JP6304297B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 71
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 58
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 34
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 27
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 15
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 11
- -1 manganese-activated fluoride phosphor Chemical class 0.000 claims description 11
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000007790 scraping Methods 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- CCDWGDHTPAJHOA-UHFFFAOYSA-N benzylsilicon Chemical compound [Si]CC1=CC=CC=C1 CCDWGDHTPAJHOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 229920001921 poly-methyl-phenyl-siloxane Polymers 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 3
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 3
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 1
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- RLMMPAFGVXFLEB-UHFFFAOYSA-N O[Si](O)(O)Cl.P Chemical compound O[Si](O)(O)Cl.P RLMMPAFGVXFLEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004111 Potassium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVMHUALAQYRRBM-UHFFFAOYSA-N [P].[P] Chemical compound [P].[P] QVMHUALAQYRRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052789 astatine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N bismuth tin Chemical compound [Sn].[Bi] JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000404 calcium aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- 235000012215 calcium aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N calcium aluminosilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078583 calcium aluminosilicate Drugs 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N potassium silicate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Si]([O-])=O NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052913 potassium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
図1A及び図1Bは其々、実施の形態1に係る発光装置100の概略斜視図及び概略断面図である。図2は、実施の形態1に係る発光装置100の製造に使用する基板10の一例の概略上面図である。図3A〜図3Eは其々、実施の形態1に係る発光装置100の製造方法の第1工程〜第5工程を示す概略断面図である。
図1A,1Bに示すように、実施の形態1に係る発光装置100は、小片基板101と、導電性接着部材20と、発光素子30と、導光部材40と、透光性部材50と、光反射性の被覆部材701と、を備えている。小片基板101は、配線111と、その配線111を保持する基体151と、を有している。発光素子30は、X方向に長くY方向に短い発光ダイオードチップである。発光素子30は、導電性接着部材20を介して、小片基板の配線111上にフリップチップ実装されている。透光性部材50は、母材55中に波長変換物質60を含有して成っている。透光性部材50は、X方向に長くY方向に短い直方体状の小片である。透光性部材50は、前面視において、発光素子30の全てを覆い隠す大きさである。透光性部材50は、導光部材40を介して発光素子30上に接着されている。被覆部材701は、母材75中に白色顔料77を含有して成っている。被覆部材701は、小片基板101上に形成され、発光素子30の側面、導光部材40の側面、及び透光性部材50の側面を被覆している。被覆部材701は、発光素子30及び透光性部材50の側方の全周を包囲している。透光性部材50の前面と被覆部材701の前面は、実質的に同一面を構成している。
図2に示すように、基板10は、複数の発光装置用の小片基板101が連結してなる集合基板である。基板10は、配線11と、その配線11を保持する基体15と、を有している。基体15には、上面から下面に貫通したY方向に長尺な貫通孔Sが複数本、X方向に等間隔に形成されている。基板10の上面において、2つの貫通孔Sに挟まれた領域、より詳細にはその中央部が、後述の第1発光素子31及び第2発光素子32を含む発光素子の実装領域となる。2つの貫通孔Sに挟まれた領域において、配線11は、正極/負極の素子接続端子部を基体15の上面の中央部に、正極/負極の外部接続端子部を基体15の上面の左/右端部から貫通孔Sの側面を経て下面の左/右端部にかけて、並びにこれら端子部間を接続するリード配線部を基体15の上面に、含んでいる。以上のように、基板10の2つの貫通孔Sに挟まれた領域は、複数の発光装置用の小片基板101がY方向に連結されて構成されている。そして、2つの貫通孔S間をX方向に切断することで、1つの発光装置の小片基板101が個片化される。
発光装置は、例えば、発光ダイオード(LED;Light Emitting Diode)である。上記実施の形態1の発光装置は、側面発光型(「サイドビュー型」とも呼ばれる)であるが、上面発光型(「トップビュー型」とも呼ばれる)にすることも可能である。側面発光型の発光装置は、実装方向と主発光方向が互いに垂直である。上面発光型の発光装置は、実装方向と主発光方向が互いに平行である。発光装置の前面視形状すなわち主発光方向から見た形状は、適宜選択できるが、矩形状が量産性において好ましい。特に、発光装置が側面発光型である場合の前面視形状は、長手方向と短手方向を有する長方形状が好ましい。一方、発光装置が上面発光型である場合の前面視形状は、正方形状が好ましい。また、第1発光素子及び第2発光素子も発光装置と同様の前面視形状とするのが良い。
基板は、少なくとも、配線と、その配線を保持する基体と、により構成される。このほか、基板は、ソルダーレジスト又はカバーレイなどの絶縁保護膜を含んでいてもよい。小片基板も同様である。
配線は、基体の少なくとも上面(前面)に形成され、基体の内部及び/若しくは側面及び/若しくは下面(後面)にも形成されていてもよい。また、配線は、発光素子が実装される素子接続端子部、外部回路と接続される外部接続端子部、及びこれら端子部間を接続するリード配線部などを有することが好ましい。配線は、銅、鉄、ニッケル、タングステン、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン、パラジウム、ロジウム、又はこれらの合金で形成することができる。これらの金属又は合金の単層でも多層でもよい。特に、放熱性の観点においては銅又は銅合金が好ましい。また、配線の表層には、接合部材の濡れ性及び/若しくは光反射性などの観点から、銀、白金、アルミニウム、ロジウム、金若しくはこれらの合金などの層が設けられていてもよい。
基体は、リジッド基板であれば、樹脂若しくは繊維強化樹脂、セラミックス、ガラス、金属、紙などを用いて構成することができる。樹脂若しくは繊維強化樹脂としては、エポキシ、ガラスエポキシ、ビスマレイミドトリアジン(BT)、ポリイミドなどが挙げられる。セラミックスとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタン、若しくはこれらの混合物などが挙げられる。金属としては、銅、鉄、ニッケル、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン、若しくはこれらの合金などが挙げられる。基体は、可撓性基板であれば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、液晶ポリマー、シクロオレフィンポリマーなどを用いて構成することができる。なお、これらの基材のうち、特に発光素子の線膨張係数に近い物性を有する基材を使用することが好ましい。
導電性接着部材としては、金、銀、銅などのバンプ、銀、金、銅、プラチナ、アルミニウム、パラジウムなどの金属粉末と樹脂バインダを含む金属ペースト、錫−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀系、金−錫系などの半田、低融点金属などのろう材のうちのいずれか1つを用いることができる。
発光素子は、少なくとも半導体素子構造を備え、多くの場合に基板をさらに備える。発光素子としては、例えばLEDチップが挙げられる。発光素子の前面視形状は、矩形、特に正方形状又は一方向に長い長方形状であることが好ましいが、その他の形状であってもよく、例えば六角形状であれば発光効率を高めることもできる。発光素子若しくはその基板の側面は、上面に対して、垂直であってもよいし、内側又は外側に傾斜していてもよい。発光素子は、同一面側に正負(p,n)電極を有することが好ましい。1つの発光装置に搭載される発光素子の個数は1つでも複数でもよい。複数の発光素子は、直列又は並列に接続することができる。半導体素子構造は、半導体層の積層体、即ち少なくともn型半導体層とp型半導体層を含み、また活性層をその間に介することが好ましい。半導体素子構造は、正負電極及び/若しくは絶縁膜を含んでもよい。正負電極は、金、銀、錫、白金、ロジウム、チタン、アルミニウム、タングステン、パラジウム、ニッケル又はこれらの合金で構成することができる。絶縁膜は、珪素、チタン、ジルコニウム、ニオブ、タンタル、アルミニウムからなる群より選択される少なくとも一種の元素の酸化物又は窒化物で構成することができる。発光素子の発光ピーク波長は、半導体材料やその混晶比によって、紫外域から赤外域まで選択することができる。半導体材料としては、波長変換物質を効率良く励起できる短波長の光を発光可能な材料である、窒化物半導体を用いることが好ましい。窒化物半導体は、主として一般式InxAlyGa1−x−yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)で表される。発光素子の発光ピーク波長は、発光効率、並びに波長変換物質の励起及びその発光との混色関係等の観点から、400nm以上530nm以下が好ましく、420nm以上490nm以下がより好ましく、450nm以上475nm以下がよりいっそう好ましい。このほか、InAlGaAs系半導体、InAlGaP系半導体、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、炭化珪素などを用いることもできる。発光素子の基板は、主として半導体素子構造を構成する半導体の結晶を成長可能な結晶成長用基板であるが、結晶成長用基板から分離した半導体素子構造に接合させる接合用基板であってもよい。基板が透光性を有することで、フリップチップ実装を採用しやすく、また光の取り出し効率を高めやすい。基板の母材としては、サファイア、スピネル、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、シリコン、炭化珪素、ガリウム砒素、ガリウム燐、インジウム燐、硫化亜鉛、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、ダイヤモンドなどが挙げられる。なかでも、サファイアが好ましい。基板の厚さは、例えば0.02mm以上1mm以下であり、基板の強度や発光装置の厚さの観点において、0.05mm以上0.3mm以下であることが好ましい。
導光部材は、発光素子と透光性部材を接着し、発光素子からの光を透光性部材に導光する部材である。導光部材の母材は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂が挙げられる。なかでも、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れ、好ましい。具体的なシリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル−メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂が挙げられる。また、導光部材の母材は、後述の透光性部材の母材と同様のフィラーを含有してもよい。なお、以下、本明細書における「変性樹脂」は、ハイブリッド樹脂を含むものとする。
透光性部材は、発光素子上に設けられ、発光素子から出射される光を装置外部に透過させる部材である。透光性部材は、少なくとも以下のような母材により構成される。また、透光性部材は、以下のような波長変換物質を母材中に含有することで、波長変換部材として機能させることができる。但し、波長変換物質の含有は必須ではない。また、透光性部材は、波長変換物質と例えばアルミナなどの無機物との焼結体、又は波長変換物質の板状結晶などを用いることもできる。
透光性部材の母材は、発光素子から出射される光に対して透光性を有するものであればよい。なお、「透光性」とは、発光素子の発光ピーク波長における光透過率が、好ましくは60%以上であること、より好ましくは70%以上であること、よりいっそう好ましくは80%以上であることを言う。透光性部材の母材は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂を用いることができる。ガラスでもよい。なかでも、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れ、好ましい。具体的なシリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル−メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂が挙げられる。透光性部材は、これらの母材のうちの1種を単層で、若しくはこれらの母材のうちの2種以上を積層して構成することができる。
波長変換物質は、発光素子が発する一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を発する。これにより、可視波長の一次光及び二次光の混色光、例えば白色光を発する発光装置とすることができる。波長変換物質は、以下に示す具体例のうちの1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
第1蛍光体及び第2蛍光体は、以下のような具体例の中から適宜選択することができる。例えば、第1蛍光体は緑色乃至黄色発光する蛍光体とし、第2蛍光体は赤色発光する蛍光体とすることができる。緑色発光する蛍光体としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばY3(Al,Ga)5O12:Ce)、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばLu3(Al,Ga)5O12:Ce)、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばTb3(Al,Ga)5O12:Ce)系蛍光体、シリケート系蛍光体(例えば(Ba,Sr)2SiO4:Eu)、クロロシリケート系蛍光体(例えばCa8Mg(SiO4)4Cl2:Eu)、βサイアロン系蛍光体(例えばSi6−zAlzOzN8−z:Eu(0<z<4.2))、SGS系蛍光体(例えばSrGa2S4:Eu)などが挙げられる。黄色発光の蛍光体としては、αサイアロン系蛍光体(例えばMz(Si,Al)12(O,N)16(但し、0<z≦2であり、MはLi、Mg、Ca、Y、及びLaとCeを除くランタニド元素)などが挙げられる。このほか、上記緑色発光する蛍光体の中には黄色発光する蛍光体もある。また例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、Yの一部をGdで置換することで発光ピーク波長を長波長側にシフトさせることができ、黄色発光が可能である。また、これらの中には、橙色発光が可能な蛍光体もある。赤色発光する蛍光体としては、窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(CASN又はSCASN)系蛍光体(例えば(Sr,Ca)AlSiN3:Eu)などが挙げられる。このほか、マンガン賦活フッ化物系蛍光体(一般式(I)A2[M1−aMnaF6]で表される蛍光体である(但し、上記一般式(I)中、Aは、K、Li、Na、Rb、Cs及びNH4からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、aは0<a<0.2を満たす))が挙げられる。このマンガン賦活フッ化物系蛍光体の代表例としては、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体(例えばK2SiF6:Mn)がある。
光反射性の被覆部材は、前方への光取り出し効率の観点から、発光素子の発光ピーク波長における光反射率が、70%以上であることが好ましく、80%以上であることがより好ましく、90%以上であることがよりいっそう好ましい。さらに、被覆部材は、白色であることが好ましい。よって、被覆部材は、母材中に白色顔料を含有してなることが好ましい。被覆部材は、硬化前には液状の状態を経る。被覆部材は、トランスファ成形、射出成形、圧縮成形、ポッティングなどにより形成することができる。
被覆部材の母材は、樹脂を用いることができ、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂が挙げられる。なかでも、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れ、好ましい。具体的なシリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル−メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂が挙げられる。また、被覆部材の母材は、上記の透光性部材の母材と同様のフィラーを含有してもよい。
白色顔料は、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、チタン酸バリウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムのうちの1種を単独で、又はこれらのうちの2種以上を組み合わせて用いることができる。白色顔料の形状は、特に限定されず、不定形若しくは破砕状でもよいが、流動性の観点では球状が好ましい。また、白色顔料の粒径は、例えば0.1μm以上0.5μm以下程度が挙げられるが、光反射や被覆の効果を高めるためには小さい程好ましい。光反射性の被覆部材中の白色顔料の含有量は、適宜選択できるが、光反射性及び液状時における粘度などの観点から、例えば10wt%以上80wt%以下が好ましく、20wt%以上70wt%以下がより好ましく、30wt%以上60wt%以下がよりいっそう好ましい。なお、「wt%」は、重量パーセントであり、光反射性の被覆部材の全重量に対する当該材料の重量の比率を表す。
実施例1の発光装置は、図1A,1Bに示す発光装置100の構造を有する、幅(横)1.8mm、厚さ(縦)0.32mm、奥行き0.70mmの側面発光型のLEDである。
基板10上に、第1発光素子31と第2発光素子32を含む複数個の発光素子を、縦方向すなわちY方向に互いに離間させて並べて、其々フリップチップ実装する。より具体的には、基板10の配線11の各素子接続端子部上に導電性接着部材20となる金−錫系半田のペーストを塗布し、その上に各発光素子を載置した後、リフロー(最高到達温度320℃)により、金−錫系半田を溶融、固化させればよい。このとき、各発光素子は、横方向すなわちX方向に長尺であるように、すなわち互いに長尺側面を向かい合わせて並べられる。第1発光素子31と第2発光素子32の間隔(中心間距離)は、0.37mmである。
次に、各発光素子上に透光性部材を導光部材を介して接着することにより、複数の発光構造体を形成する。すなわち、少なくとも、第1発光素子31上に第1透光性部材51を導光部材40を介して接着し、第2発光素子32上に第2透光性部材52を導光部材40を介して接着する。このとき、第1透光性部材51の長尺側面の1つである第1側面51Lと、第2透光性部材52の長尺側面の1つである第2側面51Lと、を互いに離間させ且つ向かい合わせる。より具体的には、第1発光素子31、第2発光素子32上に導光部材40となる液状樹脂を其々塗布し、その上に第1透光性部材51、第2透光性部材52を其々載置した後、オーブンで加熱して樹脂を硬化させればよい。ここで、第1側面51Lと第2側面52Lの間隔は、0.08〜0.09mmである。なお、各透光性部材は、母材55と第1蛍光体61からなる第1シート、母材55と第2蛍光体61からなる第2シート、及び母材55からなる第3シートをこの順に熱圧着により貼り合わせたシートを、超音波カッターを切断刃として具備する乾式の切断装置を用いて、小片に切断して作製する。なお、このとき、第1側面51L及び第2側面52Lは、主としてβサイアロンの第1蛍光体61の存在により形成される凸部を有している。
次に、各発光構造体における透光性部材の長尺側面を削る。すなわち、少なくとも、第1透光性部材の第1側面51L及び/若しくは第2透光性部材の第2側面52Lを削って第1´側面51LS及び/若しくは第2´側面52LSを露出させる。より具体的には、乾式の切削装置に具備される厚さ0.13mmのダイシングブレードである切削工具90を、ブレードの盤面をX方向に平行に向けて、Y方向においては切削工具90の刃が第1側面51Lと第2側面52Lの少なくとも一方に接触する位置に設定し、基板10上においてX方向に走査すればよい。これにより、第1´側面51LS及び第2´側面52LSは、凸部を削がれて均される。なお、この後、各発光構造体における透光性部材の短尺側面も同様に削ってもよい。
次に、各発光構造体の側面を被覆する光反射性の被覆部材70を基板10上に形成する。より具体的には、トランスファ成形機を用いて、Y方向に並ぶ複数の発光構造体を1つの直方体状ブロックの被覆部材70で完全に埋め込むように、基板10上に被覆部材70を成形する。そして、研削装置を用いて、その被覆部材70を上方から研削して、各透光性部材の上面を露出させればよい。
最後に、各発光構造体間の基板10と被覆部材70を切断して発光装置100を個片化する。より具体的には、厚さ0.05mmのダイシングブレードである切削工具92を、ブレードの盤面をX方向に平行に向け、Y方向においては第1側面51L若しくは第1´側面51LSと、第2側面52L若しくは第2´側面52LSと、の間の中央に設定し、X方向に走査することにより、基板10及び被覆部材70を切断すればよい。
S…貫通孔
101…小片基板
11…配線
111…配線(個片化後)
15…基体
151…基体(個片化後)
20…導電性接着部材
30…発光素子
31…第1発光素子
32…第2発光素子
40…導光部材
50…透光性部材
51…第1透光性部材
51L…第1側面
51LS…第1´側面
52…第2透光性部材
52L…第2側面
52LS…第2´側面
55…透光性部材の母材
60…波長変換物質
61…第1蛍光体
62…第2蛍光体
70…光反射性の被覆部材
701…光反射性の被覆部材(個片化後)
75…光反射性の被覆部材の母材
77…白色顔料
90,92…切削工具
100…発光装置
Claims (7)
- 基板上に第1発光素子と第2発光素子を互いに離間させてフリップチップ実装する第1工程と、
第1側面を有する第1透光性部材を前記第1発光素子上に接着し、第2側面を有する第2透光性部材を前記第2側面が前記第1側面と離間し且つ向かい合うように前記第2発光素子上に接着する第2工程と、
前記第1側面及び/若しくは前記第2側面を削って第1´側面及び/若しくは第2´側面を露出させる第3工程と、
前記第1側面若しくは前記第1´側面、並びに前記第2側面若しくは前記第2´側面を被覆する光反射性の被覆部材を前記基板上に形成する第4工程と、
前記第1側面若しくは前記第1´側面と、前記第2側面若しくは前記第2´側面と、の間において、前記基板及び前記被覆部材を切断する第5工程と、を順に備える、発光装置の製造方法。 - 前記第3工程において、前記第2工程完了時における前記第1側面と前記第2側面の間隔より大きい厚さの切削工具を用いる、請求項1に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第1透光性部材及び前記第2透光性部材が其々、母材と、前記母材中に含有された、前記第1発光素子及び前記第2発光素子の一次光を吸収して前記一次光の波長と異なる波長の二次光を発する波長変換物質と、を含み、
前記第3工程より前において、前記第1側面及び前記第2側面が其々、前記波長変換物質の存在により形成される凸部を有しており、
前記第3工程において、前記凸部を削ぐ、請求項1又は2に記載の発光装置の製造方法。 - 前記母材が、シリコーン樹脂又は変性シリコーン樹脂であって、
前記波長変換物質が、第1蛍光体を含み、
前記第1蛍光体が、サイアロン系蛍光体である、請求項3に記載の発光装置の製造方法。 - 前記第1透光性部材及び前記第2透光性部材が其々、母材と、前記母材中に含有された、前記第1発光素子及び前記第2発光素子の一次光を吸収して前記一次光の波長と異なる波長の二次光を発する波長変換物質と、を含み、
前記波長変換物質が、第2蛍光体を含み、
前記第2蛍光体が、マンガン賦活フッ化物系蛍光体であって、
前記第3工程において、乾式の切削装置により前記第1側面及び/若しくは前記第2側面を削る、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。 - 前記第1発光素子、前記第2発光素子、前記第1透光性部材、及び前記第2透光性部材の其々の上面視形状が、第1方向に延びる2つの長尺側面と、前記第1方向に垂直な第2方向に延び前記長尺側面より短い2つの短尺側面と、を含む形状であり、
前記第1側面及び前記第2側面が前記長尺側面である、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。 - 前記第1´側面と前記第2´側面との間隔が、0.05mm以上0.4mm以下である、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016076829A JP6304297B2 (ja) | 2016-04-06 | 2016-04-06 | 発光装置の製造方法 |
KR1020170027938A KR102126853B1 (ko) | 2016-04-06 | 2017-03-03 | 발광 장치의 제조 방법 |
GB2011878.2A GB2585509B (en) | 2016-04-06 | 2017-04-05 | Method for manufacturing light-emitting device |
GB1705481.8A GB2550055B (en) | 2016-04-06 | 2017-04-05 | Method for manufacturing light-emitting device |
US15/480,416 US9929323B2 (en) | 2016-04-06 | 2017-04-06 | Method for manufacturing light-emitting device |
CN201710222409.1A CN107275457B (zh) | 2016-04-06 | 2017-04-06 | 发光装置的制造方法 |
US15/899,304 US10153410B2 (en) | 2016-04-06 | 2018-02-19 | Method for manufacturing light-emitting device |
US16/183,734 US10825968B2 (en) | 2016-04-06 | 2018-11-08 | Method for manufacturing light-emitting device |
KR1020200074289A KR102262769B1 (ko) | 2016-04-06 | 2020-06-18 | 발광 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016076829A JP6304297B2 (ja) | 2016-04-06 | 2016-04-06 | 発光装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018036547A Division JP6528872B2 (ja) | 2018-03-01 | 2018-03-01 | 発光装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017188593A JP2017188593A (ja) | 2017-10-12 |
JP6304297B2 true JP6304297B2 (ja) | 2018-04-04 |
Family
ID=58682665
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016076829A Active JP6304297B2 (ja) | 2016-04-06 | 2016-04-06 | 発光装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9929323B2 (ja) |
JP (1) | JP6304297B2 (ja) |
KR (2) | KR102126853B1 (ja) |
CN (1) | CN107275457B (ja) |
GB (2) | GB2550055B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6471764B2 (ja) * | 2017-03-31 | 2019-02-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP6773063B2 (ja) | 2018-02-22 | 2020-10-21 | 日亜化学工業株式会社 | 透光性部材の形成方法 |
JP6848997B2 (ja) * | 2018-04-11 | 2021-03-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US10553768B2 (en) * | 2018-04-11 | 2020-02-04 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
JP7076294B2 (ja) * | 2018-06-18 | 2022-05-27 | 日機装株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP7117170B2 (ja) * | 2018-06-20 | 2022-08-12 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
EP3608959B1 (en) | 2018-08-06 | 2023-11-15 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacturing same |
JP7022284B2 (ja) * | 2019-06-17 | 2022-02-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP7022285B2 (ja) | 2019-07-02 | 2022-02-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
CN114787997A (zh) * | 2019-10-15 | 2022-07-22 | 亮锐有限责任公司 | 形成多色磷光体转换led阵列 |
US11749786B2 (en) | 2019-10-15 | 2023-09-05 | Lumileds Llc | Multicolor phosphor-converted LED array |
US11063191B2 (en) | 2019-10-15 | 2021-07-13 | Lumileds Llc | Forming a multicolor phosphor-converted LED array |
WO2021079739A1 (ja) * | 2019-10-23 | 2021-04-29 | デンカ株式会社 | 蛍光体プレート、発光装置および蛍光体プレートの製造方法 |
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JP2011066193A (ja) | 2009-09-17 | 2011-03-31 | Rohm Co Ltd | 光学装置および光学装置の製造方法 |
JP2011068193A (ja) | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Toyota Auto Body Co Ltd | 車両用リフタ |
CN102222625A (zh) * | 2010-04-16 | 2011-10-19 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其基座的制造方法 |
JP4974310B2 (ja) | 2010-10-15 | 2012-07-11 | 三菱化学株式会社 | 白色発光装置及び照明器具 |
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JPWO2014081042A1 (ja) | 2012-11-26 | 2017-01-05 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
JP5995695B2 (ja) | 2012-12-03 | 2016-09-21 | シチズンホールディングス株式会社 | Led装置の製造方法 |
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JP2014216622A (ja) | 2013-04-30 | 2014-11-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
KR102323289B1 (ko) * | 2014-01-07 | 2021-11-08 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 인광체 변환기를 갖는 비접착식 발광 디바이스 |
JP6351265B2 (ja) * | 2014-01-09 | 2018-07-04 | デンカ株式会社 | 蛍光体含有多層膜シート、並びに発光装置 |
KR102231580B1 (ko) * | 2014-02-14 | 2021-03-24 | 엘지이노텍 주식회사 | 광변환기판 및 이를 포함하는 발광패키지, 차량용 램프 |
JP6477001B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2019-03-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
CN105047786A (zh) * | 2015-05-29 | 2015-11-11 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 芯片级封装led的封装方法 |
-
2016
- 2016-04-06 JP JP2016076829A patent/JP6304297B2/ja active Active
-
2017
- 2017-03-03 KR KR1020170027938A patent/KR102126853B1/ko active Application Filing
- 2017-04-05 GB GB1705481.8A patent/GB2550055B/en active Active
- 2017-04-05 GB GB2011878.2A patent/GB2585509B/en active Active
- 2017-04-06 CN CN201710222409.1A patent/CN107275457B/zh active Active
- 2017-04-06 US US15/480,416 patent/US9929323B2/en active Active
-
2018
- 2018-02-19 US US15/899,304 patent/US10153410B2/en active Active
- 2018-11-08 US US16/183,734 patent/US10825968B2/en active Active
-
2020
- 2020-06-18 KR KR1020200074289A patent/KR102262769B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017188593A (ja) | 2017-10-12 |
US9929323B2 (en) | 2018-03-27 |
KR20200074935A (ko) | 2020-06-25 |
GB2550055A (en) | 2017-11-08 |
GB201705481D0 (en) | 2017-05-17 |
US20180175259A1 (en) | 2018-06-21 |
GB2585509B (en) | 2021-07-07 |
US10825968B2 (en) | 2020-11-03 |
CN107275457B (zh) | 2022-04-08 |
KR20170114919A (ko) | 2017-10-16 |
CN107275457A (zh) | 2017-10-20 |
US20170294563A1 (en) | 2017-10-12 |
US20190074414A1 (en) | 2019-03-07 |
US10153410B2 (en) | 2018-12-11 |
KR102126853B1 (ko) | 2020-06-25 |
GB202011878D0 (en) | 2020-09-16 |
GB2550055B (en) | 2020-09-23 |
GB2585509A (en) | 2021-01-13 |
KR102262769B1 (ko) | 2021-06-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180131 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
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R250 | Receipt of annual fees |
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