TWI569071B - 光學構件及具有其之顯示裝置 - Google Patents

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Description

光學構件及具有其之顯示裝置
本發明係主張關於2011年07月18日申請之韓國專利案號10-2011-0071142之優先權。藉以引用的方式併入本文用作參考。
本發明係關於一種光學構件及具有其之顯示裝置。
近年來，平面顯示裝置(flat display devices)，例如液晶顯示器(LCD)、電漿顯示面板(PDP)、或有機發光二極體(OLED)，取代了傳統陰極射線管(CRT)，而蓬勃發展。
其中，該LCD包括：一液晶顯示面板，其具有一薄膜電晶體基板(thin film transistor substrate)；一彩色濾光基板(color filter substrate)、以及注入該薄膜電晶體基板與該彩色濾光基板之間的一液晶。因液晶顯示面板為非發光型裝置(non-emissive device)，故需提供一背光單元於該薄膜電晶體基板之下方以提供光。自背光單元所發出之光的穿透率(transmittance)係依據液晶的配向態(alignment state)來作調整。
背光單元係依據其一光源之位置而分為側光式背光單元(edge-illumination type)以及直下式背光單元(direct-illumination type)。在側光式背光單元中，光源係位於一導光板(light guide plate)之側邊。
直下式背光單元隨著LCD之尺寸變大而被發展出來。根據直下式背光單元，至少一光源裝設於液晶顯示面板之下方，以提供光給液晶顯示面板的整個區域。
當與側光式背光單元比較時，直下式背光單元可採用大量的光源，以達到高亮度。相較之下，直下式背光單元便需要比側光式背光單元更大的厚度，來確保其亮度均勻性。
為求解決上述問題，具有複數個量子點之量子點帶(quantum dot bar)，其可轉換藍光成為紅光或綠光，係設置於發出藍光之一藍光LED之前方。據此，當藍光照射至量子點帶時，藍光、紅光和綠光係被分散於量子點帶中的量子點混合，且該混合光入射於導光板，進而產生白光。
若該白光藉由使用量子點帶而被提供給導光板，則可實現高的色彩重現(color reproduction)。
背光單元可包括：一軟性電路板(FPCB)，提供於發出藍光的藍光LED之一側，以提供信號及電力給該些LED；以及一接合件(bonding member)形成於該軟性電路板之底面下方。
在藍光自藍光LED發出時，使用經量子點帶提供給導光板之白光來顯示各種影像之顯示裝置係被廣泛地使用。
使用此種量子點的顯示裝置係揭露在韓國專利公開號No.10-2011-0068110中。
本發明實施例提供一種光學構件，其不但環保而且可以低成本製造，同時可展現改善的顏色再現性、提高的可靠性、以及提高的耐久性，以及提供一種顯示裝置。
根據本發明實施例所提供的一光學構件包含一第一基板、提供在該第一基板上且彼此分隔開的複數個波長轉換部、以及在該些波長轉換部的一上表面上和一側邊的一密封層。每一波長轉換部包含在該第一基板上的一基質、以及在該基質中的複數個波長轉換顆粒。
根據本發明實施例所提供的一顯示裝置包含具有複數個畫素區的一顯示面板、提供在該顯示面板之下方且包含分別對應該些畫素區之複數個波長轉換部的一波長轉換件、以及產生入射至該波長轉換件之光的一光源。
如上所述，根據實施例的光學構件包含提供在該些波長轉換部的側邊和上表面上的一密封層。換句話說，該密封層覆蓋該些波長轉換部的側邊和上表面上以保護該些波長轉換部，以就是說，該些波長轉換顆粒不受外部氧氣及/或濕氣的影響。換句話說，由於該密封層封密了每一波長轉換部的側邊，該密封層得以呈現提高的密封性(sealing power)。
因此，根據實施例的光學構件的以展現提高的可靠性和提高 的耐久性。
此外，該些波長轉換部係彼此分隔開。因此，該些波長轉換顆粒並未被提供在該些波長轉換部之間的空間(space)。因此，根據實施例的光學構件和顯示裝置得以減少波長轉換顆粒的使用數量。
因此，根據實施例的液晶顯示器得以輕易地以低成本製造。
此外，由於該些波長轉換部對應該些畫素區，該些波長轉換部轉換從光源輸出的光，因此該光得以被有效率地入射至顯示面板。換句話說，波長轉換件能集中具有一轉換波長的光於需要轉換波長的顯示面板之畫素區上。
因此，根據實施例的光學構件和顯示裝置得以展現改善的顏色再現性。
在實施例的描述中，應被理解，當一基板、一框架、一片體、一層、或一圖案在另一基板、另一框架、另一片體、另一圖案”上”或”之下方”時，其可以”直接地”或”間接地”在另一基板、另一框架、另一片體、或另一圖案，或者可出現一或更多的中介層。每一元件的位置已伴隨圖式進行說明。在圖式中，每一元件的厚度和尺寸，為清楚說明，而可能被誇大、省略或示意性 繪示。此外，元件的尺寸並未反應實施尺寸。
圖1繪示根據實施例之一液晶顯示器的分解示意圖，圖2繪示根據實施例之一波長轉換件的示意圖，而圖3為沿著圖2線A-A’的剖視圖。圖4至6繪示根據實施例之波長轉換件製造流程的剖視圖，圖7繪示波長轉換件之另一範例的剖視圖，而圖8繪示波長轉換件之再一範例的剖視圖。圖9繪示畫素和波長轉換部的平面視圖，圖10繪示根據一實施例之一液晶面板和一波長轉換件的剖視圖，而圖11繪示根據另一實施例之一液晶面板和一波長轉換件的剖視圖。
參照1至3，根據實施例的液晶顯示器包含一背光單元10以及一液晶面板20。
背光單元10供應光至液晶面板20。背光單元10作為一表面光源，因此光得以均勻地提供至液晶面板20的下表面。
背光單元10設置在液晶面板20之下方。背光單元10包含一底蓋100、一導光板200、一反射片300、一光源，例如複數個發光二極體400、一印刷電路板401、以及複數個光學片500。
底蓋100的上部係呈開放狀。底蓋100容置導光板200、該些發光二極體400、印刷電路板401、反射片300、以及該些光學片500於其內部。
導光板200設置在底蓋100中且排列在反射片300上。導光 板200將自該些發光二極體400入射的光藉由全反射(totally-reflecting)、折射(refracting)、以及散射(scattering)而引導向上。
反射片300設置在導光板200之下方。詳細而言，反射片300設置在導光板200和底蓋100的下表面之間。反射片300將自導光板200下表面向下輸出的光向上反射。
該些發光二極體400作為產生光的光源。該些發光二極體400設置在導光板200的一側邊。從該些發光二極體400產生的光係透過導光板200的該側邊而入射至導光板200中。
該些發光二極體400可包含產生藍光的一藍光發光二極體或產生紫外光(UV)光的一UV發光二極體。詳細而言，該些發光二極體400可發出具有約430nm至約470nm波長帶的藍光或具有約300nm至約400nm波長帶的UV光。
該些發光二極體400係安裝在印刷電路板401上。該些發光二極體400可設置在印刷電路板401之下方。該些發光二極體400係透過印刷電路板401接收一驅動訊號而被驅動。
印刷電路板401電性連接至該些發光二極體400。該些發光二極體400可安裝在印刷電路板401上，而印刷電路板401係設置在底蓋100內。
該些光學片500設置在導光板200上。該些光學片500藉由 改變或增強從導光板200上表面輸出之光的光學特性來供應光至液晶面板20。
該些光學片500可包含一擴散片501、一第一稜鏡片502、一第二稜鏡片503、及及一波長轉換件504。
波長轉換件504可設置在光源300和液晶面板20之間的光學路徑上。舉例而言，波長轉換件504可設置在導光板200上。詳細而言，波長轉換件504可插設在第二稜鏡片503和液晶面板20之間。詳細而言，波長轉換件504可最接近液晶面板20。波長轉換件504轉換入射光的波長，以使光向上輸出。詳細而言，波長轉換件504轉換入射光的波長，以使該光能直接輸出至液晶面板20。
舉例而言，如果該些發光二極體400為藍光發光二極體，則波長轉換件504轉換從導光板200向上輸出的藍光成為綠光和紅光。詳細而言，波長轉換件504轉換部份的藍光成為具有波長範圍在約520nm至約560nm的綠光、以及部份的藍光成為具有波長範圍在約630nm至約660nm的紅光。
因此，可藉由穿越波長轉換件504而未被轉換的光和被波長轉換件504轉換的光而產生白光。詳細而言，透過藍光、綠光和紅光結合的白光可入射至液晶面板20。
換句話說，波長轉換件504為一種光學構件來改變或改善入 射光的特性。波長轉換件504具有片體(sheet)的形式。換句話說，波長轉換件504可包含一光學片。
擴散板501提供在導光板200的上方。擴散板501改善穿透光的均勻性。擴散板501可包含複數個珠粒(beads)。
第一稜鏡片502設置在擴散板501上。第二稜鏡片503設置在第一稜鏡片502上。第一稜鏡片502和第二稜鏡片503增加穿越第一稜鏡片502和第二稜鏡片503之光的線性度。
如圖2和3，波長轉換件504包含一下基板510、一上基板520、複數個波長轉換部530、一密封層540、以及一側邊保護部550。
下基板510設置在該些波長轉換部530之下方。下基板510設置在液晶面板20之下方。下基板510可為透明或具可撓性。
下基板510可包含一透明高分子化合物(polymer)例如聚乙烯對苯二甲酯(polyethyleneterephthalate,PET)。
上基板520設置在密封層540上。上基板520可為透明且具可撓性。上基板520可附著至密封層540的上表面。
上基板520可包含一透明高分子化合物，例如：PET。
波長轉換部530和密封層540係層疊在上基板520和下基板510之間。上基板520和下基板510支撐該些波長轉換部530和密封層540。上基板520和下基板510保護該些波長轉換部530不受 外部物理衝擊。下基板510可直接與該些波長轉換部530和密封層540接觸。此外，上基板520可直接與密封層540接觸。
此外，上基板520和下基板510具有低的氧穿透率和低的透溼性(moisture permeability)。因此，上基板520和下基板510得以保護該些波長轉換部530不受外部化學滲透，例如氧氣及/或濕氣。
該些波長轉換部530係插設在下基板510和上基板520之間。該些波長轉換部530可附著在下基板510的上表面，以及附著在上基板520的下表面。換句話說，該些波長轉換部530可直接排列在下基板510的上表面上。
如圖3和4所示，該些波長轉換部530可彼此分隔開。換句話說，該些波長轉換部530可形成一圖案在下基板510上。此外，該些波長轉換部530可具有一平行六面體形(rectangular parallelpiped shape)。
此外，如圖8所示，該些波長轉換部530可包含一傾斜面534。該傾斜面534係相對於下基板510的上表面呈傾斜。該些波長轉換部530可具有往一方向延伸的一三角柱形(triangular prism shape)、一多角錐形(polygonal pyramid shape)、一多截角錐形(polygonal truncated pyramid shape)、一圓錐形(conical shape)、或一錐形截斷形(conical truncated shape)。
如圖9所示，該些波長轉換部530可具有一彎曲面535。舉例而言，該些波長轉換部530可具有往一方向延伸的半圓筒狀，或一半球狀。
換句話說，波長轉換件504可劃分為具有波長轉換部530的區域和未具有波長轉換部530的區域。換句話說，下基板510的上表面可在該些波長轉換部530之間暴露出。
波長轉換部530包含一基質(host)531和複數個波長轉換顆粒532。
基質531圍繞著該些波長轉換顆粒532。換句話說，基質531包含均勻分佈於其中的波長轉換顆粒532。基質531可包含高分子化合物，例如係矽基(silicon-based)樹脂。基質531係為透明的。換句話說，基質531可包含透明的高分子化合物。
基質531係插設在上基板520和下基板510之間。基質531可附著至下基板510的上表面且可與上基板520分隔開。
該些波長轉換顆粒532係插設在下基板510和上基板520之間。詳細而言，該些波長轉換顆粒532均勻分佈在基質531中，而基質531可插設在下基板510和上基板520之間。
該些波長轉換顆粒532轉換自該些發光二極體400發出之光的波長。詳細而言，該些波長轉換顆粒532接收自該些發光二極體400發出的光以轉換成入射光的波長。舉例而言，該些波長轉 換顆粒532可轉換自該些發光二極體400發出的藍光成為紅光。換句話說，該些波長轉換顆粒532可轉換藍光成為具有波長在約630nm至約660nm之範圍的紅光。
如果該些發光二極體400為發出藍光的藍光發光二極體，則可採用能夠轉換藍光成為紅光的波長轉換顆粒532。
該些波長轉換顆粒532可包含複數個量子點。該些量子點可包含核心奈米晶體(core nano-crystals)和圍繞著核心奈米晶體的殼體奈米晶體(shell nano-crystals)。此外，該些量子點可包含結合至殼體奈米晶體的有機配位體(organic ligands)。再者，該些量子點可包含圍繞著該殼體奈米晶體的一有機塗覆層。
該些殼體奈米晶體可被製備為至少兩層的形式。該殼體奈米晶體係形成在該核心奈米晶體的表面。該些量子點藉由該些殼體奈米晶體形成一殼體層而延長入射到該些核心奈米晶體之光的波長，藉以改善光效率。
該些量子點可包含II族化合物半導體、III族化合物半導體、V族化合物半導體、VI族化合物半導體中的至少一者。更詳細而言，該些殼體奈米晶體可包括硒化鎘(CdSe)、磷化銦鎵(InGaP)、碲化鎘(CdTe)、硫化鎘(CdS)、硒化鋅(ZnSe)、碲化鋅(ZnTe)、硫化鋅(ZnS)、碲化汞(HgTe)或硫化汞(HgS)。此外，該些殼體奈米晶體可包括銅鋅硫(CuZnS)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘 (CdTe)、硫化鎘(CdS)、硒化鋅(ZnSe)、碲化鋅(ZnTe)、硫化鋅(ZnS)、碲化汞(HgTe)或硫化汞(HgS)。該量子點可具有約8nm至11nm的粒徑。
從該些量子點發出之光的波長可根據量子點的大小而被調整。該有機配位體可包含吡啶(pyridine)、疏基甲醇(mercapto alcohol)、硫基(thiol)、膦(phosphine)、以及膦氧化物(phosphine oxide)。該有機配位體可穩定在合成程序後不穩定的量子點。懸空鍵(dangling bonds)可形成在價能帶，而量子點可能因該懸空鍵而不穩定。然而，由於有機配位體的一端部為非鍵結狀態，該有機配位體的一端部係與該懸空鍵結合，藉以穩定量子點。
特別是，如果量子點的尺寸小於一激子(exciton)的波耳半徑(Bohr radius)時(該激子由光和電所激發之電子和電洞所組成)，將可能出現量子侷限效應。所以，量子點可具有個別能階。因此，能帶間隙的大小係被改變。此外，電荷係被限制在量子點中，因此發光效率得以改善。
不同於一般螢光顏料，量子點的螢光波長可依據粒子的大小而改變。詳細而言，當該粒子的尺寸縮減時，該光具有較短的波長。因此，可藉由調整粒子的大小而產生具有可見光之波長頻帶的螢光。此外，量子點呈現出的吸光係數(extinction coefficient) 高於一般螢光顏料吸光係數的100至1000倍，且相較於一般螢光顏料，其具有較佳的量子產率。因此，得以產生強烈的螢光。
該些量子點能透過化學品濕法(chemical wet scheme)而被合成。該化學品濕法係藉由浸漬先驅物在有機溶液中來成長顆粒。根據化學品濕法，得以合成該些量子點。
密封層540係提供在下基板510上。此外，密封層540覆蓋該些波長轉換部530。密封層540係提供在該些波長轉換部530的側邊和上表面上。詳細而言，密封層540直接與該些波長轉換部530的側邊和上表面接觸。此外，密封層540覆蓋該些波長轉換部530的側邊和上表面。密封層540附著在該些波長轉換部530的側邊和上表面上。換句話說，密封層540係塗佈在下基板510的上表面上、以及該些波長轉換部530的側邊和上表面上。密封層540係提供在該些波長轉換部530之間的空間。
密封層540係插設在下基板510和上基板520之間。密封層540可直接與下基板510和上基板520接觸。密封層540可與上基板520的整個下表面接觸。
密封層540係為透明。密封層540可包含高分子化合物。密封層540可包含矽氧樹脂、二萘嵌苯樹脂(perylene resin)、或環氧樹脂。矽氧樹脂可藉由固化聚矽氧烷(polysiloxan)或矽氧烷低聚物(siloxane oligomer)而形成。此外，環氧樹脂可包含氫化 環氧樹脂(hydrogenated epoxy resin)、丁二烯環氧樹脂(butadiene epoxy resin)、或氟環氧樹脂(luorine epoxy resin)。
波長轉換件504可透過下列製程而形成。
請參照圖5，形成包含複數個波長轉換顆粒532的一第一樹脂合成物。第一樹脂合成物可包含矽基(silicon-based)樹脂、環氧基(epoxy-based)樹脂、或丙烯基(acrylic-based)樹脂。此外，第一樹脂合成物可包含一溶劑例如：甲苯(toluene)、己烷(hexan)、或三氯甲烷(chloroform)。該溶劑可包含相對於該樹脂合成物而言約10wt%至約30wt%的比率。
此外，該第一樹脂合成物可更包含一接著劑(adhesive agent)或一黏合劑(adhesion agent)作為有機結合劑(organic binder)。因此，該第一樹脂合成物的黏度可在約450cPs至約30000cPs的範圍。此外，透過機械法(mechanical scheme)，波長轉換顆粒532可均勻分佈在該第一樹脂合成物中。
之後，該第一樹脂合成物透過絲網塗佈製程(screen coating process)而塗佈在下基板510上。換句話說，該第一樹脂合成物係以圖案(pattern)形式塗佈在下基板510上。接著，在從該第一樹脂合成物移除一溶劑之後，該第一樹脂合成物藉由光及/或熱而固化，從而形成該些波長轉換部530。
請參照圖6，該第二樹脂合成物塗佈在該些波長轉換部530 上。該第二樹脂合成物可均勻塗佈在下基板510的上表面上以及該些波長轉換部530的上表面和下表面上。第二樹脂合成物可透過一噴塗法(spray coating scheme)或一旋轉塗佈法(spin coating scheme)而塗佈在下基板510上。該第二樹脂合成物可包含二萘嵌苯樹脂(perylene resin)、聚矽氧烷(polysiloxan)、矽氧烷低聚物(siloxane oligomer)、或環氧樹脂。
之後，密封層540可藉由以光及/或熱來固化塗佈的第二樹脂合成物的方式而形成。
請參照圖7，上基板520係層疊在密封層540上。之後，一側邊保護部550形成在密封層540、上基板520、以及下基板510的側邊。因此，可形成波長轉換件504。
側邊保護部550係提供在密封層540的側邊。詳細而言，側邊保護部550覆蓋密封層540、上基板520、以及下基板510的側邊。
側邊保護部550和上基板520可被省略。換句話說，波長轉換件504可僅使用下基板510、該些波長轉換件530、以及密封層540來執行其固有的功能(intrinsic function)。
波長轉換件504可更包含第一和第二無機保護層。第一無機保護層係塗佈在下基板510的下表面上，而第二無機保護層可塗佈在上基板520的上表面上。第一和第二無機保護層可包含氧化 矽(silicon oxide)。
液晶面板20係提供在波長轉換件504上。詳細而言，液晶面板20可直接與波長轉換件504接觸。詳細而言，波長轉換件504可附著至液晶面板20。
液晶面板20藉由調整穿過液晶面板20之光的強度來顯示影像。詳細而言，液晶面板20係為一種顯示面板其藉由使用從背光單元10發出的光來顯示影像。參照圖10和11，液晶面板20包含一TFT基板21、一彩色濾波基板22、以及一液晶層23。此外，液晶面板20包含多個偏光濾波器(polarizing filters)設置在TFT基板21的下表面上和彩色濾波基板22的上表面上。
TFT基板21與彩色濾波基板22相對設置。TFT基板21可施加一電場至具有彩色濾波基板22之一畫素單元中的液晶層23。TFT基板21包含一第一透明基板610和複數個畫素電極620。
第一透明基板610係為透明且具有一板形(plate shape)。第一透明基板610可包含一玻璃基板。此外，第一透明基板610包含一絕緣體。
該些畫素電極620係提供在第一透明基板610上。該些畫素電極620施加一電場至液晶層23。該些畫素電極620可分別提供在對應液晶面板20之畫素的位置。因此，該些畫素電極620得以分別施加電場至液晶面板20的該些畫素。
該些畫素電極620係為透明，且包含一傳導體。該些畫素電極620可包含氧化銦錫(indium tin oxide)或氧化銦鋅(indium zinc oxide)。
雖然未繪示於圖式，TFT基板21可更包含複數條閘極線、跨越該些閘極線的複數條資料線、以及複數個薄膜電晶體(TFTs)。
該些閘極線係彼此平行設置以施加閘極訊號至該些TFT。換句話說，該些閘極線係用來施加閘極訊號以驅動該些TFT。
透過該些TFT的操作，該些資料線施加資料訊號至該些畫素電極620。該些畫素電極620藉由資料訊號而施加一電場至液晶層23。換句話說，該些資料訊號代表藉由該些畫素電極620來施加電場至液晶層23的預定電壓。
該些TFT可提供在該些閘極線和該些資料線跨越的區域。該些TFT可在該些資料線和該些畫素電極620之間進行一開關功能(switch function)。換句話說，根據閘極訊號，TFT選擇性將畫素電極620與資料線連接。
此外，TFT基板21可更包含複數個絕緣層(未繪示)以使閘極線、資料線、以及畫素電極620彼此絕緣。
彩色濾波基板22提供在TFT基板21之上。彩色濾波基板22與TFT基板21相對設置。彩色濾波基板22與TFT基板21以一預定距離間隔開。彩色濾波基板22包含一第二透明基板710、一黑 矩陣720、複數個第一彩色濾波器731、複數個第二彩色濾波器732、複數個第三彩色濾波器733、以及一共同電極740。
第二透明基板710與第一透明基板610相對設置。第二透明基板710提供在第一透明基板610之上。第二透明基板710係為透明，且具有一板形。第二透明基板710可包含一玻璃基板。此外，第二透明基板710可包含一絕緣體。
黑矩陣720係提供在第二透明基板710之下方。黑矩陣720可遮蔽光。換句話說，黑矩陣720為一遮光部以遮蔽入射光。黑矩陣720可包含對應該些畫素P的一開放部。黑矩陣720可包含黑樹脂或一鉻氧化層(chrome oxide layer)。
此外，黑矩陣720可作為一間隔件(partition)以區分第一彩色濾波器731、第二彩色濾波器732、以及第三彩色濾波器733。黑矩陣720可具有一寬度W3在約15μm至約35μm的範圍。
該些第一彩色濾波器731係提供在第二透明基板710之下方。該些第一彩色濾波器731被提供在黑矩陣720的開放部中。該些第一彩色濾波器731可被黑矩陣720所圍繞。
第一彩色濾波器731可接收白光以輸出紅光。換句話說，第一彩色濾波器731可輸出具有一預定波長帶的光。舉例而言，第一彩色濾波器731可透過濾光(light filtering)而輸出具有一波長帶在約600nm至約700nm的光。
第一彩色濾波器731濾波(filter)入射光。詳細而言，第一彩色濾波器731吸收具有一預定波長帶的光，和反射或傳送具有一預定波長帶的光。舉例而言，該些第一彩色濾波器731吸收入射之白光的藍光和綠光以及傳送紅光。
第一彩色濾波器731可包含紅色顏料(dyes)及/或紅色染料(pigments)。舉例而言，第一彩色濾波器731可包含苝基(perylene-based)化合物或吡咯並吡咯二酮基(diketo pyrrolopyrrole-based)化合物。
該些第二彩色濾波器732係提供在第二透明基板710之下方。此外，該些第二彩色濾波器732可提供在該些第一彩色濾波器731的旁邊。該些第二彩色濾波器731係提供在黑矩陣720的開放部中。該些第二彩色濾波器732可被黑矩陣720所圍繞。
該些第二彩色濾波器732接收白光和輸出紅光。換句話說，該些第二彩色濾波器732可輸出具有一預定波長帶的光。舉例而言，該些第二彩色濾波器732可透過濾光而輸出具有一波長帶在約500nm至約600nm之範圍的光。
第二彩色濾波器732濾波(filter)入射光。詳細而言，第二彩色濾波器732吸收具有一預定波長帶的光和傳送具有一預定波長帶的光。舉例而言，第二彩色濾波器732可吸收入射之白光的藍光和紅光和傳送綠光。
第二彩色濾波器732可包含綠色顏料(dyes)及/或綠色染料(pigments)。舉例而言，第二彩色濾波器732可包含鈦化青基(phthalocyanine-based)化合物。
該些第三彩色濾波器733係提供在第二透明基板710之下方。此外，該些第三彩色濾波器733可提供在該些第二彩色濾波器732的旁邊。該些第三彩色濾波器733被提供在被提供在黑矩陣720的開放部中。該些第三彩色濾波器733可被黑矩陣720所圍繞。
該些第三彩色濾波器733可接收白光和輸出藍光。換句話說，該些第三彩色濾波器733可輸出具有一預定波長帶的光。舉例而言，該些第三彩色濾波器733可透過濾光(light filtering)而輸出具有一約400nm至約500nm之預定波長帶的光。
第三彩色濾波器733濾波(filter)入射光。詳細而言，第三彩色濾波器733吸收具有一預定波長帶的光和傳送具有一預定波長帶的光。舉例而言，第三彩色濾波器733可吸收入射之白光的紅光和綠光和傳送藍光。
第三彩色濾波器733可包含藍色顏料(dyes)及/或藍色染料(pigments)。舉例而言，第三彩色濾波器733可包含包含銅鈦化青基(copper phthalocyanine-based)化合物或蒽醌基(anthraquinone-based)化合物。
共同電極740係提供在第二透明基板710之下方。詳細而言，共同電極740被提供在第一、第二、和第三彩色濾波器731、732、733之下方。
此外，一過鍍層(coating layer)可插設在彩色濾波器731、732、733和共同電極740之間。
共同電極740係為一透明傳導體。共同電極740可包含氧化銦錫(indium tin oxide)或氧化銦鋅(indium zinc oxide)。
液晶層23係插設在TFT基板21和彩色濾波基板22之間。詳細而言，液晶層23插設在畫素電極620和共同電極740之間。此外，一對位層(alignment layer)可插設在TFT基板21和液晶層23之間、或可插設在彩色濾波基板22和液晶層23之間。
液晶層23藉由電場而排列(aligned)在共同電極740和該些畫素電極620之間。因此，液晶層23得以在一畫素單元中調整穿越液晶層23之光的特性。換句話說，液晶層23藉由施加的電場和提供在第一透明基板610之下方和第二透明基板710上的複數個偏光濾光器(polarizing filters)來顯示影像。
液晶層23可包含層列型液晶(smetic liquid crystal)、向列型液晶(nematic liquid crystal)、或膽固醇液晶(cholesteric liquid crystal)。
請參照圖10和11，液晶面板20和波長轉換件504可相互對 齊。
液晶面板20包含複數個畫素P。每一畫素可為顯示影像的一單元。此外，每一畫素P可包含三個子畫素SP1、SP2、SP3。詳細而言，每一畫素P可包含一第一子畫素SP1以顯示一紅色影像、一第二子畫素SP2以顯示一綠色影像、以及一第三子畫素SP3以顯示一藍色影像。
因此，每一子畫素P包含一彩色濾波器。詳細而言，第一子畫素SP1包含一第一彩色濾波器731。此外，第二子畫素SP2包含一第二彩色濾波器732。此外，第三子畫素SP3包含一第三彩色濾波器733。
此外，黑矩陣720對應子畫素SP1、SP2、SP3的邊界。換句話說，黑矩陣720提供在沿著子畫素SP1、SP2、SP3的外部。此外，部份的黑矩陣720對應該些畫素P的邊界。換句話說，部份的黑矩陣720沿著該些畫素P的外部設置。
此外，波長轉換件504係對齊(aligned)液晶面板20。詳細而言，該些波長轉換部530可對齊該些畫素P。詳細而言，該些波長轉換部530可分別對應該些畫素P。換句話說，該些波長轉換部530可提供在對應該些畫素P的區域。換句話說，每一波長轉換部530可面對每一畫素P。
換句話說，每一波長轉換部530可覆蓋一第一子畫素SP1、一 第二子畫素SP2、以及一第三子畫素SP3。換句話說，每一波長轉換部530可與第一子畫素SP1、一第二子畫素SP2、以及一第三子畫素SP3重疊。
因此，黑矩陣720可提供在該些波長轉換部530之間。換句話說，部份的黑矩陣720可插入在該些波長轉換部530之間，另部分的黑矩陣720可與該些波長轉換部530重疊。
因此，該些波長轉換部530可具有一寬度W在約200 μm制約350 μm範圍。詳細而言，該些波長轉換部530可具有約250 μm至約300 μm之範圍的寬度W。在此情況下，在該些波長轉換部530之間的一間距D可在約15 μm至約35 μm的範圍。
參照圖12，該些波長轉換部530可分別對應該些子畫素SP1、SP2、SP3。換句話說，每一波長轉換部530對應每一子畫素SP1、SP2、SP3。詳細而言，每一波長轉換部530可與每一子畫素SP1、SP2、SP3的整個部分重疊。
因此，黑矩陣720的整個部份係提供在該些波長轉換部530之間。換句話說，黑矩陣720可對應該些波長轉換部530的外部。
因此，每一波長轉換部530的寬度W可在約65 μm至約120 μm的範圍。詳細而言，該些波長轉換部530的寬度W可在約80 μm至約100 μm的範圍。此外，在該些波長轉換部530的間距可在約15 μm至約35 μm的範圍。
如上所述，根據實施例的液晶顯示器，每一波長轉換部530係與每一畫素P匹配(matched)，或每一子畫素SP1、SP2、或SP3。在此情況下，更多的波長轉換顆粒532可提供在對應畫素P的區域或子畫素SP1、SP2、或SP3。因此，事實上，具有改善顏色再現性的光得以入射至需要光的該些畫素P或子畫素SP1、SP2、SP3。
因此，根據實施例的液晶顯示器得以展現改善的顏色再現性。
此外，液晶面板20在其邊緣具有一驅動PCB 25以提供驅動訊號至該些閘極線和該些資料線。
驅動PCB 25係透過一晶粒軟模封裝(Chip on Film,COF)24而電性連接液晶面板20。在此情況下，COF24可以一捲帶承載封裝(Tape Carrier Packaged,TCP)取代。
此外，密封層540覆蓋該些波長轉換部530的側邊和上表面以保護該些波長轉換部530。也就是說，該些波長轉換顆粒532可避免外部氧氣及/或濕氣的影響。換句話說，由於密封層540封閉每一波長轉換部530的側邊，密封層540得以呈現提高的密封性。
因此，根據實施例的液晶顯示器得以呈現提高的可靠性、以及提高的耐久性。
此外，該些波長轉換部530係彼此分隔開。因此，該些波長轉換顆粒532並未被提供在該些波長轉換部530的空間。因此， 根據實施例的光學構件和顯示裝置得以減少波長轉換顆粒532使用的數量。
因此，根據實施例的液晶顯示器得以輕易地以低成本製造。
特別是，波長轉換顆粒532可包含量子點其包含鎘(Cd)。在此情況下，鎘(Cd)為對人體具有毒害的金屬。在此情況下，由於根據實施例的液晶顯示器得以減少波長轉換顆粒532的使用數量，根據實施例的液晶顯示器很環保。特別是，當與波長轉換部530形成在液晶面板20整個表面之下的情況相比較，根據實施例的液晶顯示器得以減少使用約25%的波長轉換顆粒532。
在本說明書中所提到的“一實施例”、“實施例”、“範例實施例”等任何的引用，代表本發明之至少一實施例中包括關於該實施例的一特定特徵、結構或特性。此類用語出現在文中多處但不盡然要參考相同的實施例。此外，在特定特徵、結構或特性的描述關係到任何實施例中，皆認為在熟習此技藝者之知識範圍內其利用如此的其他特徵、結構或特徵來實現其它實施例。
雖然數個實施例被用來解釋本發明，但應理解，熟習此項技藝者可想出落入本發明之精神及範疇內的眾多其他修改及實施例。更特定言之，在本發明說明、圖式及所附申請專利範圍之範疇內，所主張組合配置之零部件及/或配置的各種變化及修改係為可能的。對於熟悉此項技術者而言，除了零部件及/或配置之變化 及修改外，替代用途亦將顯而易見。
10‧‧‧背光單元
20‧‧‧液晶面板
21‧‧‧TFT基板
22‧‧‧彩色濾波基板
23‧‧‧液晶層
24‧‧‧晶粒軟模封裝
25‧‧‧驅動PCB
100‧‧‧底蓋
200‧‧‧導光板
300‧‧‧反射片
400‧‧‧發光二極體
401‧‧‧印刷電路板
500‧‧‧光學片
501‧‧‧擴散片
502‧‧‧第一稜鏡片
503‧‧‧第二稜鏡片
504‧‧‧波長轉換件
510‧‧‧下基板
520‧‧‧上基板
530‧‧‧波長轉換部
531‧‧‧基質
532‧‧‧波長轉換顆粒
534‧‧‧傾斜面
535‧‧‧彎曲面
540‧‧‧密封層
550‧‧‧側邊保護部
610‧‧‧第一透明基板
620‧‧‧畫素電極
710‧‧‧第二透明基板
720‧‧‧黑矩陣
731‧‧‧第一彩色濾波器
732‧‧‧第二彩色濾波器
733‧‧‧第三彩色濾波器
740‧‧‧共同電極
D‧‧‧間距
P‧‧‧畫素
SP1‧‧‧第一子畫素
SP2‧‧‧第二子畫素
SP3‧‧‧第三子畫素
W‧‧‧寬度
W3‧‧‧寬度
圖1繪示根據實施例之一液晶顯示器的分解示意圖；圖2繪示根據實施例之一波長轉換件的示意圖；圖3為沿著圖2線A-A’的剖視圖；圖4至6繪示根據實施例之波長轉換件製造流程的剖視圖；圖7繪示波長轉換件之另一範例的剖視圖；圖8繪示波長轉換件之再一範例的剖視圖；圖9繪示畫素和波長轉換部的平面視圖；圖10繪示根據一實施例之一液晶面板和一波長轉換件的剖視圖；圖11繪示根據另一實施例之一液晶面板和一波長轉換件的剖視圖；以及圖12繪示根據再一實施例之一液晶面板和一波長轉換件的剖視圖。
504‧‧‧波長轉換件
510‧‧‧下基板
520‧‧‧上基板
530‧‧‧波長轉換部
531‧‧‧基質
532‧‧‧波長轉換顆粒
540‧‧‧密封層
550‧‧‧側邊保護部

Claims (14)

  1. 一種光學構件，包含：一第一基板；一波長轉換部提供在該第一基板上；一密封層在該第一基板上；一第二基板位於該密封層上；以及一側邊保護部，形成於該密封層、該第一基板及該第二基板之側邊，其中該波長轉換部包含：一基質在該第一基板上；以及複數個波長轉換顆粒在該基質中；其中該第一基板與該第二基板彼此分隔開，其中該密封層分為具有該些波長轉換顆粒的區域，及不具有該些波長轉換顆粒的區域，其中該波長轉換部包括一傾斜面位於第一基板上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之光學構件，其中該波長轉換部的一寬度在250μm至300μm的範圍，且介於該波長轉換部之間的間距在15μm至35μm的範圍。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之光學構件，其中該波長轉換部包含一彎曲面。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之光學構件，其中該第一基板或該第二基板包含高分子化合物，而該高分子化合物包含聚乙烯對苯二甲酯(polyethyleneterephthalate,PET)。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之光學構件，其中該密封層包含矽氧樹脂、二萘嵌苯樹脂(perylene resin)、或環氧樹脂。
  6. 一種顯示裝置，包含：一顯示面板包含複數個畫素區；一如申請專利範圍第1項所述之光學構件，其中該光學構件設置於在該顯示面板之下方且包含分別對應該些畫素區的該波長轉換部；以及一光源用來產生一入射至該光學構件的光。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置，其中該顯示面板包含：一第三基板在該光學構件上；一第四基板在該第三基板上；一液晶層在該第三基板和該四基板之間；複數個第一彩色濾波器在該第四基板上；複數個第二彩色濾波器在該些第一彩色濾波器旁邊；以及複數個第三彩色濾波器在該些第二彩色濾波器旁邊，其中每一畫素區包含一第一彩色濾波器、一第二彩色濾波器、以及一第三彩色濾波器。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置，其中該顯示面板包含複數個彩色濾波器，而該些波長轉換部分別對應該些彩色濾波器。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置，更包含一遮光部對應每一畫素區的一外部，其中該遮光部係提供在介於該些波長轉換部之間的區域。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置，其中該第二基板黏著至該顯示面板的一下部。
  11. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置，其中該密封層係結合至該顯示面板。
  12. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置，其中該些波長轉換部包含一傾斜面，該傾斜面相對於該第一基板的一上表面呈傾斜。
  13. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置，其中該些波長轉換部包含一彎曲面。
  14. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置，其中該密封層包含矽氧樹脂、二萘嵌苯樹脂(perylene resin)、或環氧樹脂。
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WO (1) WO2013012172A2 (zh)

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101210066B1 (ko) 2011-01-31 2012-12-07 엘지이노텍 주식회사 광 변환 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101305696B1 (ko) 2011-07-14 2013-09-09 엘지이노텍 주식회사 표시장치 및 광학 부재
KR20130009020A (ko) 2011-07-14 2013-01-23 엘지이노텍 주식회사 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
KR101262520B1 (ko) 2011-07-18 2013-05-08 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101241549B1 (ko) 2011-07-18 2013-03-11 엘지이노텍 주식회사 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
KR101893494B1 (ko) * 2011-07-18 2018-08-30 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101294415B1 (ko) 2011-07-20 2013-08-08 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101251815B1 (ko) 2011-11-07 2013-04-09 엘지이노텍 주식회사 광학 시트 및 이를 포함하는 표시장치
KR102063985B1 (ko) * 2013-01-29 2020-01-08 엘지디스플레이 주식회사 평판표시장치
CN103226260B (zh) 2013-04-09 2015-12-09 北京京东方光电科技有限公司 液晶显示屏、显示装置及量子点层图形化的方法
KR102279207B1 (ko) * 2013-11-28 2021-07-20 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102132220B1 (ko) * 2013-12-27 2020-07-10 삼성디스플레이 주식회사 양자점 광학 소자의 제조 방법 및 양자점 광학 소자를 포함한 백라이트 유닛
KR102140630B1 (ko) 2014-02-11 2020-08-04 삼성디스플레이 주식회사 파장 변환 부재 및 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리
KR20150125120A (ko) * 2014-04-29 2015-11-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN104076564A (zh) * 2014-06-09 2014-10-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
US9651825B2 (en) * 2014-09-23 2017-05-16 Au Optronics Corporation Liquid crystal lens display device with light shield structure
KR20160038325A (ko) * 2014-09-30 2016-04-07 코닝정밀소재 주식회사 색변환용 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
US9570491B2 (en) * 2014-10-08 2017-02-14 Omnivision Technologies, Inc. Dual-mode image sensor with a signal-separating color filter array, and method for same
TWI537645B (zh) * 2014-10-23 2016-06-11 群創光電股份有限公司 顯示裝置
CN104503137A (zh) * 2014-12-30 2015-04-08 深圳市华星光电技术有限公司 背光模块及具有该背光模块的液晶显示器
CN107209419B (zh) * 2015-02-04 2022-08-12 默克专利股份有限公司 电光切换元件和显示器件
EP3053874B1 (en) * 2015-02-04 2017-11-22 LG Electronics Inc. Light conversion member, and backlight unit and display device including the same
JP6556240B2 (ja) * 2015-08-10 2019-08-07 富士フイルム株式会社 蛍光体含有フィルムおよびバックライトユニット
CN105280686B (zh) * 2015-10-23 2018-09-11 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
CN105204216A (zh) * 2015-10-29 2015-12-30 深圳市华星光电技术有限公司 Pdlc显示面板及其制作方法与液晶显示装置
CN105278153B (zh) * 2015-11-13 2018-03-06 深圳市华星光电技术有限公司 量子点彩膜基板的制备方法及量子点彩膜基板
CN105242449B (zh) * 2015-11-13 2018-05-25 深圳市华星光电技术有限公司 量子点彩膜基板的制备方法及量子点彩膜基板
US10563842B2 (en) * 2016-01-07 2020-02-18 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device
CN105511153A (zh) * 2016-02-16 2016-04-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示面板和显示装置
JP6966850B2 (ja) * 2016-03-18 2021-11-17 日東電工株式会社 光学部材、ならびに、該光学部材を用いたバックライトユニットおよび液晶表示装置
KR102529150B1 (ko) * 2016-05-11 2023-05-03 삼성전자주식회사 광 변환 장치, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 광원 모듈과 백라이트 유닛
WO2018043616A1 (ja) 2016-09-02 2018-03-08 富士フイルム株式会社 蛍光体含有フィルムおよびバックライトユニット
CN109964155B (zh) * 2016-11-07 2021-07-09 富士胶片株式会社 含荧光体膜及背光单元
JP6715946B2 (ja) 2016-11-07 2020-07-01 富士フイルム株式会社 光吸収体含有フィルムおよびバックライトユニット
US20180143469A1 (en) * 2016-11-24 2018-05-24 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Quantum dot film and backlight module
JP6785316B2 (ja) * 2016-11-30 2020-11-18 富士フイルム株式会社 波長変換部材およびバックライトユニット
KR102522593B1 (ko) 2017-01-19 2023-04-17 삼성디스플레이 주식회사 색변환 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20180109220A (ko) * 2017-03-27 2018-10-08 주식회사 루멘스 Led 디스플레이 장치
KR102216415B1 (ko) * 2017-04-04 2021-02-18 후지필름 가부시키가이샤 형광체 함유 필름 및 백라이트 유닛
KR102533078B1 (ko) * 2017-06-16 2023-05-16 삼성디스플레이 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시 장치
CN107175815B (zh) * 2017-07-13 2020-05-19 上海天马微电子有限公司 一种透射式液晶面板与3d打印装置
KR102459728B1 (ko) * 2017-10-20 2022-10-31 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 패널 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR102513512B1 (ko) * 2017-10-31 2023-03-22 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
JP6923814B2 (ja) * 2018-03-26 2021-08-25 日亜化学工業株式会社 発光モジュール
KR102502223B1 (ko) * 2018-04-10 2023-02-21 삼성전자주식회사 발광 다이오드 및 그의 제조 방법
KR102568756B1 (ko) * 2018-06-20 2023-08-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200060581A (ko) * 2018-11-21 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
CN113260815B (zh) * 2019-01-03 2024-02-13 亮视技术公司 用于背光显示器的颜色转换膜和背光单元
CN114822265A (zh) * 2019-05-30 2022-07-29 群创光电股份有限公司 光学装置
JP7339844B2 (ja) * 2019-10-21 2023-09-06 シャープ株式会社 バックライト装置および液晶表示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1881034A (zh) * 2005-06-15 2006-12-20 精工电子有限公司 彩色显示单元
TW200702822A (en) * 2005-04-26 2007-01-16 Samsung Electronics Co Ltd Display device
TW200739192A (en) * 2006-04-04 2007-10-16 Wintek Corp Color liquid crystal display
TW200848809A (en) * 2007-06-04 2008-12-16 Ching-Bin Lin Light guide plate and backlight module capable of converting light source wavelength and enhancing light uniformity
KR20100129030A (ko) * 2009-05-29 2010-12-08 삼성엘이디 주식회사 파장변환시트 및 이를 이용한 발광장치
TW201105767A (en) * 2009-07-03 2011-02-16 Sony Corp A phosphor sheet, a diffusion plate, an illuminating device, and a display unit

Family Cites Families (106)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3931355B2 (ja) 1995-09-06 2007-06-13 日亜化学工業株式会社 面状光源
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US6608332B2 (en) 1996-07-29 2003-08-19 Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Light emitting device and display
US20050146258A1 (en) * 1999-06-02 2005-07-07 Shimon Weiss Electronic displays using optically pumped luminescent semiconductor nanocrystals
JP4573946B2 (ja) 2000-05-16 2010-11-04 株式会社きもと 光拡散性シート
WO2002025167A1 (fr) 2000-09-25 2002-03-28 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Dispositif d'eclairage
US6723478B2 (en) * 2000-12-08 2004-04-20 Hitachi, Ltd. Color filter and liquid crystal display provided therewith
US20030066998A1 (en) 2001-08-02 2003-04-10 Lee Howard Wing Hoon Quantum dots of Group IV semiconductor materials
JP2003255562A (ja) * 2002-03-04 2003-09-10 Sharp Corp パターン形成方法及びその方法を用いた表示装置
TWI292961B (en) 2002-09-05 2008-01-21 Nichia Corp Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device
JP4072632B2 (ja) 2002-11-29 2008-04-09 豊田合成株式会社 発光装置及び発光方法
JP4085379B2 (ja) 2003-03-28 2008-05-14 ミネベア株式会社 面状照明装置
JP2004315661A (ja) 2003-04-16 2004-11-11 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体超微粒子及び電界発光素子
US7040774B2 (en) 2003-05-23 2006-05-09 Goldeneye, Inc. Illumination systems utilizing multiple wavelength light recycling
US7517728B2 (en) * 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
CN100411207C (zh) 2004-06-28 2008-08-13 京瓷株式会社 发光装置及照明装置
US7255469B2 (en) 2004-06-30 2007-08-14 3M Innovative Properties Company Phosphor based illumination system having a light guide and an interference reflector
JP2006054088A (ja) 2004-08-11 2006-02-23 Alps Electric Co Ltd 面発光装置及び液晶表示装置
KR20060030350A (ko) 2004-10-05 2006-04-10 삼성전자주식회사 백색광 발생 유닛, 이를 갖는 백라이트 어셈블리 및 이를갖는 액정표시장치
CN1758114A (zh) 2004-10-09 2006-04-12 台达电子工业股份有限公司 背光模块
DE102005051628B4 (de) 2004-10-29 2010-09-30 Lg Display Co., Ltd. Hintergrundbeleuchtungseinheit und Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
US7481562B2 (en) * 2004-11-18 2009-01-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for providing illuminating light using quantum dots
KR100735148B1 (ko) 2004-11-22 2007-07-03 (주)케이디티 백라이트 장치용 광 여기 확산시트, 이를 이용한액정표시용 백라이트 장치
KR100637201B1 (ko) 2004-12-20 2006-10-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
US7316497B2 (en) 2005-03-29 2008-01-08 3M Innovative Properties Company Fluorescent volume light source
KR100681521B1 (ko) * 2005-04-06 2007-02-09 (주)케이디티 백라이트 유니트
JPWO2006120895A1 (ja) 2005-05-12 2008-12-18 出光興産株式会社 色変換材料組成物及びこれを含む色変換媒体
US7632000B2 (en) 2005-05-25 2009-12-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Backlight assembly and liquid crystal display device having the same
KR101082898B1 (ko) 2005-05-25 2011-11-11 삼성전자주식회사 백라이트 어셈블리 및 이를 갖는 액정표시장치
KR20060129835A (ko) 2005-06-13 2006-12-18 삼성전자주식회사 백라이트 어셈블리 및 이를 갖는 액정표시장치
JP4579065B2 (ja) 2005-06-23 2010-11-10 セイコーインスツル株式会社 照明装置、及びこれを備える表示装置
JP4469307B2 (ja) 2005-05-31 2010-05-26 セイコーインスツル株式会社 表示装置
US20060268537A1 (en) 2005-05-31 2006-11-30 Makoto Kurihara Phosphor film, lighting device using the same, and display device
DE102005061828B4 (de) 2005-06-23 2017-05-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wellenlängenkonvertierendes Konvertermaterial, lichtabstrahlendes optisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
KR20070002210A (ko) 2005-06-30 2007-01-05 삼성전자주식회사 평판 형광 램프와 이를 포함하는 표시장치
TW200707025A (en) 2005-07-08 2007-02-16 Toshiba Kk Backlight and liquid crystal display using the same
KR100665219B1 (ko) 2005-07-14 2007-01-09 삼성전기주식회사 파장변환형 발광다이오드 패키지
JP4771837B2 (ja) 2005-11-28 2011-09-14 京セラ株式会社 波長変換器および発光装置
JPWO2007086279A1 (ja) * 2006-01-27 2009-06-18 コニカミノルタエムジー株式会社 ナノ半導体粒子およびその製造方法
KR20070079204A (ko) 2006-02-01 2007-08-06 삼성전자주식회사 광학판의 제조방법, 이에 의한 광학판 및 광학판을포함하는 액정표시장치
KR100867519B1 (ko) 2006-02-02 2008-11-07 삼성전기주식회사 발광 다이오드 모듈
EP2041478B1 (en) 2006-03-07 2014-08-06 QD Vision, Inc. An article including semiconductor nanocrystals
JP4931628B2 (ja) 2006-03-09 2012-05-16 セイコーインスツル株式会社 照明装置及びこれを備える表示装置
KR100728940B1 (ko) 2006-03-10 2007-06-14 (주)케이디티 광여기 시트
KR100773993B1 (ko) 2006-03-10 2007-11-08 (주)케이디티 광여기 시트
US7731377B2 (en) 2006-03-21 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Backlight device and display device
WO2007122857A1 (ja) 2006-03-23 2007-11-01 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 発光装置
JP2007273562A (ja) 2006-03-30 2007-10-18 Toshiba Corp 半導体発光装置
US20070263408A1 (en) 2006-05-09 2007-11-15 Chua Janet Bee Y Backlight module and method of making the module
KR20080043541A (ko) 2006-11-14 2008-05-19 삼성에스디아이 주식회사 표시 장치
KR20080063986A (ko) 2007-01-03 2008-07-08 삼성전기주식회사 파장변환용 확산시트 및 이를 이용한 백라이트 유닛
KR100862532B1 (ko) 2007-03-13 2008-10-09 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 제조방법
US20080237540A1 (en) 2007-03-19 2008-10-02 Nanosys, Inc. Methods for encapsulating nanocrystals
US20100155749A1 (en) 2007-03-19 2010-06-24 Nanosys, Inc. Light-emitting diode (led) devices comprising nanocrystals
US20100110728A1 (en) 2007-03-19 2010-05-06 Nanosys, Inc. Light-emitting diode (led) devices comprising nanocrystals
RU2442197C2 (ru) 2007-05-17 2012-02-10 Призм, Инк. Многослойные экраны со светоизлучающими полосками для систем отображения со сканирующим лучом
JP4976196B2 (ja) 2007-05-18 2012-07-18 セイコーインスツル株式会社 表示装置及び照明装置
US7859175B2 (en) 2007-05-18 2010-12-28 Seiko Instruments Inc. Illuminating device, display device and optical film
JP2010533976A (ja) 2007-07-18 2010-10-28 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 固体照明に有用な量子ドットベースの光シート
US8585273B2 (en) * 2007-07-31 2013-11-19 Rambus Delaware Llc Illumination assembly including wavelength converting material
US20090034230A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Luminus Devices, Inc. Illumination assembly including wavelength converting material having spatially varying density
JP5019289B2 (ja) 2007-08-10 2012-09-05 オリンパス株式会社 光ファイバ照明装置
EP2176586A1 (en) 2007-08-16 2010-04-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting assembly
KR101361908B1 (ko) 2007-08-29 2014-02-12 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 구비한 액정표시장치
DE102008012316B4 (de) 2007-09-28 2023-02-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterlichtquelle mit einer Primärstrahlungsquelle und einem Lumineszenzkonversionselement
US8035590B2 (en) 2007-11-02 2011-10-11 Sony Corporation Color liquid crystal display device assembly
JP4613947B2 (ja) * 2007-12-07 2011-01-19 ソニー株式会社 照明装置、色変換素子及び表示装置
JP5280106B2 (ja) 2007-12-07 2013-09-04 デクセリアルズ株式会社 光源装置および表示装置
TW200939534A (en) 2008-03-14 2009-09-16 Forhouse Corp LED light source module
EP2272102B1 (en) 2008-03-26 2016-06-22 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Semiconductor light-emitting apparatus
JP5418762B2 (ja) 2008-04-25 2014-02-19 ソニー株式会社 発光装置および表示装置
JP4633147B2 (ja) 2008-07-22 2011-02-16 三菱電機株式会社 面光源装置
US8459855B2 (en) * 2008-07-28 2013-06-11 Munisamy Anandan UV LED based color pixel backlight incorporating quantum dots for increasing color gamut of LCD
JP2010061708A (ja) 2008-09-01 2010-03-18 Showa Denko Kk 磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置
KR100982991B1 (ko) 2008-09-03 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 양자점 파장변환체, 양자점 파장변환체의 제조방법 및 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치
JP5440064B2 (ja) 2008-10-21 2014-03-12 東芝ライテック株式会社 照明装置
KR101577300B1 (ko) 2008-10-28 2015-12-15 삼성디스플레이 주식회사 양자점을 이용한 백색광 발광다이오드 구조 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리
WO2010071386A2 (ko) 2008-12-19 2010-06-24 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지, 백라이트 유닛, 디스플레이 장치 및 조명장치
JP5717949B2 (ja) 2009-01-26 2015-05-13 デクセリアルズ株式会社 光学部材および表示装置
US7828453B2 (en) 2009-03-10 2010-11-09 Nepes Led Corporation Light emitting device and lamp-cover structure containing luminescent material
US7972023B2 (en) 2009-03-10 2011-07-05 Nepes Led Corporation Lamp-cover structure containing luminescent material
US20110044046A1 (en) 2009-04-21 2011-02-24 Abu-Ageel Nayef M High brightness light source and illumination system using same
KR101328783B1 (ko) 2009-05-26 2013-11-13 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
TW201044067A (en) 2009-06-01 2010-12-16 Chi Mei Optoelectronics Corp Backlight module and liquid crystal display
JP5238618B2 (ja) 2009-06-12 2013-07-17 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
KR20110012246A (ko) 2009-07-30 2011-02-09 엘지이노텍 주식회사 백라이트 유닛
US20120194764A1 (en) * 2009-11-11 2012-08-02 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for manufacturing liquid crystal display device
KR101508284B1 (ko) 2009-12-15 2015-04-06 엘지이노텍 주식회사 양자점을 이용한 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정표시장치
CN102102817A (zh) 2009-12-22 2011-06-22 株式会社住田光学玻璃 发光装置、光源及其制造方法
TWI398700B (zh) 2009-12-30 2013-06-11 Au Optronics Corp 使用量子點螢光粉之顯示裝置及其製造方法
BR112012026325A2 (pt) 2010-04-16 2019-09-24 Flex Lighting Ii Llc dispositivo de iluminação compreendendo um guia de luz baseado em película
KR101636441B1 (ko) * 2010-04-23 2016-07-06 삼성전자주식회사 컬러 필터 및 이를 채용한 디스플레이 장치
KR101701835B1 (ko) 2010-06-29 2017-02-02 엘지전자 주식회사 이동 단말기
TWI407199B (zh) 2010-10-29 2013-09-01 Au Optronics Corp 平面顯示結構及其製造方法
KR20200039806A (ko) 2010-11-10 2020-04-16 나노시스, 인크. 양자 도트 필름들, 조명 디바이스들, 및 조명 방법들
KR101272993B1 (ko) 2010-12-21 2013-06-10 엘지이노텍 주식회사 표시장치 및 광 변환 부재의 제조방법
TW201227092A (en) 2010-12-31 2012-07-01 Ind Tech Res Inst Mixing light module
KR101210180B1 (ko) 2011-04-21 2012-12-07 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이의 제조방법
KR20130009020A (ko) 2011-07-14 2013-01-23 엘지이노텍 주식회사 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
KR101273127B1 (ko) 2011-07-14 2013-06-13 엘지이노텍 주식회사 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
KR101893494B1 (ko) * 2011-07-18 2018-08-30 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101262541B1 (ko) 2011-07-18 2013-05-08 엘지이노텍 주식회사 표시장치
KR101823684B1 (ko) 2011-07-18 2018-01-30 엘지이노텍 주식회사 표시장치
KR101294415B1 (ko) 2011-07-20 2013-08-08 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
TW201321846A (zh) * 2011-11-17 2013-06-01 Au Optronics Corp 具有彩色濾光陣列之畫素陣列基板及顯示面板
KR20150145798A (ko) 2014-06-19 2015-12-31 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 어셈블리 및 그를 포함하는 표시장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200702822A (en) * 2005-04-26 2007-01-16 Samsung Electronics Co Ltd Display device
CN1881034A (zh) * 2005-06-15 2006-12-20 精工电子有限公司 彩色显示单元
TW200739192A (en) * 2006-04-04 2007-10-16 Wintek Corp Color liquid crystal display
TW200848809A (en) * 2007-06-04 2008-12-16 Ching-Bin Lin Light guide plate and backlight module capable of converting light source wavelength and enhancing light uniformity
KR20100129030A (ko) * 2009-05-29 2010-12-08 삼성엘이디 주식회사 파장변환시트 및 이를 이용한 발광장치
TW201105767A (en) * 2009-07-03 2011-02-16 Sony Corp A phosphor sheet, a diffusion plate, an illuminating device, and a display unit

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