CN112071969A - 一种量子点柔性led显示装置及其制备方法 - Google Patents
一种量子点柔性led显示装置及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112071969A CN112071969A CN202010928362.2A CN202010928362A CN112071969A CN 112071969 A CN112071969 A CN 112071969A CN 202010928362 A CN202010928362 A CN 202010928362A CN 112071969 A CN112071969 A CN 112071969A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- flexible
- layer
- flexible substrate
- quantum dot
- light conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 88
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 72
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 210000001503 joint Anatomy 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0025—Processes relating to coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种量子点柔性LED显示装置及其制备方法，其包括柔性背板、柔性基板及封装层，封装层设置在柔性背板及柔性基板之间，柔性背板上设置有LED芯片阵列，柔性基板包括第二柔性衬底，第二柔性衬底上设置有隔离墙，封装层覆盖包裹LED芯片阵列及隔离墙，隔离墙围设形成矩阵腔阵列，矩阵腔阵列匹配设置在LED芯片阵列上方。本发明通过将柔性背板与柔性基板对接，并在柔性背板与柔性基板之间设置封装层，利用封装层的阻隔作用增加光转换层的水氧阻隔性，提升了显示装置的寿命；同时，配合隔离墙对LED芯片发出的散射光进行遮挡，有效限制了LED芯片发出的蓝光发散到相邻像素单元的现象，降低了蓝光漏光及光串扰的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种量子点柔性LED显示装置及其制备方法。
背景技术
Micro-LED有着高亮度、快响应和高寿命，被称为下一代显示产品的革命。随着产业科技的发展，人们对于柔性显示的需求越来越多，柔性显示成为未来显示的主流和方向。量子点材料(QD)具有光致发光稳定性好、半峰宽窄、色域高等特点，用蓝光LED激发QD来实现Micro-LED RGB彩色显示，被认为是快速进入产品化的有效途径。
蓝光芯片发光角度较大，且量子点膜层很难将蓝光全部吸收，致使在正常显示过程中极易形成漏光及光串扰等问题，不利于Micro-LED显示的产业化发展；另外，量子点材料本身对于水氧敏感度较高，容易造成失效从而影响显示器件寿命。
发明内容
基于此，本发明的目的在于提供一种量子点柔性LED显示装置及其制备方法，对量子点像素单元进行彩色滤色片校正及在像素间通过矩阵墙进行隔离，降低了杂散光及漏光，提升了显示颜色的纯度。
为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种量子点柔性LED显示装置及其制备方法，其包括柔性背板、柔性基板及封装层，所述封装层设置在柔性背板及柔性基板之间，所述柔性背板上设置有LED芯片阵列，所述柔性基板包括第二柔性衬底，所述第二柔性衬底上设置有隔离墙，所述封装层覆盖包裹所述LED芯片阵列及隔离墙，所述隔离墙围设形成矩阵腔阵列，所述矩阵腔阵列匹配设置在所述LED芯片阵列上方，所述矩阵腔阵列内设置有光转换层及滤色片层，所述滤色片层设置在光转换层上方。
在其中一个实施例中，所述柔性背板及柔性基板之间于封装层周侧设置有贴合框。
在其中一个实施例中，所述光转换层包括红光转换层、绿光转换层及蓝光转换层，所述滤色片层包括红滤色片、绿滤色片及蓝滤色片，所述红滤色片设置在红光转换层上方，所述绿滤色片设置在绿光转换层上方，所述蓝滤色片设置在蓝光转换层上方。
在其中一个实施例中，所述红光转换层为红色量子点层，所述绿光转换层为绿色量子点层，所述蓝光转换层为蓝色量子点层或蓝光散射粒子层。
在其中一个实施例中，所述隔离墙为黑色矩阵隔离墙。
在其中一个实施例中，所述封装层为多层构造，每层所述封装层材料均可采用无机薄膜材料或有机薄膜材料制作而成，所述无机薄膜材料包括括氮化铝、氧化铝、氮化硅、碳化硅或氧化钇，所述有机薄膜材料包括PET、PI或聚环氧改性的丙烯酸树脂。
在其中一个实施例中，所述柔性背板包括第一柔性衬底及线路基层，所述线路基层为TFT层或CMOS线路层，所述线路基层置于第一柔性衬底上。
一种量子点柔性LED显示装置的制备方法，其包括以下步骤：
在第一玻璃基板上制备柔性背板；
将LED芯片转移至柔性背板上形成LED芯片阵列；
在第二玻璃基板上制备柔性基板；
在柔性基板上制备隔离墙，隔离墙围设形成矩阵腔阵列；
在矩阵腔阵列内放置滤色片层；
在矩阵腔阵列内沉积QD材料或蓝光散射粒子材料，在矩阵腔阵列内的滤色片层上贴合形成具有将蓝光转化为红光的红光转换层、具有将蓝光转化为绿光的绿光转换层及具有将蓝光转换为蓝光的蓝光转换层；
在柔性基板上沉积封装层；
将成型有封装层的柔性基板与设置有LED芯片阵列的柔性背板对接贴合；
通过激光剥离技术使得柔性背板和柔性基板分别从第一玻璃基板及第二玻璃基板上脱离下来，完成量子点柔性LED显示装置的制造工序。
在其中一个实施例中，所述步骤在柔性基板上制备隔离墙，隔离墙围设形成矩阵腔阵列的方法包括如下步骤：
在柔性基板上涂黑色光刻胶；
对涂黑色光刻胶的柔性基板进行曝光显影烘烤，曝光部分固化形成隔离墙，未曝光的被显影液洗掉形成矩阵腔阵列。
在其中一个实施例中，所述步骤将成型有封装层的柔性基板与设置有LED芯片阵列的柔性背板对接贴合之后还包括：
在封装层周侧设置贴合框将柔性基板与柔性背板固定连接。
综上所述，本发明一种量子点柔性LED显示装置及其制备方法通过将柔性背板与柔性基板对接，并在柔性背板与柔性基板之间设置封装层，利用封装层的阻隔作用增加光转换层对于水氧阻隔性，提升了显示装置的寿命；同时，配合隔离墙对LED芯片发出的散射光进行遮挡，有效限制了LED芯片发出的蓝光发散到相邻像素单元的现象，降低了蓝光漏光及光串扰的问题；另外，通过设置滤色片层，像素点进行色彩校正，有效提升了显示装置显示的色纯度及颜色鲜艳度，进而提升了显示装置的显示色域。
附图说明
图1为本发明一种量子点柔性LED显示装置的结构示意图；
图2为本发明一种量子点柔性LED显示装置的制备方法中步骤S200对应的结构示意图；
图3为本发明一种量子点柔性LED显示装置的制备方法中步骤S700对应的结构示意图；
图4为本发明一种量子点柔性LED显示装置的制备方法中步骤S800对应的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
如图1至图4所示，本发明一种量子点柔性LED显示装置包括柔性背板10、柔性基板20及封装层30，所述封装层30设置在柔性背板10及柔性基板20之间，所述柔性背板10及柔性基板20之间于封装层30周侧设置有贴合框40，以将柔性背板10及柔性基板20连接在一起；所述柔性背板10上设置有LED芯片阵列50，所述LED芯片阵列50由多个LED芯片51排列组合而成，所述LED芯片51为蓝光LED芯片，具体地，所述柔性背板10包括第一柔性衬底11及线路基层12，所述线路基层12为TFT层或CMOS线路层，所述线路基层12置于第一柔性衬底11上，其中，所述LED芯片51采用外延生长的单晶材料精细图案化制作而成，并通过巨量转移技术将LED芯片51转移到线路基层12上形成LED芯片阵列50；所述柔性基板20上设置有隔离墙60，所述隔离墙60为黑色矩阵隔离墙，所述隔离墙60围设形成矩阵腔阵列61，所述矩阵腔阵列61匹配设置在所述LED芯片阵列50上方，所述隔离墙60用于遮挡LED芯片51发出的散射光，有效限制了LED芯片51发出的蓝光发散到相邻像素单元的现象，降低了蓝光漏光及光串扰的问题，提升了对比度。
所述矩阵腔阵列61内设置有光转换层70及滤色片层80，所述滤色片层80设置在光转换层70上方，所述光转换层70采用QD材料或蓝光散射材料沉积而成，通过矩阵腔阵列61将QD材料进行限制隔离，避免了QD材料在沉积过程中随意流动影响显示装置的质量问题。
所述封装层30覆盖包裹所述LED芯片阵列50及隔离墙60，所述封装层30为透明材质构造，从而使得LED芯片51发出的蓝光透过封装层30从柔性基板20上方发射而出；所述封装层30可为多层构造，每层所述封装层30材料均可采用无机薄膜材料或有机薄膜材料制作而成，所述无机薄膜材料包括括氮化铝、氧化铝、氮化硅、碳化硅、氧化钇等，所述有机薄膜材料包括PET、PI、聚环氧改性的丙烯酸树脂等。
所述封装层30包裹在光转换层70上，从而将光转换层70与LED芯片51分隔开来，以避免光转换层70直接与LED芯片50接触会增大量子点的猝灭效应影响发光效果；同时，通过封装层30将光转换层70与外部环境进行隔离，有效增加了QD材料对于水氧阻隔性，提升了显示装置的寿命。
在其中一个实施例中，本发明一种量子点柔性LED显示装置中LED芯片阵列50由多个像素单元组成，在一个像素单元中包括三个LED芯片51，所述光转换层70设置在所述LED芯片51上方，所述光转换层70包括红光转换层71、绿光转换层72及蓝光转换层73，具体地，在每一个像素单元中，红光转换层71、绿光转换层72及蓝光转换层73分别对应设置在其中一个LED芯片51的上方，所述红光转换层71用于将其中一个LED芯片51发出的蓝光转换为红光，所述绿光转换层72用于将其中一个LED芯片51发出的蓝光转换为绿光，所述蓝光转换层73用于将其中一个LED芯片51发出的蓝光进一步转换为蓝光，所述红光转换层71为红色量子点层，所述绿光转换层72为绿色量子点层，所述蓝光转换层73可为蓝色量子点层或蓝光散射粒子层；即在本实施例中，在一个像素单元内，红色子像素为LED芯片51配合其上方设置的红光转换层71内的红色量子点吸收蓝光后形成，绿色子像素为LED芯片51配合其上方设置的绿光转换层72内的绿色量子点吸收蓝光后形成，蓝色子像素为LED芯片51配合其上方设置的蓝光转换层73内的蓝色量子点吸收蓝光后形成或蓝色子像素为LED芯片51配合其上方设置的蓝光散射粒子层散射蓝光后形成，从而构成Micro-LED的一个RGB发光单元。
所述滤色片层80包括红滤色片81、绿滤色片82及蓝滤色片83，所述红滤色片81设置在红光转换层71上方，所述绿滤色片82设置在绿光转换层72上方，所述蓝滤色片83设置在蓝光转换层73上方，以对子像素进行色彩校正，有效提升了显示装置显示的色纯度及颜色鲜艳度，进而提升了显示装置的显示色域。
本发明一种量子点柔性LED显示装置通过在柔性背板10及柔性基板20之间设置封装层30，利用封装层30的阻隔作用增加光转换层70对于水氧阻隔性，提升了显示装置的寿命；配合在柔性基板20上设置隔离墙60对柔性背板10上设置的LED芯片51发出的散射光进行遮挡，有效限制了LED芯片51发出的蓝光发散到相邻像素单元的现象，降低了蓝光漏光及光串扰的问题，提升了对比度；同时在隔离墙60围设形成的矩阵腔阵列61内设置光转换层70及滤色片层80对LED芯片51发出的光进行转换，有效提升了显示装置显示的色纯度及颜色鲜艳度，进而提升了显示装置的显示色域；另外，通过矩阵腔阵列61将QD材料进行限制隔离，避免了QD材料在沉积过程中随意流动影响显示装置的质量问题。
根据上述本发明一种量子点柔性LED显示装置，本发明提供了一种量子点柔性LED显示装置的制备方法，该方法中涉及的柔性背板10、柔性基板20、封装层30及LED芯片阵列50可以与上述一种量子点柔性LED显示装置实施例阐述的技术特征相同，并能产生相同的技术效果。本发明一种量子点柔性LED显示装置的制备方法，通过将柔性背板10与柔性基板20对接，并在柔性背板10与柔性基板20之间设置封装层30，利用封装层30的阻隔作用增加光转换层70对于水氧阻隔性，提升了显示装置的寿命；同时，配合隔离墙60对LED芯片51发出的散射光进行遮挡，有效限制了LED芯片51发出的蓝光发散到相邻像素单元的现象，降低了蓝光漏光及光串扰的问题。
一种量子点柔性LED显示装置的制备方法，包括如下步骤，
步骤S100、在第一玻璃基板91上制备柔性背板10，具体地，在第一玻璃基板91上制备第一柔性衬底11，在第一柔性衬底11上制备TFT层或CMOS线路层，完成柔性背板10的制作工序。
步骤S200、将LED芯片51通过巨量化转移技术转移至柔性背板10上形成LED芯片阵列50，具体地，将外延生长的单晶材料精细图案化制作成LED芯片51，用巨量转移的技术将LED芯片51转移至柔性背板10上形成LED芯片阵列50，经键合修复后成为独立控制的蓝光光源。
步骤S300、在第二玻璃基板92上制备柔性基板20，具体地，在第二玻璃基板92上制备第二柔性衬底，完成柔性基板20的制作工序。
步骤S400、在柔性基板20上制备隔离墙60，隔离墙60围设形成矩阵腔阵列61。
所述步骤S400、在柔性基板20上制备隔离墙60，隔离墙60形成矩阵腔阵列61的制备方法，具体包括如下步骤：
步骤S410、在柔性基板20上涂黑色光刻胶，其中，涂黑色光刻胶的方式包括但不限于旋涂(spin coating)、狭缝涂布(slot die coating)、点胶、灌胶压模等；
步骤S420、对涂黑色光刻胶的柔性基板20进行曝光显影烘烤，曝光部分固化形成隔离墙60，未曝光的被显影液洗掉形成矩阵腔阵列61。
步骤S500、在矩阵腔阵列61内底端部放置滤色片层80，其中，滤色片层80包括红滤色片81、绿滤色片82及蓝滤色片83。
步骤S600、通过喷墨打印的方法在矩阵腔阵列61内沉积QD材料或蓝光散射粒子材料，经过UV固化后，在矩阵腔阵列61内的滤色片层80上贴合形成具有将蓝光转化为红光的红光转换层71、具有将蓝光转化为绿光的绿光转换层72及具有将蓝光转换为蓝光的蓝光转换层73，具体地，所述红滤色片81贴合红光转换层71设置，所述绿滤色片82贴合绿光转换层72设置，所述蓝滤色片83贴合蓝光转换层73设置。
步骤S700、在柔性基板20沉积封装层30以对光转换层70进行保护，封装层30遮覆包裹在隔离墙60及光转换层70外侧部，通过封装层30将光转换层70与外部环境进行隔离，有效增加了QD材料的水氧阻隔性，提升了显示装置的寿命，其中，封装层30可为多层构造，每层封装层30材料均可采用无机薄膜材料或有机薄膜材料制作而成，所述无机薄膜材料包括括氮化铝、氧化铝、氮化硅、碳化硅、氧化钇等，所述有机薄膜材料包括PET、PI、聚环氧改性的丙烯酸树脂等。
步骤S800、将步骤S700中成型有封装层30的柔性基板20与步骤S200中设置有LED芯片阵列50的柔性背板10对接贴合；
在其中一个实施例，所述步骤S800之后还包括：
步骤S800-1、在封装层30周侧设置贴合框40将柔性基板20与柔性背板10进一步固定连接，其中，所述贴合框40为经胶水固化后形成，以将柔性背板10及柔性基板20连接在一起。
步骤S900、通过激光剥离技术(LLO)使得柔性背板10和柔性基板20分别从第一玻璃基板91及第二玻璃基板92上脱离下来，完成量子点柔性LED显示装置的制造工序。
本发明一种量子点柔性LED显示装置及其制备方法通过将柔性背板10与柔性基板20对接，并在柔性背板10与柔性基板20之间设置封装层30，利用封装层30的阻隔作用增加光转换层70对于水氧阻隔性，提升了显示装置的寿命；同时，配合隔离墙60对LED芯片51发出的散射光进行遮挡，有效限制了LED芯片51发出的蓝光发散到相邻像素单元的现象，降低了蓝光漏光及光串扰的问题；另外，通过设置滤色片层80，像素点进行色彩校正，有效提升了显示装置显示的色纯度及颜色鲜艳度，进而提升了显示装置的显示色域。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种量子点柔性LED显示装置，其特征在于：包括柔性背板、柔性基板及封装层，所述封装层设置在柔性背板及柔性基板之间，所述柔性背板上设置有LED芯片阵列，所述柔性基板包括第二柔性衬底，所述第二柔性衬底上设置有隔离墙，所述封装层覆盖包裹所述LED芯片阵列及隔离墙，所述隔离墙围设形成矩阵腔阵列，所述矩阵腔阵列匹配设置在所述LED芯片阵列上方，所述矩阵腔阵列内设置有光转换层及滤色片层，所述滤色片层设置在光转换层上方。
2.根据权利要求1所述的一种量子点柔性LED显示装置，其特征在于：所述柔性背板及柔性基板之间于封装层周侧设置有贴合框。
3.根据权利要求1或2所述的一种量子点柔性LED显示装置，其特征在于：所述光转换层包括红光转换层、绿光转换层及蓝光转换层，所述滤色片层包括红滤色片、绿滤色片及蓝滤色片，所述红滤色片设置在红光转换层上方，所述绿滤色片设置在绿光转换层上方，所述蓝滤色片设置在蓝光转换层上方。
4.根据权利要求3所述的一种量子点柔性LED显示装置，其特征在于：所述红光转换层为红色量子点层，所述绿光转换层为绿色量子点层，所述蓝光转换层为蓝色量子点层或蓝光散射粒子层。
5.根据权利要求1或2所述的一种量子点柔性LED显示装置，其特征在于：所述隔离墙为黑色矩阵隔离墙。
6.根据权利要求1或2所述的一种量子点柔性LED显示装置，其特征在于：所述封装层为多层构造，每层所述封装层材料均可采用无机薄膜材料或有机薄膜材料制作而成，所述无机薄膜材料包括括氮化铝、氧化铝、氮化硅、碳化硅或氧化钇，所述有机薄膜材料包括PET、PI或聚环氧改性的丙烯酸树脂。
7.根据权利要求1或2所述的一种量子点柔性LED显示装置，其特征在于：所述柔性背板包括第一柔性衬底及线路基层，所述线路基层为TFT层或CMOS线路层，所述线路基层置于第一柔性衬底上。
8.一种量子点柔性LED显示装置的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在第一玻璃基板上制备柔性背板；
将LED芯片转移至柔性背板上形成LED芯片阵列；
在第二玻璃基板上制备柔性基板；
在柔性基板上制备隔离墙，隔离墙围设形成矩阵腔阵列；
在矩阵腔阵列内放置滤色片层；
在矩阵腔阵列内沉积QD材料或蓝光散射粒子材料，在矩阵腔阵列内的滤色片层上贴合形成具有将蓝光转化为红光的红光转换层、具有将蓝光转化为绿光的绿光转换层及具有将蓝光转换为蓝光的蓝光转换层；
在柔性基板上沉积封装层；
将成型有封装层的柔性基板与设置有LED芯片阵列的柔性背板对接贴合；
通过激光剥离技术使得柔性背板和柔性基板分别从第一玻璃基板及第二玻璃基板上脱离下来，完成量子点柔性LED显示装置的制造工序。
9.根据权利要求8所述的一种量子点柔性LED显示装置的制备方法，其特征在于，所述步骤在柔性基板上制备隔离墙，隔离墙围设形成矩阵腔阵列的方法包括如下步骤：
在柔性基板上涂黑色光刻胶；
对涂黑色光刻胶的柔性基板进行曝光显影烘烤，曝光部分固化形成隔离墙，未曝光的被显影液洗掉形成矩阵腔阵列。
10.根据权利要求8所述的一种量子点柔性LED显示装置的制备方法，其特征在于，所述步骤将成型有封装层的柔性基板与设置有LED芯片阵列的柔性背板对接贴合之后还包括：
在封装层周侧设置贴合框将柔性基板与柔性背板固定连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010928362.2A CN112071969A (zh) | 2020-09-07 | 2020-09-07 | 一种量子点柔性led显示装置及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010928362.2A CN112071969A (zh) | 2020-09-07 | 2020-09-07 | 一种量子点柔性led显示装置及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112071969A true CN112071969A (zh) | 2020-12-11 |
Family
ID=73663812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010928362.2A Pending CN112071969A (zh) | 2020-09-07 | 2020-09-07 | 一种量子点柔性led显示装置及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112071969A (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112750938A (zh) * | 2021-01-05 | 2021-05-04 | 深圳市思坦科技有限公司 | Led发光阵列及其制备方法 |
| CN112968114A (zh) * | 2021-02-01 | 2021-06-15 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN113985512A (zh) * | 2021-11-25 | 2022-01-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 滤光片bank的制备方法、滤光片bank、滤光片及显示装置 |
| CN115407555A (zh) * | 2022-08-17 | 2022-11-29 | 合肥合纵光电科技有限公司 | 一种柔性量子点直显装置 |
| WO2023028933A1 (zh) * | 2021-09-02 | 2023-03-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150362165A1 (en) * | 2014-06-14 | 2015-12-17 | Hiphoton Co., Ltd. | Light Engine Array |
| US20160141552A1 (en) * | 2013-07-05 | 2016-05-19 | Industrial Technology Research Institute | Flexible display and method for fabricating the same |
| CN109426029A (zh) * | 2017-08-28 | 2019-03-05 | 乐金显示有限公司 | 柔性滤色器基板和包括该基板的柔性发光显示装置 |
| CN111063826A (zh) * | 2019-12-16 | 2020-04-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板 |
-
2020
- 2020-09-07 CN CN202010928362.2A patent/CN112071969A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160141552A1 (en) * | 2013-07-05 | 2016-05-19 | Industrial Technology Research Institute | Flexible display and method for fabricating the same |
| US20150362165A1 (en) * | 2014-06-14 | 2015-12-17 | Hiphoton Co., Ltd. | Light Engine Array |
| CN109426029A (zh) * | 2017-08-28 | 2019-03-05 | 乐金显示有限公司 | 柔性滤色器基板和包括该基板的柔性发光显示装置 |
| CN111063826A (zh) * | 2019-12-16 | 2020-04-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112750938A (zh) * | 2021-01-05 | 2021-05-04 | 深圳市思坦科技有限公司 | Led发光阵列及其制备方法 |
| CN112968114A (zh) * | 2021-02-01 | 2021-06-15 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| US11908983B2 (en) | 2021-02-01 | 2024-02-20 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel and manufacturing method thereof |
| WO2023028933A1 (zh) * | 2021-09-02 | 2023-03-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN113985512A (zh) * | 2021-11-25 | 2022-01-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 滤光片bank的制备方法、滤光片bank、滤光片及显示装置 |
| CN115407555A (zh) * | 2022-08-17 | 2022-11-29 | 合肥合纵光电科技有限公司 | 一种柔性量子点直显装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112071969A (zh) | 一种量子点柔性led显示装置及其制备方法 | |
| US20190165036A1 (en) | Micro light-emitting diode display device and manufacturing method thereof | |
| US10964674B2 (en) | Micro-LED display panel | |
| US11832495B2 (en) | Display apparatus and manufacturing method therefor | |
| CN111326562B (zh) | 量子点显示面板及其制备方法 | |
| CN111244127B (zh) | 显示面板的制作方法、显示面板和显示装置 | |
| CN110211491B (zh) | 一种彩膜基板、显示面板及显示面板的制备方法 | |
| CN104820310A (zh) | 光源模块、包含其的背光组件和显示装置 | |
| CN111668249A (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
| CN109671365A (zh) | Micro-LED显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| TWM609847U (zh) | 顯示面板及顯示器 | |
| CN113725249B (zh) | 一种芯片结构、制作方法和显示装置 | |
| CN109830186B (zh) | 显示面板及其制造方法 | |
| CN111261656A (zh) | 一种显示面板及其制备方法 | |
| CN112018226A (zh) | 一种led显示模块及其制作方法 | |
| WO2021031302A1 (zh) | 子像素结构、有机发光二极管显示屏及其制造方法 | |
| CN114388560A (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| CN113903729A (zh) | Micro LED显示装置及其制造方法 | |
| CN114566581A (zh) | 显示面板及显示面板制造方法 | |
| JP2005019148A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| CN212625586U (zh) | 一种微型显示面板母板、显示面板及显示装置 | |
| CN114063350A (zh) | 光源模块、显示模块及光源模块制备方法 | |
| CN114551495A (zh) | 显示器件及其制备方法 | |
| WO2022222258A1 (zh) | 显示面板 | |
| KR100740904B1 (ko) | 액정표시장치의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20201211 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |