CN113991000B - 局部拉伸的封装结构及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本揭露提出一种局部拉伸的封装结构，包括基材、柔性电子元件、多个发光显示元件以及封装胶层。柔性电子元件设置于基材之上。这些发光显示元件设置于柔性电子元件之上。封装胶层包括封装区以及非封装区。封装区包覆这些发光显示元件的上表面及侧壁。非封装区直接覆设于未设置这些发光显示元件的柔性电子元件之上。如此，变形过程中局部拉伸现象仅会发生在非封装区。

Description

局部拉伸的封装结构及其制造方法
技术领域
本揭露为关于一种局部拉伸的封装结构及其制造方法，特别是关于一种在变形过程中局部拉伸现象仅会发生在非封装区的局部拉伸的封装结构及其制造方法。
背景技术
随着显示装置应用越来越广泛，对于显示器的广泛应用逐步由平面显示器转往曲面显示器发展，其成型方法主要为热塑成型，经由加热塑形赋予产品可塑型之性能。由于显示器中具有金属导线或电子元件，在成形过程中容易受到大的拉伸率而断裂，不易加工之问题点，使实行上仍有困难。现今显示器产品种类，在柔性挠曲性能方面皆仅能达到曲率半径大的弯曲，而在曲率半径较小之成型仍属技术缺乏。
在LCD(liquid-crystal display)、LED(light-emitting diode)或OLED(organiclight-emitting diode)显示器封装过程中，习知是以均匀厚度之多层有机或无机薄膜覆盖，或是将单颗或多颗晶粒进行封装，以达到阻水阻气及阻化学物质之保护作用，当mini/micro LED尺寸微小化时，更难以此封装方法进行。另外，目前柔性显示通常仅能以单轴弯曲呈现，在双轴或多轴之曲面外型尚无法达到，故以此封装方式不适用于适型化曲面之加工。另外，传统封装材料以硅胶(silicone)材质为主，其玻璃转移温度及储存模数低，仅用以阻绝外界物质，不具有机械特性上的保护。
有鉴于此，如何设计一种发光装置之封装结构能够避免弯曲时损坏显示器中具有金属导线或电子元件，从而克服现有技术之缺陷及不足，是亟待解决之一课题。
发明内容
本揭露提出一种局部拉伸的封装结构，包括基材、柔性电子元件、多个发光显示元件以及封装胶层。柔性电子元件设置于基材之上。这些发光显示元件设置于柔性电子元件之上。封装胶层包括封装区以及非封装区。封装区包覆这些发光显示元件的上表面及侧壁。非封装区直接覆设于未设置这些发光显示元件的柔性电子元件之上。
在一些实施方式中，封装区的高度高于非封装区的高度。
在一些实施方式中，非封装区的体积相对于封装区的体积比值小于1。
在一些实施方式中，非封装区的拉伸率大于封装区的拉伸率，且非封装区与封装区的拉伸率之差大于等于10％。
在一些实施方式中，于基材的加工温度下时，当基材的储存模数大于封装胶层的储存模数，则非封装区的拉伸率大于30％，且非封装区的拉伸率随基材与封装胶层的储存模数差异增加而增加。当基材的储存模数小于封装胶层的储存模数，则非封装区的拉伸率小于30％，且非封装区的拉伸率随基材与封装胶层的储存模数差异增加而缩小。
在一些实施方式中，基材于加工温度下的储存模数范围介于1MPa至20000MPa之间。
在一些实施方式中，基材的材料包括聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二酯、环烯烃聚合物或其组合。
在一些实施方式中，这些发光显示元件包括发光二极体、次毫米发光二极体、微发光二极体、有机发光二极体或其组合。
在一些实施方式中，封装胶层的材料包括环氧树脂系、硅系、压克力系树脂或其组合。
在一些实施方式中，封装胶层于基材的加工温度下的储存模数介于1MPa至10000MPa之间。
在一些实施方式中，封装胶层的玻璃转移温度介于-20℃至150℃之间。
本揭露另提供一种制造局部拉伸的封装结构的方法，包括提供基材。设置柔性电子元件于基材之上。设置多个发光显示元件于柔性电子元件之上。设置封装胶层于这些发光显示元件以及部份的柔性电子元件之上。其中，封装胶层具有封装区以及非封装区，封装区包覆这些发光显示元件的上表面及侧壁，且非封装区直接覆设于未设置这些发光显示元件的柔性电子元件之上。
在一些实施方式中，设置封装胶层于这些发光显示元件以及部份的柔性电子元件之上的步骤包括计量并铺设胶体封装材料于这些发光显示元件以及部份的柔性电子元件之上。将模具的多个凹部对准这些发光显示元件以及多个凸部对准未设置这些发光显示元件的柔性电子元件。将模具压合并加温固化胶体封装材料，使封装胶层成形于这些发光显示元件以及部份的柔性电子元件之上。冷却封装胶层并移除模具。
在一些实施方式中，设置封装胶层于这些发光显示元件以及部份的柔性电子元件之上的步骤包括将模具的多数个凹部对准这些发光显示元件以及多个凸部对准未设置这些发光显示元件的柔性电子元件，且模具并未贴合这些发光显示元件以及柔性电子元件。注入胶体封装材料至模具与这些发光显示元件以及柔性电子元件之间。加温固化胶体封装材料，使封装胶层成形于这些发光显示元件以及部份的柔性电子元件之上。冷却封装胶层并移除模具。
在一些实施方式中，模具的材质包括硫化型硅橡胶、聚二甲基硅氧烷或其组合。
在一些实施方式中，设置封装胶层于这些发光显示元件以及部份的柔性电子元件之上的步骤包括沿着这些发光显示元件的上表面与侧壁以及部份的柔性电子元件的表面，计量并涂布胶体封装材料。照射紫外光以固化胶体封装材料，使封装胶层成形于这些发光显示元件以及部份的柔性电子元件之上。
在一些实施方式中，涂布胶体封装材料的步骤包括网板印刷制程或旋转涂布制程。
在一些实施方式中，封装区的高度高于非封装区的高度。
在一些实施方式中，非封装区的拉伸率大于封装区的拉伸率，且非封装区与封装区的拉伸率之差大于等于10％。
在一些实施方式中，非封装区的体积相对于封装区的体积比值小于1。
附图说明
以下将结合附图阅读，根据以下详细描述可以最好地理解本揭露的各方面。应理解，根据行业中的惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了清楚起见，各种特征的尺寸可以任意地增加或减小。
图1所示为根据本揭露一实施方式之局部拉伸的封装结构的剖面示意图。
图2所示为根据本揭露一实施方式之局部拉伸的封装结构的立体剖面图。
图3所示为根据本揭露一实施方式之封装区与非封装区的拉伸率长条图。
图4A所示为根据本揭露一实施方式之基材与封装材料的储存模数与温度的曲线图。
图4B所示为根据本揭露一实施方式之基材相对于封装材料不同储存模数下拉伸率的长条图。
图5所示为根据本揭露一实施方式之以奈米压印制程来形成封装胶层的流程示意图。
图6所示为根据本揭露一实施方式之以奈米压印制程以及微流树脂注塑成形制程来形成封装胶层的流程示意图。
图7所示为根据本揭露一实施方式之以网板印刷制程来形成封装胶层的流程示意图。
图8所示为根据本揭露一实施方式之以旋转涂布制程来形成封装胶层的流程示意图。
附图标记：
100:局部拉伸的封装结构 110:基材
120:柔性电子元件 130:发光显示元件
140:封装胶层 142:封装区
144:非封装区 210:胶体封装材料
220:模具 230:原型模具
240:注塑模具 250:网板印刷装置
260:紫外光 270:旋转涂布装置
S501-S506:步骤 S601-S609:步骤
S701-S703:步骤 S801-S803:步骤
h1:高度 h2:高度
V1:体积 V2:体积
具体实施方式
为了使本揭露的叙述更加详尽与完备，下文详细描述本揭露之实施方式与具体实施例；但这并非实施或运用本揭示内容具体实施例的唯一形式。以下所揭示的各实施例，在有益的情形下可相互组合或取代，也可在一实施例中附加其他的实施例，而无须进一步的记载或说明。
于本文中所使用之「包含」、「包括」、「具有」及相似词汇，指明其所记载的特征、区域、整数、步骤、操作、元件与/或组件，但不排除其它的特征、区域、整数、步骤、操作、元件、组件，与/或其中之群组。
本揭露提出一种局部拉伸的封装结构，须先说明的是，此处所指的局部拉伸系指显示装置中的曲面结构或弯折结构，因为弯曲、曲面成形或弯折所产生的拉伸现象会优先发生在非封装区。因此，拉伸现象并不会发生在具有发光显示元件的封装区，如此能够避免弯曲或曲面成形时损坏发光显示元件中的金属导线或电子元件。本揭露的局部拉伸的封装结构能够适用于任何具有弯曲或曲面成形功能的发光装置或显示装置。
本揭露透过将封装胶层配置为具有封装区以及非封装区，且非封装区的高度会低于封装区，如此形成厚度不等的封装胶层。相较于习知技术中均等厚度且上表面共平面的封装胶层，在弯曲或曲面成形的装置中，本揭露使拉伸现象发生在非封装区，因此本揭露的封装胶层能够有效保护封装区的发光显示元件及其中的金属导线或电子元件。
首先，请参阅图1，图1所示为根据本揭露一实施方式之局部拉伸的封装结构的剖面示意图。于本揭露的一些实施方式中，提供一种局部拉伸的封装结构100，包括基材110、柔性电子元件120、多个发光显示元件130以及封装胶层140。在一实施方式中，基材110理想上为透明基材，详细而言，可以为一可挠式透明基材，其材料可以选自聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、环烯烃聚合物(cyclo olefin polymer，COP)或其组合。在一实施方式中，基材110的加工温度介于约80℃至约180℃之间。并且，基材110在前述加工温度范围下的储存模数范围介于1MPa至20000MPa之间。在一些实施例中，基材110在前述加工温度范围下的储存模数包括，但不限于，1MPa、2000MPa、4000MPa、6000MPa、8000MPa、10000MPa、12000MPa、14000MPa、16000MPa、18000MPa、20000MPa或者此等值中任意两者之间的任何值。
于本揭露的一些实施方式中，柔性电子元件120设置于基材110之上。柔性电子元件120系用以将发光显示元件130与外部电源电性连接。在一实施方式中，柔性电子元件120可为软性印刷电路板或任何可挠性的导电材质。于本揭露的一些实施方式中，这些发光显示元件130设置于柔性电子元件120之上。这些发光显示元件130的排列或设置方式可为随机排布或阵列式排布。在一实施方式中，这些发光显示元件130包括发光二极体(light-emitting diode，LED)、次毫米发光二极体(mini LED)、微发光二极体(micro LED)、有机发光二极体(organic light-emitting diode，OLED)或其组合。
于本揭露的一些实施方式中，封装胶层140包括封装区142以及非封装区144。封装区142包覆这些发光显示元件130的上表面及侧壁。非封装区144直接覆设于未设置这些发光显示元件130的柔性电子元件120之上。在一实施方式中，为了能够具备良好的可挠性或拉伸率，封装胶层140的材料包括环氧树脂系、硅系、压克力系树脂或其组合。在一实施方式中，封装胶层140于基材110的前述加工温度范围下(即80℃至180℃)的储存模数介于1MPa至10000MPa之间，使得封装胶层140。在一些实施例中，封装胶层140于基材110的前述加工温度范围下的储存模数包括，但不限于，1MPa、2000MPa、4000MPa、6000MPa、8000MPa、10000MPa或者此等值中任意两者之间的任何值。在一实施方式中，封装胶层140的玻璃转移温度介于-20℃至150℃之间。在一些实施例中，封装胶层140的玻璃转移温度包括，但不限于，-20℃、-10℃、0℃、10℃、20℃、30℃、40℃、50℃、60℃、70℃、80℃、90℃、100℃、110℃、120℃、130℃、140℃、150℃或者此等值中任意两者之间的任何值。
于此，须先说明，本揭露利用了封装胶层140的封装区142与非封装区144的体积、厚度与拉伸率的差异，使得弯曲或曲面成形时，拉伸现象会优先发生在非封装区144，以此避免封装区142中的线路或电子元件损坏。为了能够更清楚地了解本揭露的封装胶层140的特征，请同时参阅图1及图2，图2所示为根据本揭露一实施方式之局部拉伸的封装结构的立体剖面图。由图1及图2可知，在一实施方式中，封装胶层140中封装区142的高度h1会比非封装区144的高度h2来得高，因此当拉伸现象发生时，非封装区144上方的空间能够作为弯曲或曲面成形时封装区142旋转的预留空间。
参阅图2可知，在一实施方式中，非封装区144的体积V2较封装区142的体积V1来得小，非封装区144相对于封装区142的体积比值小于1。详细来说，封装区142的体积V1系指封装区142中封装材料与发光显示元件130的体积。据此，亦符合前述封装区142与非封装区144的高度差异，也使得非封装区144上方的空间能够作为弯曲或曲面成形时封装区142旋转的预留空间。
接着，请参阅图3，图3所示为根据本揭露一实施方式之封装区与非封装区的拉伸率长条图。根据前述关于本揭露图1及图2所示之局部拉伸的封装结构100，可以测得封装区142与非封装区144的拉伸率，如图3所示，在一实施方式中，非封装区144的拉伸率大于封装区142的拉伸率，且非封装区144与封装区142的拉伸率之差大于等于10％。因为非封装区144的拉伸率相较于封装区142的拉伸率有一定程度的差异，因此拉伸现象会优先发生在非封装区144，而不是封装区142。在一实施方式中，封装区142的拉伸率介于约4％至约6％之间，且非封装区144的拉伸率介于约14％至约18％之间。在一些实施例中，封装区142的拉伸率包括，但不限于，4％、4.2％、4.4％、4.6％、4.8％、5％、5.2％、5.4％、5.6％、5.8％、6％或者此等值中任意两者之间的任何值。在一些实施例中，非封装区144的拉伸率包括，但不限于，14％、14.4％、14.8％、15.2％、15.6％、16％、16.4％、16.8％、17.2％、17.6％、18％或者此等值中任意两者之间的任何值。须注意的是，此处所示之拉伸率仅为示例性质，并不应用以限定本揭露，重点在于非封装区144的拉伸率要高于封装区142的拉伸率10％以上。
为了使本揭露能够应用于更多不同弯曲或拉伸程度的装置，本揭露进一步利用不同温度下封装胶层140与基材110之间的储存模数差异，来控制非封装区144的拉伸率。请先参阅图4A，图4A所示为根据本揭露一实施方式之基材与封装材料的储存模数与温度的曲线图，其中Tg所示为封装材料的玻璃转化温度。由图4A可知，基材110的储存模数会随着温度升高而大幅下降，而封装胶层140中封装材料的储存模数随温度升高的下降幅度会小于基材110。意即，较低温时，基材110的储存模数大于封装胶层140，较高温时，基材110的储存模数小于封装胶层140。
再参考图4B，图4B所示为根据本揭露一实施方式之基材相对于封装材料不同储存模数下拉伸率的长条图。在一实施方式中，当基材110的储存模数大于封装胶层140的储存模数，则非封装区144的拉伸率大于30％，且非封装区144的拉伸率随基材110与封装胶层140的储存模数差异增加而增加。当基材110的储存模数小于封装胶层140的储存模数，则非封装区144的拉伸率小于30％，且非封装区144的拉伸率随基材110与封装胶层140的储存模数差异增加而缩小。由图4B可知，当基材110的储存模数小于封装胶层140的封装材料，非封装区144的拉伸率约为18％，当基材110的储存模数大于封装胶层140的封装材料，非封装区144的拉伸率约为122％。
据此，由图4A及图4B所示的态样可知，本揭露能够透过基材110与封装胶层140之间的储存模数差异，使非封装区144具有不同的拉伸率，因此能够应用于更多不同弯曲或拉伸程度的装置。
本揭露之局部拉伸的封装结构100的结构特性与技术特征已叙明如上，以下将说明局部拉伸的封装结构100的多种制造流程。须先说明的是，本揭露之基材110、柔性电子元件120与多个发光显示元件130的形成方式包括沉积制程、蚀刻制程、黏接制程或其组合。以下仅针对封装胶层140的形成方法进行说明。并且，本揭露之基材110、柔性电子元件120、多个发光显示元件130以及封装胶层140的特性及材料内容已叙明如上，故以下不再赘述。
请先参考图5，图5所示为根据本揭露一实施方式之以奈米压印制程来形成封装胶层的流程示意图。由步骤S501所示，提供基材110、柔性电子元件120以及多个发光显示元件130，同时计量胶体封装材料210并准备铺设于柔性电子元件120以及多个发光显示元件130之上。
步骤S502，将步骤S501中所计量的胶体封装材料210铺设于柔性电子元件120以及多个发光显示元件130之上。
接着同时参考步骤S503及步骤S504，准备具有凹部(未标示)及凸部(未标示)的模具220，将模具220的多个凹部对准这些发光显示元件130，并将多个凸部对准未设置这些发光显示元件130的柔性电子元件120。接着，将模具220压合并加温以固化胶体封装材料210，如此始封装胶层140成形于这些发光显示元件130以及部分的柔性电子元件120之上。
最后如步骤S505及步骤S506所示，移除模具220并冷却后，即制造出了本揭露的局部拉伸的封装结构，其具有不等厚度的封装胶层140以使拉伸现象优先发生于非封装区144，同时避免弯曲或曲面成形时损坏发光显示元件130中的金属导线或电子元件。
请参考图6，图6所示为根据本揭露一实施方式之以奈米压印制程以及微流树脂注塑成形制程来形成封装胶层的流程示意图。于图6所示的制造流程，须先制作出注塑成形所需之注塑模具240。首先，如步骤S601至步骤S603所示，取原型模具230，并取硫化型硅橡胶或聚二甲基硅氧烷铺设于原型模具230上以取得注塑模具240。
请参考步骤S604至S606，提供基材110、柔性电子元件120以及多个发光显示元件130，并将注塑模具240的多个凹部对准这些发光显示元件130，并将多个凸部对准未设置这些发光显示元件130的柔性电子元件120。将注塑模具240与柔性电子元件120以及多个发光显示元件130结合后，须注意的是，因为注塑模具240是为了制造封装胶层140，因此注塑模具240内部并不会完全贴合柔性电子元件120以及多个发光显示元件130，而是会与柔性电子元件120以及多个发光显示元件130之间具有间隔。之后，自原型模具230外部沿着间隔注入已计量之胶体封装材料210。
再参考步骤S607至步骤S609，注入胶体封装材料210后，加温以固化胶体封装材料210，如此使封装胶层140成形于这些发光显示元件130以及部分的柔性电子元件120之上。移除原型模具230并冷却后，即制造出了本揭露的局部拉伸的封装结构，其具有不等厚度的封装胶层140以使拉伸现象优先发生于非封装区144，同时避免弯曲或曲面成形时损坏发光显示元件130中的金属导线或电子元件。
请参阅图7，图7所示为根据本揭露一实施方式之以网板印刷制程来形成封装胶层的流程示意图。如步骤S701所示，提供基材110、柔性电子元件120以及多个发光显示元件130，同时计量胶体封装材料210置于网板印刷装置250中，并准备涂布于柔性电子元件120以及多个发光显示元件130之上。
接着，如步骤S702所示，藉由网板印刷装置250执行网板印刷制程，将胶体封装材料210涂布于柔性电子元件120以及多个发光显示元件130之上，并形成不等厚度的封装结构。最后，以紫外光260执行光固化制程，使胶体封装材料210固化形成封装胶层140。
须特别说明的是，本实施态样具体执行了两次网板印刷制程以及两次光固化制程，为避免图式过于冗长，仅皆绘示一次的网板印刷制程以及一次光固化制程。具体步骤叙述如下。
在步骤S701之后，会先执行第一次网板印刷制程，在此主要为涂布封装胶层140的非封装区144，接着执行第一次光固化制程以将非封装区144的胶体封装材料210固化。进而，执行第二次网板印刷制程，其中先以感光耦合元件(charge-coupled device，CCD)精准对位，再以网板印刷装置250涂布封装胶层140的封装区142，再进行第二次光固化制程，以紫外光260固化封装区142的胶体封装材料210。
据此，形成了本揭露的局部拉伸的封装结构，其具有不等厚度的封装胶层140，以使拉伸现象优先发生于非封装区144，同时避免弯曲或曲面成形时损坏发光显示元件130中的金属导线或电子元件。
请参阅图8，图8所示为根据本揭露一实施方式之以旋转涂布制程来形成封装胶层的流程示意图。如步骤S801所示，提供基材110、柔性电子元件120以及多个发光显示元件130，并置于旋转涂布装置270之上。接着，计量准备涂布的胶体封装材料210。
接着如步骤S802所示，执行旋转涂布制程，具体来说本实施态样执行了两次旋转涂布制程，第一次低转速涂布，第二次为高转速涂布。不过，为了图式简洁起见，在图8中仅绘示了一次旋转涂布制程。详述如下，因为发光显示元件130与柔性电子元件120会形成凹凸的结构，因此利用第一次的低转速涂布，将胶体封装材料210均匀涂布在发光显示元件130与柔性电子元件120所形成凹凸的结构中。意即，发光显示元件130与柔性电子元件120所形成凹凸的结构中的凹部会形成胶体封装材料210丰富区。接着，执行第二次的高转速涂布，将前述丰富区中的胶体封装材料210去除。
最后，以紫外光260照射已涂布完成的胶体封装材料210，如此使封装胶层140成形于这些发光显示元件130以及部分的柔性电子元件120之上。据此，即制造出了本揭露的局部拉伸的封装结构，其具有不等厚度的封装胶层140，以使拉伸现象优先发生于非封装区144，同时避免弯曲或曲面成形时损坏发光显示元件130中的金属导线或电子元件。
综上所述，本揭露透过将封装胶层配置为具有封装区以及非封装区，且非封装区的高度会低于封装区，如此形成厚度不等的封装胶层。并且，因为厚度差异(封装区与非封装区)以及储存模数差异(基材与封装胶层)，使得非封装区的拉伸率大幅高于封装区。因此，当结构在加工制程中或加工制程后发生拉伸现象时，拉伸现象会优先发生于非封装区，而不是发生在具有发光显示元件的封装区，如此能够避免弯曲或曲面成形时损坏发光显示元件中的金属导线或电子元件。
前述揭露概述了几个实施例的特征，使得本领域技术人员可以更好地理解本揭露的各个方面。本领域技术人员将理解，他们可以容易地将本揭露用作设计或修改其他制程和结构的基础，以实现与本揭露介绍的实施例相同的目的和/或实现相同的益处。本领域技术人员还应该理解，虽然本揭露已以多种实施方式揭露如上，然其并非用以限定本揭露，任何熟习此技艺者，在不脱离本揭露之精神和范围内，当可作各种之更动与润饰，因此本揭露之保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (19)

1.一种局部拉伸的封装结构，其特征在于，包括：
基材；
柔性电子元件，设置于所述基材之上；
复数个发光显示元件，设置于所述柔性电子元件之上；以及
封装胶层；
封装区，所述封装胶层包覆所述发光显示元件的上表面及侧壁；以及
非封装区，所述封装胶层直接覆设于未设置所述发光显示元件的所述柔性电子元件之上；其中在所述基材的加工温度下：
当所述基材的储存模数大于所述封装胶层的储存模数，则所述非封装区的拉伸率大于30％，且所述非封装区的拉伸率随所述基材与所述封装胶层的储存模数差异增加而增加；
当所述基材的储存模数小于所述封装胶层的储存模数，则所述非封装区的拉伸率小于30％，且所述非封装区的拉伸率随所述基材与所述封装胶层的储存模数差异增加而缩小。
2.如权利要求1所述的局部拉伸的封装结构，其中所述封装区的高度高于所述非封装区的高度。
3.如权利要求1所述的局部拉伸的封装结构，其中所述非封装区的体积相对于所述封装区的体积比值小于1。
4.如权利要求1所述的局部拉伸的封装结构，其中所述非封装区的拉伸率大于所述封装区的拉伸率，且所述非封装区与所述封装区的拉伸率之差大于等于10％。
5.如权利要求1所述的局部拉伸的封装结构，其中所述基材于加工温度下的储存模数范围介于1MPa至20000MPa之间。
6.如权利要求1所述的局部拉伸的封装结构，其中所述基材的材料包括聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二酯、环烯烃聚合物或其组合。
7.如权利要求1所述的局部拉伸的封装结构，其中所述发光显示元件包括发光二极体、次毫米发光二极体、微发光二极体、有机发光二极体或其组合。
8.如权利要求1所述的局部拉伸的封装结构，其中所述封装胶层的材料包括环氧树脂系、硅系、压克力系树脂或其组合。
9.如权利要求1所述的局部拉伸的封装结构，其中所述封装胶层于所述基材的加工温度下的储存模数介于1MPa至10000MPa之间。
10.如权利要求1所述的局部拉伸的封装结构，其中所述封装胶层的玻璃转移温度介于-20℃至150℃之间。
11.一种制造局部拉伸的封装结构的方法，其特征在于，包括：
提供基材；
设置柔性电子元件于所述基材之上；
设置复数个发光显示元件于所述柔性电子元件之上；以及
设置封装胶层于所述发光显示元件以及部分的所述柔性电子元件之上；
设置封装区以及非封装区；其中，
所述封装区具有所述封装胶层包覆所述发光显示元件的上表面及侧壁，且所述非封装区具有所述封装胶层直接覆设于未设置所述发光显示元件的所述柔性电子元件之上；
其中在所述基材的加工温度下：
当所述基材的储存模数大于所述封装胶层的储存模数，则所述非封装区的拉伸率大于30％，且所述非封装区的拉伸率随所述基材与所述封装胶层的储存模数差异增加而增加；
当所述基材的储存模数小于所述封装胶层的储存模数，则所述非封装区的拉伸率小于30％，且所述非封装区的拉伸率随所述基材与所述封装胶层的储存模数差异增加而缩小。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述设置所述封装胶层于所述发光显示元件以及部分的所述柔性电子元件之上的步骤包括：
计量并铺设胶体封装材料于所述发光显示元件以及部分的所述柔性电子元件之上；
将一模具的复数个凹部对准所述发光显示元件以及复数个凸部对准未设置所述发光显示元件的所述柔性电子元件；
将所述模具压合并加温固化所述胶体封装材料，使所述封装胶层成形于所述发光显示元件以及部分的所述柔性电子元件之上；以及
冷却所述封装胶层并移除所述模具。
13.如权利要求11所述的方法，其中所述设置所述封装胶层于所述发光显示元件以及部分的所述柔性电子元件之上的步骤包括：
将模具的复数个凹部对准所述发光显示元件以及复数个凸部对准未设置所述发光显示元件的所述柔性电子元件，且所述模具并未贴合所述发光显示元件以及所述柔性电子元件；
注入胶体封装材料至所述模具与所述发光显示元件以及所述柔性电子元件之间；
加温固化所述胶体封装材料，使所述封装胶层成形于所述发光显示元件以及部分的所述柔性电子元件之上；以及
冷却所述封装胶层并移除所述模具。
14.如权利要求13所述的方法，其中所述模具的材质包括硫化型硅橡胶、聚二甲基硅氧烷或其组合。
15.如权利要求11所述的方法，其中所述设置所述封装胶层于所述发光显示元件以及部分的所述柔性电子元件之上的步骤包括：
沿着所述发光显示元件的上表面与侧壁以及部分的所述柔性电子元件的表面，计量并涂布胶体封装材料；以及
照射紫外光以固化所述胶体封装材料，使所述封装胶层成形于所述发光显示元件以及部分的所述柔性电子元件之上。
16.如权利要求15所述的方法，其中所述涂布所述胶体封装材料的步骤包括网板印刷制程或旋转涂布制程。
17.如权利要求11所述的方法，其中所述封装区的高度高于所述非封装区的高度。
18.如权利要求11所述的方法，其中所述非封装区的拉伸率大于所述封装区的拉伸率，且所述非封装区与所述封装区的拉伸率之差大于等于10％。
19.如权利要求11所述的方法，其中所述非封装区的体积相对于所述封装区的体积比值小于1。
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