KR102140630B1 - 파장 변환 부재 및 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리 - Google Patents

파장 변환 부재 및 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리 Download PDF

Info

Publication number
KR102140630B1
KR102140630B1 KR1020140015554A KR20140015554A KR102140630B1 KR 102140630 B1 KR102140630 B1 KR 102140630B1 KR 1020140015554 A KR1020140015554 A KR 1020140015554A KR 20140015554 A KR20140015554 A KR 20140015554A KR 102140630 B1 KR102140630 B1 KR 102140630B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
wavelength conversion
hydrophobic film
hydrophobic
conversion member
Prior art date
Application number
KR1020140015554A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150094871A (ko
Inventor
이상혁
남석현
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020140015554A priority Critical patent/KR102140630B1/ko
Priority to US14/293,837 priority patent/US9874661B2/en
Publication of KR20150094871A publication Critical patent/KR20150094871A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102140630B1 publication Critical patent/KR102140630B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/18—Coatings for keeping optical surfaces clean, e.g. hydrophobic or photo-catalytic films
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/005—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed on the light output side of the light guide
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133614—Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light

Abstract

파장 변환 부재 및 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 파장 변환 부재는 제1 기판, 제1 기판 상에 위치하는 제2 기판, 제1 기판 및 제2 기판 사이에 위치하는 파장 변환층, 및 제1 기판, 제2 기판, 및 파장 변환층의 측면을 따라 위치하는 제1 소수성막을 포함한다.

Description

파장 변환 부재 및 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리 {Wavelengh conversion member, and method for manufacturing the same, and backlight assembly including the same}
본 발명은 파장 변환 부재 및 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리에 관한 것이다.
표시 장치는 데이터를 시각적으로 표시하는 장치이다. 표시 장치로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display), 전기영동 표시 장치(Electrophoretic Display), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display), 무기 EL 표시 장치(Electro Luminescent Display), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display), 표면 전도 전자 방출 표시 장치(Surface-conduction Electron-emitter Display), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display), 및 음극선관 표시 장치(Cathode Ray Display) 등이 있을 수 있다.
이러한 표시 장치 중 액정 표시 장치는 투명한 두 기판들 사이에 액정층을 배치하고, 액정층의 구동에 따라 각 화소별로 광투과율을 조절함으로써, 원하는 화상을 표시할 수 있는 표시 장치이다.
이러한 액정 표시 장치는 액정 자체가 발광을 할 수 없기 때문에, 액정층에 광을 제공하는 백라이트 어셈블리를 포함한다. 이러한 백라이트 어셈블리는 일반적으로 광원부, 도광판, 확산판, 반사판, 및 다양한 광학 시트 등을 포함한다.
일반적으로, 백라이트 어셈블리에 사용되는 광원부는 청색 광을 방출하는 광원 및 광원 상에 위치하고 청색 광을 흰색 광으로 변환하는 파장 변환 물질을 포함한다. 이에 따라, 광원부는 도광판 또는 확산판에 흰색 광을 제공하게 된다.
그러나, 파장 변환 물질이 광원과 인접하게 위치하면, 광원에 의한 열화 등에 의하여 파장 변환 물질의 특성이 저하될 수 있다. 이에 따라, 파장 변환 물질을 광원과 일정 거리 이상 이격시키기 위하여, 파장 변환 물질을 포함하는 별도의 파장 변환 부재를 도광판 또는 확산판 상에 배치할 수 있다.
이와 같은 별도의 파장 변환 부재는 두 개의 기판 사이에 파장 변환 물질을 개재하여 형성할 수 있다. 그러나, 이 경우, 외부의 수분이 두 개의 기판의 테두리 부분으로 침투하여 파장 변환 물질의 특성을 저하시킬 수 있다. 특히, 파장 변환 물질로 수분에 취약한 양자점을 이용할 경우, 두 개의 기판의 테두리 부분의 양자점이 수분과 결합하여 불그스름(Reddish)해질 수 있다. 이러한 현상은 두 개의 기판의 에지로부터 약 1mm 안쪽까지 발생할 수 있어, 이를 포함하는 백라이트 어셈블리 및 표시 장치의 균일한 색 구현 및 네로우 베젤 구현에 장애가 될 수 있다.
이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 에지부에 적어도 하나의 소수성막을 포함함으로써, 외부의 수분이 파장 변환 물질에 침투하는 것을 방지할 수 있는 파장 변환 부재를 제공하고자 하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 에지부에 적어도 하나의 소수성막을 포함함으로써, 외부의 수분이 파장 변환 물질에 침투하는 것을 방지할 수 있는 파장 변환 부재의 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 에지부에 적어도 하나의 소수성막을 포함함으로써, 외부의 수분이 파장 변환 물질에 침투하는 것을 방지할 수 있는 파장 변환 부재를 포함하는 백라이트 어셈블리를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 파장 변환 부재는 제1 기판, 제1 기판 상에 위치하는 제2 기판, 제1 기판 및 제2 기판 사이에 위치하는 파장 변환층, 및 제1 기판, 제2 기판, 및 파장 변환층의 측면을 따라 위치하는 제1 소수성막을 포함한다.
상기 파장 변환층은 양자점을 포함할 수 있다.
상기 제1 소수성막은 에어로겔(Aerogel) 및 옥타데실트리클로로실란(Octadecyltrichlorosilane; OTS) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 소수성막 상에 위치하는 제2 소수성막을 더 포함하되, 제1 소수성막 및 제2 소수성막은 상이한 물질로 이루어질 수 있다.
여기에서, 상기 제1 소수성막은 에어로겔 및 옥타데실트리클로로실란 중 어느 하나를 포함하고, 제2 소수성막은 에어로겔 및 옥타데실트리클로로실란 중 다른 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 소수성막의 양 단부는 절곡되어 제1 기판 및 제2 기판의 에지부를 커버할 수 있다.
또한, 상기 파장 변환 부재는 제1 기판 및 제2 기판 사이에 위치하고, 제2 소수성막과 중첩하는 실런트를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 소수성막은 제1 기판, 제2 기판, 및 제1 소수성막을 완전히 둘러쌀 수 있다.
또한, 상기 파장 변환 부재는 제2 소수성막 상에 위치하는 제3 소수성막을 더 포함하되, 제3 소수성막은 제1 소수성막과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 파장 변환 부재는 제1 기판 및 파장 변환층 사이 및 제2 기판 및 파장 변환층 사이 중 적어도 어느 하나에 위치하는 제4 소수성막을 더 포함하되, 제4 소수성막은 제2 소수성막과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 제4 소수성막은 제1 기판 및 제2 기판 중 적어도 하나를 완전히 둘러쌀 수 있다.
상기 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 파장 변환 부재의 제조 방법은 제1 기판, 파장 변환층, 및 제2 기판을 순차적으로 적층하는 단계, 및 제1 기판, 파장 변환층, 및 제2 기판의 측면을 따라 제1 소수성막을 코팅하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 소수성막을 코팅하는 단계는, 롤러를 이용하여 제1 기판, 파장 변환층, 및 제2 기판의 측면 상에 제1 소수성 용액을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 소수성막을 코팅하는 단계는, 제1 소수성 용액을 형성하는 단계 후에, 제1 소수성 용액을 건조시켜 제1 소수성 막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 소수성막을 코팅하는 단계 후에, 제1 소수성막 상에 제1 소수성막과 상이한 물질로 이루어진 제2 소수성막을 코팅하는 단계를 포함할 수 있다.
여기에서, 상기 제2 소수성막을 코팅하는 단계는, 제1 기판, 파장 변환층, 및 제2 기판의 에지부를 배스 내의 제2 소수성 용액에 딥핑하여, 제1 기판, 파장 변환층, 및 제2 기판의 에지부 상에 제2 소수성 용액을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 소수성막을 코팅하는 단계는, 제2 소수성 용액을 형성하는 단계 후에, 제2 소수성 용액을 건조시켜 제2 소수성 막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 또 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 어셈블리는 광을 방출하는 광원, 및 광원에서 방출된 광의 파장을 변환하는 파장 변환 부재를 포함하되, 파장 변환 부재는, 제1 기판, 제1 기판 상에 위치하는 제2 기판, 제1 기판 및 제2 기판 사이에 위치하는 파장 변환층, 및 제1 기판, 제2 기판, 및 파장 변환층의 측면을 따라 위치하는 적어도 하나의 소수성막을 포함한다.
상기 파장 변환층은 양자점을 포함할 수 있다.
상기 광원은 청색 광을 방출하고, 파장 변환 부재는 청색 광을 흰색 광으로 변환할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
즉, 외부의 수분이 파장 변환 물질에 침투하는 것을 방지하여, 파장 변환 물질의 특성 저하를 방지할 수 있다. 이에 따라, 이를 포함하는 파장 변환 부재 및 백라이트 어셈블리의 광 특성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 파장 변환 부재의 평면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 4 및 도 5는 도 2의 파장 변환 부재의 제조 방법의 공정 단계도이다.
도 6 내지 도 11은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 파장 변환 부재들의 단면도들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층"위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널(200), 백라이트 어셈블리, 탑 샤시(100), 및 바텀 샤시(900)를 포함할 수 있다.
표시 패널(200)은 화상을 디스플레이하는 패널로서, LCD 패널(Liquid Crystal Display Panel), 전기영동 표시 패널(Electrophoretic Display Panel), OLED 패널(Organic Light Emitting Diode Panel), LED 패널(Light Emitting Diode Panel), 무기 EL 패널(Electro Luminescent Display Panel), FED 패널(Field Emission Display Panel), SED 패널(Surface-conduction Electron-emitter Display Panel), PDP(Plasma Display Panel), CRT(Cathode Ray Tube) 표시 패널일 수 있다. 이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치로서, 액정 표시 장치를 예로 하여 설명하며, 표시 패널(200) 또한 LCD 패널로서 설명하지만, 본 발명의 표시 장치 및 표시 패널(200)은 이에 제한되지 않으며, 다양한 방식의 표시 장치 및 표시 패널이 사용될 수 있다.
표시 패널(200)은 화상이 디스플레이 되는 표시 영역 및 화상이 디스플레이 되지 않는 비표시 영역을 포함할 수 있다. 여기에서, 표시 영역은 비표시 영역에 둘러싸일 수 있다. 또한, 표시 패널(200)은 제1 표시 기판(210), 제1 표시 기판(210)에 대향하는 제2 표시 기판(220), 및 제1 표시 기판(210)과 제2 표시 기판(220) 사이에 개재된 액정층(미도시)을 포함할 수 있다.
제1 표시 기판(210) 및 제2 표시 기판(220)은 직육면체 형상일 수 있다. 도 1에서는 설명의 편의를 위해 제1 표시 기판(210) 및 제2 표시 기판(220)의 형상을 직육면체로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 표시 패널(200)의 형상에 따라 제1 표시 기판(210) 및 제2 표시 기판(220)은 다양한 형상으로 제조될 수 있다.
제1 표시 기판(210) 및 제2 표시 기판(220) 사이에는 액정층이 개재될 수 있다. 또한, 제1 표시 기판(210)과 제2 표시 기판(220) 사이에는 실링 부재가 제1 표시 기판(210) 및 제2 표시 기판(220)의 테두리 부분을 따라 배치되어 제1 표시 기판(210)과 제2 표시 기판(220)을 상호 합착하고 밀봉할 수 있다.
도 1에 도시되지는 않았지만, 표시 패널(200)은 제1 표시 기판(210) 또는 제2 표시 기판(220)에 부착된 구동부와 연성 회로 기판을 포함할 수 있다. 구동부는 표시 영역에서 화상을 디스플레이하기 위해 요구되는 구동 신호 등의 다양한 신호를 인가할 수 있다. 연성 회로 기판은 구동부로 각종 신호를 출력할 수 있다.
백라이트 어셈블리는 표시 패널(200)의 하부에 배치될 수 있다. 백라이트 어셈블리는 표시 패널(200)에 광을 제공할 수 있다. 본 명세서에서는 광원부(600)가 도광판(700)의 측면 상에 위치하는 에지형 백라이트 어셈블리를 중심으로 설명하지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 광원부(600)가 확산판의 하면 상에 위치하는 직하형 백라이트 어셈블리에도 본 발명의 실시예들이 적용 가능하다.
백라이트 어셈블리는 광원부(600), 도광판(700), 파장 변환 부재(500), 광학 시트(400), 반사판(800), 및 몰드 프레임(300)을 포함할 수 있다.
광원부(600)는 광을 발생시키고, 발생된 광을 도광판(700)에 조사할 수 있다. 광원부(600)는 도광판(700)의 일 측면, 즉, 입광면 상에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 광원부(600)는 도광판(700)의 하나의 장변에 대응되게 배치될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 도광판(700)의 하나의 단변에 대응되게 배치될 수도 있다.
광원부(600)는 회로 기판(610) 및 회로 기판(610) 상에 배치된 복수의 광원(620)을 포함할 수 있다.
회로 기판(610)은 도광판(700)의 입광면 상에 배치될 수 있다. 회로 기판(610)은 전원(미도시)과 연결되어, 전기 에너지를 광원(620)에 전달할 수 있다. 도광판(700)의 입광면과 대향하는 회로 기판(610)의 일면의 형상은 도광판(700)의 입광면의 형상에 대응할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 상기 회로 기판(610)의 일면은 도광판(700)의 입광면과 평행할 수 있다. 또한, 상기 회로 기판(610)의 일면의 면적은 도광판(700)의 입광면의 면적과 실질적으로 동일할 수 있다.
복수의 광원(620)은 회로 기판(610)의 일면 상에 배치될 수 있다. 복수의 광원(620)은 회로 기판(610)을 통하여 전달된 전기 에너지를 광 에너지로 변환시킬 수 있다. 복수의 광원(620)은 서로 일정 간격 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 복수의 광원(620)은 일렬로 배치될 수 있다. 또한, 복수의 광원(620)은 대향하는 도광판(700)의 입광면의 형상에 대응되도록 배치될 수 있다. 또한, 복수의 광원(620)은 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)일 수 있다. 또한, 복수의 광원(620)은 청색 광을 방출할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 광원(620)은 청색 광을 방출하는 청색 발광 다이오드일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1에 도시된 예시적인 실시예에서는 광원(620)과 접촉하는 회로 기판(610)의 일면이 입광면과 평행하지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 광원(620)과 접촉하는 회로 기판(610)의 일면이 입광면과 수직할 수 있다. 즉, 광원부(600)는 측면 발광(side emitting) 구조를 가질 수 있다. 이때, 광원(620)에서 방출된 광을 입광면 방향으로 가이드하기 위한 별도의 반사막이 광원(620) 상에 형성될 수 있다.
도광판(700)은 광원부(600)의 측부에 위치할 수 있다. 즉, 도광판(700)은 광원부(600)와 실질적으로 동일한 평면 상에 위치할 수 있다. 도광판(700)은 광원부(600)로부터 조사된 광을 가이드하여 파장 변환 부재(500)에 전달할 수 있다.
도광판(700)은 투명한 재질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 도광판(700)은 폴리메틸메타아크릴레이트(Polymethyl-Methacrylate, PMMA)로 이루어질 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 광을 가이드할 수 있는 다양한 투명 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 도광판(700)은 강성(rigid) 물질로 이루어질 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 가요성 물질로 이루어질 수도 있다.
도광판(700)은 직육면체의 플레이트 형상을 가질 수 있다. 본 명세서에서는 직육면체의 플레이트 형상을 가지는 도광판(700)을 중심으로 서술하지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 형상을 가지는 도광판(700)이 적용될 수 있음은 물론이다.
파장 변환 부재(500)는 도광판(700) 상에 위치할 수 있다. 구체적으로, 파장 변환 부재(500)는 도광판(700) 및 광학 시트(400) 사이에 개재될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고, 파장 변환 부재(500)는 광원부(600) 및 도광판(700) 사이에 개재될 수도 있다.
파장 변환 부재(500)는 도광판(700)에서 출사되어 파장 변환 부재(500)로 입사되는 광의 파장을 더 길게 변환할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 파장 변환 부재(500)는 도광판(700)에서 출사되어 파장 변환 부재(500)로 입사되는 청색 광을 흰색 광으로 변환할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
파장 변환 부재(500)의 면적은 도광판(700)의 상면의 면적과 실질적으로 동일할 수 있다. 또한, 파장 변환 부재(500)의 면적은 광학 시트(400)의 면적과 실질적으로 동일할 수 있다. 이러한 파장 변환 부재(500)에 대한 더욱 상세한 설명은 후술하도록 한다.
광학 시트(400)는 파장 변환 부재(500)의 상부에 배치될 수 있다. 광학 시트(400)는 도광판(700)의 출광면으로 출사된 후 파장 변환 부재(500)에 의하여 파장 변환된 광의 광학적 특성을 변조할 수 있다. 광학 시트(400)는 복수일 수 있으며, 복수의 광학 시트(400)는 서로 중첩되게 적층되어 서로를 보완할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 복수의 광학 시트(400)는 적어도 하나의 프리즘 시트 또는 확산 시트를 포함할 수 있다.
반사판(800)은 도광판(700)의 하측에 배치될 수 있다. 반사판(800)은 광원부(600)에서 출사되어 도광판(700)의 하측으로 진행하는 광의 경로를 변경시킬 수 있다. 이러한 반사판(800)은 반사성 물질, 예컨대, 금속으로 이루어질 수 있다.
몰드 프레임(300)은 표시 패널(200) 및 광학 시트(400) 사이에 배치될 수 있다. 몰드 프레임(300)은 바텀 샤시(900)와 맞물림으로써, 광원부(600), 도광판(700), 반사 부재, 파장 변환 부재(500), 광학 시트(400), 및 반사판(800)을 고정시킬 수 있다. 또한, 몰드 프레임(300)은 표시 패널(200)의 테두리 부분과 접촉하여, 표시 패널(200)을 지지하고 고정시킬 수도 있다.
탑 샤시(100)는 표시 패널(200)의 테두리를 덮으며, 표시 패널(200) 및 백라이트 어셈블리의 측면을 감쌀 수 있다. 바텀 샤시(900)는 백라이트 어셈블리를 수납할 수 있다. 탑 샤시(100) 및 바텀 샤시(900)는 서로 맞물려, 표시 패널(200) 및 백라이트 어셈블리를 둘러쌀 수 있다. 이러한 탑 샤시(100) 및 바텀 샤시(900)는 도전성을 갖는 물질, 예컨대 금속으로 이루어질 수 있다.
이하, 파장 변환 부재(500)에 대하여 더욱 상세히 설명하기 위하여 도 2 및 도 3을 참조한다. 도 2는 도 1의 표시 장치의 파장 변환 부재(500)의 평면도이다. 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 파장 변환 부재(500)는 제1 기판(510), 파장 변환층(520), 제2 기판(530), 제1 소수성막(540), 및 제2 소수성막(550)을 포함할 수 있다.
제1 기판(510)은 도광판(700) 상에 위치할 수 있다. 또한, 제1 기판(510)은 파장 변환층(520) 하부에 위치할 수 있다. 구체적으로, 제1 기판(510)은 파장 변환층(520)의 하면과 직접적으로 접촉할 수 있다. 이러한 제1 기판(510)은 투명할 수 있다. 또한, 제1 기판(510)은 가요성을 가질 수도 있다. 또한, 제1 기판(510)은 직육면체의 플레이트 형상을 가질 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 표시 패널(200) 또는 도광판(700)의 형상에 따라 그 형상이 달라질 수 있다.
제1 기판(510)은 파장 변환층(520)을 물리적인 충격으로부터 보호함과 동시에, 외부의 수분 등으로부터 보호할 수 있는 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 기판(510)은 절연성 물질, 예컨대, 산화규소(SiOx), 질화규소(SiNx), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예에서, 제1 기판(510)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene phthalate, PET) 및 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC)와 같은 플라스틱 필름일 수 있다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 제1 기판(510)은 글라스 재질로 이루어질 수 있다.
파장 변환층(520)은 제1 기판(510) 상에 위치할 수 있다. 구체적으로, 파장 변환층(520)은 제1 기판(510) 및 제2 기판(530) 사이에 개재될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 파장 변환층(520)은 제1 기판(510) 및 제2 기판(530)과 완전히 중첩할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 제1 기판(510)의 중심 영역에만 위치할 수 있다. 이러한 파장 변환층(520)은 파장 변환층(520)에 입사되는 광의 파장을 변환할 수 있다. 예를 들어, 파장 변환층(520)은 파장 변환층(520)에 입사되는 청색 광을 흰색 광으로 변환할 수 있다.
파장 변환층(520)은 파장 변환 물질, 예컨대, 형광체, 양자점, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
형광체는 일반적인 유기 형광체 또는 무기 형광체일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 형광체는 노란색 형광체일 수 있다. 이러한 노란색 형광체는 YAG계 형광 물질, Silicate계 형광 물질, 산질화물 형광 물질, 또는 이들의 조합일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
양자점은 코어-쉘(Core-Shell) 구조의 반도체 나노 입자로써 크기가 수㎚ 내지 수십㎚ 크기를 가지며 양자고립효과(Quantum Quanfinement Effect)에 의하여 입자의 크기에 따라 발광 빛이 다르게 나는 특성을 가지는 것을 의미한다. 보다 구체적으로, 양자점은 좁은 파장대에서 강한 빛을 발생하며, 양자점이 발산하는 빛은 전도대(Conduction band)에서 가전자대(valence band)로 불안정한(들뜬) 상태의 전자가 내려오면서 발생한다. 이때, 양자점은 그 입자가 작을수록 짧은 파장의 빛이 발생하고, 입자가 클수록 긴 파장의 빛을 발생하는 성질이 있다. 따라서, 양자점의 크기를 조절하면 원하는 파장의 가시광선 영역의 빛을 모두 낼 수 있다.
양자점은 Si계 나노결정, II-VI족계 화합물 반도체 나노결정, III-V족계 화합물 반도체 나노결정, IV-VI족계 화합물 반도체 나노결정 및 이들의 혼합물 중 어느 하나의 나노결정을 포함할 수 있다.
상기 II-VI족계 화합물 반도체 나노결정은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe 및 HgZnSTe로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나인 것일 수 있다.
또한, 상기 III-V족계 화합물 반도체 나노결정은 GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs, 및 InAlPAs로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나인 것일 수 있으며, 상기 IV-VI족계 화합물 반도체 나노결정은 SbTe일 수 있다.
파장 변환층(520)은 크기가 같은 한 종류의 양자점을 포함할 수 있지만, 크기가 서로 다른 두 종류의 양자점을 포함할 수도 있다.
파장 변환층(520)은 형광체 및 양자점과 같은 파장 변환 물질 외에 파장 변환 물질을 분산시키는 분산 매질을 더 포함할 수 있다. 즉, 상기 형광체 또는 양자점은 유기 용매 또는 레진과 같은 분산 매질에 자연스럽게 배위된 형태로 분산될 수 있다. 이러한 분산 매질로는 형광체 또는 양자점의 파장 변환 성능에 영향을 미치지 않으면서 광에 의해 광을 반사시키지 않으며, 광 흡수를 일으키지 않도록 하는 범위에서 투명한 매질이라면 어느 것이든 사용할 수 있다.
상기 유기 용매는 예를 들면, 톨루엔(toluene), 클로로포름(chloroform) 및 에탄올(ethanol) 중 적어도 한가지를 포함할 수 있으며, 레진은 예를 들면, 에폭시(epoxy), 실리콘(silicone), 폴리스틸렌(polystyrene) 및 아크릴레이트(acrylate) 중 적어도 한가지를 포함할 수 있다.
또한, 파장 변환층(520)은 상기 분산 매질 외에 UV 개시제, 열경화 첨가제, 가교제, 확산제, 및 이들의 조합을 더 포함할 수 있다. 이와 같이, 파장 변환층(520)은 파장 변환 물질과 상기 첨가제들이 혼합된 상태로 제1 기판(510) 상에 위치할 수 있다.
제2 기판(530)은 파장 변환층(520) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로, 제2 기판(530)은 파장 변환층(520)의 상면과 직접적으로 접촉할 수 있다. 이러한 제2 기판(530)은 투명할 수 있다. 또한, 제2 기판(530)은 가요성을 가질 수도 있다. 또한, 제2 기판(530)은 직육면체의 플레이트 형상을 가질 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 표시 패널(200) 또는 도광판(700)의 형상에 따라 그 형상이 달라질 수 있다. 또한, 제2 기판(530)의 형상은 제1 기판(510)의 형상과 실질적으로 동일할 수 있다.
제2 기판(530)은 파장 변환층(520)을 물리적인 충격으로부터 보호함과 동시에, 외부의 수분 등으로부터 보호할 수 있는 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 기판(530)은 절연성 물질, 예컨대, 산화규소(SiOx), 질화규소(SiNx), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예에서, 제2 기판(530)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene phthalate, PET) 및 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC)와 같은 플라스틱 필름일 수 있다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 제2 기판(530)은 글라스 재질로 이루어질 수 있다. 또 다른 예시적인 실시예에서, 제2 기판(530)은 제1 기판(510)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
제1 소수성막(540)은 제1 기판(510), 제2 기판(530), 및 파장 변환층(520)의 측면을 따라 위치할 수 있다. 예를 들어, 제1 소수성막(540)은 제1 기판(510), 제2 기판(530), 및 파장 변환층(520)의 측면을 모두 커버할 수 있다. 즉, 제1 소수성막(540)은 제1 기판(510), 제2 기판(530), 및 파장 변환층(520)의 테두리를 모두 둘러쌀 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 기판(510), 제2 기판(530), 및 파장 변환층(520)의 측면은 모두 동일 평면 상에 위치할 수 있고, 이 경우, 제1 소수성막(540)의 단면은 직선 형태를 가질 수 있다. 이러한 제1 소수성막(540)은 제1 기판(510) 및 제2 기판(530)을 결합하는 실링 부재 기능을 수행할 수 있다. 이에 따라, 파장 변환층(520)은 제1 기판(510), 제2 기판(530), 및 제1 소수성막(540)에 의하여 둘러싸일 수 있다.
제1 소수성막(540)은 소수성 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 소수성막(540)은 에어로겔(Aerogel) 및 옥타데실트리클로로실란(Octadecyltrichlorosilane; OTS) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이러한 에어로겔 및 옥타데실트리클로로실란은 불소를 함유한 일반적인 소수성 물질에 비하여 매우 안정적이기 때문에, 파장 변환층(520) 내의 파장 변환 물질과 반응하지 않을 수 있다. 즉, 제1 소수성막(540)이 파장 변환층(520)과 직접적으로 접촉하여도, 파장 변환층(520)의 특성 저하를 유발하지 않을 수 있다.
제2 소수성막(550)은 제1 소수성막(540) 상에 위치할 수 있다. 또한, 제2 소수성막(550)은 제1 기판(510), 제2 기판(530), 및 파장 변환층(520)의 테두리를 모두 둘러쌀 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 소수성막(550)의 상측 및 하측 단부는 제1 기판(510) 및 제2 기판(530)의 중심 방향으로 절곡되어, 제1 기판(510) 및 제2 기판(530)의 테두리부를 커버할 수 있다. 즉, 제2 소수성막(550)의 단면 형태는 C자 형태를 가질 수 있다.
제2 소수성막(550)은 소수성 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 소수성막(540)은 에어로겔(Aerogel) 및 옥타데실트리클로로실란(Octadecyltrichlorosilane; OTS) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제2 소수성막(550)은 제1 소수성막(540)과 상이한 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 소수성막(540)이 에어로겔 및 옥타데실트리클로로실란 중 어느 하나를 포함할 경우, 제2 소수성막(550)은 에어로겔 및 옥타데실트리클로로실란 중 다른 하나를 포함할 수 있다. 옥타데실트리클로로실란이 에어로겔에 비하여 발수(water repellent) 기능이 좋기 때문에, 바람직하게는, 파장 변환층(520)과 인접한 제1 소수성막(540)이 옥타데실트리클로로실란으로 이루어지고, 제1 소수성막(540) 상에 위치하는 제2 소수성막(550)이 에어로겔로 이루어질 수 있다.
이와 같은 파장 변환 부재(500)는 중심부(A) 및 에지부(B)를 포함할 수 있다. 중심부(A)는 파장 변환 부재(500)의 중심에 위치한 영역일 수 있고, 에지부(B)는 파장 변환 부재(500)의 테두리부에 위치한 영역일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 파장 변환 부재(500)의 중심부(A)는 제1 소수성막(540) 및 제2 소수성막(550)이 위치하지 않는 영역이 일 수 있고, 파장 변환 부재(500)의 에지부(B)는 제1 소수성막(540) 및 제2 소수성막(550) 중 어느 하나가 위치한 영역일 수 있다. 다른 예시적인 실시예에서, 파장 변환 부재(500)의 중심부(A)는 표시 패널(200)의 표시 영역에 대응될 수 있고, 파장 변환 부재(500)의 에지부(B)는 표시 패널(200)의 비표시 영역에 대응될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 파장 변환 부재(500)에 따르면, 파장 변환층(520)이 양자점을 포함할 수 있기 때문에, 이를 이용하는 백라이트 어셈블리의 색 재현성이 향상될 수 있다. 또한, 파장 변환층(520)을 제1 소수성막(540) 및 제2 소수성막(550)이 보호하기 때문에, 외부의 수분으로부터 파장 변환층(520)의 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 특히, 제1 소수성막(540)뿐만 아니라, 이와 상이한 물질로 이루어진 제2 소수성막(550)을 형성함으로써, 외부의 수분이 파장 변환층(520)으로 침투하는 것을 더욱 안정적으로 방지할 수 있다. 또한, 제1 소수성막(540) 및/또는 제2 소수성막(550)이 위치한 부분을 비표시 영역에 대응시킴으로써, 별도의 휘도 조절 없이 종래의 설계 조건을 그대로 이용할 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 파장 변환 부재(500)의 제조 방법을 설명하기 위하여 도 4 및 도 5를 참조한다. 도 4 및 도 5는 도 2의 파장 변환 부재(500)의 제조 방법의 공정 단계도이다. 도 4 및 도 5에서 제1 기판 및 파장 변환층은 제2 기판(530)과 중첩되어 있기 때문에, 도면에 도시하지 않았다.
먼저, 도 4를 참조하면, 제1 기판, 파장 변환층, 및 제2 기판(530)의 측면 상에 제1 소수성 용액(540a)을 도포한다. 여기에서, 제1 소수성 용액(540a)은 제1 소수성막(540)의 전 단계 구성요소일 수 있다. 즉, 제1 소수성 용액(540a)은 제1 소수성막(540)을 이루는 물질과 유기 용매, 예컨대, 에탄올, 메탄올, 또는 벤젠을 포함할 수 있고, 이러한 제1 소수성 용액(540a)이 건조되어 유기 용매가 제거되면, 제1 소수성막(540)이 형성될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 소수성 용액(540a)은 약 5 내지 30%의 옥타데실트리클로로실란을 포함할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 소수성 용액(540a)은 롤러(R)를 이용하여 도포될 수 있다. 이와 같이, 롤러(R)를 이용한다면, 제1 소수성 용액(540a)을 신속하고 용이하게 도포할 수 있을 뿐만 아니라, 제1 소수성 용액(540a)을 균일하게 도포할 수도 있다.
이와 같이, 제1 기판, 파장 변환층, 및 제2 기판(530)의 모든 측면 상에 제1 소수성 용액(540a)을 도포한 후, 이를 건조시키면, 제1 소수성막(540)이 형성될 수 있다.
다음으로, 도 5를 참조하면, 측면 상에 제1 소수성막(540)이 형성된 제1 기판, 제2 기판(530), 및 파장 변환층의 에지부를 배스(B) 내의 제2 소수성 용액(550a)에 딥핑(dipping)하여 제1 기판, 파장 변환층, 및 제2 기판(530)의 에지부 상에 상기 제2 소수성 용액(550a)을 형성한다. 여기에서, 제2 소수성 용액(550a)은 제2 소수성막(550)의 전 단계 구성요소일 수 있다. 즉, 제2 소수성 용액(550a)은 제2 소수성막(550)을 이루는 물질과 유기 용매, 예컨대, 에탄올, 메탄올, 또는 벤젠을 포함할 수 있고, 이러한 제2 소수성 용액(550a)이 건조되어 유기 용매가 제거되면, 제2 소수성막(550)이 형성될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 소수성 용액(550a)은 약 20 내지 80%의 에어로겔을 포함할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 소수성 용액(550a)은 배스(B) 내에 위치하고, 이러한 제2 소수성 용액(550a)에 제1 기판, 제2 기판(530), 및 파장 변환층의 에지부를 딥핑 후, 제1 기판, 제2 기판(530), 및 파장 변환층을 배스(B)로부터 이격시키면, 제1 기판, 제2 기판(530), 및 파장 변환층의 에지부에 제2 소수성 용액(550a)이 형성되게 된다. 이와 같이, 배스(B)를 이용한 딥핑 공정을 이용한다면, 제2 소수성 용액(550a)을 신속하고 용이하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 제2 소수성 용액(550a)을 균일하게 형성할 수도 있다.
이와 같이, 제1 기판, 파장 변환층, 및 제2 기판(530)의 에지부에 제2 소수성 용액(550a)을 도포한 후, 이를 건조시키면, 제2 소수성막(550)이 형성될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 파장 변환 부재(500)의 제조 방법에 따르면, 외부의 수분으로부터 파장 변환층을 보호하는 제1 소수성막(540) 및 제2 소수성막(550)을 간단하고 신속한 방법으로 균일하게 형성할 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 파장 변환 부재(501)의 단면도이다. 설명의 편의 상, 상술한 도면에 나타낸 각 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일 부호로 나타내고, 중복 설명을 생략한다.
도 6을 참조하면, 파장 변환 부재(501)는 실런트(580)를 더 포함할 수 있다. 이러한 실런트(580)는 글라스 프릿으로 이루어져, 제1 기판(510) 및 제2 기판(530)을 결합함과 동시에, 파장 변환층(521)을 밀봉할 수 있다.
실런트(580)는 제1 기판(510) 및 제2 기판(530) 사이에 위치할 수 있다. 또한, 실런트(580)는 제1 기판(510) 및 제2 기판(530)의 테두리부에 위치할 수 있다. 또한, 실런트(580)는 제2 소수성막(550)과 중첩할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 실런트(580)의 내측면은 제2 소수성막(550)의 단부와 동일 평면 상에 위치할 수 있다. 이에 따라, 파장 변환층(521)은 제1 기판(510) 및 제2 기판(530)의 중심 영역에만 위치할 수 있다.
이와 같이, 파장 변환 부재(501)가 실런트(580)를 더 포함함으로써, 외부 환경으로부터 파장 변환층(521)을 더욱 안정적으로 보호할 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 파장 변환 부재(502)의 단면도이다. 설명의 편의 상, 상술한 도면에 나타낸 각 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일 부호로 나타내고, 중복 설명을 생략한다.
도 7을 참조하면, 제2 소수성막(551)은 제1 소수성막(540)과만 직접적으로 접촉할 수 있다. 즉, 제2 소수성막(551)의 양 단부는 절곡되지 않을 수 있다. 바꾸어 말하면, 제2 소수성막(551)은 제1 소수성막(540)과 같이 직선 형태를 가질 수 있다. 이러한 제2 소수성막(551)은 제1 소수상막과 같이 롤러를 이용하여 형성할 수 있다.
이와 같이, 제1 소수성막(540)과 제2 소수성막(551) 모두 롤러를 이용하여 형성함으로써, 제1 소수성막(540)과 제2 소수성막(551)을 형성하는 공정이 더욱 간단해질 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 파장 변환 부재(503)의 단면도이다. 설명의 편의 상, 상술한 도면에 나타낸 각 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일 부호로 나타내고, 중복 설명을 생략한다.
도 8을 참조하면, 제2 소수성막(552)은 제1 기판(510), 제2 기판(530), 및 제1 소수성막(540)을 완전히 둘러쌀 수 있다. 즉, 제2 소수성막(552)은 제1 기판(510) 및 제2 기판(530)의 에지 영역뿐만 아니라, 중심 영역까지 모두 커버할 수 있다.
이와 같이, 제2 소수성막(552)이 파장 변환 부재(503)의 외표면을 모두 이룰 경우, 제2 소수성막(552)의 형성 위치를 정밀하게 조정하지 않아도 되기 때문에, 제2 소수성막(552)을 형성하는 공정이 더욱 간단해질 수 있다. 또한, 제2 소수성막(552)이 에어로겔로 이루어지고, 제1 기판(510) 및 제2 기판(530)이 글라스 재질로 이루어질 경우, 에어로겔 및 글라스 재질의 굴절률은 거의 비슷하기 때문에, 파장 변환 부재(503)를 통과하는 광의 휘도 저하도 거의 없을 수 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 파장 변환 부재(504)의 단면도이다. 설명의 편의 상, 상술한 도면에 나타낸 각 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일 부호로 나타내고, 중복 설명을 생략한다.
도 9를 참조하면, 파장 변환 부재(504)는 제3 소수성막(560)을 더 포함할 수 있다. 제3 소수성막(560)은 제2 소수성막(550) 상에 위치할 수 있다. 또한, 제3 소수성막(560)의 형상은 제2 소수성막(550)의 형상과 실질적으로 동일할 수 있다. 또한, 제3 소수성막(560)은 제2 소수성막(550)과는 상이한 물질로 이루어지지만, 제1 소수성막(540)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
이와 같이, 파장 변환 부재(504)가 제3 소수성막(560)을 더 포함하고, 제3 소수성막(560)이 인접한 제2 소수성막(550)과 상이한 물질로 이루어지고, 이격된 제1 소수성막(540)과 동일한 물질로 이루어짐으로써, 파장 변환 부재(504)의 수분 차단 기능이 더욱 향상될 수 있다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 파장 변환 부재(505)의 단면도이다. 설명의 편의 상, 상술한 도면에 나타낸 각 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일 부호로 나타내고, 중복 설명을 생략한다.
도 10을 참조하면, 파장 변환 부재(505)는 제4 소수성막(570)을 더 포함할 수 있다. 제4 소수성막(570)은 제1 기판(510) 및 파장 변환층(520) 사이 및 제2 기판(530) 및 파장 변환층(520) 사이 중 적어도 어느 하나에 위치할 수 있다. 도 10에 도시된 예시적인 실시예에서는, 제4 소수성막(570)이 제1 기판(510) 및 파장 변환층(520) 사이 및 제2 기판(530) 및 파장 변환층(520) 사이에 모두 위치하지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 어느 하나에만 위치할 수도 있다. 이러한 제4 소수성막(570)은 제1 소수성막(541)과는 상이한 물질로 이루어지지만, 제2 소수성막(553)과는 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제4 소수성막(570)은 제2 소수성막(553)과 같이 에어로겔로 이루어질 수 있다. 이러한 제4 소수성막(570)의 개재로, 전체적인 파장 변환 부재(505)의 두께가 두꺼워질 수 있고, 이에 따라, 제1 소수성막(541) 및 제2 소수성막(553)의 길이도 증가될 수 있다.
이와 같이, 파장 변환 부재(505)가 제4 소수성막(570)을 더 포함하고, 제4 소수성막(570)이 인접한 제1 소수성막(541)과 상이한 물질로 이루어지고, 이격된 제2 소수성막(553)과 동일한 물질로 이루어짐으로써, 파장 변환 부재(505)의 수분 차단 기능이 더욱 향상될 수 있다. 특히, 파장 변환 부재(505)의 측면에서 수분이 침투하는 것뿐만 아니라, 파장 변환 부재(505)의 상부 및 하부에서부터 제1 기판(510) 및 제2 기판(530)을 통과하여 파장 변환층(520)으로 수분이 침투하는 것도 확실하게 방지할 수 있다. 또한, 제4 소수성막(570)이 에어로겔로 이루어지고, 제1 기판(510) 및 제2 기판(530)이 글라스 재질로 이루어질 경우, 에어로겔 및 글라스 재질의 굴절률은 거의 비슷하기 때문에, 파장 변환 부재(505)를 통과하는 광의 휘도 저하도 거의 없을 수 있다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 파장 변환 부재(506)의 단면도이다. 설명의 편의 상, 상술한 도면에 나타낸 각 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일 부호로 나타내고, 중복 설명을 생략한다.
도 11을 참조하면, 제4 소수성막(571)은 제1 기판(510) 및 제2 기판(530) 중 적어도 어느 하나를 완전히 둘러쌀 수 있다. 도 11에 도시된 예시적인 실시예에서, 제4 소수성막(571)이 제1 기판(510) 및 제2 기판(530) 모두를 완전히 둘러싸지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 어느 하나만 완전히 둘러쌀 수도 있다. 이러한 제4 소수성막(571)의 개재로, 전체적인 파장 변환 부재(506)의 두께가 두꺼워질 수 있고, 이에 따라, 제1 소수성막(542) 및 제2 소수성막(554)의 길이도 증가될 수 있다.
이와 같이, 제4 소수성막(571)이 제1 기판(510) 및 제2 기판(530) 중 적어도 어느 하나를 완전히 둘러쌈으로써, 파장 변환 부재(506)의 상부 및 하부에서부터 제1 기판(510) 및 제2 기판(530)을 통과하여 파장 변환층(520)으로 수분이 침투하는 것도 확실하게 방지할 수 있다. 또한, 제4 소수성막(571)이 에어로겔로 이루어지고, 제1 기판(510) 및 제2 기판(530)이 글라스 재질로 이루어질 경우, 에어로겔 및 글라스 재질의 굴절률은 거의 비슷하기 때문에, 파장 변환 부재(506)를 통과하는 광의 휘도 저하도 거의 없을 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 탑 샤시 200: 표시 패널
210: 제1 표시 기판 220: 제2 표시 기판
300: 몰드 프레임 400: 광학 시트
500, 501, 502, 503, 504, 505, 506: 파장 변환 부재
510: 제1 기판 520, 521: 파장 변환층
530: 제2 기판 540, 541, 542: 제1 소수성막
540a: 제1 소수성 용액
550, 551, 552, 553, 554: 제2 소수성막
550a: 제2 소수성 용액 560: 제3 소수성막
570, 571: 제4 소수성막 580: 실런트
600: 광원부 610: 회로 기판
620: 광원 700: 도광판
800: 반사판 900: 바텀 샤시
A: 중심부 B: 에지부
R: 롤러 B: 배스

Claims (20)

  1. 제1 기판;
    상기 제1 기판 상에 위치하는 제2 기판;
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 위치하는 파장 변환층; 및
    상기 제1 기판, 상기 제2 기판, 및 상기 파장 변환층의 측면을 따라 위치하는 제1 소수성막을 포함하고,
    상기 제1 소수성막 상에 위치하는 제2 소수성막을 더 포함하되,
    상기 제1 소수성막 및 상기 제2 소수성막은 상이한 물질로 이루어진 파장 변환 부재.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 파장 변환층은 양자점을 포함하는 파장 변환 부재.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 소수성막은 에어로겔(Aerogel) 및 옥타데실트리클로로실란(Octadecyltrichlorosilane; OTS) 중 적어도 하나를 포함하는 파장 변환 부재.
  4. 삭제
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 소수성막은 에어로겔 및 옥타데실트리클로로실란 중 어느 하나를 포함하고,
    상기 제2 소수성막은 에어로겔 및 옥타데실트리클로로실란 중 다른 하나를 포함하는 파장 변환 부재.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 소수성막의 양 단부는 절곡되어 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 에지부를 커버하는 파장 변환 부재.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 위치하고, 상기 제2 소수성막과 중첩하는 실런트를 더 포함하는 파장 변환 부재.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 소수성막은 상기 제1 기판, 상기 제2 기판, 및 상기 제1 소수성막을 완전히 둘러싸는 파장 변환 부재.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 소수성막 상에 위치하는 제3 소수성막을 더 포함하되,
    상기 제3 소수성막은 상기 제1 소수성막과 동일한 물질로 이루어진 파장 변환 부재.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 기판 및 상기 파장 변환층 사이 및 상기 제2 기판 및 상기 파장 변환층 사이 중 적어도 어느 하나에 위치하는 제4 소수성막을 더 포함하되,
    상기 제4 소수성막은 상기 제2 소수성막과 동일한 물질로 이루어진 파장 변환 부재.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 제4 소수성막은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 하나를 완전히 둘러싸는 파장 변환 부재.
  12. 제1 기판, 파장 변환층, 및 제2 기판을 순차적으로 적층하는 단계; 및
    상기 제1 기판, 상기 파장 변환층, 및 상기 제2 기판의 측면을 따라 제1 소수성막을 코팅하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 소수성막을 코팅하는 단계 후에,
    상기 제1 소수성막 상에 상기 제1 소수성막과 상이한 물질로 이루어진 제2 소수성막을 코팅하는 단계를 포함하는 파장 변환 부재의 제조 방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 제1 소수성막을 코팅하는 단계는,
    롤러를 이용하여 상기 제1 기판, 상기 파장 변환층, 및 상기 제2 기판의 측면 상에 제1 소수성 용액을 형성하는 단계를 포함하는 파장 변환 부재의 제조 방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 제1 소수성막을 코팅하는 단계는,
    상기 제1 소수성 용액을 형성하는 단계 후에,
    상기 제1 소수성 용액을 건조시켜 상기 제1 소수성 막을 형성하는 단계를 포함하는 파장 변환 부재의 제조 방법.
  15. 삭제
  16. 제 12항에 있어서,
    상기 제2 소수성막을 코팅하는 단계는,
    상기 제1 기판, 상기 파장 변환층, 및 상기 제2 기판의 에지부를 배스 내의 제2 소수성 용액에 딥핑하여, 상기 제1 기판, 상기 파장 변환층, 및 상기 제2 기판의 에지부 상에 상기 제2 소수성 용액을 형성하는 단계를 포함하는 파장 변환 부재의 제조 방법.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 제2 소수성막을 코팅하는 단계는,
    상기 제2 소수성 용액을 형성하는 단계 후에,
    상기 제2 소수성 용액을 건조시켜 상기 제2 소수성 막을 형성하는 단계를 포함하는 파장 변환 부재의 제조 방법.
  18. 광을 방출하는 광원; 및
    상기 광원에서 방출된 광의 파장을 변환하는 파장 변환 부재를 포함하되,
    상기 파장 변환 부재는,
    제1 기판,
    상기 제1 기판 상에 위치하는 제2 기판,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 위치하는 파장 변환층,
    상기 제1 기판, 상기 제2 기판, 및 상기 파장 변환층의 측면을 따라 위치하는 제1 소수성막, 및
    상기 제1 소수성막 상에 위치하는 제2 소수성막을 포함하되,
    상기 제1 소수성막 및 상기 제2 소수성막은 상이한 물질로 이루어진 백라이트 어셈블리.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 파장 변환층은 양자점을 포함하는 백라이트 어셈블리.
  20. 제 18항에 있어서,
    상기 광원은 청색 광을 방출하고,
    상기 파장 변환 부재는 상기 청색 광을 흰색 광으로 변환하는 백라이트 어셈블리.
KR1020140015554A 2014-02-11 2014-02-11 파장 변환 부재 및 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리 KR102140630B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140015554A KR102140630B1 (ko) 2014-02-11 2014-02-11 파장 변환 부재 및 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리
US14/293,837 US9874661B2 (en) 2014-02-11 2014-06-02 Wavelength conversion member, related manufacturing method, and related backlight assembly

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140015554A KR102140630B1 (ko) 2014-02-11 2014-02-11 파장 변환 부재 및 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150094871A KR20150094871A (ko) 2015-08-20
KR102140630B1 true KR102140630B1 (ko) 2020-08-04

Family

ID=53774780

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140015554A KR102140630B1 (ko) 2014-02-11 2014-02-11 파장 변환 부재 및 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9874661B2 (ko)
KR (1) KR102140630B1 (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160038325A (ko) * 2014-09-30 2016-04-07 코닝정밀소재 주식회사 색변환용 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
TWI669463B (zh) * 2016-07-04 2019-08-21 迎輝科技股份有限公司 Optical film and illuminating device
JP6611350B2 (ja) * 2016-07-22 2019-11-27 富士フイルム株式会社 バックライト用フィルム
JP6822044B2 (ja) * 2016-09-30 2021-01-27 大日本印刷株式会社 量子ドットシート、バックライト及び液晶表示装置
KR101965157B1 (ko) * 2017-02-28 2019-04-08 한국생산기술연구원 양자점 하이브리드 유기 발광 디스플레이 소자 및 그 제조 방법
CN107024800B (zh) * 2017-03-03 2019-09-06 厦门天马微电子有限公司 量子点膜、背光模组、显示装置及量子点膜的制作方法
KR102343413B1 (ko) * 2017-07-19 2021-12-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070027232A1 (en) 2005-07-27 2007-02-01 Chemcoat, Inc. Coating compositions incorporating nanotechnology and methods for making same

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7261768B2 (en) * 2005-04-07 2007-08-28 Luten Henry A Hydrophobic coatings and methods
KR101792882B1 (ko) * 2011-06-23 2017-11-20 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101936116B1 (ko) 2011-07-14 2019-01-10 엘지이노텍 주식회사 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
KR101893494B1 (ko) 2011-07-18 2018-08-30 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR20130023979A (ko) 2011-08-30 2013-03-08 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR101405652B1 (ko) 2011-11-25 2014-06-10 엘지이노텍 주식회사 광학 부재, 표시장치 및 광학 부재의 제조방법
KR101877479B1 (ko) 2011-12-22 2018-07-13 엘지이노텍 주식회사 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
KR101348565B1 (ko) 2012-01-13 2014-01-16 영남대학교 산학협력단 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정표시장치
KR20130095955A (ko) * 2012-02-21 2013-08-29 삼성전자주식회사 도광판, 이를 포함하는 백라이트유닛, 디스플레이장치 및 도광판 제조방법
KR20130110946A (ko) * 2012-03-30 2013-10-10 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070027232A1 (en) 2005-07-27 2007-02-01 Chemcoat, Inc. Coating compositions incorporating nanotechnology and methods for making same

Also Published As

Publication number Publication date
US20150226885A1 (en) 2015-08-13
US9874661B2 (en) 2018-01-23
KR20150094871A (ko) 2015-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10353223B2 (en) Backlight assembly and display device including the same
US10386042B2 (en) Wavelength conversion member, method of manufacturing the same, and backlight assembly including the same
KR102140630B1 (ko) 파장 변환 부재 및 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리
KR102137137B1 (ko) 양자점바 수납 용기 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
US9671546B2 (en) Backlight assembly and display device having the same
KR102254916B1 (ko) 파장 변환 부재, 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리 및 표시 장치
US9645305B2 (en) Backlight unit
KR102166715B1 (ko) 광원 유닛 및 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리
US9594202B2 (en) Backlight unit and display device including the same
US9835316B2 (en) Frame and light source module including the same
KR102041247B1 (ko) 백라이트 어셈블리 및 이를 포함하는 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant