JP5705254B2 - 封止材 - Google Patents
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Description
本発明に係る封止材は、上記の課題を解決するために、少なくとも熱可塑性樹脂と蛍光体とを含み、複数の発光素子を一括封止するための封止材であって、前記熱可塑性樹脂は、所定の架橋温度未満の温度において熱可塑性を有し、前記架橋温度以上の温度で不可逆的に硬化するシリコーン樹脂であり、前記シリコーン樹脂は、前記架橋温度未満の温度において一次架橋を形成しており、前記架橋温度以上の温度で二次架橋を形成するものであり、前記封止材は、前記蛍光体を内部に分散させた、一次架橋により半硬化状態となった前記シリコーン樹脂が、シート状に成形された封止シートであり、前記封止シートの表面に、複数の凹部が形成されていることを特徴とする。
本発明に係る封止材は、上記の課題を解決するために、少なくとも熱可塑性樹脂と蛍光体とを含み、前記熱可塑性樹脂は、所定の架橋温度未満の温度において熱可塑性を有し、前記架橋温度以上の温度で不可逆的に硬化することを特徴とする。
本発明に係る発光デバイスの製造方法に関する実施の一形態について、図1〜図20に基づいて説明すれば以下のとおりである。
まず、本実施形態に係る発光デバイス1aの構成について、図1を参照して説明する。
次に、図1に示される発光デバイス1aの製造方法について、図2〜図8を参照して説明する。
次に、本実施形態に係る発光デバイスの製造方法に用いられる封止用樹脂シート20の製造方法について、図9〜図11を参照して説明する。
以上のように、本実施形態に係る発光デバイスの製造方法は、多連キャビティ回路基板10に形成された各キャビティ12内に発光素子13をそれぞれ実装する実装ステップと、発光素子13が実装された全てのキャビティ12を覆うように、1次架橋により半硬化状態となったシリコーン樹脂と、蛍光体とを含む封止用樹脂シート20を多連キャビティ回路基板10に重ねて配置する配置ステップと、封止用樹脂シート20を、当該シリコーン樹脂が2次架橋により全硬化する温度である2次架橋温度T1未満の温度で加熱しつつ、溶融したシリコーン樹脂が各キャビティ12内に充填されるように加圧する溶融ステップと、各キャビティ12内に充填された溶融したシリコーン樹脂22を各発光素子13の少なくとも上面に密着させた状態で、2次架橋温度T1以上で加熱する硬化ステップとを含み、シリコーン樹脂は、室温T0から2次架橋温度T1未満までの温度領域で可逆的に粘度が低下し、2次架橋温度T1以上の温度領域で非可逆的に全硬化する。
次に、本実施形態に係る発光デバイスの製造方法の変形例について、図12〜図20を参照して説明する。
本実施形態では、発光素子13が実装された多連キャビティ回路基板10と、封止用樹脂シート20と、表面成形用離型シート31と、重り板32とを重ねた状態で、真空加熱炉33によって真空状態で加熱する方法について説明したが、重り板32を使用しない方法であってもよい。
また、本実施形態では、多連キャビティ回路基板10上に封止用樹脂シート20を重ねて配置して加熱する方法について説明したが、この場合、各キャビティ12の底部に、一対の貫通孔12aをそれぞれ設けておいてもよい。
本実施形態では、1つの封止用樹脂シート20を用いて発光素子13を封止する方法について説明したが、蛍光体の含有率がそれぞれ異なる複数の封止用樹脂シートを重ねて発光素子13を封止してもよい。
本実施形態では、封止用樹脂シート20上に表面成形用離型シート31を配置する方法について説明したが、表面成形用離型シート31に代えて、レンズ成形用樹脂シート25を配置してもよい。
本発明に係る発光デバイスの製造方法に関する他の実施の一形態について、図21〜図27に基づいて説明すれば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、上述した実施形態にて説明した図面と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
まず、実施形態に係る発光デバイスの製造方法について、図21〜図23を参照して説明する。
以上のように、本実施形態に係る発光デバイスの製造方法は、表面が平坦な平面回路基板60に複数の発光素子13を実装する実装ステップと、実装された各発光素子63を収容可能な複数の凹部26aが形成された封止用樹脂シート26を、各発光素子63が当該凹部26a内にそれぞれ収容されるように平面回路基板60上に配置する配置ステップと、配置した封止用樹脂シート26を、平面回路基板60に実装された各発光素子63に対向する位置にレンズ成形用凹部35fが形成されたレンズ成形用金型35dを介して加圧しながら加熱する加熱スッテップと、溶融させたシリコーン樹脂を、各レンズ成形用凹部35f内で、2次架橋により全硬化させる硬化ステップとを含んでいる。
次に、本実施形態に係る発光デバイスの製造方法の変形例について、図24〜図27を参照して説明する。
本実施形態では、凸レンズ型の封止樹脂21によって封止された発光デバイス1dの製造する方法について説明したが、本発明に係る発光デバイスの製造方法を用いてドットマトリクス型の発光表示デバイス50を製造することもできる。
本実施形態では、平面回路基板60上に複数の発光素子63を実装し、各発光素子63を同時に封止することで複数の発光デバイス1dを製造する方法について説明したが、本発明に係る発光デバイスの製造方法を用いて、単一の発光デバイス1eを製造してもよい。
本発明に係る発光デバイスの製造方法に関する別の実施の一形態について、図28〜図31に基づいて説明すれば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、上述した実施形態にて説明した図面と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
図28の(a)〜図28の(d)は、本実施形態に係る発光デバイスの製造方法を示す概略図である。図28の(a)に示すように、まず、発光素子13が実装された多連キャビティ回路基板10の表面全体に、シリコーン樹脂の粉末と蛍光体とが混合された封止用混合粉末120を振りかけて(または、塗布して)、図28の(b)に示すように、多連キャビティ回路基板10全体が封止用混合粉末120にて覆われた状態とする(配置ステップ)。
以上のように、本実施形態に係る発光デバイスの製造方法は、配置ステップにおいて、発光素子13が実装されたキャビティ12内に、シリコーン樹脂の粉末と蛍光体とが混合された封止用混合粉末120を充填した状態で加熱することで、キャビティ12内の発光素子13を封止するものである。
次に、本実施形態に係る発光デバイスの製造方法の変形例について、図30および図31を参照して説明する。
本実施形態では、シリコーン樹脂の粉末と蛍光体とが混合された封止用混合粉末120を使用する方法について説明したが、封止用混合粉末120に代えて、蛍光体を包含するシリコーン樹脂の粉末からなる封止用樹脂粉末121(封止材)を使用してもよい。
上述の封止用混合粉末120または封止用樹脂粉末121を押し固めることでタブレット状に成形した封止用樹脂タブレット(封止材)122を用いてキャビティ12を封止してもよい。
上述の封止用混合粉末120を押し固めることでシート状に成形した封止用混合粉末シート(封止用樹脂シート・封止材)123を用いてキャビティ12を封止してもよい。
以上のように、本発明に係る封止材は、少なくとも熱可塑性樹脂と蛍光体とを含み、前記熱可塑性樹脂は、所定の架橋温度未満の温度において熱可塑性を有し、前記架橋温度以上の温度で不可逆的に硬化することを特徴とする。
なお、本発明は、下記のように表現することができる。すなわち、本発明に係る発光デバイスの製造方法は、基板に、少なくとも1つの発光素子を、ワイヤーボンディングを用いて実装する実装ステップと、前記実装ステップにて実装した前記発光素子の上面と対向する位置に、1次架橋により半硬化状態となったシリコーン樹脂と、蛍光体とを少なくとも含む封止材を配置する配置ステップと、前記配置ステップにて配置した前記封止材を、1次架橋された前記シリコーン樹脂が2次架橋により全硬化する温度である2次架橋温度未満の温度で加熱して、前記封止材を溶融させる溶融ステップと、前記溶融ステップにて溶融した前記封止材を前記発光素子の少なくとも上面に密着させた状態で、前記封止材を前記2次架橋温度以上の温度で加熱する硬化ステップとを含み、前記シリコーン樹脂は、室温から前記2次架橋温度未満までの温度領域で可逆的に粘度が低下し、前記2次架橋温度以上の温度領域で非可逆的に全硬化することを特徴とする。
1b 発光デバイス
1c 発光デバイス
1d 発光デバイス
1e 発光デバイス
1f 発光デバイス
10 多連キャビティ回路基板(基板)
11 回路基板(基板)
12 キャビティ
12a 貫通孔
13 発光素子
14,54,64,74 マウント用配線パターン
15,65 導電性接着剤
16,56,66,76 接続用配線パターン
17,57,67,77a,77b 導電線
20 封止用樹脂シート(封止材)
20a 貫通孔
20A 第1の封止用樹脂シート(封止用樹脂シート・封止材)
20B 第2の封止用樹脂シート(封止用樹脂シート・封止材)
21 封止樹脂
24 混錬樹脂
25 レンズ成形用樹脂シート
26 封止用樹脂シート(封止材)
26a 凹部
31 表面成形用離型シート
32 重り板
33 真空加熱炉
35 真空熱プレス装置
35a ヒーター台
35b プレスヒーター
35e レンズ成形用溝部(レンズ成形用凹部)
35h 固定具凹部
38a 真空引き用袋
38c 加熱炉
38d 真空ポンプ
40 真空加熱装置
41 上部チャンバー
42 下部チャンバー
43 ダイヤフラムゴム
44,79 熱板
50 発光表示デバイス(発光デバイス)
51 平面回路基板(基板)
53 発光素子
58 反射板
58a 開口部
60 平面回路基板(基板)
61 回路基板(基板)
63,73 発光素子
120 封止用混合粉末(封止材)
121 封止用樹脂粉末(封止材)
122 封止用樹脂タブレット(封止用混合粉末・封止用樹脂粉末・封止材)
123 封止用混合粉末シート(封止用樹脂シート・封止材)
132a 開口部
T0 室温
T1 2次架橋温度
Claims (3)
- 少なくとも熱可塑性樹脂と蛍光体とを含み、複数の発光素子を一括封止するための封止材であって、
前記熱可塑性樹脂は、所定の架橋温度未満の温度において熱可塑性を有し、前記架橋温度以上の温度で不可逆的に硬化するシリコーン樹脂であり、
前記シリコーン樹脂は、前記架橋温度未満の温度において一次架橋を形成しており、前記架橋温度以上の温度で二次架橋を形成するものであり、
前記封止材は、前記蛍光体を内部に分散させた、一次架橋により半硬化状態となった前記シリコーン樹脂が、シート状に成形された封止シートであり、
前記封止シートに、前記シリコーン樹脂が溶融する際に当該シリコーン樹脂内への気泡の混入を抑制するための貫通孔が形成されていることを特徴とする封止材。 - 少なくとも熱可塑性樹脂と蛍光体とを含み、複数の発光素子を一括封止するための封止材であって、
前記熱可塑性樹脂は、所定の架橋温度未満の温度において熱可塑性を有し、前記架橋温度以上の温度で不可逆的に硬化するシリコーン樹脂であり、
前記シリコーン樹脂は、前記架橋温度未満の温度において一次架橋を形成しており、前記架橋温度以上の温度で二次架橋を形成するものであり、
前記封止材は、前記蛍光体を内部に分散させた、一次架橋により半硬化状態となった前記シリコーン樹脂が、シート状に成形された封止シートであり、
前記封止シートの表面に、複数の凹部が形成されていることを特徴とする封止材。 - 前記架橋温度は、120℃以上170℃以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の封止材。
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US9853193B2 (en) * | 2014-06-04 | 2017-12-26 | Dow Corning Corporation | Imprinting process of hot-melt type curable silicone composition for optical devices |
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CN106575695B (zh) * | 2014-09-26 | 2020-01-21 | 东芝北斗电子株式会社 | 发光组件及发光组件的制造方法 |
JP6151461B2 (ja) * | 2014-09-27 | 2017-06-21 | インテル コーポレイション | 単一方向の加熱を用いる強化ガラスを使用する基板の反り制御 |
US9627591B2 (en) * | 2015-02-25 | 2017-04-18 | Nichia Corporation | Mounting substrate and electronic device including the same |
KR102527427B1 (ko) * | 2015-02-25 | 2023-05-03 | 듀폰 도레이 스페셜티 머티리얼즈 가부시키가이샤 | 경화성 입상 실리콘 조성물 및 이의 제조 방법 |
KR102396332B1 (ko) * | 2015-09-22 | 2022-05-12 | 삼성전자주식회사 | Led 디스플레이용 미세간격 코팅부재 및 이를 이용한 코팅방법 |
WO2017136383A1 (en) * | 2016-02-02 | 2017-08-10 | Maintool SAS | Flexible electronic strip and its method for manufacture |
JP6394649B2 (ja) * | 2016-06-30 | 2018-09-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US11047747B2 (en) | 2017-03-27 | 2021-06-29 | Firouzeh Sabri | Light weight flexible temperature sensor kit |
US10147787B1 (en) * | 2017-05-31 | 2018-12-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor structure and manufacturing method thereof |
JP2019086129A (ja) * | 2017-11-09 | 2019-06-06 | 三菱重工業株式会社 | シール方法、組立体、及び組立体の製造方法 |
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CN110364540A (zh) * | 2018-04-09 | 2019-10-22 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 感光组件、摄像模组及其制作方法 |
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TWI720785B (zh) * | 2020-01-15 | 2021-03-01 | 東貝光電科技股份有限公司 | 微型led發光裝置及其製造方法 |
Family Cites Families (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4001431A1 (de) * | 1990-01-19 | 1991-07-25 | Hoechst Ag | Schmelzkleber mit verbesserter applikationsstandzeit und verfahren zu ihrer herstellung |
JP2994219B2 (ja) | 1994-05-24 | 1999-12-27 | シャープ株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
US6623670B2 (en) | 1997-07-07 | 2003-09-23 | Asahi Rubber Inc. | Method of molding a transparent coating member for light-emitting diodes |
US6319425B1 (en) | 1997-07-07 | 2001-11-20 | Asahi Rubber Inc. | Transparent coating member for light-emitting diodes and a fluorescent color light source |
JP4271747B2 (ja) | 1997-07-07 | 2009-06-03 | 株式会社朝日ラバー | 発光ダイオード用透光性被覆材及び蛍光カラー光源 |
TW459403B (en) * | 2000-07-28 | 2001-10-11 | Lee Jeong Hoon | White light-emitting diode |
JP3909826B2 (ja) | 2001-02-23 | 2007-04-25 | 株式会社カネカ | 発光ダイオード |
US6924596B2 (en) * | 2001-11-01 | 2005-08-02 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus provided with fluorescent substance and semiconductor light emitting device, and method of manufacturing the same |
JP2003262701A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光学材料用組成物、光学材料、それを用いた液晶表示装置、発光ダイオードおよびそれらの製造方法 |
KR100558446B1 (ko) * | 2003-11-19 | 2006-03-10 | 삼성전기주식회사 | 파장변환용 몰딩 화합물 수지 태블릿 제조방법과 이를이용한 백색 발광다이오드 제조방법 |
US7087465B2 (en) * | 2003-12-15 | 2006-08-08 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Method of packaging a semiconductor light emitting device |
JP2005217369A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Three M Innovative Properties Co | 発光ダイオード装置用接着シート及び発光ダイオード装置 |
TWI398188B (zh) * | 2004-08-31 | 2013-06-01 | Showa Denko Kk | A luminous body, and a lighting and display device using the luminous body |
JP2006140362A (ja) | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子封止用シートおよび該シートを用いた光半導体装置の製造方法 |
US7710016B2 (en) | 2005-02-18 | 2010-05-04 | Nichia Corporation | Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic |
JP4953578B2 (ja) | 2005-02-18 | 2012-06-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2007091960A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子封止用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置 |
DE102005047500B4 (de) * | 2005-10-04 | 2013-12-05 | Ems-Chemie Ag | Kunststoffbauteil mit Sichtteil und Lichtquelle |
JP2007235104A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-09-13 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置の製造方法および発光装置 |
JP5428122B2 (ja) * | 2006-05-11 | 2014-02-26 | 日亜化学工業株式会社 | 樹脂成型品とその成型方法、および、発光装置とその製造方法 |
US7709853B2 (en) | 2007-02-12 | 2010-05-04 | Cree, Inc. | Packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements |
JP2008300544A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Sharp Corp | 発光装置およびその製造方法 |
JP5080881B2 (ja) | 2007-06-27 | 2012-11-21 | ナミックス株式会社 | 発光ダイオードチップの封止体の製造方法 |
KR101471232B1 (ko) * | 2007-09-19 | 2014-12-09 | 도레이 카부시키가이샤 | 전자 부품용 접착제 조성물 및 이를 이용한 전자 부품용 접착제 시트 |
JP2009259868A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Sharp Corp | 発光装置の色度調整方法および製造方法 |
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KR20110057239A (ko) * | 2008-09-16 | 2011-05-31 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 고분자 파장 변환 소자 |
JP5566088B2 (ja) | 2008-12-12 | 2014-08-06 | 日東電工株式会社 | 熱硬化性シリコーン樹脂用組成物 |
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CN101834235B (zh) * | 2009-03-10 | 2013-01-16 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发光二极管封装结构及其制作方法 |
JP4913858B2 (ja) * | 2009-04-14 | 2012-04-11 | 日東電工株式会社 | 熱硬化性シリコーン樹脂用組成物 |
JP2011082339A (ja) * | 2009-10-07 | 2011-04-21 | Nitto Denko Corp | 光半導体封止用キット |
JP5744386B2 (ja) * | 2009-10-07 | 2015-07-08 | 日東電工株式会社 | 光半導体封止材 |
JP5310536B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2013-10-09 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
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SG183402A1 (en) * | 2010-02-19 | 2012-09-27 | Toray Industries | Phosphor-containing cured silicone, process for production of same, phosphor-containing silicone composition, precursor of the composition, sheet-shaped moldings, led package, light -emitting device, and process for production of led-mounted substrate |
JP5328705B2 (ja) | 2010-03-26 | 2013-10-30 | 日東電工株式会社 | シリコーン樹脂用組成物 |
JP5775375B2 (ja) * | 2010-07-27 | 2015-09-09 | 日東電工株式会社 | 発光ダイオード装置の製造方法 |
JP5767062B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2015-08-19 | 日東電工株式会社 | 発光ダイオード封止材、および、発光ダイオード装置の製造方法 |
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