CN114628566A - 光色转换结构、发光单元及发光单元制作方法 - Google Patents

光色转换结构、发光单元及发光单元制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114628566A
CN114628566A CN202210316908.8A CN202210316908A CN114628566A CN 114628566 A CN114628566 A CN 114628566A CN 202210316908 A CN202210316908 A CN 202210316908A CN 114628566 A CN114628566 A CN 114628566A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
black
substrate
color conversion
emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202210316908.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114628566B (zh
Inventor
薛水源
明瑞庆
庄文荣
孙明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dongguan HCP Technology Co Ltd
Original Assignee
Dongguan HCP Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongguan HCP Technology Co Ltd filed Critical Dongguan HCP Technology Co Ltd
Priority to CN202210316908.8A priority Critical patent/CN114628566B/zh
Publication of CN114628566A publication Critical patent/CN114628566A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114628566B publication Critical patent/CN114628566B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/505Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/508Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明提供了一种光色转换结构、发光单元及发光单元制作方法,本发明的光色转换结构设有两位于色转换层的相对侧的第一基板,利用第一基板阻隔水分、粉尘,可以很好地保护色转换层中的色转换材料,延长使用寿命;而且,第一基板设有黑色光阻部,每一黑色光阻部围绕至少一透光部,黑色光阻部与黑色矩阵的黑色区域相对,而黑色矩阵中的通孔与第一基底中的透光部相对,利用黑色光阻部和黑色矩阵可以有效避免串色。

Description

光色转换结构、发光单元及发光单元制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种光色转换结构、发光单元及发光单元制作方法。
背景技术
量子点转色技术是利用量子点受到电或光的刺激发出各种不同颜色的单色光,可以借助量子点发出能谱集中、非常纯正的高质量单色光。厂家一般利用蓝光LED芯片发光,结合量子点转换成红光或绿光。
由于量子点转色技术在LED屏像素显示中存在有串色,因此,需要在不同量子点之间设置黑色矩阵;与此同时,现有的光色转换结构存在不抗水分、粉尘等问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可以避免串色,且抗水分、粉尘的光色转换结构、具有该光色转换结构的发光单元以及该发光单元的制作方法。
为实现上述目的,本发明提供了一种光色转换结构,包括两第一基板以及色转换层,每一所述第一基板包括允许光线透过的第一基底和间距设置在所述第一基底中的若干黑色光阻部,每一所述黑色光阻部围绕至少一透光部;所述色转换层设于两所述第一基板之间,包括具有若干通孔的黑色矩阵和用于转换光色的色转换材料,每一所述通孔与所述两第一基板中的一所述透光部相对,所述黑色矩阵除所述若干通孔以外的区域为黑色区域,所述黑色区域与所述黑色光阻部相对,部分或全部所述通孔填充有所述色转换材料。
在一些实施例中,所述黑色光阻部的靠近所述通孔的侧面与所述通孔的孔壁齐平。
在一些实施例中,所述第一基底设有若干容置部,所述容置部设置于所述第一基底面向所述色转换层的一面,每一所述黑色光阻部设置在一所述容置部内。
为实现上述目的,本发明提供了一种发光单元,包括第二基板、设于所述第二基板上的若干发光芯片以及如上所述的光色转换结构,所述第二基板、若干发光芯片、光色转换结构依次层叠,每一所述发光芯片与所述光色转换结构的色转换层的至少一通孔相对,所述发光芯片远离所述第二基板的一面为出光面。
在一些实施例中,所述第二基板上间距设有至少两个所述发光芯片,各所述发光芯片之间填充有黑色封装胶层。
在一些实施例中,所述第二基板上间距设有至少三个所述发光芯片,每三个所述发光芯片构成一像素单元,每一所述像素单元的其中一发光芯片对应的通孔填充有用于将发光芯片发出的光线转换为第一光色的色转换材料,其中一发光芯片对应的通孔填充有用于将发光芯片发出的光线转换为第二光色的色转换材料,其中一发光芯片对应的通孔没有填充色转换材料或填充不会将所述发光芯片发出的光线转换为其它光色的色转换材料,所述发光芯片发出的光线、第一光色、第二光色分别为蓝光、红光、绿光其中之一,每一所述黑色光阻部围绕三个所述透光部。
在一些实施例中,所述第二基板上设有一个所述发光芯片,所述色转换层设有一个所述通孔,每一所述黑色光阻部围绕一个所述透光部。
在一些实施例中,所述第二基板具有相对的第一面和第二面,所述第一面上设有若干第一焊盘,所述发光芯片的电极与所述第一焊盘焊接固定,所述第二面上设有分别与所述若干第一焊盘电连接的若干第二焊盘。
为实现上述目的,本发明提供了一种发光单元制作方法,包括步骤:
(1)提供允许光线透过且设有若干容置部的第一基底;
(2)在所述若干容置部中填充光阻材料,形成间距设置在所述第一基底中的若干黑色光阻部,获得第一基板,每一所述黑色光阻部围绕至少一透光部;
(3)在所述第一基板的一面成型出黑色矩阵,所述黑色矩阵具有与所述第一基板中的透光部相对的若干通孔,所述黑色矩阵除所述若干通孔以外的区域为黑色区域,所述黑色区域与所述黑色光阻部相对;
(4)选择性在所述通孔中填充用于转换光色的色转换材料,以制成色转换层;
(5)将经步骤(2)制作后获得的一第一基板与经步骤(2)~(4)获得的色转换层键合,制成光色转换结构,各所述黑色区域均与两所述第一基板的黑色光阻部相对;
(6)将间距设有若干发光芯片的第二基板与其中一所述第一基板键合,每一所述发光芯片与至少一所述通孔相对。
在一些实施例中,在步骤(6)之后,还包括步骤:(7)切割步骤(6)制成的结构,获得包括有至少一所述发光芯片的发光单元。
在一些实施例中,在步骤(3)中,在所述第一基板具有所述容置部的一面成型出黑色矩阵;在步骤(5)中,在将经步骤(2)制作后获得的一第一基板与经步骤(2)~(4)获得的色转换层键合时,使所述经步骤(2)制作后获得的一第一基板的容置部的开口端面向所述色转换层。
在一些实施例中,在步骤(6)之前,还包括:将所述若干发光芯片间距排布在第二基板上;并在各所述发光芯片之间填充黑色封装胶层;在步骤(6)中,使各所述发光芯片之间的黑色封装胶层与所述黑色光阻部和所述黑色矩阵的黑色区域相对。
在一些实施例中,所述第二基板具有相对的第一面和第二面,所述第一面上设有若干第一焊盘,所述发光芯片的电极与所述第一焊盘焊接固定,所述第二面上设有分别与所述若干第一焊盘电连接的若干第二焊盘。
另,本发明还提供一种采用如上所述的制作方法制成的发光单元。
与现有技术相比,本发明的光色转换结构设有两位于色转换层的相对侧的第一基板,利用第一基板阻隔水分、粉尘,可以很好地保护色转换层中的色转换材料,延长使用寿命;而且,第一基板设有黑色光阻部,每一黑色光阻部围绕至少一透光部,黑色光阻部与黑色矩阵的黑色区域相对,而黑色矩阵中的通孔与第一基底中的透光部相对,利用黑色光阻部和黑色矩阵可以有效避免串色。
附图说明
图1是本发明一实施例光色转换结构的示意图;
图2是本发明一实施例发光单元的示意图;
图3是本发明另一实施例发光单元的示意图;
图4-图5是本发明一实施例发光单元制作过程的示意图;
图6是本发明一实施例单个黑色光阻部与其围绕的透光部的示意图。
具体实施方式
为详细说明本发明的内容、构造特征、所实现目的及效果,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为便于描述本发明和简化描述,因而不能理解为对本发明保护内容的限制。
以下,结合附图对本发明实施例的技术方案进行详细说明:
请参阅图1,本发明一实施例提供的光色转换结构包括两第一基板1以及一色转换层2,第一基板1、色转换层2、第一基板1自上向下依次层叠设置。其中,每一第一基板1包括允许光线透过的第一基底11和间距设置在第一基底11中的若干个黑色光阻部12,单个黑色光阻部12围绕一个或多个透光部13。色转换层2包括具有若干通孔211的黑色矩阵21和用于转换光色的色转换材料22,黑色矩阵21中的每一通孔211与两第一基板1中的一透光部13上下对应,黑色矩阵21除若干通孔211以外的区域为黑色区域212,黑色区域212与两第一基板1的若干个黑色光阻部12及各黑色光阻部12之间的区域相对应。黑色矩阵21中的部分或全部通孔211填充有色转换材料22。
其中,第一基底11可以是蓝宝石,也可以是石英玻璃,还可以是有机硅、陶瓷等。第一基底11具有很好的透光性,可以避免影响出光;同时,还可以隔绝粉尘、水汽等,以保护色转换材料22;此外,表面光滑,可以很好地与发光芯片的出光面贴合。
在一些实施例中,第一基底11的厚度为0.1mm到3mm。
在图1所示实施中,第一基底11设有若干容置部111,容置部111设置于第一基底11面向色转换层2的一面,每一黑色光阻部12设置在一容置部111。在图1所示实施例中,容置部111为容置槽,当然,在一些实施中,容置部111也可以为通孔。如图1所示,透光部13即为第一基底11中被黑色光阻部12围绕的区域。
在图1所示实施例中,黑色光阻部12的靠近通孔211的侧面与通孔211的孔壁上下齐平。利用黑色光阻部12既可以起到进一步避免光色串扰,又不会影响出光。
黑色光阻部12可以是具有墨色材料的环氧树脂、硅胶等,只要能够起到阻挡光线透过以避免串光即可。
色转换材料22可以例如为量子点、荧光粉等,在图1所示实施例中,色转换材料22为量子点。
接下来请参阅图2,本发明一实施例提供的发光单元,包括第二基板3、间距设于第二基板3上的多个发光芯片4以及光色转换结构,第二基板3、若干发光芯片4、光色转换结构自下向上依次层叠,每一发光芯片4与光色转换结构的色转换层2的至少一通孔211上下相对,发光芯片4远离第二基板3的一面(以图2所示角度为例,即为,发光芯片4的上表面)为出光面。
其中,光色转换结构的具体结构可参阅前述描述,在此不再赘述。
在图2所示实施例中,第二基板3上间距设有多个发光芯片4,各发光芯片4之间填充有黑色封装胶层5。黑色封装胶层5的设置,可以避免发光芯片4的侧面漏光,而影响显示效果。
在一些实施例中,第二基板3上每三个发光芯片4构成一像素单元,每一像素单元的其中一发光芯片4对应的通孔211填充有用于将发光芯片4发出的光线转换为第一光色的色转换材料22,其中一发光芯片4对应的通孔211填充有用于将发光芯片4发出的光线转换为第二光色的色转换材料22,其中一发光芯片4对应的通孔211没有填充色转换材料22或填充不会将发光芯片4发出的光线转换为其它光色的色转换材料,发光芯片4发出的光线、第一光色、第二光色分别为蓝光、红光、绿光其中之一。相应的,每一黑色光阻部12围绕三个透光部13,每一黑色光阻部12可以例如为目字状,如图6所述。
具体可以是,发光芯片4发出的光线为蓝光,像素单元中的其中一发光芯片4对应的通孔211中填充红光量子点,通过红光量子点将发光芯片4发出的蓝光转换为红光,其中一发光芯片4对应的通孔211中填充绿光量子点,通过绿光量子点将发光芯片4发出的蓝光转换为绿光,其中一发光芯片4对应的通孔211中填充不会将发光芯片4发出的蓝光转换为其它光色的蓝光量子点,也可以是填充散光材料,还可以是不填充任何材料。
如图2所示,第二基板3具有相对的第一面和第二面,在一些实施例中,第二基板3为设有线路结构的电路板,如BT板等,第二基板3的第一面上设有若干第一焊盘,发光芯片4的电极与第一焊盘焊接固定,第二基板3的第二面上设有分别与若干第一焊盘电连接的若干第二焊盘。在使用发光单元时,可以将发光单元的第二焊盘与目标基板,如PCB板焊接固定,即可实现发光芯片4与目标基板的电连接。
在上述实施例中,第二基板3上设有多个发光芯片4,可以理解的,第二基板3上也可以是仅仅设有一个发光芯片4,此时,光色转换结构的色转换层2可以是仅设有一个通孔211,每一黑色光阻部12围绕一透光部13,黑色光阻部12可以例如为口字状。即是,发光单元为仅包括有一发光芯片4。第二基板3上也可以是设有三个发光芯片4,此时,光色转换结构的色转换层2可以是设有三个通孔211,通过在其中两个通孔211填充色转换材料22,实现将发光芯片4发出的光线转换为红光、绿光发出,进而实现RGB全彩显示。即是,发光单元为仅包括有三发光芯片4,如图3所示。
接下来请参阅图4-图5,本发明一实施例提供了发光单元的制作方法,包括以下步骤S1-步骤S7。
S1,提供允许光线透过且设有若干容置部111的第一基底11,如图4中(b)所示。
其中,可以是通过激光蚀刻、化学蚀刻等方式蚀刻图4中(a)所示的表面平整的第一基底,得到具有容置部111的第一基底11,如图4中(b)所示。在图4所示实施例中,容置部111为容置槽,当然,在其它实施例中,容置部111也可以为通孔。
S2,在若干容置部111中填充光阻材料,形成间距设置在第一基底11中的若干黑色光阻部12,获得第一基板1,每一黑色光阻部12围绕至少一透光部13,如图4中(c)所示。
其中,光阻材料可以是黑色胶水,如环氧胶水、硅胶等,光阻材料优选为填满容置部111,如图4中(c)所示,黑色光阻部12的表面与第一基底11的表面齐平。
在图4所示实施例中,每一黑色光阻部12围绕三个透光部13,当然,每一黑色光阻部12也可以是围绕一个透光部13、两个透光部13等。
S3,在第一基板1的一面成型出黑色矩阵21,黑色矩阵21具有与第一基板1中的透光部13上下相对的若干通孔211,黑色矩阵21除若干通孔211以外的区域为黑色区域212,黑色区域212与黑色光阻部12上下相对,如图4中(e)所示。
具体可以是在第一基板1的上表面涂布可曝光的黑色胶水层6,如图4中(d)所示,黑色胶水层6经曝光、显影后形成具有多个通孔211的黑色矩阵21,如图4中(e)所示。还可以是利用掩膜等,直接间距地在第一基板1的上表面涂布粘性较高的黑色胶水,黑色胶水固化后即形成具有多个通孔211的黑色矩阵21。
在一些容置部111为容置槽的实施例中,在步骤S3中,是在第一基板1具有容置部111的一面成型出黑色矩阵21。
S4,选择性在通孔211中填充用于转换光色的色转换材料22,制成的色转换层2如图4中(f)所示。
其中,色转换材料22可以是有机量子点、无机量子点、Ge(锗)量子点、无Ge(锗)量子点等。
S5,将经步骤S2制作后获得的一第一基板1与经步骤S2~S4获得的色转换层2键合,制成光色转换结构,如图4中(g)、(h)所示,各个黑色区域212与两第一基板1的各黑色光阻部12相对。
具体可以在经步骤S2制作后获得的一第一基板1具有容置部111的一面上添加一层透明胶水,然后将该添加了一层透明胶水的第一基板1与色转换层2压合,以实现第一基板1与色转换层2的永久键合。
在一些容置部111为容置槽的实施例中,在步骤S5中,在将经S2制作后获得的一第一基板1与步骤S2~S4获得的色转换层2键合时,使经步骤S2制作后获得的一第一基板1的容置部111的开口端面向色转换层2。
S6,将间距设有若干发光芯片4的第二基板3与其中一第一基板1键合,每一发光芯片4与第一基板1相贴,且与至少一通孔211上下相对,如图5中(k)所示。
具体可以在经步骤S5制作后获得的光色转换结构的任意一第一基板1远离色转换层2的一面上添加一层透明胶水,然后将该添加了一层透明胶水的第一基板1与发光芯片4粘合,以实现发光芯片4与第一基板1的永久键合。
在一些实施例中,在步骤S6之前,需要先将若干发光芯片4间距排布在第二基板3上,如图5中(i)所示,然后,在各发光芯片4之间填充黑色封装胶层5,如图5中(j)所示。在这些实施例中,在步骤S6中,使各发光芯片4之间的黑色封装胶层5与黑色光阻部12和黑色矩阵21的黑色区域212上下相对。通过在各发光芯片4之间填充黑色封装胶层5,可以吸收发光芯片4的侧面出光,显示效果更好。
S7,切割步骤S6制成的结构,获得包括有至少一发光芯片4的发光单元。
在一些实施例中,可以是切割成仅包括有一个发光芯片4的发光单元;而在另一些实施例中,可以是切割成包括有多个发光芯片4的发光单元,例如包括有三个发光芯片4,利用红光量子点和绿光量子点进行光色转换,能够实现RGB全彩显示的发光单元,如图5中(l)所示。
在一些实施例中,第二基板3具有相对的第一面和第二面,在一些实施例中,第二基板3为设有线路结构的电路板,如BT板等,第二基板3的第一面上设有若干第一焊盘,发光芯片4的电极与第一焊盘焊接固定,第二基板3的第二面上设有分别与若干第一焊盘电连接的若干第二焊盘。在使用发光单元时,可以将发光单元的第二焊盘与目标基板,如PCB板焊接固定,即可实现发光芯片4与目标基板的电连接。
综上,本发明的光色转换结构设有两位于色转换层2的相对侧的第一基板1,利用第一基板1阻隔水分、粉尘,可以很好地保护色转换层2中的色转换材料22,延长使用寿命,且第一基板1采用玻璃板材等,能有效提高与发光芯片4的贴合度。而且,第一基板1设有黑色光阻部12,每一黑色光阻部12围绕至少一透光部13,黑色光阻部12与黑色矩阵21的黑色区域212上下相对,而黑色矩阵21中的通孔211与第一基底11中的透光部13上下相对,利用黑色光阻部12和黑色矩阵21可以有效避免串色。本发明可以应用于COB、单颗发光发光芯片4封装体、RGB三光色模组等。
以上所揭露的仅为本发明的较佳实例而已,不能以此来限定本发明之权利范围,因此依本发明权利要求所作的等同变化,均属于本发明所涵盖的范围。

Claims (14)

1.一种光色转换结构,其特征在于,包括:
两第一基板,每一所述第一基板包括允许光线透过的第一基底和间距设置在所述第一基底中的若干黑色光阻部,每一所述黑色光阻部围绕至少一透光部;以及
色转换层,设于两所述第一基板之间,包括具有若干通孔的黑色矩阵和用于转换光色的色转换材料,每一所述通孔与所述两第一基板中的一所述透光部相对,所述黑色矩阵除所述若干通孔以外的区域为黑色区域,所述黑色区域与所述黑色光阻部相对,部分或全部所述通孔填充有所述色转换材料。
2.如权利要求1所述的光色转换结构,其特征在于,所述黑色光阻部的靠近所述通孔的侧面与所述通孔的孔壁齐平。
3.如权利要求1所述的光色转换结构,其特征在于,所述第一基底设有若干容置部,所述容置部设置于所述第一基底面向所述色转换层的一面,每一所述黑色光阻部设置在一所述容置部内。
4.一种发光单元,其特征在于,包括第二基板、设于所述第二基板上的若干发光芯片以及如权利要求1至3任一项所述的光色转换结构,所述第二基板、若干发光芯片、光色转换结构依次层叠,每一所述发光芯片与所述光色转换结构的色转换层的至少一通孔相对,所述发光芯片远离所述第二基板的一面为出光面。
5.如权利要求4所述的发光单元,其特征在于,所述第二基板上间距设有至少两个所述发光芯片,各所述发光芯片之间填充有黑色封装胶层。
6.如权利要求4所述的发光单元,其特征在于,所述第二基板上间距设有至少三个所述发光芯片,每三个所述发光芯片构成一像素单元,每一所述像素单元的其中一发光芯片对应的通孔填充有用于将发光芯片发出的光线转换为第一光色的色转换材料,其中一发光芯片对应的通孔填充有用于将发光芯片发出的光线转换为第二光色的色转换材料,其中一发光芯片对应的通孔没有填充色转换材料或填充不会将所述发光芯片发出的光线转换为其它光色的色转换材料,所述发光芯片发出的光线、第一光色、第二光色分别为蓝光、红光、绿光其中之一,每一所述黑色光阻部围绕三个所述透光部。
7.如权利要求4所述的发光单元,其特征在于,所述第二基板上设有一个所述发光芯片,所述色转换层设有一个所述通孔,每一所述黑色光阻部围绕一个所述透光部。
8.如权利要求4所述的发光单元,其特征在于,所述第二基板具有相对的第一面和第二面,所述第一面上设有若干第一焊盘,所述发光芯片的电极与所述第一焊盘焊接固定,所述第二面上设有分别与所述若干第一焊盘电连接的若干第二焊盘。
9.一种发光单元制作方法,其特征在于,包括步骤:
(1)提供允许光线透过且设有若干容置部的第一基底;
(2)在所述若干容置部中填充光阻材料,形成间距设置在所述第一基底中的若干黑色光阻部,获得第一基板,每一所述黑色光阻部围绕至少一透光部;
(3)在所述第一基板的一面成型出黑色矩阵,所述黑色矩阵具有与所述第一基板中的透光部相对的若干通孔,所述黑色矩阵除所述若干通孔以外的区域为黑色区域,所述黑色区域与所述黑色光阻部相对;
(4)选择性在所述通孔中填充用于转换光色的色转换材料,以制成色转换层;
(5)将经步骤(2)制作后获得的一第一基板与经步骤(2)~(4)获得的色转换层键合,制成光色转换结构,各所述黑色区域均与两所述第一基板的黑色光阻部相对;
(6)将间距设有若干发光芯片的第二基板与其中一所述第一基板键合,每一所述发光芯片与至少一所述通孔相对。
10.如权利要求9所述的制作方法,其特征在于,在步骤(6)之后,还包括步骤:
(7)切割步骤(6)制成的结构,获得包括有至少一所述发光芯片的发光单元。
11.如权利要求9所述的制作方法,其特征在于,在步骤(3)中,在所述第一基板具有所述容置部的一面成型出黑色矩阵;
在步骤(5)中,在将经步骤(2)制作后获得的一第一基板与经步骤(2)~(4)获得的色转换层键合时,使所述经步骤(2)制作后获得的一第一基板的容置部的开口端面向所述色转换层。
12.如权利要求9所述的制作方法,其特征在于,在步骤(6)之前,还包括:
将所述若干发光芯片间距排布在第二基板上;并在各所述发光芯片之间填充黑色封装胶层;
在步骤(6)中,使各所述发光芯片之间的黑色封装胶层与所述黑色光阻部和所述黑色矩阵的黑色区域相对。
13.如权利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述第二基板具有相对的第一面和第二面,所述第一面上设有若干第一焊盘,所述发光芯片的电极与所述第一焊盘焊接固定,所述第二面上设有分别与所述若干第一焊盘电连接的若干第二焊盘。
14.一种发光单元,其特征在于,所述发光单元采用如权利要求9至13任一项所述的制作方法制成。
CN202210316908.8A 2022-03-28 2022-03-28 光色转换结构、发光单元及发光单元制作方法 Active CN114628566B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210316908.8A CN114628566B (zh) 2022-03-28 2022-03-28 光色转换结构、发光单元及发光单元制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210316908.8A CN114628566B (zh) 2022-03-28 2022-03-28 光色转换结构、发光单元及发光单元制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114628566A true CN114628566A (zh) 2022-06-14
CN114628566B CN114628566B (zh) 2023-06-09

Family

ID=81904239

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210316908.8A Active CN114628566B (zh) 2022-03-28 2022-03-28 光色转换结构、发光单元及发光单元制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114628566B (zh)

Citations (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1651940A (zh) * 2005-03-14 2005-08-10 悠景科技股份有限公司 可避免产生电流隧穿效应的彩色滤光片
WO2018207417A1 (ja) * 2017-05-11 2018-11-15 東レエンジニアリング株式会社 カラーフィルタおよびカラーフィルタの製造方法
CN109216396A (zh) * 2017-06-30 2019-01-15 群创光电股份有限公司 显示设备
TW201947757A (zh) * 2018-05-08 2019-12-16 大陸商業成科技(成都)有限公司 顯示面板、製備方法及應用該顯示面板的電子裝置
CN110854167A (zh) * 2019-10-28 2020-02-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN111028704A (zh) * 2019-12-10 2020-04-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN111682124A (zh) * 2020-06-29 2020-09-18 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板
WO2020224598A1 (zh) * 2019-05-06 2020-11-12 惠科股份有限公司 彩膜基板及其制作方法和显示装置
CN112017551A (zh) * 2019-05-30 2020-12-01 群创光电股份有限公司 光学装置
CN112133718A (zh) * 2019-06-25 2020-12-25 成都辰显光电有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
TW202104535A (zh) * 2019-04-02 2021-02-01 日商Jsr股份有限公司 硬化膜形成用組成物、波長轉換膜、發光顯示元件及波長轉換膜的形成方法
CN212934651U (zh) * 2020-09-07 2021-04-09 东莞市中麒光电技术有限公司 一种量子点led显示装置
CN112639543A (zh) * 2018-09-13 2021-04-09 东丽株式会社 颜色转换组合物、颜色转换层、波长转换基板、波长转换基板的制造方法及显示器
CN112750936A (zh) * 2019-10-31 2021-05-04 成都辰显光电有限公司 一种显示面板的制备方法
CN213278095U (zh) * 2020-09-27 2021-05-25 佛山市国星光电股份有限公司 一种全彩化显示模块
CN112987383A (zh) * 2021-03-05 2021-06-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 黑色光阻、显示面板及其制备方法
CN113629174A (zh) * 2021-07-30 2021-11-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板的制备方法、显示面板及显示装置
CN113725248A (zh) * 2021-08-24 2021-11-30 上海天马微电子有限公司 显示装置及其制作方法
CN113903729A (zh) * 2021-09-29 2022-01-07 北海惠科光电技术有限公司 Micro LED显示装置及其制造方法
CN114035363A (zh) * 2021-11-25 2022-02-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及量子点彩膜基板
CN114141934A (zh) * 2021-11-22 2022-03-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

Patent Citations (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1651940A (zh) * 2005-03-14 2005-08-10 悠景科技股份有限公司 可避免产生电流隧穿效应的彩色滤光片
WO2018207417A1 (ja) * 2017-05-11 2018-11-15 東レエンジニアリング株式会社 カラーフィルタおよびカラーフィルタの製造方法
CN109216396A (zh) * 2017-06-30 2019-01-15 群创光电股份有限公司 显示设备
TW201947757A (zh) * 2018-05-08 2019-12-16 大陸商業成科技(成都)有限公司 顯示面板、製備方法及應用該顯示面板的電子裝置
CN112639543A (zh) * 2018-09-13 2021-04-09 东丽株式会社 颜色转换组合物、颜色转换层、波长转换基板、波长转换基板的制造方法及显示器
TW202104535A (zh) * 2019-04-02 2021-02-01 日商Jsr股份有限公司 硬化膜形成用組成物、波長轉換膜、發光顯示元件及波長轉換膜的形成方法
WO2020224598A1 (zh) * 2019-05-06 2020-11-12 惠科股份有限公司 彩膜基板及其制作方法和显示装置
CN112017551A (zh) * 2019-05-30 2020-12-01 群创光电股份有限公司 光学装置
CN112133718A (zh) * 2019-06-25 2020-12-25 成都辰显光电有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
CN110854167A (zh) * 2019-10-28 2020-02-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN112750936A (zh) * 2019-10-31 2021-05-04 成都辰显光电有限公司 一种显示面板的制备方法
CN111028704A (zh) * 2019-12-10 2020-04-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN111682124A (zh) * 2020-06-29 2020-09-18 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板
CN212934651U (zh) * 2020-09-07 2021-04-09 东莞市中麒光电技术有限公司 一种量子点led显示装置
CN213278095U (zh) * 2020-09-27 2021-05-25 佛山市国星光电股份有限公司 一种全彩化显示模块
CN112987383A (zh) * 2021-03-05 2021-06-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 黑色光阻、显示面板及其制备方法
CN113629174A (zh) * 2021-07-30 2021-11-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板的制备方法、显示面板及显示装置
CN113725248A (zh) * 2021-08-24 2021-11-30 上海天马微电子有限公司 显示装置及其制作方法
CN113903729A (zh) * 2021-09-29 2022-01-07 北海惠科光电技术有限公司 Micro LED显示装置及其制造方法
CN114141934A (zh) * 2021-11-22 2022-03-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN114035363A (zh) * 2021-11-25 2022-02-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及量子点彩膜基板

Also Published As

Publication number Publication date
CN114628566B (zh) 2023-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10304901B1 (en) Micro light-emitting diode display device and manufacturing method thereof
EP2515353B1 (en) Light emitting diode package
US6881980B1 (en) Package structure of light emitting diode
US6856087B2 (en) Full-color display device
US20110248296A1 (en) Light emtting device
KR20010072893A (ko) 발광다이오드
CN105514249A (zh) 发光二极管封装以及承载板
CN112885823B (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置
CN106997888B (zh) 发光二极管显示装置
JP3328647B2 (ja) 光電子部品の製造方法
TW202139344A (zh) 微型發光二極體的轉移方法
US20140134766A1 (en) Method of manufacturing light emitting device package
CN114447189A (zh) 孔阵形成方法、发光结构、显示模块制造方法及显示模块
JP4200146B2 (ja) 行列式発光ダイオードのモジュールのパッケージ方法
CN111640849A (zh) Led显示器件及其制备方法、显示设备
CN214956944U (zh) 发光封装模组
CN114628566B (zh) 光色转换结构、发光单元及发光单元制作方法
TWI792031B (zh) 發光裝置及其顯示裝置和背光裝置
CN212461695U (zh) 一种led显示面板及显示设备
CN114783990A (zh) 一种led封装器件及led封装器件的制作方法
CN114063350A (zh) 光源模块、显示模块及光源模块制备方法
CN216928582U (zh) 多色半导体发光器件
CN215988825U (zh) 多色led集成光源
WO2023046069A1 (zh) 显示模组、显示模组的制作方法及显示器件
CN220914265U (zh) 发光二极管封装组件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant