

蛍光カバー及び半導体発光装置

Info

Publication number
JP2002133925A
JP2002133925A JP2000325156A JP2000325156A JP2002133925A JP 2002133925 A JP2002133925 A JP 2002133925A JP 2000325156 A JP2000325156 A JP 2000325156A JP 2000325156 A JP2000325156 A JP 2000325156A JP 2002133925 A JP2002133925 A JP 2002133925A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor light
emitting device
light emitting
light
fluorescent cover
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000325156A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Kawae
裕之 川栄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanken Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanken Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanken Electric Co Ltd filed Critical Sanken Electric Co Ltd
Priority to JP2000325156A priority Critical patent/JP2002133925A/ja
Publication of JP2002133925A publication Critical patent/JP2002133925A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体発光装置の輝度及び演色性を向上す
る。 【解決手段】 本発明による蛍光カバー(9)は、弾性及
び光透過性を有する樹脂製の基材(12)と、基材(12)中に
添加された蛍光体(11)とを有し、蛍光体(11)は、下記の
何れかの一般式であり、蛍光体(11)で波長変換される光
は、赤色系発光となる波長成分の新たな発光ピーク及び
十分な輝度が得られ、演色性が向上する。 (1) R3512:Ce、Pr(Rはイットリウム
(Y)及びガドリニウム(Gd)のうちの少なくともい
ずれか1つの元素、Mはアルミニウム(Al)及びガリ
ウム(Ga)のうちの少なくともいずれか1つの元素) (2) (Y1-x、Gdx)3(Al1-y、Gay)512:Ce
z、Prw(0≦x≦0.5、0≦y≦0.5、0.001
≦z≦0.5及び0.001≦w≦0.5)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子か
ら発光された光を波長変換して外部に放射する蛍光カバ
ー及び半導体発光装置に属する。
【0002】
【従来の技術】例えば、特開平10−200165号公
報は、光透過性樹脂から構成される樹脂封止体によって
半導体発光素子を被覆し、発光波長変換部材の蛍光体を
含有するキャップ(蛍光カバー)で樹脂封止体を覆うこ
とにより、半導体発光素子から照射される光を蛍光体に
よって波長変換して樹脂封止体の外部に放出する半導体
発光装置を開示している。また、特許2927279号
は、発光層をGaN、GaAlN、InGaN、InG
aAlN等の窒化物系化合物半導体で形成した発光素子
と、セリウム賦活のイットリウム・アルミン酸塩系蛍光
体から成る発光波長変換部材とを組み合わせた半導体発
光装置を示す。この半導体発光装置は白色系の光を放出
し、且つ白熱電球や蛍光灯に比べて構造が簡単であり、
消費電力が少なく長寿命である利点を有する。また、こ
の半導体発光装置には、水銀等の環境汚染物質を使用し
ない優れた特徴があり、環境面からも次世代照明装置と
して大いに期待される。
【0003】特許2927279号に示される半導体発
光装置では、発光層が窒化物系化合物半導体から成り発
光スペクトルが400〜530nmの単色性ピーク波長を
有する青色発光素子を備え、青色発光素子を被覆するモ
ールド部材中に、セリウム賦活のイットリウム・アルミ
ン酸塩系蛍光体から成る発光波長変換部材として(RE
1-xSmx)3(AlyGa1-y)512:Ce[但し、0≦x
≦1,0≦y≦1、REは、Y、Gdから選択される少
なくとも1種]を含有させる。この半導体発光装置で
は、発光素子からモールド部材を透過する光は、モール
ド部材中の蛍光体によって波長変換され、モールド部材
の外部に白色系の発光を取り出すことができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前記のように、従来の
白色系半導体発光装置では、発光波長変換部材として使
用されるセリウム賦活のイットリウム・アルミン酸塩系
蛍光体では、青色系の光に励起されて発光する光の成分
の中に赤色領域での発光成分は比較的少ないため、発光
ダイオード装置の良好な演色性を得られないことが判明
した。「演色性(color rendering properties)」と
は、発光ダイオード装置が物体に光を照射したとき、そ
の物体の色(物体色)の見え方に及ぼす光の影響を表す
特性のことである。物体色は、その物体表面での固有の
反射率のスペクトル分布と、その物体を照射する照明光
のスペクトル分布とによって決定される。例えば、赤色
の物体に光を照射した場合、太陽光や白熱電球の下では
相対的に鮮やかな赤色に見えるのに対し、家庭用蛍光灯
の下ではややどす黒く変色して見える。これは太陽光や
白熱電球に比べ、家庭用蛍光灯のスペクトルに含まれる
赤色光成分が相対的に少ないために、被照射物からの赤
成分の反射光が少なく暗く見えることに起因する。この
ように照明光の演色性とは、どの程度自然に、その物体
の持つ本来の物体色を表現できるかの特性であり照明光
として重要な特性の一つである。
【0005】従って、セリウム賦活のイットリウム・ア
ルミン酸塩系蛍光体を使用する従来の白色系半導体発光
装置では、発光波長変換部材の発光成分の内、特に赤色
成分が少ないために、この半導体発光装置の光で対象と
なる物体を照らしても、その物体が本来持つ固有の色彩
を正確に目視できない問題があった。そこで、本発明
は、演色性に優れた蛍光カバー及び半導体発光装置を提
供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明による蛍光カバー
は、弾性及び光透過性を有する樹脂製の基材(12)と、基
材(12)中に添加された蛍光体(11)とを有し、蛍光体(11)
は、下記の何れかの一般式である。 (1) R3512:Ce、Prで表される蛍光粒子で
ある。Rはイットリウム(Y)及びガドリニウム(G
d)のうちの少なくともいずれか1つの元素、Mはアル
ミニウム(Al)及びガリウム(Ga)のうちの少なく
ともいずれか1つの元素であるため、赤色系発光となる
波長成分の新たな発光ピーク及び十分な輝度が得られ、
演色性が向上する。 (2) (Y1-x、Gdx)3(Al1-y、Gay)512:Ce
z、Prwで表される蛍光粒子である。0≦x≦0.5、
0≦y≦0.5、0.001≦z≦0.5及び0.001≦
w≦0.5の範囲を選択すると、赤色系発光となる波長
成分の新たな発光ピーク及び十分な輝度が得られ、十分
な輝度の白色光により演色性も向上する。この場合、x
値が0.5より大きいとGdの割合が増大して、輝度が
低下するおそれがあるため、0≦x≦0.5がよい。ま
た、y値が0.5より大きいと、Gaの割合が増大し
て、輝度が低下するおそれがあるため、0≦y≦0.5
がよい。また、z値が0.001より小さいと賦活剤の
Ceの割合が低下して輝度が減少する反面、z値が0.
5より大きいと賦活剤の濃度の増大により発光強度が低
下する濃度消光が生じて輝度が低下するおそれがあるた
め、0.001≦z≦0.5が好適である。更に、w値が
0.001より少ないとPrの割合が減少して赤色系発
光の波長成分のピーク強度が低下する反面、w値が0.
5より大きいと輝度が低下するおそれがあるため、0.
001≦w≦0.5がよい。
【0007】本発明の実施の形態では、基材(12)は、透
光性のポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ウレタン、ナ
イロン、シリコーン樹脂、塩化ビニル、ポリスチロー
ル、ベークライト、CR39(アクリル・グリコール・
カーボネート樹脂)の1種又は2種以上から選択され
る。一般式中、Mがアルミニウム(Al)の元素である
と、輝度が増大すると共に、赤色系発光の波長成分の新
たな発光ピークの強度が増大し、演色性の向上がより発
揮される。y=0とすると、Gaの不存在により、輝度
が増大するとともに、赤色系発光の波長成分の新たな発
光ピークの強度が増大する。
【0008】波長が430〜530nmに発光ピークを有
する励起光により励起されて、赤色の特殊演色評価数が
増大する蛍光体(11)を使用することにより、蛍光体(11)
が十分に励起されて高輝度が得られると共に、赤色系発
光の波長成分の新たな発光ピークの強度が増大する。例
えば半導体発光素子(5)として青色系の光を放出する窒
化物系化合物半導体発光素子を使用するとき、蛍光体(1
1)により波長変換された光と半導体発光素子(5)から直
接外部に放出された光とが合成され、混色により良好な
白色光及び演色性が得られる。ピーク波長が430nmよ
り短いか又は530nmより長いと、蛍光体が十分に励起
されず、白色発光の輝度が向上せず赤色の特殊演色評価
数が増大しないので、430〜530nmのピーク波長を
有する半導体発光素子(5)を用いる。
【0009】本発明による半導体発光装置は、青色光を
発光する半導体発光素子(5)と、半導体発光素子(5)を封
止する樹脂封止体(7)と、樹脂封止体(7)に装着され且つ
前記蛍光カバー(9)とを有し、蛍光カバー(9)の基材(12)
に添加された蛍光体(11)は、半導体発光素子(5)から照
射される光の少なくとも一部を吸収して、半導体発光素
子(5)から照射される光の波長よりも長い波長の光を放
出する。
【0010】本発明の実施の形態では、半導体発光素子
(5)は、発光層が少なくとも窒化物系化合物半導体から
成る。半導体発光素子(5)は、青色発光を生ずる発光層
が少なくとも窒化物系化合物半導体から成り、半導体発
光素子(5)からの発光と蛍光体(11)からの発光とが混色
して、樹脂封止体(7)の外部に白色系の光が導出され
る。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明による蛍光カバー及
び半導体発光装置の実施の形態を図1〜図6について説
明する。図1及び図2に示すように、本実施の形態によ
る蛍光カバー(9)は、円筒状のカバー本体(9a)と、カバ
ー本体(9a)に一体に半球状に形成された球面部(9b)とを
備えている。円筒状カバー本体(9a)及び球面部(9b)は、
それぞれ図3に示す樹脂封止体(7)の封止部(7a)及びレ
ンズ部(7b)に合致する形状を有する。また、蛍光カバー
(9)の内面(9d)が樹脂封止体(7)と同一の形状を有するの
で、カバー本体(9a)の一端に設けられた開口部(9c)を通
じて、蛍光カバー(9)を樹脂封止体(7)に装着すると、蛍
光カバー(9)の内面(9d)は樹脂封止体(7)の外面に密着す
る。即ち、蛍光カバー(9)のカバー本体(9a)と球面部(9
b)とはそれぞれ樹脂封止体(7)の封止部(7a)とレンズ部
(7b)に密着して装着されるので、装着後に振動等の外力
が蛍光カバー(9)に加えられても蛍光カバー(9)は樹脂封
止体(7)から容易には離脱しない。
【0012】蛍光カバー(9)は、図3に示す半導体発光
素子(5)の発光によって励起されて蛍光を発する蛍光体
(11)が樹脂製の基材(12)中に添加されている。蛍光体(1
1)は、ガーネット構造を有するイットリウム・アルミン
酸塩系の蛍光体で、賦活剤にセリウム(Ce)、共賦活
剤にプラセオジム(Pr:Praseodymium)をドープした
3512:Ce、Prの一般式で表される。Rはイッ
トリウム(Y)及びガドリニウム(Gd)のうちの1元
素又は2元素であり、Mはアルミニウム(Al)及びガ
リウム(Ga)のうちの1元素又は2元素である。特に
(Y1-x、Gdx)3(Al1-y、Gay)512:Cez、Prw
の一般式で表される蛍光体で、0≦x≦0.5、0≦y
≦0.5、0.001≦z≦0.5及び0.001≦w≦
0.5の範囲がよい。本実施の形態では、Mはアルミニ
ウム元素でありY=0である。
【0013】基材(12)は透光性のポリエステル樹脂、ア
クリル樹脂、ウレタン、ナイロン、シリコーン樹脂、塩
化ビニル、ポリスチロール、ベークライト、CR39
(アクリル・グリコール・カーボネート樹脂)等から選
択される。ウレタン、ナイロン、シリコーン樹脂は蛍光
カバー(9)にある程度の弾力性を付与するため、樹脂封
止体(7)への装着が容易であると共に密着性が高まる。
【0014】前記蛍光カバー(9)を用いた半導体発光装
置の第1の実施の形態を図3により説明する。図3に示
す半導体発光装置であるLED(半導体発光ダイオー
ド)(8)は、第1の配線導体(2)及び第2の配線導体(4)
と、第1及び第2の配線導体(2,4)間にボンディングワ
イヤ(6)で電気的に接続され且つ第1の配線導体(2)のカ
ップ部(1)に接着剤(15)で固着された半導体発光素子(5)
と、第1及び第2の配線導体(2, 4)の一端、ボンディン
グワイヤ(6)及び半導体発光素子(5)を封止する樹脂封止
体(7)と、樹脂封止体(7)に装着された透光性の前記蛍光
カバー(9)とを備える。半導体発光素子(5)から照射され
た光は、第1の配線導体(2)の上部に形成されたカップ
部(1)の側面及び樹脂封止体(7)のレンズ部(7b)によって
集光して、樹脂封止体(7)外に放出される。放出された
光が蛍光カバー(9)内の蛍光体(11)で励起され、半導体
発光素子(5)から生ずる光と異なる波長の光がLED(8)
の外部に取り出される。
【0015】樹脂封止体(7)は、周知のトランスファモ
ールド法又はキャスティング法によって形成され、円柱
状の封止部(7a)と、封止部(7a)の一端側にこれと一体に
形成されたほぼ半球状のレンズ部(7b)とを有する。樹脂
封止体(7)は光透過性を有する例えばエポキシ系樹脂等
を主成分とし、これにシリカ等から成る散乱剤が混入さ
れ、若干の非発光物質の顔料が添加される場合もある。
【0016】半導体発光素子(5)は、430〜480nm
付近に発光ピークを有する青色系発光色を生ずるGaN
系の半導体発光素子(5)を用いる。半導体発光素子(5)か
ら発光した光は、樹脂封止体(7)を介して蛍光カバー(9)
中の蛍光体(11)へ照射される。このとき、蛍光体(11)は
励起され500〜600nm付近に発光ピークを有する白
色光に波長変換され、波長変換された光は波長変換され
ない光と共に蛍光カバー(9)の外部に取り出される。本
実施の形態では、蛍光体(11)が樹脂封止体(7)中に添加
されずに蛍光カバー(9)にのみ添加されるので、樹脂封
止体(7)内では蛍光体(11)による光散乱が生じない。ま
た、蛍光カバー(9)を十分に肉薄のフィルム状に形成す
るので、蛍光カバー(9)内でも蛍光体(11)による光散乱
は比較的小さい。このため、カップ部(1)及びレンズ部
(7b)の形状等によって所望の光指向性が得られ、波長変
換に伴う輝度の低下を最小限に抑制することができる。
【0017】本実施の形態のLED(8)は、蛍光体(11)
を含む樹脂の射出成形により所定の形状に形成した蛍光
カバー(9)を樹脂封止体(7)に被着することにより簡単に
完成できる。即ち、LED(8)の樹脂封止体(7)に対し、
蛍光カバー(9)を交換可能に被着できる。特に、蛍光カ
バー(9)は弾力性を有するため、市販のLED(8)の樹脂
封止体(7)に容易に被着することができる。また、蛍光
カバー(9)は弾力性を有すると同時に樹脂封止体(7)と同
一の形状の内面を有するので、樹脂封止体(7)の表面に
密着して樹脂封止体(7)と蛍光カバー(9)との間での空気
層の形成を防止できる。更に、蛍光カバー(9)の弾力性
により、樹脂封止体(7)に被着した後、振動等の外力が
蛍光カバー(9)に加えられても蛍光カバー(9)は樹脂封止
体(7)から容易には離脱しない。
【0018】次に、本発明による第2の実施の形態を図
4に示す。図4に示すLED(8)では、蛍光カバー(9)の
厚さが球面部(9b)の頂点で最も厚く、円筒状のカバー本
体(9a)に近づくに従い次第に薄く形成される。樹脂封止
体(7)の円柱状の封止部(7a)から放出される光に比べ、
レンズ部(7b)から放出される光がより強いため、均一な
厚さの蛍光カバー(9)に蛍光体(11)が均一に分散される
と、蛍光体(11)で波長変換して外部に放出される光の割
合が球面部(9b)とカバー本体(9a)とで相違し、LED
(8)から放出される光が色のばらつきを生じる。このた
め、図4に示すように、蛍光カバー(9)の球面部(9b)を
厚くして、LED(8)の発光色の均一化を図っている。
【0019】図4に示すLED(8)では、蛍光カバー(9)
の厚さを球面部(9b)の頂点で最も厚く形成したが、蛍光
カバー(9)の厚さを全て均一にし、基材(12)中の蛍光体
(11)の含有密度をカバー本体(9a)から球面部(9b)に従い
増加させて蛍光カバー(9)を形成してもよい。
【0020】図5は、絶縁性基板(14)を使用するチップ
形のLED(8)に適用した本発明による第3の実施の形
態を示す。図5のチップ形のLED(8)は、一方の主面
にカップ部(1)が形成された基体となる絶縁性基板(14)
と、絶縁性基板(14)に相互に離間して形成された第1の
配線導体(2)及び第2の配線導体(4)と、第1の配線導体
(2)のカップ部(1)に接着剤(15)を介して固着された半導
体発光素子(5)と、半導体発光素子(5)と第1及び第2の
配線導体(2, 4)の各々とを電気的に接続するボンディン
グワイヤ(6)と、カップ部(1)内に充填され半導体発光素
子(5)及びボンディングワイヤ(6)の端部を被覆するコー
ティング(16)と、絶縁性基板(14)の一方の主面に形成さ
れ且つコーティング(16)の外側を被覆する台形状断面の
樹脂封止体(7)とを備える。樹脂封止体(7)の外側には、
樹脂封止体(7)と同一の形状の内面を有し且つ交換可能
に樹脂封止体(7)に被着された蛍光カバー(9)を備える。
【0021】図5に示す第3の実施の形態では、半導体
発光素子(5)から照射された光はコーティング(16)、樹
脂封止体(7)及び蛍光カバー(9)を通じて外部に放出され
る。このとき、蛍光カバー(9)に達した光の一部は、蛍
光カバー(9)内の蛍光体(11)で異なる波長に波長変換さ
れ、波長変換されない光と混合されて外部に放出され
る。また、図6のチップ形のLED(8)は第4の実施の
形態を示し、図5に示す第3の実施の形態と同様の作用
効果が得られる。
【0022】図3〜図6に示す第1〜第4の実施の形態
では下記の作用効果が得られる。 <1> 蛍光体(11)が蛍光カバー(9)に添加され、樹脂封止
体(7)中には添加されないので、樹脂封止体(7)内では蛍
光体による光散乱が生じない。 <2> また、十分に肉薄なフィルム状の蛍光カバー(9)内
では蛍光体(11)による光散乱は比較的小さい。このた
め、カップ部(1)及び樹脂封止体(7)のレンズ部(7b)の形
状等によって所望の光指向性が得られ、波長変換に伴う
輝度の低下を最小限に抑制することができる。 <3> 蛍光カバー(9)によって市販の半導体発光素子(5)
から生ずる光とは異なる波長の光を取り出すことができ
る。 <4> 蛍光カバー(9)を容易に交換して異なる波長の光を
取り出すことができる。 <5> 複数種の蛍光体(11)を蛍光カバー(9)に混合するこ
とにより所望の混合色又は中間色の光を取り出すことが
できる。 <6> 蛍光カバー(9)が樹脂封止体(7)に密着して装着さ
れるので、装着後に振動等の外力が蛍光カバー(9)に加
えられても蛍光カバー(9)は樹脂封止体(7)から容易には
離脱しない。 <7> 市販の半導体発光素子(5)に蛍光カバー(9)を被着
できるので、半導体発光装置を安価に製造することがで
きる。
【0023】本発明の前記実施の形態は変更が可能であ
る。例えば、前記実施の形態では蛍光カバー(9)にのみ
蛍光体(11)を含有させたが、LED(8)の樹脂封止体(7)
中にも、蛍光カバー(9)による光変換を補助する少量の
蛍光体(11)を添加してもよい。但し、樹脂封止体(7)中
に蛍光体(11)を添加すると、発光輝度が低下するので前
記実施の形態のように、蛍光カバー(9)のみに蛍光体(1
1)を添加するのが望ましい。前記実施の形態では、蛍光
カバー(9)内に蛍光体(11)のみ添加したが、蛍光カバー
(9)内に蛍光体(11)と共に蛍光増感剤を混合してもよ
い。また、前記実施の形態では、樹脂封止体(7)全体に
蛍光カバー(9)を被着したが、樹脂封止体(7)のレンズ部
(7b)のみに蛍光カバー(9)を部分的に被着してもよい。
更に、樹脂封止体(7)と蛍光カバー(9)との間に空気層が
形成されることを防止するため、蛍光カバー(9)に小さ
な孔を複数個形成してもよい。この場合、蛍光体(11)に
よって波長変換された光と、孔を通じて放出される半導
体発光素子(5)からの光との混合色を観察することがで
きる。樹脂封止体(7)と蛍光カバー(9)との間に透光性の
接着剤を充填して、樹脂封止体(7)と蛍光カバー(9)との
間の空気層を除去して発光効率を向上してもよい。
【0024】
【発明の効果】前記のように本発明による蛍光カバー及
び半導体発光装置では、赤色系発光成分となる新たな発
光波長ピークを生じて、演色性に優れ且つ十分な発光輝
度で赤色を帯びた発光を生ずる。特に、青色系の光を放
出する半導体発光素子を使用すると、混色により十分な
輝度の白色光が得られると共に、演色性に優れた白色系
半導体発光装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による蛍光カバーの縦断面図
【図2】 本発明による蛍光カバーの横断面図
【図3】 本発明による第1の実施の形態の半導体発光
装置を示す断面図
【図4】 本発明による第2の実施の形態の半導体発光
装置を示す断面図
【図5】 本発明による第3の実施の形態の半導体発光
装置を示す断面図
【図6】 本発明による第4の実施の形態の半導体発光
装置を示す断面図
【符号の説明】
(1)・・カップ部、 (2)・・第1の配線導体、 (4)・
・第2の配線導体、 (5)・・半導体発光素子、 (6)・
・ボンディングワイヤ、 (7)・・樹脂封止体、(7a)・
・封止部、 (7b)・・レンズ部、 (8)・・LED、
(9)・・蛍光カバー、 (9a)・・カバー本体、 (9b)・
・球面部、 (9c)・・開口部、 (9d)・・内面、 (11)
・・蛍光体、 (12)・・基材、 (14)・・絶縁性基板、
(15)・・接着剤、 (16)・・コーティング、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 33/00 H01L 33/00 C // F21Y 101:02 F21Y 101:02

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 弾性及び光透過性を有する樹脂製の基材
    と、基材中に添加された蛍光体とを有し、前記蛍光体
    は、下記の何れかの一般式: (1) R3512:Ce、Prで表される蛍光粒子で
    あり、Rはイットリウム(Y)及びガドリニウム(G
    d)のうちの少なくともいずれか1つの元素、Mはアル
    ミニウム(Al)及びガリウム(Ga)のうちの少なく
    ともいずれか1つの元素である、 (2) (Y1-x、Gdx)3(Al1-y、Gay)512:Ce
    z、Prwで表される蛍光粒子であり、0≦x≦0.5、
    0≦y≦0.5、0.001≦z≦0.5及び0.001≦
    w≦0.5であることを特徴とする蛍光カバー。
  2. 【請求項2】 前記基材は、透光性のポリエステル樹
    脂、アクリル樹脂、ウレタン、ナイロン、シリコーン樹
    脂、塩化ビニル、ポリスチロール、ベークライト、CR
    39(アクリル・グリコール・カーボネート樹脂)の1
    種又は2種以上から選択される請求項1に記載の蛍光カ
    バー。
  3. 【請求項3】 Mはアルミニウム(Al)の元素である
    請求項1又は2に記載の蛍光カバー。
  4. 【請求項4】 y=0である請求項1又は2に記載の蛍
    光カバー。
  5. 【請求項5】 前記蛍光体は、波長が430〜530nm
    に発光ピークを有する励起光により励起されて、赤色の
    特殊演色評価数が増大する請求項1〜4の何れか1項に
    記載の蛍光カバー。
  6. 【請求項6】 青色光を発光する半導体発光素子と、該
    半導体発光素子を封止する樹脂封止体と、該樹脂封止体
    に装着され且つ請求項1〜5の何れか1項に記載された
    蛍光カバーとを有し、 該蛍光カバーの基材に添加された蛍光体は、前記半導体
    発光素子から照射される光の少なくとも一部を吸収し
    て、前記半導体発光素子から照射される光の波長よりも
    長い波長の光を放出することを特徴とする半導体発光装
    置。
  7. 【請求項7】 前記半導体発光素子は、窒化物系化合物
    半導体から成る請求項6に記載の半導体発光装置。
  8. 【請求項8】 前記半導体発光素子は、青色発光を生ず
    る窒化物系化合物半導体から成り、前記半導体発光素子
    からの発光と前記蛍光体からの発光とが混色して、前記
    樹脂封止体の外部に白色系の光が導出される請求項6又
    は7に記載の半導体発光装置。
JP2000325156A 2000-10-25 2000-10-25 蛍光カバー及び半導体発光装置 Pending JP2002133925A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000325156A JP2002133925A (ja) 2000-10-25 2000-10-25 蛍光カバー及び半導体発光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000325156A JP2002133925A (ja) 2000-10-25 2000-10-25 蛍光カバー及び半導体発光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002133925A true JP2002133925A (ja) 2002-05-10

Family

ID=18802570

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000325156A Pending JP2002133925A (ja) 2000-10-25 2000-10-25 蛍光カバー及び半導体発光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002133925A (ja)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003324215A (ja) * 2002-04-30 2003-11-14 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオードランプ
WO2005034253A1 (en) * 2003-10-02 2005-04-14 Showa Denko K.K. Nitride semiconductor; light-emitting device, light-emitting diode, laser device and lamp using the semiconductor; and production methods thereof
JP2005268634A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Kyoshin Kagi Kofun Yugenkoshi 置き換え可能な発光ダイオード装置のモールディング構造
JP2005303071A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Nichia Chem Ind Ltd パッケージ、発光装置並びにこれらの製造方法
WO2005106978A1 (ja) * 2004-04-28 2005-11-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 発光装置およびその製造方法
JP2007116129A (ja) * 2005-09-20 2007-05-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2007116122A (ja) * 2005-09-20 2007-05-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2007535175A (ja) * 2004-04-26 2007-11-29 ゲルコアー リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光ダイオード素子
JP2010130000A (ja) * 2008-11-27 2010-06-10 Lighthouse Technology Co Ltd 光学フィルム
JP2012134505A (ja) * 2004-11-15 2012-07-12 Philips Lumileds Lightng Co Llc Ledダイ上のオーバーモールドレンズ
EP2540795A1 (en) 2011-06-28 2013-01-02 Recticel Fluorescent polyurethane composite and applications thereof
WO2013046318A1 (ja) * 2011-09-27 2013-04-04 東芝ライテック株式会社 照明器具
CN103441207A (zh) * 2013-08-30 2013-12-11 华南理工大学 荧光粉与芯片分离全角度均匀出光的大功率led灯条
US9841175B2 (en) 2012-05-04 2017-12-12 GE Lighting Solutions, LLC Optics system for solid state lighting apparatus
US9951938B2 (en) 2009-10-02 2018-04-24 GE Lighting Solutions, LLC LED lamp
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10163535A (ja) * 1996-11-27 1998-06-19 Kasei Optonix Co Ltd 白色発光素子
JPH10200165A (ja) * 1997-01-14 1998-07-31 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
JPH11500584A (ja) * 1996-09-20 1999-01-12 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 波長変換する注型材料、その使用方法及びその製造方法
JPH1187784A (ja) * 1997-07-07 1999-03-30 Asahi Rubber:Kk 発光ダイオード用透光性被覆材及び蛍光カラー光源
JP2927279B2 (ja) * 1996-07-29 1999-07-28 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JPH11274571A (ja) * 1998-01-26 1999-10-08 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光装置
JP2000022216A (ja) * 1998-06-26 2000-01-21 Sanken Electric Co Ltd 蛍光カバーを有する樹脂封止型半導体発光装置
JP2000036624A (ja) * 1999-07-19 2000-02-02 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2000036625A (ja) * 1999-07-19 2000-02-02 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2000156526A (ja) * 1998-11-20 2000-06-06 Asahi Rubber:Kk 照明装置
JP2000208815A (ja) * 1996-07-29 2000-07-28 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオ―ド
JP2000244021A (ja) * 1999-02-18 2000-09-08 Agilent Technol Inc 赤の不足を補償する蛍光体を使用したled
JP2001240858A (ja) * 2000-02-29 2001-09-04 Nemoto & Co Ltd 蛍光体
JP2001313417A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2002009402A (ja) * 2000-06-20 2002-01-11 Fuji Photo Film Co Ltd 発光装置

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000208815A (ja) * 1996-07-29 2000-07-28 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオ―ド
JP2927279B2 (ja) * 1996-07-29 1999-07-28 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JPH11500584A (ja) * 1996-09-20 1999-01-12 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 波長変換する注型材料、その使用方法及びその製造方法
JPH10163535A (ja) * 1996-11-27 1998-06-19 Kasei Optonix Co Ltd 白色発光素子
JPH10200165A (ja) * 1997-01-14 1998-07-31 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
JPH1187784A (ja) * 1997-07-07 1999-03-30 Asahi Rubber:Kk 発光ダイオード用透光性被覆材及び蛍光カラー光源
JPH11274571A (ja) * 1998-01-26 1999-10-08 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光装置
JP2000022216A (ja) * 1998-06-26 2000-01-21 Sanken Electric Co Ltd 蛍光カバーを有する樹脂封止型半導体発光装置
JP2000156526A (ja) * 1998-11-20 2000-06-06 Asahi Rubber:Kk 照明装置
JP2000244021A (ja) * 1999-02-18 2000-09-08 Agilent Technol Inc 赤の不足を補償する蛍光体を使用したled
JP2000036625A (ja) * 1999-07-19 2000-02-02 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2000036624A (ja) * 1999-07-19 2000-02-02 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2001240858A (ja) * 2000-02-29 2001-09-04 Nemoto & Co Ltd 蛍光体
JP2001313417A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2002009402A (ja) * 2000-06-20 2002-01-11 Fuji Photo Film Co Ltd 発光装置

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003324215A (ja) * 2002-04-30 2003-11-14 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオードランプ
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
US7488971B2 (en) 2003-10-02 2009-02-10 Showa Denko K.K. Nitride semiconductor; light-emitting device, light-emitting diode, laser device and lamp using the semiconductor; and production methods thereof
WO2005034253A1 (en) * 2003-10-02 2005-04-14 Showa Denko K.K. Nitride semiconductor; light-emitting device, light-emitting diode, laser device and lamp using the semiconductor; and production methods thereof
CN100446281C (zh) * 2003-10-02 2008-12-24 昭和电工株式会社 氮化物半导体;使用该半导体的发光器件;及其制造方法
KR100884288B1 (ko) * 2003-10-02 2009-02-18 쇼와 덴코 가부시키가이샤 질화물 반도체, 질화물 반도체를 이용한 발광 소자, 발광다이오드, 레이저 소자 및 램프, 및 그 제조 방법
JP2005268634A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Kyoshin Kagi Kofun Yugenkoshi 置き換え可能な発光ダイオード装置のモールディング構造
JP2005303071A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Nichia Chem Ind Ltd パッケージ、発光装置並びにこれらの製造方法
JP4670251B2 (ja) * 2004-04-13 2011-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2007535175A (ja) * 2004-04-26 2007-11-29 ゲルコアー リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光ダイオード素子
EP1743358B1 (en) * 2004-04-26 2019-05-15 GE Lighting Solutions, LLC Package comprising light emitting diodes
WO2005106978A1 (ja) * 2004-04-28 2005-11-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 発光装置およびその製造方法
JP2012134505A (ja) * 2004-11-15 2012-07-12 Philips Lumileds Lightng Co Llc Ledダイ上のオーバーモールドレンズ
JP2007116129A (ja) * 2005-09-20 2007-05-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2007116122A (ja) * 2005-09-20 2007-05-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2010130000A (ja) * 2008-11-27 2010-06-10 Lighthouse Technology Co Ltd 光学フィルム
US9951938B2 (en) 2009-10-02 2018-04-24 GE Lighting Solutions, LLC LED lamp
EP2540795A1 (en) 2011-06-28 2013-01-02 Recticel Fluorescent polyurethane composite and applications thereof
WO2013046318A1 (ja) * 2011-09-27 2013-04-04 東芝ライテック株式会社 照明器具
US9841175B2 (en) 2012-05-04 2017-12-12 GE Lighting Solutions, LLC Optics system for solid state lighting apparatus
US10139095B2 (en) 2012-05-04 2018-11-27 GE Lighting Solutions, LLC Reflector and lamp comprised thereof
CN103441207A (zh) * 2013-08-30 2013-12-11 华南理工大学 荧光粉与芯片分离全角度均匀出光的大功率led灯条

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100891810B1 (ko) 백색 발광 소자
KR100794866B1 (ko) 발광 다이오드 장치
US7759683B2 (en) White light emitting diode
KR100867788B1 (ko) 발광 장치
JP3690968B2 (ja) 発光装置及びその形成方法
KR100645403B1 (ko) 백색 발광 장치
US7601550B2 (en) Methods for producing a light emitting semiconductor body with a luminescence converter element
JP2002133925A (ja) 蛍光カバー及び半導体発光装置
JP2004056075A (ja) 発光装置およびその製造方法
JP2004031988A (ja) 半導体発光素子
JP2002190622A (ja) 発光ダイオード用透光性蛍光カバー
JP2002050797A (ja) 半導体励起蛍光体発光装置およびその製造方法
US20050156510A1 (en) Device and method for emitting output light using group IIB element selenide-based and group IIA element gallium sulfide-based phosphor materials
JP2005136006A (ja) 発光装置及びそれを用いた演出装置
US8040039B2 (en) Device and method for emitting composite output light using multiple wavelength-conversion mechanisms
US20060006396A1 (en) Phosphor mixture of organge/red ZnSe0.5S0.5:Cu,Cl and green BaSrGa4S7:Eu for white phosphor-converted led
JP2002134795A (ja) 半導体発光装置及びその製法
KR20040088418A (ko) 삼파장 백색 발광다이오드
JP2010165996A (ja) 可視光励起蛍光体を用いたled
JP2000164935A (ja) 発光ダイオード
JP2004103814A (ja) 発光ダイオード、その製造方法および白色照明装置
JP2003197976A (ja) 発光ダイオード
JP2004235669A (ja) 半導体発光装置
JP2003197971A (ja) 発光ダイオード
US20050167684A1 (en) Device and method for emitting output light using group IIB element selenide-based phosphor material

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041001

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041214

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050706