CN113013310A - 显示面板和显示装置 - Google Patents
显示面板和显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113013310A CN113013310A CN202110193807.1A CN202110193807A CN113013310A CN 113013310 A CN113013310 A CN 113013310A CN 202110193807 A CN202110193807 A CN 202110193807A CN 113013310 A CN113013310 A CN 113013310A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- layer
- display panel
- led chips
- led chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 47
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 151
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 29
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 24
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 18
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 16
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 6
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种显示面板和显示装置，该显示面板包括背光基板以及与所述背光基板相对设置的量子点彩膜基板，其中所述背光基板包括驱动背板、多个LED芯片、阻挡层以及控光构件，多个所述LED芯片绑定于所述驱动背板上，且相邻所述LED芯片之间具有间隔，所述阻挡层设置于所述间隔内，用于阻挡所述LED芯片的侧面出射光，所述控光构件设置于所述阻挡层以及所述LED芯片上。本发明通过设置控光构件来收敛LED芯片的出光角度，以缓解现有QD‑miniLED器件存在光串扰的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
与OLED(Organic Light emitting Display，有机发光二极管显示器)相比，miniLED(mini Light Emitting Diode，亚毫米发光二极管)作为一种无机物LED具有更高的稳定性和亮度等优点，而将QD(quantum dots，量子点)与miniLED相结合的QD-miniLED显示技术更具发展潜力。QD-miniLED器件是以蓝光miniLED作为背光，利用蓝光产生的高能光子激发红色量子点或绿色量子点产生相应的红光或绿光，从而实现全彩化显示。
QD-miniLED有多种器件结构，而研究较多的是量子点彩膜结构。这种结构包括两块玻璃基板，分别为QD基板和miniLED基板，需要将这两块基板进行精准对位后贴合以形成完整器件。由于贴合用的框胶有一定厚度，因此贴合后的基板之间会存在间隙，如此在miniLED的出光角度较大时，将导致某个像素的miniLED的出射光照到相邻像素产生光串扰现象。
因此，现有QD-miniLED器件存在光串扰的问题需要解决。
发明内容
本发明提供一种显示面板和显示装置，以缓解现有QD-miniLED器件存在光串扰的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明实施例提供一种显示面板，其包括背光基板以及与所述背光基板相对设置的量子点彩膜基板，其中所述背光基板包括驱动背板、多个LED芯片、阻挡层以及控光构件。多个所述LED芯片绑定于所述驱动背板上，且相邻所述LED芯片之间具有间隔。所述阻挡层设置于所述间隔内，用于阻挡所述LED芯片的侧面出射光。所述控光构件设置于所述阻挡层以及所述LED芯片上，用于收敛所述LED芯片的出光角度。其中，所述控光构件包括层叠交替设置的至少一层封装胶层和至少一层吸光层，所述吸光层设置于所述封装胶层上，且所述吸光层在对应所述LED芯片的出光方向上形成有第一开孔。
在本发明实施例提供的显示面板中，所述控光构件包括层叠交替设置的三层所述封装胶层和三层所述吸光层。
在本发明实施例提供的显示面板中，所述吸光层的厚度为1微米，且所述封装胶层的厚度为8微米。
在本发明实施例提供的显示面板中，所述吸光层的所述第一开孔的宽度等于所述LED芯片的宽度。
在本发明实施例提供的显示面板中，所述吸光层的材料包括黑色矩阵。
在本发明实施例提供的显示面板中，所述吸光层在对应所述阻挡层的位置设置有第二开孔，所述第二开孔的宽度小于所述阻挡层的宽度。
在本发明实施例提供的显示面板中，所述第一开孔包括方形孔、圆形孔和异形孔中的一种。
在本发明实施例提供的显示面板中，所述阻挡层的材料包括黑色胶材、灰色胶材和黑色油墨中的一种。
在本发明实施例提供的显示面板中，所述阻挡层的宽度小于或等于所述LED芯片之间的所述间隔。
本发明实施例还提供一种显示装置，其包括前述实施例其中之一的显示面板。
本发明的有益效果为：本发明提供的显示面板和显示装置中在LED芯片之间的间隔内设置阻挡层，以阻挡LED芯片之间的侧面光串扰，并在阻挡层以及LED芯片上设置层叠交替设置的封装胶层和吸光层作为控光构件，以收敛LED芯片的出光角度，避免了某个像素的miniLED的出射光照到相邻像素，解决了现有QD-miniLED器件存在光串扰的问题。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的显示面板的第一种剖面结构示意图；
图2为本发明实施例提供的显示面板的第二种剖面结构示意图；
图3为本发明实施例提供的显示面板的第三种剖面结构示意图；
图4为本发明实施例提供的显示面板制备方法的流程示意图；
图5至图11为本发明实施例提供的显示面板制备方法中各步骤制得的显示面板的剖面结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。在附图中，为了清晰理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。即附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本发明不限于此。
请参照图1，图1为本发明实施例提供的显示面板的第一种剖面结构示意图。所述显示面板100包括背光基板1以及与所述背光基板1相对设置的量子点彩膜基板2，所述背光基板1与所述量子点彩膜基板2之间通过透明光学胶(Optically Clear Adhesive，OCA)3对位贴合。其中所述背光基板1包括驱动背板10、多个LED芯片11、阻挡层12以及控光构件13。多个所述LED芯片11绑定于所述驱动背板10上，且相邻所述LED芯片11之间具有间隔。所述阻挡层12设置于所述间隔内，用于阻挡所述LED芯片11的侧面出射光。所述控光构件13设置于所述阻挡层12以及所述LED芯片11上，用于收敛所述LED芯片11的出光角度。其中，所述控光构件13包括层叠交替设置的至少一层封装胶层131和至少一层吸光层132，所述吸光层132设置于所述封装胶层131上，且所述吸光层132在对应所述LED芯片11的出光方向上形成有第一开孔1321。
所述LED芯片11包括miniLED芯片，所述miniLED芯片通常先制备在转移基板上，然后再转移到所述驱动背板10上，与所述驱动背板10绑定。所述驱动背板10上设置有像素驱动电路(图未示)，每个LED芯片11均可对应电连接一个像素驱动电路，从而使得每个LED芯片11均可独立发光。每个LED芯片11除了存在正面出射光，还存在侧面出射光，而侧面出射光会导致相邻LED芯片11之间的光串扰。需要说明的是，LED芯片11的正面出射光是指LED芯片11面向所述量子点彩膜基板2的出光面发出的光，LED芯片11的侧面出射光是指LED芯片11垂直于所述量子点彩膜基板2的出光面发出的光。
本实施例通过在LED芯片11之间的间隔内设置阻挡层12，可避免侧面光串扰现象。所述阻挡层12的材料包括黑色胶材、灰色胶材和黑色油墨等遮光材料中的至少一种。把遮光材料制备在所述LED芯片11之间的间隔内，遮光材料能够阻挡所述LED芯片11的部分侧面出射光，防止该侧面出射光进入相邻的LED芯片11，从而避免了LED芯片11的侧面光串扰现象，提高了显示面板100的显示效果。
把遮光材料制备在所述LED芯片11之间的间隔内可采用多种工艺。比如可采用喷墨打印(Ink jet Print，IJP)工艺把遮光材料打印在所述LED芯片11之间的间隔内，但因工艺限制，所述阻挡层12的宽度L3会小于所述LED芯片11之间的间隔距离L4，如图1所示。或者也可以采用压胶工艺把遮光材料直接挤压在所述LED芯片11之间的间隔内，如此可使遮光材料填充所述LED芯片11之间的间隔，所述阻挡层12的宽度等于所述LED芯片11之间的间隔距离。
所述阻挡层12的厚度可以等于或稍微大于所述LED芯片11的厚度。当所述阻挡层12的厚度稍微大于所述LED芯片11的厚度时，可以更好的阻挡所述LED芯片11的侧面出射光，避免LED芯片11的侧面光串扰。
可以理解的是，所述背光基板1与所述量子点彩膜基板2之间通过透明光学胶3对位贴合，所述透明光学胶3具有一定的厚度，使得所述LED芯片11和所述量子点彩膜基板2之间存在间隙。当LED芯片11的正面出射光的出光角度较大时，仍会出现相邻LED芯片11之间的光串扰现象，而所述阻挡层12因工艺限制设置的膜厚不能高出所述LED芯片11太多，否则可能会导致膜层剥离(peeling)，因此所述阻挡层12并不能解决LED芯片11的正面出射光的光串扰问题。
本发明实施例通过在所述阻挡层12及所述LED芯片11上设置控光构件13来解决LED芯片11的正面出射光的光串扰问题。所述控光构件13包括层叠交替设置的至少一层封装胶层131和至少一层吸光层132，所述吸光层132设置于所述封装胶层131上。所述封装胶层131直接覆盖在所述阻挡层12及所述LED芯片11上，可以理解的是，当所述阻挡层12的宽度L3小于所述LED芯片11之间的间隔距离L4时，所述封装胶层131还填充在所述阻挡层12与所述LED芯片11之间的间隙内。所述封装胶层131的材料包括OC胶等透明封装胶材，透明封装胶材的透光性越好，所述LED芯片11的出射光的光损失就越小。所述封装胶层131能够平衡段差提供平坦的表面，同时还可保护所述驱动背板10上的LED芯片11，以阻隔水氧等。
所述吸光层132设置在所述封装胶层131远离所述LED芯片11的表面上，所述吸光层132的材料包括黑色矩阵(Black Matrix，BM)等具有吸光性能的材料。所述吸光层132在对应所述LED芯片11的出光方向上形成有第一开孔1321，所述第一开孔1321的宽度L1等于所述LED芯片11的宽度L2，也即所述吸光层132对应所述LED芯片11之间的间隔设置，相邻两个所述第一开孔1321之间的吸光层132的宽度等于所述LED芯片11之间的间隔距离。如此，所述LED芯片11的正面出射光中的杂散光线会被所述吸光层132吸收，以收敛所述LED芯片11的出光角度，避免相邻LED芯片11之间的光串扰。其中所述杂散光线是指所述LED芯片11的出射光中会导致光串扰的那部分光线，也即所述LED芯片11出光角度内的边界光线。同时，对于所述阻挡层12的宽度L3小于所述LED芯片11之间间隔距离L4的情况，所述阻挡层12与所述LED芯片11之间的间隙还可能存在漏光，而所述吸光层132还可吸收该间隙漏出的光线。
所述第一开孔1321包括方形孔、圆形孔和异形孔等开孔中的一种，但本发明不限于此，本发明的所述第一开孔1321的形状可以根据所述LED芯片11的规格来确定。
需要说明的是，所述封装胶层131和所述吸光层132的厚度可根据所述LED芯片11需要收敛的出光角度来确定。所述LED芯片11的出光角度被收敛后，其出射光经过所述量子点彩膜基板2后可以发出红绿蓝三基色的光，以实现全彩显示。
所述量子点彩膜基板2包括衬底基板20、设置在所述衬底基板20上的量子点彩膜21以及设置在所述量子点彩膜21之间的遮光层22。所述衬底基板20包括玻璃基板等透明的衬底材料。所述遮光层22的材料包括黑色矩阵，所述遮光层22与所述LED芯片11之间的间隔相对应设置，也即所述遮光层22与所述阻挡层12和所述吸光层132相对应设置，所述遮光层22用于遮挡所述LED芯片11的无效光线(即对显示面板100的显示没有贡献的光线)，避免所述显示面板100漏光。所述量子点彩膜21与所述LED芯片11相对应设置，所述量子点彩膜21包括红色量子点彩膜211和绿色量子点彩膜212。所述红色量子点彩膜211和所述绿色量子点彩膜212分别由红色量子点材料和绿色量子点材料制成，绿色量子点的粒径较小，红色量子点的粒径较大，红色量子点受光激发发射红光，绿色量子点受光激发发射绿光。量子点材料具有高发光效率、高色纯度、广色域等优点，故使用量子点材料作彩膜，能够为显示面板100提供更加逼真的色彩显示。
所述LED芯片11可为蓝光LED芯片，用于发射蓝光。所述LED芯片11发出的蓝光经过所述红色量子点彩膜211后被转换成红光，所述LED芯片11发出的蓝光经过所述绿色量子点彩膜212后被转换成绿光。
所述显示面板100包括多个像素单元，每个像素单元包括至少三个LED芯片11，如图1示意性示出了显示面板100的一个像素单元包括三个LED芯片11，其中一个LED芯片11对应红色量子点彩膜211，一个LED芯片11对应绿色量子点彩膜212，而另外一个LED芯片11所对应的量子点彩膜基板2的区域为透明区域，该透明区域不设置量子点彩膜21，可在该透明区域设置透明材料，使LED芯片11发出的蓝光直接透过。如此，像素单元内的LED芯片11发出的蓝光经过所述量子点彩膜基板2后，可以发出红绿蓝三基色的光，以实现全彩显示。
可以理解的是，发蓝光的LED芯片11更易制作，且蓝光的能量高，更容易激发红色量子点材料以及绿色量子点材料分别发出红光和绿光，更易实现全彩显示。当然地，本发明不限于此，本发明的所述LED芯片11也可以为发射红光或绿光的LED芯片，相对应的，所述量子点彩膜21可以设置为蓝色量子点彩膜和绿色量子点彩膜或红色量子点彩膜和蓝色量子点彩膜。
在本实施例的显示面板100中，在LED芯片11之间的间隔内设置阻挡层12，以阻挡LED芯片11之间的侧面光串扰，并在阻挡层12以及LED芯片11上设置层叠交替设置的封装胶层131和吸光层132作为控光构件13，以收敛LED芯片11的出光角度，避免了某个像素的miniLED的出射光照到相邻像素，解决了现有QD-miniLED器件存在光串扰的问题。同时本发明实施例的显示面板100集合了miniLED与量子点的优势，可使得显示面板100具有低功耗、高性能、长寿命等优点。
在一种实施例中，请参照图2，图2为本发明实施例提供的显示面板的第二种剖面结构示意图。与上述实施例不同的是，所述显示面板101的控光构件13包括层叠交替设置的三层封装胶层131和三层吸光层132。三层吸光层132的结构相同，且所述吸光层132的第一开孔1321被所述封装胶层131填充，可以理解的是，由于所述控光构件13的顶层膜层为吸光层132，顶层的吸光层132上面为透明光学胶3，故顶层的吸光层132的第一开孔1321被所述透明光学胶3填充。其中所述吸光层132的厚度为1微米，所述封装胶层131的厚度为8微米。当然地，本发明实施例的控光构件13不限于示意性列举的由三层封装胶层131和三层吸光层132层叠交替设置形成，所述控光构件13也可以由更多层的封装胶层131和吸光层132层叠交替设置形成，具体的层数可根据所述LED芯片11需要收敛的出光角度来确定。而且所述吸光层132的厚度和所述封装胶层131的厚度也不限于本实施例列举的，所述吸光层132的厚度和所述封装胶层131的厚度也可根据所述LED芯片11需要收敛的出光角度来确定。其他说明请参照上述实施例，在此不再赘述。
在一种实施例中，请参照图3，图3为本发明实施例提供的显示面板的第三种剖面结构示意图。与上述实施例不同的是，所述显示面板102的所述吸光层132在对应所述阻挡层12的位置设置有第二开孔1322，所述第二开孔1322的宽度小于所述阻挡层12的宽度。也即在相邻的两个第一开孔1321之间的吸光层132上还设置有第二开孔1322，第二开孔1322对应所述阻挡层12设置。通过设置第二开孔1322，使所述控光构件13在满足收敛LED芯片11的出光角度的前提下，还可以减少吸光层132使用的材料，以节约成本。其他说明请参照上述实施例，在此不再赘述。
在一种实施例中，请参照图4至图11，图4为本发明实施例提供的显示面板制备方法的流程示意图，图5至图11为本发明实施例提供的显示面板制备方法中各步骤制得的显示面板的剖面结构示意图。所述显示面板制备方法包括以下步骤：
步骤S301，提供转移基板40，在所述转移基板40上制备多个LED芯片11。
具体地，可采用金属有机化合物化学气相沉积(Metal-organic ChemicalVaporDeposition，MOVCD)、分子束外延(Molecular Beam Epitaxy，MBE)或者氢化物气相外延(Hydride Vapor Phase Epitaxy，HVPE)等方式在转移基板40上制备多个LED芯片11，多个LED芯片11阵列排布，如图5所示。其中所述LED芯片11可以为发射蓝光的LED芯片11，所述转移基板40包括蓝宝石衬底等。
步骤S302，提供驱动背板10，把所述转移基板40上的多个所述LED芯片11对应转移到所述驱动背板10上，并与所述驱动背板10绑定。
具体地，参照图6，提供驱动背板10，采用传统的打件工艺或各项异性导电胶(ACF)工艺把所述转移基板40上的多个所述LED芯片11对应转移到所述驱动背板10上，并加热完成固晶，使所述LED芯片11紧密连接在所述驱动背板10上。所述驱动背板10上设置有像素驱动电路(图未示)，每个LED芯片11均可对应电连接一个像素驱动电路，从而使得每个LED芯片11均可独立发光，以实现所述LED芯片11与所述驱动背板10的绑定。在完成所述LED芯片11与所述驱动背板10的绑定后，剥离掉所述转移基板40，形成如图7所示的结构，所述LED芯片11在所述驱动背板10仍阵列排布，所述LED芯片11之间具有间隔。
步骤S303，在所述LED芯片11之间的间隔内制备阻挡层12。
具体地，参照图8，采用喷墨打印工艺在所述驱动背板10上的所述LED芯片11之间的间隔中打印阻挡层12。所述阻挡层12的材料包括黑色胶材、灰色胶材和黑色油墨等遮光材料中的至少一种。采用喷墨打印工艺把遮光材料打印在所述LED芯片11之间的间隔内，但因工艺限制，所述阻挡层12的宽度L3会小于所述LED芯片11之间的间隔距离L4。所述阻挡层12的厚度可以等于或稍微大于所述LED芯片11的厚度。当所述阻挡层12的厚度稍微大于所述LED芯片11的厚度时，可以更好的阻挡所述LED芯片11的侧面出射光，避免LED芯片11的侧面光串扰，提高显示面板的显示效果。
步骤S304，在所述LED芯片11及所述阻挡层12上制备控光构件13，以形成背光基板1。
具体地，参照图9，在所述LED芯片11及所述阻挡层上制备第一层封装胶层131，所述第一层封装胶层131的厚度为8微米，所述第一层封装胶层131的材料为OC胶。所述第一层封装胶层131能够平衡段差提供平坦的表面，同时还可保护所述驱动背板10上的LED芯片11，以阻隔水氧等。可以理解的是，由于所述阻挡层12的宽度L3小于所述LED芯片11之间的间隔距离L4，故所述第一层封装胶层131还填充在所述阻挡层12与所述LED芯片11之间的间隙内。
参照图10，在所述第一层封装胶层131上制备第一层吸光层132，所述第一层吸光层132的厚度为1微米，所述第一层吸光层132的材料为黑色矩阵等具有吸光性能的材料。所述第一层吸光层132在对应所述LED芯片11的出光方向上形成有第一开孔1321，所述第一开孔1321的宽度L1等于所述LED芯片11的宽度L2，也即所述第一层吸光层132对应所述LED芯片11之间的间隔设置，相邻两个所述第一开孔1321之间的所述第一层吸光层132的宽度等于所述LED芯片11之间的间隔距离。所述第一层吸光层132能够吸收所述LED芯片11的正面出射光中的杂散光线，以收敛所述LED芯片11的出光角度。
参照图11，采用与制备所述第一层封装胶层131同样的工艺和材料制备第二层封装胶层131和第三层封装胶层131，三层封装胶层131的厚度相同，均为8微米；采用与制备所述第一层吸光层132同样的工艺和材料制备第二层吸光层132和第三层吸光层132，三层吸光层132的厚度相同，均为1微米。其中所述第二层封装胶层131位于所述第一层吸光层132上，所述第二层吸光层132位于所述第二层封装胶层131上，所述第三层封装胶层131位于所述第二层吸光层132上，所述第三层吸光层132位于所述第三层封装胶层131上，三层封装胶层131和三层吸光层132层叠交替设置，组成控光构件13，至此形成背光基板1。所述控光构件13能够收敛LED芯片11的出光角度，避免某个像素的miniLED的出射光照到相邻像素产生光串扰。
步骤S305，提供量子点彩膜基板2，将所述量子点彩膜基板2和所述背光基板1对位贴合，以形成显示面板101，如图2所示。
具体地，参照图2，通过透明光学胶3把所述量子点彩膜基板2和所述背光基板1对位贴合，形成所述显示面板101。所述量子点彩膜基板2包括衬底基板20、设置在所述衬底基板20上的量子点彩膜21以及设置在所述量子点彩膜21之间的遮光层22。所述衬底基板20包括玻璃基板等透明的衬底材料。所述遮光层22的材料包括黑色矩阵，所述遮光层22与所述LED芯片11之间的间隔相对应设置。所述量子点彩膜21与所述LED芯片11相对应设置，所述量子点彩膜21包括红色量子点彩膜211和绿色量子点彩膜212。所述LED芯片11可为蓝光LED芯片11，用于发射蓝光。所述LED芯片11发出的蓝光经过所述红色量子点彩膜211后被转换成红光，所述LED芯片11发出的蓝光经过所述绿色量子点彩膜212后被转换成绿光。
所述显示面板101包括多个像素单元，每个像素单元包括至少三个LED芯片11，如图2示意性示出了显示面板101的一个像素单元包括三个LED芯片11，其中一个LED芯片11对应红色量子点彩膜211，一个LED芯片11对应绿色量子点彩膜212，而另外一个LED芯片11所对应的量子点彩膜基板2的区域为透明区域，该透明区域不设置量子点彩膜21，可在该透明区域设置透明材料，使LED芯片11发出的蓝光直接透过。如此，该像素单元内的LED芯片11发出的蓝光经过所述量子点彩膜基板2后，可以发出红绿蓝三基色的光，以实现全彩显示。
需要说明的是，本实施例的显示面板制备方法仅以制备上述实施例其中之一的显示面板101为例说明，但不限于此，本发明的显示面板制备方法可以制备上述实施例中任一所述显示面板。
本发明实施例还提供一种显示装置，其包括前述实施例其中之一的显示面板、绑定于所述显示面板的电路板等器件以及覆盖在所述显示面板上的盖板等。
根据上述实施例可知：
本发明提供一种显示面板和显示装置，显示面板包括背光基板以及与所述背光基板相对设置的量子点彩膜基板，其中所述背光基板包括驱动背板、多个LED芯片、阻挡层以及控光构件，多个所述LED芯片绑定于所述驱动背板上，且相邻所述LED芯片之间具有间隔，所述阻挡层设置于所述间隔内，用于阻挡所述LED芯片的侧面出射光，所述控光构件设置于所述阻挡层以及所述LED芯片上，以收敛LED芯片的出光角度，避免了某个像素的miniLED的出射光照到相邻像素，解决了现有QD-miniLED器件存在光串扰的问题。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括背光基板以及与所述背光基板相对设置的量子点彩膜基板，其中所述背光基板包括：
驱动背板；
多个LED芯片，绑定于所述驱动背板上，且相邻所述LED芯片之间具有间隔；
阻挡层，设置于所述间隔内，用于阻挡所述LED芯片的侧面出射光；以及
控光构件，设置于所述阻挡层以及所述LED芯片上，用于收敛所述LED芯片的出光角度；
其中，所述控光构件包括层叠交替设置的至少一层封装胶层和至少一层吸光层，所述吸光层设置于所述封装胶层上，且所述吸光层在对应所述LED芯片的出光方向上形成有第一开孔。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述控光构件包括层叠交替设置的三层所述封装胶层和三层所述吸光层。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述吸光层的厚度为1微米，且所述封装胶层的厚度为8微米。
4.根据权利要求1至3任一项所述的显示面板，其特征在于，所述吸光层的所述第一开孔的宽度等于所述LED芯片的宽度。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述吸光层的材料包括黑色矩阵。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述吸光层在对应所述阻挡层的位置设置有第二开孔，所述第二开孔的宽度小于所述阻挡层的宽度。
7.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一开孔包括方形孔、圆形孔和异形孔中的一种。
8.根据权利要求1至3任一项所述的显示面板，其特征在于，所述阻挡层的材料包括黑色胶材、灰色胶材和黑色油墨中的一种。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述阻挡层的宽度小于或等于所述LED芯片之间的所述间隔。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110193807.1A CN113013310A (zh) | 2021-02-20 | 2021-02-20 | 显示面板和显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110193807.1A CN113013310A (zh) | 2021-02-20 | 2021-02-20 | 显示面板和显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113013310A true CN113013310A (zh) | 2021-06-22 |
Family
ID=76404537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110193807.1A Pending CN113013310A (zh) | 2021-02-20 | 2021-02-20 | 显示面板和显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113013310A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113597256A (zh) * | 2021-07-29 | 2021-11-02 | 业成科技（成都）有限公司 | 显示模组及其制造方法 |
| CN114267775A (zh) * | 2021-12-14 | 2022-04-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示面板的制备方法 |
| CN115942793A (zh) * | 2022-12-23 | 2023-04-07 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示屏及电子设备 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050005688A (ko) * | 2003-07-07 | 2005-01-14 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 표시 장치 |
| CN105425469A (zh) * | 2016-01-04 | 2016-03-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种背光模组及其制作方法、显示装置 |
| US9576537B2 (en) * | 2013-03-15 | 2017-02-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
| CN107565003A (zh) * | 2017-07-31 | 2018-01-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 量子点led封装结构 |
| CN107591431A (zh) * | 2017-09-15 | 2018-01-16 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种彩膜基板及显示设备 |
| CN109742112A (zh) * | 2019-01-08 | 2019-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板及电子设备 |
| CN110620127A (zh) * | 2018-06-19 | 2019-12-27 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种显示装置及单色微型发光二极管的制作方法 |
| CN110690243A (zh) * | 2019-10-15 | 2020-01-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示面板的制备方法 |
| CN111063826A (zh) * | 2019-12-16 | 2020-04-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板 |
| CN111261656A (zh) * | 2020-01-17 | 2020-06-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
-
2021
- 2021-02-20 CN CN202110193807.1A patent/CN113013310A/zh active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050005688A (ko) * | 2003-07-07 | 2005-01-14 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 표시 장치 |
| US9576537B2 (en) * | 2013-03-15 | 2017-02-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
| CN105425469A (zh) * | 2016-01-04 | 2016-03-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种背光模组及其制作方法、显示装置 |
| CN107565003A (zh) * | 2017-07-31 | 2018-01-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 量子点led封装结构 |
| CN107591431A (zh) * | 2017-09-15 | 2018-01-16 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种彩膜基板及显示设备 |
| CN110620127A (zh) * | 2018-06-19 | 2019-12-27 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种显示装置及单色微型发光二极管的制作方法 |
| CN109742112A (zh) * | 2019-01-08 | 2019-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板及电子设备 |
| CN110690243A (zh) * | 2019-10-15 | 2020-01-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示面板的制备方法 |
| CN111063826A (zh) * | 2019-12-16 | 2020-04-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板 |
| CN111261656A (zh) * | 2020-01-17 | 2020-06-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113597256A (zh) * | 2021-07-29 | 2021-11-02 | 业成科技（成都）有限公司 | 显示模组及其制造方法 |
| CN114267775A (zh) * | 2021-12-14 | 2022-04-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示面板的制备方法 |
| CN115942793A (zh) * | 2022-12-23 | 2023-04-07 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示屏及电子设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11269215B2 (en) | Method of manufacturing light emitting module and light emitting module | |
| CN113013310A (zh) | 显示面板和显示装置 | |
| CN112885823B (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| JP5372009B2 (ja) | オプトエレクトロニクス部品およびその製造方法 | |
| CN111668249A (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
| KR20210119621A (ko) | 광원 부재, 이를 포함한 표시 장치, 및 광원 부재의 제조 방법 | |
| US20210391514A1 (en) | Light-emitting device and image display apparatus | |
| US20230102283A1 (en) | Display panel and display device | |
| CN114566581A (zh) | 显示面板及显示面板制造方法 | |
| CN113937123A (zh) | 显示装置及制作方法 | |
| CN212182329U (zh) | 显示面板及具有其的显示装置 | |
| CN111524925B (zh) | Micro LED显示面板及其制作方法 | |
| CN113206180A (zh) | Led显示模组及led显示屏 | |
| CN112885970A (zh) | 显示面板、电子设备及显示面板的制造方法 | |
| CN114509895B (zh) | 背光模组及其制备方法和显示装置 | |
| CN214253721U (zh) | 一种显示模块 | |
| CN116314552A (zh) | 一种cob封装方法及cob显示模块 | |
| CN114063350A (zh) | 光源模块、显示模块及光源模块制备方法 | |
| KR20220114352A (ko) | 디스플레이 디바이스 | |
| WO2022047929A1 (zh) | 彩膜基板及其制作方法、显示面板 | |
| CN218547182U (zh) | 一种显示装置 | |
| CN219371060U (zh) | 一种显示面板 | |
| CN214541402U (zh) | 一种高密度像素显示模块 | |
| CN110875345A (zh) | Led显示器件及其制造方法、led显示面板 | |
| TWI790121B (zh) | 顯示面板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20210622 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |