CN111987080B - 封装体与显示模块 - Google Patents

封装体与显示模块 Download PDF

Info

Publication number
CN111987080B
CN111987080B CN202010444239.3A CN202010444239A CN111987080B CN 111987080 B CN111987080 B CN 111987080B CN 202010444239 A CN202010444239 A CN 202010444239A CN 111987080 B CN111987080 B CN 111987080B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
layer
light emitting
emitting unit
package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010444239.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111987080A (zh
Inventor
陈效义
林梓渊
蓝培轩
胡伟强
谢明勋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yuanfeng New Technology Co ltd
Epistar Corp
Original Assignee
Yuanfeng New Technology Co ltd
Epistar Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yuanfeng New Technology Co ltd, Epistar Corp filed Critical Yuanfeng New Technology Co ltd
Priority to CN202311136576.6A priority Critical patent/CN117423689A/zh
Publication of CN111987080A publication Critical patent/CN111987080A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111987080B publication Critical patent/CN111987080B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开一种封装体与显示模块，其中该封装体包含基板、第一发光单元、第二发光单元、透光层以及吸光层。基板具有第一表面、以及上导电层设置于第一表面上。第一发光单元设置于上导电层上，且具有第一出光表面、以及第一侧表面。第二发光单元设置于上导电层上，且具有第二出光表面、以及第二侧表面。透光层设置于第一表面上，且覆盖上导电层、第一发光单元、以及第二发光单元。吸光层设置在基板与透光层之间，且覆盖上导电层、第一侧表面及第二侧表面，并露出第一出光表面及第二出光表面。

Description

封装体与显示模块
技术领域
本发明涉及一种封装体与显示模块的结构与制作工艺，尤其是涉及使用发光二极管作为像素显示单元与显示模块的结构与制作工艺。
背景技术
图1显示一显示模块包含一基座1及多个像素封装体2以阵列方式排放固定在基座1上。每个像素封装体2包含一基板20、至少一组像素2P位于基板20上、以及透光层24位于基板20上方且覆盖像素2P。每一组像素2P包含的发光单元21、发光单元22及发光单元23分别可发出红光、蓝光、与绿光。像素2P可以接受信号控制而发出独立的红、蓝、绿光，以作为显示模块中的一个显示像素。相邻两个的像素2P里的两颗发光单元21、两颗发光单元22及两颗发光单元23之间的距离为d1。距离d1是根据基座1的尺寸以及显示模块的分辨率而决定。相邻两个的像素封装体2之间具有一走道g1，像素封装体2的光线穿过透光层24与走道g1到相邻的像素封装体2，造成像素封装体2之间的光串扰(crosstalk)，降低显示模块的对比度(display contrast)
发明内容
本发明提供一封装体，封装体包含基板、第一发光单元、第二发光单元、透光层以及吸光层。基板具有第一表面、以及上导电层设置于第一表面上。第一发光单元设置于上导电层上，且具有第一出光表面、以及第一侧表面。第二发光单元设置于上导电层上，且具有第二出光表面、以及第二侧表面。透光层设置于第一表面上，且覆盖上导电层、第一发光单元、以及第二发光单元。吸光层设置在基板与透光层之间，且覆盖上导电层、第一侧表面及第二侧表面，并露出第一出光表面及第二出光表面。
附图说明
为能更进一步了解本发明的特征与技术内容，请参阅下述有关本发明实施例的详细说明及如附图式。所揭详细说明及如附图式仅提供参考与说明之用，并非用以对本发明加以限制；其中：
图1为一显示模块的示意图；
图2A到图2D为本申请的第一实施例的一像素封装体的结构的示意图；
图3A到图3C为本申请的第二实施例的一像素封装体的结构的示意图；
图4A到图4C为本申请的第三实施例的一像素封装体的结构的示意图；
图5为本申请的另一第三实施例的像素封装体的剖视图；
图6A到图6C为本申请的第四实施例的一像素封装体的结构的示意图；
图7为本申请的第五实施例的一像素封装体的剖视图；
图8为本申请的另一第五实施例的像素封装体的结构的示意图；
图9A到图9B为一多像素封装体2F的结构的示意图；
图10为另一多像素封装体2G的结构的示意图；
图11为另一多像素封装体2H的结构的示意图；
图12为另一多像素封装体2I的结构的示意图；
图13为本申请的一实施例的显示模块100的局部剖视图；
图14为本申请的一实施例的显示模块200的局部剖视图；
图15为本申请的一实施例的显示模块300的局部剖视图；
图16A到图16G为一实施例的封胶制作工艺一的步骤的示意图；
图17A到图17D为一实施例的封胶制作工艺二的步骤的示意图；
图18A到图18E为一实施例的封胶制作工艺三的步骤的示意图；
图19A到图19E为一实施例的封胶制作工艺四的步骤的示意图；
图20A到图20B为一实施例的封胶制作工艺五的步骤的示意图。
符号说明
1 基座
1B 定位柱
1S、2S、3S、4S 表面
2、2A、2B、2C、2D、2E 像素封装体
2F、2G、2H、2I 多像素封装体
2P 像素
20 基板
202 绝缘层
204 上导电层
204a1、204a2、204b1、204b2、204c1、204c2 锤状电极
206 下导电层
206a、206b、206c、206d 导电垫
208 导电贯孔
21、21’、22、23 发光单元
211 发光层
212 p型半导体层
213 n型半导体层
21S、21S’、22S、23S 出光表面
21W、21W’、22W、23W 侧壁
24 透光层
25 吸光层
26 连结结构
27 反射墙
28 反射层
28A 第一部分
28B 第二部分
3 透光保护层
41 容器
411 底面
42 支撑元件
43 空隙
44 挡墙
45 阻挡层
46 加压元件
5、5A、5B、5C、5D、5E 装置
51 基座
511 背侧
512 上表面
52 发光元件
521 上表面
522 侧表面
53 液态胶
531 上表面
53A、53B、53C、53D、53E 固态胶层
61 支撑底座
62 软垫
63 膜片
631 承载膜片
632 离形层
633 胶膜
64 气压垫
71 喷墨装置
72 照射装置
721 光线
100、200、300 显示模块
D1、D2、d1、w1、w2 距离
h、h1、h2 高度
1500 发光装置
g、g1、g2 走道
W 宽度
具体实施方式
下文是参照附图、并且以示例实施例说明本发明的概念，在附图或说明中，相似或相同的部分使用相同的元件符号；再者，附图为利于理解而绘制，附图中各层的厚度与形状并非元件的实际尺寸或成比例关系。需特别注意的是，附图中未绘示、或说明书中未描述的元件，可为熟悉发明所属领域技术的人士所知的形式。
第一实施例
图2A～图2D揭露一像素封装体(Pixel Package)2A的结构，图2A为根据本发明一实施例所揭露的像素封装体2A的立体图，图2B显示图2A中基板20的上视图，图2C图显示图2A中像素封装体2A的底视图，图2D显示图2B中沿剖面线AA’的像素封装体2A的剖视图。像素封装体2A包含一基板20、一组像素2P(pixel)包含发光单元21、发光单元22及发光单元23位于基板20上、一连结结构26及一透光层24。在一实施例中，基板20包含一绝缘层202、一上导电层204、多个导电贯孔(conductive via)208以及一下导电层206。上导电层204可作为与像素2P电连接之用，并与下导电层206彼此电连接。下导电层206则与外部控制电路电连接。如图2B所示基板20的上视图，四个导电贯孔208位于基板20的角落。上导电层204具有三对的锤状电极204a1、204a2、204b1、204b2、204c1、204c2分别与发光单元21、发光单元22及发光单元23的p电极与n电极(图未示)电连接，其中锤状电极204a2、204b1、204c1电连接至同一个导电贯孔208，另外三个锤状电极204a1、204b2、204c2各自与其他三个独立的导电贯孔208连接。上导电层204通过导电贯孔(conductive via)208与下导电层206彼此电连接。导电贯孔208贯穿绝缘层202。在其他实施例中，导电贯孔208可形成在绝缘层202的边缘、角落或是绝缘层202内部区域。一实施例中，上导电层204形成在绝缘层202之上并具有图形化结构，下导电层206形成在绝缘层202之下并具有图形化结构。参阅图2C，下导电层206具有四个导电垫206a、206b、206c、206d分别与四个导电贯孔208连接，其中导电垫206d连接与锤状电极204a2、204b1、204c1电连接，其余三个导电垫206a、206b、206c分别与锤状电极204a1、204b2、204c2电连接，在本实施例中，导电垫206d的一个角落为斜面与其他三个导电垫206a、206b、206c的形状相异，用以辨别导电垫206d的位置。
绝缘层202的材料可以是环氧树脂、BT(Bismaleimide Triazine)树脂、聚酰亚胺(polyimide)树脂、环氧树脂与玻纤的复合材料或BT树脂与玻纤的复合材料。在一实施例中，绝缘层202掺入黑色物质，例如碳粉，而呈现黑色以增加像素封装体2A的对比度。上导电层204与下导电层206的材料可以是金属，例如：铜、锡、铝、银或金。
参阅图2A，在一实施例中，发光单元21、发光单元22及发光单元23是可分别发出不同波长或不同颜色的光的发光二极管管芯(LED die)。在一实施例中，发光单元21为红光发光二极管管芯，可经由电源提供一电力而发出第一光线，第一光线的主波长(dominantwavelength)或峰值波长(peak wavelength)介于600nm至660nm之间。发光单元22为绿光发光二极管管芯，可发出第二光线，第二光线的主波长(dominant wavelength)或峰值波长(peak wavelength)介于510nm至560nm之间。发光单元23为蓝光发光二极管管芯，可发出第三光线，第三光线的主波长(dominant wavelength)或峰值波长(peak wavelength)介于430nm至480nm之间。发光单元21、发光单元22与发光单元23的结构相似，但其发光层的组成彼此之间不同。
在另一实施例中，发光单元21包含比红光波长短的发光二极管管芯，例如：蓝光发光二极管或紫外光发光二极管，并覆盖可将蓝光或紫外光转换成红光的波长转换材料。发光单元22为比绿光波长短的发光二极管管芯，例如：蓝光发光二极管或紫外光发光二极管，并覆盖可将蓝光或紫外光转换成绿光的波长转换材料。发光单元23则为蓝光发光二极管管芯或是紫外光发光二极管，且覆盖可将蓝光或紫外光转换成蓝光的波长转换材料。在另一实施例中，若发光单元23为蓝光发光二极管管芯则可以覆盖透明材料或不覆盖其他材料。
图2D显示图2B中沿剖面线AA’的像素封装体2A的剖视图。透光层24覆盖发光单元21、发光单元22及发光单元23及基板20的上导电层204。其中，透光层24的材料包含硅氧树脂(Silicone)、环氧树脂(Epoxy)、压克力或其混和物。在本实施例中，透光层24的透光率大于90％。在另一实施例中，透光层24可掺入黑色材料，例如碳黑，以降低透光层24的透光率至介于20％到70％之间，可以减少外界光线穿透透光层24而被导电层204反射，进而增加像素封装体2A的对比度。
第二实施例
图3A及图3B揭露一像素封装体2B(Pixel Package 2B)的结构。图3A显示像素封装体2B的剖视图，图3B显示像素封装体2B的上视图。如图3A所示，像素封装体2B包含一吸光层25在基板20与透光层24之间。吸光层25覆盖基板20的上导电层204并填满至与发光单元21、22、23的出光表面21S、22S、23S齐平。在其他实施例中，吸光层25的最上表面可稍低于或稍高于发光单元21、22、23的出光表面21S、22S、23S。吸光层25的材料包含基材(matrix)以及黑色材料，其中基材包含硅氧树脂(Silicone)、环氧树脂(Epoxy)或其混和物，黑色材料包含碳黑。吸光层25的透光率较透光层24的透光率低，或者，吸光层25的吸光率较透光层24的吸光率高。通过调整基材中黑色材料的浓度使吸光层25的透光率接近0％，亦即吸光层25为几乎或完全不透光。如图3B所示，从像素封装体2B的上视观之，吸光层25完全覆盖基板20的上导电层204，仅露出发光单元21、22、23的出光表面21S、22S、23S。由于吸光层25覆盖发光单元21、22、23的侧壁21w、22w、23w，使得像素封装体2B中发光单元21、22、23发出的光线仅能从出光表面21S、22S、23S射出，而从侧壁21W、22W、23W发出的光线完全被吸光层25所阻档，可以避免发光单元21、22、23的间的光串扰(crosstalk)，并完全阻隔外部光线穿透吸光层25而被基板20的上导电层204反射，提高像素封装体2B的颜色纯度及对比度。吸光层25的硬度可以小于透光层24的硬度。例如，以shore D方式测量下，吸光层25的邵氏硬度小于60，透光层24的邵氏硬度大于60。在另一实施例中，透光层24的邵氏硬度可大于60以上，具有防刮耐磨的能力。
如图3C显示一发光单元21’与吸光层25的局部放大图，发光单元21’代表前述发光单元21、22、23的任一个。出光面21S’代表前述出光表面21S、22S、23S的任一个，侧壁21W’代表前述侧壁21W、22W、23W的任一个。在一实施例中，如图3C所示，发光单元21为倒装芯片(Flip-chip)。吸光层25的最上表面大致上与出光面21S’齐平，发光单元21’至少包含发光层211、位于发光层211两侧的p型半导体层213与n型半导体层212、及成长基板215。在一实施中，成长基板215可以被移除或是被减薄。发光层211的外侧壁被吸光层25覆盖，因此发光层211发出的光线不会直接射向其他相邻的发光单元，光线仅能从出光面21S’射出。在一实施例中，为了于显示应用时，可以具有较广的色域范围，发光单元21可以选择性的具有一滤光层214位于出光面21S’用以降低射出光线的半波高宽以提高发光单元21的色纯度。
第三实施例
图4A～图4C揭露一像素封装体2C(Pixel Package 2C)的结构。图4A显示像素封装体2C的剖视图，图4B显示像素封装体2C的上视图，图4C显示像素封装体2C中发光单元21、22、23其中之一的局部放大示意图。像素封装体2C与前述像素封装体2B的差异，在于像素封装体2C的吸光层25的最上表面低于发光单元21、22、23的出光表面21S、22S、23S。图4C显示一发光单元21’与吸光层25的局部放大图，发光单元21’代表前述发光单元21、22、23的任一个。吸光层25的最上表面低于发光单元21’的出光面21S’，露出部分的侧壁21W’。出光面21S’代表前述出光表面21S、22S、23S的任一个，侧壁21W’代表前述侧壁21W、22W、23W的任一个。在一实施例中，发光单元21’具有一高度h1，吸光层25具有一高度h2，其中h2<h1。在一实施例中0.25×h1≤h2≤0.75×h1。在另一实施例中，h1的高度介于10μm～150μm之间，h2的高度介于10μm～75μm之间。在一实施例中，如图4C的局部放大示意图所示，发光单元21’的结构为倒装芯片结构(Flip-chip)。发光单元21’至少包含发光层211、位于发光层两侧的p型半导体层213与n型半导体层212、及成长基板215。在一实施例中，成长基板215可以被移除或是被减薄。发光层211的侧壁211W被吸光层25覆盖，因此发光层211发出的红色、蓝色或绿色光线不会直接射向其他相邻的发光单元，光线可从部分的侧壁21W’及出光面21S’射出。由于在本实施例中，发光单元21、22、23的光线可从部分的侧壁21W’射出，相较于像素封装体2B，像素封装体2C中发光单元21～23的光线射出比例较大，可提高像素封装体2C的发光效率，亦可避免发光单元21、22、23之间的光串扰(crosstalk)，并完全阻隔外部光线穿透吸光层25而被基板20的上导电层204反射，增加像素封装体2C的颜色纯度及对比度。
图5显像素封装体2C的另一实施例的剖视图，由于吸光层25在制作工艺中受到表面张力的影响，吸光层25具有至少两相异的厚度h21与厚度h22，吸光层25接触发光单元21、22、23的侧壁21W、22W、23W的部分具有厚度h21，远离发光单元21、22、23的部分具有厚度h22，厚度h21大于厚度h22。
第四实施例
图6A～图6C揭露一像素封装体2D(Pixel Package 2D)的结构，图6A显示像素封装体2D的剖视图。像素封装体2D与像素封装体2C的差异处在于每一个发光单元21、22、23的侧壁21W、22W、23W上附着一反射墙27，反射墙的颜色例如白色、灰色、黄色、银色等。反射墙27的材料包含基材及反射材料，其中基材包含硅氧树脂(Silicone)、环氧树脂(Epoxy)、或其混和物。反射材料包含氧化钛(TiOx)、氧化硅(SiOx)或其混和物。图6B显示的发光单元21’代表像素封装体2D中发光单元21、22、23其中之一的局部放大示意图。其详细结构可以参考前述图3C或是图4C。如图6B所示，反射墙27的高度与侧壁21W’等高或略低，用以将发光单元21’的发光层211发出的光线反射后从出光面21S’射出。以反射墙27的高度等于或略低于吸光层25的高度尤佳，以避免反射墙27反射外部的光线。在本实施例中，反射墙27施做的方法包含点胶、网版印刷或喷墨印刷等。图6C显示图6B中的结构上视图，发光单元21’所有的侧壁21W’被反射墙27(未显示)以及吸光层25覆盖，用以将发光单元21’的发光层211发出的光线反射并从出光面21S’射出，以提升像素封装体2D中每一个发光单元21、22、23的出光效率。反射墙27被吸光层25覆盖，因此像素封装体2D的上视图与图4B所示像素封装体2C的上视图相同。
第五实施例
图7显示一实施例的一像素封装体2E(Pixel Package 2E)的剖视图。
如图7所示，像素封装体2E与像素封装体2D差异处在于吸光层25与基板20的绝缘层202或上导电层204之间具有一反射层28。反射层28包含第一部分28A以及第二部分28B。第一部分28A覆盖基板20的绝缘层202及上导电层204，第二部分28B覆盖每一个发光单元21、22、23的侧壁21W、22W、23W。其中反射层28的第二部分28B与图6A中像素封装体2D的反射墙27具有相同结构与功能。反射层28的材料与像素封装体2E的反射墙27相同。吸光层25覆盖在反射层28上，因此像素封装体2E的上视图与图4B所示像素封装体2C的上视图相同。发光单元21、22、23的详细结构可以参考图3C与图4C及相关的段落。
图8显示另一实施例的像素封装体2E结构。在本实施例中像素封装体2E的吸光层25的厚度非均一，其中吸光层25接触每一个发光单元21、22、23的侧壁21W、22W、23W的厚度大于远离发光单元21、22、23部分的厚度。与前述图5中像素封装体2C的吸光层25相同，图8中像素封装体2E的吸光层25具有非均一厚度是受到制作工艺中表面张力的影响。
多像素封装体
图9A显示一多像素封装体2F(Multi-Pixel Package 2F)的剖视图，图9B显示多像素封装体2F的上视图。多像素封装体2F与前述图3A显示第二像素封装体2B具有类似的结构，差异在于多像素封装体2F包含多组像素2P。本实施例中多像素封装体2F包含4组像素。在多像素封装体2F中，相邻像素2P之间，发出同样波长的发光单元21、发光单元22或发光单元23之间的距离都相同。如图9B所示，横向排列的像素2P之间，发光单元21之间的距离为D1，纵向排列的像素2P之间，发光单元21之间的距离为D2，D1与D2相同。发光单元21的详细结构可以参考前述图3C与图4C的相关的段落。
在另一实施例中，如图10所示，多像素封装体2G的结构与第三像素封装体2C类似，吸光层25的最上表面可低于发光单元21、22、23的出光面21S、22S、23S，露出发光单元21、22、23部分的侧壁21W、22W、23W。如图11所示，在另一实施例中，多像素封装体2H的结构与像素封装体2D类似。每一个发光单元21、22、23的侧壁21W、22W、23W上附着一反射墙27。反射墙27的高度等于或略低于吸光层25的高度，以避免反射墙27反射外部的光线。如图12所示，在另一实施例中，多像素封装体2I的结构与像素封装体2E类似，多像素封装体2I多包含一反射层28于吸光层25与基板20的绝缘层202或上导电层204之间。反射层28的结构与功能如前述像素封装体2E中的反射层28的相关描述。发光单元21、22、23的详细结构可以参考图3C与图4C及相关的段落。
显示模块一
图13揭露本申请的一实施例的显示模块100的局部剖视图。显示模块100包含一具有电路的基座1，例如PCB(print circuit board)或玻璃电路板，多个像素封装体2(PixelPackage)位于基座1的一表面1S上并与基座1的电路电连接，其中像素封装体2包含前述像素封装体2A、2B、2C、2D、2E、或多像素封装体2F。相邻的像素封装体2之间具有一走道g露出基座1的表面1S。一透光保护层3覆盖多个像素封装体2并填满走道g，藉以保护像素封装体2不易受撞击而掉落。其中，两相邻像素封装体2的走道g具有一宽度W，宽度W大于符合量产及/或使用者需求的特定数值，例如，至少大于1μm，当像素封装体2发生故障时，可以移除故障的像素封装体2，更换一新的像素封装体2。
在基座1的另一侧或与像素2P的同侧(未显示)上，多个电子元件1A，例如显示控制芯片(Display controller)、电容(Capacitor)、或电阻(Resistor)，与基座1的电路电连接。像素封装体2通过基座1的电路接收电子元件1A的信号，用以控制像素封装体2中像素2P(pixel)的发光模式。此外，基座1上包含多个定位柱1B(pillar)，用以固定显示模块100于选定的位置及/或组件上。
透光保护层3的材料包含透明的有机材料，例如：硅氧树脂(Silicone)、环氧树脂(Epoxy)、或其混和物。其硬度大于像素封装体2的透光层24，藉以保护像素封装体不易受撞击而掉落。透光保护层3的最上表面3S为一平坦表面且不易留下指纹。在一实施例中，通过调整透光保护层3材料的成分或在透光保护层3的最上表面3S上设置一抗反射膜(图未示)，以减少透光保护层3的最上表面3S反射外界的光线，降低显示模块100对人眼产生反射眩光(reflected glare)。
显示模块二
图14揭露一显示模块200，显示模块200与图13的显示模块100的差异在于，像素封装体2的周围以及相邻像素封装体2之间的走道g填满黑色或深色的吸光层4，吸光层4填满至与像素封装体2的透光层24最上表面24S齐平或者稍低于透光层24的最上表面24S。吸光层4的材料包含基材(matrix)以及黑色材料，其中基材包含硅氧树脂(Silicone)、环氧树脂(Epoxy)、或其混和物，黑色材料包含碳黑。通过调整黑色材料在基材中的浓度控制吸光层4的透光率，当吸光层4几乎或完全不透光时，像素封装体2中发光单元21、发光单元22及发光单元23发出的光线无法穿透吸光层4到相邻的像素封装体2，可以避免像素封装体2之间的光串扰(crosstalk)，增加显示模块200的对比度(display contrast)。在像素封装体2及吸光层4上形成一层透光保护层3以保护像素封装体2，此透光保护层3的材料及特性可参考显示模块100的透光保护层3的相关描述。吸光层4的硬度小于透光保护层3的硬度；例如，以shore D方式测量下，吸光层4的邵氏硬度小于60，透光保护层3的邵氏硬度大于60；在另一实施例中，以莫式方式测量，透光保护层3的莫式硬度可大于5以上，具有防刮耐磨的能力。
在另一实施例中，吸光层4在制作工艺过程中受到表面张力的影响，吸光层4的表面会呈现凹陷状(图未示)；在另一实施例中，一反射层(图未示)形成在吸光层4与像素封装体2之间，用以反射发光单元21、发光单元22及发光单元23发出的光线避免被吸光层4吸收。
显示模块三
图15显示一显示模块300，显示模块300与前述显示模块100、200的差异，在于多组像素2P直接设置在基座1上，像素2P所包含的发光单元21、发光单元22及发光单元23与基座1的电路(未显示)电连接。每一个像素2P中，相邻发光单元21、22、23之间具有一距离w1，相邻的像素2P之间具有一距离w2。在一实施中，距离w1小于距离w2。吸光层4直接设置在基座1上，填满像素2P与像素2P之间与每一个像素2P中相邻发光单元21、22、23之间的空间。吸光层4的最上表面4S齐平于或稍低于发光单元21、22、23的出光面21S、22S、23S；在发光单元21、22、23及吸光层4上形成一层透光保护层3以保护发光单元21、22、23及吸光层4。在显示模块300中，吸光层4的透光率介于0％～70％之间。吸光层4的硬度小于透光保护层3的硬度。例如，以shore D方式测量下，吸光层4的邵氏硬度小于60，透光保护层3的邵氏硬度大于60。在另一实施例中，以莫式方式测量，透光保护层3的莫式硬度可大于5以上，具有防刮耐磨的能力。
在另一实施例中，吸光层4在制作工艺过程中受到表面张力的影响，吸光层4的最上表面会呈现凹陷状(图未示)；在另一实施例中，一反射层(图未示)形成在吸光层4与每一个发光单元21、22、23的侧壁之间，用以反射发光单元21、22、23发出的光线避免被吸光层4吸收。
封胶制作工艺一
图16A到图16F揭露依据一实施例的封胶制作工艺一的步骤。如图16A所示，提供一容器41以及一装置5。多个支撑元件42位于容器41中。容器41的上视图如图16B所示，支撑元件42排列在容器41内的外围区域，相邻的支撑元件42之间具有一空隙43。提供一装置5包含一基座51以及多个发光元件52排列在基座51上。如图16A所示，将装置5倒置使发光元件52朝向容器41并放入容器41中。装置5可以为前述像素封装体2A、2B、2C、2D、2E、多像素封装体2F、显示模块100、显示模块200或显示模块300。基座51包含前述的基板20或基座1。发光元件52包含前述的发光单元21、22、23或像素封装体2A、2B、2C、2D、2E、2F。
如图16C所示，装置5放入容器41后，通过支撑元件42撑住装置5的基座51，其中支撑元件42具有一高度H可决定发光元件52的上表面521与容器41的底面411之间的距离h；接着在基座51上相对于支撑元件42的背侧511上，沿着基座51的背侧511边缘设置一封闭的挡墙44。图16D为挡墙44与装置5的上视图，，挡墙44设置于基座51边缘上。
如图16E所示，从容器41的内缘412与挡墙44之间注入液态胶，由于挡墙44为一封闭的结构，因此液态胶不会流到基座51的背侧511上。在一实施例中，电子元件(IC)设置基座51的背侧511上，可避免液态胶53破坏电子元件(IC)。接着液态胶从支撑元件42之间的空隙43(如图16B所示)流到基座51与容器41的底面411之间。如图16F所示，对容器底面411与基座51之间的空间抽真空，使液态胶53填满基座51与容器底面411之间的空间，接着静置直到液态胶53固化，形成一固态胶层53A。如图16G所示，待固态胶层53A形成后，将容器41内的装置5A取出，移除基座51上的挡墙、修饰固态胶层53A的形状，完成封胶制作工艺。本实施例中固态胶层53A的制作工艺可用以形成各像素封装体的透光层24以及各显示模块的透光保护层3。
封胶制作工艺二
图17A到图17D揭露依据一实施例的封胶制作工艺二的步骤。封胶制作工艺二与封胶制作工艺一大致相同，差异在于封胶制作工艺二未设置支撑元件42在容器41的底面411，如图17A所示，装置5放置在容器41中时，发光元件52的上表面521与底面411接触。接着如图17B所示，将液态胶53注入后，如图17C所示，液态胶53流入基座51与容器底面411之间的空间直到填满为止，接着静置、冷却，直到液态胶53固化形成固态胶层53B。即完成装置5B的制作。如图17D所示，将装置5B从容器41中取出后，固态胶层53B与发光元件52的上表面521齐平。在本实施例中，固态胶层53B的透明度低于50％，用以遮蔽未被发光元件52遮蔽的基座51的上表面512部分。本实施例中固态胶层53B的制作工艺可用以形成像素封装体2B、2D、2E、2F、2H、2I的吸光层25与显示模块200、300的吸光层4。
封胶制作工艺三
如图18A到图18E揭露依据一实施例的封胶制作工艺三的步骤。封胶制作工艺三与封胶制作工艺一大致相同，如图18A所示，差异在于，在容器41的底面411设置一阻挡层45，其中阻挡层45包含软质的胶体，例如硅胶垫。接着把装置5倒置放在阻挡层45上，使装置5的多个发光元件52接触阻挡层45，接着提供一加压元件46在装置5的基座51的背侧511施加一压力，使每一个发光元件52的部分陷入阻挡层45中，使得阻挡层45覆盖发光元件52的上表面521与部分侧表面522，阻挡层45与基座51的上表面512之间具有一距离d1。在一实施例中，形成阻挡层45的材料中包含脱模剂，脱模剂可使固化液态胶53较容易与发光元件52分离。
接着如图18B所示，对阻挡层45及基座51之间的空间抽真空并同时注入液态胶53。如图18C所示，待液态胶53固化后形成固态胶层53C，接着进行脱模。如图18D所示，将装置5C从容器41中取出后，固态胶层53C与发光元件52的上表面521不齐平且只覆盖部分的侧表面522。
在另一实施例中，如图18E所示，在图18A的步骤中，由于部分的发光元件52埋入阻挡层45中，因此阻挡层45表面会呈现凹凸状，液态胶53的表面也会呈现与阻挡层45表面一样的轮廓。后续液态胶53固化成固态胶层53C后，固态胶层53C的上表面531在相邻的发光元件52之间呈现凹陷状。
在本实施例中，固态胶层53C的透明度低于50％，用以遮蔽未被发光元件52遮蔽的基座51的上表面512以及发光元件52的部分的侧表面522。本实施例中固态胶层53C的制作工艺可用以形成像素封装体2C与多像素封装体2G的吸光层25。
封胶制作工艺四
如图19A到图19E揭露依据一实施例的封胶制作工艺四的步骤。如图19A所示，提供一支撑底座61，例如钢板，以及一软垫62放置在支撑底座61上，在软垫62上放置一膜片63，其中膜片63包含一承载膜片631、一胶膜633以及一离形层632在承载膜片631及胶膜633之间，其中胶膜633可以为B-stage(半固化)膜片，材料包含硅氧树脂(Silicone)、环氧树脂(Epoxy)、聚氨酯(Polyurethane，PU)、热塑性聚氨酯弹性体(Thermoplastic Urethane，TPU)或其混和物。胶膜633包含透明胶膜或有色胶膜，其中透明胶膜可形成前述各像素封装体的透光层24以及各显示模块的透光保护层3；有色胶膜可形成吸光层25以及反射层28。当胶膜633为有色胶膜时，胶膜633若包含黑色材料，例如碳黑，通过控制黑色材料与硅氧树脂(Silicone)或环氧树脂(Epoxy)的比例，使胶膜633的透光率介于0％～30％之间；胶膜633若包含反射材料，例如氧化钛(TiOx)、氧化硅(SiOx)或其混和物，胶膜633可具有白色或灰色等颜色。如图19A所示，装置5被倒置放在膜片63上，使每一个发光元件52的上表面521接触膜片63中的胶膜633。提供一气压垫64在基座51相对于发光元件52的背侧(不具有发光元件52的一侧)上，利用气压垫64对基座51施加一压力，使发光元件52陷入膜片63中。在制作工艺中，胶膜633被加热以维持在软化的状态。
如图19B所示，通过气压垫64及软垫62将软化的胶膜633挤压进相邻发光元件52的空间。在此实施例中，气压垫64会继续施加压力，直到软化的胶膜633填入相邻发光元件52之间的空隙，并露出发光元件52的上表面521及/或部分侧表面522。当胶膜633填入相邻发光元件52之间的空隙并到达预定的厚度后，停止加热并静置一段时间。待胶膜633固化形成固态胶层53D后，解除气压垫64的压力，并移除离形层632及承载膜片631，形成如图19C所示装置5D。在本实施例中，固态胶层53D的透明度低于50％，用以遮蔽未被发光元件52遮蔽的基座51的上表面512以及发光元件52的部分的侧表面522。本实施例中固态胶层53D的制作工艺可用以形成像素封装体2C与多像素封装体2G的吸光层25。在另一实施例中，如图19D所示，在图19B所示的步骤中，由于胶膜633软化后受到软垫62的挤压，因此软化的胶膜633在发光元件52之间呈现凸状，因此胶膜633冷却固化形成固态胶层53D后，固态胶层53D的表面53D1在相邻的发光元件52之间呈现凹陷状。
本实施例所揭露的胶膜633的厚度及颜色可随着应用的项目调整，因此当固态胶层53D用以形成像素封装体2B、2D、2E、2F、2H、2I的吸光层25或显示模块200、300的吸光层4，胶膜633的颜色可以为黑色且厚度小于发光元件52的高度。当固态胶层53D用以形成前述各像素封装体的透光层24或各显示模块的透光保护层3时，胶膜633的透明度可调整介于30％～100％之间且厚度大于发光元件52高度。当固态胶层53D用以形成前述各像素封装体的反射层28时，胶膜633包含反射材料，例如氧化钛(TiOx)、氧化硅(SiOx)或其混和物，且厚度小于发光元件52高度。
图19E显示封胶制作工艺四的另一种实施方式，装置5放置在软垫62上，膜片63放置在发光元件52上，使胶膜633与发光元件52的上表面521接触。利用气压垫64提供压力在膜片63的承载膜片631上，把经加热软化的胶膜633挤压到在发光元件52之间，后续的步骤与前述图19B相同。
封胶制作工艺五
图20A到图20B显示另一封胶制作工艺实施例，如图20A所示，提供一喷墨(Ink JetPrinting)装置71将液态胶53喷涂在装置5的基座51上。待液态胶53均匀地覆盖基座51的上表面512及发光元件52的侧表面522后；接着如图20B所示，利用一照射装置72提供一光线721，例如波长介于300nm～400nm的紫外光，照射液态胶53，将液态胶53固化形成固态胶层53E。在另一实施例中，喷墨装置71与照射装置72可设置在一起，当液态胶53喷涂在装置5的基座51上后，照射装置72同时提供光线721用以固化液态胶53形成固态胶层53E。
本实施例所揭露的液态胶53的材料包含硅氧树脂(Silicone)、环氧树脂(Epoxy)或压克力。液态胶53的颜色及喷涂厚度可随着固态胶层53E的应用项目而调整。当固态胶层53E作为像素封装体2B、2D、2E、2F、2H、2I的吸光层25或显示模块200、300的吸光层4时，液态胶53可选择颜色为黑色，且制作工艺中液态胶53仅覆盖发光元件52的侧表面522，不会盖过上表面521。当固态胶层53E用以作为前述各像素封装体的透光层24以及各显示模块的透光保护层3时，液态胶53的透明度可调整介于30％～100％之间，且制作工艺中液态胶53会盖过发光元件52的上表面521；当固态胶层53E用以作为前述各像素封装体的反射层28及反射墙27时，液态胶53包含反射材料，例如氧化钛(TiOx)、氧化硅(SiOx)或其混和物且制作工艺中液态胶53仅覆盖发光元件52的侧表面522，不会盖过上表面521。
需注意的是，本发明所提的前述实施例仅用于例示说明本发明，而非用于限制本发明的范围。熟悉本发明所属领域技术的人对本发明所进行的诸般修饰和变化都不脱离本发明的精神与范畴。不同实施例中相同或相似的构件、或不同实施例中以相同元件符号表示的构件具有相同的物理或化学特性。此外，在适当的情况下，本发明的上述实施例可互相组合或替换，而非仅限于上文所描述的特定实施例。在一实施例中所描述的特定构件与其他构件的连接关系也可应用于其他实施例中，其都落于本发明如附权利要求的范畴。

Claims (10)

1.一种封装体，其特征在于，包括：
基板，具有第一表面以及上导电层设置于该第一表面上；
多组像素，设置于该上导电层上，排列成阵列，各组像素包括：
第一发光单元，具有第一出光表面以及第一侧表面；
第二发光单元，具有第二出光表面以及第二侧表面；以及
第三发光单元，具有第三出光表面以及第三侧表面；
透光层，设置于该第一表面上且覆盖该上导电层、该第一发光单元、该第二发光单元以及该第三发光单元；以及
吸光层，设置在该基板与该透光层之间，且覆盖该上导电层、该第一侧表面、该第二侧表面以及该第三侧表面，并露出该第一出光表面、该第二出光表面及该第三出光表面，
其中，该第一发光单元具有高度h1，该吸光层具有高度h2，且0.25×h1≤h2≤0.75×h1，
其中，该第一发光单元、该第二发光单元及该第三发光单元发出不同光色的光，
其中，该多组像素包含第一像素与第二像素，在上视图中，该第一像素与该第二像素在该阵列的一个横排中彼此相邻，该第一像素中的该第一发光单元与该第二像素中的该第一发光单元相隔第一距离，该第一像素中的该第二发光单元与该第二像素中的该第二发光单元相隔第二距离，该第一像素中的该第三发光单元与该第二像素中的该第三发光单元相隔第三距离，该第一距离、该第二距离与该第三距离相同。
2.如权利要求1所述的封装体，其中，该吸光层的最上表面不高于该第一出光表面及该第二出光表面。
3.如权利要求1所述的封装体，其中，该第一发光单元包含第一半导体层以及第一基板，且该吸光层的最上表面高于该第一半导体层与该第一基板的接面。
4.如权利要求1所述的封装体，其中，该吸光层包含碳黑。
5.如权利要求1所述的封装体，其中，该吸光层与该透光层包含硅氧树脂(Silicone)、环氧树脂(Epoxy)或其混和物。
6.如权利要求1所述的封装体，其中，该基板还包含绝缘层、下导电层位于该绝缘层之下以及多个导电贯孔，其中该上导电层位于该绝缘层之上，该导电贯孔连接该上导电层以及该下导电层。
7.如权利要求1所述的封装体，还包括反射墙位于该第一半导体层以及该吸光层之间，且该反射墙不露出于该吸光层。
8.如权利要求1所述的封装体，其中，该第一发光单元及该第二发光单元都为倒装芯片结构。
9.如权利要求1所述的封装体，其中，该吸光层包含第一厚度与第二厚度，该第一厚度与该第二厚度相异。
10.如权利要求9所述的封装体，其中，该吸光层接触该第一发光单元的部分具有该第一厚度，该吸光层远离该第一发光单元的部分具有该第二厚度，该第一厚度大于该第二厚度。
CN202010444239.3A 2019-05-24 2020-05-22 封装体与显示模块 Active CN111987080B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311136576.6A CN117423689A (zh) 2019-05-24 2020-05-22 封装体与显示模块

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962852826P 2019-05-24 2019-05-24
US62/852,826 2019-05-24
US201962888470P 2019-08-17 2019-08-17
US62/888,470 2019-08-17

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311136576.6A Division CN117423689A (zh) 2019-05-24 2020-05-22 封装体与显示模块

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111987080A CN111987080A (zh) 2020-11-24
CN111987080B true CN111987080B (zh) 2023-09-26

Family

ID=73052361

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010444239.3A Active CN111987080B (zh) 2019-05-24 2020-05-22 封装体与显示模块
CN202311136576.6A Pending CN117423689A (zh) 2019-05-24 2020-05-22 封装体与显示模块

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311136576.6A Pending CN117423689A (zh) 2019-05-24 2020-05-22 封装体与显示模块

Country Status (4)

Country Link
US (3) US11508887B2 (zh)
CN (2) CN111987080B (zh)
DE (1) DE102020113855A1 (zh)
TW (4) TWI762431B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190355886A9 (en) * 2015-03-31 2019-11-21 Cree, Inc. Light emitting diodes and methods
TWD198613S (zh) * 2018-08-08 2019-07-11 晶元光電股份有限公司 發光二極體之部分
FR3100379B1 (fr) * 2019-09-03 2021-09-24 St Microelectronics Grenoble 2 Dispositif électronique comprenant des composants électroniques optiques et procédé de fabrication
KR20210028784A (ko) * 2019-09-04 2021-03-15 삼성전자주식회사 발광 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 소자
US11757073B2 (en) * 2019-12-28 2023-09-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device and LED display apparatus having the same
CN112968114B (zh) * 2021-02-01 2022-07-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN114122230B (zh) * 2021-11-01 2023-08-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种掩模板、显示面板以及制作方法
CN114335303B (zh) * 2021-12-31 2024-04-09 佛山市国星光电股份有限公司 一种发光器件及其加工方法
TWI801122B (zh) * 2022-01-28 2023-05-01 友達光電股份有限公司 封裝結構及其製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1581611A (zh) * 2003-08-07 2005-02-16 精工爱普生株式会社 面发光型半导体激光器、光模块、及光传输装置
WO2014081042A1 (ja) * 2012-11-26 2014-05-30 シチズン電子株式会社 発光装置
CN104979447A (zh) * 2015-07-16 2015-10-14 华天科技（昆山）电子有限公司 倒装led封装结构及制作方法
CN107438899A (zh) * 2015-03-31 2017-12-05 科锐公司 具有包封的发光二极管和方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2877611B2 (ja) 1991-06-07 1999-03-31 株式会社東芝 光半導体装置
JP3131354B2 (ja) * 1994-09-02 2001-01-31 シャープ株式会社 液晶表示装置
US6943378B2 (en) * 2003-08-14 2005-09-13 Agilent Technologies, Inc. Opto-coupler
US9018655B2 (en) 2005-02-03 2015-04-28 Epistar Corporation Light emitting apparatus and manufacture method thereof
DE102010012602B4 (de) 2010-03-24 2023-02-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil sowie Anzeigevorrichtung und Herstellungsverfahren
DE102010046254A1 (de) 2010-09-22 2012-04-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
US20130307013A1 (en) 2012-05-15 2013-11-21 Avago Technlogies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting device with dark layer
TWI711190B (zh) * 2013-11-18 2020-11-21 晶元光電股份有限公司 發光裝置及其製作方法
US9818725B2 (en) * 2015-06-01 2017-11-14 X-Celeprint Limited Inorganic-light-emitter display with integrated black matrix
JP6459354B2 (ja) * 2014-09-30 2019-01-30 日亜化学工業株式会社 透光部材及びその製造方法ならびに発光装置及びその製造方法
US20160181476A1 (en) * 2014-12-17 2016-06-23 Apple Inc. Micro led with dielectric side mirror
US10847571B2 (en) * 2015-01-23 2020-11-24 Vuereal Inc. Micro device integration into system substrate
CN112822840A (zh) * 2015-08-20 2021-05-18 苹果公司 具有电子部件阵列的基于织物的物品
EP3174109B1 (en) * 2015-11-30 2020-11-18 Nichia Corporation Method of manufacturing a light emitting device
TWI780041B (zh) * 2016-02-04 2022-10-11 晶元光電股份有限公司 一種發光元件及其製造方法
CN107437551B (zh) * 2016-05-25 2020-03-24 群创光电股份有限公司 显示装置及其制造方法
JP6711229B2 (ja) * 2016-09-30 2020-06-17 日亜化学工業株式会社 プリント基板の製造方法及び発光装置の製造方法
US10790330B2 (en) * 2016-11-24 2020-09-29 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor device and display device comprising same
CN206672555U (zh) 2017-03-29 2017-11-24 佛山市国星光电股份有限公司 一种可观性好的led显示模组及led显示屏
CN108695304A (zh) * 2017-03-31 2018-10-23 亿光电子工业股份有限公司 发光装置及其制造方法
JP7109236B2 (ja) * 2018-04-04 2022-07-29 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
KR102639567B1 (ko) * 2018-05-14 2024-02-23 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US11101410B2 (en) * 2018-05-30 2021-08-24 Creeled, Inc. LED systems, apparatuses, and methods
US20200044125A1 (en) * 2018-07-31 2020-02-06 Innolux Corporation Light-emitting device
US10903265B2 (en) * 2018-12-21 2021-01-26 Cree, Inc. Pixelated-LED chips and chip array devices, and fabrication methods
US10892257B2 (en) * 2019-01-21 2021-01-12 Innolux Corporation Foldable display device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1581611A (zh) * 2003-08-07 2005-02-16 精工爱普生株式会社 面发光型半导体激光器、光模块、及光传输装置
WO2014081042A1 (ja) * 2012-11-26 2014-05-30 シチズン電子株式会社 発光装置
CN107438899A (zh) * 2015-03-31 2017-12-05 科锐公司 具有包封的发光二极管和方法
CN104979447A (zh) * 2015-07-16 2015-10-14 华天科技（昆山）电子有限公司 倒装led封装结构及制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20230034763A1 (en) 2023-02-02
US20200373469A1 (en) 2020-11-26
TW202207489A (zh) 2022-02-16
TWI733466B (zh) 2021-07-11
TW202243286A (zh) 2022-11-01
CN117423689A (zh) 2024-01-19
TW202137584A (zh) 2021-10-01
TW202226620A (zh) 2022-07-01
TWI762431B (zh) 2022-04-21
CN111987080A (zh) 2020-11-24
DE102020113855A1 (de) 2020-11-26
TW202044503A (zh) 2020-12-01
US20240145650A1 (en) 2024-05-02
TWI775712B (zh) 2022-08-21
US11870022B2 (en) 2024-01-09
US11508887B2 (en) 2022-11-22
TWI748924B (zh) 2021-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111987080B (zh) 封装体与显示模块
US20210080786A1 (en) Method of manufacturing light emitting module and light emitting module
US11380826B2 (en) Light emitting module
JP5497469B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
KR20170093082A (ko) 발광소자 및 그의 제조방법
TW201729434A (zh) 一種發光元件及其製造方法
US20230352444A1 (en) Method of manufacturing electronic device
KR20180067447A (ko) 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법
TWI836519B (zh) 封裝與顯示模組
CN112018098B (zh) 像素阵列基板及其制造方法
TW201409672A (zh) 半導體器件
CN114335304A (zh) 面发光光源以及其制造方法
US20230343894A1 (en) Pixel package
US11721787B2 (en) Method of manufacturing display device
JP7116327B2 (ja) 発光モジュールおよび発光モジュールの製造方法
CN116093237A (zh) 微型led结构及其制备方法和发光装置
CN115692389A (zh) 一种显示模组的制备方法及一种显示模组
CN115498090A (zh) 一种显示装置及其制备方法
KR100978566B1 (ko) 측면방출 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
TW202410485A (zh) 影像感測器封裝及其製造方法
KR20240031527A (ko) 이미지 센서 패키지 및 그 패키지 제조방법
CN114628566A (zh) 光色转换结构、发光单元及发光单元制作方法
CN114284399A (zh) Led显示模组的加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant