CN114566581A - 显示面板及显示面板制造方法 - Google Patents
显示面板及显示面板制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114566581A CN114566581A CN202210166938.5A CN202210166938A CN114566581A CN 114566581 A CN114566581 A CN 114566581A CN 202210166938 A CN202210166938 A CN 202210166938A CN 114566581 A CN114566581 A CN 114566581A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- color
- light
- layer
- display panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 150
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 30
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 18
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- ORFSSYGWXNGVFB-UHFFFAOYSA-N sodium 4-amino-6-[[4-[4-[(8-amino-1-hydroxy-5,7-disulfonaphthalen-2-yl)diazenyl]-3-methoxyphenyl]-2-methoxyphenyl]diazenyl]-5-hydroxynaphthalene-1,3-disulfonic acid Chemical compound COC1=C(C=CC(=C1)C2=CC(=C(C=C2)N=NC3=C(C4=C(C=C3)C(=CC(=C4N)S(=O)(=O)O)S(=O)(=O)O)O)OC)N=NC5=C(C6=C(C=C5)C(=CC(=C6N)S(=O)(=O)O)S(=O)(=O)O)O.[Na+] ORFSSYGWXNGVFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本申请适用于显示技术领域,提出了一种显示面板,包括相对设置的第一基板和第二基板;多个微LED,相互间隔地阵列于第一基板上;多个颜色转换器,设于第二基板上且分别与微LED正对设置,颜色转换器包括叠设的彩色滤光膜和量子点层,量子点层用于改变光的波长;遮光件,位于相邻的颜色转换器之间,遮光件至少包括依次叠设于第二基板上且颜色不同的第一色阻层和第二色阻层,所述遮光件与相邻的微LED之间的间隙正对设置。本申请还提供一种显示面板制造方法。本申请提供的显示面板及显示面板制造方法能够有效避免子像素之间发生串色,制程简单,成本较低。
Description
技术领域
本申请属于显示技术领域,特别涉及一种显示面板及显示面板制造方法。
背景技术
量子点显示因其高色彩饱和度的性能优势,已成为下一代新型显示革新技术。目前,基于量子点材料制备的显示器件,通常包括单色micro LED或mini LED和量子点色转换层。随着技术的发展,micro LED或mini LED的芯片尺寸以及芯片之间的间距越来越小,为了防止不同子像素之间发生串色,在量子点色彩转换层的制作过程中,通常需要制作量子点挡墙层,然而量子点挡墙层的制作会增加一道黄光制程,制程较为繁琐,成本较高。
发明内容
本申请提供了一种显示面板及显示面板制造方法,包括但不限于解决串色的问题。
本申请提供了一种显示面板,包括:
相对设置的第一基板和第二基板;
多个微LED,相互间隔地阵列于所述第一基板上;
多个颜色转换器,设于所述第二基板上且分别与所述微LED正对设置,所述颜色转换器包括叠设的彩色滤光膜和量子点层,所述量子点层用于改变光的波长;
遮光件,位于相邻的所述颜色转换器之间,所述遮光件至少包括依次叠设于所述第二基板上且颜色不同的第一色阻层和第二色阻层,所述遮光件与相邻的所述微LED之间的间隙正对设置。
在一实施例中,所述遮光件的高度大于所述颜色转换器的高度,且所述遮光件与所述颜色转换器之间的高度差小于2微米,所述遮光件的端部插设于相邻所述微LED之间的间隙中。
在一实施例中,所述第一基板上还设有封装层,所述封装层用于将所述微LED封装于所述第一基板上,所述封装层为图案化的遮光光刻胶;所述遮光件背离所述第二基板的端面与所述封装层相贴合。
在一实施例中,所述微LED包括LED芯片及连接于所述LED芯片的电极,所述封装层背离所述第一基板的上表面与所述LED芯片朝向所述第一基板的下表面平齐。
在一实施例中,多个所述LED均为蓝光LED;多个所述量子点层分别为具有红色量子点的第一单元,具有绿色量子点的第二单元和无量子点的第三单元。
在一实施例中,所述遮光件还包括设于所述第二色阻层背离所述第二基板一侧的第三色阻层;所述第一色阻层为蓝色色阻层,所述第二色阻层、所述第三色阻层中的一者为红色色阻层,另一者为绿色色阻层。
在一实施例中,所述第一色阻层为蓝色色阻层,所述第二色阻层为红色色阻层。
本申请还提出一种显示面板制造方法,包括:
提供第一基板,在所述第一基板上设置多个微LED,多个所述微LED相互间隔且阵列于所述第一基板上;
提供第二基板,在所述第二基板上制作多个彩色滤光膜和遮光件,所述遮光件位于相邻的所述彩色滤光膜之间,所述遮光件包括依次叠设于所述第二基板上且颜色不同的第一色阻层和第二色阻层;
在所述彩色滤光膜上制作量子点层,所述量子点层与相应的所述彩色滤光膜形成颜色转换器;
将所述第一基板和所述第二基板组立并贴合,所述颜色转换器与所述微LED正对设置,所述遮光件与相邻所述微LED之间的间隙正对设置。
在一实施例中,所述遮光件的高度大于所述颜色转换器的高度,且所述遮光件与所述颜色转换器之间的高度差小于2微米,所述遮光件的端部插设于相邻所述微LED之间的间隙中。
在一实施例中,所述微LED包括LED芯片及连接于所述LED芯片的电极,所述第一基板上设置多个微LED之后,所述显示面板制造方法还包括:
在所述第一基板上制作封装层,所述封装层填充于LED芯片与所述第一基板之间,所述封装层背离所述第一基板的上表面与所述LED芯片朝向所述第一基板的下表面平齐且与所述遮光件相贴合。
上述显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板,阵列于第一基板上的微LED,以及设于第二基板上的颜色转换器和遮光件,显示面板可控制微LED发光,使光照射至颜色转换器中,以实现彩色显示;其中,遮光件位于相邻的颜色转换器之间,且遮光件正对相邻所述微LED之间的间隙,因此,遮光件能够遮挡微LED发出的光照射至相邻子像素的颜色转换器中进行出射,从而遮光件能够防止串色,显示面板的显示效果较好。
上述遮光件至少包括依次叠设于所述第二基板上且颜色不同的第一色阻层和第二色阻层,因此,遮光件能够起到较好的遮光效果;并且,遮光件可在制作彩色滤光膜的制程中同时制作,不会增加制程步骤;同时,上述显示面板无需制作黑矩阵和挡墙,可节省2道黄光制程,上述显示面板的结构简单,制程简单,成本较低。另外,由于色阻层取代了原来黑矩阵的位置,且彩色滤光膜具有一定的反射率,微LED侧向发出的光会被遮光件反射,提升了微LED的发光光效,有利于提升产品亮度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例一提供的显示面板的结构示意图;
图2是图1所示的显示面板中阵列基板的结构示意图;
图3是图1所示的显示面板中彩膜基板的结构示意图;
图4是本申请实施例二提供的显示面板中彩膜基板的结构示意图;
图5是本申请实施例三提供的显示面板中彩膜基板的结构示意图;
图6是本申请实施例四提供的显示面板制造方法的流程图;
图7是本申请实施例四提供的第二基板在制作彩色滤光膜和遮光件后的结构示意图。
图中标记的含义为:
100、显示面板;
10、阵列基板;11、第一基板;12、微LED;121、LED芯片;122、电极;13、封装层;
20、彩膜基板;21、第二基板;22、颜色转换器;
221、彩色滤光膜;221a、红色滤光膜;221b、绿色滤光膜;221c、蓝色滤光膜;
222、量子点层;222a、第一单元;222b、第二单元;222c、第三单元;
23、遮光件;231、第一色阻层;232、第二色阻层;233、第三色阻层。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图即实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
需要理解的是,术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
为了说明本申请所述的技术方案,下面结合具体附图及实施例来进行说明。
实施例一
本申请第一方面的实施例一提出了一种显示面板。请参照图1,显示面板100包括相对设置的阵列基板10和彩膜基板20。
阵列基板10包括第一基板11和多个微LED 12,多个微LED 12相互间隔地阵列于第一基板11上。微LED 12是指芯片尺寸介于0.5~200微米之间的微型LED,微LED 12可为芯片尺寸介于0.5~100微米之间的micro LED,也可为芯片尺寸介于50~200微米之间的miniLED。在本实施例中,以微LED 12为micro LED进行说明。
第一基板11上还设有驱动电路(图未示),驱动电路可包括若干条扫描线、若干条信号线、及阵列设置的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT),其中多条扫描线和多条信号线相互交叉以限定出多个子像素区域,每个子像素区域中设置有至少一个薄膜晶体管以及微LED 12,微LED 12在驱动电路的驱动下进行发光。
彩膜基板20包括与第一基板11相对设置的第二基板21、设于第二基板21上的多个颜色转换器22和遮光件23。多个颜色转换器22分别与多个微LED 12正对设置,每个颜色转换器22包括叠设的彩色滤光膜221和量子点层222,量子点层222设于彩色滤光膜221背离第二基板21的一侧,量子点层222用于改变光的波长,彩色滤光膜221允许由量子点层222转换后的光通过或允许未转换的光通过。
在一实施例中,多个微LED 12均为蓝光LED;彩色滤光膜221分别为红色(R)滤光膜221a、绿色(G)滤光膜222b和蓝色(B)滤光膜222c;多个量子点层222分别为具有红色量子点的第一单元222a,具有绿色量子点的第二单元222b和无量子点的第三单元222c,第一单元222a用于将光转换为红光,实现红颜色的光转换输出;第二单元222b用于将光转换为绿光,实现绿颜色的光转换输出;第三单元222c不转换蓝光,直接透射蓝光。如此,经过量子点层222后的红光、绿光和蓝光分别通过红色滤光膜221a、绿色滤光膜221b和蓝色滤光膜221c投射至第二基板21外侧,以显示色彩。可以理解,多个微LED 12也可为其他颜色光的LED,彩色滤光膜221也不限于红色滤光膜221a、绿色滤光膜221b和蓝色滤光膜221c,只要颜色转换器22能够转换光的颜色并允许特定波长的光通过,即可实现显示的效果。
可选的,对应蓝色滤光膜的第三单元222c可为透光膜,用于直接透射蓝光,或者,对应蓝色滤光膜的第三单元222c为散射膜,以对蓝光进行散射,提升光线的均匀性。
遮光件23设于第二基板21上且位于相邻的颜色转换器22之间,遮光件23至少包括依次叠设于第二基板21上且颜色不同的第一色阻层231和第二色阻层232,如此,遮光件23能够起到遮光效果,可替换现有技术中的挡墙(bank)层。可以理解,遮光件23也可包括颜色不同的三层色阻层,或者包括三层以上的色阻层。需要注意的是,色阻层与彩色滤光膜221材质相同且在同一道制程中制作而成,由于二者位置和作用不同,在此区分表示。
阵列基板10与彩膜基板20相贴合,且遮光件23与相邻的微LED 12之间的间隙正对设置。可选的,遮光件23的高度大于颜色转换器22的高度,遮光件23的高度插设于相邻微LED 12之间的间隙中,从而遮光件23可遮挡微LED12发出的光照射至相邻的子像素中并反射部分光,以提升光效;进一步的,遮光件23可填满微LED 12之间的间隙,或者,遮光件23填充于微LED 12之间的间隙的部分高度。可选的,遮光件23的高度也可小于或等于颜色转换器22的高度。
可以理解,若第一基板11上设置有遮光部,例如封装层,遮光件23也可与第一基板11上的封装层相贴合,从而遮光部与封装层共同遮挡微LED 12发出的光照射至相邻的子像素中,此时遮光件23也可不插设于微LED 12之间的间隙,而是与微LED 12的上表面平齐。
显示面板100的显示原理为:第一基板11上的驱动电路驱动若干子像素中的微LED12发光,每个微LED 12发出的光照射至与其正对设置的量子点层222上,量子点层222改变光的波长或并直接透射微LED 12所发出的光,经过量子点层222的光照射至相应的彩色滤光膜221,并经彩色滤光膜221传导至第二基板21外侧,以实现显示的效果。
上述显示面板100中,微LED 12的尺寸较小且间距较小,而遮光件23与相邻的微LED 12之间的间隙正对设置,能够避免微LED 12所发出的光点亮相邻的子像素,图1中示意出了微LED 12所发出的光线,微LED 12朝向其四周发射光线,微LED 12侧向发出的光线与第一基板11和第二基板21倾斜设置,遮光件23能够遮挡微LED 12发出侧向的光线,避免微LED 12的侧向光线照射至相邻子像素内;遮光件23由色阻层组成,还能够反射部分光。因此,显示面板100能够避免不同子像素之间发生串色,并且提升了微LED 12的光效。显示面板100包括相对设置的第一基板11和第二基板21,阵列于第一基板11上的微LED 12,以及设于第二基板21上的颜色转换器22和遮光件23,显示面板100可控制微LED 12发光,使光照射至颜色转换器22中,以实现彩色显示;其中,遮光件23位于相邻的颜色转换器22之间,且遮光件23与相邻的微LED 12之间的间隙正对设置,因此,遮光件23能够遮挡微LED 12发出的光照射至相邻子像素的颜色转换器22中进行出射,从而遮光件23能够防止串色,显示面板100的显示效果较好。
上述遮光件23至少包括依次叠设于第二基板21上且颜色不同的第一色阻层231和第二色阻层232,因此,遮光件23能够起到较好的遮光效果;并且,遮光件23可在制作彩色滤光膜221的制程中同时制作,不会增加制程步骤;同时,遮光件23具有遮光效果,不仅能遮蔽第一基板11上的驱动电路(扫描线、信号线、薄膜晶体管等),还能够遮挡和反射微LED 12的侧向光线,上述显示面板100无需制作黑矩阵(Black Matrix,BM)和挡墙,可节省2道黄光制程,上述显示面板100的结构简单,制程简单,成本较低。另外,由于遮光件23取代了原来黑矩阵的位置,且遮光件23中的色阻层具有一定的反射率,微LED12侧向发出的部分光会被遮光件23反射,提升了微LED 12的发光光效,有利于提升产品亮度。
请同时参照图1和图2,在一实施例中,第一基板11上还设有封装层13,封装层13用于将微LED 12封装于第一基板11上。
可选的,封装层13为图案化的遮光光刻胶,能够固定微LED 12且能够起到遮光的效果。若微LED 12为micro LED,封装层13可为黑色遮光光刻胶;若微LED 12为mini LED,封装层13也可为不透光或半透明的光刻胶。遮光光刻胶具有遮光效果,且便于通过曝光、显影进行图案化制作。可以理解,封装层13也可采用其他遮光材质,例如采用黑矩阵等。
可选的,遮光件23背离第二基板21的端面与封装层13相贴合。如此,遮光件23能够完全遮挡微LED 12所发出的光照射至相邻子像素中,防串色的效果较好。可以理解,遮光件23背离第二基板21的端面也可与封装层13之间具有一定的间隙。
如图2所示,在一实施例中,微LED 12包括LED芯片121及连接于LED芯片121的电极122,LED芯片121通过电极122电连接于第一基板11上的驱动电路。封装层13填充于LED芯片121与第一基板11之间。封装层13不仅位于相邻微LED 12的电极122之间,还位于每个微LED12的两个电极122之间,封装效果较好。
封装层13背离第一基板11的上表面与LED芯片121朝向第一基板11的下表面平齐。通过采用上述技术方案,封装层13不会遮挡微LED 12所发出的光照射至彩膜基板20,避免损失光效。可以理解,在其他实施例中,封装层13背离第一基板11的上表面也可高于或低于LED芯片121的下表面。
请参照图1和图3,在一实施例中,遮光件23与颜色转换器22之间形成高度差H,即遮光件23在第二基板21上的高度与颜色转换器22在第二基板21上的高度之间具有高度差H,从而遮光件23的端部突出于颜色转换器22,遮光件23的高度差部分能够插设于相邻微LED 12之间的间隙内。可选的,高度差H小于2微米,例如,高度差H为0.5~2微米。如图1所示,在一实施例中,遮光件23的高度差部分刚好插设于相邻微LED 12之间的间隙中且与封装层13贴合,能够遮挡微LED 12侧向发出的光照射至相邻子像素的颜色转换器22中。
可以理解,为了实现遮光件23与颜色转换器22之间形成高度差H,遮光件23中的各色阻层的高度或色阻层的层数可适应性的调整。当然,若适当增加封装层13的高度,例如将封装层13设置为与微LED 12的上表面平齐或略高于微LED 12芯片的下表面,则可相应降低遮光件23的高度,同时利用封装层13和遮光件23实现防串色的效果。
在一些实施例中,遮光件23还包括设于第二色阻层232背离第二基板21一侧的第三色阻层233;第一色阻层231为蓝色色阻层,第二色阻层232、第三色阻层233中的一者为红色色阻层,另一者为绿色色阻层。
如图3所示,在实施例一中,第一色阻层231为蓝色色阻层,第二色阻层232为绿色色阻层,第三色阻层233为红色色阻层,即遮光件23中色阻层的堆叠顺序为B-G-R。当显示面板需要显示纯蓝色画面时,不需要激发红色和绿色量子点;若采用R-G-B的堆叠顺序,微LED12的侧向光线有可能穿过蓝色色阻进而激发相邻子像素区的量子点,导致无法得到纯蓝色的画面。本实施例通过将蓝色色阻层设于最靠近第二基板21的一侧,蓝色色阻层可代替黑矩阵;同时,通过将红色色阻层设于最靠近微LED 12的一侧,由于红色和蓝色频谱在可见光波长范围内没有重叠,蓝色的光线不会穿过红色滤光层,防串色的效果较好。
实施例二
实施例二提供的显示面板与实施例一相似,包括相对设置的第一基板11和第二基板21,阵列于第一基板11上的微LED 12,以及设于第二基板21上的颜色转换器22和遮光件23,遮光件23包括依次叠设于第二基板21上的第一色阻层231、第二色阻层232和第三色阻层233。
请参照图4,图4示意出了实施例二提供的显示面板中的彩膜基板20,其中遮光件23中的第一色阻层231为蓝色色阻层,第二色阻层232为红色色阻层,第三色阻层233为绿色色阻层,即遮光件23中色阻层的堆叠顺序为B-R-G。
在本实施例中,微LED 12所发出的蓝色光线无法穿透遮光件23中的红色色阻层,同时仅极少一部分蓝色光线能穿透绿色色阻层,从而显示面板的防串色效果较好。
实施例三
实施例二提供的显示面板与实施例一相似,包括相对设置的第一基板11和第二基板21,阵列于第一基板11上的微LED 12,以及设于第二基板21上的颜色转换器22和遮光件23。
请参照图5,图5示意出了实施例三提供的显示面板中的彩膜基板20,其中遮光件23包括依次叠设于第二基板21上的第一色阻层231和第二色阻层232,第一色阻层231为蓝色色阻层,第二色阻层232为红色色阻层。
在本实施例中,遮光件23同时包括蓝色色阻层和红色色阻层,从而遮光件23能够起到遮光的作用;并且,微LED 12所发出的蓝色光线无法穿透遮光件23中的红色色阻层,从而显示面板的防串色效果较好。
可以理解,为了使遮光件23的端部能够插设于相邻的微LED 12之间的间隙,可适当调整第一色阻层231或第二色阻层232的厚度,保证遮光件23与颜色转换器22之间具有预设的高度差。
实施例四
本申请第二方面的实施例四提供一种显示面板制造方法,能够制造第一方面任一实施例的显示面板100。
请参照图1和图6,显示面板制造方法如下。
步骤S10,提供第一基板11,在第一基板11上设置多个微LED 12,多个微LED 12相互间隔且阵列于第一基板11上。
可以理解,所提供的第一基板11已制作好驱动电路;可通过巨量转移的方式在第一基板11上设置阵列的微LED 12,且微LED 12可为micro LED或mini LED。
步骤S20,提供第二基板21,在第二基板21上制作多个彩色滤光膜221和遮光件23。
遮光件23位于相邻的彩色滤光膜221之间,遮光件23包括依次叠设于第二基板21上且颜色不同的第一色阻层231和第二色阻层232。
请同时参照图7,图7中示意的第二基板21上已制作出彩色滤光膜221和遮光件23。以图7所示的实施例为例,步骤S20具体包括:先在第二基板21上制作间隔阵列的第一色阻层231和蓝色滤光膜221c,再在第二基板21上制作阵列的第二色阻层232和绿色滤光膜221b,第二色阻层232叠设于第一色阻层231上,绿色滤光膜221b设于第二基板21的表面;然后,在第二基板21上制作阵列的第三色阻层233和红色滤光膜221a,第三色阻层233叠设于第二色阻层232上,红色滤光膜221a设于第二基板21的表面。如此,可在制作彩色滤光膜221的步骤中,同步制作出遮光件23,无需制作黑矩阵或挡墙,节省了黄光制程。
可以理解,色阻层的堆叠顺序不限于此,并且,遮光件23也可仅包括第一色阻层231和第二色阻层232,或包括三层以上的色阻层,依据需要调整即可。
步骤S30,在彩色滤光膜221上制作量子点层222。
量子点层222与相应的彩色滤光膜221形成颜色转换器22,可选的,遮光件23的高度大于颜色转换器22的高度。
请参照图1、图3和图7,多个量子点层222分别为具有红色量子点的第一单元222a,具有绿色量子点的第二单元222b和无量子点的第三单元222c,量子点层222中的第一单元222a、第二单元222b和第三单元222c分别与红色滤光膜221a、绿色滤光膜221b和蓝色滤光膜221c叠设。
可选的,采用喷墨打印方式制作量子点层222。由于该制造方法已形成凹坑,采用喷墨打印方式可避免凹坑内的量子点层222的膜厚不均。可以理解,也可采用其他方式制作量子点层222,例如采用涂布方式。
步骤S40,将第一基板11和第二基板21组立并贴合。
对组后,颜色转换器22与微LED 12正对设置,遮光件23与相邻微LED 12之间的间隙正对设置。
可选的,遮光件23的端部插设于相邻微LED 12之间的间隙中。可以理解,遮光件23可填满微LED 12之间的间隙,或者,遮光件23填充于微LED 12之间的间隙的部分高度。
可以理解,步骤S10和步骤S20~S40的顺序不作限制。
上述显示面板制造方法中,在第二基板21上同时制作多个彩色滤光膜221和遮光件23,然后再制作量子点层222;在第一基板11和第二基板21组立后,遮光件23的端部插设于相邻微LED 12之间的间隙中,从而遮光件23可起到良好的遮光效果,避免相邻子像素之间发生串色;上述显示面板制造方法省略了黑矩阵和挡墙的制作步骤,节省了2道光罩;同时,遮光件23由色阻层组成,还能够反射一定的光线,提升了微LED 12的光效利用率,进而提升了产品亮度。因此,上述显示面板制造方法能够制造显示效果较好、亮度较高的显示面板,制程简单,成本较低。
在一实施例中,微LED 12包括LED芯片121及连接于LED芯片121的电极122,第一基板11上设置多个微LED 12之后,显示面板制造方法还包括:在第一基板11上制作封装层13,封装层13填充于LED芯片121与第一基板11之间,封装层13背离第一基板11的上表面与LED芯片121朝向第一基板11的下表面平齐且与遮光件23相贴合。
可选的,封装层13不仅位于相邻微LED 12的电极122之间,还位于每个微LED 12的两个电极122之间,封装效果较好;封装层13且与遮光件23相贴合,能够完全遮挡微LED 12发出的光照射至相邻子像素中,并且,遮光件23能够反射部分光,提升了光效。
可选的,封装层13为黑色光刻胶,制作封装层13的步骤包括:在第一基板11上涂布黑色光刻胶,对黑色光刻胶进行曝光、显影,使黑色光刻胶图案化,以形成封装层13。黑色光刻胶可为正型光刻胶,在对黑色光刻胶进行曝光时,微LED 12下方的黑色光刻胶被微LED12遮挡而未被曝光,经显影后保留于第一基板11上。
通过采用上述技术方案,封装层13不会遮挡微LED 12所发出的光照射至彩膜基板20,避免损失光效。可以理解,在其他实施例中,封装层13背离第一基板11的上表面也可高于或低于LED芯片121的下表面。
本申请提供的显示面板100及显示面板制造方法能够有效防止串色,提升了微LED的光效,进而提升了产品亮度;上述显示面板100及显示面板制造方法的制程简单,成本较低。
以上实施例仅用以说明本申请的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围,均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
相对设置的第一基板和第二基板;
多个微LED,相互间隔地阵列于所述第一基板上;
多个颜色转换器,设于所述第二基板上且分别与所述微LED正对设置,所述颜色转换器包括叠设的彩色滤光膜和量子点层,所述量子点层用于改变光的波长;
遮光件,位于相邻的所述颜色转换器之间,所述遮光件至少包括依次叠设于所述第二基板上且颜色不同的第一色阻层和第二色阻层,所述遮光件与相邻的所述微LED之间的间隙正对设置。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述遮光件的高度大于所述颜色转换器的高度,且所述遮光件与所述颜色转换器之间的高度差小于2微米,所述遮光件的端部插设于相邻所述微LED之间的间隙中。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一基板上还设有封装层,所述封装层用于将所述微LED封装于所述第一基板上,所述封装层为图案化的遮光光刻胶;所述遮光件背离所述第二基板的端面与所述封装层相贴合。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述微LED包括LED芯片及连接于所述LED芯片的电极,所述封装层背离所述第一基板的上表面与所述LED芯片朝向所述第一基板的下表面平齐。
5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,多个所述微LED均为蓝光LED;多个所述量子点层分别为具有红色量子点的第一单元,具有绿色量子点的第二单元和无量子点的第三单元。
6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述遮光件还包括设于所述第二色阻层背离所述第二基板一侧的第三色阻层;
所述第一色阻层为蓝色色阻层,所述第二色阻层、所述第三色阻层中的一者为红色色阻层,另一者为绿色色阻层。
7.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一色阻层为蓝色色阻层,所述第二色阻层为红色色阻层。
8.一种显示面板制造方法,其特征在于,包括:
提供第一基板,在所述第一基板上设置多个微LED,多个所述微LED相互间隔且阵列于所述第一基板上;
提供第二基板,在所述第二基板上制作多个彩色滤光膜和遮光件,所述遮光件位于相邻的所述彩色滤光膜之间,所述遮光件包括依次叠设于所述第二基板上且颜色不同的第一色阻层和第二色阻层;
在所述彩色滤光膜上制作量子点层,所述量子点层与相应的所述彩色滤光膜形成颜色转换器;
将所述第一基板和所述第二基板组立并贴合,所述颜色转换器与所述微LED正对设置,所述遮光件与相邻所述微LED之间的间隙正对设置。
9.如权利要求8所述的显示面板制造方法,其特征在于,所述遮光件的高度大于所述颜色转换器的高度,且所述遮光件与所述颜色转换器之间的高度差小于2微米,所述遮光件的端部插设于相邻所述微LED之间的间隙中。
10.如权利要求9所述的显示面板制造方法,其特征在于,所述微LED包括LED芯片及连接于所述LED芯片的电极,所述第一基板上设置多个微LED之后,所述显示面板制造方法还包括:
在所述第一基板上制作封装层,所述封装层填充于所述LED芯片与所述第一基板之间,所述封装层背离所述第一基板的上表面与所述LED芯片朝向所述第一基板的下表面平齐且与所述遮光件相贴合。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210166938.5A CN114566581A (zh) | 2022-02-23 | 2022-02-23 | 显示面板及显示面板制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210166938.5A CN114566581A (zh) | 2022-02-23 | 2022-02-23 | 显示面板及显示面板制造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114566581A true CN114566581A (zh) | 2022-05-31 |
Family
ID=81714720
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210166938.5A Pending CN114566581A (zh) | 2022-02-23 | 2022-02-23 | 显示面板及显示面板制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114566581A (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114420718A (zh) * | 2022-02-08 | 2022-04-29 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN114899286A (zh) * | 2022-07-12 | 2022-08-12 | 诺视科技(苏州)有限公司 | 一种像素级分立器件及其制作方法 |
US11742377B2 (en) * | 2021-01-28 | 2023-08-29 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Light emitting diode chip, display device and method for manufacturing the same |
-
2022
- 2022-02-23 CN CN202210166938.5A patent/CN114566581A/zh active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11742377B2 (en) * | 2021-01-28 | 2023-08-29 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Light emitting diode chip, display device and method for manufacturing the same |
CN114420718A (zh) * | 2022-02-08 | 2022-04-29 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN114899286A (zh) * | 2022-07-12 | 2022-08-12 | 诺视科技(苏州)有限公司 | 一种像素级分立器件及其制作方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20200295224A1 (en) | Manufacturing method for led display panel | |
CN114566581A (zh) | 显示面板及显示面板制造方法 | |
US20200098952A1 (en) | Full-color led display panel | |
US20200350471A1 (en) | Light source device and light emitting device | |
CN112582441B (zh) | 一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 | |
JP5974910B2 (ja) | 表示パネルおよび表示装置 | |
TWI719775B (zh) | 顯示裝置 | |
KR20200033846A (ko) | 풀 컬러 led 표시 패널 | |
WO2021166772A1 (ja) | 発光デバイス、および発光デバイスの製造方法 | |
CN113903729A (zh) | Micro LED显示装置及其制造方法 | |
CN111081685B (zh) | 显示装置 | |
TWI778492B (zh) | 顯示裝置 | |
CN113013310A (zh) | 显示面板和显示装置 | |
WO2022047929A1 (zh) | 彩膜基板及其制作方法、显示面板 | |
WO2024082488A1 (zh) | 封装发光单元、显示装置和封装发光单元的制作方法 | |
CN214253721U (zh) | 一种显示模块 | |
CN116314552A (zh) | 一种cob封装方法及cob显示模块 | |
WO2021246068A1 (ja) | 発光デバイスおよび表示装置 | |
CN114063350A (zh) | 光源模块、显示模块及光源模块制备方法 | |
CN112631020A (zh) | 一种量子点显示面板、制备方法及显示装置 | |
CN214625091U (zh) | 显示模组和显示屏 | |
TWI790827B (zh) | 微型發光二極體顯示裝置 | |
TWI835055B (zh) | 微型發光二極體顯示裝置 | |
US20220236465A1 (en) | Display device, wavelength conversion module, and manufacturing method thereof | |
US20240290920A1 (en) | Display apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |