CN116093237A - 微型led结构及其制备方法和发光装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种微型LED结构及其制备方法和发光装置，涉及发光技术领域。微型LED结构包括驱动芯片、发光芯片、支撑框、第一阻光矩阵和盖板，发光芯片与驱动芯片键合连接，支撑框固定于驱动芯片上，且支撑框围合设置于发光芯片的周侧，第一阻光矩阵设置于盖板与支撑框之间，第一阻光矩阵沿支撑框的边框方向设置于支撑框上，盖板设置于第一阻光矩阵背离支撑框的一侧。本申请提供的微型LED结构能够对发光角度较大的光线进行吸收，改善因光线散射导致的发光芯片光串扰现象。
Description
技术领域
本申请涉及发光技术领域，尤其涉及一种微型LED结构及其制备方法和发光装置。
背景技术
Micro-LED(Micro-Light Emitting Diode，微发光二极管)显示技术在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势，在平板显示、增强现实(Augmented Reality，AR)、虚拟现实(Virtual Reality，VR)、混合现实(MixedReality，MR)、空间显示、柔性透明显示、可穿戴/可植入光电器件、光通信/光互联、医疗探测、智能车灯等诸多领域具有广大的应用前景。
在相关技术中，发光芯片存在光串扰现象问题。
发明内容
有鉴于此，本申请提供了一种微型LED结构及其制备方法和发光装置。
第一方面，本申请实施例提供了一种微型LED结构，包括：
驱动芯片，所述驱动芯片控制所述微型LED结构的工作；
发光芯片，所述发光芯片与所述驱动芯片键合连接；
支撑框，所述支撑框设置于所述驱动芯片上；
盖板，所述盖板包括基板和第一阻光矩阵，所述第一阻光矩阵设置于基板与所述支撑框之间，所述第一阻光矩阵沿所述支撑框的边框方向设置于所述支撑框上。
在第一方面的其中一个实施例中，所述支撑框围合设置于所述发光芯片的周侧。
在第一方面的其中一个实施例中，所述支撑框包括间隔粒子和框胶，所述间隔粒子被包覆于所述框胶内。
在第一方面的其中一个实施例中，所述盖板还包括第二阻光矩阵，所述第二阻光矩阵设置于所述基板与所述发光芯片对应的区域，所述第二阻光矩阵内设置有调色矩阵。
在第一方面的其中一个实施例中，所述支撑框背离所述驱动芯片的一侧设置有防护层，所述第一阻光矩阵和所述第二阻光矩阵均设置于所述基板和所述防护层之间。
在第一方面的其中一个实施例中，所述调色矩阵包括至少一组调色单元，每组调色单元包括红色单元、绿色单元和蓝色单元；
所述发光芯片的发射光线为蓝光，所述红色单元内填充有红色量子点材料，所述绿色单元内填充有绿色量子点材料；
或所述发光芯片的发射光线为紫光，所述红色单元内填充有红色量子点材料，所述绿色单元内填充有绿色量子点材料，所述蓝色单元内填充有蓝色量子点材料。
在第一方面的其中一个实施例中，所述防护层和所述发光芯片之间的间距为0um-2um。
第二方面，本申请实施例还提供了一种发光装置，包括第一方面实施例中任一项所述的微型LED结构。
第三方面，本申请实施例还提供了一种微型LED结构的制备方法，包括：
将发光芯片键合连接于驱动芯片上；
在所述发光芯片的周侧设置支撑框；
将盖板覆盖于所述支撑框上，得到微型LED结构。
在第二方面的其中一个实施例中，所述盖板的制备方法包括：
在基板的周侧上涂布光阻材料，曝光显影处理后得到第一阻光矩阵。
在第二方面的其中一个实施例中，所述盖板的制备方法还包括：
在所述基板与所述发光芯片对应的区域制备第二阻光矩阵，在所述第二阻光矩阵中制备调色矩阵。
在第二方面的其中一个实施例中，所述在所述发光芯片的周侧设置支撑框包括：
将间隔粒子与框胶混合，将混合后的间隔粒子与框胶涂布于驱动芯片上形成支撑框。
本申请提出一种微型LED结构及其制备方法。相对于相关技术，本申请通过在发光芯片的周侧设置支撑框，在支撑框上设置有第一阻光矩阵，使第一阻光矩阵分布于发光芯片的周侧。在微型LED结构的工作过程中，发光芯片发出的光经盖板射出，边侧的第一阻光矩阵吸收能够吸收发光角度较大的光线，从而吸收散射到其他像素位置的光，进而缩小发光芯片的发光角度，改善因光线散射导致的发光芯片光串扰现象。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它相关的附图。
图1示出了本申请一些实施例中彩色化的微型LED结构的结构示意图；
图2示出了本申请一些实施例中单色的微型LED结构的结构示意图；
图3示出了本申请一些实施例中发光芯片和驱动芯片的连接结构示意图；
图4示出了本申请一些实施例中支撑框的初始结构示意图；
图5示出了本申请一些实施例中密封框与微型LED结构的结构示意图；
图6示出了本申请一些实施例中盖板与第一阻光矩阵的结构示意图；
图7示出了本申请一些实施例中第二阻光矩阵的结构示意图；
图8示出了本申请一些实施例中调色矩阵的结构示意图；
图9示出了本申请一些实施例中防护层的结构示意图；
图10示出了本申请一些实施例中盖板与支撑框的连接结构示意图；
图11示出了本申请一些实施例中单色微型LED结构的制备方法流程示意图；
图12示出了本申请一些实施例中彩色微型LED结构的制备方法流程示意图。
主要元件符号说明：
110-驱动芯片；120-发光芯片；130-支撑框；131-间隔粒子；132-框胶；140-盖板；141-基板；142-第一阻光矩阵；143-第二阻光矩阵；150-焊盘；160-调色矩阵；170-防护层；180-密封框。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示5或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有
“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、0“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可
以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
5在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”
或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”
可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度
高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以0是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小
于第二特征。
本申请第一方面的实施例提供了一种微型LED结构，可有效的对发光角度较大的光线进行吸收，减少光串扰，改善显示器件的显示效果。可用于AR、VR、投影等领域。
5如图2所示，在一个实施例中，微型LED结构为单色微型LED结构。
该微型LED结构包括驱动芯片110、发光芯片120、支撑框130和盖板140。其中，驱动芯片110控制微型LED结构的发光工作；发光芯片120作为微型LED结构的显示光源，并与驱动芯片110键合连接；支撑框130固定于驱动芯片110上；盖板140包括基板141和第一阻光矩阵142，第一阻光矩阵142设置于基板141与支撑框130之间，第一阻光矩阵142沿支撑框130的边框方向贴合于支撑框130上，盖板140盖合于支撑框130和发光芯片120上。
本实施例中，基板141可以选用玻璃面板。
进一步地，驱动芯片110可为CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)驱动芯片或者TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)驱动芯片。本实施例中，驱动芯片110可以选用CMOS驱动芯片。
更进一步地，发光芯片120可以为Micro-LED芯片、Mini-LED芯片等微型LED芯片。本实施例中，发光芯片120优选为Micro-LED芯片。
再进一步地，支撑框130围合设置于发光芯片120的周侧。通过支撑框130的围合设置，在盖板140与支撑框130围合后，使盖板140、支撑框130驱动芯片110围合成一个密闭的空间，并形成真空环境。发光芯片120位于此密闭的空间内，在发光芯片120的工作过程中，光线经真空环境射向盖板140，减少光能损耗，提高发光芯片120的出光率。
再进一步地，支撑框130包括间隔粒子131和框胶132，间隔粒子131被包覆于框胶132内。间隔粒子131可维持盖板140与发光芯片120之间的距离，以改善因间距控制不均而造成画面显示模糊的问题。间隔粒子131可以为塑料系的压克力树脂微粒子、玻璃系的棒状粒子或硅氧系球状粒子中的至少一种。
具体的，通过间隔粒子131混合于框胶132内，以保持支撑框130的强度及盖板140与发光芯片120之间的间距。在将盖板140与支撑框130的压合过程，在压力下，间隔粒子131在框胶132内的位置产生变化，使盖板140与驱动芯片110的间距始终保持在一个间隔粒子131的高度，使盖板140的四周贴合高度统一。
再进一步地，第一阻光矩阵142与支撑框130对应位置可设置多个间隙，便于后续通过固化光线将盖板140与支撑框130的固定过程中，固化光线可以从间隙中照射至支撑框130上，以实现支撑框130的固化。
第一阻光矩阵142可以由深色光阻材料制成，第一阻光矩阵142沿着支撑框130的框面分布，使第一阻光矩阵142围合于发光芯片120的周侧，对发光芯片120沿边侧发出的光进行吸收，改善由于光线散射，发光角度较大的光线造成的光串扰问题。另外，在盖板140与驱动芯片110压合后，通常需要进行UV(Ultraviolet，紫外线)等方式固化处理。以UV光固化为例进行说明，UV光可沿第一阻光矩阵142的间隙进入，照射于框胶132上，以便于固化处理。
如图1所示，在一个实施例中，微型LED结构为彩色微型LED结构。在支撑框130和发光芯片120背离驱动芯片110的一侧设置有防护层170，盖板140覆盖发光芯片120的区域设置有第二阻光矩阵143，第一阻光矩阵142和第二阻光矩阵143均设置于盖板140和防护层170之间，第二阻光矩阵143内设置有调色矩阵160，调色矩阵160内填充有量子点材料。
进一步地，防护层170可选用透明且具有保护作用的材料制成，本实施例中，防护层170可以由ITO(Indium tin oxide，氧化铟锡)制成，从而对量子点材料进行防护。
再进一步地，调色矩阵160包括至少一组调色单元，每组调色单元包括依次排列的红色单元、绿色单元和蓝色单元，以形成光学三原色。
在一个实施例中，发光芯片120的发射光线为蓝光，红色单元内填充有红色量子点材料，绿色单元内填充有绿色量子点材料。一些实施例中，蓝色单元内无填充量子点材料；在另一些实施例中，可在蓝色单元内填充蓝色量子点材料，以提高用于合成白光的蓝光的色纯度。
在一个实施例中，发光芯片120的发射光线为紫光，红色单元内填充有红色量子点材料，绿色单元内填充有绿色量子点材料，蓝色单元内填充蓝色量子点材料。
在一个实施例中，防护层170和发光芯片120之间的间距为0-2um。本实施例中，防护层170和发光芯片120之间的间距为1um。通过将防护层170和发光芯片120之间的间距设置在较小的范围内，使每一个调色单元下方的光线最大限定的射入一个调色单元中，限制发光芯片120的发光角度。减少当间距过大时，发光芯片120的发光角度变大，位于一个调色单元下方的光线，将散射至边侧的其它调色单元处，造成光学串扰，导致显示不清楚的问题。
在实施时，当防护层170和发光芯片120之间的间距为0时，防光串扰效果最佳。而防护层170和发光芯片120之间的间距大于0且小于或等于2um时，能够避免盖板140的压合过程中可能出现的框胶132破膜，降低盖板140与发光芯片120损伤的可能性，从而保障微型LED结构的表现性能。
本申请的实施例第三方面还提供了一种发光装置，包括第一方面任一实施例中的微型LED结构。
如图11所示，本申请的实施例第三方面提供了一种微型LED结构的制备方法，用于制备上述任一实施例中的微型LED结构。
在一个实施例中，微型LED结构的制备方法可制备单色微型LED结构，微型LED结构的制备方法包括：
S10，在基板141上制备第一阻光矩阵142。
一并结合图6所示，具体的，在基板141上涂布光阻材料以形成第一阻光矩阵142，光阻材料可选用深色光阻材料，第一阻光矩阵142的分布区域与支撑框130对应。
在一个实施例中，第一阻光矩阵142采用光刻工艺，具体的，在基板141上涂布光阻材料，曝光显影得到第一阻光矩阵142。
需要说明的是，在其它实施例中，第一阻光矩阵142也可采用丝印工艺，具体的，在基板141上通过丝印工艺涂布光阻材料，形成光阻图案后显影得到第一阻光矩阵142。
S20，将发光芯片120键合连接于驱动芯片110上。
一并结合图3所示，在一个实施例中，单个发光芯片120与单个驱动芯片110键合连接。
具体的，每个发光芯片120分别键合与对应的驱动芯片110上，发光芯片120与驱动芯片110的键合方式采用球键连接，键合材料可选用金、钛、镍、铝、铜、铟、锡或银锡合金等金属材料中的一种。
在一个实施例中，包括多个发光芯片120的发光芯片120母板与包括多个驱动芯片110的驱动芯片110母板键合连接。
S30，剥离发光芯片120的衬底。
通过剥离发光芯片120的衬底，能够改善工作过程中，发光芯片120的部分光线在衬底与半导体材料的临界面产生全反射，造成光串扰或侧边漏光现象。
其中，发光芯片120的衬底可以是蓝宝石衬底、硅衬底等。
S40，在发光芯片120的周侧设置支撑框130。
具体的，将间隔粒子131与框胶132混合并进行脱泡处理，将混合后的间隔粒子131与框胶132涂布于驱动芯片110上，并围合于发光芯片120的周侧与焊盘150之间形成支撑框130。
一并结合图4所示，支撑框130围合于发光芯片120的周侧，在未与盖板140压合时，间隔粒子131不规则分布，支撑框130的初始高度难以保持统一。
S50，将盖板140设有第一阻光矩阵142的一侧覆盖于支撑框130上，得到微型LED结构。
一并结合图2所示，盖板140与驱动芯片110的盖合过程中，由于受到挤压力的影响，间隔粒子131在挤压下向下运动，并最终使支撑框130的高度保持在一个间隔粒子131的高度，同时胶框向两侧延伸。
进一步地，在盖板140盖合于发光芯片120与支撑框130后，进行UV固化处理。UV穿过盖板140，经第一阻光矩阵142中的间隙照射于框胶132上，支撑框130硬化后得到微型LED结构。
在一个实施例中，采用发光芯片120母板与驱动芯片110母板键合得到微型LED结构母板的工艺，微型LED结构的制备方法还包括：
将包括多个发光芯片120的发光芯片母板键合连接于包括多个驱动芯片110的驱动芯片母板上。
一并结合图5所示，在发光芯片120的周侧设置支撑框130后，在驱动芯片母板上，沿着发光芯片母板的边侧设置密封框180。
具体的，密封框180的宽度约为支撑框130宽度的两倍，密封框180的制备材料与框胶132材料相同。通过密封框180的设置，对盖板140与驱动芯片110的压合起到辅助支撑，减少因压力过大或其它因素，导致支撑框130穿刺，进而使盖板140与发光芯片120间的真空环境破坏。
S60，对微型LED结构母板进行切割得到微型LED结构。
具体的，对微型LED结构母板的顶底两侧同时进行切割，底侧沿着驱动芯片110的框线对驱动芯片110母板进行切割，顶侧沿着支撑框130的框边对盖板140进行切割。
如图12所示，在一个实施例中，微型LED结构的制备方法可制备彩色微型LED结构，微型LED结构的制备方法包括：
S10，在基板141上制备第一阻光矩阵142。
一并结合图6所示，具体的，在基板141上涂布光阻材料以形成第一阻光矩阵142，光阻材料可选用深色光阻材料，第一阻光矩阵142的分布区域与支撑框130对应。
在一个实施例中，第一阻光矩阵142采用光刻工艺，具体的，在基板141上涂布光阻材料，曝光显影得到第一阻光矩阵142。
需要说明的是，在其它实施例中，第一阻光矩阵142也可采用丝印工艺，具体的，在基板141上通过丝印工艺涂布光阻材料，形成光阻图案后显影得到第一阻光矩阵142。
S70，在基板141上制备第二阻光矩阵143。
一并结合图7所示，在基板141覆盖发光芯片120的区域涂布光阻材料以形成第二阻光矩阵143，光阻材料可选用深色光阻材料。第一阻光矩阵142围合于第二阻光矩阵143的周侧。
进一步地，第二阻光矩阵143的制备方法可选用与第一阻光矩阵142相同的光刻或丝印工艺。
在一个实施例中，第二阻光矩阵143可以与第一阻光矩阵142同时制备，既能够缩短生产效率，也可以降低生产成本。
S80，在第二阻光矩阵143中制备调色矩阵160。
通过调色矩阵对发光芯片120的发射光线进行调整，得到能够合成白光的基色组合，从而能够实现微型LED结构的彩色化显示。其中，合成白光的基色组合，可以是红色、绿色和蓝色的三基色组合，也可以是黄光和蓝光的基色组合。
这里，以上述三基色组合为例进行说明，一并结合图8所示，在第二阻光矩阵143中以红绿蓝的顺序依次填充量子点材料，依次形成红色单元、绿色单元和蓝色单元。
在一个实施例中，发光芯片120的发射光线为蓝光，红色单元内填充有红色量子点材料，绿色单元内填充有绿色量子点材料。蓝色单元内无填充量子点材料，可适应填充高折射率的聚酯材料。在一些情况中，可在蓝色单元内填充蓝色量子点材料，从而提高用于合成白光的蓝光的色纯度。
在一个实施例中，发光芯片120的发射光线为紫光，红色单元内填充有红色量子点材料，绿色单元内填充有绿色量子点材料，蓝色单元内填充蓝色量子点材料。
S90，在第一阻光矩阵142、调色矩阵160和第二阻光矩阵143背离基板141的一侧制备防护层170。
一并结合图9所示，防护层170依次覆盖于第一阻光矩阵142、调色矩阵160和第二阻光矩阵143上，以对量子点材料提供保护。
进一步地，防护层170可选用透明且具有保护作用的材料制成，例如在本实施例中，防护层170可以由ITO(Indium tin oxide，氧化铟锡)制成。
S20，将发光芯片120键合连接于驱动芯片110上。
一并结合图3所示，发光芯片120与对应的驱动芯片110键合，发光芯片120与驱动芯片110的键合方式采用球键连接，键合材料可选用金、钛、镍、铝、铜、铟、锡或银锡合金等金属材料中的一种。
S30，剥离发光芯片120的衬底。
在玻璃衬底后，可以减少发光芯片120在工作过程中，部分光线在衬底与半导体材料的临界面产生全反射，造成光串扰或侧边漏光现象。
S40，在发光芯片120的周侧设置支撑框130。
具体的，将间隔粒子131与框胶132混合并进行脱泡处理，将混合后的间隔粒子131与框胶132涂布于驱动芯片110母板上，并围合于单个所述发光芯片120的周侧与焊盘150之间形成支撑框130。
一并结合图4所示，支撑框130围合于发光芯片120的周侧，在未与盖板140压合时，间隔粒子131不规则分布，支撑框130的初始高度难以保持统一。
一并结合图5所示，进一步地，在采用发光芯片120母板与驱动芯片110母板键合得到微型LED结构母板的工艺时，将包括多个发光芯片120的发光芯片120母板键合连接于包括多个驱动芯片110的驱动芯片110母板上，在发光芯片120的周侧设置支撑框130后，在驱动芯片110母板上，沿着发光芯片120母板的边侧设置密封框180。
具体的，密封框180的宽度约为支撑框130宽度的两倍，密封框180的制备材料与框胶132材料相同。通过密封框180的设置，对盖板140与
驱动芯片110的压合起到辅助支撑，减少因压力过大或其它因素，导致支5撑框130穿刺，进而使，盖板140与发光芯片120间的真空环境破坏。
S50，将盖板140设有第一阻光矩阵142的一侧覆盖于支撑框130上，得到微型LED结构。
一并结合图10所示，防护层170贴合于支撑框130上，盖板140与驱动芯片110的盖合过程中，由于受到挤压力的影响，间隔粒子131在挤压0下向下运动，并最终使支撑框130的高度保持在一个间隔粒子131的高度，
同时胶框向两侧延伸。
进一步地，在盖板140盖合于发光芯片120与支撑框130后，进行UV固化处理。UV穿过盖板140，经第一阻光矩阵142中的间隙照射于框胶132上，支撑框130硬化后得到微型LED结构。
5更进一步地，在UV固化处理过程中，先在盖板140设有调色矩阵160的区域布设掩膜，使掩膜完全覆盖调色矩阵160，避免在UV光的照射过程中，UV光照射至量子点材料上。
再进一步地，在采用发光芯片120母板与驱动芯片110母板键合得到微型LED结构母板的工艺时，微型LED结构的制备方法还包括：0S60，对微型LED结构母板进行切割得到微型LED结构。
具体的，对微型LED结构母板的顶底两侧同时进行切割，底侧沿着驱动芯片110的框线对驱动芯片110母板进行切割，顶侧沿着支撑框130的框边对盖板140进行切割。
综上，本申请通过在发光芯片120的周侧设置支撑框130，在支撑框5 130上设置有第一阻光矩阵142，使第一阻光矩阵142分布于发光芯片120的周侧。在微型LED结构的工作过程中，发光芯片120发出的光经盖板140射出，发光角度较大的光线被边侧的第一阻光矩阵142吸收，从而缩小发光芯片120的发光角度，提高发光芯片120出光侧的出光效率。本申请能够对发光角度较大的光线进行吸收，改善因光线散射导致的发光芯片120光串扰现象。
本申请实施例还提供了一种发光装置，该发光装置可应用于电子设备，以实现AR、VR、MR等扩展现实(Extended Reality，XR)技术。例如，该发光装置可以是电子设备的投影部分，例如投影仪、抬头显示(Head Up Display，HUD)等；又例如，该发光装置也可以是电子设备的显示部分，例如该电子设备可以包括：智能手机、智能手表、笔记本电脑、平板电脑、行车记录仪、导航仪、头戴式设备等任何具有显示屏的设备；还例如，该发光装置也可以是电子设备的照明部分，例如该电子设备可以包括：车辆、路灯等任何具有照明组件的设备。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (13)
1.一种微型LED结构，其特征在于，包括：
驱动芯片，所述驱动芯片控制所述微型LED结构的工作；
发光芯片，所述发光芯片与所述驱动芯片键合连接；
支撑框，所述支撑框设置于所述驱动芯片上；
盖板，所述盖板包括基板和第一阻光矩阵，所述第一阻光矩阵设置于基板与所述支撑框之间，所述第一阻光矩阵沿所述支撑框的边框方向设置于所述支撑框上。
2.根据权利要求1所述的微型LED结构，其特征在于，所述支撑框围合设置于所述发光芯片的周侧。
3.根据权利要求1所述的微型LED结构，其特征在于，所述第一阻光矩阵与所述支撑框对应位置设置有至少一个间隙，以实现所述支撑框的固化。
4.根据权利要求1所述的微型LED结构，其特征在于，所述支撑框包括间隔粒子和框胶，所述间隔粒子被包覆于所述框胶内。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的微型LED结构，其特征在于，所述盖板还包括第二阻光矩阵，所述第二阻光矩阵设置于所述基板与所述发光芯片对应的区域所述第二阻光矩阵内设置有调色矩阵。
6.根据权利要求5所述的微型LED结构，其特征在于，所述支撑框背离所述驱动芯片的一侧设置有防护层，所述第一阻光矩阵和所述第二阻光矩阵均设置于所述基板和所述防护层之间。
7.根据权利要求6所述的微型LED结构，其特征在于，所述调色矩阵包括至少一组调色单元，每组调色单元包括红色单元、绿色单元和蓝色单元；
所述发光芯片的发射光线为蓝光，所述红色单元内填充有红色量子点材料，所述绿色单元内填充有绿色量子点材料；
或所述发光芯片的发射光线为紫光，所述红色单元内填充有红色量子点材料，所述绿色单元内填充有绿色量子点材料，所述蓝色单元内填充有蓝色量子点材料。
8.根据权利要求6或7所述的微型LED结构，其特征在于，所述防护层和所述发光芯片之间的间距小于或等于2um。
9.一种发光装置，其特征在于，包括权利要求1至8中任一所述的微型LED结构。
10.一种微型LED结构的制备方法，其特征在于，包括：
将发光芯片键合连接于驱动芯片上；
在所述发光芯片的周侧设置支撑框；
将盖板覆盖于所述支撑框上，得到微型LED结构。
11.根据权利要求10所述的微型LED结构的制备方法，其特征在于，所述盖板的制备方法包括：
在基板的周侧上涂布光阻材料，曝光显影处理后得到第一阻光矩阵。
12.根据权利要求11所述的微型LED结构的制备方法，其特征在于，所述盖板的制备方法还包括：
在所述基板与所述发光芯片对应的区域制备第二阻光矩阵，在所述第二阻光矩阵中制备调色矩阵。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的微型LED结构的制备方法，其特征在于，所述在所述发光芯片的周侧设置支撑框包括：
将间隔粒子与框胶混合，将混合后的间隔粒子与框胶涂布于驱动芯片上形成支撑框。
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