JP7457657B2 - 発光基板及び照明装置 - Google Patents
発光基板及び照明装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7457657B2 JP7457657B2 JP2020563144A JP2020563144A JP7457657B2 JP 7457657 B2 JP7457657 B2 JP 7457657B2 JP 2020563144 A JP2020563144 A JP 2020563144A JP 2020563144 A JP2020563144 A JP 2020563144A JP 7457657 B2 JP7457657 B2 JP 7457657B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- phosphor
- substrate
- light
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 193
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 168
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 claims description 26
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 1
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
- F21V9/30—Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0271—Arrangements for reducing stress or warp in rigid printed circuit boards, e.g. caused by loads, vibrations or differences in thermal expansion
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0274—Optical details, e.g. printed circuits comprising integral optical means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
- H05K2201/0112—Absorbing light, e.g. dielectric layer with carbon filler for laser processing
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/0175—Inorganic, non-metallic layer, e.g. resist or dielectric for printed capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/0179—Thin film deposited insulating layer, e.g. inorganic layer for printed capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09009—Substrate related
- H05K2201/09063—Holes or slots in insulating substrate not used for electrical connections
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09372—Pads and lands
- H05K2201/09409—Multiple rows of pads, lands, terminals or dummy patterns; Multiple rows of mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
- H05K2201/09781—Dummy conductors, i.e. not used for normal transport of current; Dummy electrodes of components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
- H05K2201/10409—Screws
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/03—Metal processing
- H05K2203/0369—Etching selective parts of a metal substrate through part of its thickness, e.g. using etch resist
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/15—Position of the PCB during processing
- H05K2203/1572—Processing both sides of a PCB by the same process; Providing a similar arrangement of components on both sides; Making interlayer connections from two sides
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)
Description
ここで、「蛍光体の相関色温度」とは、当該蛍光体の発光色の相関色温度という意味である(以下、同じ)。
以下、本実施形態の発光基板10の構成及び機能について図1A~図1C、図2A、図2Bを参照しながら説明する。次いで、本実施形態の発光基板10の製造方法について図3A~図3Eを参照しながら説明する。次いで、本実施形態の発光基板10の発光動作について図4を参照しながら説明する。次いで、本実施形態の効果について図4~図7等を参照しながら説明する。なお、以下の説明において参照するすべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
図1Aは本実施形態の発光基板10の平面図(表面31から見た図)、図1Bは本実施形態の発光基板10の底面図(裏面33から見た図)である。図1Cは、図1Aの1C-1C切断線により切断した発光基板10の部分断面図である。
本実施形態の発光基板10は、表面31及び裏面33から見て、一例として矩形とされている。また、本実施形態の発光基板10は、複数の発光素子20と、蛍光体基板30と、コネクタ、ドライバIC等の電子部品(図示省略)とを備えている。すなわち、本実施形態の発光基板10は、蛍光体基板30に、複数の発光素子20及び上記電子部品が搭載されたものとされている。
本実施形態の発光基板10は、リード線の直付けにより又はコネクタを介して外部電源(図示省略)から給電されると、発光する機能を有する。そのため、本実施形態の発光基板10は、例えば照明装置(図示省略)等における主要な光学部品として利用される。
複数の発光素子20は、それぞれ、一例として、フリップチップLED22(以下、LED22という。)が組み込まれたCSP(Chip Scale Package)とされている(図1C参照)。CSPとして、図1Cに示すように、LED22の底面を除く全周囲(5面)が蛍光体封止層24により覆われていることが好ましい。蛍光体封止層24には蛍光体が含まれ、LED22の光は蛍光体封止層24の蛍光体により色変換されて外部に出射する。複数の発光素子20は、図1Aに示されるように、蛍光体基板30の表面31(一面の一例)に、表面31の全体に亘って規則的に並べられた状態で、蛍光体基板30に搭載されている。なお、本実施形態の各発光素子20が発光する光の相関色温度は、一例として3,018Kとされている。また、複数の発光素子20は、発光動作時に、ヒートシンク(図示省略)や冷却ファン(図示省略)を用いることで、蛍光体基板30を一例として常温から50℃~100℃に収まるように放熱(冷却)されている。ここで、本明細書で数値範囲に使用する「~」の意味について補足すると、例えば「50℃~100℃」は「50℃以上100℃以下」を意味する。そして、本明細書で数値範囲に使用する「~」は、「『~』の前の記載部分以上『~』の後の記載部分以下」を意味する。
図2Aは、本実施形態の蛍光体基板30の図であって、蛍光体層36を省略して図示した平面図(表面31から見た図)である。図2Bは、本実施形態の蛍光体基板30の平面図(表面31から見た図)である。なお、本実施形態の蛍光体基板30の底面図は、発光基板10を裏面33から見た図と同じである。また、本実施形態の蛍光体基板30の部分断面図は、図1Cの部分断面図から発光素子20を除いた場合の図と同じである。すなわち、本実施形態の蛍光体基板30は、表面31及び裏面33から見て、一例として矩形とされている。
以下、本実施形態の絶縁層32の主な特徴について説明する。
形状は、前述のとおり、一例として表面31及び裏面33から見て矩形である。
材質は、一例としてビスマレイミド樹脂及びガラスクロスを含む絶縁材である。
厚みは、一例として100μm~200μmである。
縦方向及び横方向の熱膨張係数(CTE)は、それぞれ、一例として、50℃~100℃の範囲において10ppm/℃以下である。また、別の見方をすると、縦方向及び横方向の熱膨張係数(CTE)は、それぞれ、一例として、6ppm/Kである。この値は、本実施形態の発光素子20の場合とほぼ同等(90%~110%、すなわち±10%以内)である。
ガラス転移温度は、一例として、300℃よりも高い。
貯蔵弾性率は、一例として、100℃~300℃の範囲において、1.0×1010Paよりも大きく1.0×1011Paよりも小さい。
本実施形態の電極層34は、絶縁層32の表面31側に設けられた金属層とされている。本実施形態の電極層34は一例として銅箔層(Cu製の層)とされている。別言すれば、本実施形態の電極層34は、少なくともその表面が銅を含んで形成されている。
電極層34は、絶縁層32に設けられたパターンとされ、コネクタ(図示省略)が接合される端子(図示省略)と導通している。そして、電極層34は、コネクタを介して外部電源(図示省略)から給電された電力を、発光基板10の構成時の複数の発光素子20に供給するようになっている。そのため、電極層34の一部は、複数の発光素子20がそれぞれ接合される複数の電極対34Aとされている。すなわち、本実施形態の発光基板10の電極層34は、絶縁層32に配置され、各発光素子20に接続されている。
なお、絶縁層32の表面31における電極層34が配置されている領域(第1配置領域と定義する。)は、一例として、絶縁層32の表面31の60%以上の領域(面積)とされている(図2A参照)。また、第1配置領域の80%以上の領域は、絶縁層32の厚み方向において、絶縁層32における裏面パターン層38が配置されている領域(第2配置領域と定義する。)と重なっている。
本実施形態の蛍光体層36は、図2Bに示されるように、一例として、絶縁層32及び電極層34の表面31における、複数の電極対34A以外の部分に配置されている。すなわち、蛍光体層36は、電極層34における複数の電極対34A以外の領域に配置されている。別言すると、蛍光体層36の少なくとも一部は、表面31側から見て、各接合面34A1の周りを全周に亘って囲むように配置されている(図1C及び図2B参照)。そして、本実施形態では、絶縁層32の表面31における蛍光体層36が配置されている領域は、一例として、絶縁層32の表面31における80%以上の領域とされている。
なお、蛍光体層36における絶縁層32の厚み方向外側の面は、電極層34の接合面34A1よりも当該厚み方向外側に位置している(図1C参照)。
ここで、本実施形態の蛍光体層36に含まれる蛍光体は、一例として、Euを含有するα型サイアロン蛍光体、Euを含有するβ型サイアロン蛍光体、Euを含有するCASN蛍光体及びEuを含有するSCASN蛍光体からなる群から選ばれる少なくとも一種以上の蛍光体とされている。なお、前述の蛍光体は、本実施形態の一例であり、YAG、LuAG、BOSその他の可視光励起の蛍光体のように、前述の蛍光体以外の蛍光体であってもよい。
本実施形態の裏面パターン層38は、絶縁層32の裏面33側に設けられた金属層とされている。本実施形態の裏面パターン層38は一例として銅箔層(Cu製の層)とされている。
次に、本実施形態の発光基板10の製造方法について図3A~図3Eを参照しながら説明する。本実施形態の発光基板10の製造方法は第1工程、第2工程、第3工程、第4工程及び第5工程を含んでおり、各工程はこれらの記載順で行われる。
図3Aは、第1工程の開始時及び終了時を示す図である。第1工程は、マザーボードMBの表面31に厚み方向から見て電極層34と同じパターン34Cを、裏面33に裏面パターン層38を形成する工程である。本工程は、例えばマスクパターン(図示省略)を用いたエッチングにより行われる。
図3Bは、第2工程の開始時及び終了時を示す図である。第2工程は、パターン34Cの一部をハーフハッチ(厚み方向の途中までエッチング)する工程である。本工程が終了すると、結果的に、複数の電極対34Aと配線部分34Bとを有する電極層34が形成される。すなわち、本工程が終了すると、電極層34に複数の接合面34A1と複数の非接合面34B1とが形成される。本工程は、例えばマスクパターン(図示省略)を用いたエッチングにより行われる。
図3Cは、第3工程の開始時及び終了時を示す図である。第3工程は、絶縁層32の表面31、すなわち電極層34が形成された面の全面に蛍光体塗料36Cを塗布する工程である。本工程では、例えば、印刷により蛍光体塗料36Cを塗布する。この場合、蛍光体塗料36Cをすべての電極対34Aよりも厚く塗布する。別言すると、この場合、蛍光体塗料36Cを絶縁層32の厚み方向において、各接合面34A1を厚み方向の外側から覆うように(各接合面34A1が蛍光体塗料36Cで隠れるように)塗布する。
図3Dは、第4工程の開始時及び終了時を示す図である。第4工程は、蛍光体塗料36Cが硬化した蛍光体層36の一部を除去して、すべての電極対34Aの接合面34A1を露出させる工程である。ここで、蛍光体塗料36Cのバインダーが例えば熱硬化性樹脂である場合は、加熱により蛍光体塗料36Cを硬化させた後に2次元レーザー加工装置(図示省略)を用いて蛍光体層36における各接合面34A1上の部分に選択的にレーザー光を照射する。その結果、蛍光体層36における各接合面34A1上の部分及び電極対34Aの各接合面34A1付近の部分がアブレーションされて、各接合面34A1が露出する。以上の結果、本実施形態の蛍光体基板30が製造される。
なお、本工程は、上記の方法の他に、例えば、以下の方法により行ってもよい。蛍光体塗料36Cのバインダーが例えばUV硬化性樹脂(感光性樹脂)である場合、各接合面34A1と重なる部分(塗料開口部)にマスクパターンをかけて、UV光を露光し、当該マスクパターン以外をUV硬化させ、非露光部(未硬化部)を樹脂除去液により取り除くことで、各接合面34A1を露出させる。その後、一般的には、熱をかけてアフターキュアを行う(写真現像法)。
図3Eは、第5工程の開始時及び終了時を示す図である。第5工程は、蛍光体基板30に複数の発光素子20を搭載する工程である。本工程は、蛍光体基板30の複数の電極対34Aの各接合面34A1にはんだペーストSPを印刷し、各接合面34A1に複数の発光素子20の各電極を位置合わせした状態で、一例として250℃の環境下ではんだペーストSPを溶かす。その後、はんだペーストSPが冷却された固化すると、各電極対34Aに各発光素子20が接合される。すなわち、本工程は、一例としてリフロー工程により行われる。
次に、本実施形態の発光基板10の発光動作について図4を参照しながら説明する。ここで、図4は、本実施形態の発光基板10の発光動作を説明するための図である。
これに対して、蛍光体層36に含まれる蛍光体の発光波長と、発光素子20(CSP)におけるLED22を封止した(又は覆う)蛍光体(蛍光体封止層24)の発光波長とが同じ場合(同じ相関色温度の場合)、本実施形態の発光基板10は、各発光素子20が出射した際の光Lの束を、各発光素子20が出射した際の光Lの波長と同じ波長の光Lを含む光Lの束として上記励起光とともに照射する。
次に、本実施形態の効果について図面を参照しながら説明する。
第1の効果については、本実施形態を以下に説明する第1比較形態(図5参照)と比較して説明する。ここで、第1比較形態(及び下記の第2比較形態)の説明において、本実施形態と同じ構成要素等を用いる場合は、その構成要素等に本実施形態の場合と同じ名称、符号等を用いることとする。図5、第1比較形態の発光基板10Aの発光動作を説明するための図である。第1比較形態の発光基板10A(複数の発光素子20を搭載する基板30A)は、蛍光体層36を備えていない点以外は、本実施形態の発光基板10(蛍光体基板30)と同じ構成とされている。
第1試験は、相関色温度が2200K~2300K相当である複数の発光素子20を備えた発光基板10に給電して発光させた場合における、複数の発光素子20に電流(mA)と、相関色温度(K)との関係を調べて結果である。ここで、HE(1)及びHE(2)は電極層34の構造が本実施形態と同じ構造の場合の2つの実施例を示す。図6の結果のとおり、いずれの場合であっても、発光基板10が発光する光Lの相関色温度は、複数の発光素子20の相関色温度よりも低くなっている。すなわち、本実施形態の場合、蛍光体層36を備えることで相関色温度をシフトさせることができていた。
第1比較形態の場合、図5に示されるように、各発光素子20の配置間隔に起因して外部に照射される光Lに斑が発生する。ここで、光Lの斑が大きいほど、グレアが大きいという。
これに対して、本実施形態の場合、図2Bに示されるように、各接合面34A1の周囲を(全周に亘って)蛍光体層36に囲まれたうえで、さらに隣接する発光素子20同士の間にも蛍光体層36が設けられている。そのため、各接合面34A1の周囲(各発光素子20の周囲)からも励起光が発光される。
したがって、本実施形態によれば、第1比較形態に比べて、グレアを小さくすることができる。
特に、本効果は、蛍光体層36が絶縁層32の全面に亘って設けられている場合、具体的には、絶縁層32の表面31における蛍光体層36が配置されている領域が表面13の80%以上の領域のような場合に有効である。
前述のとおり、複数の発光素子20は、発光動作時に、ヒートシンク(図示省略)や冷却ファン(図示省略)を用いることで、蛍光体基板30を一例として常温から50℃~100℃に収まるように放熱(冷却)される。
ここで、裏面33に裏面パターン層38を備えていない点のみ本実施形態の場合と異なる形態(図示省略、第2比較形態という。)の場合、上記の発熱の影響により、電極層34及び絶縁層32が熱膨張すると、互いに熱膨張率が異なることから、蛍光体基板30に反りが発生してしまう。その結果、第2比較形態の場合、複数の発光素子20及び蛍光体層36から発光する光Lの進行方向が反りにより影響を受ける虞がある。また、第2比較形態の場合、反りにより蛍光体層36にクラックが発生する虞がある。
これに対して、本実施形態の蛍光体基板30は、絶縁層32の裏面33に配置されている裏面パターン層38を備えている(図1B参照)。そのため、絶縁層32を介し表裏に同じ熱挙動(膨張、収縮)する部材を(すなわち、同じような形状の部材)貼り付けることで、反りを押さえる。表面31側だけCuパターンを張ると熱挙動の異なる物質界面で応力、反りが発生するが、両面に挟み込むことで強制的に反りをなくす。別言すると、本実施形態の蛍光体基板30よれば、第2比較形態の場合に比べて、蛍光体基板30の反りの発生を抑制することができる。これに伴い、本実施形態の発光基板10は、複数の発光素子20及び蛍光体層36からの発光を安定させることができる。
なお、本実施形態の場合、絶縁層32の表面31に対する第1配置領域(電極層34の配置領域)の割合は60%以上とされている(図2A参照)。そのため、電極層34のほとんどの部分を占める配線部分34B(図2A参照)に放熱機能を持たせている。すなわち、本実施形態の場合、電極層34と裏面パターン層38とが協業して、複数の発光素子20による熱を効果的に放熱させている点で有効といえる。
さらに、本実施形態では、第1配置領域の少なくとも一部(80%以上)の領域が絶縁層32の厚み方向において裏面パターン層38と重なっている。そのため、絶縁層32の熱を当該厚み方向の両側から効率よく逃がす(放熱する)ことができる点で有効といえる。
さらに、本実施形態では、第2配置領域の面積が第1配置領域の面積の90%~110%とされている。すなわち、裏面パターン層38は、絶縁層32において、電極層34とほぼ同等(±10%程度)の領域で接触している。そのため、絶縁層32の熱を絶縁層32の表面31側及び裏面33側から効率よく放熱することができる。
例えば、図8Aの第1変形例の蛍光体基板30B(発光基板10B)の裏面パターン層38Bのように、本発明の第2電極群が蛍光体基板30Bの長手方向に沿って配置された長尺体(複数の部分38B1)の組み合せであってもよい。
また、例えば、図8Bの第2変形例の蛍光体基板30C(発光基板10C)の裏面パターン層38Cのように、本発明の第2電極群が蛍光体基板30Cの短手方向の一端から他端に沿って配置された長尺体(複数の部分38C1)の組み合せであってもよい。
また、例えば、図8Cの第3変形例の蛍光体基板30D(発光基板10D)の裏面パターン層38Dのように、本発明の第2電極群が複数の矩形部分38D1で構成される複数の島状の塊と、複数の島状の塊以外の部分(蛍光体基板30Dの長手方向の一端から他端に亘りつつ短手方向の一端から他端に亘る網目状の部分38D2)との組み合せであってもよい。
以上のとおり、本発明の第2電極群は、パターンであればよい。この場合、第2電極群は、第1電極群と類似するパターンであることが好ましい。
Claims (11)
- 複数の発光素子と、
一面に複数の前記発光素子が搭載される絶縁基板と、
前記絶縁基板の一面に配置され、複数の前記発光素子に接合する複数の電極を有する第1電極群と、
前記絶縁基板の一面に配置され、前記発光素子の発光を励起光としたときの発光ピーク波長が可視光領域にある蛍光体を含む蛍光体層と、
前記絶縁基板の他面に配置され、複数の電極を有する第2電極群と、
前記絶縁基板に搭載され、複数の前記発光素子とは異なる電子部品と、
を備え、
前記発光素子は、LEDが組み込まれ、チップサイズにパッケージされたCSPとされており、
前記蛍光体層が配置されている領域が、前記絶縁基板の一面における80%以上の領域である発光基板。 - 前記絶縁基板はマザーボードである、請求項1に記載の発光基板。
- 前記絶縁基板における前記第1電極群の配置領域とされる第1配置領域の少なくとも一部の領域は、前記絶縁基板の厚み方向において、前記絶縁基板における前記第2電極群の配置領域とされる第2配置領域と重なっている、
請求項1または2に記載の発光基板。 - 前記第1配置領域の80%以上の領域は、前記絶縁基板の厚み方向において、前記第2配置領域と重なっている、
請求項3に記載の発光基板。 - 前記第2配置領域の面積は、前記第1配置領域の面積の90%以上110%以下の面積とされている、
請求項3又は4に記載の発光基板。 - 前記第1配置領域は、前記絶縁基板の一面における60%以上の領域とされている、
請求項3~5のいずれか一項に記載の発光基板。 - 前記第2電極群が有する前記複数の電極は、前記第1電極群が有する前記複数の電極と電気的に接続していないダミー電極とされる、
請求項1~6のいずれか一項に記載の発光基板。 - 前記第2電極群は、パターンを形成している、
請求項1~7のいずれか一項に記載の発光基板。 - 前記蛍光体の相関色温度は、前記CSPに含まれる蛍光体の相関色温度と異なる相関色温度とされている、
請求項1~8のいずれか1項に記載の発光基板。 - 前記蛍光体の相関色温度は、前記CSPに含まれる蛍光体の相関色温度と同じ相関色温度とされている、
請求項1~8のいずれか1項に記載の発光基板。 - 請求項1~10のいずれか1項に記載の発光基板と、
発光素子を発光させるための電力を供給する電源と、
を備える照明装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018244545 | 2018-12-27 | ||
JP2018244545 | 2018-12-27 | ||
PCT/JP2019/049690 WO2020137763A1 (ja) | 2018-12-27 | 2019-12-18 | 蛍光体基板、発光基板及び照明装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020137763A1 JPWO2020137763A1 (ja) | 2021-11-11 |
JP7457657B2 true JP7457657B2 (ja) | 2024-03-28 |
Family
ID=71126204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020563144A Active JP7457657B2 (ja) | 2018-12-27 | 2019-12-18 | 発光基板及び照明装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220085253A1 (ja) |
EP (1) | EP3905346B1 (ja) |
JP (1) | JP7457657B2 (ja) |
KR (1) | KR20210105893A (ja) |
CN (1) | CN113228316A (ja) |
TW (1) | TW202032816A (ja) |
WO (1) | WO2020137763A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020137764A1 (ja) | 2018-12-27 | 2020-07-02 | デンカ株式会社 | 蛍光体基板、発光基板及び照明装置 |
JP2022054538A (ja) * | 2020-09-28 | 2022-04-07 | 凸版印刷株式会社 | 配線基板 |
CN114286513B (zh) * | 2021-11-30 | 2024-02-06 | 通元科技(惠州)有限公司 | 一种非对称预应力消除型led背板及其制作方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006261688A (ja) | 2006-05-08 | 2006-09-28 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 発光装置 |
JP2010034487A (ja) | 2008-06-24 | 2010-02-12 | Sharp Corp | 発光装置、面光源、および発光装置用パッケージの製造方法 |
CN103346241A (zh) | 2013-07-03 | 2013-10-09 | 梁栌伊 | 白色led灯的封装结构 |
WO2013153739A1 (ja) | 2012-04-11 | 2013-10-17 | パナソニック株式会社 | 発光装置及びランプ |
JP2014220431A (ja) | 2013-05-09 | 2014-11-20 | 日東電工株式会社 | 回路基板、光半導体装置およびその製造方法 |
JP2016122693A (ja) | 2014-12-24 | 2016-07-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2017041621A (ja) | 2015-08-23 | 2017-02-23 | 久豊技研株式会社 | Led発光装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102074558B (zh) * | 2009-10-21 | 2013-06-19 | 东芝照明技术株式会社 | 发光装置以及照明器具 |
JP2012186274A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Sharp Corp | 発光装置、ledチップ、ledウェハ、およびパッケージ基板 |
KR20130104975A (ko) * | 2012-03-16 | 2013-09-25 | 삼성전자주식회사 | 발광장치 |
JP6764340B2 (ja) * | 2013-08-01 | 2020-09-30 | シグニファイ ホールディング ビー ヴィSignify Holding B.V. | 適合された出力スペクトルを持つ発光装置 |
US9660161B2 (en) * | 2014-07-07 | 2017-05-23 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) components including contact expansion frame |
CN106163113A (zh) | 2015-03-23 | 2016-11-23 | 李玉俊 | Led灯安装灯珠用电路板表面反光层制作工艺 |
CN206637330U (zh) * | 2016-09-30 | 2017-11-14 | 深圳市玲涛光电科技有限公司 | 条形光源及采用该条形光源的背光模组、电子设备 |
KR102653215B1 (ko) * | 2018-10-10 | 2024-04-01 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 |
-
2019
- 2019-12-18 CN CN201980085497.2A patent/CN113228316A/zh active Pending
- 2019-12-18 US US17/415,443 patent/US20220085253A1/en active Pending
- 2019-12-18 KR KR1020217018339A patent/KR20210105893A/ko active Search and Examination
- 2019-12-18 WO PCT/JP2019/049690 patent/WO2020137763A1/ja unknown
- 2019-12-18 EP EP19904664.0A patent/EP3905346B1/en active Active
- 2019-12-18 JP JP2020563144A patent/JP7457657B2/ja active Active
- 2019-12-23 TW TW108147178A patent/TW202032816A/zh unknown
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006261688A (ja) | 2006-05-08 | 2006-09-28 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 発光装置 |
JP2010034487A (ja) | 2008-06-24 | 2010-02-12 | Sharp Corp | 発光装置、面光源、および発光装置用パッケージの製造方法 |
WO2013153739A1 (ja) | 2012-04-11 | 2013-10-17 | パナソニック株式会社 | 発光装置及びランプ |
JP2014220431A (ja) | 2013-05-09 | 2014-11-20 | 日東電工株式会社 | 回路基板、光半導体装置およびその製造方法 |
CN103346241A (zh) | 2013-07-03 | 2013-10-09 | 梁栌伊 | 白色led灯的封装结构 |
JP2016122693A (ja) | 2014-12-24 | 2016-07-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2017041621A (ja) | 2015-08-23 | 2017-02-23 | 久豊技研株式会社 | Led発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210105893A (ko) | 2021-08-27 |
TW202032816A (zh) | 2020-09-01 |
WO2020137763A1 (ja) | 2020-07-02 |
CN113228316A (zh) | 2021-08-06 |
JPWO2020137763A1 (ja) | 2021-11-11 |
EP3905346A1 (en) | 2021-11-03 |
US20220085253A1 (en) | 2022-03-17 |
EP3905346A4 (en) | 2022-02-16 |
EP3905346B1 (en) | 2024-02-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7457657B2 (ja) | 発光基板及び照明装置 | |
JP7410881B2 (ja) | 蛍光体基板、発光基板及び照明装置 | |
JP7444537B2 (ja) | 蛍光体基板の製造方法、発光基板の製造方法及び照明装置の製造方法 | |
JP7425750B2 (ja) | 蛍光体基板、発光基板及び照明装置 | |
JP7491849B2 (ja) | 蛍光体基板、発光基板及び照明装置 | |
TWI825278B (zh) | 螢光體基板、發光基板、照明裝置、螢光體基板的製造方法及發光基板的製造方法 | |
JP7430650B2 (ja) | 蛍光体基板、発光基板及び照明装置 | |
TWI842799B (zh) | 螢光體基板、發光基板及照明裝置 | |
WO2024063043A1 (ja) | 蛍光体基板、発光基板及び照明装置 | |
WO2024063045A1 (ja) | 蛍光体基板の製造方法及び発光基板の製造方法 | |
WO2020170968A1 (ja) | 回路基板、実装基板、照明装置、回路基板の製造方法及び実装基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221018 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230725 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230822 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231017 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240219 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240305 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240315 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7457657 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |