JP2010130000A - 光学フィルム - Google Patents
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- 239000012788 optical film Substances 0.000 title claims abstract description 96
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 147
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 145
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 141
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 19
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 235000013312 flour Nutrition 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24149—Honeycomb-like
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Abstract
【課題】ＬＥＤの相関色温度（ＣＣＴ）および演色評価数（ＣＲＩ）に対する高品質要求を実現する。
【解決手段】多くの蛍光体層を積層した光学フィルムが、励起光源により励起され、蛍光体層によって発せられる第２光線が、それぞれ異なる波長域にある。
【選択図】図６
【解決手段】多くの蛍光体層を積層した光学フィルムが、励起光源により励起され、蛍光体層によって発せられる第２光線が、それぞれ異なる波長域にある。
【選択図】図６
Description
本発明は、一般に光学フィルムに関し、具体的には、満足な品質を有する、容易に調整可能な光学フィルムに関する。
半導体技術における進歩に伴い、発光ダイオード（ＬＥＤ）は、現在、高輝度、低電力消費、小型性、低駆動電圧、水銀不使用、その他の利点を有する。従って、ＬＥＤはディスプレイおよび照明の分野において広範囲に使用されてきた。ＬＥＤの用途拡大のために、ＬＥＤによって供給される光源色への需要が次第に多様化してきた。加えて、ＬＥＤの相関色温度（ＣＣＴ）および演色評価数（ＣＲＩ）に対する高品質要求も増大してきている。
台湾特許第Ｍ３１８７９７号明細書は、光学フィルムを形成する方法を対象とする。図１は、光学フィルムを有する従来のＬＥＤパッケージ構造の概略図である。ＬＥＤパッケージ構造１００は、基板１１０、ＬＥＤチップ１２０、レンズ１３０および光学フィルム１４０を含む。基板１１０は、空洞１１２および回路層１１４を有する。ＬＥＤチップ１２０は、基板１１０に配置され、ワイヤ・ボンディングにより基板１１０上の回路層１１４に電気的に接続する。光学フィルム１４０は基板１１０の空洞１１２の上に配置され、レンズ１３０は光学フィルム１４０上に配置される。ここで、光学フィルム１４０は、蛍光体粉と透明な粘着性の液体または透明プラスチック材料を、適当な割合で混合して、その混合物をフィルムとして成形することによって形成される。
ＬＥＤチップ１２０から発せられる光によって励起される、光学フィルム１４０中の蛍光体粉が二次的な光線を生成する。二次的な光線は、ＬＥＤチップから発せられる光と混合でき、特定の波長を有する他の光線を形成できる。よって、ＬＥＤパッケージ構造１００によって多様な光線が発せられうる。それにもかかわらず、光学フィルム１４０の製造中に、蛍光体粉の均一な混合または蛍光体粉の沈殿を予防することは容易ではない。このように、低品質の光学フィルム１４０は、ＬＥＤパッケージ構造１００により発せられる光のＣＣＴ及びＣＲＩ性能を劣化させる。換言すれば、光学フィルムはＬＥＤパッケージ構造の光源性能の決定において支配的な役割を果たす。
本発明は、共に積層された複数の蛍光体層を有する光学フィルムを対象とする。
本発明は、アレイ状に配列されるパターニングされた複数の蛍光体層を有する、他の光学フィルムを対象とする。
本発明において、共に積層される複数の蛍光体層を含む光学フィルムが形成される。各蛍光体層が励起光源により励起され、それぞれ二次的な光線を発し、蛍光体層によって発せられる二次的な光線は、異なる波長域にある。本発明の好ましい実施態様において、光学フィルムは、物体（例えば基板、テープ、その他）から剥離または分離できる。
本発明の一実施形態によれば、光学フィルムは、蛍光体層が積層される第１の基板を更に含む。
本発明の一実施形態によれば、励起光源の波長は、各二次的な光線の波長より短い。
本発明の一実施形態によれば、第１の基板は、透明基板である。本発明の他の実施形態によれば、第１の基板は、反射基板である。
本発明の一実施形態によれば、蛍光体層は、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および黄色蛍光体層のうちの少なくとも２つを含む。
本発明の一実施形態によれば、蛍光体層のうちの最下部に位置する蛍光体層は、第１の基板の表層を完全に被覆する。
本発明の一実施形態によれば、光学フィルムは、複数の蛍光体層のうちの最上に位置する蛍光体層を被覆する第２の基板を更に含むため、複数の蛍光体層が第１の基板と第２の基板の間に位置するようになる。
本発明の一実施形態によれば、第１の基板が透明基板である場合、第２の基板は透明基板または反射基板でありうる。本発明の他の実施形態によれば、第１の基板が反射基板である場合に、第２の基板は透明基板でありうる。
本発明において、アレイ状に配列されるパターニングされた複数の蛍光体層を含む、他の光学フィルムが形成される。パターニングされた蛍光体層のそれぞれは励起光源により励起され、それぞれ二次的な光線を発し、それらのパターニングされた蛍光体層によって発せられる二次的な光線は、異なる波長域にある。
本発明の一実施形態によれば、光学フィルムは、パターニングされた蛍光体層が積層された第１の基板を更に含む。
本発明の一実施形態によれば、励起光源の波長は、二次的な光線のそれぞれの波長より短い。
本発明の一実施形態によれば、第１の基板は、透明基板である。本発明の他の実施形態によれば、第１の基板は、反射基板である。
本発明の一実施形態によれば、パターニングされた蛍光体層は、パターニングされた赤色蛍光体層、パターニングされた緑色蛍光体層およびパターニングされた黄色蛍光体層のうちの少なくとも２つを含む。
本発明の一実施形態によれば、パターニングされた蛍光体層は第１の基板の表面上の異なる領域を被覆し、パターニングされた蛍光体層は第１の基板の表面を完全に被覆する。
本発明の一実施形態によれば、光学フィルムは、第２の基板を更に含む。第２の基板はパターニングされた蛍光体層を被覆し、パターニングされた蛍光体層は、第１の基板と第２の基板の間に配置される。
本発明の一実施形態によれば、第１の基板が透明基板である場合、第２の基板は透明基板または反射基板でありうる。反対に、第１の基板が反射基板である場合には、第２の基板は透明基板である。
本発明の一実施形態によれば、パターニングされた蛍光体層は、マトリックス配列を有する。
本発明の一実施形態によれば、パターニングされた蛍光体層は、デルタ配列を有する。
本発明の一実施形態によれば、パターニングされた蛍光体層は、ハニカム配列を有する。
上述を踏まえると、本発明の光学フィルムは、アレイ状に配列された複数の積層蛍光体層またはパターニングされた複数の蛍光体層を有する。それぞれ励起光源によって励起される蛍光体層は、それぞれ１つの二次的な光線を発して、それらの蛍光体層によって発せられる二次的な光線は、異なる波長域にある。異なる波長域の二次的な光線は、混合され、特定の波長域の光線になりうる。さらに、複数の蛍光体層を有する光学フィルムを調整することは比較的容易なので、形成される光線は多様な波長を有する。
本発明の、上述ならびに他の特徴、および、効果をより明確にするために、図を伴ういくつかの実施形態を以下に詳細に記載する。
この明細書の一部を構成する添付の図面は、本発明の更なる理解を提供のために本願明細書に組み込まれる。ここで、図面は、本発明の実施形態を示し、以下の記載に伴って本発明の原理の説明に供する。
図２Ａ〜２Ｅは、本発明の一実施形態に従う、光学フィルムの製造方法を示す概略図である。まず、図２Ａを参照すると、第１の基板２１０が設けられる。本実施形態において、第１の基板２１０は、透明基板または反射基板でありうる。加えて、第１の基板２１０は、剛性基板または可撓性基板でありえる。
次いで、図２Ｂを参照すると、蛍光体粉および揮発性溶剤をよく混合し、第１の基板２１０に混合物をコーティングする。本実施形態において、第１の基板２１０の蛍光体粉を用いたコーティング方法は、図２Ｂに示すように、印刷により、蛍光体粉および溶媒の混合物を第１の基板２１０上に均一に分散させることを含む。
その後、図２Ｃに示すように、溶媒を蒸発させると、残留した蛍光体粉により蛍光体層２００ａが形成される。実際の要求に応じて、図Ｂおよび２Ｃに示す工程を反復して、複数の蛍光体層を、例えば、２００ａ、２００ｂ、２００ｃを形成する。蛍光体層２００ａ、２００ｂ、２００ｃの形成順序および蛍光体層２００ａ、２００ｂ、２００ｃの厚みは、本発明に限定されるものではなく、実際の要求に応じて変更可能な点に留意されたい。図２Ｄに示す本実施形態において、３つの蛍光体層２００ａ、２００ｂおよび２００ｃのみを例示的説明のために示す。本実施形態において、蛍光体層２００ａ、２００ｂおよび２００ｃの厚さは、好適には、０.５のμｍ〜１ｍｍの範囲である。
図２Ｅを参照すると、上述のステップが完了した後に、第２の基板２２０が一番上の蛍光体層２００ｃに選択的に配置され、蛍光体層２００ａ、２００ｂおよび２００ｃの全てが第１の基板２１０および第２の基板２２０の間に配置されうる。第２の基板２２０は、蛍光体層２００ａ、２００ｂおよび２００ｃを損傷から保護するのに役立つ。本実施形態において、第２の基板２２０は、例えば、反射基板または透明基板である。また、第２の基板２２０は、剛性基板または可撓性基板でありえる。第１の基板２１０が透明基板であるときに、第２の基板２２０が反射基板または透明基板でありえる点に留意されたい。反対に、第１の基板２１０が反射基板であるときに、第２の基板２２０は透明基板でありえる。
あるいは、本実施形態に従う前記ステップの完了後に、複数の蛍光体層２００ａ、２００ｂおよび２００ｃを、第１の基板２１０から剥離または分離して、複数の蛍光体層２００ａ、２００ｂおよび２００ｃを有する光学フィルム２００を形成できる。さらに具体的には、第１の基板２１０および第２の基板２２０を有さずに、単純に蛍光体層２００ａ、２００ｂおよび２００ｃから成る光学フィルム２００は、厚み、重量および体積に関してより有利である。本発明の好ましい実施態様において、光学フィルム２００は、物体（例えば基板、テープ、その他）から剥離または分離することができる。
図３は、本発明の本実施形態に従う、蛍光体粉を用いた他のコーティング方法を示す概略図である。図３を参照すると、第１の基板２１０を、図２Ｂに示すような印刷法だけでなく、蛍光体粉の噴霧によっても、蛍光体粉で被覆できる。被覆が印刷または噴霧によって行われるか否かに関わらず、蛍光体層の厚さは、実際の要求に応じて変更可能である点に留意されたい。本実施形態において、蛍光体層の厚さは、０.５μｍからおよび１ｍｍからの範囲である。
その後、図２Ｅに記載の、共に積層される複数の蛍光体層２００ａ、２００ｂおよび２００ｃを含む、上述の製造プロセスを実行することによって、光学フィルムが形成される。各々の蛍光体層２００ａ、２００ｂおよび２００ｃは励起光源によって励起され、それぞれ１つの第２光線を発し、その蛍光体層２００ａ、２００ｂおよび２００ｃにより発せられる第２光線は、それぞれ異なる波長域にある。一般に、励起光源の波長は、各二次光線の波長より短い。本実施形態によれば、蛍光体層２００ａは赤色蛍光体層である、蛍光体層２００ｂは緑色蛍光体層である、そして、例えば、蛍光体層２００ｃは黄色蛍光体層である。各蛍光体層２００ａ、２００ｂおよび２００ｃは、それぞれ異なる蛍光体粉を有する。本実施形態において、蛍光体層２００ａ、２００ｂおよび２００ｃが励起しうる波長は、例えば、３８０ｎｍ〜７００ｎｍの範囲である。
光学フィルム２００の蛍光体層２００ａ、２００ｂおよび２００ｃの厚みは、光学フィルム２００の光学特性に影響を及ぼす。従って、光学フィルム２００の光学特性は、蛍光体層２００ａ、２００ｂおよび２００ｃの厚の制御により変更できる。
本実施形態の光学フィルム２００は光学フィルム２００の構造強度を強化するための第１の基板２１０を含むこともでき、これにより、光学フィルム２００を容易に使用できるようにする。最下部の蛍光体層２００ａは、第１の基板２１０の表面を完全に被覆する。第１の基板２１０に加えて、光学フィルム２００は第２の基板２２０を更に含み、光学フィルム２００を損傷から保護できる。第２の基板２００で一番上の蛍光体層２００ｃが被覆され、蛍光体層２００ａ、２００ｂおよび２００ｃが第１の基板２１０および第２の基板２２０の間に配置される。第１の基板２１０および第２の基板２２０の材料と、これら基板上における前記材料の状態について述べたので、以下に更なる説明は行わない。
図４Ａ〜４Ｄは、本発明の他の実施形態に従う、光学フィルムの製造方法を説明する図である。図４Ａを参照すると、本実施形態の光学フィルムの製造方法は、図２Ａ〜２Ｄに示す方法と同様であるが、これらの主たる相違点は、第１基板２１０を蛍光体粉で被覆する前に、マスク層３１０を第１基板２１０上に配置し、第１基板２１０の表面２１２を部分的に露出させることにある。
図４Ｂに示したように、第１の基板２１０の表面２１２の露出部は、蛍光体粉で被覆されて、パターニングされた蛍光体層３００ａを形成する。マスク層３１０により被覆される第１の基板２１０の表面２１２の他の部分は蛍光体粉を全く含まない。
図４Ｃでは、マスク層３１０を、第１の基板２１０の表面２１２の部分を露出するように移動する。第１の基板２１０の表面２１２の、パターニングされた蛍光体層３００ａが形成される部分が、マスク層３１０によって被覆される点に留意されたい。
次に、図４Ｂに示すステップは、第１の基板２１０を他の蛍光体粉で被覆することによって繰り返され、他のパターニングされた蛍光体層３００ｂを形成する。本実施形態において、図４Ｂおよび４Ｃに示すステップは、制約無く連続的に反復可能であり、従って、図４Ｄに示すようにアレイ状に配列される複数のパターニングされた蛍光体層３００ａ、３００ｂおよび３００ｃが形成されうる。図４Ｄにおいては、３つの異なるパターニングされた蛍光体層３００ａ、３００ｂおよび３００ｃのみを例示的に示す。
前述の実施形態に記載した光学フィルムの製造方法と同様に、本実施形態の光学フィルムの製造方法のステップは、パターニングされた蛍光体層３００ａ、３００ｂおよび３００ｃを被覆するように選択的に基板２２０を形成して、第１の基板２１０および第２の基板２２０間に、パターニングされた蛍光体層３００ａ、３００ｂおよび３００ｃを更に配置することができる。変形例として、他の実施形態によれば、パターニングされた蛍光体層３００ａ、３００ｂおよび３００ｃを、第１基板２１０から剥離または分離でき、アレイ状に配置される複数のパターニングされた蛍光体層３００ａ、３００ｂおよび３００ｃを含む光学フィルム３００を形成できる。
図４Ｄを参照すると、上述の製造方法の適用により形成される光学フィルム３００は、アレイ状に配置される複数のパターニングされた蛍光体層３００ａ、３００ｂおよび３００ｃを含む。パターニングされた蛍光体層３００ａ、３００ｂおよび３００ｃのそれぞれは、励起光源により励起されて第２光線を発し、これらのパターニングされた蛍光体層３００ａ、３００ｂおよび３００ｃから発せられる第２光線は、それぞれ異なる波長域にある。本実施形態によれば、励起光源の波長は、各第２光線の波長よりも短い。例えば、本実施形態のパターニングされた蛍光体層３００ａはパターニングされた赤色蛍光体層であり、本実施形態のパターニングされた蛍光体層３００ｂはパターニングされた緑色蛍光体層であり、そして、本実施形態のパターニングされた蛍光体層３００ｃはパターニングされた黄色蛍光体層である。蛍光体層の厚さ、蛍光体層によって被覆される領域および蛍光体層が被覆する位置は、本発明において制限されず、実際の必要に応じて変更可能である。しかし、パターニングされた蛍光体層３００ａ、３００ｂおよび３００ｃの３つの層のみを、例示のために図４Ａに示す。
図４Ｄを参照すると、本実施形態の光学フィルム３００は、パターニングされた蛍光体層３００ａ、３００ｂおよび３００ｃが積層する第１の基板２１０を含みうる。本実施形態において、パターニングされた蛍光体層３００ａ、３００ｂおよび３００ｃは、第１の基板２１０の表面２１２上の異なる領域を被覆する。
図５Ａおよび５Ｂは、本発明の一実施形態に従う、２種類のパターニングされた蛍光体層におけるパターンを示す上面図である。図５Ａおよび５Ｂを参照すると、パターニングされた蛍光体層３００ａ、３００ｂおよび３００ｃは、マスク層３１０上のパターンに従って形成されるので、パターニングされた蛍光体層３００ａ、３００ｂおよび３００ｃは異なるパターンを有する。例えば、パターニングされた蛍光体層３００ａ、３００ｂおよび３００ｃは、図５Ａに示したようなマトリクス配列、図５Ｂのようなハニカム配列、または、デルタ配列を有しうる。
上記実施形態において、２つの型の光学フィルムの構造および製造方法をそれぞれ述べた。以下の実施形態において、上述の光学フィルムをＬＥＤパッケージ構造への応用については、図面を参照して詳述する。
図６は、本発明のさらに別の実施形態によるＬＥＤパッケージ構造の概略図である。図６を参照すると、本実施形態のＬＥＤパッケージ構造４００ａは、基板４１０、ＬＥＤチップ４２０および光学フィルム４３０ａを含む。基板４１０は空洞４１２および回路層４１４を有し、空洞４１２は回路層４１４の一部を露出する。ＬＥＤチップ４２０は、空洞４１２の一番下に配置され、回路層４１４に電気的に接続する。ここで、ＬＥＤチップ４２０および回路層４１４は、ワイヤ・ボンディング・プロセスまたはフリップチップ・プロセスを実行することにより電気的に接続される。
本実施形態では、光学フィルム４３０ａは、例えば、前記実施形態に記載されている光学フィルム２００を指す。光学フィルム４３０ａは、複数の積層された蛍光体層を含む。励起光源によって励起された積層蛍光体層は、異なる波長域の第２光線を発し、それらの異なる波長域の第２光線は混合され、特定の波長域の光線を形成できる。
本実施形態の図６において、１台のＬＥＤチップ４２０のみを例示のために示す。にもかかわらず、ＬＥＤチップ４２０の数およびＬＥＤチップ４２０より発せられる光の波長は、実際の要求に応じて調整可能であり、本発明において制限されない。特に、ＬＥＤチップ４２０より発せられる光の波長と、異なる波長域の、励起光源により励起された異なる蛍光体層より発せられる光線とを考慮する。このように、ＬＥＤパッケージ構造４００ａより発せられる光を調節することはむしろ容易である。上記に加えて、光学フィルム４３０ａの調整がむしろ容易なので、ＣＣＴおよびＬＥＤパッケージ構造４００によって発せられる照明のＣＲＩ性能もより良好に調整できる。
図７は、本発明のさらに別の実施形態に従うＬＥＤパッケージ構造の概略図である。図７に示すように、本実施形態のＬＥＤパッケージ構造４００ｂは、前述の実施形態のＬＥＤパッケージ構造４００ａと類似している。これらの主たる相違点は、本実施形態の光学フィルム４３０ｂが第１の基板４３２ａを更に含むことである。
図８は、本発明のさらに別の実施形態によるＬＥＤパッケージ構造の概略図である。図８に示すように、本実施形態のＬＥＤパッケージ構造４００ｃは、上述のＬＥＤパッケージ構造４００ａと類似する。これらの主たる相違点は、本実施形態のＬＥＤパッケージ構造４００ｃの光学フィルム４３０ｃが、例えば、アレイ状に配列される複数のパターニングされた蛍光体層を有する光学フィルム３００であることにある。
本実施形態の図８において、１台のＬＥＤチップ４２０のみを例示のために示す。しかし、好ましい実施形態において、光学フィルム４３０ｃ上のパターンに対応してＬＥＤチップ４２０を配置できるので、光線が混合し、かつ、本発明に限定されない異なる波長を有しうる複数の小領域を形成できる。
図９は、本発明のさらに別の実施形態によるＬＥＤパッケージ構造の概略図である。図９に示すように、ＬＥＤパッケージ構造４００ｄは、本実施形態の前述の実施形態のＬＥＤパッケージ構造４００ｃと類似している。これらの主たる相違点は、本実施形態の光学フィルム４３０ｄが、第１の基板４３２ａと第２の基板４３２ｂを更に含むことである。第１の基板４３２ａおよび第２の基板４３２ｂは、製造中または使用者による使用中に光学フィルム４３０ｄを損傷から保護するために役立つ。
図６〜９に示す実施形態において、ＬＥＤチップ４２０は、本発明の説明のための一例として示した。しかし、上記説明は、本発明に制限を課すものではない。すなわち、レンズを含むＬＥＤパッケージ構造が空洞４１２に配置され、パッケージインパッケージ（ＰＩＰ）構造を形成する。また、ＬＥＤチップ４２０は、他の適切な発光デバイスと置換可能である。
前述を考慮すると、本発明の光学フィルムは、複数の蛍光体層を有し、その蛍光体層は励起光源により励起され、異なる波長域の二次光線を発する。異なる波長域の二次光線は、混合されて、特定の波長域の光線になりうる。光学フィルムはむしろ調整されやすいので、形成される光線は多様な波長を有しうる。さらに、本発明の若干の実施形態では、本発明に係る光学フィルムがＬＥＤパッケージ構造に用いられた場合に、ＬＥＤパッケージ構造によって発せられる光線は異なるＣＣＴと良好なＣＲＩとを有しうる。
当業者には、本発明の範囲および趣旨から逸脱することなく、幾多の修正変更が本発明の構造になされうることは明らかである。前述の観点から、それらの修正変更が以下の請求項およびそれらの均等物の範囲内ならば、本発明の範疇に入ることを理解されたい。
Claims (25)
- 共に積層された複数の蛍光体層を備え、前記蛍光体層のそれぞれが励起光源により励起され、それぞれ二次光線を発し、かつ、前記蛍光体層によって発せられる二次光線は、異なる波長域にあることを特徴とする
光学フィルム。 - 前記複数の蛍光体層が積層された第１の基板を更に備える、請求項１に記載の光学フィルム。
- 前記励起光源の波長が前記それぞれの二次光線の波長より短い、請求項１に記載の光学フィルム。
- 前記第１の基板が透明基板である、請求項２に記載の光学フィルム。
- 前記第１の基板が反射基板である、請求項２に記載の光学フィルム。
- 前記蛍光体層が赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および黄色蛍光体層のうちの少なくとも２つから成る請求項１に記載の光学フィルム。
- 前記蛍光体層のうちの最下部に位置する蛍光体層が、前記第１の基板の表層を完全に被覆する、請求項２に記載の光学フィルム。
- 前記蛍光体層のうちの最上部に位置する蛍光体層を被覆する第２の基板を更に含み、前記複数の蛍光体層が前記第１基板と前記第２基板の間に配置されるようにすることを特徴とする、請求項２に記載の光学フィルム。
- 前記第１の基板が透明基板であり、前記第２の基板が透明基板または反射基板である、請求項８に記載の光学フィルム。
- 前記第１の基板が反射基板であり、前記第２の基板が透明基板である、請求項８に記載の光学フィルム。
- 前記光学フィルムが、物体から剥離または分離可能な、請求項１に記載の光学フィルム。
- アレイ状に配列された、複数のパターニングされた蛍光体層を備え、前記パターニングされた蛍光体層のそれぞれは、励起光源により励起され、それぞれ二次光線を発し、かつ、前記パターニングされた蛍光体層によって発せられる前記二次光線が異なる波長域にあることを特徴とする、光学フィルム。
- 前記パターニングされた蛍光体層が積層された第１の基板を更に備える、請求項１２に記載の光学フィルム。
- 前記励起光源の波長が前記それぞれの二次光線の波長より短い、請求項１２に記載の光学フィルム。
- 前記第１の基板が透明基板である、請求項１３に記載の光学フィルム。
- 前記第１の基板が反射基板である、請求項１３に記載の光学フィルム。
- 前記パターニングされた蛍光体層が、パターニングされた赤色蛍光体層、パターニングされた緑色蛍光体層およびパターニングされた黄色蛍光体層のうちの少なくとも２つを備える、請求項１２に記載の光学フィルム。
- 前記パターニングされた蛍光体層が前記第１の基板の表面上の異なる領域を被覆し、かつ、前記パターニングされた蛍光体層が前記第１の基板の表面を完全に被覆する、請求項１３に記載の光学フィルム。
- 前記パターニングされた蛍光体層を被覆する第２の基板を更に備えて、前記パターニングされた蛍光体層が前記第１の基板と前記第２の基板の間に配置される、請求項１３に記載の光学フィルム。
- 前記第１の基板が透明基板であり、前記第２の基板は透明基板または反射基板である、請求項１９に記載の光学フィルム。
- 前記第１の基板が反射基板であり、第２の基板が透明基板である、請求項１９に記載の光学フィルム。
- 前記パターニングされた蛍光体層がマトリックス配列を有する、請求項１２に記載の光学フィルム。
- 前記パターニングされた蛍光体層がデルタ配列を有する、請求項１２に記載の光学フィルム。
- 前記パターニングされた蛍光体層がハニカム配列を有する、請求項１２に記載の光学フィルム。
- 前記光学フィルムが、物体から剥離または分離可能な、請求項１２に記載の光学フィルム。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW097146031A TWI481069B (zh) | 2008-11-27 | 2008-11-27 | 光學薄膜 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011278899A Division JP2012104495A (ja) | 2008-11-27 | 2011-12-20 | 光学フィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010130000A true JP2010130000A (ja) | 2010-06-10 |
Family
ID=42134163
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009118466A Pending JP2010130000A (ja) | 2008-11-27 | 2009-05-15 | 光学フィルム |
| JP2011278899A Pending JP2012104495A (ja) | 2008-11-27 | 2011-12-20 | 光学フィルム |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011278899A Pending JP2012104495A (ja) | 2008-11-27 | 2011-12-20 | 光学フィルム |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100129598A1 (ja) |
| JP (2) | JP2010130000A (ja) |
| DE (1) | DE102009013926A1 (ja) |
| TW (1) | TWI481069B (ja) |
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- 2009-03-20 DE DE102009013926A patent/DE102009013926A1/de not_active Withdrawn
- 2009-05-15 JP JP2009118466A patent/JP2010130000A/ja active Pending
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- 2011-12-20 JP JP2011278899A patent/JP2012104495A/ja active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2012104495A (ja) | 2012-05-31 |
| DE102009013926A1 (de) | 2010-06-02 |
| US20100129598A1 (en) | 2010-05-27 |
| TWI481069B (zh) | 2015-04-11 |
| TW201021241A (en) | 2010-06-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100805 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110915 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110920 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111220 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120327 |
|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130129 |