JP2012142540A - 発光ダイオードパッケージ構造およびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 発光ダイオードパッケージ構造の光抽出率および信頼性を維持した上で、製造工程を簡単にし、製造コストを大幅に削減する発光ダイオードパッケージ構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 発光ダイオードパッケージ構造は、基板と、少なくとも一つの発光ダイオードダイと、レンズと、型内装飾(In-Mold Decoration;IMD)膜とを含む。発光ダイオードダイは、基板上に固定されている。レンズは、基板から突出するように設けられ、かつ、発光ダイオードダイを覆う。型内装飾膜は、レンズに付着している。また、型内装飾膜は、レンズの上に位置されている蛍光体層と、蛍光体層の上に位置されている表面処理層とを含む。
【選択図】 図4G

Description

本発明は、発光ダイオード(Light Emitting Diode;LED)パッケージ構造およびその製造方法に関し、特に型内装飾(In-Mold Decoration;IMD)膜を用いて製造した発光ダイオードおよびその製造方法に関する。
省エネ、省電力が重視されているため、発光ダイオード照明は、もっとも関心が集まる領域の一つとなっている。図1〜3は、従来技術に基づいて製造される3種類の発光ダイオードパッケージ構造の一部を示す概略図である。そこで、図1に示す発光ダイオードパッケージ構造100のパッケージング方法は、従来続けられている一様分布(uniform distribution)技術を用いて、蛍光体101を均一に基材104の表面の封止体102の中に分散させる方法である。
上述した蛍光体の塗布方法は、蛍光体101の分散の均一性を制御しにくいため、高い色均一性および高いルーメン(lumen)出力の需要に応えられない。このため、本業界では、電気泳動被覆技術を用いて、蛍光体101を発光ダイオードダイ103の周りに分布させることにより、発光ダイオードダイ103の表面に均一な厚さを有する共形的な塗布(conformal distribution)構造を形成する技術が発展するようになった。図2に示す発光ダイオードパッケージ構造200において、蛍光体101は、共形的な塗布方法で塗布される。共形的な塗布方法を用いて蛍光体101を塗布することの利点は、蛍光体101の青色光を均一な白色光に転換することができ、かつ、色を制御しやすいことにある。
しかし、電気泳動被覆による製造コストが高いため、部品の販売価格を下げるのに不利である。また、蛍光体101の共形的な塗布構造は直接に発光ダイオードダイ103に付着しているため、蛍光体101の面積あたりの受光量が低い。また、蛍光体101と部品の光出射面との距離が短いため、黄色または緑色の蛍光体からの発光は、出射する前に赤色の蛍光体に吸収されやすく、これによって発光ダイオードの光抽出率が低下する。
本業者は、発光ダイオードの光抽出率を改善するために、他に、遠隔蛍光体配置(remote phosphor configuration)技術を用いて蛍光体を塗布した。図3は、遠隔蛍光体配置法により製造された発光ダイオードパッケージ構造300を示す。遠隔蛍光体配置技術により、発光ダイオードパッケージ構造300の封止体102に蛍光体層301が塗布される。ここで、発光ダイオードダイ103と蛍光体層301とは直接に接触せず、その間に空間的隔離(spatial separation)が存在する。これにより、発光ダイオードダイ103の発光が再吸収(re-absorption)される現象が低減され、発光ダイオードパッケージ構造300の光抽出率が向上される。他に、空間的隔離により、蛍光体層301は、発光ダイオードダイ103から離れているため、発光ダイオードダイ103からの高温で蛍光体層301が劣化することを防止でき、発光ダイオードパッケージ構造300の信頼性に影響を与えない。
また、発光ダイオードパッケージ構造300の光束を増大させるために、通常、パッケージ完成後の発光ダイオードパッケージ構造300に、レンズ構造310を設ける。しかし、そのような構造を利用する場合は、まず封止体102により発光ダイオードダイ103を封止し、さらに蛍光体層301により封止体102の表面を覆う。その後、レンズ構造310を蛍光体層301に設ける。このように、構造が複雑化するのみならず、二回以上の鋳造(molding)工程が必要になるため、製造工程が比較的に複雑になり、これにより製造コストが下がらない。
したがって、発光ダイオードパッケージ構造の光抽出率および信頼性を維持した上で、製造工程を簡単にすることにより、製造コストを大幅に削減する、新規な発光ダイオードパッケージ構造およびその製造方法を提供することが必要である。
以上を鑑みて、本発明の一つの目的は、基板と、少なくとも一つの発光ダイオードダイと、レンズと、型内装飾(In-Mold Decoration;IMD)膜とを含む発光ダイオードパッケージ構造を提供することにある。発光ダイオードダイは、基板の表面に固定されている。レンズは、基板の表面から突出するように設けられており、かつ、発光ダイオードダイを覆う。型内装飾膜は、レンズに付着しており、かつ、少なくともレンズの上に位置されている蛍光体層と、蛍光体層の上に位置されている表面処理層とを含む。
本発明の一つの実施例では、レンズは、透明封止材料からなる。本発明のいくつかの実施例において、透明封止材料は、エポキシ樹脂またはシリカゲルを固めることにより形成される。一つの好ましい実施例において、レンズは、表面が円弧形である。
本発明の一つの実施例では、表面処理層は、シリカゲル層、エポキシ樹脂層、またはそれ以外の水気及び酸素を遮断可能な透明材料である。
本発明のもう一つの目的は、以下の工程を含む発光ダイオードパッケージ構造の製造方法を提供することにある。すなわち、まず、少なくとも一つの発光ダイオードダイが固定されている基板を提供し、また、蛍光体層と該蛍光体層の上に位置されている表面処理層とを含む型内装飾膜を提供する。次に、型内装飾膜を変形させることにより、表面処理層を外壁とする少なくとも一つの凹室を形成する。続いて、透明封止材料を凹室に充填してから、基板と型内装飾膜とを結合させることにより、発光ダイオードダイが凹室の中に位置されると共に透明封止材料により覆われるようにする。その後、透明封止材料を固めることにより、レンズを形成する。
本発明の一つの実施例では、型内装飾膜は、支持層と、支持層の上に位置されている剥離膜と、剥離膜の上に位置されている表面処理層と、表面処理層の上に位置されている蛍光体層とを含む。本発明の好ましい実施例において、型内装飾膜は、さらに蛍光体層の上に位置されている粘着層を含む。
本発明の一つの実施例では、本発明の発光ダイオードパッケージ構造の製造方法は、レンズを形成してから、剥離膜を剥離させることにより、支持層と、レンズに付着している表面処理層および蛍光体層とを分離させる工程をさらに含む。
本発明の一つの実施例において、透明封止材料は、エポキシ樹脂またはシリカゲルである。
本発明は、発光ダイオードパッケージ構造およびその製造方法を提供する。本発明の発光ダイオードパッケージ構造の製造方法は、パッケージの外層として蛍光体層と表面処理層とを含む型内装飾膜を用いる。一回の封止材料の鋳造工程によれば、従来の遠隔蛍光体配置法で期待できた光学効果を奏することができると共に、発光ダイオードパッケージ構造は、レンズ構造を有するため、光束が増大される。発光ダイオードのパッケージ工程を簡単にすることができると共に、製造コストを大幅に削減し、かつ、発光ダイオードパッケージ構造の光抽出率および信頼性をも維持できるため、上述した本発明の目的を達成することができる。
以下、本発明の上述した目的又は他の目的、特徴及び効果を理解してもらうため、好ましい実施例と図面を挙げて、詳細に説明する。
図1は、従来技術に係る発光ダイオードパッケージ構造を示す概略断面図である。 図2は、従来技術に係る発光ダイオードパッケージ構造を示す概略断面図である。 図3は、従来技術に係る発光ダイオードパッケージ構造を示す概略断面図である。 図4Aは、本発明の一つの実施例に係る発光ダイオードパッケージ構造の製造工程を示す断面図である。 図4Bは、本発明の一つの実施例に係る発光ダイオードパッケージ構造の製造工程を示す断面図である。 図4Cは、本発明の一つの実施例に係る発光ダイオードパッケージ構造の製造工程を示す断面図である。 図4Dは、本発明の一つの実施例に係る発光ダイオードパッケージ構造の製造工程を示す断面図である。 図4Eは、本発明の一つの実施例に係る発光ダイオードパッケージ構造の製造工程を示す断面図である。 図4Fは、本発明の一つの実施例に係る発光ダイオードパッケージ構造の製造工程を示す断面図である。 図4Gは、図4Fに示す発光ダイオードパッケージ構造の一部を示す拡大断面図である。
本発明の目的は、発光ダイオードパッケージ構造およびその製造方法を提供することにある。図4A〜4Fを参照すると、図4A〜4Fは、本発明の一つの実施例に係る発光ダイオードパッケージ構造400の製造工程を示す断面図である。そこで、発光ダイオードパッケージ構造400の製造方法は、以下の工程を含む。まず、基板404を提供する。図4Aに示すように、基板404には、少なくとも一つ(複数個であっても良い)の発光ダイオードダイ403が固定されている。
同時に、少なくとも蛍光体層401と表面処理層406とを含む可撓性型内装飾膜40を提供する。本実施例において、可撓性型内装飾膜40は、図4Bに示すように、支持層408と、支持層408の上に位置されている剥離膜407と、剥離膜407の上に位置されている表面処理層406と、表面処理層406の上に位置されている蛍光体層401と、蛍光体層401の上に位置されている粘着層405とを含む。本発明のいくつかの実施例では、型内装飾膜40の粘着層405は、必ずしも必須ではない。
そこで、支持層405には、可撓性プラスチック材料を用いるのが好ましい。例えば、テレフタル酸ポリエチレン(Polyethylene terephthalate;PET)またはそれに類似する性質を持つ高分子材料を用いることができる。剥離膜407は、例えば、ポリシロキサン材料からなる。剥離膜407は、応力、熱、または光照射を受けた後、支持層408を型内装飾膜40から剥離させることができる。表面処理層406は、傷防止および防水の効果を発揮するような硬さおよび防湿の特性を持つ必要がある。本発明のいくつかの実施例では、表面処理層406は、シリカゲル層またはエポキシ樹脂層であるのが好ましい。蛍光体層401は、蛍光体を混合した粘着剤を支持層408に塗布して形成するのが好ましい。本発明のいくつかの実施例では、蛍光体層401は、印刷または塗布により支持層408に塗布された薄膜であり、可視光励起の効果を奏する。
次に、型内装飾膜40を変形させ、表面処理層406を外壁とする少なくとも一つの凹室411を形成する。本発明のいくつかの実施例において、型内装飾膜40を変形させる工程では、金型を用いて型内装飾膜40に対して加圧成形を行う。本実施例において、真空ポンプにより、図4Cに示すように、型内装飾膜40と金型409とを同じ型にする。本発明の実施例において、金型409は、表面が円弧形であるため、型内装飾膜40が形成する凹室411も円弧形である。
続いて、図4Dに示すように、透明封止材料402を上記凹室411に充填する。本発明のいくつかの実施例では、透明封止材料402は、溶融エポキシ樹脂からなる。しかし、エポキシ樹脂は、発光ダイオードの高温により劣化(黄変)が起きるため、輝度減衰の問題を来す。したがって、好ましい実施例においては、透明封止材料402の材料として、高屈折率、高耐熱性、絶縁性、化学安定性、高透光度(波長範囲300~700nm)、および高信頼性などの特性を持つシリカゲルを用いる。
その後、図4Eに示すように、発光ダイオードダイ403が凹室411の中に位置されるように、基板404と型内装飾膜40とを結合させ、発光ダイオードダイ403が透明封止材料402により覆われるようにする。本実施例において、図4Dに示すように、表面に少なくとも一つの発光ダイオードダイ403が固定されている基板404は、治具41により吸引されてから、金型409に固定されると共に、透明封止材料402が充填されている型内装飾膜40に結合される。そこで、凹室411のそれぞれには、発光ダイオードパッケージ構造400の設計ニーズに基づいて、少なくとも一つの(複数個であっても良い)発光ダイオードダイ403が固定されている。
続いて、透明封止材料402を固めることにより、レンズ410を形成する。また、結合されている基板404と型内装飾膜40とを金型409から離す。さらに、応力、熱、または光照射により、支持層408を型内装飾膜40から剥離させ、図4Fに示すように、少なくとも一つの発光ダイオードパッケージ構造400を形成する。
図4Gを参照しますと、それは図4Fに示す発光ダイオードパッケージ構造400の構造を示す拡大図である。上述した実施例により製造された発光ダイオードパッケージ構造400は、表面に少なくとも一つの発光ダイオードダイ403が固定されている基板404と、透明封止材料402を固めることにより形成されたレンズ410と、レンズに付着する型内装飾膜40とを含む。ここで、型内装飾膜40は、少なくともレンズ410の上に位置されている蛍光体層401と、蛍光体層401の上に位置されている表面処理層406とを含む。レンズ410は、基板404の表面から突出するように設けられると共に、発光ダイオードダイ403を完全に覆っている。
本発明の実施例において、表面処理層406は、シリカゲルからなるのが好ましく、蛍光体層401は、薄い層であるのが好ましい。また、本発明のいくつかの実施例において、レンズ410の材料の特性に基づいて、蛍光体層401とレンズ410との間に、粘着層405を加えることができる。透明封止材料402を固めることにより形成されたレンズ410は、シリカゲルからなることが好ましい。
本発明は、発光ダイオードパッケージ構造およびその製造方法を提供する。ここで、発光ダイオードパッケージ構造の製造方法は、以下の工程を含む。すなわち、パッケージの外層として蛍光体層と表面処理層とを含む型内装飾膜を用い、表面処理層を変形させ外壁として少なくとも一つの凹室を形成し、凹室の中に透明封止材料を充填し、一回の封止材料の鋳造工程により、直接に発光ダイオードダイを透明封止材料がなるレンズの中に封止する。
すなわち、一回のみの封止材料の鋳造工程によれば、発光ダイオードパッケージ構造は、従来の遠隔蛍光体配置法で期待できた光学効果を奏することができると共に、レンズ構造を有するため、光束が増大される。発光ダイオードのパッケージ工程を簡単にすることができると共に、製造コストを大幅に削減し、かつ、発光ダイオードパッケージ構造の光抽出率および信頼性をも維持できるため、上述した本発明の目的を達成することができる。
以上のように本発明の好ましい実施例により本発明を開示したが、本発明は、上記内容により制限されない。当業者は、本発明の主旨及び開示範囲から離れることなく、様々な変更及び置き換えを行うことが可能である。したがって、本発明の保護範囲は、添付されている以下の特許請求の範囲により定義される。
40 型内装飾膜
41 治具
400 発光ダイオードパッケージ構造
401 蛍光体層
402 透明封止材料
403 発光ダイオードダイ
404 基板
405 粘着層
406 表面処理層
407 剥離膜
408 支持層
409 金型
410 レンズ
411 凹室

Claims (10)

  1. 基板と、
    該基板上に固定されている少なくとも一つの発光ダイオードダイと、
    該基板から突出するように設けられ、該発光ダイオードダイを覆うレンズと、
    該レンズに付着する型内装飾(In-Mold Decoration;IMD)膜と、を含み、
    該型内装飾膜は、該レンズの上に位置されている蛍光体層と、該蛍光体層の上に位置されている表面処理層とを含むことを特徴とする発光ダイオードパッケージ構造。
  2. 該レンズは、透明封止材料からなることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
  3. 該透明封止材料は、エポキシ樹脂またはシリカゲルを固めることにより形成されることを特徴とする請求項2に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
  4. 該レンズは、表面が円弧形であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
  5. 該表面処理層は、シリカゲル層またはエポキシ樹脂層であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
  6. 少なくとも一つの発光ダイオードダイが固定されている基板を提供する工程と、
    蛍光体層と該蛍光体層の上に位置されている表面処理層とを含む型内装飾膜を提供する工程と、
    該型内装飾膜を変形させることにより、該表面処理層を外壁とする少なくとも一つの凹室を形成する工程と、
    透明封止材料を該凹室に充填する工程と、
    該基板と該型内装飾膜とを結合させることにより、該発光ダイオードダイが該凹室の中に位置されると共に該透明封止材料により覆われるようにする工程と、
    該透明封止材料を固めることにより、レンズを形成する工程と、を含む発光ダイオードパッケージ構造の製造方法。
  7. 該型内装飾膜は、支持層と、該支持層の上に位置されている剥離膜と、該剥離膜の上に位置されている表面処理層と、該表面処理層の上に位置されている蛍光体層とを含むことを特徴とする請求項6に記載の発光ダイオードパッケージ構造の製造方法。
  8. 該型内装飾膜は、該蛍光体層の上に位置されている粘着層をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の発光ダイオードパッケージ構造の製造方法。
  9. 該レンズを形成してから、該剥離膜を剥離させることにより、該支持層と、該レンズに付着している該表面処理層および該蛍光体層とを分離させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の発光ダイオードパッケージ構造の製造方法。
  10. 該透明封止材料は、エポキシ樹脂またはシリカゲルであることを特徴とする請求項6に記載の発光ダイオードパッケージ構造の製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015079926A (ja) * 2013-09-10 2015-04-23 旭化成ケミカルズ株式会社 光デバイス、およびその製造方法
JP2017501578A (ja) * 2013-12-18 2017-01-12 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. Led蛍光体パッケージ用の反射性はんだマスク層

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8771577B2 (en) * 2010-02-16 2014-07-08 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device with molded wavelength converting layer
JP5827864B2 (ja) * 2011-06-14 2015-12-02 日東電工株式会社 封止用シートおよび光半導体素子装置
CN102751274A (zh) * 2012-07-18 2012-10-24 上海顿格电子贸易有限公司 一种立体包覆封装的led芯片
JP6146734B2 (ja) * 2013-03-19 2017-06-14 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置とその製造方法
TWI559053B (zh) * 2013-05-28 2016-11-21 潘宇翔 適用於直下式背光模組之光源裝置及其顯示器
CN104576625B (zh) * 2013-10-15 2018-04-20 四川新力光源股份有限公司 一种led光源性能补偿装置、器件及其应用
JP6338409B2 (ja) * 2014-03-14 2018-06-06 アルパッド株式会社 発光装置及びその製造方法
CN103972221A (zh) * 2014-06-03 2014-08-06 宁波升谱光电半导体有限公司 Led光源封装结构及led光源封装方法
DE102015204057A1 (de) * 2015-03-06 2016-09-08 Osram Gmbh Herstellen eines Beleuchtungsmoduls
WO2018004183A1 (en) * 2016-06-28 2018-01-04 Lg Electronics Inc. Solar cell module, method for manufacturing solar cell module, method for manufacturing electronic device having solar cell module
CN108011024B (zh) * 2017-11-28 2019-11-15 蔡翔 Led灯及led封装工艺
TWI739700B (zh) * 2020-12-28 2021-09-11 茂林光電科技股份有限公司 具光學效果之次毫米發光二極體晶粒封膠方法
CN113991000B (zh) * 2021-09-30 2023-06-30 业成科技(成都)有限公司 局部拉伸的封装结构及其制造方法
DE102022122980A1 (de) * 2022-09-09 2024-03-14 Ams-Osram International Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0519705A (ja) * 1991-07-12 1993-01-29 Takiron Co Ltd 発光表示体及びその製造方法
JP2006148147A (ja) * 2004-11-15 2006-06-08 Lumileds Lighting Us Llc Ledダイ上のオーバーモールドレンズ
JP2007049019A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Koha Co Ltd 発光装置
JP2007066939A (ja) * 2005-08-29 2007-03-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
JP2007273562A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP3159075U (ja) * 2010-02-17 2010-05-06 岡谷電機産業株式会社 Ledランプ
JP2010263154A (ja) * 2009-05-11 2010-11-18 Nitto Denko Corp 光半導体封止用シート
WO2010143086A1 (en) * 2009-06-09 2010-12-16 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Led with remote phosphor layer and reflective submount
JP2012004567A (ja) * 2010-06-14 2012-01-05 Samsung Led Co Ltd 量子点を利用した発光素子パッケージ、照光装置及びディスプレイ装置

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60330023D1 (de) * 2002-08-30 2009-12-24 Lumination Llc Geschichtete led mit verbessertem wirkungsgrad
US7352011B2 (en) * 2004-11-15 2008-04-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wide emitting lens for LED useful for backlighting
US7452737B2 (en) * 2004-11-15 2008-11-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Molded lens over LED die
US7858408B2 (en) * 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
KR100634305B1 (ko) * 2005-03-24 2006-10-16 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
KR100616684B1 (ko) * 2005-06-03 2006-08-28 삼성전기주식회사 고출력 led 패키지 및 그 제조방법
KR100621154B1 (ko) * 2005-08-26 2006-09-07 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 제조방법
JP3992059B2 (ja) * 2005-11-21 2007-10-17 松下電工株式会社 発光装置の製造方法
JP4937845B2 (ja) * 2006-08-03 2012-05-23 日立マクセル株式会社 照明装置および表示装置
US7709853B2 (en) * 2007-02-12 2010-05-04 Cree, Inc. Packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements
US9061450B2 (en) * 2007-02-12 2015-06-23 Cree, Inc. Methods of forming packaged semiconductor light emitting devices having front contacts by compression molding
US9944031B2 (en) * 2007-02-13 2018-04-17 3M Innovative Properties Company Molded optical articles and methods of making same
US20100172121A1 (en) * 2007-06-05 2010-07-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Self-supporting luminescent film and phosphor-enhanced illumination system
US7915627B2 (en) * 2007-10-17 2011-03-29 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
US9634191B2 (en) * 2007-11-14 2017-04-25 Cree, Inc. Wire bond free wafer level LED
US7989236B2 (en) * 2007-12-27 2011-08-02 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method of making phosphor containing glass plate, method of making light emitting device
US7923272B2 (en) * 2007-12-28 2011-04-12 Hwang-Pao Lee Method of forming a resin cover lens of LED assembly
JP2009194253A (ja) * 2008-02-15 2009-08-27 Fuji Xerox Co Ltd 発光素子アレイチップの製造方法、マイクロレンズ成形型、発光素子ヘッドおよび画像形成装置
CN101338865A (zh) * 2008-05-23 2009-01-07 段永成 一种低衰减高光效led照明装置及制备方法
US7859190B2 (en) * 2008-09-10 2010-12-28 Bridgelux, Inc. Phosphor layer arrangement for use with light emitting diodes
US7858409B2 (en) * 2008-09-18 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. White point compensated LEDs for LCD displays
US20100109025A1 (en) * 2008-11-05 2010-05-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Over the mold phosphor lens for an led
KR101039957B1 (ko) * 2008-11-18 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 디스플레이 장치
JP5174630B2 (ja) * 2008-11-26 2013-04-03 Towa株式会社 光学成形品の圧縮成形方法
CN101582475B (zh) * 2008-12-29 2011-09-28 佛山市国星光电股份有限公司 在led芯片上涂布荧光粉层的方法及led器件的制造
US20100181582A1 (en) * 2009-01-22 2010-07-22 Intematix Corporation Light emitting devices with phosphor wavelength conversion and methods of manufacture thereof
US7828453B2 (en) * 2009-03-10 2010-11-09 Nepes Led Corporation Light emitting device and lamp-cover structure containing luminescent material
JP2010245477A (ja) * 2009-04-10 2010-10-28 Dow Corning Toray Co Ltd 光デバイス及びその製造方法
TWI376042B (en) * 2009-04-15 2012-11-01 Au Optronics Corp Method of packaging liminescence device
KR101585102B1 (ko) * 2009-04-16 2016-01-13 삼성전자 주식회사 발광 소자 및 그 제조 방법
US20110031516A1 (en) * 2009-08-07 2011-02-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led with silicone layer and laminated remote phosphor layer
US8771577B2 (en) * 2010-02-16 2014-07-08 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device with molded wavelength converting layer

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0519705A (ja) * 1991-07-12 1993-01-29 Takiron Co Ltd 発光表示体及びその製造方法
JP2006148147A (ja) * 2004-11-15 2006-06-08 Lumileds Lighting Us Llc Ledダイ上のオーバーモールドレンズ
JP2007049019A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Koha Co Ltd 発光装置
JP2007066939A (ja) * 2005-08-29 2007-03-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
JP2007273562A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2010263154A (ja) * 2009-05-11 2010-11-18 Nitto Denko Corp 光半導体封止用シート
WO2010143086A1 (en) * 2009-06-09 2010-12-16 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Led with remote phosphor layer and reflective submount
JP3159075U (ja) * 2010-02-17 2010-05-06 岡谷電機産業株式会社 Ledランプ
JP2012004567A (ja) * 2010-06-14 2012-01-05 Samsung Led Co Ltd 量子点を利用した発光素子パッケージ、照光装置及びディスプレイ装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015079926A (ja) * 2013-09-10 2015-04-23 旭化成ケミカルズ株式会社 光デバイス、およびその製造方法
JP2017501578A (ja) * 2013-12-18 2017-01-12 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. Led蛍光体パッケージ用の反射性はんだマスク層
US11189601B2 (en) 2013-12-18 2021-11-30 Lumileds Llc Reflective solder mask layer for LED phosphor package

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