JP7022285B2 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1A~図2Cは、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
図3は、横軸に時間をとり、縦軸に温度をとって、本実施形態に係る発光装置の製造方法における温度プロファイルを示すグラフである。
本実施形態においては、図1Bに示す工程において、透光性部材11の凸部11a上に第1樹脂部12を配置する際には、第1樹脂部12が固体状であるため、第1樹脂部12を厚く形成することができる。
図4A~図5Cは、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
図6は、横軸に時間をとり、縦軸に温度をとって、本実施形態に係る発光装置の製造方法における温度プロファイルを示すグラフである。
次に、図4Aに示すように、固体状の第1樹脂部12上に、液体状の第2樹脂部16を配置する。なお、「液体状」にはゾル状も含まれる。第2樹脂部16は、熱硬化性の第2樹脂材料からなる。一例では、第2樹脂材料は、シリコーン樹脂又はエポキシ樹脂である。第1樹脂部12の厚みは、例えば、10μm以上40μm以下であり、20μm以上30μm以下であることが好ましい。第1樹脂部12の厚みを上記の数値範囲に設定することで、セルフアライメント性が良好となる。また、第2樹脂部16の厚みは、例えば、0.1μm以上10μm以下であり、0.5μm以上5μm以下であることが好ましい。第2樹脂部16の厚みを上記の数値範囲に設定することで、安定して発光素子13を実装できる。
なお、図7は、図4A~図5Cに対して、上下が逆転している。図7の説明においては、発光素子13から透光性部材11に向かう方向を「上」とし、その逆方向を「下」としているが、この表現は便宜的なものであり、重力の方向とは無関係である。これは、製造後の発光装置においては、全ての部分が固体化しているため、重力の方向は重要でないためである。これに対して、図4A~図5Cの説明においては、「上」及び「下」との表現は重力の方向を表している。これは、図4A~図5Cに示す発光装置の製造方法においては、第1樹脂部12及び第2樹脂部16が低粘度状態又は液体状になる期間があり、また、発光素子13を載置する工程があるため、重力の方向が重要であるためである。
本実施形態においては、図4Aに示す工程において、透光性部材11の凸部11a上に固体状の第1樹脂部12と液体状の第2樹脂部16を積層させることにより、発光素子13を載置する樹脂部を厚く形成することができる。このため、図4Cに示す工程において、第1樹脂部12の粘度を低下させたときに、第1樹脂部12及び第2樹脂部16により、大きな流動体を実現することができる。この結果、発光素子13に対するセルフアライメントがより効果的に作用し、発光素子13を透光性部材11の凸部11aに対してより正確に位置決めすることができる。
図8A~図10Bは、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
本実施形態における熱処理の温度プロファイルは、図3に示すプロファイルと同様である。
本実施形態においては、図8Bに示す工程において、発光素子13上に第1樹脂部12を配置する際には、第1樹脂部12が固体状であるため、第1樹脂部12を厚く形成することができる。また、図8Cに示す工程においては、第1樹脂部12が固体状であるため、第1樹脂部12上に透光性部材31を配置することが容易である。
図11A~図13Bは、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
本実施形態における熱履歴のプロファイルは、図6に示すプロファイルと同様である。
次に、図11Aに示すように、固体状の第1樹脂部12上に、液体状の第2樹脂部16を配置する。上述の如く、「液体状」にはゾル状も含まれる。第2樹脂部16は、熱硬化性の第2樹脂材料からなる。一例では、第2樹脂材料は、シリコーン樹脂又はエポキシ樹脂である。
図14は、本実施形態に係る発光装置を示す断面図である。
図14に示すように、本実施形態に係る発光装置4においては、発光素子13と、発光素子13上に設けられた透光性部材31と、発光素子13と透光性部材31との間に設けられた導光部材21と、被覆部材15と、が設けられている。被覆部材15は、発光素子13、導光部材21、及び、透光性部材31を含む積層体36の側面を覆う。
本実施形態においては、図11Aに示す工程において、発光素子13上に固体状の第1樹脂部12と液体状の第2樹脂部16を積層させることにより、透光性部材31を載置する樹脂部を厚く形成することができる。このため、図11Cに示す工程において、第1樹脂部12の粘度を低下させたときに、第1樹脂部12及び第2樹脂部16により、大きな流動体を出現させることができる。この結果、透光性部材31に十分な浮力が印加されるため、透光性部材31に対するセルフアライメントがより効果的に作用し、透光性部材31を発光素子13に対してより正確に位置決めすることができる。
発光素子13は、例えばLEDチップである。発光素子13は、例えば、紫外~可視域の発光が可能な窒化物半導体(InxAlyGa1-x-yN、0≦x、0≦y、x+y≦1)を含む半導体積層構造を有し得る。発光素子13の発光ピーク波長は、発光装置の発光効率、蛍光体の励起スペクトル及び混色性等を考慮して、400nm以上530nm以下が好ましく、420nm以上490nm以下がより好ましく、450nm以上475nm以下がさらに好ましい。発光装置に含まれる発光素子13は1つでもよく、2つ以上でもよい。発光素子13は、半値幅が40nm以下の発光素子を用いることが好ましく、半値幅が30nm以下の発光素子を用いることがより好ましい。これにより、発光素子13から出射される光が容易に鋭いピークを持つことができる。その結果、例えば、発光装置を液晶表示装置等の光源として用いる場合、液晶表示装置は高い色再現性を達成することができる。また、複数の発光素子は、直列、並列、または直列と並列を組み合わせた接続方法で電気的に接続することができる。
透光性部材11及び31の母材11d及び31dとしては、発光素子13が発する光に対して透光性を有するものが用いられる。本明細書において透光性を有するとは、発光素子13の発光ピーク波長における光透過率が、60%以上であることを指し、好ましくは70%以上であり、より好ましくは80%以上である。透光性部材11および31の母材は、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂を用いることができる。特に、シリコーン樹脂及びエポキシ樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れるため好適に用いられる。シリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル-メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂などが挙げられる。
10:構造体
11:透光性部材
11a:凸部
11d:母材
11e:蛍光体粒子
12:第1樹脂部
12e:第1層
13:発光素子
14:電極
15:被覆部材
16:第2樹脂部
16e:第2層
17:構造体
18:導電膜
20:構造体
21:導光部材
22:積層体
30:構造体
31:透光性部材
31d:母材
31e:蛍光体粒子
32:積層体
35:構造体
36:積層体
100:基板
T0:基準温度
T1:第1温度
T2:第2温度
Claims (9)
- 上面に凸部が形成された透光性部材を準備する工程と、
前記凸部上に、加熱により粘度が低下する第1樹脂材料からなり、固体状の第1樹脂部を配置する工程と、
前記第1樹脂部上に発光素子を配置する工程と、
第1温度に加熱して前記第1樹脂部の粘度を低下させることにより、前記凸部を基準として前記発光素子をセルフアライメントさせる工程と、
冷却することにより、前記第1樹脂部を固化させる工程と、
を備えた発光装置の製造方法。 - 前記第1樹脂部上に、熱硬化性の第2樹脂材料からなり、液体状の第2樹脂部を配置する工程と、
前記セルフアライメントさせる工程の後、前記第1温度よりも高い第2温度に加熱して、前記第2樹脂部を硬化させる工程と、
をさらに備え、
前記発光素子を配置する工程において、前記発光素子を前記第2樹脂部上に配置する請求項1に記載の発光装置の製造方法。 - 発光素子を準備する工程と、
前記発光素子上に、加熱により粘度が低下する第1樹脂材料からなり、固体状の第1樹脂部を配置する工程と、
前記第1樹脂部上に透光性部材を配置する工程と、
第1温度に加熱して前記第1樹脂部の粘度を低下させることにより、前記発光素子を基準として前記透光性部材をセルフアライメントさせる工程と、
冷却することにより、前記第1樹脂部を固化させる工程と、
を備えた発光装置の製造方法。 - 前記第1樹脂部上に、熱硬化性の第2樹脂材料からなり、液体状の第2樹脂部を配置する工程と、
前記セルフアライメントさせる工程の後、前記第1温度よりも高い第2温度に加熱して、前記第2樹脂部を硬化させる工程と、
をさらに備え、
前記透光性部材を配置する工程において、前記透光性部材を前記第2樹脂部上に配置する請求項3に記載の発光装置の製造方法。 - 前記第1樹脂材料は熱可塑性である請求項1~4のいずれか1つに記載の発光装置の製造方法。
- 発光素子と、
前記発光素子上に設けられた透光性部材と、
前記発光素子と前記透光性部材との間に設けられ、前記発光素子の上面、前記発光素子の側面、及び、前記透光性部材の下面を覆い、加熱により粘度が低下する第1樹脂材料、及び、熱硬化性の第2樹脂材料を含む導光部材と、
前記発光素子、前記導光部材、及び、前記透光性部材を含む積層体の側面の少なくとも一部を覆う被覆部材と、
を備えた発光装置。 - 前記導光部材は、
前記第1樹脂材料の濃度が前記第2樹脂材料の濃度よりも高い第1層と、
前記第2樹脂材料の濃度が前記第1樹脂材料の濃度よりも高い第2層と、
を有し、
前記第1層と前記第2層は、前記発光素子と前記透光性部材とを結ぶ方向に沿って積層された請求項6記載の発光装置。 - 前記第1樹脂材料は熱可塑性である請求項6または7に記載の発光装置。
- 前記透光性部材は、
透明樹脂材料からなる母材と、
前記母材中に設けられた蛍光体粒子と、
を有する請求項6~8のいずれか1つに記載の発光装置。
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Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003218405A (ja) | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Alps Electric Co Ltd | 電子部品の実装構造及び実装方法 |
US20040048404A1 (en) | 1999-03-29 | 2004-03-11 | Tyco Electronics Corporation | Method for fabricating fiducials for passive alignment of opto-electronic devices |
JP2005252135A (ja) | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Casio Comput Co Ltd | 電子部品の接合方法および電子部品の接合構造 |
JP2006319053A (ja) | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Nec Corp | 回路基板装置及びその製造方法 |
JP2012502475A (ja) | 2008-09-04 | 2012-01-26 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 改善された単色性を有する光源 |
WO2012096277A1 (ja) | 2011-01-12 | 2012-07-19 | 株式会社村田製作所 | 樹脂封止型モジュール |
CN203055985U (zh) | 2013-01-22 | 2013-07-10 | 东莞市石碣华中电子技术创新服务有限公司 | 一种led封装结构 |
JP2014072351A (ja) | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Nitto Denko Corp | 蛍光体層貼着キット、光半導体素子−蛍光体層貼着体および光半導体装置 |
JP2017050359A (ja) | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2018032748A (ja) | 2016-08-24 | 2018-03-01 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置、照明装置及び発光装置の製造方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2947344B2 (ja) * | 1997-08-19 | 1999-09-13 | サンケン電気株式会社 | 発光ダイオード装置 |
JP4356581B2 (ja) * | 2004-10-12 | 2009-11-04 | パナソニック株式会社 | 電子部品実装方法 |
US8247248B2 (en) * | 2009-05-15 | 2012-08-21 | Achrolux Inc. | Methods and apparatus for forming uniform layers of phosphor material on an LED encapsulation structure |
US9006006B2 (en) * | 2011-11-29 | 2015-04-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for light-emitting device comprising multi-step cured silicon resin |
JP6477001B2 (ja) | 2014-03-14 | 2019-03-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP6217705B2 (ja) | 2015-07-28 | 2017-10-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP6314968B2 (ja) | 2015-12-25 | 2018-04-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6304297B2 (ja) | 2016-04-06 | 2018-04-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2017188592A (ja) | 2016-04-06 | 2017-10-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2017228658A (ja) | 2016-06-22 | 2017-12-28 | 日東電工株式会社 | 蛍光体層付光半導体素子およびその製造方法 |
JP6566016B2 (ja) | 2016-12-21 | 2019-08-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
CN108231974B (zh) | 2016-12-21 | 2022-09-02 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置的制造方法 |
JP6597657B2 (ja) | 2017-01-24 | 2019-10-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6515940B2 (ja) | 2017-03-17 | 2019-05-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2018155968A (ja) | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 日亜化学工業株式会社 | 透光性部材の製造方法及び発光装置の製造方法 |
JP6471764B2 (ja) | 2017-03-31 | 2019-02-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP6928244B2 (ja) | 2017-08-22 | 2021-09-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6729525B2 (ja) | 2017-09-14 | 2020-07-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2019057627A (ja) | 2017-09-21 | 2019-04-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP6733646B2 (ja) | 2017-11-30 | 2020-08-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
JP6658829B2 (ja) | 2018-09-11 | 2020-03-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
-
2019
- 2019-07-02 JP JP2019123662A patent/JP7022285B2/ja active Active
-
2020
- 2020-06-26 US US16/913,033 patent/US11557702B2/en active Active
-
2022
- 2022-11-09 US US17/983,995 patent/US20230068464A1/en active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040048404A1 (en) | 1999-03-29 | 2004-03-11 | Tyco Electronics Corporation | Method for fabricating fiducials for passive alignment of opto-electronic devices |
JP2003218405A (ja) | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Alps Electric Co Ltd | 電子部品の実装構造及び実装方法 |
JP2005252135A (ja) | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Casio Comput Co Ltd | 電子部品の接合方法および電子部品の接合構造 |
JP2006319053A (ja) | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Nec Corp | 回路基板装置及びその製造方法 |
JP2012502475A (ja) | 2008-09-04 | 2012-01-26 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 改善された単色性を有する光源 |
WO2012096277A1 (ja) | 2011-01-12 | 2012-07-19 | 株式会社村田製作所 | 樹脂封止型モジュール |
JP2014072351A (ja) | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Nitto Denko Corp | 蛍光体層貼着キット、光半導体素子−蛍光体層貼着体および光半導体装置 |
CN203055985U (zh) | 2013-01-22 | 2013-07-10 | 东莞市石碣华中电子技术创新服务有限公司 | 一种led封装结构 |
JP2017050359A (ja) | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2018032748A (ja) | 2016-08-24 | 2018-03-01 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置、照明装置及び発光装置の製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
A. Hanss et al.,"Self alignment of Flip Chip LEDs on PCB for high position accuracy",6th Electronic System-Integration Technology Conference (ESTC),IEEE,2016年09月13日,https://ieeexplore.ieee.org/document/7764504 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210005795A1 (en) | 2021-01-07 |
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