KR102126853B1 - 발광 장치의 제조 방법 - Google Patents

발광 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102126853B1
KR102126853B1 KR1020170027938A KR20170027938A KR102126853B1 KR 102126853 B1 KR102126853 B1 KR 102126853B1 KR 1020170027938 A KR1020170027938 A KR 1020170027938A KR 20170027938 A KR20170027938 A KR 20170027938A KR 102126853 B1 KR102126853 B1 KR 102126853B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
emitting element
light emitting
emitting device
transmitting member
Prior art date
Application number
KR1020170027938A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170114919A (ko
Inventor
토루 하시모토
Original Assignee
니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 filed Critical 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20170114919A publication Critical patent/KR20170114919A/ko
Priority to KR1020200074289A priority Critical patent/KR102262769B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102126853B1 publication Critical patent/KR102126853B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/61—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
    • C09K11/617—Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77348—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Abstract

본 발명은, 발광 소자 상에 설치되는 투과성 부재의 절삭량을 억제하면서 그리고 투광성 부재의 측면을 피복하는 피복 부재에 충분한 두께를 가지게 할 수 있는 발광 장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 기판 상에 제1 발광 소자와 제2 발광 소자를 서로 이격시켜 플립 칩 실장하고, 제1 측면을 갖는 제1 투광성 부재를 상기 제1 발광 소자 상에 접착시키고, 제2 측면을 갖는 제2 투광성 부재를 상기 제2 측면이 상기 제1 측면과 이격되고 그리고 마주보도록 상기 제2 발광 소자 상에 접착시키고, 상기 제1 측면 및/또는 상기 제2 측면을 절삭하여 제1' 측면 및/또는 제2' 측면을 노출시키고, 상기 제1 측면 또는 상기 제1' 측면 및 상기 제2 측면 또는 상기 제2' 측면을 피복하는 광 반사성의 피복 부재를 상기 기판 상에 형성하고, 상기 제1 측면 또는 상기 제1' 측면과 상기 제2 측면 또는 상기 제2' 측면 사이에서 상기 기판 및 상기 피복 부재를 절단하는 발광 장치의 제조 방법이 제공된다.

Description

발광 장치의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING LIGHT-EMITTING DEVICE}
본 개시는 발광 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
예를 들면 특허문헌 1(도 50~도 68 참조)에는, 반도체 기판과, 반도체 기판 상에 실장된 광학 소자와, 광학 소자 상에 적층된 형광체층과, 광학 소자 및 형광체층의 측면을 덮는 반사 수지부를 구비한 광학 장치의 제조 방법이 기재되어 있다.
일본특허공개 제2011-066193호 공보
상기 특허문헌 1에 기재된 광학 장치의 제조 방법에서는, 광학 소자 시트에 형광체 시트를 적층한 후, 광학 소자 시트와 형광체 시트를 일괄적으로 절단하고, 그 홈 내에 반사 수지층을 형성하기 때문에, 형광체층의 측면을 덮는 반사 수지부를 확보하기 위해서는 형광체 시트의 절삭 폭을 크게 하지 않을 수 없다.
이에, 본 발명의 일 실시형태는 발광 소자 상에 설치되는 투광성 부재의 절삭량을 억제하면서, 또한 그 투광성 부재의 측면을 피복하는 피복 부재에 충분한 두께를 가지게 할 수 있는 발광장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시형태의 발광 장치의 제조 방법은, 기판 상에 제1 발광 소자와 제2 발광 소자를 서로 이격시켜 플립 칩 장착하는 제1 공정과, 제1 측면을 갖는 제1 투광성 부재를 상기 제1 발광 소자 상에 접착하고, 제2 측면을 갖는 제2 투광성 부재를 상기 제2 측면이 상기 제1 측면과 이격되고 또한 마주 보도록 상기 제2 발광 소자 상에 접착하는 제2 공정과, 상기 제1 측면 및/또는 상기 제2 측면을 깎아 제1' 측면 및/또는 제2' 측면을 노출시키는 제3 공정과, 상기 제1 측면 또는 상기 제1' 측면 및 상기 제2 측면 또는 상기 제2' 측면을 피복하는 광 반사성의 피복 부재를 상기 기판 상에 형성하는 제4 공정과, 상기 제1 측면 또는 상기 제1' 측면과, 상기 제2 측면 또는 상기 제2' 측면의 사이에서 상기 기판 및 상기 피복 부재를 절단하는 제5 공정을 순차로 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시형태의 발광 장치의 제조 방법에 따르면, 투광성 부재의 절삭량을 억제하면서, 투광성 부재의 측면을 피복하는 피복 부재에 충분한 두께를 가지게 할 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시형태에 관계된 발광 장치의 개략 사시도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시형태에 관계된 발광 장치의 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 관계된 발광 장치의 제조에 사용하는 기판의 일례의 개략 상면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시형태에 관계된 발광 장치의 제조 방법의 제1 공정을 나타내는 개략 단면도이다.
도 3b는 본 발명의 일 실시형태에 관계된 발광 장치의 제조 방법의 제2 공정을 나타내는 개략 단면도이다.
도 3c는 본 발명의 일 실시형태에 관계된 발광 장치의 제조 방법의 제3 공정을 나타내는 개략 단면도이다.
도 3d는 본 발명의 일 실시형태에 관계된 발광 장치의 제조 방법의 제4 공정을 나타내는 개략 단면도이다.
도 3e는 본 발명의 일 실시형태에 관계된 발광 장치의 제조 방법의 제5 공정을 나타내는 개략 단면도이다.
이하, 발명의 실시형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 단, 이하에 설명하는 발광 장치 및 그 제조 방법은 본 발명의 기술 사상을 구체화하기 위한 것으로, 특정적인 기재가 없는 한 본 발명을 이하의 것으로 한정하지 않는다. 또한, 도면이 나타내는 부재의 크기나 위치 관계 등은 설명을 명확히 하기 위하여 과장되어 있는 것이 있다.
또한, 가시 파장 영역은 파장이 380㎚ 이상, 780㎚ 이하의 범위로 하며, 청색 영역은 파장이 420㎚ 이상, 480㎚ 이하의 범위, 녹색 영역은 파장이 500㎚ 이상, 560㎚ 이하의 범위, 황색 영역은 파장이 560㎚ 보다 길고 590㎚ 이하의 범위, 적색 영역은 파장이 610㎚ 이상, 750㎚ 이하의 범위로 한다.
<실시형태 1>
도 1a 및 도 1b는 각각 실시형태 1과 관련된 발광 장치(100)의 개략 사시도 및 개략 단면도이다. 도 2는 실시형태 1과 관련된 발광 장치(100)의 제조에 사용하는 기판(10)의 일례의 개략 상면도이다. 도 3a ~ 도 3e는 각각 실시형태 1과 관련된 발광 장치(100)의 제조 방법의 제1 공정 ~ 제5 공정을 나타내는 개략 단면도이다.
또한, 도 1a, 1b 중 발광 장치(100)에 있어서의 폭 방향을 X 방향, 두께 방향을 Y 방향, 전후(깊이) 방향을 Z 방향으로 하여 도시하였다. 이 X, Y, Z 방향(축)은 각각 다른 2 방향(축)과 수직인 방향(축)이다. 보다 상세하게는 오른쪽 방향을 X+ 방향, 왼쪽 방향을 X- 방향, 위쪽 방향을 Y+ 방향, 아래쪽 방향을 Y- 방향, 앞쪽 방향을 Z+ 방향, 뒤쪽 방향을 Z- 방향이라고 하고 있다. Y- 방향이 해당 발광 장치(100)의 실장 방향이다. Z+ 방향이 해당 발광 장치(100)의 주 발광 방향이다. 또한, 도 2 및 도 3a ~ 도 3e 중의 X, Y, Z 방향은 도 1a, 1b 중의 X, Y, Z 방향에 상당하지만, 도 2및 도 3a ~ 도 3e에서는 X 방향이 가로 방향, Y 방향이 세로 방향, Z 방향이 상하 방향이 된다. 이하, X 방향을 제1 방향이라고 하고, Y 방향을 제2 방향이라고 한다.
[발광 장치(100)]
도 1a, 1b에 도시한 바와 같이, 실시형태 1과 관련된 발광 장치(100)은, 작은 조각의 기판(101)과, 도전성 접착 부재(20)와, 발광 소자(30)와, 도광 부재(40)와, 투광성 부재(50)와, 광 반사성의 피복 부재(701)를 구비하고 있다. 작은 조각의 기판(101)은 배선(111)과 그 배선(111)을 보유 지지하는 기체(基體; 151)를 구비하고 있다. 발광 소자(30)는 X 방향으로 길고 Y 방향으로 짧은 발광 다이오드 칩이다. 발광 소자(30)는 도전성 접착 부재(20)를 통해, 작은 조각 기판의 배선(111) 상에 플립 칩 실장되어 있다. 투광성 부재(50)는 모재(55) 중에 파장 변환 물질(60)을 함유하여 구성되어 있다. 투광성 부재(50)는 X 방향으로 길고 Y 방향으로 짧은 직방체 형상의 작은 조각이다. 투광성 부재(50)는 전면(前面)에서 보았을 때 발광 소자(30)의 전체를 덮어 가리는 크기이다. 투광성 부재(50)는 도광 부재(40)를 통해 발광 소자(30) 상에 접착되어 있다. 피복 부재(701)는 모재(75) 중에 백색 안료(77)를 함유하여 구성되어 있다. 피복 부재(701)는 작은 조각의 기판(101) 상에 형성되어, 발광 소자(30)의 측면, 도광 부재(40)의 측면 및 투광성 부재(50)의 측면을 피복하고 있다. 피복 부재(701)는 발광 소자(30) 및 투광성 부재(50)의 측방의 모든 주위를 포위하고 있다. 투광성 부재(50)의 전면(前面)과 피복 부재(701)의 전면(前面)은 실질적으로 동일 면을 구성하고 있다.
또한, 배선(111)은 후술하는 배선(11)이 개별적으로 조각화된 것이다. 기체(基體; 151)는 후술하는 기체(基體; 15)가 개별적으로 조각화된 것이다. 피복 부재(701)는 후술하는 피복 부재(70)가 개별적으로 조각화된 것이다. 발광 소자(30)는 후술하는 제1 발광 소자(31) 또는 제2 발광 소자(32)를 포함하는 것이다. 투광성 부재(50)는 후술하는 제1 투광성 부재(51) 또는 제2 투광성 부재(52)를 포함하는 것이다.
이와 같은 구성을 갖는 발광 장치(100)는, 예를 들어, 회로 기판에 배선(111)의 정극/부극의 외부 접속 단자부를 납땜하고 회로를 통해 급전됨으로써 발광한다. 이 때, 피복 부재(701)의 높은 광 반사성에 의해 발광 소자(30) 및 투광성 부재(50)로부터 측방으로 출사되는 많은 광이 앞쪽으로 편향되어, 발광 장치(100)의 주된 발광 영역은 투광성 부재(50)의 전면(前面)이 된다.
[발광 장치(100)의 제조 방법]
도 2에 도시한 바와 같이, 기판(10)은 복수의 발광 장치용의 작은 조각 기판(101)이 연결되어 이루어지는 집합 기판이다. 기판(10)은 배선(11)과 그 배선(11)을 보유 지지하는 기체(基體; 15)를 구비하고 있다. 기체(基體; 15)에는 상면으로부터 하면으로 관통한 Y 방향으로 긴 길이의 관통 구멍(S)이 여러 개 X 방향으로 등간격으로 형성되어 있다. 기판(10)의 상면에 있어서, 2개의 관통 구멍(S)에 끼워진 영역, 보다 상세하게는 그 중앙부가 후술하는 제1 발광 소자(31) 및 제2 발광 소자(32)를 포함하는 발광 소자의 실장 영역이 된다. 2개의 관통 구멍(S)에 끼워진 영역에 있어서, 배선(11)은 정극/부극의 소자 접속 단자부를 기체(基體; 15)의 상면 중앙부에, 정극/부극의 외부 접속 단자부를 기체(基體; 15)의 상면의 좌/우 단부로부터 관통 구멍(S)의 측면을 거쳐 하면의 좌/우 단부에 이르기까지, 그리고 이들 단자부 사이를 접속하는 리드 배선부를 기체(基體; 15)의 상면에, 포함하고 있다. 이상과 같이, 기판(10)의 2개의 관통 구멍(S)에 끼워진 영역은 복수의 발광 장치용의 작은 조각 기판(101)이 Y 방향으로 연결되어 구성되어 있다. 그리고, 2개의 관통 구멍(S) 사이를 X 방향으로 절단함으로써, 1개의 발광 장치의 작은 조각 기판(101)이 개별적으로 조각화된다.
도 3a ~ 도 3e에 도시한 바와 같이, 실시형태 1과 관련된 발광 장치(100)의 제조 방법은 이하의 제1 공정 ~ 제5 공정을 이 공정 번호 순서대로 구비한다.
제1 공정은 도 3a에 도시한 바와 같이, 기판(10) 상에 제1 발광 소자(31)와 제2 발광 소자(32)를 서로 이격시켜 플립 칩 실장하는 공정이다. 즉, 제1 발광 소자(31)와 제2 발광 소자(32)의 정극/부극의 전극을 각각 도전성 접착 부재(20)를 통해 배선(11)의 정극/부극의 소자 접속 단자부에 접속한다. 이 때, 제1 발광 소자(31)와 제2 발광 소자(32)는 상면에서 보았을 때 사각 형상인 경우, 서로 마주보는 2 측면이 X 방향으로, 또 다른 서로 마주보는 2 측면이 Y 방향으로, 각각 대략 평행하게 되도록 실장되는 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 예를 들어 페이스트 상태의 도전성 접착 부재<20>를 정극/부극의 소자 접속 단자부에 도포하고, 그 위에 제1 발광 소자(31) 및 제2 발광 소자(32)를 놓고, 도전성 접착 부재<20>를 리플로우 로(爐) 등에서의 가열 처리에 의해 용융시킨 뒤, 냉각하여 고화시킨다. 또한, 본 명세서 및 도면 중의 괄호 <>가 붙은 부호는 그 구성 요소가 최종 형태에 이르기 전의 상태에 있는 것을 의미한다.
제2 공정은 도 3b에 도시한 바와 같이, 제1 공정 이후, 제1 측면(51L)을 갖는 제1 투광성 부재(51)를 제1 발광 소자(31) 위에 접착시키고, 제2 측면(52L)을 갖는 제2 투광성 부재(52)를 제2 측면(52L)이 제1 측면(51L)과 이격되고 그리고 마주 보도록 제2 발광 소자(32) 상에 접착시키는 공정이다. 이 때, 제1 발광 소자(31), 제2 발광 소자(32), 제1 투광성 부재(51) 및 제2 투광성 부재(52)가 상면에서 보았을 때 사각 형상인 경우, 제1 투광성 부재(51) 및 제2 투광성 부재(52)는 그 각 측면이 제1 발광 소자(31) 및 제2 발광 소자(32)의 각 측면과 각각 대략 평행하게 되도록 접착되는 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 예를 들면, 기판(10) 위에 실장된 제1 발광 소자(31) 및 제2 발광 소자(32) 상에 액상의 도광 부재<40>를 도포하고, 그 위에 제1 투광성 부재(51) 및 제2 투광성 부재(52)를 놓고, 도광 부재<40>를 오븐 등에서의 가열 처리에 의해 경화시킨다. 또한 본 명세서의 "액상"은 졸 상, 슬러리 상을 포함하는 것으로 한다.
또한, 제1 투광성 부재(51) 및 제2 투광성 부재(52)는 예를 들면 시트를 작은 조각으로 절단, 즉, 개별적으로 조각화함으로써 제작된다. 이 시트 절단에는 시트 절단 폭을 작게 하기 쉬운 관점에서, 비회전 칼을 이용하는 것이 바람직하다. 비회전 칼로서는 예를 들어, 잡아당겨 자르는 형태 또는 밀어 자르는 형태의 커터를 들 수 있다. 또한 제1 측면(51L) 및 제2 측면(52L)을 비교적 평탄하게 하기 위해, 비회전 칼에 초음파를 인가하는 것이 바람직하다. 또한, 후술하는 것과 마찬가지의 이유에서, 이 시트의 절단도 건식의 절단 장치에서 행하는 것이 바람직하다.
제3 공정은 도 3c에 도시한 바와 같이, 제2 공정 이후, 제1 투광성 부재의 제1 측면(51L) 및/또는 제2 투광성 부재의 제2 측면(52L)을 깎아 제1' 측면(51LS) 및/또는 제2' 측면(52LS)을 노출시키는 공정이다. 보다 구체적으로는, 예를 들면, 원반 모양의 회전 칼인 절삭 공구(90)를 반면(盤面)을 X 방향에 평행하게 향하도록 하고, Y 방향의 소정 위치, 즉, 절삭 공구(90)의 칼이 제1 측면(51L)과 제2 측면(52L)의 적어도 한쪽에 접촉하는 위치에 설정하여, 기판(10) 상에 있어서 기판(10) 상면으로부터 이격시켜 X 방향으로 주사한다. 또한, 제1' 측면(51LS)은 제1 투광성 부재의 제1 측면(51L)을 깍은 뒤 제1 측면(51L)을 대신하여 존재하는 측면이다. 또한, 제2' 측면(52LS)은 제2 투광성 부재의 제2 측면(52L)을 깍은 뒤 제2 측면(52L)을 대신하여 존재하는 측면이다.
제4 공정은 도 3d에 도시한 바와 같이, 제3 공정 이후, 제1 측면(51L) 또는 제1' 측면(51LS) 및 제2 측면(52L) 또는 제2' 측면(52LS)를 피복하는 광 반사성의 피복 부재(70)를 기판(10) 상에 형성하는 공정이다. 보다 구체적으로는, 예를 들면, 기판(10) 상에 있어서의 제1 발광 소자(31), 제2 발광 소자(32), 제1 투광성 부재(51) 및 제2 투광성 부재(52)의 주위에 액상의 피복 부재(70)를 충진하고, 피복 부재(70)를 오븐 등에서의 가열 처리에 의해 경화시킨다. 이 때, 예를 들어 제1 투광성 부재(51) 및 제2 투광성 부재(52)가 피복 부재(70) 내에 완전히 메워지도록 피복 부재(70)를 형성한 뒤, 연삭 또는 블래스트 등에 의해 제1 투광성 부재(51)의 상면 및 제2 투광성 부재(52)의 상면을 피복 부재(70)로부터 노출시킨다. 이 밖에, 제1 투광성 부재(51)의 상면 및 제2 투광성 부재(52)의 상면이 노출되도록, 제1 투광성 부재(51)의 상면 및 제2 투광성 부재(52)의 상면을 금형 등으로 누르면서, 액상의 피복 부재(70)를 충진 및 경화시켜도 좋다.
제5 공정은 도 3e에 도시된 바와 같이, 제4 공정 이후, 제1 측면(51L) 또는 제1' 측면(51LS)와, 제2 측면(52L) 또는 제2' 측면(52LS)의 사이에서, 기판(10) 및 피복 부재(70)를 절단하는 공정이다. 보다 구체적으로는, 예를 들면, 원반 모양의 회전 칼인 절삭 공구(92)를 반면(盤面)을 X 방향에 평행하게 향하게 하고, Y 방향에 대해서는 제1 측면(51L) 또는 제1' 측면(51LS)과 제2 측면(52L) 또는 제2' 측면(52LS)의 사이의 중앙에 설정하고, X 방향으로 주사함으로써, 기판(10) 및 피복 부재(70)를 절단한다. 또한 이 때, 제1 측면(51L) 또는 제1' 측면(51LS)을 피복하는 피복 부재(70) 및 제2 측면(52L) 또는 제2' 측면(52LS)을 피복하는 피복 부재(70)의 적어도 한쪽, 바람직하게는 그 양쪽 모두가 잔존하도록, 기판(10) 및 피복 부재(70)를 절단한다. 또한, 이 제5 공정에서는 피복 부재(70)의 충분한 두께를 확보하기 쉽게 하는 관점에서, 제4 공정 완료 시에 있어서의 제1 측면(51L) 또는 제1' 측면(51LS)과 제2 측면(52L) 또는 제2' 측면(52LS)의 간격보다 작은 두께의 절삭 공구(92)를 이용하는 것이 바람직하다.
이상 실시형태 1과 관련된 발광 장치(100)의 제조 방법에서는, 제2 공정에 있어서, 미리 분리한제1 투광성 부재(51)와 제2 투광성 부재(52)를 서로 이격시켜 제1 발광 소자(31)와 제2 발광 소자(32) 상에 각각 접착시키기 때문에, 제1 투광성 부재(51)와 제2 투광성 부재(52)를 이격시키기 위한 절삭을 필요로 하지 않는다. 이 때문에, 제1 투광성 부재(51) 및 제2 투광성 부재(52)의 절삭량을 억제할 수 있다. 또한, 만일, 제2 공정 완료 후의 제1 측면(51L)과 제2 측면(52L)의 간격이 불충분하였다고 하여도 제3 공정에서 제1 측면(51L) 및/또는 제2 측면(52L)을 깍음으로써 그 간격을 보정할 수 있다. 이에 의해, 제1 측면(51L) 또는 제1' 측면(51LS)과, 제2 측면(52L) 또는 제2' 측면(52LS)의 사이에 충진되는 피복 부재(70)의 두께를 고정밀도로 관리할 수 있다. 따라서, 실시형태 1과 관련된 발광 장치(100)의 제조 방법에 따르면, 제1 투광성 부재(51) 및 제2 투광성 부재(52)의 절삭량을 억제하면서, 제1 투광성 부재(51)의 측면 및 제2 투광성 부재(52)의 측면을 피복하는 피복 부재(70)에 충분한 두께를 가지게 할 수 있다.
또한, 제1 발광 소자(31) 및 제2 발광 소자(32)의 플립 칩 실장, 다시 말헤 도전성 접착 부재(20)의 소성은 비교적 고온, 예를 들면 발광 장치(100)의 회로 기판 등으로의 땜납 때보다 고온에서 행해지는 일이 많다. 이 때문에, 제1 투광성 부재(51) 및 제2 투광성 부재(52)의 제1 발광 소자(31) 및 제2 발광 소자(32)로의 접착을, 제1 발광 소자(31) 및 제2 발광 소자(32)의 플립 칩 실장보다 뒤에 행함으로써, 제1 투광성 부재(51) 및 제2 투광성 부재(52)의 열에 의한 열화를 억제할 수 있다. 특히, 제1 투광성 부재(51) 및 제2 투광성 부재(52)가 파장 변환 물질(60)을 함유하는 경우에는 파장 변환 물질(60)의 열에 의한 열화를 억제할 수 있다. 내열성이 비교적 낮은 파장 변환 물질(60)로는 예를 들어 망간 활성 불화물계 형광체를 들 수 있다. 그러나 기판(10)에 고착된 제1 발광 소자(31) 및 제2 발광 소자(32) 상에, 미리 분리된 제1 투광성 부재(51) 및 제2 투광성 부재(52)를 각각 접착하는 경우, 접착 기술만으로 제1 측면(51L)과 제2 측면(52L)의 간격을 고정밀도로 제어하는 것이 어렵게 된다. 본 실시형태의 제3 공정은 이러한 과제를 해결하는 것이기도 하다.
이하, 실시형태 1과 관련된 발광 장치(100)의 제조 방법의 바람직한 형태에 대해서 상세히 설명한다.
도 3c에 도시한 바와 같이, 제3 공정에 있어서, 제2 공정 완료 시의 제1 측면(51L)과 제2 측면(52L)의 간격보다 큰 두께의 절삭 공구(90)를 이용하는 것이 바람직하다. 이로써, 제1 측면(51L)과 제2 측면(52L)을 하나의 절삭 공구(90)에 의해 동시에 절삭할 수 있다. 따라서, 제1' 측면(51LS)과 제2' 측면(52LS)의 간격을 관리하기 쉽고, 나아가 그 사이에 충전되는 피복 부재(70)의 두께를 관리하기 쉽다. 또한, 적은 공정 수로 제1 측면(51L)과 제2 측면(52L)을 절삭할 수 있다.
도 1b 및 도 3b에 도시한 바와 같이, 제1 투광성 부재(51) 및 제2 투광성 부재(52)는 각각 모재(55)와 모재(55) 중에 함유된 파장 변환 물질(60)을 포함하고 있다. 파장 변환 물질(60)은 제1 발광 소자(31) 및 제2 발광 소자(32)의 일차 광을 흡수하고, 그 일차 광의 파장과 다른 파장의 이차 광을 발한다. 그리고, 제3 공정보다 이전에, 제1 측면(51L) 및 제2 측면(52L)은 각각 파장 변환 물질(60)의 존재에 의해 형성되는 볼록부를 가지고 있다. 이러한 경우에는, 제3 공정에 있어서 그 볼록부를 깍는 것이 바람직하다. 제1 측면(51L) 및 제2 측면(52L)에 있는 볼록부는 광 반사성의 피복 부재(70)에 의해 직접 피복됨으로써 광이 가두어지는 영역을 형성하고 그에 따라 광 손실이 생기기 쉽게 된다. 이 때문에, 제3 공정에서 이 볼록부를 깍아 제1' 측면(51LS) 및/또는 제2' 측면(52LS)을 평탄하게 고르게 해 두는 것이 좋다.
도 1b 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 파장 변환 물질(60)은 제1 형광체(61)를 함유하고 있다. 또한, 제1 투광성 부재(51) 및 제2 투광성 부재(52)의 모재(55)는 실리콘 수지 또는 변성 실리콘 수지이다. 그리고, 제1 형광체(61)는 사이알론(Si-Al-O-N)계 형광체인 것이 바람직하다. 사이알론계 형광체는 비교적 경질의 입자이고, 실리콘 수지 또는 변성 실리콘 수지는 비교적 연질의 수지이다. 이 때문에, 제1 투광성 부재(51) 및 제2 투광성 부재(52)의 형성 시, 예를 들면 시트로부터의 개별적 조각화 시에 사이알론계 형광체는 실리콘 수지 또는 변성 실리콘 수지의 절단 단면보다 외측으로 튀어나와 남기 쉽고, 제1 측면(51L) 및 제2 측면(52L)에 볼록부를 형성하기 쉽다. 따라서, 제3 공정에서 이 볼록부를 절삭하여 제1' 측면(51LS) 및/또는 제2' 측면(52LS)을 평탄하게 고르게 하는 기술적 의의가 높아진다.
도 1b 및 도 3b에 도시한 와 같이, 파장 변환 물질(60)은 제2 형광체(62)를 함유하고 있다. 그리고, 제2 형광체(62)는 망간 활성 불화물계 형광체이다. 이러한 경우에는 제3 공정에서 건식의 절삭 장치에 의해 제1 측면(51L) 및 제2 측면(52L)을 절삭하는 것이 바람직하다. 망간 활성 불화물계 형광체는 스펙트럼 선폭이 비교적 좁은 발광이 얻어져 색 재현성의 관점에서 바람직한 반면, 수분에 의해 열화되기 쉬운 성질을 가지고 있다. 이 때문에 건식의 절삭 장치에 의해 제1 측면(51L) 및 제2 측면(52L)을 절삭함으로써 절삭수 및/또는 냉각수 등의 수분에 의한 망간 활성 불화물계 형광체의 열화를 억제 내지 회피할 수 있다.
도 1a, 도 1b 및 도 3a ~ 도 3e에 도시된 바와 같이, 제1 발광 소자(31), 제2 발광 소자(32), 제1 투광성 부재(51) 및 제2 투광성 부재(52)의 각각의 상면에서 본[전면(前面)에서 본] 형상은, 제1 방향으로 연장되는 2개의 긴 쪽 측면과, 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 연장된 긴 쪽 측면보다 짧은 2개의 짧은 쪽 측면을 포함하는 형상이다. 이러한 경우, 제1 측면(51L) 및 제2 측면(52L)은, 제1 방향으로 연장된 긴 쪽 측면인 것이 바람직하다. 이는, 제1 투광성 부재(51) 및 제2 투광성 부재(52)의 긴 쪽 측면을 피복하는 피복 부재(70)의 두께를 관리하는 것이 광 추출 효율의 관점에서 기술적 의의가 크기 때문이다.
피복 부재(70)의 바람직한 두께를 얻기 위해서, 제1' 측면(51LS)와 제2' 측면(52LS)의 간격은 다음과 같은 범위로 하는 것이 좋다. 하한치로서는, 측방으로의 광의 누설을 억제하고 장치 전방으로 광을 효율적으로 추출하는 관점에서, 0.05㎜ 이상인 것이 바람직하고, 0.07㎜ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 상한치로서는, 발광 장치를 박형 또는 소형으로 형성한다는 관점에서, 0.4㎜ 이하인 것이 바람직하고, 0.32㎜ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
이하, 본 발명이 일 실시형태에 관계된 발광 장치의 각 구성 요소에 대해서 설명한다.
[발광 장치(100)]
발광 장치는 예를 들면, 발광 다이오드(LED; Light Emitting Diode)이다. 상기 실시형태 1의 발광 장치는 측면 발광형(“사이드 뷰형”이라고도 함)이지만, 상면 발광형(“톱 뷰형”이라고도 함)으로 하는 것도 가능하다. 측면 발광형 발광 장치는 실장 방향과 주 발광 방향이 서로 수직이다. 상면 발광형 발광 장치는 실장 방향과 주 발광 방향이 서로 평행이다. 발광 장치의 전면(前面)에서 보았을 때의 형상, 즉, 주 발광 방향에서 본 형상은, 적절히 선택할 수 있지만, 사각 형상이 양산성에 있어서 바람직하다. 특히, 발광 장치가 측면 발광형인 경우의 전면(前面)에서 보았을 때의 형상은, 장변 방향과 단변 방향을 갖는 직사각 형상이 바람직하다. 한편, 발광 장치가 상면 발광형인 경우이 전면(前面)에서 보았을 때의 형상은 정사각 형상이 바람직하다. 또한, 제1 발광 소자 및 제2 발광 소자도 발광 장치와 마찬가지의 전면(前面)에서 보았을 때의 형상을 갖는 것이 바람직하다.
[기판(10), 작은 조각 기판(101)]
기판은 적어도 배선과 그 배선을 보유 지지하는 기체(基體)로 구성된다. 이 밖에, 기판은 솔더 레지스트 또는 커버레이 등의 절연 보호막을 포함하고 있어도 좋다. 작은 조각 기판도 마찬가지이다.
[배선(11,111)]
배선은 기체(基體)의 적어도 상면[전면(前面)]에 형성되고, 기체(基體)의 내부 및/또는 측면 및/또는 하면(후면)에도 형성되어 있어도 좋다. 또한, 배선은, 발광 소자가 실장되는 소자 접속 단자부, 외부 회로와 접속되는 외부 접속 단자부 및 이들 단자부 사이를 접속하는 리드 배선부 등을 갖는 것이 바람직하다. 배선은 구리, 철, 니켈, 텅스텐, 크롬, 알루미늄, 은, 금, 티탄, 팔라듐, 로듐 또는 이들의 합금으로 형성할 수 있다. 이들 금속 또는 합금의 단일층이어도 좋고, 다층이어도 좋다. 특히 방열성의 관점에서는 구리 또는 구리 합금이 바람직하다. 또, 배선의 표층에는 접합 부재의 젖음성 및/또는 광 반사성 등의 관점에서, 은, 백금, 알루미늄, 로듐, 금 또는 이들의 합금 등의 층이 설치되어 있어도 좋다.
[기체(基體; 15,151)]
기체는 강성(rigid) 기판이면 수지 또는 섬유 강화 수지, 세라믹, 유리, 금속, 종이 등을 이용하여 구성할 수 있다. 수지 또는 섬유 강화 수지로서는, 에폭시, 유리 에폭시, 비스말레이미드 트리아진(BT), 폴리이미드 등을 들 수 있다. 세라믹으로서는, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 산화지르코늄, 질화지르코늄, 산화티탄, 질화티탄, 또는 이들의 혼합물 등을 들 수 있다. 금속으로서는, 구리, 철, 니켈, 크롬, 알루미늄, 은, 금, 티탄, 또는 이들의 합금 등을 들 수 있다. 기체(基體)는 가요성 기판이면, 폴리이미드, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 액정 폴리머, 시클로올레핀 폴리머 등을 이용하여 구성할 수 있다. 또한, 이들 기재 중 특히 발광 소자의 선팽창 계수에 가까운 물성을 갖는 기재를 사용하는 것이 바람직하다.
[도전성 접착 부재(20)]
도전성 접착 부재로서는, 금, 은, 구리 등의 범프, 은, 금, 구리, 백금, 알루미늄, 팔라듐 등의 금속 분말과 수지 바인더를 포함하는 금속 페이스트, 주석-비스무트계, 주석-구리계, 주석-은계, 금-주석계 등의 땜납, 저융점 금속 등의 경납 중 어느 하나를 사용할 수 있다.
[발광 소자(30), 제1 발광 소자(31), 제2 발광 소자(32)]
발광 소자는 적어도 반도체 소자 구조를 갖추고, 많은 경우에 기판을 더 구비한다. 발광 소자로는 예를 들어 LED 칩을 들 수 있다. 발광 소자의 전면(前面)에서 보았을 때의 형상은 사각 형상, 특히 정사각 형상 또는 한 방향으로 긴 직사각 형상인 것이 바람직하지만, 그 밖의 형상이어도 좋고, 예를 들면 육각 형상이면 발광 효율을 높일 수 있다. 발광 소자 또는 그 기판의 측면은, 상면에 대하여, 수직이어도 좋고, 내측 또는 외측으로 경사져 있어도 좋다. 발광 소자는 동일면 측에 정/부(p, n)전극을 갖는 것이 바람직하다. 하나의 발광 장치에 탑재되는 발광 소자의 개수는 1개이어도 좋고 복수이어도 좋다. 복수의 발광 소자는 직렬 또는 병렬로 접속할 수 있다. 반도체 소자 구조는, 반도체층의 적층체, 즉, 적어도 n형 반도체층과 p형 반도체층을 포함하고, 또한 활성층을 그 사이에 개재시키는 것이 바람직하다. 반도체 소자 구조는 정/부 전극 및/또는 절연막을 포함하고 있어도 좋다. 정/부 전극은 금, 은, 주석, 백금, 로듐, 티탄, 알루미늄, 텅스텐, 팔라듐, 니켈 또는 이들의 합금으로 구성할 수 있다. 절연막은 규소, 티탄, 지르코늄, 니오브, 탄탈, 알루미늄으로 된 군으로부터 선택되는 적어도 한 종의 원소의 산화물 또는 질화물로 구성할 수 있다. 발광 소자의 발광 피크 파장은, 반도체 재료나 그 혼정비에 따라, 자외선 영역에서부터 적색 영역까지 선택할 수 있다. 반도체 재료로는 파장 변환 물질을 효율 좋게 여기시킬 수 있는 단파장의 광을 발광 가능한 재료로서, 질화물 반도체를 이용하는 것이 바람직하다. 질화물 반도체는 주로 일반식 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x, 0≤y, x+y≤1)으로 표현된다. 발광 소자의 발광 피크 파장은, 발광 효율 및 파장 변환 물질의 여기 및 그 발광과의 혼색 관계 등의 관점에서, 400㎚ 이상, 530㎚ 이하가 바람직하고, 420㎚ 이상, 490㎚ 이하가 더 바람직하며, 450㎚ 이상, 475㎚ 이하가 더욱 바람직하다. 이 밖에, InAlGaAs계 반도체, InAlGaP계 반도체, 황화아연, 셀렌화아연, 탄화규소 등을 이용할 수도 있다. 발광 소자의 기판은 주로 반도체 소자 구조를 구성하는 반도체의 결정을 성장 가능한 결정 성장용 기판이지만, 결정 성장용 기판에서 분리된 반도체 소자 구조에 접합시키는 접합용 기판이어도 좋다. 기판이 투광성을 가짐으로써, 플립 칩 실장을 채용하기 쉽고, 또한 광의 추출 효율을 높이기 쉽다. 기판의 모재로서는, 사파이어, 스피넬, 질화갈륨, 질화알루미늄, 실리콘, 탄화규소, 갈륨비소, 갈륨인, 인듐인, 황화아연, 산화아연, 셀렌화아연, 다이아몬드 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 사파이어가 바람직하다. 기판의 두께는 예를 들면 0.02㎜ 이상, 1㎜ 이하이고, 기판의 강도나 발광 장치의 두께의 관점에서 0.05㎜ 이상, 0.3㎜ 이하인 것이 바람직하다.
[도광 부재(40)]
도광 부재는 발광 소자와 투광성 부재를 접착하고 발광 소자로부터의 광을 투광성 부재에 도광하는 부재이다. 도광 부재의 모재는 실리콘 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 또는 이들의 변성 수지를 들 수 있다. 그 중에서도 실리콘 수지 및 변성 실리콘 수지는 내열성 및 내광성이 우수하여 바람직하다. 구체적인 실리콘 수지로서는, 디메틸 실리콘 수지, 페닐-메틸 실리콘 수지, 디페닐 실리콘 수지를 들 수 있다. 또한, 도광 부재의 모재는 후술하는 투광성 부재의 모재와 마찬가지의 필러를 함유하여도 좋다. 또한, 이하, 본 명세서에 있어서의 “변성 수지”는 하이브리드 수지를 포함하는 것으로 한다.
[투광성 부재(50), 제1 투광성 부재(51), 제2 투광성 부재(52)]
투광성 부재는 발광 소자 상에 설치되어 발광 소자로부터 출사되는 광을 장치 외부로 투과시키는 부재이다. 투광성 부재는 적어도 이하와 같은 모재에 의해 구성된다. 또한, 투광성 부재는 이하와 같은 파장 변환 물질을 모재 중에 함유함으로써 파장 변환 부재로서 기능시킬 수 있다. 단, 파장 변환 물질의 함유는 필수는 아니다. 또한, 투광성 부재는 파장 변환 물질과 예를 들면 알루미나 등의 무기물과의 소결체, 또는 파장 변환 물질의 판상 결정 등을 이용할 수도 있다.
[투광성 부재의 모재(55)]
투광성 부재의 모재는 발광 소자로부터 출사되는 광에 대해 투광성을 갖는 것이면 좋다. 또한, “투광성”이란 발광 소자의 발광 피크 파장에 있어서의 광 투과율이 바람직하게는 60% 이상인 것, 보다 바람직하게는 70% 이상인 것, 보다 더 바람직하게는 80% 이상인 것을 말한다. 투광성 부재의 모재는 실리콘 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지 또는 이들의 변성 수지를 사용할 수 있다. 유리이어도 좋다. 그 중에서도 실리콘 수지 및 변성 실리콘 수지는, 내열성 및 내광성이 우수하여 바람직하다. 구체적인 실리콘 수지로서는, 디메틸 실리콘 수지, 페닐-메틸 실리콘 수지, 디페닐 실리콘 수지를 들 수 있다. 투광성 부재는 이들 모재 중의 1종을 단일층으로 또는 이들 모재 중 2종 이상을 적층하여 구성할 수 있다.
투광성 부재의 모재는 상기 수지 또는 유리 중에 각종의 필러를 함유하여도 좋다. 이 필러로서는, 산화규소, 산화알루미늄, 산화지르코늄, 산화아연 등을 들 수 있다. 필러는 이들 중의 1종을 단독으로 또는 이들 중 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 특히, 열 팽창 계수가 작은 산화규소가 바람직하다. 또한, 필러로서, 나노 입자를 사용함으로써, 발광 소자의 청색광의 레일레이 산란을 포함하는 산란을 증대시켜, 파장 변환 물질의 사용량을 절감할 수도 있다. 나노 입자란 입경이 1㎚ 이상, 100㎚ 이하의 입자이다. 또한, 본 명세서 있어서의 “입경"은 예를 들어 D50에서 정의된다.
[파장 변환 물질(60)]
파장 변환 물질은 발광 소자가 발하는 일차 광의 적어도 일부를 흡수하여, 일차 광과는 다른 파장의 이차 광을 발한다. 이에 의해, 가시 파장의 일차 광 및 이차 광의 혼색광, 예를 들면 백색광을 발하는 발광 장치로 할 수 있다. 파장 변환 물질은 이하에 나타내는 구체적인 예 중 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다.
[제1 형광체(61), 제2 형광체(62)]
제1 형광체 및 제2형광체는 이하와 같은 구체적인 예 중에서 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면 제1 형광체는 녹색 내지 황색 발광하는 형광체로 하고, 제2 형광체는 적색 발광하는 형광체로 할 수 있다. 녹색 발광하는 형광체로서는 이트륨·알루미늄·가닛계 형광체(예를 들면 Y3(Al,Ga)5O12:Ce), 루테튬·알루미늄·가닛계 형광체(예를 들어 Lu3(Al, Ga)5O12:Ce), 테르븀·알루미늄·가닛계 형광체(예를 들면 Tb3(Al, Ga)5O12:Ce), 실리케이트계 형광체(예를 들면 (Ba, Sr)2SiO4:Eu), 클로로실리케이트계 형광체(예를 들면 Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu), β사이알론계 형광체(예를 들면 Si6 - zAlzOzN8 - z:Eu (0<z<4.2)), SGS계 형광체(예를 들면 SrGa2S4:Eu) 등을 들 수 있다. 황색 발광의 형광체로서는, α사이알론계 형광체(예를 들면 Mz(Si, Al)12(O, N)16 (단, 0<z≤2이고, M은 Li, Mg, Ca, Y 및 La와 Ce을 제외한 란탄족 원소) 등을 들 수 있다. 이 밖에, 상기 녹색 발광하는 형광체 중에는 황색 발광하는 형광체도 있다. 또한, 예를 들면, 이트륨·알루미늄·가닛계 형광체는 Y의 일부를 Gd으로 치환함으로써 발광 피크 파장을 장파장 쪽으로 옮길 수 있어 황색 발광이 가능하다. 또한, 이들 중에는 주황색 발광이 가능한 형광체도 있다. 적색 발광하는 형광체로서는 질소 함유 알루미노규산칼슘(CASN 또는 SCASN)계 형광체(예를 들면 (Sr, Ca)AlSiN3:Eu) 등을 들 수 있다. 이 밖에, 망간 활성 불화물계 형광체(일반식 (I)A2[M1-aMnaF6]으로 표현되는 형광체이다. 단, 상기 일반식 (I) 중 A는 K, Li, Na, Rb, Cs 및 NH4로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종이고, M은 제4족 원소 및 제14족 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 원소이며, a은 0<a<0.2를 충족)을 들 수 있다. 이 망간 활성 불화물계 형광체의 대표예로서는, 망간 활성 불화규산칼륨의 형광체(예를 들면 K2SiF6:Mn)가 있다.
[광 반사성의 피복 부재(70,701)]
광 반사성의 피복 부재는, 전방으로의 광 추출 효율의 관점에서, 발광 소자의 발광 피크 파장에서의 광 반사율이 70% 이상인 것이 바람직하고, 80% 이상인 것이 보다 바람직하고, 90% 이상인 것이 보다 더 바람직하다. 또한, 피복 부재는 백색인 것이 바람직하다. 따라서 피복 부재는 모재 중에 백색 안료를 함유하여 이루어진 것이 바람직하다. 피복 부재는 경화 전에는 액상의 상태를 거친다. 피복 부재는 트랜스퍼 성형, 사출 성형, 압축 성형, 포팅 등에 의해 형성할 수 있다.
[피복 부재의 모재(75)]
피복 부재의 모재는 수지를 사용할 수 있고, 예를 들면 실리콘 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지 또는 이들의 변성 수지를 들 수 있다. 그 중에서도 실리콘 수지 및 변성 실리콘 수지는 내열성 및 내광성이 우수하여 바람직하다. 구체적인 실리콘 수지로서는, 디메틸 실리콘 수지, 페닐-메틸 실리콘 수지, 디페닐 실리콘 수지를 들 수 있다. 또한, 피복 부재의 모재는 상기 투광성 부재의 모재와 마찬가지의 필러를 함유하여도 좋다.
[백색 안료(77)]
백색 안료는 산화티탄, 산화아연, 산화마그네슘, 탄산마그네슘, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 수산화칼슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 티탄산바륨, 황산바륨, 수산화알루미늄, 산화알루미늄, 산화지르코늄 중 1종을 단독으로 또는 이들 중 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 백색 안료의 형상은 특히 한정되지 않고, 부정형 또는 파쇄상이어도 좋지만, 유동성의 관점에서는 구형상(球狀)이 바람직하다. 또한, 백색 안료의 입경은 예를 들면 0.1㎛ 이상, 0.5㎛ 이하 정도를 들 수 있지만, 광 반사나 피복의 효과를 높이기 위해서는 작을수록 바람직하다. 광 반사성의 피복 부재 중의 백색 안료의 함유량은, 적절히 선택할 수 있지만, 광 반사성 및 액상 시의 점도 등의 관점에서, 예를 들면 10wt% 이상, 80wt% 이하가 바람직하고, 20wt% 이상, 70wt% 이하가 보다 바람직하고, 30wt% 이상, 60wt% 이하가 보다 더 바람직하다. “wt%”는 중량 퍼센트로서, 광 반사성 피복 부재의 전체 중량에 대한 해당 재료의 중량 비율을 나타낸다.
[실시예]
이하, 본 발명에 관한 실시예에 대해서 상세히 기술한다. 또한, 본 발명은 이하에 나타내는 실시예에만 한정되지 않음은 말할 필요도 없다.
<실시예 1>
실시예 1의 발광 장치는 도 1a, 1b에 도시한 발광 장치(100)의 구조를 갖는, 폭(가로) 1.8㎜, 두께(세로) 0.32㎜, 깊이 0.70㎜의 측면 발광형 LED이다.
작은 조각 기판(101)의 크기는, 폭(가로) 1.8㎜, 두께(세로) 0.32㎜, 깊이 0.36㎜이다. 기체(基體; 151)는 BT수지제(예를 들면 미츠비시 가스 화학사 제: HL832NSF type LCA)의 직육면체 형상의 작은 조각이다. 정/부 한 쌍의 배선(111)은 기체(基體; 151)측으로부터 구리/니켈/금이 적층되어 이루어져 있다. 정/부 한 쌍의 배선(111)은 각각 기체(基體; 151)이 전면(前面)의 횡방향 중앙 측에 형성된 소자 접속 단자부와, 리드 배선부와, 후술하는 피복 부재(701)로부터 좌/우로 노출되어 기체(基體; 151)의 전면(前面)의 좌/우 단부로부터 측면을 거쳐 후술하는 좌/우 단부에 이르기까지 형성된 외부 접속 단자부를 포함하고 있다. 또한, 소자 접속 단자부는 구리 층이 깊이 0.04㎜의 돌기를 포함하고 있다.
정/부 한 쌍의 배선(111)의 소자 접속 단자부 상에는, 하나의 발광 소자(30)가 도전성 접착 부재(20)을 통해 플립 칩 실장되어 있다. 발광 소자(30)는 사파이어 기판 상에 질화물 반도체의 n형층, 활성층, p형층이 순차 적층된, 청색(발광 피크 파장 452㎚) 발광 가능한, 폭(가로) 1.1㎜, 두께(세로) 0.2㎜, 깊이 0.12㎜의 직육면체 형상의 LED칩이다. 도전성 접착 부재(20)는 깊이 0.015㎜의 금-주석계 땜납(Au:Sn=79:21)이다.
발광 소자(30) 상에는 투광성 부재(50)가 도광 부재(40)을 통해 접착되어 있다. 투광성 부재(50)는, 필러로서 산화규소의 나노 입자를 함유하는 페닐-메틸 실리콘 수지인 모재(55) 중에, 파장 변환 물질(60)로서 유로퓸 활성 β사이알론의 제1 형광체(61) 및 망간 활성 불화규산칼륨의 제2 형광체(62)를 함유하는, 폭(가로) 1.21㎜, 두께(세로) 0.24㎜, 깊이 0.16㎜의 직육면체 형상의 작은 조각이다. 투광성 부재(50)는, 발광 소자(30) 측으로부터, 모재(55)와 제1 형광체(61)로 이루어진 층, 모재(55)와 제2 형광체(62)로 이루어진 층, 모재(55)로 이루어진 층이 적층되어 구성되어 있다. 도광 부재(40)는 깊이 0.005㎜의 디메틸 실리콘 수지의 경화물이다.
작은 조각 기판(101)의 전면(前面) 상에는, 발광 소자(30) 및 투광성 부재(50)의 측방의 전체 주위를 포위하도록, 광 반사성의 피복 부재(701)가 형성되어 있다. 피복 부재(701)는 폭(가로) 1.35㎜, 두께(세로) 0.32㎜이며, 페닐-메틸 실리콘 수지의 경화물인 모재(75) 중에, 백색 안료(77)로서 산화티탄을 60wt% 함유하여 이루어져 있다. 피복 부재(701)는 발광 소자(30)의 측면, 도광 부재(40)의 측면 및 투광성 부재(50)의 측면을 직접 피복하고 있다. 피복 부재(701)의 전면(前面)은 투광성 부재(50)의 전면(前面)과 실질적으로 동일면을 구성하고 있다.
이와 같은 실시예 1의 발광 장치는 이하와 같이 제작된다. 또한 본 실시예 1에서는 도 2에 도시한 구조의 기판(10)을 이용한다.
[제1 공정]
기판(10) 상에, 제1 발광 소자(31)와 제2 발광 소자(32)를 포함하는 복수개의 발광 소자를, 세로 방향, 즉 Y 방향으로 서로 이격시켜 나란히 두어, 각각 플립 칩 실장한다. 보다 구체적으로는, 기판(10)의 배선(11)의 각 소자 접속 단자부 상에 도전성 접착 부재(20)로 되는 금-주석계 땜납의 페이스트를 도포하고, 그 위에 각 발광 소자를 높은 뒤, 리플로우(최고 도달 온도 320℃)에 의해 금-주석계 땜납을 용융, 고화시키면 된다. 이 때, 각 발광 소자는 가로 방향, 즉, X 방향이 긴 쪽이 되도록, 즉 서로 긴 쪽 측면을 마주하도록 배열된다. 제1 발광 소자(31)와 제2 발광 소자(32)의 간격(중심 간 거리)은 0.37㎜이다.
[제2 공정]
다음으로, 각 발광 소자 상에 투광성 부재를 도광 부재를 통해 접착함으로써, 복수의 발광 구조체를 형성한다. 즉, 적어도 제1 발광 소자(31) 상에 제1 투광성 부재(51)를 도광 부재(40)를 통해 접착하고 제2 발광 소자(32) 상에 제2 투광성 부재(52)를 도광 부재(40)를 통해 접착한다. 이 때, 제1 투광성 부재(51)의 긴 측면의 하나인 제1 측면(51L)과 제2 투광성 부재(52)의 긴 측면의 하나인 제2 측면(52L)을 서로 이격시키고 그리고 마주보게 한다. 보다 구체적으로는, 제1 발광 소자(31), 제2 발광 소자(32) 상에 도광 부재(40)로 되는 액상 수지를 각각 도포하고, 그 위에 제1 투광성 부재(51), 제2 투광성 부재(52)를 각각 놓은 후, 오븐에서 가열하고 수지를 경화시키면 된다. 여기서, 제1 측면(51L)과 제2 측면(52L)의 간격은 0.08 ~ 0.09㎜이다. 또한, 각 투광성 부재는 모재(55)와 제1 형광체(61)로 이루어진 제1 시트, 모재(55)와 제2 형광체(62)로 이루어진 제2 시트 및 모재(55)로 이루어진 제3 시트를 이 순서로 열 압착에 의해 서로 붙인 시트를, 초음파 커터를 절단 칼로서 구비하는 건식의 절단 장치를 이용하여 작은 조각으로 절단하여 제작한다. 또한, 이 때, 제1 측면(51L) 및 제2 측면(52L)은 주로 β사이알론의 제1 형광체(61)의 존재에 의해 형성되는 볼록부를 가지고 있다.
[제3 공정]
다음으로, 각 발광 구조체에 있어서의 투광성 부재의 긴 쪽 측면을 절삭한다. 즉, 적어도 제1 투광성 부재의 제1 측면(51L) 및/또는 제2 투광성 부재의 제2 측면(52L)을 깎아 제1' 측면(51LS) 및/또는 제2' 측면(52LS)을 노출시킨다. 보다 구체적으로는, 건식의 절삭 장치에 구비되는 두께 0.13㎜의 다이싱 블레이드인 절삭 공구(90)를, 블레이드의 반면(盤面)을 X 방향에 평행하게 향하게 하고, Y 방향에 대해서는 절삭 공구(90)의 칼이 제1 측면(51L)과 제2 측면(52L)의 적어도 한쪽으로 접촉하는 위치로 설정하여, 기판(10) 상에서 X 방향으로 주사하면 된다. 이에 의해, 제1' 측면(51LS) 및 제2' 측면(52LS)은 볼록부가 깍여 고르게 된다. 또한, 이후, 각 발광 구조체의 투광성 부재의 짧은 쪽 측면도 마찬가지로 절삭하여도 좋다.
[제4 공정]
다음으로, 각 발광 구조체의 측면을 피복하는 광 반사성의 피복 부재(70)를 기판(10) 상에 형성한다. 보다 구체적으로는, 트랜스퍼 성형기를 사용하여, Y 방향으로 배열된 복수의 발광 구조체를 하나의 직육면체 형상의 블록의 피복 부재(70)로 완전히 매립하도록, 기판(10) 상에 피복 부재(70)를 성형한다. 그리고, 연삭 장치를 이용하여, 그 피복 부재(70)을 위쪽 방향에서부터 연삭하여, 각 투광성 부재의 상면을 노출시키면 된다.
[제5 공정]
마지막으로, 각 발광 구조체 사이의 기판(10)과 피복 부재(70)를 절단하여, 발광 장치(100)을 개별적으로 조각화한다. 보다 구체적으로는, 두께 0.05㎜의 다이싱 블레이드인 절삭 공구(92)를, 블레이드의 반면(盤面)을 X 방향에 평행하게 향하도록 하고, Y 방향에 대해서는 제1 측면(51L) 또는 제1' 측면(51LS)과, 제2 측면(52L) 또는 제2' 측면(52LS)의 사이의 중앙에 설정하여, X 방향으로 주사함으로써, 기판(10) 및 피복 부재(70)를 절단하면 된다.
본 발명의 일 실시형태에 관계된 발광 장치는, 액정 디스플레이의 백라이트 장치, 각종 조명 기구, 대형 디스플레이, 광고나 행선지 안내 등의 각종 표시 장치, 프로젝터 장치, 나아가 디지털 비디오 카메라, 팩시밀리, 복사기, 스캐너 등의 화상판독장치 등에 이용할 수 있다.
10: 기판(집합 기판)
S: 관통 구멍
101: 작은 조각 기판
11: 배선
111: 배선(개별적으로 조각화된 이후)
15: 기체(基體)
151: 기체(基體: 개별적으로 조각화된 이후)
20: 도전성 접착 부재
30: 발광 소자
31: 제1 발광 소자
32: 제2 발광 소자
40: 도광 부재
50: 투광성 부재
51: 제1 투광성 부재
51L: 제1 측면
51LS: 제1' 측면
52: 제2 투광성 부재
52L: 제2 측면
52LS: 제2' 측면
55: 투광성 부재의 모재
60: 파장 변환 물질
61: 제1 형광체
62: 제2 형광체
70: 광 반사성의 피복 부재
701: 광 반사성의 피복 부재(개별적으로 조각화 된 이후)
75: 광 반사성의 피복 부재의 모재
77: 백색 안료
90, 92: 절삭 공구
100: 발광 장치

Claims (7)

  1. 발광 장치의 제조 방법으로서,
    기판 상에 제1 발광 소자와 제2 발광 소자를 서로 이격시켜 플립 칩 실장하는 제1 공정과,
    제1 측면을 갖는 제1 투광성 부재를 상기 제1 발광 소자 상에 접착시키고, 제2 측면을 갖는 제2투광성 부재를 상기 제2 측면이 상기 제1 측면과 이격되고 그리고 마주보도록 상기 제2 발광 소자 상에 접착시키는 제2 공정과,
    상기 제1 측면 및 상기 제2 측면 중 적어도 하나를 절삭하여 제1' 측면 및 제2' 측면 중 적어도 하나를 노출시키는 제3 공정과,
    상기 제1 측면 또는 상기 제1' 측면, 및 상기 제2 측면 또는 상기 제2' 측면을 피복하는 광 반사성의 피복 부재를 상기 기판 상에 형성하는 제4 공정과,
    상기 제1 측면 또는 상기 제1' 측면과, 상기 제2 측면 또는 상기 제2' 측면과의 사이에서, 상기 기판 및 상기 피복 부재를 절단하는 제5 공정을 순차로 구비하는, 발광 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제3 공정에서, 상기 제2 공정 완료 시의 상기 제1 측면과 상기 제2 측면의 간격보다 큰 두께의 절삭 공구를 사용하는, 발광 장치의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 투광성 부재 및 상기 제2 투광성 부재가, 각각, 모재와, 상기 모재 중에 함유되어 상기 제1 발광 소자 및 상기 제2 발광 소자의 일차 광을 흡수하여 상기 일차 광의 파장과 다른 파장의 이차 광을 발하는 파장 변환 물질을 포함하고,
    상기 제3 공정보다 이전에, 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면이 각각 상기 파장 변환 물질의 존재에 의해 형성되는 볼록부를 가지고 있고,
    상기 제3 공정에서, 상기 볼록부를 절삭하는, 발광 장치의 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 모재가 실리콘 수지 또는 변성 실리콘 수지이고,
    상기 파장 변환 물질이 제1 형광체를 포함하고,
    상기 제1 형광체가 사이알론계 형광체인, 발광 장치의 제조 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 투광성 부재 및 상기 제2 투광성 부재가, 각각, 모재와, 상기 모재 중에 함유되어, 상기 제1 발광 소자 및 상기 제2 발광 소자의 일차 광을 흡수하여 상기 일차 광의 파장과 다른 파장의 이차 광을 발하는 파장 변환 물질을 포함하고,
    상기 파장 변환 물질이 제2 형광체를 포함하고,
    상기 제2 형광체가 망간 활성 불화물계 형광체이고,
    상기 제3 공정에서, 건식의 절삭 장치에 의해 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면 중 적어도 하나를 절삭하는, 발광 장치의 제조 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 발광 소자, 상기 제2 발광 소자, 상기 제1 투광성 부재 및 상기 제2 투광성 부재의 각각의 상면에서 보았을 때의 형상이, 제1 방향으로 연장되는 2개의 긴 쪽 측면과 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 연장되고 상기 긴 쪽 측면보다 짧은 2개의 짧은 쪽 측면을 포함하는 형상이고,
    상기 제1 측면 및 상기 제2 측면이 상기 긴 쪽 측면인, 발광 장치의 제조 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1' 측면과 상기 제2' 측면의 간격이 0.05㎜ 이상, 0.4㎜ 이하인, 발광 장치의 제조 방법.
KR1020170027938A 2016-04-06 2017-03-03 발광 장치의 제조 방법 KR102126853B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200074289A KR102262769B1 (ko) 2016-04-06 2020-06-18 발광 장치의 제조 방법

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-076829 2016-04-06
JP2016076829A JP6304297B2 (ja) 2016-04-06 2016-04-06 発光装置の製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200074289A Division KR102262769B1 (ko) 2016-04-06 2020-06-18 발광 장치의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170114919A KR20170114919A (ko) 2017-10-16
KR102126853B1 true KR102126853B1 (ko) 2020-06-25

Family

ID=58682665

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170027938A KR102126853B1 (ko) 2016-04-06 2017-03-03 발광 장치의 제조 방법
KR1020200074289A KR102262769B1 (ko) 2016-04-06 2020-06-18 발광 장치의 제조 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200074289A KR102262769B1 (ko) 2016-04-06 2020-06-18 발광 장치의 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (3) US9929323B2 (ko)
JP (1) JP6304297B2 (ko)
KR (2) KR102126853B1 (ko)
CN (1) CN107275457B (ko)
GB (2) GB2585509B (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6471764B2 (ja) * 2017-03-31 2019-02-20 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
EP3503225B1 (en) * 2017-12-22 2021-04-07 Nichia Corporation Light emitting device
JP6773063B2 (ja) 2018-02-22 2020-10-21 日亜化学工業株式会社 透光性部材の形成方法
JP6848997B2 (ja) * 2018-04-11 2021-03-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10553768B2 (en) * 2018-04-11 2020-02-04 Nichia Corporation Light-emitting device
JP7076294B2 (ja) * 2018-06-18 2022-05-27 日機装株式会社 発光装置の製造方法
JP7117170B2 (ja) * 2018-06-20 2022-08-12 スタンレー電気株式会社 発光装置
EP3608959B1 (en) 2018-08-06 2023-11-15 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing same
JP7022284B2 (ja) * 2019-06-17 2022-02-18 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP7022285B2 (ja) 2019-07-02 2022-02-18 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US11749786B2 (en) 2019-10-15 2023-09-05 Lumileds Llc Multicolor phosphor-converted LED array
US11063191B2 (en) 2019-10-15 2021-07-13 Lumileds Llc Forming a multicolor phosphor-converted LED array
WO2021076724A1 (en) * 2019-10-15 2021-04-22 Lumileds Llc Forming a multicolor phosphor-converted led array
US20220399480A1 (en) * 2019-10-23 2022-12-15 Denka Company Limited Phosphor plate, light emitting device, and method for manufacturing phosphor plate

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140131753A1 (en) 2012-11-09 2014-05-15 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting device and light emitting device
US20140217437A1 (en) 2013-02-07 2014-08-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting apparatus and manufacturing method thereof

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8232564B2 (en) * 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
CN101878540B (zh) 2007-11-29 2013-11-06 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
JP2010093132A (ja) * 2008-10-09 2010-04-22 Sharp Corp 半導体発光装置およびそれを用いた画像表示装置、液晶表示装置
JP2011066193A (ja) 2009-09-17 2011-03-31 Rohm Co Ltd 光学装置および光学装置の製造方法
JP2011068193A (ja) 2009-09-24 2011-04-07 Toyota Auto Body Co Ltd 車両用リフタ
CN102222625A (zh) * 2010-04-16 2011-10-19 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其基座的制造方法
JP4974310B2 (ja) 2010-10-15 2012-07-11 三菱化学株式会社 白色発光装置及び照明器具
JP2013077679A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置とその製造方法
JP2014078678A (ja) 2012-09-18 2014-05-01 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光装置の製造方法
JP6127468B2 (ja) * 2012-11-22 2017-05-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2014081042A1 (ja) 2012-11-26 2014-05-30 シチズン電子株式会社 発光装置
JP5995695B2 (ja) 2012-12-03 2016-09-21 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄ装置の製造方法
JP2014207349A (ja) 2013-04-15 2014-10-30 パナソニック株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2014216622A (ja) 2013-04-30 2014-11-17 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US11024781B2 (en) * 2014-01-07 2021-06-01 Lumileds Llc Glueless light emitting device with phosphor converter
JP6351265B2 (ja) * 2014-01-09 2018-07-04 デンカ株式会社 蛍光体含有多層膜シート、並びに発光装置
KR102231580B1 (ko) * 2014-02-14 2021-03-24 엘지이노텍 주식회사 광변환기판 및 이를 포함하는 발광패키지, 차량용 램프
JP6477001B2 (ja) * 2014-03-14 2019-03-06 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
CN105047786A (zh) * 2015-05-29 2015-11-11 广州市鸿利光电股份有限公司 芯片级封装led的封装方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140131753A1 (en) 2012-11-09 2014-05-15 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting device and light emitting device
US20140217437A1 (en) 2013-02-07 2014-08-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting apparatus and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
US10153410B2 (en) 2018-12-11
JP2017188593A (ja) 2017-10-12
US20190074414A1 (en) 2019-03-07
US10825968B2 (en) 2020-11-03
GB2550055B (en) 2020-09-23
KR20200074935A (ko) 2020-06-25
KR102262769B1 (ko) 2021-06-08
GB2550055A (en) 2017-11-08
GB2585509B (en) 2021-07-07
GB201705481D0 (en) 2017-05-17
US20170294563A1 (en) 2017-10-12
GB2585509A (en) 2021-01-13
US9929323B2 (en) 2018-03-27
CN107275457A (zh) 2017-10-20
KR20170114919A (ko) 2017-10-16
US20180175259A1 (en) 2018-06-21
JP6304297B2 (ja) 2018-04-04
GB202011878D0 (en) 2020-09-16
CN107275457B (zh) 2022-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102126853B1 (ko) 발광 장치의 제조 방법
US11038089B2 (en) Light emitting device
JP6384508B2 (ja) 発光装置
TWI766841B (zh) 發光裝置及其製造方法
JP6662322B2 (ja) 発光装置
JP6471764B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP6515940B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2006156668A (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2017201666A (ja) 発光装置の製造方法
US10439097B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
KR102493235B1 (ko) 투광성 부재의 제조 방법 및 발광 장치의 제조 방법
JP2020021823A (ja) 発光装置
JP6658829B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP6528872B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP2019057627A (ja) 発光装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
A107 Divisional application of patent