CN113193101B - 显示面板及阻隔型蓝色发光器件显示器的制备方法 - Google Patents

显示面板及阻隔型蓝色发光器件显示器的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113193101B
CN113193101B CN202110370809.3A CN202110370809A CN113193101B CN 113193101 B CN113193101 B CN 113193101B CN 202110370809 A CN202110370809 A CN 202110370809A CN 113193101 B CN113193101 B CN 113193101B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
blue light
quantum dot
light emitting
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110370809.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113193101A (zh
Inventor
尹勇明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202110370809.3A priority Critical patent/CN113193101B/zh
Publication of CN113193101A publication Critical patent/CN113193101A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113193101B publication Critical patent/CN113193101B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本申请公开了一种显示面板,包括第一基板和第二基板;所述第一基板朝向所述第二基板的表面上设置有多个蓝色发光器件,其中相邻的蓝色发光器件之间设有阻隔层;所述第二基板朝向所述第一基板的一侧设置有量子点层;所述量子点层分为多个量子点区域,相邻的两个量子点区域之间设有黑色堤;所述量子点区域与所述蓝色发光器件对应。本申请还公开了一种阻隔型蓝色发光器件显示器的制备方法。本申请通过在蓝色发光器件之间的间隔位置设置阻隔层,解决了像素之间的串扰问题;采用钢网印刷的方式对蓝色发光器件的间隙位置进行黑胶填充,实现了极小间隙的填充,避免因芯片上残留黑胶而导致光损失。

Description

显示面板及阻隔型蓝色发光器件显示器的制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及显示面板技术领域,具体涉及一种显示面板及阻隔型蓝色发光器件显示器的制备方法。
背景技术
随着人们对显示的高品质需求,微小型发光二极管(Mini-LED)显示器由于其功耗低、对比度高、视角广、亮度高、寿命长等诸多优点,成为当前显示应用的新宠,受到传统面板厂商及大型消费电子厂商的广泛关注。然而,由于器件本身的原因,红绿蓝三种颜色的Mini-LED芯片的器件效率及长期使用的稳定性方面具有较大的差异,其中的具体表现为,蓝光器件的性能最佳,红光器件的性能最差。实际上在显示面板中,蓝光所占的亮度比例是最低的,这样导致器件性能与实际的亮度需求是不匹配的。因此,业者需要在面板设计过程中进行差异化的设计来弥补这种性能差异,这无疑会增加面板设计的复杂度。近年来,将蓝光Mini-LED与色转换材料集合的方式,在液晶显示器背光、色转换等多方面的显示场景都有极佳的应用,具备极佳的色转换应用前景。但Mini-LED搭配色转换层所存在的相邻像素之间具有串扰问题。
因此,亟待提供一种显示面板及阻隔型蓝色发光器件显示器的制备方法,能够实现全彩应用的同时解决色转换Mini-LED全彩显示器串扰问题。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及阻隔型蓝色发光器件显示器的制备方法,通过在蓝色发光器件之间的间隔位置设置黑色阻隔层,解决了色转换Mini-LED全彩显示器串扰问题,并且采用钢网印刷的方式对蓝色发光器件的间隙位置进行黑胶填充,不仅实现了极小间隙(数十微米级别)的填充,还能避免芯片上面黑胶残留进而导致光损失的问题。
本申请实施例提供一种显示面板,包括相对设置的第一基板和第二基板;所述第一基板朝向所述第二基板的表面上设置有多个蓝色发光器件,其中相邻的蓝色发光器件之间设有阻隔层,构成了阻隔型蓝色发光器件显示器,所述阻隔层用于阻挡所述相邻蓝色发光器件之间的串扰;
所述第二基板朝向所述第一基板的一侧设置有量子点层;所述量子点层分为多个量子点区域,相邻的两个量子点区域之间设有黑色堤(black bank);
所述量子点区域与所述蓝色发光器件对应,用于对所述蓝色发光器件发出的光进行色转换。
在一些实施例中,所述阻隔层的材料为热固型的有机硅胶。
在一些实施例中,所述有机硅胶的粘度为50000~200000cPs。
在一些实施例中,所述蓝色发光器件背离所述第一基板的一侧还设置有平坦层。
在一些实施例中,所述量子点区域为红、绿或透明量子点色转换层,用于实现全彩显示。
在一些实施例中,所述显示面板还包括框胶,所述框胶用于连接所述第一基板和所述第二基板。
在一些实施例中,所述第二基板与量子点层之间设置一彩膜基板。
本申请实施例还提供一种显示面板中的阻隔层的制备方法,包括如下步骤:
将蓝色发光器件绑定到基板上;
采用钢网印刷的方式将黑胶材料印刷至所述蓝色发光器件之间的间隙中形成预制阻隔层;
印刷工艺完成后,固化黑胶材料,得到阻隔层。
在一些实施例中,所述黑胶材料选用热固型的有机硅胶,粘度为50000~200000cPs。
在一些实施例中,印刷所用的钢网具有若干个孔,所述孔的位置对应于所述蓝色发光器件之间的间隙。
在一些实施例中,所述孔之间的钢网宽度为10~40微米。
在一些实施例中,所述孔的大小在10~40微米之间。
本申请的有益效果在于:
本申请实施例提供的显示面板,通过钙钛矿/量子点与蓝色发光器件(蓝光Mini-LED)搭配实现全彩应用,并且在发光器件间隙设置黑色阻隔层以有效解决串扰的问题。本申请的阻隔型蓝色发光器件显示器的制备方法,采用钢网印刷的方式进行黑胶材料填充,能够实现LED极小间隙(数十微米级别)的黑胶材料填充,避免了采用模压的传统方法封装黑胶时黑胶残留而造成光损失和降低面板显示品质的问题。若采用模压方式的传统方法来封装黑胶导致芯片的上面残留黑胶材料而影响光的出射,造成光的损失较大,影响面板显示的品质。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的显示面板的截面结构示意图。
图2为本申请实施例提供的显示面板中的阻隔型蓝色发光器件显示器的俯视图。
附图标记说明:
附图标记 部件名称 附图标记 部件名称
100 显示面板 150 平坦层
110 第一基板 160 彩膜基板
120 第二基板 170 量子点层
130 蓝色发光器件 180 黑色堤
140 阻隔层 190 框胶
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。此外,应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请,并不用于限制本申请。在本申请中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下,具体为附图中的图面方向;而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
下面结合附图和具体实施例对本申请做进一步的说明:
请参阅图1,本申请实施例提供一种显示面板100,包括第一基板110和第二基板120。具体地,请参见图1所示,所述第一基板110和所述第二基板120相对设置,并且所述第一基板110和所述第二基板120之间设置有多层结构,其中,所述第一基板110朝向所述第二基板120的表面上设置有多个蓝色发光器件130。例如,所述蓝色发光器件130采用蓝光Mini-LED。所述蓝色发光器件130背离所述第一基板110的一侧还设置有平坦层150。
本实施例中,相邻的蓝色发光器件130之间设有阻隔层140。所述阻隔层140用于阻挡所述相邻蓝色发光器件130之间的串扰。具体地,所述阻隔层140的厚度为所述蓝色发光器件130和所述平坦层150层叠后的总厚度。通过上述阻隔层140的设置,在本实施例的显示面板中形成了阻隔型蓝色发光器件显示器,请参见图2所示。更详细地,所述阻隔层140的材料可以采用热固型的有机硅胶;例如黑胶材料。更进一步地,所述有机硅胶的粘度在50000~200000cPs的范围。
本实施例中,请继续参阅图1,所述第二基板120朝向所述第一基板110的一侧设置有量子点层170。进一步地,显示面板中还具有彩膜基板160,此时所述彩膜基板160位于所述第二基板120与所述量子点层170之间。也就是说,请继续参阅图1,所述第二基板120朝向所述第一基板110的表面上设置有所述彩膜基板160,所述彩膜基板160背离所述彩膜基板160的一侧设置有量子点层170。
所述量子点层170分为多个量子点区域。具体地,所述量子点区域与所述蓝色发光器件130对应,用于对所述蓝色发光器件130发出的光进行色转换。相邻的两个量子点区域之间设有黑色堤180(black bank),其为黑色可以减少显示面板内的光损失。所述黑色堤180设置在相邻的两个量子点区域之间,其作用为防止各量子点区域之间漏光。具体地,所述黑色堤180的材料可以采用疏水性的有机材料。
在一实施例中,所述量子点区域为红、绿或透明量子点色转换层,用于实现全彩显示。例如,请参见图1,当所述量子点区域为红量子点色转换层或绿量子点色转换层时,对所述蓝色发光器件130发出的光进行色转换;当所述量子点区域为透明量子点色转换层(实际应用中可不采用量子点色转换层实现)时,即不进行色转换保留蓝色光。此外,在所述黑色堤180的位置,所述蓝色发光器件130发出的光不透过所述黑色堤180。
在一实施例中,所述显示面板100还包括框胶190,所述框胶190用于连接所述第一基板110和所述第二基板120。此外,所述第一基板110和所述第二基板120之间还具有图1中未示出的常规的层结构,以实现所述显示面板的作用。
本申请实施例还提供一种阻隔型蓝色发光器件显示器的制备方法,包括如下步骤:
将蓝色发光器件130绑定到基板(例如阵列基板或印刷电路板)上;
采用钢网印刷的方式将黑胶材料印刷至所述蓝色发光器件130之间的间隙中形成预制阻隔层;
印刷工艺完成后,固化黑胶材料,得到阻隔层140。
所述黑胶材料选用热固型的有机硅胶,粘度为50000~200000cPs。
在一实施例中,印刷所用的钢网具有若干个孔。例如,所述孔为方形开孔或圆形孔阵列。进一步地,所述孔的边角可为圆弧形角。
本实施例中,所述孔对于所述蓝色发光器件的四周,具体地,所述孔的位置对应于所述蓝色发光器件之间的间隙,用以将黑胶填充在所述蓝色发光器件之间的间隙内,请参考图2。
在一实施例中,所述制备方法中所采用的钢网,其孔与孔之间的钢网宽度在10~40微米之间。
在一实施例中,在实际应用中,所述孔的具体尺寸可以根据实际的像素大小来确定。例如,所述孔的尺寸可以在10~40微米之间。
本申请采用钢网印刷的方式进行黑胶材料填充,既能实现快速的实现蓝色发光器件间隙位置的黑胶填充,也能避免芯片上面黑胶残留进而导致光损失的问题。
更详细地,在一实施例中,本申请的阻隔型蓝光Mini-LED显示器制备过程如下所示:
步骤1、采用常规的面板厂阵列基板制备工艺,制备驱动控制Mini-LED芯片所需的薄膜晶体管阵列基板;需要说明的是,该阵列基板也可以用印刷电路板来替代;
步骤2、进行Mini-LED转移固晶,将蓝光Mini-LED绑定到阵列基板上去;
步骤3、采用钢网印刷的方式进行黑胶材料的印刷;
步骤4、印刷工艺完成后,对黑胶材料进行退火等工艺达到固化黑胶材料的目的。
所述步骤2中,所述Mini-LED转移固晶包括但不限于以下四种方式:常规锡膏印刷转移固晶方法、基于异向导电膜(Anisotropy film,ACF)固晶、基于Sn-Pad LED芯片固晶和基于自组装锡膏的固晶方法。
所述步骤3中,基于所述钢网的开孔设计,依靠黑胶材料的流平性,Mini-LED的四周被黑胶材料包围以达到将Mini-LED之间相互隔开的目的。
需要说明的是,所印刷的黑胶材料的厚度根据LED芯片的厚度来决定,黑胶材料的厚度需不小于芯片厚度。
此外,所采用的钢网不限于普通钢网。所述钢网材料的厚度在20~100微米之间。此外也可以采用三维钢网来制作。
基于上述的工艺步骤,制备获得的Mini-LED显示器效果如图2所示。
综上所述,本申请实现发光器件(例如Mini-LED)极小间隙(数十微米级别)的黑胶材料填充。然而在极小间隙填充黑胶并不是一件容易的事,传统方法有采用模压的方式来封装黑胶,该方法在芯片的上面会有黑胶材料,影响光的出射,光的损失较大,进而影响显示面板的品质。本申请在Mini-LED间隙填充黑色挡光材料还可以解决色转换Mini-LED全彩显示器中存在的相邻像素之间的串扰问题。本申请的显示面板,在蓝光Mini-LED显示器的基础上,搭配红、绿量子点色转换层,即可实现所需的全彩显示。同时,本申请的工艺所用的设备可以沿用现有固晶工艺的印刷机台,无需增加额外的设备,工艺兼容性强。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及阻隔型蓝色发光器件显示器的制备方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (4)

1.一种显示面板,其特征在于,包括相对设置的第一基板和第二基板;所述第一基板朝向所述第二基板的表面上设置有多个蓝色发光器件,其中相邻的蓝色发光器件之间设有阻隔层;
所述第二基板朝向所述第一基板的一侧设置有量子点层;所述量子点层分为多个量子点区域,相邻的两个量子点区域之间设有黑色堤;
所述量子点区域与所述蓝色发光器件对应,用于对所述蓝色发光器件发出的光进行色转换;
所述阻隔层的材料为热固型的有机硅胶;所述阻隔层的材料为黑胶材料;所述有机硅胶的粘度为50000~200000cPs;
所述阻隔层的制备方法包括如下步骤:
将蓝色发光器件绑定到基板上;
采用钢网印刷的方式将黑胶材料印刷至所述蓝色发光器件之间的间隙中形成预制阻隔层;
印刷工艺完成后,固化预制阻隔层,在所述蓝色发光器件之间的间隙中形成阻隔层;
其中,印刷所用的钢网具有若干个孔,所述孔的位置对应于所述蓝色发光器件之间的间隙;所述孔的大小在10~40微米之间。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述蓝色发光器件背离所述第一基板的一侧还设置有平坦层。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括框胶,所述框胶用于连接所述第一基板和所述第二基板。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述孔之间的钢网宽度为10~40微米。
CN202110370809.3A 2021-04-07 2021-04-07 显示面板及阻隔型蓝色发光器件显示器的制备方法 Active CN113193101B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110370809.3A CN113193101B (zh) 2021-04-07 2021-04-07 显示面板及阻隔型蓝色发光器件显示器的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110370809.3A CN113193101B (zh) 2021-04-07 2021-04-07 显示面板及阻隔型蓝色发光器件显示器的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113193101A CN113193101A (zh) 2021-07-30
CN113193101B true CN113193101B (zh) 2023-02-07

Family

ID=76974802

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110370809.3A Active CN113193101B (zh) 2021-04-07 2021-04-07 显示面板及阻隔型蓝色发光器件显示器的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113193101B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113990190A (zh) * 2021-10-29 2022-01-28 Tcl华星光电技术有限公司 显示基板、显示面板及显示基板的制作方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8198109B2 (en) * 2010-08-27 2012-06-12 Quarkstar Llc Manufacturing methods for solid state light sheet or strip with LEDs connected in series for general illumination
CN103066185A (zh) * 2012-08-13 2013-04-24 木林森股份有限公司 一种印刷cob的制作方法
CN104766856A (zh) * 2014-01-07 2015-07-08 易美芯光(北京)科技有限公司 一种mcpcb基板led集成光源及其生产方法
CN105489509A (zh) * 2015-12-25 2016-04-13 华天科技(西安)有限公司 应用钢网印刷技术优化点胶工艺的光学传感芯片封装方法
JP7326257B2 (ja) * 2018-05-17 2023-08-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR102212776B1 (ko) * 2019-04-03 2021-02-05 셀로코아이엔티 주식회사 디스플레이 패널, 그 제조방법 및 그 디스플레이 패널을 채용한 디스플레이 장치
CN110992841A (zh) * 2019-11-06 2020-04-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及显示装置的制作方法
CN111028704A (zh) * 2019-12-10 2020-04-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN111063269A (zh) * 2019-12-17 2020-04-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN111613653B (zh) * 2020-05-20 2023-08-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板与显示设备
CN212625583U (zh) * 2020-07-30 2021-02-26 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种显示面板和显示器
CN111864035B (zh) * 2020-07-31 2022-04-12 上海天马微电子有限公司 显示面板、显示面板的制作方法和显示装置
CN111993768B (zh) * 2020-08-10 2021-09-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 用于印刷锡膏的钢网,显示面板及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113193101A (zh) 2021-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6799627B2 (ja) Rgb−ledパッケージモジュール及びそのディスプレイ
KR20060066641A (ko) 유기 전기장 발광 소자의 밀봉 방법 및 발광 패널 및 표시패널의 제조 방법
CN211789018U (zh) 显示面板及具有该显示面板的显示装置
CN112885823B (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置
CN111668249A (zh) 显示面板及其制作方法
CN111261656A (zh) 一种显示面板及其制备方法
WO2021017711A1 (zh) 发光装置封装件和显示装置
CN113130466A (zh) Led显示模组及其制作方法
CN113193101B (zh) 显示面板及阻隔型蓝色发光器件显示器的制备方法
TW202139344A (zh) 微型發光二極體的轉移方法
CN112652617A (zh) 一种Micro-LED新型显示器件的制备方法
CN111640850A (zh) Led显示器件及其制备方法、显示设备
US20220246674A1 (en) Display device
CN113363361B (zh) 量子点复合体、三维显示元件及其加工方法
CN215933606U (zh) 显示面板以及显示装置
US11961947B2 (en) Substrate for manufacturing display device, display device and manufacturing method thereof
CN113629174B (zh) 显示面板的制备方法、显示面板及显示装置
CN210692534U (zh) 一种发光二极管封装器件
CN115881751A (zh) 一种显示面板组件、显示面板以及显示面板封装方法
CN114063350A (zh) 光源模块、显示模块及光源模块制备方法
CN115832119A (zh) 一种显示装置的制作方法及显示装置
CN113097367A (zh) QD-miniLED显示面板及其制备方法
CN219371060U (zh) 一种显示面板
CN111200052A (zh) 晶圆级发光面板模组及其制造方法
WO2023046069A1 (zh) 显示模组、显示模组的制作方法及显示器件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant