JP4200146B2 - 行列式発光ダイオードのモジュールのパッケージ方法 - Google Patents
行列式発光ダイオードのモジュールのパッケージ方法 Download PDFInfo
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Description
本発明の次の目的は、多数の発光ダイオードを行列状に配置することにより、自動車用ランプや交通信号や液晶パネルなどの製品に適用でき、且つ下基板の回路レイアウト・パタンを介して発光ダイオードの電極を下基板の周縁に延び出し、外部に連接する端子の作製が容易になり、モジュール全体のパッケージがより便利になる行列式発光ダイオードのモジュールのパッケージ方法を提供する。
(発明の効果)
(イ)上下基板が熱伝導性の良い材料を基板とし、且つ発光ダイオード・ダイが上基板の凹部の底部に固定されたので、発光ダイオードが発光しているときに発生した熱は上下基板から放熱でき、放熱効果が向上し、且つ発光ダイオードの発光効率が向上する。
(ロ)多数の発光ダイオードを行列状に配置することにより、自動車用ランプや交通信号や液晶パネルなどの製品に適用でき、且つ下基板の回路レイアウト・パタンを介して発光ダイオードの電極を下基板の周縁に延び出し、外部に連接する端子の作製が容易になり、モジュール全体のパッケージがより便利になる。
(ハ)上下基板の作製は、単一のシリコン・ダイを基板とし、CMOS作製プロセスを使用して高集積度のモジュール化製品を作製することができ、ロッド生産が可能になり、生産コストが大幅に低減する。
(二)上下基板の作製は、エッチング方式により貫通孔を開設しスズ玉溶融(又は導電ゲル注入)方式により内部の導電体を連接するので、作製プロセスのステップ数および複雑度が低減し、製造の不良率が有効に降下し、製造コストが低減する。
(ホ)上下基板の作製は、単一のシリコン・ダイを基板とし、他の非金属材料よりも熱伝導性がより良く、且つシリコン・ダイを基板とし、発光ダイオードの作製材料の機械特性によく似ているので、モジュール全体を使用するときに、素子の温度効果による熱応力破壊が低減される。
(へ)上基板の凹部を密封するときに、一枚のガラスで全部の凹部を密封することができ、製造プロセスが簡単になり、且つ前記ガラスの背面に蛍光剤を塗布すると、発光ダイオードの放射する顔色を変更することができる。
まず、図1から図3に示すように、本発明の第一実施例に係る行列式発光ダイオードのモジュールは、下基板2と、下基板2の表面に固定される上基板1とを含む。
前記上基板1は、熱伝導性の良い材料で形成され、行列状に配置された凹部としての溝11が多数設けてあり、第一実施例では、上基板1では4×4の行列状に配置された溝11が形成され、溝11は一定角度に傾斜した溝壁112を有し、溝11は台形断面形状を有し、これにより、反射効果が良くなり、もちろん、溝11の溝壁112は垂直状や円弧形にしてもよく、なお、各溝11はそれぞれ底部111を有し、各溝11の底部111には貫通孔12が少なくとも二つ開設してあり、各貫通孔12内には導電材料14がそれぞれ設置してあり、各溝11の底部111には発光ダイオード・ダイ4が少なくとも一つ固定してあり、各発光ダイオード・ダイ4には二つの電極41、42を有し、前記発光ダイオード・ダイ4が酸化されないように、上基板1の各溝11が密封される。
Claims (3)
- 上基板の作製、下基板の作製、上下基板の固定、ダイの固定、及び上基板にある凹部の密封などのステップを含む行列式発光ダイオードのモジュールのパッケージ方法において、
上基板の作製のステップは、エッチング成形方式を採用し、単結晶シリコン・ダイを上基板の基板として、前記単結晶シリコン・ダイを加熱炉内で加熱することにより前記単結晶シリコン・ダイの表面と底面とにそれぞれエッチング保護層を形成して、マイクロ露光プロセスにより前記単結晶シリコン・ダイの表面にある凹部と底面にある貫通孔とのエッチング区域が特定され、エッチング方式によってエッチング区域の保護層を除去してエッチング区域を露出して、不等方向性ウェットエッチング方式によりエッチング区域を一定深さまでエッチングし、これにより、前記単結晶シリコン・ダイのなかには多数の凹部が行列状に配置されると共に、前記凹部の底面には少なくとも二つの貫通孔がそれぞれ形成され、その後、前記凹部と貫通孔との表面に電気的絶縁層を形成するために、前記単結晶シリコン・ダイを加熱炉内で加熱させて、各貫通孔内にスズ玉である導電材料を設置して、オーブンで加熱させてスズ玉を溶融して前記貫通孔を埋め、前記上基板の作製が完成し、
下基板の作製ステップは、熱伝導性の良い材料を基板として、網版印刷方式やエッチング方式のうちの何れか一つの方法により、下基板の表面に予定の回路レイアウト・パタンを形成し、前記回路レイアウト・パタンに接触電極を多数形成してあり、且つ前記回路レイアウト・パタンは、前記下基板の周縁で外部に連接する連接部が多数設けてあり、各接触電極と各連接部との間には両者を電気的に連接するリードが設けてあり、
上下基板との固定ステップは、上基板の底面を下基板の表面に設置し、下基板の表面の回路レイアウト・パタンの接触電極に上基板の各凹部の貫通孔を対応させ、上基板の周縁で前記回路レイアウト・パタンの各連接部を露出して、上基板を下基板に固定し、
ダイの固定ステップは、上基板の各凹部の底部に多数の発光ダイオード・ダイをそれぞれ固定し、且つ前記凹部の底部の貫通孔により、発光ダイオード・ダイの二つの電極が下基板の回路レイアウト・パタンの接触電極と電気的に連接し、
上基板にある凹部の密封ステップは、発光ダイオード・ダイが酸化されないように、上基板の各凹部を密封することを特徴とする行列式発光ダイオードのモジュールのパッケージ方法。 - 上基板の作製、下基板の作製、上下基板の固定、ダイの固定、及び上基板にある凹部の密封などのステップを含む行列式発光ダイオードのモジュールのパッケージ方法において、
上基板の作製ステップは、熱伝導性の良い材料を基板として、モルド成形や射出成形やエッチング成形のうちの何れか一つの方法により、多数の凹部が行列状に配置され、各凹部の底部に貫通孔を少なくとも二つ開設し、各貫通孔内に導電材料をそれぞれ設け、
前記下基板の作製ステップは、単結晶シリコン・ダイを下基板の基板として、下基板の表面に予定の回路レイアウト・パタンを形成し、前記回路レイアウト・パタンに接触電極を多数形成してあり、且つ前記回路レイアウト・パタンは、下基板の周縁で外部に連接する連接部が多数設けてあり、各接触電極と各連接部との間には両者を電気的に連接するリードが設けてあり、前記単結晶シリコン・ダイを加熱炉内で加熱することにより前記単結晶シリコン・ダイの表面と底面とにそれぞれ電気的絶縁層を形成して、蒸発メッキ方式により前記単結晶シリコン・ダイの表面に金属層を成長し、これを回路レイアウト・パタンの基層として、マイクロ露光プロセスにより前記金属層で回路レイアウト・パタンが特定され、また、エッチング方式により回路レイアウト・パタン以外の金属層をエッチングし、そうすると、下基板の表面に接触電極と連接部とリードとを有する回路レイアウト・パタンが形成され、
上下基板との固定ステップは、上基板の底面を下基板の表面に設置し、下基板の表面の回路レイアウト・パタンの接触電極に上基板の各凹部の貫通孔を対応させ、上基板の周縁で前記回路レイアウト・パタンの各連接部を露出して、上基板を下基板に固定し、
ダイの固定ステップは、上基板の各凹部の底部に多数の発光ダイオード・ダイをそれぞれ固定し、且つ前記凹部の底部の貫通孔により、発光ダイオード・ダイの二つの電極が下基板の回路レイアウト・パタンの接触電極と電気的に連接し、
上基板にある凹部の密封ステップは、発光ダイオード・ダイが酸化されないように、上基板の各凹部を密封することを特徴とする行列式発光ダイオードのモジュールのパッケージ方法。 - 上基板にある凹部の密封のステップは、真空状態で前記上基板の表面に光透過度の高い保護板をカバーすることにより、上基板にある凹部を外部環境から隔離することを特徴とする請求項1または2に記載の行列式発光ダイオードのモジュールのパッケージ方法。
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