JP2009252781A - 樹脂封止型発光ダイオードの製造方法 - Google Patents
樹脂封止型発光ダイオードの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009252781A JP2009252781A JP2008094979A JP2008094979A JP2009252781A JP 2009252781 A JP2009252781 A JP 2009252781A JP 2008094979 A JP2008094979 A JP 2008094979A JP 2008094979 A JP2008094979 A JP 2008094979A JP 2009252781 A JP2009252781 A JP 2009252781A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- led chip
- sealing
- mold
- resin composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【効果】本発明によれば、封止樹脂に離型剤を特定の濃度で添加することにより、射出成形の際に金属金型に対して良好な離型性が得られ、連続射出成形によりLED発光装置が作製できる。
【選択図】なし
Description
[I]発光ダイオード(LED)チップが搭載されたリードフレーム上に上記LEDチップを覆って透明の封止樹脂組成物を成形し、硬化して樹脂封止部を形成する透明樹脂封止型発光ダイオードの製造方法であって、封止樹脂100質量部に対して離形剤を0.05〜5質量部含有する封止樹脂組成物を射出成型機により上記LEDチップを覆って射出成型し、硬化して樹脂封止部を形成することを特徴とする樹脂封止型発光ダイオードの製造方法。
[II]金型のキャビティ内にリードフレームに搭載されたLEDチップを配置する段階と、上記キャビティ内に封止樹脂組成物を射出する段階と、該組成物を硬化して樹脂封止部を形成し、上記LEDチップを樹脂封止部にて封止する段階と、封止されたLEDチップを上記金型から脱型する段階とを含むことを特徴とする[I]記載の製造方法。
[III]封止樹脂組成物の射出成形前に金型キャビティの壁面に付着防止フィルムを剥離可能に配設した状態で封止樹脂組成物の射出成形を行い、LEDチップを金型から脱型した後、上記付着防止フィルムを除去するようにした[II]記載の製造方法。
[IV]樹脂封止部が、LEDチップを被覆する被覆部と、その上にLEDチップの上方に存して形成された半球状のレンズ部とからなる[I]〜[III]のいずれかに記載の製造方法。
[V]封止樹脂組成物が、シリコーン組成物である[I]〜[IV]のいずれかに記載の製造方法。
また、金属フレームには、従来通りの接着性が得られ、従来の耐熱性も保持することができる。
なお、本発明において、シリコーン樹脂組成物とは、硬化して高硬度の樹脂(レジン)状硬化物を与えるいわゆるシリコーン樹脂組成物に加えて、硬化してエラストマー状の弾性体を与えるシリコーンゴム組成物をも包含するものである。
(a)1分子中に珪素原子と結合するアルケニル基を2個以上含有するオルガノポリシロキサン、
(b)1分子中に2個以上の珪素原子に結合した水素原子(即ち、SiH基)を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
(a)成分中の珪素原子と結合するアルケニル基に対して珪素原子に結合した水素
原子がモル比で0.1〜5.0となる量
(c)白金族系触媒
を必須成分とする付加硬化型シリコーン組成物が挙げられる。
R1 aSiO(4-a)/2 (1)
(式中、R1は互いに同一又は異種の炭素数1〜10、好ましくは1〜8の非置換又は置換の一価炭化水素基であり、aは1.5〜2.8、好ましくは1.8〜2.5、より好ましくは1.95〜2.05の範囲の正数である。)
R2 bHcSiO(4-b-c)/2 (2)
なお、この白金族系触媒の配合量は、希望する硬化速度に応じて適宜増減すればよいが、通常は(a)成分に対して白金量で0.1〜1000ppm、好ましくは1〜200ppmの範囲とすればよい。
下記式(i)
で示され、25℃での粘度が約5000mPa・sである両末端ビニルジメチルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン100部に、下記式(ii)
で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンを上記ビニル基含有ジメチルポリシロキサン(i)中のビニル基に対するSiH基のモル比が1.5となる量、及び、塩化白金酸のオクチルアルコール変性溶液(Pt含有量2質量%)を0.05部加え、よく撹拌してシリコーン樹脂組成物を調製した。この組成物100部に、脂肪酸系離型剤(理研ビタミン製リケスターEW−440A、ペンタエリスリトールテトラステアレート)を1.0部加え、よく攪拌混合し、離形剤入りシリコーン樹脂組成物を調製した。
実施例1の離形剤の配合量のみを代えて、0.07部、0.2部、0.5部、3部で混合させたものをそれぞれ実施例2〜5として調製した。
実施例1の離形剤の配合量のみを代えて、0部、0.03部、8部で混合させたものをそれぞれ比較例1〜3として調製した。
次に、発光素子として、InGaNからなる発光層を有し、主発光ピークが470nmのLEDチップをリード電極に固定し、発光素子とリード電極を金線にて接続させ金属フレームを作製した。
上記実施例、比較例で調製した組成物を用い、図2に示したように、上記金属フレーム上に、射出成型機を用いて外部離形剤を使用せず、直接被覆保護用に被覆部及びレンズ部を成形した。
実施例、比較例のシリコーン樹脂組成物を用い、射出圧力3MPa、硬化温度150℃、硬化時間60秒で連続して成形した際の成形性を調べた。不良モードとしてはイジェクターピンに樹脂が入り込みイジェクターピンの作動不良、ワックスにじみによる金型汚染、離型性低下による成形物の欠けが発生した時点で不良とした。
<接着性>
樹脂封止部と金属フレームとの接着性を確認するため、低温側−40℃、高温側120℃の熱衝撃試験を1000サイクル行って金属フレームとの剥離の発生状況を観察した。
<波長400nmの光透過性>
実施例、比較例で調製したシリコーン樹脂組成物を用い、厚み1mmのテストピースを連続成形性を調査した条件で射出成形して作製した。その後、テストピースを150℃で4時間ポストキュアした後、200℃の乾燥機に所定時間保管し取り出して光の透過性を測定した。
<成形物表面へのワックス滲み>
連続成形100ショット及び500ショット時に製造した成形物の表面を観察し、離形剤のにじみの有無を調べた。
接着性試験の結果から、離形剤の含有量を多くした場合、一部パッケージにて成形物と金属フレームの界面での剥離が観察された。
光透過率の測定結果から、実施例1〜5及び比較例1,2では、大きな透過率の減衰は無く、透明性が維持できたが、離形剤の含有量の多い比較例3では、200℃,48時間後の光透過率が大きく減衰してしまった。
成形品の離形剤の滲みに関しても、離形剤の含有量の多い比較例3では滲みが観察された。
1b リードフレーム
2 LEDチップ
3 ワイヤ
10 金型
10a 下金型
10b 上金型
11 隙間
12 キャビティ
12a 直方体状空隙部
12b 半球ドーム状空隙部
13 ランナー
14 ゲート
15 樹脂封止部
15a 被覆部
15b レンズ部
Claims (5)
- 発光ダイオード(LED)チップが搭載されたリードフレーム上に上記LEDチップを覆って透明の封止樹脂組成物を成形し、硬化して樹脂封止部を形成する透明樹脂封止型発光ダイオードの製造方法であって、封止樹脂100質量部に対して離形剤を0.05〜5質量部含有する封止樹脂組成物を射出成型機により上記LEDチップを覆って射出成型し、硬化して樹脂封止部を形成することを特徴とする樹脂封止型発光ダイオードの製造方法。
- 金型のキャビティ内にリードフレームに搭載されたLEDチップを配置する段階と、上記キャビティ内に封止樹脂組成物を射出する段階と、該組成物を硬化して樹脂封止部を形成し、上記LEDチップを樹脂封止部にて封止する段階と、封止されたLEDチップを上記金型から脱型する段階とを含むことを特徴とする請求項1記載の製造方法。
- 封止樹脂組成物の射出成形前に金型キャビティの壁面に付着防止フィルムを剥離可能に配設した状態で封止樹脂組成物の射出成形を行い、LEDチップを金型から脱型した後、上記付着防止フィルムを除去するようにした請求項2記載の製造方法。
- 樹脂封止部が、LEDチップを被覆する被覆部と、その上にLEDチップの上方に存して形成された半球状のレンズ部とからなる請求項1乃至3のいずれか1項記載の製造方法。
- 封止樹脂組成物が、シリコーン組成物である請求項1乃至4のいずれか1項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008094979A JP2009252781A (ja) | 2008-04-01 | 2008-04-01 | 樹脂封止型発光ダイオードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008094979A JP2009252781A (ja) | 2008-04-01 | 2008-04-01 | 樹脂封止型発光ダイオードの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009252781A true JP2009252781A (ja) | 2009-10-29 |
Family
ID=41313251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008094979A Pending JP2009252781A (ja) | 2008-04-01 | 2008-04-01 | 樹脂封止型発光ダイオードの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009252781A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012054270A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006148147A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-08 | Lumileds Lighting Us Llc | Ledダイ上のオーバーモールドレンズ |
JP2006328103A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レンズ成形用シリコーン樹脂組成物及びシリコーンレンズ |
JP2007002233A (ja) * | 2005-05-24 | 2007-01-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ・シリコーン樹脂組成物及びその硬化物、並びに該組成物で封止保護された発光半導体装置 |
-
2008
- 2008-04-01 JP JP2008094979A patent/JP2009252781A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006148147A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-08 | Lumileds Lighting Us Llc | Ledダイ上のオーバーモールドレンズ |
JP2006328103A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レンズ成形用シリコーン樹脂組成物及びシリコーンレンズ |
JP2007002233A (ja) * | 2005-05-24 | 2007-01-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ・シリコーン樹脂組成物及びその硬化物、並びに該組成物で封止保護された発光半導体装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012054270A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7651887B2 (en) | Optical semiconductor device and method of manufacturing thereof | |
JP5138924B2 (ja) | 光半導体封止用シリコーンゴム組成物および光半導体装置 | |
TWI434890B (zh) | 加成可硬化聚矽氧樹脂組成物及使用彼之聚矽氧鏡片 | |
US20010004650A1 (en) | Silicone rubber composition for insert molding or two-cavity molding | |
EP1878768B1 (en) | Curable silicone rubber compositions and cured product thereof | |
KR101789828B1 (ko) | 고접착성 실리콘 수지 조성물 및 상기 조성물을 사용한 광반도체 장치 | |
KR101873592B1 (ko) | 실리콘 수지 조성물의 경화 방법 | |
US9045667B2 (en) | Curable silicone composition, cured product thereof, and optical semiconductor device | |
US11136437B2 (en) | Curable particulate silicone composition, semiconductor member comprising curable particulate silicone composition, and method for molding semiconductor member | |
JP5469874B2 (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、光半導体素子封止剤および光半導体装置 | |
US6806509B2 (en) | Light-emitting semiconductor potting composition and light-emitting semiconductor device | |
TWI447938B (zh) | An integrated structure of a light emitting diode wafer and a lens and a method of manufacturing the same | |
EP2958961B1 (en) | Curable silicone composition, cured product threreof, and optical semiconductor device | |
CN103881388B (zh) | 固化性硅酮树脂组合物、其固化物及光半导体装置 | |
JP2013232580A (ja) | 熱硬化性フィルム状シリコーン封止材 | |
KR20170127464A (ko) | 경화성 입상 실리콘 조성물 및 이의 제조 방법 | |
JP6057503B2 (ja) | 光半導体素子封止用硬化性シリコーン組成物、樹脂封止光半導体素子の製造方法、および樹脂封止光半導体素子 | |
JP2013159670A (ja) | 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置 | |
JP4645859B2 (ja) | 付加硬化性シリコーンゴム組成物及びシリコーンゴム硬化物 | |
KR101907378B1 (ko) | 경화성 실리콘 조성물, 반도체 디바이스의 제조 방법, 및 반도체 디바이스 | |
JP2007038443A (ja) | 二液型シリコーン樹脂組成物の射出成形方法及びシリコーン樹脂成形体 | |
US20060270808A1 (en) | Epoxy-silicone mixed resin composition, cured article thereof, and light-emitting semiconductor device | |
KR100899830B1 (ko) | 수지로 봉지된 발광 다이오드 및 발광 다이오드의 봉지법 | |
JP5623092B2 (ja) | 発光ダイオードチップとレンズとの一体化構造物の製造方法 | |
JP2009252781A (ja) | 樹脂封止型発光ダイオードの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120201 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120201 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120330 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120330 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120627 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121212 |