CN212934651U - 一种量子点led显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种量子点LED显示装置，其包括像素单元阵列、线路基板、透明介质层、光转换层及隔离墙，像素单元阵列设置在线路基板上，像素单元阵列由多个像素单元组成，每一像素单元包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一子像素、第二子像素和第三子像素分别对应设置有LED芯片；透明介质层包裹在LED芯片周侧，光转换层置于透明介质层上方，隔离墙围设在LED芯片、透明介质层及光转换层周侧。本实用新型通过设置隔离墙来保证QD材料的沉积效果，有效限制了LED芯片发出的蓝光发散到相邻像素单元的现象；同时，光转换层与透明介质层内的LED芯片之间存在间距，以避免光转换层直接与LED芯片接触会增大量子点的猝灭效应影响发光效果。

Description

一种量子点LED显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其是涉及一种量子点LED显示装置。

背景技术

Micro LED有着高亮度、快响应和高寿命，被称为下一代显示产品的革命。但实际上需要将数以千万计的LED从外延生长基底蓝宝石剥离下来，之后转移到驱动背板上，这种巨量的转移对于技术设备的难度较大。量子点材料(QD)具有光致发光稳定性好、半峰宽窄、色域高等特点，可以通过波长较短的蓝光来激发QD来产生红绿光，从而实现彩色显示，仅需要转移蓝光芯片即可，降低了巨量转移制程的难度。

由于蓝光芯片与QD材料的兼容性问题，直接接触会增大量子点的猝灭效应影响发光，需要避免QD材料与蓝光芯片的直接接触，传统显示器件制造过程是，在另外一块基板来沉积QD层形成QD基板，再将线路基板与QD基板准确对位贴合之后成为整个显示器件，致使蓝光芯片与QD层的贴合性不好，随着分辨率的提升，容易造成此像素的蓝光芯片发光散到相邻的其它像素中造成光串扰而影响单个像素独立显示；另外，传统显示器件制造过程对于贴合工艺及对位精度要求较高，而且工艺复杂，不利于大规模量产进程。

实用新型内容

基于此，本实用新型的目的在于提供一种量子点LED显示装置，改善光串扰问题，同时保证QD材料与LED芯片间的贴合性。

为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：一种量子点LED显示装置，其包括像素单元阵列、线路基板、透明介质层、光转换层及隔离墙，所述像素单元阵列设置在线路基板上，所述像素单元阵列由多个像素单元组成，每一像素单元包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素、第二子像素和第三子像素分别对应设置有LED芯片；所述透明介质层包裹在LED芯片周侧，所述光转换层置于透明介质层上方，所述隔离墙围设在LED芯片、透明介质层及光转换层周侧。

在其中一个实施例中，还包括封装层，所述封装层覆盖在隔离墙上方。

在其中一个实施例中，所述隔离墙围设形成多个矩阵腔，所述LED芯片、透明介质层及光转换层分别置于矩阵腔内。

在其中一个实施例中，在同一像素单元中，在矩阵腔内的其中一个LED芯片上方的透明介质层与所述封装层直接接触，在矩阵腔内的另外两个LED芯片上方的透明介质层与光转换层接触，所述光转换层包括红光转换层及绿光转换层，所述红光转换层及绿光转换层分别对应接触矩阵腔内的LED芯片上方的透明介质层。

在其中一个实施例中，在同一像素单元中，在矩阵腔内的其中一个LED芯片上方的透明介质层上方设置有蓝光散射粒子层，在矩阵腔内的另外两个LED芯片上方的透明介质层与光转换层接触，所述光转换层包括红光转换层及绿光转换层，所述红光转换层及绿光转换层分别对应接触矩阵腔内的LED芯片上方的透明介质层。

在其中一个实施例中，所述隔离墙包裹在透明介质层周侧，所述隔离墙上开设有多个矩阵腔，所述矩阵腔置于透明介质层上方并延伸至透明介质层内，所述LED芯片分别匹配设置在矩阵腔下方，所述光转换层置于矩阵腔内。

在其中一个实施例中，在同一像素单元中，所述封装层直接填充至其中一个LED芯片上方的矩阵腔内并与透明介质层接触，所述光转换层置于另外两个LED芯片上方的矩阵腔内，所述光转换层包括红光转换层及绿光转换层，所述红光转换层及绿光转换层分别对应接触矩阵腔下方的透明介质层。

在其中一个实施例中，在同一像素单元中，在其中一个LED芯片上方的矩形腔内设置有蓝光散射粒子层，所述光转换层置于另外两个LED芯片上方的矩阵腔内，所述光转换层包括红光转换层及绿光转换层，所述红光转换层及绿光转换层分别对应接触矩阵腔下方的透明介质层。

在其中一个实施例中，所述光转换层与透明介质层内的LED芯片之间存在间距。

在其中一个实施例中，所述隔离墙为黑色矩阵形隔离墙。

综上所述，本实用新型一种量子点LED显示装置通过设置隔离墙来保证QD材料的沉积效果，有效限制了LED芯片发出的蓝光发散到相邻像素单元的现象；同时，光转换层与透明介质层内的LED芯片之间存在间距，以避免光转换层直接与LED芯片接触会增大量子点的猝灭效应影响发光效果。

附图说明

图1为本实用新型一种量子点LED显示装置实施例一的结构示意图；

图2为本实用新型一种量子点LED显示装置实施例二的结构示意图；

图3为本实用新型一种量子点LED显示装置的制作方法中步骤S110对应的结构示意图；

图4为本实用新型一种量子点LED显示装置实施例三的结构示意图；

图5为本实用新型一种量子点LED显示装置实施例四的结构示意图；

图6为本实用新型一种量子点LED显示装置的制作方法中步骤S320对应的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

如图1至图6所示，本实用新型一种量子点LED显示装置包括像素单元阵列10、线路基板20、透明介质层30、光转换层40、隔离墙50及封装层60，所述像素单元阵列10设置在线路基板20上，所述像素单元阵列10由多个像素单元组成，每一像素单元包括第一子像素11、第二子像素12和第三子像素13，所述第一子像素11、第二子像素12和第三子像素13分别对应设置有LED芯片；所述透明介质层30包裹在LED芯片周侧，所述光转换层40置于透明介质层30上方，所述隔离墙50围设在LED芯片、透明介质层30及光转换层40周侧，所述封装层60覆盖在隔离墙50上方；所述LED芯片为蓝光LED芯片，所述线路基板20可为PCB板、玻璃基板或蓝宝石基板等刚性基板构造或PI(聚酰亚胺薄膜，PolyimideFilm)基板等柔性基板构造，所述隔离墙50为黑色矩阵形隔离墙，所述光转换层40采用QD材料沉积而成，所述隔离墙50能够保证QD材料的沉积效果，有效限制了LED芯片发出的蓝光发散到相邻像素单元的现象；所述光转换层40与透明介质层30内的LED芯片之间存在间距，以避免光转换层40直接与LED芯片接触会增大量子点的猝灭效应影响发光效果。

在其中一个实施例中，本实用新型一种量子点LED显示装置中的一个像素单元设置三个LED芯片，所述光转换层40设置在部分所述LED芯片上方，其他部分所述LED芯片上方设置有蓝光散射粒子层或根据需要不设置蓝光散射粒子层；所述光转换层40包括红光转换层及绿光转换层，所述红光转换层用于将LED芯片发出的蓝光转换为红光，所述绿光转换层用于将LED芯片发出的蓝光转换为绿光，所述蓝光散射粒子层用于散射LED芯片发出的蓝光或者根据需要LED芯片不需要通过蓝光散射粒子层而直接出射蓝光；即在本实施例中，一个像素单元内的第一子像素为一个LED芯片直接提供，第二子像素为一个LED芯片配合其上方设置的红光转换层内的红色量子点吸收蓝光后形成，第三子像素为LED芯片配合其上方设置的绿光转换层内的绿色量子点吸收蓝光后形成，从而构成Mini/Micro LED的一个RGB发光单元。

为了更加清晰本实用新型的技术方案，下面再阐述若干优选实施例。

实施例一

如图1所示，本实用新型一种量子点LED显示装置包括像素单元阵列10、线路基板20、透明介质层30、光转换层40、隔离墙50及封装层60，所述像素单元阵列10设置在线路基板20上，所述像素单元阵列10由多个像素单元组成，每一像素单元包括第一子像素11、第二子像素12和第三子像素13，所述第一子像素11、第二子像素12和第三子像素13分别对应设置有LED芯片；所述隔离墙50围设在LED芯片、透明介质层30、光转换层40周侧，具体地，所述隔离墙50为黑色矩阵形隔离墙，所述隔离墙50围设形成多个矩阵腔51a，所述LED芯片、透明介质层30及光转换层40分别置于矩阵腔51a内，从而使得置于矩阵腔51a内的LED芯片发出的散射光被隔离墙50遮挡住且只从矩阵腔51a内散射而出，有效限制了LED芯片发出的蓝光发散到相邻像素单元的现象；所述透明介质层30包裹在LED芯片周侧，所述光转换层40设置在透明介质层30上方，从而使得光转换层40与LED芯片之间存在间距，有效避免光转换层40直接与LED芯片接触会增大量子点的猝灭效应，所述透明介质层30的材质不作限定，其只要满足能够使LED芯片发出的蓝光透过即可；所述封装层60覆盖在隔离墙50上方，用于遮覆住隔离墙50上端部及填充矩阵腔51a，从而对矩阵腔51a内的光转换层40形成保护，并达到封装整个显示器件的目的，所述封装层60可采用可固化树脂制作而成，例如，丙烯酸树脂、环氧树脂等。

在其中一个实施例中，在同一像素单元A中，在矩阵腔51a内的其中一个LED芯片上方的透明介质层30与所述封装层60直接接触，在矩阵腔51a内的另外两个LED芯片上方的透明介质层30与光转换层40接触，所述光转换层40包括红光转换层41a及绿光转换层42a，所述红光转换层41a及绿光转换层42a分别对应接触矩阵腔51a内的LED芯片上方的透明介质层30；即在本实施例中，一个像素单元A内的第一子像素11为一个LED芯片直接提供，第二子像素12为LED芯片配合其上方设置的红光转换层41a内的红色量子点吸收蓝光后形成，第三子像素13为LED芯片配合其上方设置的绿光转换层42a内的绿色量子点吸收蓝光后形成，从而构成Mini/Micro LED的一个RGB发光单元。

如图3所示，本实用新型一种量子点LED显示装置的制作方法，包括如下几个步骤：

步骤S110、在线路基板20上涂黑色光刻胶，其中，涂黑色光刻胶的方式包括但不限于旋涂(spin coating)、狭缝涂布(slot die coating)、点胶、灌胶压模等；

步骤S120、对涂黑色光刻胶的线路基板20进行曝光显影烘烤，曝光部分固化形成隔离墙50，未曝光的被显影液洗掉形成矩阵腔51a，则在线路基板20上的LED芯片周侧形成隔离墙50；

步骤S130、对经过曝光显影烘烤的线路基板20进行涂胶，经过干燥、加热固化后形成透明介质层30，其中，透明介质层30的高度小于隔离墙50的高度，涂胶的方式包括但不限于旋涂、狭缝涂布、点胶、灌胶压模等；

步骤S140、通过喷墨打印的方法在部分矩阵腔51a内沉积QD墨水，经过UV固化后，在部分矩阵腔51a的透明介质层30上方分别形成具有将蓝光转化为红光的红光转换层41a和具有将蓝光转化为绿光的绿光转换层42a；

步骤S150、在线路基板20上沉积封装层60以对光转换层40进行保护并与步骤S140中其他部分矩阵腔51a内的透明介质层30直接接触，从而使得步骤S140中其他部分矩阵腔51a内的蓝光直接通过封装层60散射而出，配合步骤S140中部分矩阵腔51a内散射而出的红光及绿光，从而使得一个像素单元A内矩阵腔51a内发出的蓝光、红光及绿光共同构成Mini/Micro LED的一个RGB发光单元，进而实现了Mini/micro LED的彩色化。

实施例二

如图2所示，其与实施例一的不同之处在于：在同一像素单元B中，在矩阵腔51b内的其中一个LED芯片上方的透明介质层30上方设置有蓝光散射粒子层40b，在矩阵腔51b内的另外两个LED芯片上方的透明介质层30与光转换层40接触，所述光转换层40包括红光转换层41b及绿光转换层42b，所述红光转换层41b及绿光转换层42b分别对应接触矩阵腔51b内的两个LED芯片上方的透明介质层30；即在本实施例中，一个像素单元B内的第一子像素11为一个LED芯片透过蓝光散射粒子层40b直接提供，第二子像素12为LED芯片配合其上方设置的红光转换层41b内的红色量子点吸收蓝光后形成，第三子像素13为LED芯片配合其上方设置的绿光转换层42b内的绿色量子点吸收蓝光后形成，从而构成Mini/Micro LED的一个RGB发光单元。

如图3所示，本实用新型一种量子点LED显示装置的制作方法，包括如下几个步骤：

步骤S210、在线路基板20上涂黑色光刻胶；

步骤S220、对涂黑色光刻胶的线路基板20进行曝光显影烘烤，则在线路基板20上的LED芯片周侧形成隔离墙50；

步骤S230、对经过曝光显影烘烤的线路基板20进行涂胶，经过干燥、加热固化后形成透明介质层30；

步骤S240、通过喷墨打印的方法在部分矩阵腔51b内沉积QD墨水，经过UV固化后，在部分矩阵腔51b的透明介质层30上方分别形成具有将蓝光转化为红光的红光转换层41b和具有将蓝光转化为绿光的绿光转换层42b；在其他部分矩阵腔51b的透明介质层30上方沉积不含量子点的光转换材料形成蓝光散射粒子层40b；

步骤S250、在线路基板20上沉积封装层60以对光转换层40及蓝光散射粒子层40b进行保护，从而使得一个像素单元B内矩阵腔51b内发出的蓝光、红光及绿光共同构成Mini/Micro LED的一个RGB发光单元，进而实现了Mini/micro LED的彩色化。

实施例三

如图4所示，本实用新型一种量子点LED显示装置包括LED芯片、线路基板20、透明介质层30、光转换层40、隔离墙50及封装层60，所述像素单元阵列10设置在线路基板20上，所述像素单元阵列10由多个像素单元组成，每一像素单元包括第一子像素11、第二子像素12和第三子像素13，所述第一子像素11、第二子像素12和第三子像素13分别对应设置有LED芯片；所述隔离墙50围设在LED芯片、透明介质层30、光转换层40周侧，具体地，所述隔离墙50为黑色矩阵形隔离墙，所述透明介质层30包裹在LED芯片周侧，所述隔离墙50包裹在透明介质层30周侧，所述隔离墙50上开设有多个矩阵腔51c，所述矩阵腔51c置于透明介质层30上方并延伸至透明介质层30内，所述LED芯片分别匹配设置在矩阵腔51c下方，从而使得LED芯片发出的散射光被隔离墙50遮挡住且只从矩阵腔51c内散射而出，有效限制了LED芯片发出的蓝光发散到相邻像素单元的现象；所述光转换层40置于矩阵腔51c内，从而使得光转换层40与LED芯片之间存在间距，有效避免光转换层40直接与LED芯片接触会增大量子点的猝灭效应，所述透明介质层30的材质不作限定，其只要满足能够使LED芯片发出的蓝光透过即可；所述封装层60覆盖在隔离墙50上方，用于遮覆住隔离墙50上端部及填充矩阵腔51c，从而对矩阵腔51c内的光转换层40形成保护，并达到封装整个显示器件的目的，所述封装层60可采用可固化树脂制作而成，例如，丙烯酸树脂、环氧树脂等。

在其中一个实施例中，在同一像素单元C中，所述封装层60直接填充至其中一个LED芯片上方的矩阵腔51c内并与透明介质层30接触，所述光转换层40置于另外两个LED芯片上方的矩阵腔51c内，所述光转换层40包括红光转换层41c及绿光转换层42c，所述红光转换层41c及绿光转换层42c分别对应接触矩阵腔51c下方的透明介质层30；即在本实施例中，一个像素单元C内的第一子像素11为一个LED芯片直接提供，第二子像素12为LED芯片配合其上方设置的红光转换层41c内的红色量子点吸收蓝光后形成，第三子像素13为LED芯片配合其上方设置的绿光转换层42c内的绿色量子点吸收蓝光后形成，从而构成Mini/MicroLED的一个RGB发光单元。

如图6所示，本实用新型一种量子点LED显示装置的制作方法，包括如下几个步骤：

步骤S310、在线路基板20上涂环氧类树脂透明胶，涂环氧类树脂透明胶的方式包括但不限于旋涂、狭缝涂布、点胶压模等；

步骤S320、对线路基板20上的环氧类树脂透明胶加热固化后形成透明介质层30，接着在透明介质层30上涂黑色光阻，优选为负性黑色光阻，以免显示器件在后续使用过程中受光照射下光阻发生变化出现掉落的情况；

步骤S330、对线路基板20上透明介质层30上的黑色光阻进行曝光显影，由于是负性黑色光阻，曝光部分固化形成隔离墙50，未曝光的被显影液洗掉形成矩阵腔51c，使得矩阵腔51c下方的LED芯片发出的光能散射出来；

步骤S340、通过干法刻蚀或湿法刻蚀方式处理透明介质层30，控制透明介质层30的刻蚀深度，但刻蚀深度不超过LED芯片上表面，使得LED芯片仍处于透明介质包埋之中，从而将矩阵腔51c延伸至透明介质层30内；

步骤S350、对经刻蚀处理后的透明介质层30进行干燥，在透明介质层30上方的部分矩阵腔51c内沉积QD墨水后分别形成具有将蓝光转化为红光的红光转换层41c和具有将蓝光转化为绿光的绿光转换层42c；

步骤S360、在线路基板20上沉积封装层60以对光转换层40进行保护并与步骤S350中其他部分矩阵腔51c下方的透明介质层30直接接触，从而使得步骤S350中其他部分矩阵腔51c下方的蓝光直接通过封装层60散射而出，配合步骤S350中矩阵腔51c内散射而出的红光及绿光，从而使得一个像素单元C内矩阵腔51c内发出的蓝光、红光及绿光共同构成Mini/Micro LED的一个RGB发光单元，进而实现了Mini/micro LED的彩色化。

实施例四

如图5所示，其与实施例三的不同之处在于：在同一像素单元D中，在矩阵腔51d内的其中一个LED芯片上方的矩形腔内设置有蓝光散射粒子层40d，所述光转换层40置于另外两个LED芯片上方的矩阵腔51d内，所述光转换层40包括红光转换层41d及绿光转换层42d，所述红光转换层41d及绿光转换层42d分别对应接触矩阵腔51d下方的透明介质层30；即在本实施例中，一个像素单元D内的第一子像素11为一个LED芯片透过蓝光散射粒子层40d直接提供，第二子像素12为LED芯片配合其上方设置的红光转换层41d内的红色量子点吸收蓝光后形成，第三子像素13为LED芯片配合其上方设置的绿光转换层42d内的绿色量子点吸收蓝光后形成，从而构成Mini/Micro LED的一个RGB发光单元。

如图6所示，本实用新型一种量子点LED显示装置的制作方法，包括如下几个步骤：

步骤S410、在线路基板20上涂环氧类树脂透明胶；

步骤S420、对线路基板20上的环氧类树脂透明胶加热固化后形成透明介质层30，接着在透明介质层30上涂黑色光阻；

步骤S430、对线路基板20上透明介质层30上的黑色光阻进行曝光显影，曝光部分固化形成隔离墙50，未曝光的被显影液洗掉形成矩阵腔51d；

步骤S440、通过干法刻蚀或湿法刻蚀方式处理透明介质层30，将矩阵腔51d延伸至透明介质层30内；

步骤S450、对经刻蚀处理后的透明介质层30进行干燥，在透明介质层30上方的部分矩阵腔51d内沉积QD墨水后分别形成具有将蓝光转化为红光的红光转换层41d和具有将蓝光转化为绿光的绿光转换层42d，在透明介质层30上方的其他部分矩阵腔51d内沉积不含量子点的光转换材料后形成蓝光散射粒子层40d，

步骤S460、在线路基板20上沉积封装层60以对光转换层40及蓝光散射粒子层40d进行保护，从而使得一个像素单元D内矩阵腔51d内发出的蓝光、红光及绿光共同构成Mini/Micro LED的一个RGB发光单元，进而实现了Mini/micro LED的彩色化。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种量子点LED显示装置，其特征在于：包括像素单元阵列、线路基板、透明介质层、光转换层及隔离墙，所述像素单元阵列设置在线路基板上，所述像素单元阵列由多个像素单元组成，每一像素单元包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素、第二子像素和第三子像素分别对应设置有LED芯片；所述透明介质层包裹在LED芯片周侧，所述光转换层置于透明介质层上方，所述隔离墙围设在LED芯片、透明介质层及光转换层周侧。

2.根据权利要求1所述的一种量子点LED显示装置，其特征在于：还包括封装层，所述封装层覆盖在隔离墙上方。

3.根据权利要求2所述的一种量子点LED显示装置，其特征在于：所述隔离墙围设形成多个矩阵腔，所述LED芯片、透明介质层及光转换层分别置于矩阵腔内。

4.根据权利要求3所述的一种量子点LED显示装置，其特征在于：在同一像素单元中，在矩阵腔内的其中一个LED芯片上方的透明介质层与所述封装层直接接触，在矩阵腔内的另外两个LED芯片上方的透明介质层与光转换层接触，所述光转换层包括红光转换层及绿光转换层，所述红光转换层及绿光转换层分别对应接触矩阵腔内的LED芯片上方的透明介质层。

5.根据权利要求3所述的一种量子点LED显示装置，其特征在于：在同一像素单元中，在矩阵腔内的其中一个LED芯片上方的透明介质层上方设置有蓝光散射粒子层，在矩阵腔内的另外两个LED芯片上方的透明介质层与光转换层接触，所述光转换层包括红光转换层及绿光转换层，所述红光转换层及绿光转换层分别对应接触矩阵腔内的LED芯片上方的透明介质层。

6.根据权利要求2所述的一种量子点LED显示装置，其特征在于：所述隔离墙包裹在透明介质层周侧，所述隔离墙上开设有多个矩阵腔，所述矩阵腔置于透明介质层上方并延伸至透明介质层内，所述LED芯片分别匹配设置在矩阵腔下方，所述光转换层置于矩阵腔内。

7.根据权利要求6所述的一种量子点LED显示装置，其特征在于：在同一像素单元中，所述封装层直接填充至其中一个LED芯片上方的矩阵腔内并与透明介质层接触，所述光转换层置于另外两个LED芯片上方的矩阵腔内，所述光转换层包括红光转换层及绿光转换层，所述红光转换层及绿光转换层分别对应接触矩阵腔下方的透明介质层。

8.根据权利要求6所述的一种量子点LED显示装置，其特征在于：在同一像素单元中，在其中一个LED芯片上方的矩形腔内设置有蓝光散射粒子层，所述光转换层置于另外两个LED芯片上方的矩阵腔内，所述光转换层包括红光转换层及绿光转换层，所述红光转换层及绿光转换层分别对应接触矩阵腔下方的透明介质层。

9.根据权利要求1所述的一种量子点LED显示装置，其特征在于：所述光转换层与透明介质层内的LED芯片之间存在间距。

10.根据权利要求1所述的一种量子点LED显示装置，其特征在于：所述隔离墙为黑色矩阵形隔离墙。

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