CN113451217B - 显示装置的制造方法及显示装置 - Google Patents
显示装置的制造方法及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113451217B CN113451217B CN202010722275.1A CN202010722275A CN113451217B CN 113451217 B CN113451217 B CN 113451217B CN 202010722275 A CN202010722275 A CN 202010722275A CN 113451217 B CN113451217 B CN 113451217B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- glue material
- group
- accommodating groove
- light emitting
- accommodating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 209
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 160
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 67
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 33
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 33
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 22
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 claims description 22
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 claims description 17
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 13
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 8
- WQMWHMMJVJNCAL-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylpenta-1,4-dien-3-one Chemical compound CC(=C)C(=O)C(C)=C WQMWHMMJVJNCAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 claims description 3
- -1 polybutylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 claims description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本申请提供一种显示装置的制造方法,先提供一阵列基板,且所述阵列基板一侧设有多个用于容纳第一组焊盘的第一容纳槽、多个用于容纳第二组焊盘的第二容纳槽,以及多个用于容纳第三组焊盘的第三容纳槽;然后采用第一胶材和第二胶材先后填充所述第一容纳槽和所述第二容纳槽;再在所述第三容纳槽中设置第三发光器件;先后解胶所述第二胶材和所述第一胶材后在所述第二容纳槽和所述第一容纳槽中先后设置所述第二发光器件和所述第一发光器件。本方法通过所述第一胶材和所述第二胶材的逐步保护和解胶,使得不同的容纳槽能逐步露出,便于保证各发光器件的安装位置准确。本申请还涉及采用该方法制造的显示装置。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术制造领域,特别涉及一种显示装置的制造方法,以及采用该显示装置的制造方法制造的显示装置。
背景技术
目前发光二极管显示装置,通过分别制造出红绿蓝三基色的发光器件,再分别转移、贴合到阵列基板上,并利用驱动电路单独驱动和控制每一个发光二极管的发光行为,最终通过混色原理来实现全彩显示。该方案工艺复杂,且技术难度大,特别是在不同光色发光器件巨量转移到阵列基板上进行键合的过程中,容易出现发光器件无法对准,甚至整体错位的现象。而不同光色的发光器件及发光二极管对应的阈值电压不同,需分别使用不同的驱动电路来控制,因此在发光器件未对准或者整体错位的情况下,会使得驱动电路无法对发光器件施行有效驱动显示的现象。
发明内容
本申请的目的在于克服现有技术的不足,提供一种可以提高发光器件与阵列基板的对位精度的显示装置的制造方法,具体包括如下技术方案:
一种显示装置的制造方法,包括如下步骤:
提供一阵列基板,所述阵列基板一侧设有多个用于容纳第一组焊盘的第一容纳槽、多个用于容纳第二组焊盘的第二容纳槽,以及多个用于容纳第三组焊盘的第三容纳槽;
采用第一胶材填充所述第一容纳槽;
采用第二胶材填充所述第二容纳槽,且所述第二胶材区别于所述第一胶材;
在所述第三容纳槽中设置第三发光器件;
解胶所述第二胶材,并在所述第二容纳槽中设置第二发光器件;
解胶所述第一胶材,并在所述第一容纳槽中设置第一发光器件。
本申请显示装置的制造方法在转移三种发光器件的过程中,通过所述第一胶材和所述第二胶材分别封闭保护所述第一容纳槽和所述第二容纳槽,然后分批转移各色发光器件,并逐批次解胶所述第一胶材和所述第二胶材,使得所述第一容纳槽、所述第二容纳槽以及所述第三容纳槽依次打开。本申请方法避免了因为容纳槽没有指向性,而可能存在的发光器件设置错位的缺陷,提高了巨量转移的良率,保证显示装置的有效发光显示。
可选的,所述第二胶材区别于所述第一胶材,包括:
所述第二胶材的光解波长区别于所述第一胶材的光解波长,和/或
所述第二胶材的降解温度区别于所述第一胶材的降解温度。
利用所述第一胶材和所述第二胶材在光解波长和/或降解温度上的差异,可以实现分步解胶所述第一胶材和所述第二胶材的动作。
可选的,所述提供一阵列基板,所述阵列基板一侧设有多个用于容纳第一组焊盘的第一容纳槽、多个用于容纳第二组焊盘的第二容纳槽,以及多个用于容纳第三组焊盘的第三容纳槽,包括:
提供一阵列基板,并在所述阵列基板上制作像素定义层;
在所述像素定义层上蚀刻以对应所述第一组焊盘形成所述第一容纳槽、对应所述第二组焊盘形成所述第二容纳槽、以及对应所述第三组焊盘形成所述第三容纳槽,或
提供一阵列基板;
在所述阵列基板一侧制作挡墙,以对应所述第一组焊盘形成所述第一容纳槽、对应所述第二组焊盘形成所述第二容纳槽、以及对应所述第三组焊盘形成所述第三容纳槽。
对于所述第一容纳槽、所述第二容纳槽和所述第三容纳槽的设置可以通过蚀刻或直接生成挡墙的方式来实现。
可选的,所述在阵列基板上制作像素定义层,包括:
采用黑色聚酰亚胺材料制作所述像素定义层,或
所述在所述阵列基板一侧制作挡墙,包括:
采用黑色聚酰亚胺材料在所述阵列基板一侧制作挡墙。
黑色聚酰亚胺材料可以提高所述显示装置的对比度。
可选的,所述采用第一胶材填充所述第一容纳槽,包括:
采用所述第一胶材填充所述第一容纳槽、所述第二容纳槽以及所述第三容纳槽;
采用第一掩膜板遮挡所述第一容纳槽;
采用与所述第一胶材的光解波长和/或降解温度所匹配的光线将未被遮挡的所述第一胶材去除。
采用所述第一掩膜板配合与所述第一胶材匹配的光线,可以准确的填充所述第一容纳槽。
可选的,所述采用第二胶材填充与所述第二组焊盘位置对应的所述容纳槽,包括:
采用所述第二胶材填充所述第二容纳槽与所述第三容纳槽;
采用第二掩膜板遮挡所述第二容纳槽;
采用与所述第二胶材的光解波长和/或降解温度所匹配的光线将未被遮挡的所述第二胶材去除。
采用所述第二掩膜板配合与所述第二胶材匹配的光线,可以准确的填充所述第二容纳槽。
可选的,所述第一胶材与所述第二胶材均为正性光刻胶材,且所述第二胶材的光解波长区别于所述第一胶材的光解波长。采用正性光刻胶材能够使得所述第一胶材和所述第二胶材在分别填充所述第一容纳槽和所述第二容纳槽时具备更清晰的形状边界,利于控制所述第一胶材和所述第二胶材的形状和精度。
可选的,所述第一胶材为聚甲基异丙烯基酮,对应解胶所述第一胶材的光线为200nm-350nm波段的深紫外光;
所述第二胶材为聚丁烯砜聚1,2一二氯丙烯酸,对应解胶所述第二胶材的光线为0.001~10nm波段的X光。因为深紫外光和X光的波段差异,使得在光解所述第二胶材的过程中不会影响到所述第一胶材。
可选的,所述第一胶材与所述第二胶材均为热解胶材,所述第二胶材的降解温度低于所述第一胶材的降解温度。从而保证在光解所述第二胶材时所述第一胶材的稳定性。
可选的,在所述第一容纳槽内设置所述第一发光器件、在所述第二容纳槽内设置所述第二发光器件以及在所述第三容纳槽内设置所述第三发光器件时,采用磁吸或静电方式进行对位。通过磁吸或静电吸附的方式可以提高发光器件的对位精度。
可选的,所述第三发光器件的第一电极与第二电极分别与所述第三组焊盘的第一连接垫与第二连接垫连接;所述第二发光器件的第一电极与第二电极分别与所述第二组焊盘的第一连接垫与第二连接垫连接;所述第一发光器件的第一电极与第二电极分别与所述第一组焊盘的第一连接垫与第二连接垫连接。
可选的,在所述解胶所述第一胶材并在所述第一容纳槽中设置所述第一发光器件之后,还包括:
采用覆盖层封装所述第一发光器件、所述第二发光器件以及所述第三发光器件。封装工序能够固化并保护各色发光器件。
可以理解的,覆盖层设置在各个发光器件之间,完全或者部分覆盖各个发光器件之间出光面的区域,不影响各个发光器件的正常出光,覆盖层可以是光吸收材料,用于吸收对环境光及所述驱动阵列中电路层的反射光,并防止由所述显示装置出现串色、混色等问题,使得所述显示装置的黑态更黑,从而提高对比度。
本申请还提供一种显示装置,包括至少三种发光器件,且三种所述发光器件采用上述的显示装置的制造方法设置于所述阵列基板上。因为采用了上述的显示装置的制造方法,使得发光器件的设置精度更高,提高了显示装置的产品良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明提供的显示装置的平面示意图;
图2是本发明提供的显示装置中单个像素单元组合的截面示意图;
图3是本发明提供的显示装置的制造方法的流程图;
图4-图10是本发明提供的显示装置的制造方法中各步骤对应的单个像素单元组合的结构示意图;
图11是本发明提供的显示装置的制造方法中步骤S20的子步骤流程图;
图12-图14是本发明提供的显示装置的制造方法中步骤S20的各子步骤对应的单个像素单元组合的结构示意图;
图15是本发明提供的显示装置的制造方法中步骤S30的子步骤流程图;
图16-图18是本发明提供的显示装置的制造方法中步骤S30的各子步骤对应的单个像素单元组合的结构示意图;
图19是本发明提供的显示装置的制造方法另一实施例的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
此外,以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明中所提到的方向用语,例如,“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”、“侧面”等,仅是参考附加图式的方向,因此,使用的方向用语是为了更好、更清楚地说明及理解本发明,而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
请参阅图1所示的本发明提供的显示装置100,包括有阵列基板10、像素定义层20和发光器件30。发光器件30至少包括有第一发光器件301、第二发光器件302以及第三发光器件303。三个发光器件30分别可以为显示装置100中的“R、G、B”三基色LED器件,三个发光器件30依次排列以形成一个像素单元组合01,每个发光器件30可以视为该像素单元组合01中的一个子像素单元。通过阵列基板10上的驱动电路的控制,使得三个发光器件30能够各自独立发光,然后形成混色并最终使得该像素单元组合01发出预设的彩色光。多个像素单元组合01阵列排布于阵列基板10上则可以对应实现显示装置100的彩色画面显示效果。
请参见图2,在单个像素单元组合01中,阵列基板10的驱动电路分别对应第一发光器件301设置了第一焊盘101、对应第二发光器件302设置了第二焊盘102、对应第三发光器件303设置了第三焊盘103。像素定义层20设有容纳槽21,且容纳槽21包括分别对应第一焊盘101、第二焊盘102以及第三焊盘103的第一容纳槽201、第二容纳槽202以及第三容纳槽203,以使得第一发光器件301、第二发光器件302以及第三发光器件303能够通过各个容纳槽21设置到其对应的第一焊盘101、第二焊盘102以及第三焊盘103上。
第一焊盘101中包括有相对的第一导电连接垫1011和第二导电连接垫1012,对应第一发光器件301中包括的第一导电连接端3011和第二导电连接端3012。第一发光器件301设置于第一焊盘101上时,其第一导电连接端3011对位于第一导电连接垫1011连接,其第二导电连接端3012对位于第二导电连接垫1012连接。第二发光器件302与第二焊盘102的连接,以及第三发光器件303与第三焊盘103的连接也采用相同的方式。
而在整个阵列基板10上,因为像素单元组合01呈阵列状排布,因此阵列基板10上的全部第一焊盘101也呈阵列状排布,形成第一组焊盘;全部第二焊盘102形成第二组焊盘;全部第三焊盘103形成第三组焊盘。
请参见图3,本申请显示装置的制造方法包括如下步骤:
S10、提供一阵列基板10,阵列基板10一侧设有多个用于容纳第一组焊盘的第一容纳槽201、多个用于容纳第二组焊盘的第二容纳槽202,以及多个用于容纳第三组焊盘的第三容纳槽203;
具体的,在形成第一容纳槽201、第二容纳槽202以及第三容纳槽203的过程中,可以采用如下步骤实现:
提供一阵列基板10,并在阵列基板10上制作像素定义层20;
在像素定义层20上蚀刻以对应第一组焊盘形成第一容纳槽201、对应第二组焊盘形成第二容纳槽202、以及对应第三组焊盘形成第三容纳槽203。
具体可以配合图4的示意,在阵列基板10上先制作像素定义层20,该像素定义层20通常为有机材料,具体可以为聚酰亚胺。像素定义层20具有较高的稳定性,高温条件下不会产生形变,可用于定义各像素的位置。
然后请参见图5的示意,在单个像素单元组合01中,阵列基板10的驱动电路分别对应第一发光器件301设置了第一焊盘101、对应第二发光器件302设置了第二焊盘102、对应第三发光器件303设置了第三焊盘103。为了便于第一发光器件301、第二发光器件302以及第三发光器件303置入,需要对完成制作的像素定义层20制作容纳槽21,并对应露出第一焊盘101、第二焊盘102以及第三焊盘103。
通过黄光制程中的曝光-显影-刻蚀的工艺,可以在像素定义层20中蚀刻出对应露出第一焊盘101、第二焊盘102以及第三焊盘103的第一容纳槽201、第二容纳槽202以及第三容纳槽203。由此第一发光器件301、第二发光器件302以及第三发光器件303能够通过各个容纳槽21设置到其对应的第一焊盘101、第二焊盘102以及第三焊盘103上。
可以理解的,对于整个阵列基板10而言,每个像素单元组合01中都需要制作该三个容纳槽21,即整个阵列基板10上的容纳槽21也可以对应分为第一容纳槽组、第二容纳槽组以及第三容纳槽组。其中第一容纳槽组为阵列基板10上所有容纳槽21中对应第一组焊盘的全部容纳槽21,第二容纳槽组为阵列基板10上对应第二组焊盘的全部容纳槽21,第三容纳槽组为阵列基板10上对应第三组焊盘的全部容纳槽21。
在另一种实施例中,在形成第一容纳槽201、第二容纳槽202以及第三容纳槽203的过程中,可以采用如下步骤实现:
提供一阵列基板10;
在阵列基板10一侧制作挡墙22,以对应第一组焊盘形成第一容纳槽201、对应第二组焊盘形成第二容纳槽202、以及对应第三组焊盘形成第三容纳槽203。
在本实施例中,没有通过制作并刻蚀像素定义层20来设置容纳槽21,而是直接通过在阵列基板10上形成间隔各个容纳槽21用的挡墙22来形成容纳槽21(同样可以参见图5)。本实施例相对于蚀刻形成容纳槽21的方法步骤更简单。
S20、采用第一胶材41填充第一容纳槽201;
具体的,请参见图6,在单个像素单元组合01中,通过曝光-显影-刻蚀的工艺,还可以将第一胶材41填充于第一容纳槽201中,进而实现对第一容纳槽201的封闭保护。可以理解的,因为第一胶材41对第一容纳槽201的填充,使得经本步骤之后,第一发光器件301无法装入第一容纳槽201中,进而无法与第一焊盘101实现对位装配。
而对于整个阵列基板10而言,第一胶材41可以填充第一容纳槽组,而使得整个阵列基板10中的第一组焊盘全部被第一胶材41所封闭保护。
S30、采用第二胶材42填充第二容纳槽202,且第二胶材42区别于第一胶材41;
具体的,请参见图7,在单个像素单元组合01中,同样通过曝光-显影-刻蚀的工艺,将第二胶材42填充于第二容纳槽202中,进而实现对第二容纳槽202的封闭保护。而对于整个阵列基板10而言,第二胶材42可以填充第二容纳槽组,而使得整个阵列基板10中的第二组焊盘全部被第二胶材42所封闭保护。
区别在于,第二胶材42与第一胶材41需要区别设置,以使得第一胶材41和第二胶材42各自能分别独立对第一容纳槽201和第二容纳槽202实现密封保护,同时在解胶第二胶材42的过程中不会影响到第一胶材41的结构。
在一种实施例中,可以对第一胶材41和第二胶材42进行如下定义:
第二胶材42的光解波长区别于第一胶材41的光解波长,和/或
第二胶材42的降解温度区别于第一胶材41的降解温度。
具体的,第二胶材42与第一胶材41可以为光解胶,但用于降解第一胶材41的光线的波长区段需要区别用于降解第二胶材42的光线的波长区段。
以及,第一胶材41与第二胶材42还可以为热解胶,但用于降解第一胶材41的降解温度需要区别于用于降解第二胶材42的降解温度。
可以理解的,对于光解胶和热解胶而言,其对应的光线的波长区段或降解温度可以同时具有区别。
S40、在第三容纳槽203中设置第三发光器件303;
具体的,请参见图8,因为阵列基板10上的第一容纳槽组和第二容纳槽组分别被第一胶材41和第二胶材42封闭保护,因此阵列基板10上仅露出的容纳槽21只有位置与第三组焊盘对应的第三容纳槽组。而对于单个像素单元组合01而言,其第一容纳槽201被第一胶材41所封闭保护,第二容纳槽202被第二胶材42所封闭保护,由此仅通过第三容纳槽203露出其第三焊盘103。
此时,将第三发光器件303设置于第三焊盘103中时,因为其露出的容纳槽21为唯一,可以保证第三发光器件303能准确装入第三容纳槽203中,并准确的与第三焊盘103实现对位连接。
而对于整个阵列基板10而言,则可以将全部第三发光器件303置入第三容纳槽组中,并与第三组焊盘全部实现对位连接,以准确的完成全部第三发光器件303的设置工作。
请看回图2的示意,对于全部发光器件30而言,其形状大小是一致的,其对应的容纳槽21的形状大小也相应一致。因此在巨量转移的过程中,同一发光器件30实际可以设置于任意容纳槽21中,并与该容纳槽21对应露出的焊盘实现对位连接。
但由于不同发光器件30的阈值电压不同,需分别使用不同的驱动电路来进行控制。因此发光器件30如果没有设置于其对应的容纳槽21中,则无法与预设的焊盘形成对位连接。在发光器件30未对准或者整体错位的情况下,会使得驱动电路无法对显示装置100施行有效驱动,进而形成显示缺陷。
因此,本申请显示装置的制造方法通过步骤S40实现了第三发光器件303的设置工作,且能够保证每个第三发光器件303准确对位到一个第三焊盘103上。
S50、解胶第二胶材42,并在第二容纳槽202中设置第二发光器件302;
具体的,可以参见图9,在第三容纳槽组中全部装入第三发光器件303之后,通过与第二胶材42匹配的光线以及温度,可以将第二胶材42去除,并露出阵列基板10上的第二容纳槽组。
此时,因为第二胶材42与第一胶材41的区别设置,使得在解胶第二胶材42的过程中,第一胶材41依然保留为填充第一容纳槽组的状态。因此,在第二胶材42被去除之后,第一容纳槽组持续被第一胶材41封闭保护,而第三容纳槽组已经置入了第三发光器件303。此时,阵列基板10上仅露出的容纳槽21只有位置与第二组焊盘对应的第二容纳槽组。单个像素单元组合01中则仅通过第二容纳槽202露出其第二焊盘102。
由此,通过对第二胶材42的解胶,在本步骤中实现了全部第二发光器件302准确设置于第二容纳槽组中,并与第二组焊盘实现对位连接的操作。
S60、解胶第一胶材41,并在第一容纳槽201中设置第一发光器件301。
具体的,可以参见图10,在第二容纳槽组与第三容纳槽组分别置入第二发光器件302和第三发光器件303之后,采用与第一胶材41匹配的光线以及温度对第一胶材41进行解胶,露出第一容纳槽组,此时可以保证全部第一发光器件301被准确置入第一容纳槽组中,并与第一组焊盘实现对位连接的工作,形成图10所示的装配效果。
由此,本申请显示装置的制造方法,在先后置入第三发光器件303、第二发光器件302以及第一发光器件301的过程中,通过第一胶材41和第二胶材42分别封闭保护第一容纳槽组和第二容纳槽组,再分批次置入第三发光器件303、第二发光器件302和第一发光器件301,其间配合先后解胶第二胶材42和第一胶材41,使得第三容纳槽组、第二容纳槽组和第一容纳槽组依次形成阵列基板10上唯一露出的容纳槽21,进而保证第三发光器件303、第二发光器件302以及第一发光器件301分别与第三组焊盘、第二组焊盘以及第一组焊盘的准确对位和连接。实现所述第三发光器件303的第一电极与第二电极分别与所述第三组焊盘的第一连接垫与第二连接垫连接;所述第二发光器件302的第一电极与第二电极分别与所述第二组焊盘的第一连接垫与第二连接垫连接;所述第一发光器件301的第一电极与第二电极分别与所述第一组焊盘的第一连接垫与第二连接垫连接。
在一些实施方式中,各个发光器件包括LED灯珠、Mini-led芯片或Micro-LED芯片。其中,LED灯珠还可称为LED芯片。Micro-LED芯片相对于LED灯珠的尺寸较小,可用在LED显示装置中。示例性的,单个独立的Micro-LED芯片,后通过转移技术,将Micro-LED芯片电连接至阵列基板的一侧表面,以形成所述显示装置。
本方法避免了因为容纳槽21没有指向性,而可能造成的发光器件30设置错位的缺陷,提高了巨量转移的良率,保证显示装置100的发光显示效果有效准确。
一种实施例请参见图11,对于步骤S20“采用第一胶材41填充第一容纳槽201”,具体包括如下子步骤:
S21、采用第一胶材41填充第一容纳槽201、第二容纳槽202以及第三容纳槽203;
具体的,可以参见图12,在制作填充第一容纳槽组的第一胶材41的过程中,需要先将阵列基板10上的所有容纳槽21均通过第一胶材41进行填充,即阵列基板10上形成由第一胶材41完全覆盖的胶面。
S22、采用第一掩膜板51遮挡第一容纳槽201;
具体的,请参见图13,第一掩膜板51为对应遮盖第一容纳槽组的掩膜板,其上制造有对应第一容纳槽组的图案,从而可以将第二容纳槽组以及第三容纳槽组露出,并同时对应露出填充于第二容纳槽组以及第三容纳槽组内的第一胶材41。
S23、采用与第一胶材41的光解波长和/或降解温度所匹配的光线将未被遮挡的第一胶材41去除。
具体的,请参见图14,当第一胶材41为光刻胶时,采用与其对应波长的光线对第一胶材41进行曝光-显影-刻蚀,可以将第一掩膜板51所露出的对应填充第二容纳槽组以及第三容纳槽组上的第一胶材41去除,从而仅留下填充于第一容纳槽组的第一胶材41,形成图6所示的结构。
可以理解的,当第一胶材41为热解胶材时,采用与其对应的降解温度,配合溶解剂(如PR胶)和光线进行曝光-显影-刻蚀,也可以实现类似的效果,并同样形成图6所示的结构。
一种实施例请参见图15,对于步骤S30“采用第二胶材42填充第二容纳槽202和第三容纳槽203”,可以包括如下子步骤:
S31、采用第二胶材42填充第二容纳槽202和第三容纳槽203;
具体的,请参见图16,在制作填充第二容纳槽组的第二胶材42的过程中,也需要先将阵列基板10上露出的所有容纳槽21均通过第二胶材42进行填充,并在阵列基板10上形成由第二胶材42完全覆盖的胶面。
但由于之前第一容纳槽组已经被第一胶材41填充,因此在本步骤中,第二胶材42实际只能填充除第一容纳槽组之外的阵列基板10上露出的剩余容纳槽21,即第二容纳槽组和第三容纳槽组,第一容纳槽组则持续被第一胶材41所填充。
S32、采用第二掩膜板52遮挡第二容纳槽202;
具体的,请参见图17,第二掩膜板52为对应遮盖第二容纳槽组的掩膜板,其上的图案可以对应露出第一容纳槽组和第三容纳槽组。可以理解的,此时第三容纳槽组中填充的是第二胶材42,而第一容纳槽组中填充有第一胶材41。
S33、采用与第二胶材42的光解波长和/或降解温度所匹配的光线将未被遮挡的第二胶材42去除。
具体的,请参见图18,当第二胶材42为光刻胶时,采用与其对应波长的光线对第二胶材42进行曝光-显影-刻蚀,可以将第二掩膜板52所露出的对应填充第三容纳槽组上的第二胶材42去除,从而仅留下填充于第二容纳槽组的第二胶材42,以及因为区别于第二胶材42的解胶条件,而在本次曝光-显影-刻蚀过程中不受影响继续被保留的填充于第一容纳槽组内的第一胶材41,最后形成图7所示的结构。
同样的,当第二胶材42为热解胶材时,采用与其对应的降解温度,配合溶解剂(如PR胶)和光线进行曝光-显影-刻蚀,也可以实现类似的效果,并同样形成图7所示的结构。
一种实施例,第一胶材41与第二胶材42均采用光刻胶实现,并进一步定义该光刻胶为正性光刻胶材。此时第二胶材42的光解波长区别于第一胶材41的光解波长。正性光刻胶材的刻蚀效果更好,形状边界更清晰,因此采用正性光刻胶材能够使得第一胶材41和第二胶材42在填充容纳槽时具备更规则的形状,有利于控制第一胶材41和第二胶材42的边界,使其不会干扰到相邻容纳槽21中的发光器件30的置入操作。
一种实施例,第一胶材41采用聚甲基异丙烯基酮来实现,且对应解胶第一胶材的光线为200nm-350nm波段的深紫外光;同时第二胶材42采用聚丁烯砜聚1,2一二氯丙烯酸来实现,同时对应解胶第二胶材的光线为0.001~10nm波段的X光。因为深紫外光和X光的波段差异相对较大,使得在实施本申请方法对第二胶材42进行光解的过程中,用于解胶第二胶材42的X光不会造成第一胶材41的解胶,从而保持第一胶材41对第一容纳槽组的填充。
一种实施例,第一胶材41与第二胶材42均为热解胶材,且第二胶材42的降解温度低于第一胶材41的降解温度。可以理解的,在解胶第二胶材42的过程中,因为其相对于第一胶材41的解胶温度较低,因此通过对温度的准确控制,可以避免第一胶材41在第二胶材42的解胶过程中被同步解胶,进而保证在光解第二胶材42时第一胶材的稳定性,即保持第一胶材41对第一容纳槽组的填充。
一种实施例,对于步骤S10中第一容纳槽201、第二容纳槽202以及第三容纳槽203的设置,还可以采用黑色聚酰亚胺材料来进行制作。具体的,第一容纳槽201、第二容纳槽202以及第三容纳槽203作为定位发光器件30的结构,其提供有对应限制每个发光器件30的挡墙22。该挡墙22与各个发光器件30一同作为显示装置100所显示的画面呈现给用户。采用黑色聚酰亚胺材料可以提高相邻发光器件30之间的对比度,使得单个发光器件30的边界更清晰,进而提升整个显示装置100的对比度。
一种实施例,在容纳槽21内设置第一发光器件301、第二发光器件302以及第三发光器件303时,可以采用磁吸或静电方式进行对位,以保证发光器件30与其对应的焊盘之间的对位精度。
具体的,以第一发光器件301与第一焊盘101之间的对位连接为例,第一焊盘101中的第一导电连接垫1011和第二导电连接垫1012,对应第一发光器件301中的第一导电连接端3011和第二导电连接端3012分别连接对位。通过配置第一导电连接端3011与第一导电连接垫1011之间形成磁吸力或静电吸力,同时第二导电连接端3012与第二导电连接垫1012之间也形成磁吸力或静电吸力,可以保证第一发光器件301与第一焊盘101的对位精度,同时避免第一导电连接端3011错误对位至第二导电连接垫1012的不良现象。
可以理解的,第二发光器件302与第二焊盘102之间的连接,以及第三发光器件303与第三焊盘103之间的连接也可以采用相同的方式,从而保证全部发光器件30与其对应的焊盘之间的对位精度。
一种实施例请参见图19,在步骤S60“解胶第一胶材41,并在第一容纳槽201中设置第一发光器件301”之后,还包括:
S70、采用覆盖层封装第一发光器件301、第二发光器件302以及第三发光器件303。
具体的,后续通过封装工序能够固化并保护各发光器件30,且因为本方法中各发光器件30的位置准确性而无需再因为安装错位而拆除该封装结构。
可以理解的,覆盖层设置在各个发光器件之间,完全或者部分覆盖各个发光器件之间出光面的区域,不影响各个发光器件的正常出光。覆盖层可以是光吸收材料,用于吸收对环境光及所述驱动阵列中电路层的反射光,并防止由所述显示装置出现串色、混色等问题,使得所述显示装置的黑态更黑,从而提高对比度。关于覆盖层的材料可以采用现有的光吸收材料,只要可以实现吸收各个发光器件之间的混光即可,具体种类在此不做限定。
本申请提供的显示装置100,包括至少三种发光器件30,其中三种发光器件30的颜色可以各不相同。可以理解的,当显示装置100还包括更多种类的发光器件30时,依然可以通过上述显示装置的制造方法,利用不同的胶材配合其对应的解胶工艺来逐一置入不同种类的发光器件30,从而保证各种类发光器件30的位置精度。而本申请提供的显示装置100中三种发光器件30因为采用上述的显示装置的制造方法设置于阵列基板10上,使得发光器件30的设置精度更高,因此可以获得更高的产品良率。
以上是本发明实施例的实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明实施例原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (12)
1.一种显示装置的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一阵列基板,所述阵列基板一侧设有多个用于容纳第一组焊盘的第一容纳槽、多个用于容纳第二组焊盘的第二容纳槽,以及多个用于容纳第三组焊盘的第三容纳槽;
采用第一胶材填充所述第一容纳槽;
采用第二胶材填充所述第二容纳槽,且所述第二胶材区别于所述第一胶材;
在所述第三容纳槽中设置第三发光器件;
解胶所述第二胶材,并在所述第二容纳槽中设置第二发光器件;
解胶所述第一胶材,并在所述第一容纳槽中设置第一发光器件。
2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于,所述第二胶材区别于所述第一胶材,包括:
所述第二胶材的光解波长区别于所述第一胶材的光解波长,和/或
所述第二胶材的降解温度区别于所述第一胶材的降解温度。
3.根据权利要求2所述的显示装置的制造方法,其特征在于,所述提供一阵列基板,所述阵列基板一侧设有多个用于容纳第一组焊盘的第一容纳槽、多个用于容纳第二组焊盘的第二容纳槽,以及多个用于容纳第三组焊盘的第三容纳槽,包括:
提供一阵列基板,并在所述阵列基板上制作像素定义层;
在所述像素定义层上蚀刻以对应所述第一组焊盘形成所述第一容纳槽、对应所述第二组焊盘形成所述第二容纳槽、以及对应所述第三组焊盘形成所述第三容纳槽,或
提供一阵列基板;
在所述阵列基板一侧制作挡墙,以对应所述第一组焊盘形成所述第一容纳槽、对应所述第二组焊盘形成所述第二容纳槽、以及对应所述第三组焊盘形成所述第三容纳槽。
4.根据权利要求3所述的显示装置的制造方法,其特征在于,所述在阵列基板上制作像素定义层,包括:
采用黑色聚酰亚胺材料制作所述像素定义层,或
所述在所述阵列基板一侧制作挡墙,包括:
采用黑色聚酰亚胺材料在所述阵列基板一侧制作挡墙。
5.根据权利要求2所述的显示装置的制造方法,其特征在于,所述采用第一胶材填充所述第一容纳槽,包括:
采用所述第一胶材填充所述第一容纳槽、所述第二容纳槽以及所述第三容纳槽;
采用第一掩膜板遮挡所述第一容纳槽;
采用与所述第一胶材的光解波长和/或降解温度所匹配的光线将未被遮挡的所述第一胶材去除。
6.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法,其特征在于,所述采用第二胶材填充与所述第二组焊盘位置对应的所述容纳槽,包括:
采用所述第二胶材填充所述第二容纳槽与所述第三容纳槽;
采用第二掩膜板遮挡所述第二容纳槽;
采用与所述第二胶材的光解波长和/或降解温度所匹配的光线将未被遮挡的所述第二胶材去除。
7.根据权利要求2所述的显示装置的制造方法,其特征在于,所述第一胶材与所述第二胶材均为正性光刻胶材,且所述第二胶材的光解波长区别于所述第一胶材的光解波长。
8.根据权利要求7所述的显示装置的制造方法,其特征在于,所述第一胶材为聚甲基异丙烯基酮,对应解胶所述第一胶材的光线为200nm-350nm波段的深紫外光;
所述第二胶材为聚丁烯砜聚1,2一二氯丙烯酸,对应解胶所述第二胶材的光线为0.001~10nm波段的X光。
9.根据权利要求2所述的显示装置的制造方法,其特征在于,所述第一胶材与所述第二胶材均为热解胶材,所述第二胶材的降解温度低于所述第一胶材的降解温度。
10.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于,在所述第一容纳槽内设置所述第一发光器件、在所述第二容纳槽内设置所述第二发光器件以及在所述第三容纳槽内设置所述第三发光器件时,采用磁吸或静电方式进行对位。
11.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于,所述第三发光器件的第一电极与第二电极分别与所述第三组焊盘的第一连接垫与第二连接垫连接;
所述第二发光器件的第一电极与第二电极分别与所述第二组焊盘的第一连接垫与第二连接垫连接;
所述第一发光器件的第一电极与第二电极分别与所述第一组焊盘的第一连接垫与第二连接垫连接。
12.一种显示装置,其特征在于,包括至少三种发光器件,且三种所述发光器件采用如权利要求1-11任一项所述的显示装置的制造方法设置于所述阵列基板上。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010722275.1A CN113451217B (zh) | 2020-07-24 | 2020-07-24 | 显示装置的制造方法及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010722275.1A CN113451217B (zh) | 2020-07-24 | 2020-07-24 | 显示装置的制造方法及显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113451217A CN113451217A (zh) | 2021-09-28 |
CN113451217B true CN113451217B (zh) | 2022-04-29 |
Family
ID=77808356
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010722275.1A Active CN113451217B (zh) | 2020-07-24 | 2020-07-24 | 显示装置的制造方法及显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113451217B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114141804B (zh) * | 2021-11-23 | 2023-05-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 发光二极管的转移方法、发光基板以及显示面板 |
CN114141912B (zh) * | 2021-11-24 | 2023-05-23 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | Led显示模组及制作方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101144351B1 (ko) * | 2010-09-30 | 2012-05-11 | 서울옵토디바이스주식회사 | 웨이퍼 레벨 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
US9698134B2 (en) * | 2014-11-27 | 2017-07-04 | Sct Technology, Ltd. | Method for manufacturing a light emitted diode display |
JP6366799B1 (ja) * | 2017-02-10 | 2018-08-01 | ルーメンス カンパニー リミテッド | マイクロledモジュール及びその製造方法 |
WO2020139022A1 (ko) * | 2018-12-27 | 2020-07-02 | 안상정 | 반도체 발광소자 |
CN111261656A (zh) * | 2020-01-17 | 2020-06-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
-
2020
- 2020-07-24 CN CN202010722275.1A patent/CN113451217B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113451217A (zh) | 2021-09-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20200295224A1 (en) | Manufacturing method for led display panel | |
CN113451217B (zh) | 显示装置的制造方法及显示装置 | |
US20200243739A1 (en) | Board connection structure, board mounting method, and micro-led display | |
KR20120061376A (ko) | 반도체 발광 소자에 형광체를 도포하는 방법 | |
WO2005015646A1 (ja) | Led照明光源 | |
CN111668249A (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
KR102222355B1 (ko) | Led칩 디스플레이 패널로의 전사 및 그 전사 전의 led칩 테스트를 위한 미들 플랫폼 장치 | |
CN112885247B (zh) | 显示面板及其制作方法、显示模组 | |
CN112655099A (zh) | Led显示面板的制造方法以及led显示面板 | |
CN112071969A (zh) | 一种量子点柔性led显示装置及其制备方法 | |
CN111684511A (zh) | 全彩led显示面板及其制造方法 | |
US20240168322A1 (en) | Quantum dot complex, three-dimensional display element, and process for quantum dot complex | |
WO2020233298A1 (zh) | 封装结构及封装方法、显示装置 | |
CN111081685B (zh) | 显示装置 | |
CN114447189A (zh) | 孔阵形成方法、发光结构、显示模块制造方法及显示模块 | |
US11709310B2 (en) | Surface-emitting light source and method of manufacturing the same | |
CN113363276B (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
US8669126B2 (en) | Uniform coating method for light emitting diode | |
KR102481416B1 (ko) | 감광성 수지를 이용한 led칩 전사 장치 | |
CN112947009A (zh) | 一种提升子像素发光均衡的Micro-LED光刻系统 | |
JP2004266026A (ja) | チップ部品の製造方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法 | |
CN114008786A (zh) | 中介基板、显示面板的制备方法 | |
CN112951103B (zh) | 一种提升子像素发光均衡的Micro-LED制造方法 | |
CN219371060U (zh) | 一种显示面板 | |
CN113228317B (zh) | 发光二极管及其制造方法、发光二极管模组、显示设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |