WO2014081042A1 - 発光装置 - Google Patents

Abstract

　発光素子から照射された光が上方の領域に照射される発光装置を提供する。　発光装置１は、回路基板２０と、回路基板の上面に実装された発光素子１０と、発光素子１０の上面に配置された蛍光体樹脂層１２と、蛍光体樹脂層１２の上面に配置され、発光素子１０から照射された光を拡散する拡散樹脂層１６mと、発光素子１０の側面を囲むように配置された第１反射材１４と、拡散樹脂層１６mの側面を囲むように配置された第２反射材１８と、を有することを特徴とする。

Description

発光装置

　本発明は、発光装置に関する。より詳細には、本発明は、発光素子を有する発光装置に関する。

　半導体発光素子である発光ダイオード（Light-Emitting Diode、ＬＥＤ）を発光素子として使用する発光装置が広く使用されている。発光装置には、光源、光源を含む表示装置、光源を含む電球や照明装置、フラッシュ用の光源を含む発光装置が含まれる。また、発光素子は回路基板やリードフレームに実装される。発光素子が回路基板に実装される場合には、ボンディングワイヤおよび／もしくはバンプにより回路基板に電気的に接続される。

　特許文献１には、一面に接続電極を有し他の一面にこの接続電極と導通する端子電極を有する両面プリント配線基板と、両面プリント配線基板上に実装した発光素子と、この発光素子を封止する樹脂と、から成る半導体発光装置が開示されている。また、発光素子の出光面以外の全ての面を拡散反射効果のある樹脂で被覆し、出光面を蛍光体入り樹脂で覆っていることが開示されている。

　また、近年、発光素子の周囲を反射性の白色樹脂で被覆し、発光素子の側面及び裏面から照射された光を上方に反射させることで、上方向への照射効率を向上させる白色樹脂被覆型の発光装置が提案されている（例えば、特許文献１－５を参照）。

　特許文献２及び３では、白色樹脂として、反射性のフィラーが混入されたコーティング材が使用されている。コーティング材としてシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリリル樹脂等が使用され、反射性のフィラーとして酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニューム、アルミナ、窒化ホウ素等の粒子が使用される。白色樹脂は、ＬＥＤの側面及び裏面から照射された光を反射して、発光装置の照射効率を向上させる機能を有する。

　また、特許文献４では、基板に実装された発光素子と、発光素子の上面に接着した蛍光体板と、基板上に設けられて発光素子の側面と蛍光体板の側面を封止する反射性の白色樹脂と、蛍光体の上面と白色樹脂の上面とを被覆した透明な樹脂と、を有する発光装置が開示されている。さらに、特許文献５では、基板に実装された発光素子と、発光素子の上面に接着された蛍光体板と、蛍光体板の上面に接着された拡散板と、基板の上面に設けられて発光素子の側面と蛍光体板の側面と拡散板の側面を封止する反射性の白色樹脂と、を有する発光装置が開示されている。

特開２００５－２７７２２７号公報 特開２０１０－１９２６２９号公報 特開２００７－１９０９６号公報 特開２０１３－００４８０２号公報 特開２０１３－０１６５８８号公報

先行技術を鑑みて、本発明の一つの目的は、発光素子から出射される光の指向性を上方に定めた発光装置を提供することにある。また、本発明のもう一つの目的は、発光素子から出射される光の色ムラを抑制する構造を有する発光装置を提供することにある。

　本発明に係る発光装置の第一の態様において、発光装置は、回路基板と、回路基板の上面に実装された発光素子と、発光素子の上面に配置された蛍光体樹脂層と、蛍光体樹脂層の上面に配置され、発光素子から照射された光を拡散する拡散樹脂層と、基板の上面に設けられて発光素子の側面を囲むように配置された第１反射材と、拡散樹脂層の側面を囲む第２反射材と、を有する。

　さらに、本発明に係る発光装置の第二の態様では、第２反射材の垂直断面形状は、逆台形状であることが開示される。

　さらに、本発明に係る発光装置の一実施形態において、第２反射材の下端は、蛍光体樹脂層の上面より上方に位置することが開示されている。また、第２反射材は、蛍光体樹脂層の側面を囲むように配置されることが開示される。

　さらに、本発明に係る発光装置の第三の態様では、第２反射材の垂直断面形状は、下側に頂点がある三角形状であることが開示される。

　さらに、本発明に係る発光装置の第四の態様では、第２反射材の下端は、蛍光体樹脂層の上面より下方に位置することが開示される。また、第２反射材は、蛍光体樹脂層の側面を囲むように配置されることが開示される。

　さらに、本発明に係る発光装置の第五の態様では、第２反射材は、直線的に延伸する第１線状部と、第１線状部に平行に延伸する第２線状部と、第１線状部と直交するように延伸する第３線状部と、第３線状部に平行に延伸する第４線状部とを有することが開示される。

　さらに、本発明に係る発光装置の一実施形態では、発光素子の上面の面積と、蛍光体樹脂層の上面の面積とが同一であることが開示される。

　さらに、本発明に係る発光装置の一実施形態では、第２反射材は、蛍光体樹脂層の上面の面積と、第２反射材に囲まれた拡散樹脂層の上面の面積とが、同一であることが開示される。

　さらに、本発明に係る発光装置の一実施形態では、第２反射材は、第２反射材に囲まれた拡散樹脂層の上面の面積は、蛍光体樹脂層の上面の面積より小さいことが開示される。

　さらに、本発明に係る発光装置の一実施形態では、第２反射材は、第２反射材に囲まれた拡散樹脂層の上面の面積は、蛍光体樹脂層の上面の面積より大きいことが開示される。

　さらに、本発明に係る発光装置の第六の態様において、第２反射材は、拡散樹脂層の側面、蛍光体樹脂層の側面の一部、及び第１反射材の側面の一部を覆うように配置されることが開示される。また、第２反射材の一部が蛍光体樹脂層及び発光素子の上方に位置し、第２反射材の下端が発光素子の上面より下方に位置することが開示される。

　さらに、本発明に係る発光装置の第七の態様において、第２反射材は、第１底面及び第１底面の下方に位置する第２底面を有し、第１底面は蛍光体樹脂層の上方に位置し、第２底面は発光素子の上面より下方に位置することが開示される。

　さらに、第２反射材は第１反射材の側面の全て覆い、第２底面は回路基板の上面より下方に位置することが開示される。

　さらに、第２反射材の少なくとも一辺は、第１底面の下方且つ第２底面の上方に位置する第３底面を更に有することが開示される。

　さらに、第２底面は、回路基板の上面の一部を削剥して形成されることが開示される。

　さらに、第２反射材の反射率は、第１反射材の反射率よりも大きいことが開示される。

　本発明に係る発光装置の実施形態において、発光素子から出射される光の指向性を上方に定めることが可能になった。また、本発明に係る発光装置の実施形態において、発光素子から出射される光の色ムラを軽減することが可能になった。

（ａ）は本発明の第１実施形態に係る発光装置の断面図である。（ｂ）は（ａ）に示す発光装置の平面図である。 （ａ）は図１に示す発光装置の製法に係る第１工程を示す。（ｂ）は第２工程を示す。（ｃ）は第３工程を示す。（ｄ）は第４工程を示す。（ｅ）は第５工程を示す。（ｆ）は第６工程を示す。 （ａ）は図１に示す発光装置の断面図であり、発光時に、図１に示す発光装置の上方へ向かう光を説明する説明図である。（ｂ）は図１に示す発光装置の平面図であり、発光時における発光装置の光を説明する説明図である。 （ａ）は参考例として示す発光装置の断面図であり、発光時に、発光装置９０１の上方へ向かう光を説明する説明図である。（ｂ）は（ａ）に示す発光装置の平面図であり、発光時における発光装置９０１の光を説明する説明図である。 （ａ）は第２実施形態に係る発光装置の断面図である。（ｂ）は（ａ）に示す発光装置の平面図である。 （ａ）は図５に示す発光装置の製法に係る第１工程を示す。（ｂ）は第２工程を示す。（ｃ）は第３工程を示す。（ｄ）は第４工程を示す。（ｅ）は第５工程を示す。（ｆ）は第６工程を示す。 （ａ）は本発明の第３実施形態に係る発光装置の断面図である。（ｂ）は（ａ）に示す発光装置の平面図である。 は第４実施形態に係る発光装置の断面図である。 （ａ）は図８に示す発光装置の第１工程を示す。（ｂ）は第２工程を示す。（ｃ）は第３工程を示す。（ｄ）は第４工程を示す。（ｅ）は第５工程を示す。（ｆ）は第６工程を示す。 （ａ）は第５実施形態に係る発光装置の断面図である。（ｂ）は第６実施形態に係る発光装置の断面図である。 （ａ）は図１０（ｂ）に示す発光装置の製法に係る第１工程を示す。（ｂ）は第２工程を示す。（ｃ）は第３工程を示す。（ｄ）は第４工程を示す。（ｅ）は第５工程を示す。（ｆ）は第６工程を示す。 （ａ）は第７実施形態に係る発光装置の断面図である。（ｂ）は第８実施形態に係る発光装置の断面図である。 （ａ）は第９実施形態に係る発光装置の平面図である。（ｂ）は（ａ）に示す発光装置のＡ－Ａ´線に沿う断面図である。（ｃ）は、（ａ）に示す発光装置のＢ－Ｂ´線に沿う断面図である。（ｄ）は（ａ）に示す発光装置の回路図である。（ｅ）は（ａ）に示す発光装置のＡ－Ａ´線に沿う断面図である。 （ａ）は図１３に示す発光装置の製法に係る第１工程を示す。（ｂ）は第２工程を示す。（ｃ）は第３工程を示す。（ｄ）は第４工程を示す。（ｅ）は第５工程を示す。（ｆ）は第６工程を示す。 （ａ）は、第１０実施形態に係る発光装置の平面図である。（ｂ）は（ａ）に示す発光装置のＣ－Ｃ´線に沿う断面図である。（ｃ）は（ａ）に示す発光装置のＤ－Ｄ´線に沿う断面図である。（ｄ）は発光状態の（ａ）に示す発光装置のＣ－Ｃ´線に沿う断面図である。 （ａ）は第１１実施形態に係る発光装置の上方からみた斜視図である。（ｂ）は第１１実施形態に係る発光装置の下方からみた斜視図である。 （ａ）は図１６に示す発光装置の平面図である。（ｂ）は（ａ）に示す発光装置のＥ－Ｅ´線に沿う断面図である。（ｃ）は（ａ）に示す発光装置のＦ－Ｆ´線に沿う断面図である。（ｄ）は発光状態の（ａ）に示す発光装置のＥ－Ｅ´線に沿う断面図である。 は、回路基板の上面に形成される配線と、発光素子及びツェナーダイオードとの位置関係を示す図である。 は、図１６に示す発光装置の製造工程の第５工程で削剥される第１溝と、回路基板の上面に形成される配線との間の平面位置関係を示す図である。 は、図１６に示す発光装置の製造工程の第５及び第６工程で削剥される第１及び第２溝と回路基板の上面に形成される配線との間の平面位置関係を示す図である。 は、図１６に示す発光装置の製造工程の第５～第７工程で削剥される第１～第３溝と、回路基板の上面に形成される配線との間の平面位置関係を示す図である。 （ａ）は図１６に示す発光装置の製造工程の第５工程を示す図である。（ｂ）は第６工程を示す図である。（ｃ）は第７工程を示す図である。（ｄ）は第８工程を示す図である。 （ａ）は図１６に示す発光装置の製造工程の第５工程を示す図である。（ｂ）は第６工程を示す図である。（ｃ）は第７工程を示す図である。（ｄ）は第８工程を示す図である。 （ａ）は図１５に示す発光装置の非発光状態を示す図である。（ｂ）は図１７に示す発光装置の非発光状態を示す図である。 （ａ）は第２反射材に含有される反射物質の含有率が高い場合の発光状態の画像(グレースケール化した画像)の平面画像である。（ｂ）は（ａ）に示す場合の発光強度分布を色付けで表した画像の平面画像である。（ｃ）は、（ａ）に示す場合のＥ－Ｅ´線に沿う断面画像である。（ｄ）は第２反射材に含有される反射物質の含有率が低い場合の発光状態の画像(グレースケール化した画像)の平面画像である。（ｅ）は（ｄ）に示す場合の発光強度分布を色付けで表した画像の平面画像である。（ｆ）は（ｄ）に示す場合のＥ－Ｅ´線に沿う断面画像である。 （ａ）は第１発光装置１の平面図である。（ｂ）は第１発光装置１の第１変形に係る発光装置の平面図である。（ｃ）は第１発光装置１の第２変形に係る発光装置の平面図である。（ｄ）は第１発光装置１の第３変形に係る発光装置の平面図である。（ｅ）は第１発光装置１の第４変形に係る発光装置の平面図である。

　以下図面を参照して、本発明に係る発光装置について説明する。但し、本発明の技術的範囲はそれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された発明との均等物に及ぶ点に留意されたい。

　本明細書に使用される「および／もしくは」という言葉は、関連して記載された項目の一つ、もしくは一つ以上の組み合わせのうちのいずれか、もしくはそれらの組み合わせの全て、を含んでいる。

　本明細書において使用される言葉は、それぞれの実施形態を描写する目的のために使用されるのであって、本発明の限定を意図するものではない。本明細書において、「一つの」、「その」のような単数の形で記載されている場合であっても、複数の形である場合も含むことが意図されているが、そうでないことが記載内容から明らかに読み取れる場合は除く。

　さらに、「～から成る」「～を含む」および／もしくは「～を有する」という言葉が本明細書にて使用される場合、記載された特徴、構成要素、および／もしくは構成要素の部分の存在が記載される場合、それらのうち一つ以上の他の特徴、構成要素、および／もしくは構成要素の部分の存在や追加について排除するものとはならない点に留意されたい。 

　本明細書において用いられる「～の下方に」や「～の上方に」、「上の」や「下の」、「上方へ」や「下方へ」のような相対語は、図に示される、ある要素、部分、面、エリアもしくは方向と、別の構成要素、部分、面、エリアもしくは方向との関係を描写するものとして使用されている場合がある。これらの言葉は、図に示される方向に加えて、発光装置の異なる向きを含むことを意図されている点に留意されたい。

　また、以下の説明、及び参照される図面において、同一の構成及び機能を有する要素には同一の符号が付されている。同一の符号が付される要素については、重複する説明は省略される。

　（第１実施形態）
　図１（ａ）は第１実施形態に係る発光装置の断面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）に示す発光装置の平面図である。

　第１発光装置１は、回路基板２０と、回路基板２０の上面に実装された発光素子１０と、発光素子１０の上面に配置される蛍光体樹脂層１２と、蛍光体樹脂層１２の上面に配置され、発光素子から照射された光を拡散する拡散樹脂層１６mと、回路基板２０の上面に設けられて、発光素子１０の側面を封止する第１反射材１４と、拡散樹脂層１６mの側面を囲む第２反射材１８aと、を有する。本実施形態において、第１反射材１４は、発光素子１０の側面及び蛍光体樹脂層１２の側面を封止する。拡散樹脂層１６mを含む拡散樹脂材１６は、蛍光体樹脂層１２及び第１反射材１４の上および／もしくは上方に配置されている。第１発光装置１の基板２０は、発光素子１０と電気的に接続される、アノード電極２２と、カソード電極２４とを更に有する。

　発光素子１０は、一例として、方形の平面を有するサファイア基板と、サファイア基板の上に形成された半導体層とを有する発光ダイオードである。半導体層は、ｎ型半導体層と、発光層と、ｐ型半導体層とを含み、サファイア基板の一方の面に形成される。

　本実施形態において、回路基板２０に実装された発光素子１０のｎ型半導体層と、ｐ型半導体層は発光素子１０の下面に位置する。発光素子１０は、バンプ１７ａ及び１７ｂを介して回路基板２０の上面に形成されるプリント配線２２ａ、２４aに実装される。発光素子１０の発光層は、アノード電極２２及びカソード電極２４の間に所定のしきい値電圧以上の電圧が印加されると発光を開始する。

　蛍光体樹脂層１２は、発光素子１０から照射される光の波長を変換する蛍光体を有する平板材である。蛍光体樹脂層１２の蛍光体として、ＹＡＧ(Yttrium Aluminum Garnet)蛍光体、珪酸塩蛍光体、窒化物蛍光体又は硫化物蛍光体等が使用される。蛍光体樹脂層１２の上面の面積は、発光素子１０の上面の面積と略同一である。蛍光体樹脂層１２は、発光素子１０の上面に透明接着剤によって接着される。本実施形態では、蛍光体樹脂層１２は、平面視で正方形形状を有する。

　第１反射材１４は、反射物質として酸化チタンを含有するシリコーンである。第１反射材１４の酸化チタンの含有率は、３０重量パーセントである。酸化チタンの含有量を３０重量パーセントよりも多くした場合、バンプにより形成される発光素子１０と回路基板２０との間の隙間への第１反射材１４の浸透が困難になるためである。第１反射材１４は、発光素子１０の側面と、蛍光体樹脂層１２の側面とを反射性の第１反射材１４で充填封止するように、成型金型を用いて回路基板２０上に配置される。

　拡散樹脂材１６は、発光素子１０から照射された光を拡散する拡散粒子を含む。拡散樹脂材１６は、蛍光体樹脂層１２の上面および第１反射材１４の上面を被覆している。

　第２反射材１８ａは、反射物質として酸化チタンを含有するシリコーンである。第２反射材１８ａの酸化チタンの含有率は、第１反射材１４と同様に３０重量パーセントである。第２反射材１８ａは、二対の平行線状の第２反射材１８aが互いに交差する。すなわち、第２反射材１８ａは、横方向に直線的に延伸する第１線状部と、第１線状部に平行に延伸する第２線状部と、第１線状部と直交するように縦方向に延伸する第３線状部と、第３線状部に平行に延伸する第４線状部とを有する。第２反射材１８ａの互いに平行な第１線状部と第２線状部と、互いに平行でかつ第１線状部と第２線状部に交差する第３線状部と第４線状部は、発光素子１０の発光面となる拡散樹脂層１６ｍを囲む四角形の反射枠を構成する。第２反射材１８ａは平面視で井桁状である。また、第２反射材１８aは、拡散樹脂層16mと同じ厚みを有することが図１で示す実施例において開示されている。

　蛍光体樹脂層１２に対応する四角形の拡散樹脂層１６ｍを取り囲むように形成された、第２反射材１８aの反射枠は、発光素子１０から放射された光の方向を規制する放射方向規制部材として機能する。

　回路基板２０は、下面にはアノード電極２２とカソード電極２４が形成される。回路基板２０は、アノード電極２２に電気的に接続される配線２２aと、カソード電極２４に電気的に接続される配線２４aが印刷により回路基板２０の上面に形成される。配線２２aは、スルーホール電極２２ｃを介してアノード電極２２aと電気的に接続される。配線２４aは、スルーホール電極２４ｃを介してカソード電極２４と電気的に接続される。スルーホール電極の代わりに、電極が回路基板の上面から側面を通り下面へと一体的に延びる構造としてもよい。本実施形態における回路基板２０は、窒化アルミ基板である。

　図２は第１発光装置１の製造工程を示す工程図である。図２（ａ）は第１工程を示す。図２（ｂ）は第２工程を示す。図２（ｃ）は第３工程を示す。図２（ｄ）は第４工程を示す。図２（ｅ）は第５工程を示す。図２（ｆ）は第６工程を示す。

　まず、第１工程において、回路基板２０に発光素子１０をバンプ１７ａ及び１７ｂを介してフリップチップ実装する。発光素子１０は、フリップチップ接続により、回路基板２０の上面に印刷される配線と電気的に接続される。

　次いで、第２工程において、蛍光体樹脂層１２が発光素子１０の上面に透明接着剤によって配置される。

　次いで、第３工程において、第１反射材１４が、蛍光体樹脂層１２と発光素子１０とが配置された回路基板２０の上面に充填される。第１反射材１４の充填は、成型金型を使用して行われる。第１反射材１４は、発光素子１０及び蛍光体樹脂層１２の側面に充填されると共に、発光素子１０と回路基板２０との間の隙間１４ｍに充填される。

　次いで、第４工程において、拡散樹脂材１６が、蛍光体樹脂層１２の上面及び第１反射材１４の上面に被覆される。

　次いで、第５工程において、蛍光体樹脂層１２の上面縁に沿って、拡散樹脂材１６の一辺から対向する他辺に向かって拡散樹脂材１６を削剥することによって二対の直方体形状の溝１６ａが形成される。二対の直方体形状の溝１６ａは、一定の幅を有する切削刃を使用する。平面視で、発光素子１０の上面縁を囲む形状を有する溝１６aが形成される。

　そして、第６工程において、第５工程で形成された二対の直方体形状の溝１６ａに反射材を充填することにより、第２反射材１８ａが形成される。

　図３（ａ）は図１に示す第１発光装置１の断面図であり、発光時に、第１発光装置１の上方へ向かう光を説明する説明図である。図３（ｂ）は図１に示す発光装置の平面図であり、発光時における発光装置の光を説明する説明図である。図３（ｂ）において、破線は、蛍光体樹脂層１２を示す。

　第１発光装置１のアノード電極２２カソード電極２４との間に駆動電圧を供給すると、発光素子１０に駆動電流が流れて、発光素子１０は光を放射する。発光素子１０から放射された光の一部は、蛍光体樹脂層１２で蛍光体により波長変換される。また、発光素子１０から放射された他の光は、蛍光体樹脂層１２で蛍光体に波長変換されることなく、発光素子１０からの直接放射光として外部に放射される。拡散樹脂層１６ｍにおいて、蛍光体樹脂層１２で蛍光体により波長変換された光と発光素子から直接放射された光とが混合され、且つ拡散されることによって、色むらが抑制された照明光Ｐａが拡散樹脂層１６ｍから放射される。

　第１発光装置１では、照明光Ｐａの多くは、拡散樹脂層１６ｍの周囲に設けられた第２反射材１８aによって、放射光の一部が内側に反射されることによって集光される。結果として、発光素子１０から出射された光は、Ｐａ１と照射幅Ｈ１の四角形状に規制された照明光Ｐａ２として放射される。第１発光装置１では、蛍光体樹脂層１２の周囲を取り囲むように配置された第１反射材１４ａと、拡散樹脂層１６ｍの周囲に設けられた第２反射材１８aが、発光素子１０から出射された光の方向を規制する放射方向規制部材として機能する。また、放射光Ｐa1は、第１反射材１４ａおよび第２反射材１８aで反射されることなく蛍光体樹脂層１２および拡散樹脂層１６ｍを透過する光である。

　図４（ａ）は参考例として示す発光装置の断面図であり、発光時に、発光装置９０１の上方へ向かう光を説明する説明図である。図４（ｂ）は図４（ａ）に示す発光装置の平面図であり、発光時における発光装置９０１の光を説明する説明図である。図４（ｂ）において、破線は、蛍光体樹脂層１２を示す。

　発光装置９０１は、第２反射材１８ａが配置されないことが第１発光装置１と相違する。発光装置９０１では、発光素子１０から放射された光を反射する第２反射材１８ａが配置されないため、発光素子１０から放射された光は、第１発光装置１のＰａ１とＰａ２から成る照明光Ｐａよりも上方へより広角な範囲に広がる。発光装置９０１から放射される光は、発光面の中心部では照射幅Ｈ１で照明光Ｐｂ１として出射される。また、照明光Ｐｂ１の周囲では、照射幅Ｈ２で外周部分が膨らんだ四角形状に拡散した、照明光Ｐｂ１よりは弱い照明光Ｐｂ２が出射される。さらに、照明光Ｐｂ２の周囲において、照明光Ｐｂ２よりは弱い環状の照明光Ｐｂ３が出射される。したがって、発光装置から出る光の照射幅が、全体的に発光素子の上面よりも大きな円形Ｈ３に拡大する。

　第１発光装置１では、放射方向規制部材として機能する第２反射材１８ａが配置されるため、発光素子１０から放射された光の広がりを規制することによって、照明光Ｐa１およびＰa２から成る輪郭が明確で輝度の高い照明光Ｐａが放射される。一方、発光装置９０１では、発光素子１０から放射された光の広がりが規制されないため、輪郭がぼけて輝度の低下した照明光Ｐｂが放射される。

　（第２実施形態）
　図５（ａ）は第２実施形態に係る発光装置の断面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）に示す発光装置２の平面図である。第２発光装置２は、回路基板２０と、回路基板２０の上面に実装された発光素子１０と、発光素子１０の上面に配置される蛍光体樹脂層１２と、蛍光体樹脂層１２の上面に配置され、発光素子から照射された光を拡散する拡散樹脂層１６mと、回路基板２０の上面に設けられて、発光素子１０の側面を封止する第１反射材１４と、拡散樹脂層１６mの側面を囲む第２反射材１８aと、を有する。本実施形態において、第１反射材１４は、発光素子１０の側面及び蛍光体樹脂層１２の側面を封止する。拡散樹脂層１６mを含む拡散樹脂材１６は、蛍光体樹脂層１２及び第１反射材１４の上および／もしくは上方に配置されている。第２発光装置２の基板２０は、発光素子１０と電気的に接続される、アノード電極２２と、カソード電極２４とを更に有する。

　第２反射材１８ｂは、拡散樹脂層１６ｍを囲む枠形状を有し、拡散樹脂層16mと同じ厚みを有することが開示されている。第２発光装置２は、第２反射材１８ｂの垂直断面形状が四角形状ではなく、第２反射材１８ｂの垂直断面形状が逆台形であることが第１発光装置１と相違する。逆台形とは、下側の辺が上側の辺よりも短い台形を示す。ここで、垂直断面形状は、第２発光装置を拡散樹脂材１６と回路基板２０とをそれぞれが含む２つの部分に分割されるように第２発光装置２を切断したときに、切断面に現れる断面の形状である。また、本実施形態の拡散樹脂層１６ｍは、垂直断面形状が、下側の辺が上側の辺よりも長い台形である。この点も第２発光装置２は第１発光装置１と相違する。

　図６は第２発光装置２の製法に係る製造工程を示す工程図である。
図６（ａ）は第１工程を示す。図６（ｂ）は第２工程を示す。図６（ｃ）は第３工程を示す。図６（ｄ）は第４工程を示す。図６（ｅ）は第５工程を示す。図６（ｆ）は第６工程を示す。

　図６に示す第２発光装置２の製造工程は、第５工程が図２に示す第１発光装置１の製造工程と相違する。第１発光装置１の第５工程では一定の幅を有する切削刃を使用して溝１６aを形成する。拡散樹脂材１６の一辺から対向するもう一辺までを直線的に拡散樹脂材１６を切削することによって、溝１６ａが形成される。一方、第２発光装置２の第５工程では台形形状の切削刃を使用して拡散樹脂材１６を切削することにより台形状の断面形状を有する形状の溝１６ｂが形成される。この場合、拡散樹脂層１６ｍの上面の面積は、蛍光体樹脂層１２の上面の面積よりも小さい。

　第２発光装置２では、拡散樹脂材１６の溝１６ｂの形状が底部より上部の幅が広い逆台形状の溝であるため、溝１６ｂの加工が容易になる。また、第２反射材１８ｂの形状が台形形状となることによって放射光の広がりを規制する効果が高まり、第２発光装置２は、第１発光装置１よりも輪郭が明確で輝度の高い照明光Ｐａが放射される。

　（第３実施形態）
　図７（ａ）は本発明の第３実施形態に係る発光装置の断面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）に示す発光装置の平面図である。本実施形態において、第２反射材１８aは、拡散樹脂層１６ｍを囲む枠形状を有し、拡散樹脂層16mの厚みよりも薄い厚みを有することが開示されている。

　第３発光装置３は、第２反射材１８ｃが拡散樹脂材１６を貫通していないことが、第２発光装置２と相違する。第３発光装置３では、第２反射材１８ｃが拡散樹脂材１６を貫通していないので、第２反射材１８ｃの下端は、蛍光体樹脂層１２の上面より上方に位置する。第３発光装置３では、第５工程において拡散樹脂材１６を削剥するときにハーフダイシングで削剥することにより、拡散樹脂材１６の下面を貫通しない溝が形成される。

　第３発光装置３では、拡散樹脂材１６が第２反射材１８ｃによって切断されない。拡散樹脂材１６と第２反射材１８ｃが互いにかみ合って一体化されているので、第２発光装置２よりも曲げ強度が大きくなる。

　（第４実施形態）
　図８は、第４実施形態に係る発光装置の断面図である。

　第４発光装置４は、第２反射材１８ｄの垂直断面が、拡散樹脂材１６を貫通した有底形状ではなく、頂点が発光素子１０の上面の外縁に位置し且つ底辺が第４発光装置４の上面に位置する三角形状であることが第２発光装置２と相違する。第２反射材１８ｄの下端は、発光素子１０の上面の外縁に達している。

　図９は第４発光装置４の製法に係る製造工程を示す工程図である。図９（ａ）は第１工程を示す。図９（ｂ）は第２工程を示す。図９（ｃ）は第３工程を示す。図９（ｄ）は第４工程を示す。図９（ｅ）は第５工程を示す。図９（ｆ）は第６工程を示す。

　図９に示す第４発光装置４の製造工程は、第５工程が図６に示す第２発光装置２の製造工程と相違する。第２発光装置２の第５工程では台形形状の切削刃を使用して拡散樹脂材１６を切削することにより台形状の断面形状を有する形状の溝１６ｂが形成される。一方、三角形状の切削刃の先端が発光素子１０の外縁に位置するように位置決めし、発光素子１０の外縁近傍まで切削することによって、蛍光体樹脂層１２、第１反射材１４及び拡散樹脂材１６が切削されて三角形状の溝１６ｄが形成される。この場合、拡散樹脂層１６ｍの上面の面積は、蛍光体樹脂層１２の上面の面積よりも小さい。また、蛍光体樹脂層１２の上面の面積は、発光素子１０の上面の面積よりも小さい。

　第４発光装置４では、底辺が第４発光装置４の上面に位置する三角形状の垂直断面形状を有する第２反射材１８ｄが放射方向規制部材として機能して放射光を規制するため、放射方向規制部材として機能する第２反射材１８ｄの幅が大きくなる。放射方向規制部材として機能する第２反射材１８ｄの幅が大きくなることにより、第２発光装置２よりも狭い照射幅Ｈ１ｓの四角形状に規制された強い照明光Ｐａが放射される。

　（第５実施形態、第６実施形態）
　図１０（ａ）は第５実施形態に係る発光装置の断面図である。図１０（ｂ）は第６実施形態に係る発光装置の断面図である。

　第５発光装置５では、第２反射材１８ｅの下端が発光素子１０の上面の外縁に達していない。第２反射材１８eの下端が、蛍光体樹脂層１２の上面の外縁と下面の外縁の間にある中間地点に位置することが第４発光装置４と相違する。第５発光装置５では、蛍光体樹脂層１２、第１反射材１４及び拡散樹脂材１６を削剥するときに三角形状の切削刃の先端の高さを発光素子１０の上面よりも高くして削剥することにより、発光素子１０の上面の外縁に達していない溝が形成される。

　第６発光装置６は、上面の面積と下面の面積とが同一である平板上の蛍光体樹脂層１２ではなく、上面の面積が下面の面積よりも小さく台形状の垂直断面形状を有する蛍光体樹脂層１３が配置されることが第２発光装置２と相違する。

　図１１は第６発光装置６の製造工程を示す工程図である。図１１（ａ）は第１工程を示す。図１１（ｂ）は第２工程を示す。図１１（ｃ）は第３工程を示す。図１１（ｄ）は第４工程を示す。図１１（ｅ）は第５工程を示す。図１１（ｆ）は第６工程を示す。

　図１１に示す第６発光装置６の製造工程は、第２工程及び第５工程が図６に示す第２発光装置２の製造工程と相違する。第２発光装置２の第２工程では平板状の蛍光体樹脂層１２が発光素子１０の上面に配置されるが、第６発光装置６の第２工程では台形状の垂直断面形状を有する蛍光体樹脂層１３が発光素子１０の上面に配置される。また、第２発光装置２の第５工程では台形形状の切削刃を使用して拡散樹脂材１６が切削されることにより台形状の断面形状を有する形状の溝１６ｂが形成される。一方、第６発光装置６の第５工程では、台形形状の切削刃を蛍光体樹脂層１２ａの外縁の傾斜に合わせて切削することで、底面の一辺が蛍光体樹脂層１３の上辺と近接して配置される台形状の断面形状を有する溝１６ｆが形成される。

　（第７実施形態、第８実施形態）
　図１２（ａ）は第７実施形態に係る発光装置７の断面図であり、図１２（ｂ）は第８実施形態に係る発光装置８の断面図である。

　第７発光装置７は、上面の面積と、上面に対向する下面の面積とが同一である平板上の蛍光体樹脂層１２ではなく、上面の面積が下面の面積よりも小さく台形状の垂直断面形状を有する蛍光体樹脂層１３が配置されることが第１発光装置１と相違する。第７発光装置７では、第２反射材１８ａの底面は、蛍光体樹脂層１３の上面とは離れている。また、第８発光装置８は、第２反射材１８ａの底面は、蛍光体樹脂層１３の上端とは離れておらず近接していることが第７発光装置７と相違する。

　（第９実施形態）
　図１３は、第９実施形態に係る発光装置を示す図である。図１３（ａ）は第９実施形態に係る発光装置の平面図である。図１３（ｂ）は図１３（ａ）に示す発光装置のＡ－Ａ´線に沿う断面図である。図１３（ｃ）は図１３（ａ）に示す発光装置のＢ－Ｂ´線に沿う断面図である。図１３（ｄ）は図１３（ａ）に示す発光装置発光装置の回路図である。図１３（ｅ）は図１３（ａ）に示す発光装置が発光状態であるときのＡ－Ａ´線に沿う断面図である。図１３（ｅ）において矢印は発光素子１０から照射される光を示す。

　第９発光装置９は、発光素子１０と、発光素子１０の上面に配置される蛍光体樹脂層１２と、発光素子１０及び蛍光体樹脂層１２の側面を囲むように配置される第１反射材１４とを有する。また、第９発光装置９は、蛍光体樹脂層１２の上面及び第１反射材１４の上面に配置される拡散樹脂材１６と、発光素子１０の周囲に設けられた第２反射材１８ｇから成る反射枠を有する。第２反射材１８ｇは、拡散樹脂材１６及び第１反射材１４を井桁形状に削剥することにより形成される溝に充填される。。また、第９発光装置９は、回路基板２０と、アノード電極２２と、カソード電極２４と、回路基板２０の上面に実装されたツェナーダイオード３０とを更に有する。

　ツェナーダイオード３０は回路基板２０の表面に印刷される配線に電気的に接続される。ツェナーダイオード３０は、発光素子１０に電気的に並列接続され、発光素子１０が静電破壊されることを防止する。

　図１４は第９発光装置９の製法に係る製造方法を示す。図１４（ａ）は第１工程を示す。図１４（ｂ）は第２工程を示す。図１４（ｃ）は第３工程を示す。図１４（ｄ）は第４工程を示す。図１４（ｅ）は第５工程を示す。図１４（ｆ）は第６工程を示す。

　まず、第１工程において、発光素子１０とツェナーダイオード３０とが回路基板２０の上面に配置される。発光素子１０は、フリップチップ実装されて、回路基板２０の上面に印刷された配線と電気的に接続される。また、ツェナーダイオード３０は回路基板２０の上面に形成された配線２０４に実装される。ツェナーダイオード３０は、ツェナーダイオード３０の下面において配線２０４に電気的に接続され、ボンディングワイヤ２０６によって、ツェナーダイオード３０の上面において配線２０５が電気的に接続される。

　次いで、第２工程において、蛍光体樹脂層１２が発光素子１０の上面に配置される。

　次いで、第３工程において、第１反射材１４が、蛍光体樹脂層１２と発光素子１０とツェナーダイオード３０とが配置された回路基板２０の上面に充填される。第１反射材１４の充填は、成型金型を使用して行われる。第１反射材１４は、発光素子１０の側面、蛍光体樹脂層１２の側面及びツェナーダイオード３０が封止されると共に、発光素子１０の下面と回路基板２０の上面との間の隙間に充填される。

　次いで、第４工程において、拡散樹脂材１６が、蛍光体樹脂層１２及び第１反射材１４の上面に被覆される。

　次いで、第５工程において、発光素子１０の上面の外縁に沿って、蛍光体樹脂層１２、第１反射材１４及び拡散樹脂材１６を削剥することによって二対の直方体形状の溝が形成される。二対の直方体形状の溝は、所定の幅を有する切削刃を使用して、発光素子１０の上面の平行する２辺に沿って一対の直方体形状の溝ごとに蛍光体樹脂層１２、第１反射材１４及び拡散樹脂材１６を削剥することによって形成される。本実施形態では、発光素子の上面は、平面視で長方形形状を有する。

　そして、第６工程において、第５工程で形成された二対の溝は、平面視では線状である。溝に第２反射材を充填することにより、発光素子１０の上面の外縁上方で蛍光体樹脂層１２および蛍光体樹脂層１２の上面に配置された拡散樹脂層１６ｍを取り囲む反射枠を有する井桁形状の第２反射材１８ｇが形成される。

　第９発光装置９では、発光素子１０の裏面及び側面から照射された光は、第１反射材１４で反射して上方に照射される。また、発光素子１０の上面から照射された光は、蛍光体樹脂層１２及び拡散樹脂層１６mで拡散されて照射方向が広がるが、第２反射材１８ｇで反射することにより、多くの光が上方に、第２反射材１８gを設けない場合に比べてより狭角な指向性を有する光として照射される。このため、第９発光装置９では、発光素子１０から照射された光の多くが上方へより狭角な指向性を有する光として照射される。

　（第１０実施形態）
　図１５は、第１０実施形態に係る発光装置を示す図である。図１５（ａ）は、第１０実施形態に係る発光装置の平面図である。図１５（ｂ）は図１５（ａ）に示す発光装置のＣ－Ｃ´線に沿う断面図である。図１５（ｃ）は図１５（ａ）に示す発光装置のＤ－Ｄ´線に沿う断面図である。図１５（ｄ）は図１５（ａ）に示す発光状態の発光装置のＣ－Ｃ´線に沿う断面図である。図１５（ｄ）において矢印は発光素子１０から照射される光を示す。

　第１０発光装置１００は、第２反射材１８ｈが発光素子１０の周囲に亘って配置されるのではなく、第２反射材１８ｈの一部が発光素子１０の上面の上方に配置されることが第９発光装置９と相違する。第１０発光装置１００では、第２反射材１８ｈを発光素子１０の上面縁の上方に配置することによって、発光素子１０の上面から照射された光を発光装置の上方のより狭い範囲に照射することが可能になる。

　第１０発光装置１００では、発光素子１０と第２反射材１８ｈとの間に蛍光体樹脂層１２の一部が位置する。すなわち、本実施形態の蛍光体樹脂層１２は、発光素子１０の上面縁を越える大きさとなっている。第２反射材１８ｈを配置する溝を形成するときに、発光素子１０の上面に近接する位置まで溝を削剥する場合に、発光素子１０の上面が削剥されないように、蛍光体樹脂層１２の面積を発光素子の上面よりも大きくしている。しかし、第１０発光装置１００では、発光素子１０と第２反射材１８ｈとの間に蛍光体樹脂層１２の一部が位置するため、発光素子１０の上面から照射された光の一部が蛍光体樹脂層１２を介して発光素子１０の横方向に漏れてしまう可能性がある。したがって、上方へ狭角な指向性を有する光が他の実施例と比べると若干減少することが考慮される。

　（第１１実施形態）
　図１６（ａ）は発光装置の上方からみた第１１実施形態に係る発光装置の斜視図であり、図１６（ｂ）は発光装置の下方からみた第１１実施形態に係る発光装置の斜視図である。図１７（ａ）は図１６に示す発光装置の平面図である。図１７（ｂ）は図１６に示す発光装置のＥ－Ｅ´線に沿う断面図である。図１７（ｃ）は図１６に示す発光装置のＦ－Ｆ´線に沿う断面図である。図１７（ｄ）は図１６に示す発光装置の発光状態のＥ－Ｅ´線に沿う断面図である。図１７（ｄ）において矢印は発光素子１０から照射される光を示す。

　第１１発光装置１０１は、発光素子１０の周囲に配置される第２反射材１９の形状と、反射物質として第２反射材１９に含まれる酸化チタンの含有率が先に説明した第１発光装置１～第１０発光装置１００の第２反射材１８ａ～１８ｈと相違する。

　第２反射材１９は、発光素子１０の上方に位置する拡散樹脂層１６ｍを取り囲む反射枠を有する。拡散樹脂層１６ｍは、第１１発光装置１０１の発光面を形成する。発光素子１０の周囲に配置される第２反射材１９は、拡散樹脂材１６の側面、蛍光体樹脂層１２の側面の一部、及び第１反射材１４の側面の一部を覆うように配置される。発光素子１０の周囲に配置される第２反射材１９の内周壁は、発光素子１０の上面上に配置される蛍光体樹脂層１２の上面上に位置する。第２反射材１９の外周壁は、回路基板２０と共に、第１１発光装置１０１の外周壁を形成する。第２反射材１９の外周壁は第１反射材１４の側面の全てを覆い、第２反射材１９の外周壁の底面は、回路基板２０の上面より下方に位置する。

　発光素子１０とツェナーダイオード３０との間に位置する第２反射材１９ａは、第１底面と、第１底面の外側且つ下方に位置する第２底面とを有する。第２反射材１９ａの第１底面は、発光素子１０の上面よりも上方に位置し、第２底面は、発光素子１０の上面と下面との間の高さに位置する。第２反射材１９ａの第１底面の一部は発光素子１０の上面の上方に位置する。

　発光素子１０と第１１発光装置１０１の長手方向の一端との間に位置する第２反射材１９ｂは、第１底面と、第１底面の外側且つ下方に位置する第２底面とを有する。第２反射材１９ｂの第１底面は、発光素子１０の上面よりも上方に位置し、第２底面は、回路基板２０の上面の端部を削剥して形成される削剥部に位置する。第２反射材１９ｂの第１底面は、発光素子１０の上面の上方に位置する。第２反射材１９ｂの第２底面は、回路基板２０の上面より下方に位置する。

　ツェナーダイオード３０と第１１発光装置１０１の長手方向の他端との間に位置する第２反射材１９ｃは、回路基板２０の上面の端部を削剥して形成される削剥部に位置する底面を有する。第２反射材１９ｃの底面は、回路基板２０の上面より下方に位置する。

　発光素子１０及びツェナーダイオード３０と第１１発光装置１０１の短手方向の両端との間に位置する第２反射材１９ｄ及び１９ｅは、第１底面と、第１底面の外側且つ下方に位置する第３底面と、第３底面の外側且つ下方に位置する第２底面とを有する。第２反射材１９ｄ及び１９ｅの第１底面は、発光素子１０の上面よりも上方に位置し、第３底面は、発光素子１０の上面と下面との間の高さに位置する。また、第２底面は、回路基板２０の上面の端部を削剥して形成される削剥部に位置する。第２反射材１９ｄ及び１９ｅの第１底面は、発光素子１０の上面の上方に位置する。第２反射材１９ｄ及び１９ｅの第２底面は、回路基板２０の上面より下方に位置する。

　図１８は、回路基板２０の上面に印刷されるプリント配線２０１～２０５と、発光素子１０及びツェナーダイオード３０との位置関係を示す図である。図１８において、プリント配線２０１～２０５は実線で示され、回路基板２０の外縁は破線で示され、発光素子１０は一点鎖線で示され、ツェナーダイオード３０は二点鎖線で示される。また、ツェナーダイオード３０とプリント配線２０５とを接続するワイヤ２０６は実線で示される。

　発光素子１０の外縁に沿って配置される第２反射材１９の第一底面は、第２反射材１９が配置される溝を形成するときに発光素子１０の上面を削剥するおそれがないように形成されるため、発光素子１０の上面の上方に位置する。

　発光素子１０とツェナーダイオード３０との間には、プリント配線２０１～２０５が配置される。プリント配線２０１～２０５を切断することがないように、発光素子１０とツェナーダイオード３０との間に位置する第２反射材１９ａの第２底面は発光素子１０の上面と下面との間の高さに位置するように形成される。

　発光素子１０と第１１発光装置１０１の長手方向の一端との間には、プリント配線２０１～２０５は配置されない。プリント配線２０１～２０５を切断するおそれがないので、第１１発光装置１０１の長手方向の一端との間に位置する第２反射材１９ｂの第２底面は回路基板２０の上面の端部を削剥して形成される削剥部に位置するように形成される。

　ツェナーダイオード３０は発光素子１０を静電破壊から保護する素子であり、発光素子ではない。ツェナーダイオード３０は発光素子ではないので、ツェナーダイオード３０に近接して第２反射材１９が配置されることはない。このため、ツェナーダイオード３０と第１１発光装置１０１の長手方向の他端との間に位置する第２反射材１９ｃは複数の底面を有さず、単一の底面が回路基板２０の上面の端部を削剥して形成される削剥部に位置するように形成される。

　なお、第１１発光装置１０１の発光効率を向上させるために、ツェナーダイオード３０の上方に第２反射材１９を配置することが考えられる。しかしながら、ツェナーダイオード３０の上方に第２反射材１９に配置しようとすると、ツェナーダイオード３０の上方に、第２反射材１９を充填するための溝を形成することになる。ツェナーダイオード３０は、ボンディングワイヤを介してプリント配線に接続されるので、ツェナーダイオード３０の上方に溝を形成するときに、ツェナーダイオード３０に接続されるワイヤ２０６を切断するおそれがある。第１１発光装置１０１では、ツェナーダイオード３０の上方に第２反射材１９に配置すると、ツェナーダイオード３０に接続されるワイヤ２０６を切断するおそれがあるので、ツェナーダイオード３０の上方に第２反射材１９に配置されない。

　発光素子１０及びツェナーダイオード３０と第１１発光装置１０１の短手方向の両端との間には、プリント配線２０１～２０５が配置される。プリント配線２０１～２０５を切断することがないように、発光素子１０とツェナーダイオード３０との間に位置する第２反射材１９ａの第３底面は、発光素子１０の上面と下面との間の高さに位置するように形成される。そして、第２底面は、回路基板２０の外縁近傍のプリント配線２０１～２０５が配置されていない領域において、回路基板２０の上面の端部を削剥して形成される削剥部に位置するように形成される。

　第２反射材１９の酸化チタンの含有率は、８０重量パーセントである。第１反射材１４は充填するときに、第１反射材１４がバンプにより形成される発光素子１０と回路基板２０との間の隙間に容易に浸透するようにするために、酸化チタンの含有率を３０重量パーセントに抑えられている。一方、第２反射材１９は、矩形の断面形状を有する溝に充填されるため、第２反射材１９を隙間に浸透させなくてもよく、酸化チタンの含有率を高くすることが可能になる。第２反射材１９の酸化チタンの含有率は、第１反射材１４の酸化チタンの含有率よりも大きいので、第２反射材１９の遮光率は第１反射材１４の酸化チタンの遮光率よりも大きくなる。

　第１１発光装置１０１の製造方法について説明する。

　第１１発光装置１０１の製造方法では、発光素子１０及びツェナーダイオード３０を配置する第１工程から拡散樹脂材１６を被覆する第４工程までは、図１４を参照して説明された第９発光装置９の製造方法と同様な方法が採用される。

　図１９～２３は、第１１発光装置１０１の第２反射材１９を形成する方法を示す図である。図１９～２１は第５～第８工程でそれぞれ削剥される第１～第３溝と、回路基板２０の上面に形成されるプリント配線２０１～２０５との間の平面位置関係を示す図である。図１９～２１において、プリント配線２０１～２０５は実線で示され、回路基板２０の外縁は太破線で示され、第１溝２１１～２１４は破線で示される。図２０及び２１において、第２溝２２１～２２３は一点鎖線で示される。図２１において、第３溝２３１～２３４は二点鎖線で示される。図２２は、複数の第１１発光装置１０１を一度に製造する場合の第２反射材１９を形成する手順をＥ－Ｅ´線に沿う断面図で示す図である。図２３は、同様の手順をＦ－Ｆ´線に沿う断面図で示す図である。図２２（ａ）及び２３（ａ）は第５工程を示す図である。図２２（ｂ）及び２３（ｂ）は第６工程を示す図である。図２２（ｃ）及び２３（ｃ）は第７工程を示す図である。図２２（ｄ）及び２３（ｄ）は第８工程を示す図である。

　第１１発光装置１０１の発光素子１０及びツェナーダイオード３０を配置する第１工程から拡散樹脂材１６を被覆する第４工程が実施された後に、第５工程が実施される。

　第５工程において、発光素子１０の外縁に沿って、蛍光体樹脂層１２、第１反射材１４及び拡散樹脂材１６を削剥することによって二対の直方体形状の第１溝２１１～２１４が形成される。第１溝２１１～２１４は、第１の幅を有する切削刃を使用して、発光素子１０の平面の平行する２辺に沿って一対の直方体形状の溝ごとに蛍光体樹脂層１２、第１反射材１４及び拡散樹脂材１６を削剥することによって形成される。第５工程で形成される第１溝２１１～２１４の底面の残部は、図１７に示される第２反射材１９ａ、１９ｂ、１９ｄ及び１９ｅの第１底面に対応する。

　次いで、第６工程において、第５工程で形成された第１溝に沿って、第１反射材１４を削剥することによって二対の直方体形状の第２溝２２１～２２３が形成される。第２溝２２１～２２３は、第５工程で使用した切削刃の第１の幅よりも短い第２の幅を有する切削刃を使用して、第１溝２１１～２１４の外側壁に第２溝２２１～２２３の外側壁が一致するように第１反射材１４を削剥することによって形成される。第６工程で形成される第２溝２２１～２２３の底面の残部は、発光素子１０とツェナーダイオード３０との間に位置する第２反射材１９ａの第２底面に対応する。また、第２溝２２１～２２３の底面の残部は、発光素子１０及びツェナーダイオード３０と第１１発光装置１０１の短手方向の両端との間に位置する第２反射材１９ｄ及び１９ｅの第３底面に対応する。

　次いで、第７工程において、回路基板２０の外縁に沿って、第１反射材１４及び回路基板２０を削剥することによって二対の直方体形状の第３溝２３１～２３４が形成される。第３溝２３１～２３４は、第６工程で使用した第２の幅を有する切削刃を使用して、隣接する回路基板２０の外縁に亘って第１反射材１４及び回路基板２０を削剥することによって形成される。第７工程で形成される第３溝２３１～２３４の底面は、発光素子１０と第１１発光装置１０１の長手方向の一端との間に位置する第２反射材１９ｂの第３底面に対応する。また、第３溝２３１～２３４の底面は、ツェナーダイオード３０と第１１発光装置１０１の長手方向の他端との間に位置する第２反射材１９ｃの底面に対応する。さらに、第３溝２３１～２３４の底面は、発光素子１０及びツェナーダイオード３０と第１１発光装置１０１の短手方向の両端との間に位置する第２反射材１９ｄ及び１９ｅの第２底面に対応する。

　そして、第８工程において、第５～第７工程で形成された溝に第２反射材を充填することにより、第２反射材１９が形成される。

　図２４は、図１５に示す第１０発光装置１００の非発光状態と、図１７に示す第１１発光装置１０１の非発光状態とを示す。図２４（ａ）は非発光状態の第１０発光装置１００の平面画像である。また、図２４（ｂ）は非発光状態の第１１発光装置１０１の平面画像である。

　第１０発光装置１００では、発光素子１０の上面から照射された光の一部が蛍光体樹脂層１２を介して発光素子１０の横方向に漏れて、ツェナーダイオードが位置する領域が明るくなっている。一方、第１１発光装置１０１では、第２反射材１９が横方向に漏れた光を反射しているので、ツェナーダイオードが位置する領域に漏れる光は、第１０発光装置１００よりも少ない。

　図２５は、第１１発光装置１０１の第２反射材１９に含有される酸化チタンの含有量を変化させた場合の発光状態の変化を示す画像である。図２５（ａ）は第２反射材１９に８０重量パーセントの酸化チタンが含有される場合の発光状態の画像(グレースケール化した画像)の平面画像である。図２５（ｂ）は第２反射材１９に８０重量パーセントの酸化チタンが含有される場合の発光強度分布を色付けで表した画像の平面画像である。図２５（ｃ）は、図２５（ａ）のＥ－Ｅ´線に沿う断面画像である。図２５（ｄ）は第２反射材１９に３０重量パーセントの酸化チタンが含有される場合の発光状態の画像(グレースケール化した画像)の平面画像である。図２５（ｅ）は第２反射材１９に３０重量パーセントの酸化チタンが含有される場合の発光強度分布を色付けで表した画像の平面画像である。図２５（ｆ）は、図２５（ｄ）のＥ－Ｅ´線に沿う断面画像である。

　図２５（ａ）～（ｆ）に示されるように、発光素子の横方向に漏れる光は、第２反射材１９に３０重量パーセントの酸化チタンが含有される場合よりも、８０重量パーセントの酸化チタンが含有される場合の方が低減されている。

　表１は第２反射材１９に含有される酸化チタンの量と、第１１発光装置１０１のレンズゲイン及び全光束との関係を示す表である。

　ここで、レンズゲインは、第１１発光装置１０１の上方に集光用のレンズが配置されていないときの発光素子の正面方向の光度と、第１１発光装置１０１の上方に集光用のレンズが配置されていないときの発光素子の正面方向の光度との比率である。また、全光束は、第１１発光装置１０１から照射される光の全光束である。

　第２反射材１９に含有される酸化チタンの含有量を増加させると、第２反射材１９に吸収される光が増加するため第１１発光装置１０１から照射される光の全光束は減少するもの、第２反射材１９で反射されて、上方へより狭角な指向性を有する光として照射される光の光束は増加する。上方へより狭角な指向性を有する光の光束は増加するので、第２反射材１９に含有される酸化チタンの含有量を増加させることにより、レンズゲインは増加する。

　第１１発光装置１０１では、第２反射材１９の一部が発光素子１０の上面の上方に位置する。第１１発光装置１０１では、発光素子の上面から照射された光は、発光素子１０の上面の上方に位置する第２反射材１９で反射されるので、発光素子１０の上面の面積よりも狭い上方の領域に照射される。

　また、第１１発光装置１０１では、第２反射材１９の下端が発光素子１０の上面の外側且つ下方に位置する。第１１発光装置１０１では、発光素子１０の上面の外縁から照射された光は、発光素子１０の上面の外縁近傍に位置する第２反射材１９及び発光素子１０で反射されて、発光素子１０の上面の上方に照射される。

　第１１発光装置１０１では、第２反射材１９の遮光率は第１反射材１４の酸化チタンの遮光率よりも大きいので、第２反射材１９の反射率は第１反射材１４の反射率よりも高くなる。第２反射材１９の反射率は第１反射材１４の反射率よりも高くなるので、発光素子１０の上面から第２反射材１９で反射した光は、上方へ狭角な指向性を有する。

　第１１発光装置１０１では、遮光率が大きい第２反射材１９は外周壁を形成するので、発光素子１０の側面及び裏面から照射された光が第１１発光装置１０１の側面から照射される割合は低くなる。発光素子１０の側面及び裏面から照射された光の多くは、第１１発光装置１０１の内部で反射を繰り返した後に、発光素子の上面の上方に照射される。

　実施形態に係る発光装置では、第１反射材１４並びに第２反射材１８及び１９の反射物質として酸化チタンが使用されているが、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニューム、アルミナ、窒化ホウ素等を使用してもよい。また、第１発光装置１～第１０発光装置１００では、第１反射材１４と第２反射材１８ａ～１８ｈとは同一の材料で形成されているが、第２反射材１８ａ～１８ｈは、第１反射材１４よりも遮光率が大きい材料を使用してもよい。

　また、実施形態に係る発光装置では、第１反射材１４並びに第２反射材１８及び１９のコーティング材としてシリコーン樹脂が使用されているが、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を使用してもよい。

　また、第１発光装置１～第６発光装置６では、蛍光体樹脂層１２の外縁に沿って、拡散樹脂材１６を削剥することによって溝１６ａ～１６ｆが形成されるが、溝１６ａ～１６ｆは、蛍光体樹脂層１２の外縁に沿って形成されなくてもよい。第１発光装置１～第６発光装置６では、蛍光体樹脂層１２と溝１６ａ～１６ｆとの位置関係を変化させることによって、色々な照明範囲を有する発光装置を容易に作成することが可能である。

　図２６（ａ）は第１発光装置１の平面図であり、図２６（ｂ）は第１発光装置１の第１変形に係る発光装置の平面図であり、図２６（ｃ）は第１発光装置１の第２変形に係る発光装置の平面図である。図２６（ｄ）は第１発光装置１の第３変形に係る発光装置の平面図であり、図２６（ｅ）は第１発光装置１の第４変形に係る発光装置の平面図である。

　第１発光装置１では、照明に寄与する拡散樹脂層１６ｍ及び蛍光体樹脂層１２の位置が平面視で一致している。また、拡散樹脂層１６mの上面の面積と蛍光体樹脂層１２の上面の面積が同一である。さらに、拡散樹脂層１６ｍの上面と蛍光体樹脂層１２の上面が共に平らな正方形状を有する。第１発光装置１では、拡散樹脂層１６ｍと蛍光体樹脂層１２との上面の面積比が１：１の関係を有し、同一位置に同一形状となるように配置されるので、四角形状に規制された照明光Ｐａが放射される。

　発光装置１ａ及び１ｂでは、第２反射材１８ａの一対が蛍光体樹脂層１２の外縁に沿って配置され、第２反射材１８ａの他の対が蛍光体樹脂層１２の外縁より外側に配置される。発光装置１ａ及び１ｂでは、第２反射材１８ａの他の対が蛍光体樹脂層１２の外縁より外側に配置されることにより、拡散樹脂層１６ｍの上面の面積が蛍光体樹脂層１２の上面の面積よりも大きくなっている。発光装置１ａでは拡散樹脂層１６ｍの上面の面積と蛍光体樹脂層１２の上面の面積との比は４：３であり、発光装置１ｂでは拡散樹脂層１６ｍの上面の面積と蛍光体樹脂層１２の上面の面積との比は１６：９である。発光装置１ａ及び１ｂでは、平面形状が正方形の蛍光体樹脂層１２を使用する場合でも、長方形状の照明光が放射される。

　発光装置１ｃ及び１ｄでは、第２反射材１８ａの一対が蛍光体樹脂層１２の外縁に沿って配置され、第２反射材１８ａの他の対が蛍光体樹脂層１２の外縁より内側に配置される。第２反射材１８ａの他の対が蛍光体樹脂層１２の外縁より内側に配置されることにより、発光装置１ｃ及び１ｄでは、拡散樹脂層１６ｍの上面の面積が蛍光体樹脂層１２の上面の面積よりも小さくなっている。発光装置１ｃでは拡散樹脂層１６ｍの上面の面積と蛍光体樹脂層１２の上面の面積との比は３：４であり、発光装置１ｄでは拡散樹脂層１６ｍの上面の面積と蛍光体樹脂層１２の上面の面積との比は９：１６である。発光装置１ｃ及び１ｄでは、平面形状が正方形の蛍光体樹脂層１２を使用する場合でも、長方形状の照明光が放射される。

　また、第１発光装置１～第６発光装置６では、溝１６ａ～１６ｆの位置、幅及び深さ等を変更してもよい。溝１６ａ～１６ｆの位置、幅及び深さ等を適宜変更することにより、製造コストを増加させることなく種々の照明領域を有する発光装置を提供できる。

　また、図２、６、９、１１及び１４では、単一の発光装置を単独で製造する例を説明したが、製造効率を向上させるために、複数の回路基板２０をアレイ状に配置して、複数の発光装置を一度に製造してもよい。複数の発光装置を一度に製造する場合、第６工程の後に、複数の発光装置のそれぞれの間を切削刃で切断することにより、個々の発光装置に分離される。

　また、図２に示す第１発光装置１の第５工程において、拡散樹脂材１６を削剥することによって溝１６ａが形成されるが、溝１６ａは、第１反射材１４及び拡散樹脂材１６を削剥することによって形成されてもよい。また、溝１６ａは、拡散樹脂材１６を切断せずに、拡散樹脂材１６の中間位置までの深さを有するように削剥することによって形成されてもよい。

　第１１発光装置１０１では、発光素子１０とツェナーダイオード３０との間に位置する第２反射材１９ａの第２底面は、発光素子１０の上面と下面との間の高さに位置する。しかしながら、第２反射材１９ａの第２底面の下方にプリント配線がない場合、第２反射材１９ａの第２底面は回路基板２０の上面の端部を削剥して形成される削剥部に位置し、回路基板２０の上面より下方に位置してもよい。

　また、第１１発光装置１０１では、発光素子１０及びツェナーダイオード３０と第１１発光装置１０１の短手方向の両端との間に位置する第２反射材１９ｄ及び１９ｅは、第１底面と第２底面との間に位置する第３底面を有する。しかしながら、第２反射材１９ｄ及び１９ｅの第３底面の下方にプリント配線がない場合、第２反射材１９ｄ及び１９ｅは、第３底面を有さずに、第３底面が位置する部分まで第２底面を広げてもよい。

　また、第１１発光装置１０１では、第２反射材１９の酸化チタンの含有率は８０重量パーセントであるが、第１反射材１４の酸化チタンの含有率と同一の３０重量パーセントにしてもよい。また、第２反射材１９の酸化チタンの含有率は、８０重量パーセント以下の含有率でもよく、８０重量パーセント以上の含有率でもよい。

　１～９、１００、１０１　　発光装置
　１０　　発光素子
　１２　　蛍光体樹脂層
　１４　　第１反射材
　１６m　　拡散樹脂層
　１８、１９　　第２反射材
　２０　　回路基板
　２２　　アノード電極
　２４　　カソード電極
　３０　　ツェナーダイオード

Claims (18)

1. 　回路基板と、
   　前記回路基板の上面に実装された発光素子と、
   　前記発光素子の上面に配置された蛍光体樹脂層と、
   　前記蛍光体樹脂層の上面に配置され、前記発光素子から照射された光を拡散する拡散樹脂層と、
   　前記回路基板の上面に設けられて、発光素子の側面を封止する第１反射材と、
   　前記拡散樹脂層の側面を囲む第２反射材と、
   　を有する発光装置。
2. 　前記第２反射材の垂直断面形状は、逆台形状である、請求項１に記載の発光装置。
3. 　前記第２反射材の下端は、前記蛍光体樹脂層の上面より上方に位置する、請求項１又は２に記載の発光装置。
4. 　前記第２反射材は、前記蛍光体樹脂層の側面を囲むように配置される、請求項２に記載の発光装置。
5. 　前記第２反射材の垂直断面形状は、下側に頂点がある三角形状である、請求項１に記載の発光装置。
6. 　前記第２反射材の下端は、前記蛍光体樹脂層の上面より下方に位置する、請求項５に記載の発光装置。
7. 　前記第２反射材は、前記蛍光体樹脂層の側面を囲むように配置される、請求項５又は６に記載の発光装置。
8. 　前記第２反射材は、直線的に延伸する第１線状部と、前記第１線状部に平行に延伸する第２線状部と、前記第１線状部と直交するように延伸する第３線状部と、前記第３線状部に平行に延伸する第４線状部とを有する、請求項１～７の何れか一項に記載の発光装置。
9. 　前記発光素子の上面の面積と、前記蛍光体樹脂層の上面の面積とが同一である、請求項１～５の何れか一項に記載の発光装置。
10. 　前記蛍光体樹脂層の上面の面積と、前記第２反射材に囲まれた前記拡散樹脂層の上面の面積とが、同一である、請求項１～８の何れか一項に記載の発光装置。
11. 　前記第２反射材に囲まれた前記拡散樹脂層の上面の面積は、前記蛍光体樹脂層の上面の面積より小さい、請求項１～８の何れか一項に記載の発光装置。
12. 　前記第２反射材に囲まれた前記拡散樹脂層の上面の面積は、前記蛍光体樹脂層の上面の面積より大きい、請求項１～８の何れか一項に記載の発光装置。
13. 　前記第２反射材は、前記拡散樹脂層の側面、前記蛍光体樹脂層の側面の一部、及び前記第１反射材の側面の一部を覆うように配置され、
    　前記第２反射材の一部が前記蛍光体樹脂層及び前記発光素子の上方に位置し、前記第２反射材の下端が前記発光素子の上面より下方に位置する、請求項１に記載の発光装置。
14. 　前記第２反射材は、第１底面及び前記第１底面の下方に位置する第２底面を有し、
    　前記第１底面は前記蛍光体樹脂層の上方に位置し、前記第２底面は前記発光素子の上面より下方に位置する、請求項１３に記載の発光装置。
15. 　前記第２反射材は前記第１反射材の側面を全て覆い、前記第２底面は前記回路基板の上面より下方に位置する、請求項１４に記載の発光装置。
16. 　前記第２反射材の少なくとも一辺は、前記第１底面の下方且つ前記第２底面の上方に位置する第３底面を更に有する、請求項１４又は１５に記載の発光装置。
17. 　前記第２底面は、前記回路基板の上面の一部を削剥して形成される、請求項１６に記載の発光装置。
18. 　前記第２反射材の反射率は、前記第１反射材の反射率よりも大きい、請求項１～１７の何れか一項に記載の発光装置。

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