CN113228313A - 荧光体基板、发光基板以及照明装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及荧光体基板、发光基板以及照明装置。本发明的荧光体基板是在一面搭载多个发光元件的荧光体基板，其具备：绝缘基板；第一电极组，其配置于上述绝缘基板的一面，具有与上述多个发光元件接合的多个电极；以及荧光体层，其配置于上述绝缘基板的一面，包含将上述发光元件的发光作为激发光时的发光峰值波长处于可见光区域的荧光体，上述绝缘基板包含双马来酰亚胺树脂以及玻璃布。

Description

荧光体基板、发光基板以及照明装置
技术领域
本发明涉及荧光体基板、发光基板以及照明装置。
背景技术
专利文献1公开了具备搭载有发光元件(LED元件)的基板的LED照明器具。该LED照明器具在基板的表面设置反射材料，来提高发光效率。
专利文献1：中国专利公开106163113号公报
专利文献1所公开的LED照明装置最初无法利用反射材料将LED照明器具发出的光调整为与发光元件发出的光不同的发光颜色的光。并且，在专利文献1中并没有明确公开基板的具体结构。
发明内容
本发明的目的在于提供一种在一面设置有荧光体层，并且在供多个发光元件搭载的荧光体基板中难以翘曲的荧光体基板。
本发明的第一实施方式的荧光体基板是在一面搭载多个发光元件的荧光体基板，其具备：绝缘基板；第一电极组，其配置于上述绝缘基板的一面，具有与上述多个发光元件接合的多个电极；以及荧光体层，其配置于上述绝缘基板的一面，包含将上述发光元件的发光作为激发光时的发光峰值波长处于可见光区域的荧光体，上述绝缘基板包含双马来酰亚胺树脂以及玻璃布。
本发明的第二实施方式的荧光体基板是第一实施方式的荧光体基板，具备第二电极组，其配置于上述绝缘基板的另一面，具有多个电极。
本发明的第三实施方式的荧光体基板是第一或者第二实施方式的荧光体基板，上述绝缘基板的纵向以及横向的热膨胀系数分别在50℃以上100℃以下的范围内是10ppm/℃以下。
本发明的第四实施方式的荧光体基板是第一～第三实施方式中任一个实施方式的荧光体基板，上述绝缘基板的玻化温度高于300℃。
本发明的第五实施方式的荧光体基板是第一～第四实施方式中任一个实施方式的荧光体基板，上述绝缘基板的储能模量在100℃以上300℃以下的范围内，大于1.0×1010Pa且小于1.0×1011Pa。
本发明的第六实施方式的荧光体基板是第一～第五实施方式中任一个实施方式的荧光体基板，上述第二电极组具有的上述多个电极是不与上述第一电极组具有的上述多个电极电连接的虚拟电极。
本发明的第七实施方式的荧光体基板是第一～第六实施方式中任一个实施方式的荧光体基板，上述第二电极组形成有图案。
本发明的第八实施方式的荧光体基板是第一～第七实施方式中任一个实施方式的荧光体基板，上述绝缘基板的厚度是200μm以下。
本发明的第九实施方式的荧光体基板是第八实施方式的荧光体基板，上述绝缘基板的厚度是100μm以上。
本发明的第十实施方式的荧光体基板是第一～第九实施方式中任一个实施方式的荧光体基板，上述发光元件是组装有LED并封装为芯片尺寸的CSP。
本发明的发光基板具备：第一～第十实施方式中任一个实施方式的荧光体基板；以及分别与上述第一电极组的上述多个电极接合的多个发光元件。
本发明的照明装置具备：上述发光基板；以及供给用于使上述发光元件发光的电力的电源。
本发明的第一～第十实施方式的荧光体基板，在一面具有荧光体层并且搭载有多个发光元件的荧光体基板中，能够抑制由多个发光元件的发热引起的翘曲的产生。
另外，本发明的发光基板能够抑制荧光体基板的翘曲的产生，与此相伴，能够使来自多个发光元件以及荧光体层的发光稳定。
附图说明
上述目的以及其它目的、特征以及优点通过以下所述的优选实施方式以及其附带的以下附图而变得进一步明确。
图1A是本实施方式的发光基板的俯视图。
图1B是本实施方式的发光基板以及荧光体基板的仰视图。
图1C是沿图1A的1C-1C切断线切断的发光基板的局部剖视图。
图2A是本实施方式的荧光体基板(省略荧光体层)的俯视图。
图2B是本实施方式的荧光体基板的俯视图。
图3A是本实施方式的发光基板的制造方法的第一工序的说明图。
图3B是本实施方式的发光基板的制造方法的第二工序的说明图。
图3C是本实施方式的发光基板的制造方法的第三工序的说明图。
图3D是本实施方式的发光基板的制造方法的第四工序的说明图。
图3E是本实施方式的发光基板的制造方法的第五工序的说明图。
图4是用于说明本实施方式的发光基板的发光动作的图。
图5是用于说明第一比较形态的发光基板的发光动作的图。
图6是表示本实施方式的发光基板的相关色温的第一试验的结果的图表。
图7是表示本实施方式的发光基板的相关色温的第二试验的结果的图表。
图8是变形例的发光基板以及荧光体基板的仰视图。
具体实施方式
《概要》
以下，参照图1A～图1C、图2A、图2B来说明本实施方式的发光基板10的结构以及功能。接着，参照图3A～图3E来说明本实施方式的发光基板10的制造方法。接着，参照图4来说明本实施方式的发光基板10的发光动作。接着，参照图4～图7等来说明本实施方式的效果。此外，在以下的说明中，在进行参照的全部附图中，对相同的结构要素标注相同的附图标记，适当省略说明。
《本实施方式的发光基板的结构以及功能》
图1A是本实施方式的发光基板10的俯视图(从表面31观察的图)，图1B是本实施方式的发光基板10的仰视图(从背面33观察的图)。图1C是沿图1A的1C-1C切断线切断的发光基板10的局部剖视图。
本实施方式的发光基板10从表面31以及背面33观察，作为一个例子形成为矩形。另外，本实施方式的发光基板10具备多个发光元件20、荧光体基板30、连接器以及驱动器IC等电子部件(省略图示)。即、本实施方式的发光基板10被做成在荧光体基板30搭载有多个发光元件20以及上述电子部件的结构。
本实施方式的发光基板10若通过导线的直接连接或者经由连接器从外部电源(省略图示)供电，则具有发光的功能。因此，本实施方式的发光基板10例如作为照明装置(省略图示)等的主要光学部件利用。
＜多个发光元件＞
多个发光元件20分别作为一个例子，是组装有倒装片LED22(以下，称为LED22。)的CSP(Chip Scale Package：芯片级封装)(参照图1C)。如图1C所示，作为CSP优选通过荧光体密封层24覆盖除了LED22的底面的全部周围(五个面)。荧光体密封层24包含荧光体，LED22的光通过荧光体密封层24的荧光体进行颜色转换并向外部射出。如图1A所示，多个发光元件20在荧光体基板30的表面31(一面的一个例子)，以遍及表面31的整体并规则排列的状态搭载于荧光体基板30。此外，本实施方式的各发光元件20发出的光的相关色温作为一个例子为3，018K。另外，多个发光元件20在进行发光动作时，通过使用散热片(省略图示)、冷却风扇(省略图示)，以荧光体基板30为例，以从常温控制为50℃～100℃的方式进行散热(冷却)。这里，在本说明书中对在数值范围中使用的“～”的意思进行补足说明，例如“50℃～100℃”是指“50℃以上100℃以下”。而且，在本说明书中，在数值范围中使用的“～”是指“『～』之前的记载部分以上『～』之后的记载部分以下”。
＜荧光体基板＞
图2A是本实施方式的荧光体基板30的图，是省略了荧光体层36进行图示的俯视图(从表面31观察的图)。图2B是本实施方式的荧光体基板30的俯视图(从表面31观察的图)。此外，本实施方式的荧光体基板30的仰视图与从背面33观察发光基板10的图相同。另外，本实施方式的荧光体基板30的局部剖视图与从图1C的局部剖视图除去了发光元件20的情况下的图相同。即、本实施方式的荧光体基板30从表面31以及背面33观察，作为一个例子形成为矩形。
本实施方式的荧光体基板30具备绝缘层32(绝缘基板的一个例子)、电极层34(第一电极组的一个例子)、荧光体层36以及背面图案层38(参照图1B、图1C、图2A以及图2B)。此外，在图2A中省略了荧光体层36，但荧光体层36如图2B所示，作为一个例子，配置于绝缘层32以及电极层34的表面31的、后述的多个电极对34A(多个电极的一个例子)以外的部分。
另外，如图1B以及图2A所示，在荧光体基板30的四个角附近的四个位置以及中央附近的两个位置的六个位置形成有贯通孔39。六个位置的贯通孔39在荧光体基板30以及发光基板10的制造时，作为定位孔而利用。并且，六个位置的贯通孔39作为用于确保对(发光)灯具框体的散热效果(防止基板翘曲以及浮起)的安装用的螺孔而利用。此外，本实施方式的荧光体基板30如后所述，对在绝缘板的两面设置有铜箔层的两面板(以下，称为母板MB。参照图3A)进行加工(蚀刻等)而制造。
〔绝缘层〕
以下，对本实施方式的绝缘层32的主要特征进行说明。
形状如上所述，作为一个例子从表面31以及背面33观察是矩形。
作为一个例子，材质是含有双马来酰亚胺树脂以及玻璃布的绝缘材料。另外，该绝缘材料不含有卤素以及磷(无卤素、无磷)。
作为一个例子，优选厚度是100μm～200μm。
纵向以及横向的热膨胀系数(CTE)分别作为一个例子，在50℃～100℃的范围内是10ppm/℃以下。另外，从另一个观点来看，纵向以及横向的热膨胀系数(CTE)分别作为一个例子，是6ppm/K。该值大致与本实施方式的发光元件20的情况相同(90％～110％，即±10％以内)。
作为一个例子，玻化温度高于300℃。
作为一个例子，储能模量在100℃～300℃的范围内，大于1.0×1010Pa且小于1.0×1011Pa。
作为一个例子，纵向以及横向的弯曲弹性模量在常态下分别是35GPa以及34GPa。
作为一个例子，纵向以及横向的热弯曲弹性模量在250℃下是19GPa。
作为一个例子，吸水率在23℃的温度环境中放置了24小时的情况下是0.13％。
作为一个例子，介电常数在1MHz常态下是4.6。
作为一个例子，介电损耗角正切在1MHz常态下是0.010。
此外，本实施方式的绝缘层32虽相当于母板MB的绝缘层的部分，但该母板MB作为一个例子使用利昌工业株式会社制的CS-3305A。
〔电极层〕
本实施方式的电极层34是设置于绝缘层32的表面31侧的金属层。本实施方式的电极层34作为一个例子是铜箔层(Cu制的层)。换言之，本实施方式的电极层34，至少其表面包含铜而形成。
电极层34是设置于绝缘层32的图案，与供连接器(省略图示)接合的端子(省略图示)导通。而且，电极层34将经由连接器从外部电源(省略图示)供电的电力、向发光基板10的构成时的多个发光元件20供给。因此，电极层34的一部分是分别接合多个发光元件20的多个电极对34A。即、本实施方式的发光基板10的电极层34配置于绝缘层32，与各发光元件20连接。
另外，如上所述，本实施方式的发光基板10的多个发光元件20遍及表面31的整体地规则排列，所以多个电极对34A也遍及表面31的整体地规则排列(参照图2A)。将电极层34的多个电极对34A以外的部分称为布线部分34B。在本实施方式中，如图1C所示，作为一个例子，多个电极对34A比布线部分34B更向绝缘层32(荧光体基板30)的厚度方向外侧突出。换言之，在电极层34中的朝向绝缘层32的厚度方向外侧的面中，供分别各发光元件20接合的面(接合面34A1)位于比接合面34A1以外的面(非接合面34B1)靠绝缘层32的厚度方向外侧。
此外，绝缘层32的表面31中的配置有电极层34的区域(定义为第一配置区域。)作为一个例子，是绝缘层32的表面31的60％以上的区域(面积)(参照图2A)。另外，第一配置区域的80％以上的区域在绝缘层32的厚度方向上，与绝缘层32中的配置有背面图案层38的区域(定义为第二配置区域。)重叠。
〔荧光体层〕
如图2B所示，本实施方式的荧光体层36作为一个例子，配置于绝缘层32以及电极层34的表面31中的、多个电极对34A以外的部分。即、荧光体层36配置于电极层34中的多个电极对34A以外的区域。换言之，荧光体层36的至少一部分从表面31侧观察，配置为遍及整周地包围各接合面34A1的周围(参照图1C以及图2B)。而且，在本实施方式中，绝缘层32的表面31中的配置有荧光体层36的区域作为一个例子，是绝缘层32的表面31中的80％以上的区域。
此外，荧光体层36中的绝缘层32的厚度方向外侧的面位于比电极层34的接合面34A1靠该厚度方向外侧(参照图1C)。
本实施方式的荧光体层36作为一个例子，是包含后述的荧光体和粘合剂的绝缘层。荧光体层36所含的荧光体是以分散于粘合剂的状态被保持的微粒子，具有将各发光元件20的LED22的发光作为激发光而激发的性质。具体而言，本实施方式的荧光体具有将发光元件20的发光作为激发光时的发光峰值波长处于可见光区域的性质。此外，粘合剂例如是环氧系、丙烯酸酯系、硅酮系等，只要是具有与阻焊剂所含的粘合剂同等的绝缘性的材料即可。
(荧光体的具体例)
这里，本实施方式的荧光体层36所含的荧光体作为一个例子，选自由含有Eu的α型塞隆荧光体、含有Eu的β型塞隆荧光体、含有Eu的CASN荧光体以及含有Eu的SCASN荧光体构成的组中的至少一种以上的荧光体。此外，上述荧光体是本实施方式的一个例子，也可以是YAG、LuAG、BOS其它的可见光激发的荧光体那样的、上述荧光体以外的荧光体。
含有Eu的α型塞隆荧光体由通式：MxEuySi12-(m+n)Al(m+n)OnN16-n表示。在上述通式中，M是选自由Li、Mg、Ca、Y以及镧系元素(其中，La和Ce除外)构成的组中的、至少含有Ca的1种以上的元素，在将M的价数设为a时，ax+2y＝m，x是0＜x≤1.5，0.3≤m＜4.5，0＜n＜2.25。
含有Eu的β型塞隆荧光体是在由通式：Si6-zAlzOzN8-z(z＝0.005～1)表示的β型塞隆中固溶有二价铕(Eu2+)作为发光中心的荧光体。
另外，作为氮化物荧光体，可举出含有Eu的CASN荧光体、含有Eu的SCASN荧光体等。
含有Eu的CASN荧光体(氮化物荧光体的一个例子)例如是指由式CaAlSiN3：Eu2+表示、以Eu2+为活化剂，以由碱土类硅氮化物构成的结晶为母体的红色荧光体。此外，在本说明书的含有Eu的CASN荧光体的定义中，除去含有Eu的SCASN荧光体。
含有Eu的SCASN荧光体(氮化物荧光体的一个例子)例如是指由式(Sr、Ca)AlSiN3：Eu2+表示，以Eu2+为活化剂，以由碱土类硅氮化物构成的结晶为母体的红色荧光体。
〔背面图案层〕
本实施方式的背面图案层38是设置于绝缘层32的背面33侧的金属层。作为一个例子，本实施方式的背面图案层38是铜箔层(Cu制的层)。
如图1B所示，背面图案层38是沿着绝缘层32的长边方向以直线状排列的多个矩形部分38A(多个电极的一个例子，以下称为多个部分38A。)的块以在短边方向上使相位错开的方式邻接地排列的层。即、本实施方式的背面图案层38形成了排列多个部分38A的图案。
此外，背面图案层38作为一个例子，是独立浮动层。即、本实施方式的背面图案层38(构成其的多个部分38A)是没有与表面31侧的电极层34具有的多个电极对34A电连接的、虚拟电极。另外，本实施方式的第二配置区域的面积虽设定为比第一配置区域的面积大(参照图1B以及图2A)，但设定为第一配置区域的面积的90％～110％的面积。
以上是对本实施方式的发光基板10以及荧光体基板30的结构的说明。
《本实施方式的发光基板的制造方法》
接下来，参照图3A～图3E来说明本实施方式的发光基板10的制造方法。本实施方式的发光基板10的制造方法包含第一工序、第二工序、第三工序、第四工序以及第五工序，各工序按它们的记载顺序来进行。
＜第一工序＞
图3A是表示第一工序的开始时以及结束时的图。第一工序是在母板MB的表面31形成从厚度方向观察与电极层34相同的图案34C，在背面33形成背面图案层38的工序。本工序例如通过使用了掩模图案(省略图示)的蚀刻来进行。
＜第二工序＞
图3B是表示第二工序的开始时以及结束时的图。第二工序是对图案34C的一部分进行半阴影(half hatch)(蚀刻到厚度方向的中途)的工序。若本工序结束，则结果是形成具有多个电极对34A和布线部分34B的电极层34。即、若本工序结束，则在电极层34形成多个接合面34A1和多个非接合面34B1。本工序例如通过使用了掩模图案(省略图示)的蚀刻来进行。
＜第三工序＞
图3C是表示第三工序的开始时以及结束时的图。第三工序是在绝缘层32的表面31、即形成有电极层34的面的整个面涂覆荧光体涂料36C的工序。在本工序中，例如通过印刷涂覆荧光体涂料36C。在该情况下，将荧光体涂料36C涂覆得比全部的电极对34A厚。换言之，在该情况下，在绝缘层32的厚度方向上，以从厚度方向的外侧覆盖各接合面34A1的方式(各接合面34A1被荧光体涂料36C遮挡的方式)涂覆荧光体涂料36C。
＜第四工序＞
图3D是表示第四工序的开始时以及结束时的图。第四工序是除去荧光体涂料36C固化后的荧光体层36的一部分，使全部的电极对34A的接合面34A1露出的工序。这里，在荧光体涂料36C的粘合剂例如是热固化性树脂的情况下，在通过加热使荧光体涂料36C固化之后，使用二维激光加工装置(省略图示)选择性地对荧光体层36中的各接合面34A1上的部分照射激光。其结果是，荧光体层36中的各接合面34A1上的部分以及电极对34A的各接合面34A1附近的部分被烧蚀，各接合面34A1露出。以上的结果是，制造出本实施方式的荧光体基板30。
此外，本工序除了上述方法之外，例如也可以通过以下的方法来进行。在荧光体涂料36C的粘合剂例如是UV固化性树脂(感光性树脂)的情况下，对与各接合面34A1重叠的部分(涂料开口部)施加掩模图案，曝光UV光，使该掩模图案以外UV固化，通过树脂除去液除去非曝光部(未固化部)，从而使各接合面34A1露出。然后，通常施加热来进行后固化(照片显影法)。
＜第五工序＞
图3E是表示第五工序的开始时以及结束时的图。第五工序是在荧光体基板30搭载多个发光元件20的工序。本工序在荧光体基板30的多个电极对34A的各接合面34A1印刷焊料膏SP，将多个发光元件20的各电极与各接合面34A1对位的状态下，作为一个例子在250℃的环境下使焊料膏SP熔化。然后，若进行使焊料膏SP冷却的固化，则将各发光元件20与各电极对34A接合。即、本工序作为一个例子通过回流工序来进行。
以上是对本实施方式的发光基板10的制造方法的说明。
《本实施方式的发光基板的发光动作》
接下来，参照图4来说明本实施方式的发光基板10的发光动作。这里，图4是用于说明本实施方式的发光基板10的发光动作的图。
首先，若使多个发光元件20动作的动作开关(省略图示)导通，则开始经由连接器(省略图示)从外部电源(省略图示)对电极层34的供电，多个发光元件20以放射状发散射出光L，该光L的一部分到达荧光体基板30的表面31。以下，按照放射出的光L的行进方向来说明光L的行为。
从各发光元件20射出的光L的一部分没有入射荧光体层36而向外部射出。在该情况下，光L的波长保持与从各发光元件20射出时的光L的波长相同。
另外，从各发光元件20射出的光L的一部分中的LED22自身的光向荧光体层36入射。这里，上述“光L的一部分中的LED22自身的光”是指射出的光L中的各发光元件20(CSP自身)的未通过荧光体(荧光体密封层24)进行颜色转换的光，即LED22自身的光(作为一个例子是蓝色(波长为470nm附近)的光)。而且，若LED22自身的光L与分散于荧光体层36的荧光体碰撞，则荧光体激发而产生激发光。这里，荧光体激发的理由是因为分散于荧光体层36的荧光体使用了在蓝色的光中具有激发峰值的荧光体(可见光激发荧光体)。伴随于此，光L的能量的一部分被用于荧光体的激发，从而光L失去能量的一部分。其结果是，使光L的波长转换(进行波长转换)。例如，根据荧光体层36的荧光体的种类(例如，在荧光体使用了红色系CASN的情况下)，光L的波长变长(例如是650nm等)。另外，在荧光体层36的激发光也有保持原样从荧光体层36射出的，但一部分的激发光朝向下侧的电极层34。而且，一部分的激发光通过电极层34的反射而向外部射出。如上所述，在由荧光体层36的荧光体引起的激发光的波长是600nm以上的情况下，即使电极层34是Cu，也期望反射效果。此外，根据荧光体层36的荧光体的种类，光L的波长虽与上述例不同，但即使在任何情况下也进行光L的波长转换。例如，在激发光的波长小于600nm的情况下，若将电极层34或者其表面例如设为Ag(镀金属)，则期望反射效果。另外，也可以在荧光体层36的下侧(绝缘层32侧)设置有白色的反射层。反射层例如通过氧化钛填料等白色涂料而设置。
如上所述，各发光元件20射出的光L(各发光元件20以放射状射出的光L)分别经由上述那样的多个光路而与上述激发光一起向外部照射。因此，在荧光体层36所含的荧光体的发光波长、与密封(或者覆盖)发光元件20(CSP)中的LED22的荧光体(荧光体密封层24)的发光波长不同的情况下，本实施方式的发光基板10将各发光元件20射出时的光L的光束、作为包含与各发光元件20射出时的光L的波长不同的波长的光L的光L的光束而与上述激发光一起照射。例如，本实施方式的发光基板10照射发光元件20射出的光(波长)与由荧光体层36射出的光(波长)的合成光。
以上是对本实施方式的发光基板10的发光动作的说明。
《本实施方式的效果》
接下来，参照附图来说明本实施方式的效果。
＜第一效果＞
关于第一效果，将本实施方式与以下说明的第一比较形态(参照图5)进行比较来说明。这里，在第一比较形态的说明中，在使用与本实施方式相同的结构要素等的情况下，对该结构要素等使用与本实施方式的情况相同的名称、附图标记等。图5是用于说明第一比较形态的发光基板10A的发光动作的图。第一比较形态的发光基板10A(搭载多个发光元件20的基板30A)除了不具有荧光体层36这一点以外，设为与本实施方式的发光基板10(荧光体基板30)相同的结构。
在第一比较形态的发光基板10A的情况下，从各发光元件20射出、并入射到基板30A的表面31的光L反射或者散射而没有被转换波长。因此，在第一比较形态的基板30A的情况下，在搭载有发光元件20的情况下，无法调整为与发光元件20发出的光不同的发光颜色的光。即、在第一比较形态的发光基板10A的情况下，无法调整为与发光元件20发出的光不同的发光颜色的光。
与此相对，在本实施方式的情况下，从绝缘层32的厚度方向观察，在绝缘层32的表面31、且与各发光元件20的各接合面34A1的周围配置有荧光体层36。因此，从各发光元件20以放射状放射出的光L的一部分向荧光体层36入射，通过荧光体层36进行波长转换，而向外部照射。在该情况下，从各发光元件20以放射状射出的光L的一部分向荧光体层36入射，使荧光体层36所含的荧光体激发，产生激发光。
这里，图6是表示本实施方式的发光基板10的相关色温的第一试验的结果的图表。另外，图7是表示本实施方式的发光基板10的相关色温的第二试验的结果的图表。
第一试验是向具备相关色温2200K～2300K相当的多个发光元件20的发光基板10供电而发光的情况下的、对多个发光元件20调查电流(mA)与相关色温(K)的关系而得到的结果。这里，HE(1)以及HE(2)表示电极层34的构造是与本实施方式相同的构造的情况下的两个实施例。如图6的结果所示，即使在任何情况下，发光基板10发出的光L的相关色温都低于多个发光元件20的相关色温。即、在本实施方式的情况下，通过具备荧光体层36，能够使相关色温偏移。
另外，第二试验是向具备相关色温2900K～3000K相当的多个发光元件20的发光基板10供电而发光的情况下的、对多个发光元件20调查电流(mA)与相关色温(K)的关系而得到的结果。这里，HE(1)表示电极层34的构造与本实施方式相同的构造的情况。如图7的结果所示，发光基板10发出的光L的相关色温低于多个发光元件20的相关色温。即、在本实施方式的情况下，通过具备荧光体层36，能够使相关色温偏移。
因此，根据本实施方式的荧光体基板30，在搭载有发光元件20的情况下，能够将从荧光体基板30发出的光L调整为与发光元件20发出的光L不同的发光颜色的光。伴随于此，根据本实施方式的发光基板10，能够将从荧光体基板30发出的光L调整为与发光元件20发出的光L不同的发光颜色的光L。从一个观点来看，根据本实施方式的发光基板10，能够向外部照射与发光元件20发出的光L不同的发光颜色的光L。
＜第二效果＞
在第一比较形态的情况下，如图5所示，由于各发光元件20的配置间隔，向外部照射的光L产生光斑。这里，是指光L的光斑越大，眩光越大。
与此相对，在本实施方式的情况下，如图2B所示，在各接合面34A1的周围(遍及整周)被荧光体层36围起的基础上，而且在邻接的发光元件20彼此之间也设置有荧光体层36。因此，从各接合面34A1的周围(各发光元件20的周围)也发出激发光。
因此，根据本实施方式，与第一比较形态相比，能够减少眩光。
特别是，在遍及绝缘层32的整个面而设置有荧光体层36的情况下，具体而言，在绝缘层32的表面31中的配置有荧光体层36的区域是表面13的80％以上的区域那样的情况下，本效果是有效的。
＜第三效果＞
如上所述，多个发光元件20在进行发光动作时，通过使用散热片(省略图示)、冷却风扇(省略图示)，以荧光体基板30为例，以从常温控制为50℃～100℃的方式进行散热(冷却)。因此，电极层34以及绝缘层32热膨胀，各发光元件20也热膨胀。而且，由于前者与后者的热膨胀率之差，所以由绝缘层32和电极层34构成的基板30产生翘曲。其结果是，存在从多个发光元件20以及荧光体层36发光的光L的行进方向因翘曲而受到影响的担心。另外，存在因翘曲而在荧光体层36产生裂缝的担心。
然而，在本实施方式中，隔着绝缘层32在表里贴附相同的热行为(膨胀、收缩)的部件(即、相同形状的部件)，从而抑制翘曲。若仅在表面31侧贴附Cu图案，则在热行为不同的物质界面产生应力、翘曲，但通过被两面夹住而强制地消除翘曲。伴随于此，本实施方式的发光基板10不易产生故障。另外，本实施方式的发光基板10能够使来自多个发光元件20以及荧光体层36的发光稳定。
此外，在本实施方式的情况下，第一配置区域(电极层34的配置区域)相对于绝缘层32的表面31的比例设为60％以上(参照图2A)。因此，使占据电极层34的大部分的布线部分34B(参照图2A)具有散热功能。即、在本实施方式的情况下，可以说在电极层34与背面图案层38协作，而使多个发光元件20的热有效地散热这一点上是有效的。
并且，在本实施方式中，第一配置区域的至少一部(80％以上)的区域在绝缘层32的厚度方向上与背面图案层38重叠。因此，可以说在能够从该厚度方向的两侧使绝缘层32的热高效地逃逸(散热)这一点上是有效的。
并且，在本实施方式中，第二配置区域的面积是第一配置区域的面积的90％～110％。即、背面图案层38在绝缘层32中，在与电极层34大致相同(±10％左右)的区域进行接触。因此，能够使绝缘层32的热从绝缘层32的表面31侧以及背面33侧高效地散热。
＜第四效果＞
如上所述，本实施方式的荧光体基板30与配置于荧光体基板30的多个发光元件20在制造时的第五工序(回流工序)时，作为一个例子被加热到250℃(参照图3E)。因此，荧光体基板30热膨胀，各发光元件20也热膨胀。而且，由于前者与后者的热膨胀率之差，所以绝缘层32(荧光体基板30)产生翘曲。其结果是，存在引发多个发光元件20的安装不良的担心。
然而，在本实施方式的情况下，在表面31以及背面33使用相同物理特性、构造的电极层，从而抑制翘曲，而且将绝缘层32与发光元件20(CSP)各自的热膨胀系数设为相同或者相同的程度，从而抑制它们之间的热应力。伴随于此，根据本实施方式，很难产生制造不良。
以上是对本实施方式的效果的说明。
如上所述，虽以上述实施方式以及实施例为例来对本发明进行了说明，但本发明并不限于上述实施方式以及实施例。本发明的技术范围例如还包含下述那样的形态(变形例)。
例如，在本实施方式的说明中，将发光元件20的一个例子作为CSP。然而，发光元件20的一个例子也可以是CSP以外的部件。例如，也可以是仅搭载有倒装片的部件。另外，也能够应用于COB设备的基板自身。
另外，在本实施方式的说明中，荧光体层36中的绝缘层32的厚度方向外侧的面位于比电极层34的接合面34A1靠该厚度方向外侧(参照图1C)。然而，若考虑上述第一效果的说明的机理，则荧光体层36中的绝缘层32的厚度方向外侧的面即使在该厚度方向上位于与电极层34的接合面34A1相同的位置或者位于比接合面34A1靠该厚度方向内侧的位置，显然也会起到第一效果。
另外，在本实施方式的说明中，荧光体层36配置于绝缘层32以及电极层34的表面31中的、多个电极对34A以外的部分(参照图2B)。然而，若考虑上述第一效果的说明的机理，则即使没有遍及荧光体基板30的表面31中的多个电极对34A以外的部分的整个区域来配置，显然也会起到第一效果。因此，可以说即使是仅在与本实施方式的情况不同的表面31的范围配置有荧光体层36这一点上，与本实施方式的荧光体基板30以及发光基板10不同的形态，该形态也属于本发明的技术范围。
另外，在本实施方式的说明中，说明了在制造荧光体基板30以及发光基板10时，作为母板MB使用利昌工业株式会社制的CS-3305A。然而，这只是一个例子，也可以使用不同的母板MB。例如，并不限于利昌工业株式会社制的CS-3305A的绝缘层厚、铜箔厚等标准规格，特别是也可以使用铜箔压更厚的材料。
另外，本实施方式的发光基板10(还包含其变形例)能够与其它结构要素组合而应用于照明装置。这种情况下的其它结构要素是供给用于使发光基板10的发光元件20发光的电力的电源等。
另外，在本实施方式中，说明了背面图案层38(构成其的多个部分38A)是不与表面31侧的电极层34具有的多个电极对34A电连接的虚拟电极。然而，也可以使背面图案层38例如经由贯通孔(省略图示)与表面31的电极层34连接，使背面图案层38构成为用于向电极层34供给电力的电气路径的一部分，也可以使背面图案层38构成为散热路径的一部分。
另外，说明了在本实施方式的荧光体基板30的背面33配置有背面图案层38。然而，也可以如图8的变形例的荧光体基板30A(发光基板10A)那样，不在背面33配置背面图案层38。
本申请要求以2018年12月27日申请的日本申请特愿2018-244546号为基础的优先权，这里引入其公开的全部内容。

Claims (12)

1.一种荧光体基板，其在一面搭载多个发光元件，其具备：
绝缘基板；
第一电极组，其配置于上述绝缘基板的一面，具有与上述多个发光元件接合的多个电极；以及
荧光体层，其配置于上述绝缘基板的一面，包含将上述发光元件的发光作为激发光时的发光峰值波长处于可见光区域的荧光体，
上述绝缘基板包含双马来酰亚胺树脂以及玻璃布。
2.根据权利要求1所述的荧光体基板，其具备：
第二电极组，其配置于上述绝缘基板的另一面，具有多个电极。
3.根据权利要求1或2所述的荧光体基板，其中，
上述绝缘基板的纵向以及横向的热膨胀系数分别在50℃以上100℃以下的范围内是10ppm/℃以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的荧光体基板，其中，
上述绝缘基板的玻化温度高于300℃。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的荧光体基板，其中，
上述绝缘基板的储能模量在100℃以上300℃以下的范围内，大于1.0×1010Pa且小于1.0×1011Pa。
6.根据权利要求2中任一项所述的荧光体基板，其中，
上述第二电极组具有的上述多个电极是不与上述第一电极组具有的上述多个电极电连接的虚拟电极。
7.根据权利要求2或6所述的荧光体基板，其中，
上述第二电极组形成有图案。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的荧光体基板，其中，
上述绝缘基板的厚度是200μm以下。
9.根据权利要求8所述的荧光体基板，其中，
上述绝缘基板的厚度是100μm以上。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的荧光体基板，其中，
上述发光元件是组装有LED并封装为芯片尺寸的CSP。
11.一种发光基板，其具备：
权利要求1～10中任一项所述的荧光体基板；以及
分别与上述第一电极组的上述多个电极接合的多个发光元件。
12.一种照明装置，其具备：
权利要求11所述的发光基板；以及
供给用于使上述发光元件发光的电力的电源。
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