CN104766856A - 一种mcpcb基板led集成光源及其生产方法 - Google Patents

一种mcpcb基板led集成光源及其生产方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104766856A
CN104766856A CN201410006141.4A CN201410006141A CN104766856A CN 104766856 A CN104766856 A CN 104766856A CN 201410006141 A CN201410006141 A CN 201410006141A CN 104766856 A CN104766856 A CN 104766856A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mcpcb
reflective coating
highly
chip array
mcpcb substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410006141.4A
Other languages
English (en)
Inventor
杨人毅
石建青
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shineon Beijing Technology Co Ltd
Original Assignee
Shineon Beijing Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shineon Beijing Technology Co Ltd filed Critical Shineon Beijing Technology Co Ltd
Priority to CN201410006141.4A priority Critical patent/CN104766856A/zh
Publication of CN104766856A publication Critical patent/CN104766856A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明提供了一种MCPCB基板LED集成光源，包括MCPCB基板、LED芯片阵列和荧光粉硅胶层，所述MCPCB基板与所述荧光粉硅胶层之间设有高反射涂层。本发明的优点是：既能提高光源光效，也能延长光源寿命。

Description

一种MCPCB基板LED集成光源及其生产方法
技术领域
本发明涉及一种LED集成光源技术，尤其涉及一种MCPCB基板LED集成光源及其生产方法。
背景技术
如图1所示，MCPCB基板结构由阻焊层1（白油层）、电路层2（铜箔层）、导热绝缘层3和金属基层4（铝基板）组成。电路层2要求具有很大的载流能力，从而应使用较厚的铜箔，厚度一般35μm～280μm；导热绝缘层3是PCB铝基板核心技术之所在，它一般是由特种材料构成，热阻小（导热系数从1w/mK到280w/mk），粘弹性能优良，具有抗热老化的能力，能够承受机械及热应力。金属基层4是铝基板的支撑构件，要求具有高导热性，一般是铝板，也可使用铜板（其中铜板能够提供更好的导热性），适合于钻孔、冲剪及切割等常规机械加工。
采用MCPCB基板的LED集成光源，目前一般分为阻焊层作为反射层或镀银作为反射层两种方式。
如图2所示，阻焊层作为反射层的MCPCB基板LED集成光源，由荧光粉硅胶层5、阻焊层1（白油层）、电路层2（铜箔层）、导热绝缘层3和金属基层4（铝基板）、LED芯片阵列6组成。阻焊层1一般为白色油墨，主要功能是保护电路层不暴露在空气中，防止电路层的线路之间的爬电，短路；同时，在半导体元器件（电阻，电容，集成芯片等）回流焊贴片过程中，用于限制当焊锡27熔化呈液态状时的流动范围，使之局限在MCPCB基板10设定的连接半导体器件的管脚焊盘上。但是，阻焊白油的反射率很低，一般的对应于450nm到700nm波长之间反射率在83%～90%。所以，用阻焊层1作为反射层的LED集成光源的光效低，光效在85流明/瓦(3000K,RA80)左右。
如图3所示，镀银作为反射层的MCPCB基板LED集成光源，由荧光粉硅胶层5、镀银反射层7、阻焊层1（白油层）、电路层2（铜箔层）、导热绝缘层3和金属基层4（铝基板）、LED芯片阵列6组成。银的反射率很高，对应于450nm到700nm波长之间反射率达到大于95%。但是，银在空气中是非常不稳定的化学元素，很容易被氧化和硫化，产生黑色的氧化银和硫化银。用银作为反射层的LED集成光源起始光效很高，可以达到100流明/瓦(3000K,RA80)。但是，在长时间（几个星期到几个月）的应用点亮中，空气会渗透穿过覆盖在银层表面的荧光粉硅胶层，和银产生硫化和氧化的化学反应，导致银层表面发黑，从而导致银层的对可见光的反射率降低，造成LED集成光源的光通量衰减。使得LED集成光源在长时间点亮后的光效，降低至起始光效的70%甚至50%。
发明内容
本发明解决的技术问题是，提供一种既能提高光源光效，也能延长光源寿命的MCPCB基板LED集成光源。
为了解决上述问题，本发明提供一种MCPCB基板LED集成光源，包括MCPCB基板、LED芯片阵列和荧光粉硅胶层，所述MCPCB基板与所述荧光粉硅胶层之间设有高反射涂层。
进一步，所述MCPCB基板由下向上依次包括金属基层、导热绝缘层、电路层、阻焊层。
进一步，所述高反射涂层的材料为对450nm到700nm光波长反射率达95%以上的材料。
进一步，所述高反射涂层材质是硅胶类，环氧树脂类。
进一步，所述涂层厚度从1微米到500微米。
进一步，所述高反射涂层通过用印刷的方式，如喷涂印刷，针筒点胶法，钢网印刷，丝网印刷等方法制备。
进一步，所述金属基层为铝板或铜板；所述导热绝缘层为热阻小、粘弹性能优良、具有抗热老化的能力特种材料；所述电路层为铜箔；所述阻焊层为白色油墨；所述LED芯片阵列为GaN芯片阵列。
本发明还提供一种生产所述采用MCPCB基板制作的LED光源的方法，包括如下步骤：
（a）在所述LED芯片阵列周边涂覆上高反射涂层，烘烤成型；
（b）在MCPCB基板上焊接LED芯片阵列；
（c）用荧光粉硅胶对所述LED芯片阵列及高反射涂层进行覆盖。
进一步，所述步骤（a）中的高反射涂层为对450nm到700nm光波长反射率达95%以上的材料；所述高反射涂层材质是硅胶类，环氧树脂类；所述高反射涂层通过用印刷的方式，如喷涂印刷，针筒点胶法，钢网印刷，丝网印刷等方法制备。
所述步骤（b）中的LED芯片阵列为GaN芯片阵列；
所述步骤（b）中的焊接方式，是通过针筒点胶法，或沾胶法，或钢网印刷法把锡膏印到MCPCB的焊脚上，通过高温回流焊方式完成GaN芯片阵列和MCPCB的焊接。
本发明的优点是：
既能提高光源光效，也能延长光源寿命。
附图说明
图1为MCPCB基板结构示意图LED封装。
图2为阻焊层作为反射层的MCPCB基板LED集成光源结构示意图。
图3为镀银作为反射层的MCPCB基板LED集成光源结构示意图。
图4为本发明实施例的MCPCB基板LED集成光源结构示意图。
图5为本发明实施例的MCPCB基板LED集成光源顶视图。
具体实施方式
下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
实施例一：
本发明提供了如附图4所示的一种MCPCB基板LED集成光源，包括MCPCB基板、LED芯片阵列6和荧光粉硅胶层5，MCPCB基板与荧光粉硅胶层5之间设有高反射涂层8。
MCPCB基板10由下向上依次包括金属基层4、导热绝缘层3、电路层2、阻焊层1。
高反射涂层8的材料为对450nm到700nm光波长反射率达95%以上的材料。高反射涂层8材质是硅胶类，环氧树脂类。高反射涂层8厚度从1微米到500微米。高反射涂层8通过用印刷的方式，如喷涂印刷，针筒点胶法，钢网印刷，丝网印刷等方法制备。
金属基层4为铝板或铜板；导热绝缘层3为热阻小、粘弹性能优良、具有抗热老化的能力特种材料；电路层2为铜箔；阻焊层1为白色油墨；LED芯片阵列6为GaN芯片阵列。正、负极通过焊锡27焊接在电路层2上。
如附图5所示，LED芯片阵列由多颗芯片6串联、并联组成；芯片6串并线路连接通过MCPCB线路层。荧光粉硅胶层5设置在围坝胶30圈定的范围内。
芯片固晶通过焊锡来完成；焊锡固晶的实现，是通过针筒点胶法，或沾胶法，或钢网印刷法把锡膏印到MCPCB的焊脚上，通过高温回流焊方式完成固晶。
本发明还提供一种生产采用MCPCB基板制作的LED光源的方法，包括如下步骤：
（a）在LED芯片阵列6周边涂覆上高反射涂层8，烘烤成型；
（b）在MCPCB基板上焊接LED芯片阵列6；
（c）用荧光粉硅胶对LED芯片阵列6及高反射涂层8进行覆盖。
步骤（b）中的高反射涂层8为对450nm到700nm光波长反射率达95%以上的材料；高反射涂层8材质是硅胶类，环氧树脂类；高反射涂层8通过用印刷的方式，如喷涂印刷，针筒点胶法，钢网印刷，丝网印刷等方法制备。
所述步骤（b）中的LED芯片阵列为GaN芯片阵列；
所述步骤（b）中的焊接方式，是通过针筒点胶法，或沾胶法，或钢网印刷法把锡膏印到MCPCB的焊脚上，通过高温回流焊方式完成GaN芯片阵列和MCPCB的焊接。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种MCPCB基板LED集成光源，包括MCPCB基板、LED芯片阵列和荧光粉硅胶层，其特征在于：
所述MCPCB基板与所述荧光粉硅胶层之间设有高反射涂层。
2.如权利要求1所述的一种MCPCB基板LED集成光源，其特征在于：
所述MCPCB基板由下向上依次包括金属基层、导热绝缘层、电路层、阻焊层。
3.如权利要求1或2所述的一种MCPCB基板LED集成光源，其特征在于：
所述高反射涂层的材料为对450nm到700nm光波长反射率达95%以上的材料。
4.如权利要求3所述的一种MCPCB基板LED集成光源，其特征在于：
所述高反射涂层材质是硅胶类，环氧树脂类。
5.如权利要求4所述的一种MCPCB基板LED集成光源，其特征在于：
所述涂层厚度从1微米到500微米。
6.如权利要求5所述的一种MCPCB基板LED集成光源，其特征在于：
所述高反射涂层通过用印刷的方式，如喷涂印刷，针筒点胶法，钢网印刷，丝网印刷等方法制备。
7.如权利要求6所述的一种MCPCB基板LED集成光源，其特征在于：
所述金属基层为铝板或铜板；所述导热绝缘层为热阻小、粘弹性能优良、具有抗热老化的能力特种材料；所述电路层为铜箔；所述阻焊层为白色油墨；所述LED芯片阵列为GaN芯片阵列。
8.一种生产如权利要求1所述采用MCPCB基板制作的LED光源的方法，其特征在于，包括如下步骤：
（a）在所述LED芯片阵列周边涂覆上高反射涂层，烘烤成型；
（b）在MCPCB基板上焊接LED芯片阵列；
（c）用荧光粉硅胶对所述LED芯片阵列及高反射涂层进行覆盖。
9.如权利要求8所述的一种生产采用MCPCB基板制作的LED光源的方法，其特征在于：
所述步骤（a）中的高反射涂层为对450nm到700nm光波长反射率达95%以上的材料；所述高反射涂层材质是硅胶类，环氧树脂类；所述高反射涂层通过用印刷的方式，如喷涂印刷，针筒点胶法，钢网印刷，丝网印刷等方法制备。
所述步骤（b）中的LED芯片阵列为GaN芯片阵列；
所述步骤（b）中的焊接方式，是通过针筒点胶法，或沾胶法，或钢网印刷法把锡膏印到MCPCB的焊脚上，通过高温回流焊方式完成GaN芯片阵列和MCPCB的焊接。
CN201410006141.4A 2014-01-07 2014-01-07 一种mcpcb基板led集成光源及其生产方法 Pending CN104766856A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410006141.4A CN104766856A (zh) 2014-01-07 2014-01-07 一种mcpcb基板led集成光源及其生产方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410006141.4A CN104766856A (zh) 2014-01-07 2014-01-07 一种mcpcb基板led集成光源及其生产方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104766856A true CN104766856A (zh) 2015-07-08

Family

ID=53648594

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410006141.4A Pending CN104766856A (zh) 2014-01-07 2014-01-07 一种mcpcb基板led集成光源及其生产方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104766856A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105575957A (zh) * 2016-02-22 2016-05-11 易美芯光（北京）科技有限公司 一种白光led的cob光源
CN111682094A (zh) * 2020-05-28 2020-09-18 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种led发光背板及其生产方法
CN113193101A (zh) * 2021-04-07 2021-07-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及阻隔型蓝色发光器件显示器的制备方法
WO2022141713A1 (zh) * 2021-01-04 2022-07-07 上海升景照明有限公司 一种发光标识用的led防水模组及其应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080169752A1 (en) * 2007-01-16 2008-07-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device
CN102290524A (zh) * 2011-09-21 2011-12-21 晶科电子（广州）有限公司 一种led器件及其led模组器件
CN202396088U (zh) * 2011-11-20 2012-08-22 葛豫卿 一种高导热金属基印刷电路板

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080169752A1 (en) * 2007-01-16 2008-07-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device
CN102290524A (zh) * 2011-09-21 2011-12-21 晶科电子（广州）有限公司 一种led器件及其led模组器件
CN202396088U (zh) * 2011-11-20 2012-08-22 葛豫卿 一种高导热金属基印刷电路板

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105575957A (zh) * 2016-02-22 2016-05-11 易美芯光（北京）科技有限公司 一种白光led的cob光源
CN105575957B (zh) * 2016-02-22 2019-02-12 易美芯光（北京）科技有限公司 一种白光led的cob光源
CN111682094A (zh) * 2020-05-28 2020-09-18 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种led发光背板及其生产方法
WO2022141713A1 (zh) * 2021-01-04 2022-07-07 上海升景照明有限公司 一种发光标识用的led防水模组及其应用
CN113193101A (zh) * 2021-04-07 2021-07-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及阻隔型蓝色发光器件显示器的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN203850296U (zh) 一种mcpcb基板led集成光源
CN203983324U (zh) 一种采用倒装蓝光芯片封装的led集成光源
CN104766916A (zh) 一种采用倒装蓝光芯片封装的led集成光源
JP5726409B2 (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
EP2293356B1 (en) Light emitting diode package structure for increasing heat-dissipating and light-emitting efficiency, and method for manufacturing the same
CN103824923B (zh) 一种半导体发光芯片、半导体照明灯具及其制造方法
US9076714B2 (en) Substrate for mounting light-emitting element and light-emitting device
CN105226167A (zh) 一种全角度发光的柔性led灯丝及其制造方法
JP2011018871A (ja) 熱伝導接着剤を位置決めするための窪み領域を有するｌｅｄの実装構造とその製造方法
CN102032483B (zh) Led面光源
US20180076369A1 (en) Light-emitting device and manufacturing method thereof
TW201635599A (zh) 發光裝置
CN105742469A (zh) 半导体发光芯片
JP2015111620A (ja) 発光デバイス及びその製造方法
TW201511347A (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
CN104766856A (zh) 一种mcpcb基板led集成光源及其生产方法
JP2008227139A (ja) 静電気対策部品およびこれを用いた発光ダイオードモジュール
JP2008270327A (ja) 静電気対策部品およびこれを用いた発光ダイオードモジュール
JP2007266222A (ja) 発光素子搭載用基板、発光素子収納用パッケージ、発光装置および照明装置
JP5406691B2 (ja) 半導体発光装置
JPWO2014115443A1 (ja) 発光装置およびその製造方法
CN208298868U (zh) 半导体发光器件
JP2007173875A (ja) 発光装置
JP2008227137A (ja) 静電気対策部品およびこれを用いた発光ダイオードモジュール
JP2008159671A (ja) プリント配線基板および電子装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20150708