KR101877479B1 - 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법이 개시된다. 광학 부재는 제 1 기판; 상기 제 1 기판 상에 배치되는 제 2 기판; 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 사이에 배치되는 매트릭스; 및 상기 매트릭스에 인접하여 배치되고, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판과 접착되는 접착부를 포함하고, 상기 접착부는 에폭시계 수지 및 우레탄계 수지를 포함한다.
Description
실시예는 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
표시장치들 중에는 영상을 표시하기 위해서, 광을 발생시킬 수 있는 백라이트 유닛을 필요로 하는 장치가 있다. 백라이트 유닛은 액정 등을 포함하는 표시패널에 광을 공급하는 장치로서, 발광장치와 발광장치에서 출력된 광을 액정 측에 효과적으로 전달하기 위한 수단들을 포함한다.
이러한 표시장치의 광원으로서, LED(Light Emitted Diode)등이 적용될 수 있다. 또한, 광원으로부터 출력된 광이 표시패널 측에 효과적으로 전달되기 위해, 도광판과 광학시트 등이 적층되어, 사용될 수 있다.
이때, 광원으로부터 발생되는 광의 파장을 변화시켜서, 상기 도광판 또는 상기 표시패널에 백색광을 입사시키는 광학 부재 등이 이러한 표시장치에 적용될 수 있다. 특히, 광의 파장을 변화시키기 위해서, 양자점 등이 사용될 수 있다.
양자점은 10nm 이하의 입자 크기를 가지며, 그 크기에 따라 독특한 전기적 광학적 특성을 갖는다. 예컨대, 대략적인 크기가 55 ~ 65Å인 경우 적색계열, 40 ~ 50Å은 녹색계열, 20 ~ 35Å은 청색계열의 색을 발할 수 있으며, 황색은 적색과 녹색을 발하는 양자점의 중간 크기를 갖는다. 빛의 파장에 따른 스펙트럼이 적색에서 청색으로 변하는 추세에 따라 양자점의 크기는 65Å 정도에서 20Å 정도로 순차적으로 변하는 것으로 파악할 수 있으며, 이 수치는 약간의 차이가 있을 수 있다.
양자점을 포함하는 광학 부재를 형성하기 위해서는, 빛의 삼원색인 RGB 혹은, RYGB를 발하는 양자점을 글래스(glass) 등의 투명 기판에 스핀코팅 하거나 프린팅하여 형성할 수 있다. 여기서, 황색(Y)을 발하는 양자점을 더 포함하는 경우 좀 더 천연광에 가까운 백색광을 얻을 수 있다. 양자점을 분산 담채하는 매트릭스(매질)은 가시광 및 자외선 영역(Far UV 포함)의 빛을 발하거나 또는 가시광 영역의 빛에 관하여 투과성이 뛰어난 무기물이나 고분자를 적용할 수 있다. 예컨대, 무기질 실리카, PMMA(polymethylmethacrylate), PDMS(polydimethylsiloxane), PLA(poly lactic acid), 실리콘 고분자 또는 YAG 등이 될 수 있다.
이와 같은 양자점이 적용된 표시장치에 관하여, 한국 특허 공개 공보 10-2011-0012246 등에 개시되어 있다.
실시예는 향상된 신뢰성을 가지는 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 광학 부재는 제 1 기판; 상기 제 1 기판 상에 배치되는 제 2 기판; 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 사이에 배치되는 매트릭스; 및 상기 매트릭스에 인접하여 배치되고, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판과 접착되는 접착부를 포함하고, 상기 접착부는 에폭시계 수지 및 우레탄계 수지를 포함한다.
실시예에 따른 표시장치는 광원; 상기 광원으로부터의 광이 입사되는 광 변한 부재; 및 상기 광 변환 부재로부터의 광이 입사되는 표시패널을 포함하고, 제 1 기판; 상기 제 1 기판 상에 배치되는 제 2 기판; 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 사이에 배치되는 매트릭스; 및 상기 매트릭스에 인접하여 배치되고, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판과 접착되는 접착부를 포함하고, 상기 접착부는 에폭시 아크릴레이트계 수지 및 우레탄 아크릴레이트계 수지를 포함한다.
실시예에 따른 광학 부재의 제조방법은 제 1 기판 상에 복수의 광 변환 입자들을 포함하는 광 변환층을 형성하고,
저점도 수지 및 고점도 수지를 포함하는 수지 조성물을 사용하여, 제 2 기판을 상기 제 1 기판에 접착시키는 것을 포함하고, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판은 상기 광 변환층을 샌드위치한다.
실시예에 따른 광학 부재 및 표시장치는 에폭시계 수지 및 우레탄계 수지를 포함하는 접착부를 포함한다. 이때, 상기 우레탄계 수지는 상기 에폭시계 수지와 혼합되어, 전체적으로 향상된 연성 및 열적 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 우레탄계 수지는 상기 접착부의 밀봉 특성을 향상시키고, 상기 광 변환 입자들의 신뢰성 및 내구성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 접착부가 형성되는 과정에서, 저점도 수지 및 고점도 수지가 사용될 수 있다. 특히, 상기 저점도 수지로 우레탄계 수지가 사용될 수 있다. 이에 따라서, 우레탄계 수지는 에폭시계 수지와 혼합되어, 전체적으로 수지 조성물의 점도를 낮출 수 있다.
이에 따라서, 수지 조성물은 용이하게 기판 상에 코팅될 수 있고, 실시예에 따른 광학 부재는 용이하게 제조될 수 있다.
도 1은 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 2는 제 1 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 4는 제 2 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 5는 제 2 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 6은 도 5에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 7은 제 2 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 광 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 8은 제 3 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 9는 제 3 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 10은 도 8에서 C-C`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 11은 제 3 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 광 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 2는 제 1 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 4는 제 2 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 5는 제 2 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 6은 도 5에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 7은 제 2 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 광 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 8은 제 3 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 9는 제 3 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 10은 도 8에서 C-C`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 11은 제 3 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 광 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 2는 제 1 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 실시예에 따른 액정표시장치는 백라이트 유닛(10) 및 액정패널(20)을 포함한다.
상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정패널(20)에 광을 출사한다. 상기 백라이트 유닛(10)은 면 광원으로 상기 액정패널(20)의 하면에 균일하기 광을 조사할 수 있다.
상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정패널(20) 아래에 배치된다. 상기 백라이트 유닛(10)은 바텀 커버(100), 도광판(200), 반사시트(300), 광원, 예를 들어, 다수 개의 발광다이오드들(400), 인쇄회로기판(401) 및 다수 개의 광학 시트들(500)을 포함한다.
상기 바텀 커버(100)는 상부가 개구된 형상을 가진다. 상기 바텀 커버(100)는 상기 도광판(200), 상기 발광다이오드들(400), 상기 인쇄회로기판(401), 상기 반사시트(300) 및 상기 광학 시트들(500)을 수용한다.
상기 도광판(200)은 상기 바텀 커버(100) 내에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 반사시트(300) 상에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 입사되는 광을 전반사, 굴절 및 산란을 통하여 상방으로 출사한다.
상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 아래에 배치된다. 더 자세하게, 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 및 상기 바텀 커버(100)의 바닥면 사이에 배치된다. 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200)의 하부면으로부터 출사되는 광을 상방으로 반사시킨다.
상기 발광다이오드들(400)은 광을 발생시키는 광원이다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 도광판(200)의 일 측면에 배치된다. 상기 발광다이오드들(400)은 광을 발생시켜서, 상기 도광판(200)의 측면을 통하여, 상기 도광판(200)에 입사시킨다.
상기 발광다이오드들(400)은 청색 광을 발생시키는 청색 발광다이오드 또는 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드일 수 있다. 즉, 상기 발광다이오드들(400)은 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광 또는 약 300㎚ 내지 약 400㎚ 사이의 파장대를 가지는 자외선을 발생시킬 수 있다.
상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)에 실장된다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401) 아래에 배치된다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)을 통하여 구동신호를 인가받아 구동된다.
상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드들(400)에 전기적으로 연결된다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드들(400)을 실장할 수 있다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 바텀 커버(100) 내측에 배치된다.
상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 광의 특성을 변화 또는 향상시켜서, 상기 광을 상기 액정패널(20)에 공급한다.
상기 광학 시트들(500)은 광 변환 부재(501), 확산 시트(502), 제 1 프리즘 시트(503) 및 제 2 프리즘 시트(504)일 수 있다.
상기 광 변환 부재(501)는 상기 광원(300) 및 상기 액정 패널(20) 사이의 광 경로 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 광 변환 부재(501)는 상기 도광판(200) 상에 배치될 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 변환 부재(501)는 상기 도광판(200) 및 상기 확산 시트(502) 사이에 개재될 수 있다. 상기 광 변환 부재(501)는 입사되는 광의 파장을 변환하여 상방으로 출사할 수 있다.
예를 들어, 상기 발광다이오드들(400)이 청색 발광다이오드인 경우, 상기 광 변환 부재(501)는 상기 도광판(200)으로부터 상방으로 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 부재(501)는 상기 청색광의 일부를 약 500㎚ 내지 약 600㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 600㎚ 내지 약 700㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이에 따라서, 변환되지 않고 상기 광 변환 부재(501)를 통과하는 광 및 상기 광 변환 부재(501)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 액정패널(20)에는 백색광이 입사될 수 있다.
즉, 상기 광 변환 부재(501)는 입사광의 특성을 변환시키는 광학 부재이다. 상기 광 변환 부재(501)는 시트 형상을 가진다. 즉, 상기 광 변환 부재(501)는 광학 시트일 수 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 광 변환 부재(501)는 하부 기판(510), 상부 기판(520), 광 변환층(530) 및 접착부(540)를 포함한다.
상기 하부 기판(510)은 상기 광 변환층(530) 아래에 배치된다. 상기 하부 기판(510)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 하부 기판(510)은 상기 광 변환층(530)의 하면에 밀착될 수 있다.
상기 하부 기판(510)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate;PET) 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.
상기 상부 기판(520)은 상기 광 변환층(530) 상에 배치된다. 상기 상부 기판(520)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 상부 기판(520)은 상기 광 변환층(530)의 상면에 밀착될 수 있다.
상기 상부 기판(520)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.
상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 광 변환층(530)을 샌드위치한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 광 변환층(530)을 지지한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 외부의 물리적인 충격으로부터 상기 광 변환층(530)을 보호한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 광 변환층(530)에 직접 접촉될 수 있다.
또한, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 낮은 산소 투과도 및 투습성을 가진다. 이에 따라서, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 수분 및/또는 산소 등과 같은 외부의 화학적인 충격으로부터 상기 광 변환층(530)을 보호할 수 있다.
상기 광 변환층(530)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 개재된다. 상기 광 변환층(530)은 상기 하부 기판(510)의 상면에 밀착되고, 상기 상부 기판(520)의 하면에 밀착될 수 있다.
상기 광 변환층(530)은 매트릭스(531) 및 복수의 광 변환 입자들(532)을 포함한다.
상기 매트릭스(531)는 상기 광 변환 입자들(532)을 둘러싼다. 즉, 상기 매트릭스(531)는 상기 광 변환 입자들(532)을 균일하게 내부에 분산시킨다. 상기 매트릭스(531)는 투명하다. 즉, 상기 매트릭스(531)는 투명한 폴리머로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 매트릭스(531)로 실리콘계 수지 또는 에폭시계 수지 등이 사용될 수 있다.
상기 매트릭스(531)는 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다. 상기 매트릭스(531)는 상기 하부 기판(510)의 상면 및 상기 상부 기판(520)의 하면에 밀착될 수 있다.
상기 광 변환 입자들(532)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다. 더 자세하게, 상기 광 변환 입자들(532)은 상기 매트릭스(531)에 균일하게 분산되고, 상기 매트릭스(531)는 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치될 수 있다. 상기 광 변환 입자들은 상기 매트릭스(531)에 약 0.5wt% 내지 약 5wt%의 농도로 분산될 수 있다.
상기 광 변환 입자들(532)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다. 더 자세하게, 상기 광 변환 입자들(532)은 상기 매트릭스(531)에 균일하게 분산되고, 상기 매트릭스(531)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다.
상기 광 변환 입자들(532)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 상기 광 변환 입자들(532)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 광 변환 입자들(532)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 입자들(532) 중 일부는 상기 청색광을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 광 변환 입자들(532) 중 다른 일부는 상기 청색광을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이와는 다르게, 상기 광 변환 입자들(532)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 입자들(532) 중 일부는 상기 자외선을 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 광 변환 입자들(532) 중 다른 일부는 상기 자외선을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 상기 광 변환 입자들(532) 중 또 다른 일부는 상기 자외선을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
즉, 상기 발광다이오드들(400)이 청색광을 발생시키는 청색 발광다이오드인 경우, 청색광을 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 광 변환 입자들(532)이 사용될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 발광다이오드들(400)이 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드인 경우, 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 광 변환 입자들(532)이 사용될 수 있다.
상기 광 변환 입자들(532)은 다수 개의 양자점(QD, Quantum Dot)들일 수 있다. 상기 양자점은 코어 나노 결정 및 상기 코어 나노 결정을 둘러싸는 껍질 나노 결정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정에 결합되는 유기 리간드를 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정을 둘러싸는 유기 코팅층을 포함할 수 있다.
상기 껍질 나노 결정은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 껍질 나노 결정은 상기 코어 나노 결정의 표면에 형성된다. 상기 양자점은 상기 코어 나오 결정으로 입광되는 빛의 파장을 껍질층을 형성하는 상기 껍질 나노 결정을 통해서 파장을 길게 변환시키고 빛의 효율을 증가시길 수 있다.
상기 양자점은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 보다 상세하게, 상기 코어 나노 결정은 Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 또한, 상기 껍질 나노 결정은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 상기 양자점의 지름은 1 nm 내지 10 nm일 수 있다.
상기 양자점에서 방출되는 빛의 파장은 상기 양자점의 크기 또는 합성 과정에서의 분자 클러스터 화합물(molecular cluster compound)와 나노입자 전구체 (precurser)의 몰분율 (molar ratio)에 따라 조절이 가능하다. 상기 유기 리간드는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine) 및 포스핀 산화물(phosphine oxide) 등을 포함할 수 있다. 상기 유기 리간드는 합성 후 불안정한 양자점을 안정화시키는 역할을 한다. 합성 후에 댕글링 본드(dangling bond)가 외곽에 형성되며, 상기 댕글링 본드 때문에, 상기 양자점이 불안정해 질 수도 있다. 그러나, 상기 유기 리간드의 한 쪽 끝은 비결합 상태이고, 상기 비결합된 유기 리간드의 한 쪽 끝이 댕글링 본드와 결합해서, 상기 양자점을 안정화 시킬 수 있다.
특히, 상기 양자점은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다.
이러한 상기 양자점은 일반적 형광 염료와 달리 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라진다. 즉, 입자의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 내며, 입자의 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역의 형광을 낼 수 있다. 또한, 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100~1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다.
상기 양자점은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의해서, 상기 양자점이 합성될 수 있다.
상기 접착부(540)는 상기 광 변환층(530) 측면에 배치된다. 상기 접착부(540)는 상기 매트릭스에 인접하여 배치된다. 상기 접착부(540)는 상기 광 변환층(530)의 주위를 둘러싼다. 더 자세하게, 상기 접착부(540)는 상기 광 변환층(530)의 측면을 둘러싼다. 상기 접착부(540)는 폐루프 형상을 가지고, 상기 광 변환층(530)은 상기 접착부(540) 내에 배치될 수 있다.
상기 접착부(540)는 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)에 접착된다. 더 자세하게, 상기 접착부(540)는 상기 하부 기판(510)의 상면 및 상기 하부 기판(510)의 하면에 접착된다. 상기 접착부(540)는 상기 하부 기판(510)의 외곽 및 상기 상부 기판(520)의 외곽에 배치된다. 상기 접착부(540)는 상기 하부 기판(510)의 외곽 및 상기 상부 기판(520)의 외곽에 접착된다.
이에 따라서, 상기 접착부(540)는 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)과 함께, 상기 광 변환층(530)을 밀봉할 수 있다. 즉, 상기 하부 기판(510), 상기 상부 기판(520) 및 상기 접착부(540)는 상기 광 변환층(530)을 외부의 화학적인 충격으로부터 보호하는 보호부이다.
상기 접착부(540)는 에폭시계 수지 및 우레탄계 수지를 포함한다. 더 자세하게, 상기 접착부(540)는 에폭시 아크릴레이트계 수지 및 우레탄 아크릴레이트계 수지를 포함한다. 더 자세하게, 상기 접착부(540)는 에폭시계 수지 및 우레탄계 수지가 서로 가교 결합 등에 의해서 결합되어 형성될 수 있다.
상기 에폭시계 수지 및 상기 우레탄계 수지의 비는 6.5:3.5 내지 7.5:2.5일 수 있다. 더 자세하게, 상기 에폭시계 수지 및 상기 우레탄계 수지의 비는 6.8:3.2 내지 7.2:2.8일 수 있다.
상기 에폭시계 수지는 에폭시 아크릴레이트계 수지를 포함할 수 있다. 상기 에폭시 아크릴레이트계 수지는 향상된 전단 강도(shear strength) 및 습기 차단성을 가질 수 있고, 열 또는/및 자외선에 의해서 경화될 수 있다.
상기 에폭시 아크릴레이트계 수지의 출발원료는 1분자중에 2개 이상의 에폭시기를 가지는 에폭시수지가 사용될 수 있다. 구체적으로, 출발 원료의 예로서는 비스페놀형 에폭시수지; 비페닐형 에폭시수지; 페놀노보락형 에폭시수지 또는 크레졸노보락형 에폭시수지; 페놀, ο-크레졸, m-크레졸 또는 나프톨 등의 페놀화합물과 트리글리시딜이소시아누레이트 등의 복소환을 갖는 에폭시수지; 페놀아랄킬형 에폭시수지; 등을 들 수 있다. 또한, 상기 에폭시 아크릴레이트의 출발 원료로 이러한 에폭시수지의 2분자 이상의 다염기산, 폴리페놀화합물, 다관능아미노화합물 또는 다가 티올 등의 쇄연장제와의 반응에 의해 결합시켜 쇄연장한 것도 사용할 수 있다.
상기 에폭시 아크릴레이트계 수지를 합성할 때의 출발 원료인 에폭시수지의 반응상대는 불포화일염기산, 예를 들어, 1개의 카르복실기와 1개 이상의 라디칼중합성 이중결합을 가지는 일염기산이다. 구체적으로, 상기 반응 상대의 예로서는 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 계피산, β-아크릴록시프로피온산, 1개의 히드록실기와 1개의 (메타)아크릴로일기를 가지는 히드록시알킬(메타)아크릴레이트와 이염기산 무수물과의 반응물, 1개의 히드록실기와 2개이상의 (메타)아크릴로일기를 가지는 다관능 (메타)아크릴레이트와 이염기산무수물과의 반응물 등을 들 수 있으며, 그중에서도 바람직한 것으로는 아크릴산, 메타크릴산 등의 (메타)아크릴로일기를 가지는 것이다.
상기 에폭시 아크릴레이트계 수지는 상기 출발 원료 및 상기 일염기산의 반응에 의해서 형성되는 고분자일 수 있다. 즉, 상기 에폭시 아크릴레이트계 수지는 비스페놀형 에폭시 아크릴레이트 수지; 비페닐형 에폭시 아크릴레이트 수지; 페놀노보락형 에폭시 아크릴레이트 수지 또는 크레졸노보락형 에폭시 아크릴레이트 수지; 페놀, ο-크레졸, m-크레졸 또는 나프톨 등의 페놀화합물과 트리글리시딜이소시아누레이트 등의 복소환을 갖는 에폭시 아크릴레이트 수지 또는 페놀아랄킬형 에폭시 아크릴레이트 수지로부터 선택될 수 있다.
상기 에폭시 아크릴레이트계 수지의 분자량은 약 100 내지 약 300,000일 수 있다.
상기 우레탄 아크릴레이트계 수지는 연성이 우수하고 열충격성이 강한 기능기를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 우레탄 아크릴레이트계 수지는 이미노옥사디아진 디온, 이소 시아누레이트(isocyanurate), 우레트디온(uretdione), 우레탄, 알로파네이트(allophanate), 뷰렛(biuret) 또는 옥사디아진 트리온 그룹을 함유하는 지방족 폴리이소시아네이트 성분과 메트(아크릴)산의 하나 이상의 일염기성 하이드록실 관능성 직쇄 또는 측쇄 알킬 에스테르를 함유하는 알코올 성분과의 반응으로 형성되는 지방족 우레탄 아크릴레이트일 수 있다. 상기 우레탄 아크릴레이트계 수지는 특정 양태에서 다관능성 아크릴레이트와 알킬 카보모노사이클 디이소시아네이트의 중합체를 기재로 하는 지방족 우레탄과의 반응으로 형성되는 지방족 우레탄 아크릴레이트일 수 있다. 즉, 상기 우레탄 아크릴레이트계 수지는 이미노옥사디아진 디온 우레탄 아크릴레이트 수지, 이소 시아누레이트 우레탄 아크릴레이트 수지, 우레트디온 우레탄 아크릴레이트 수지, 우레탄 아크릴레이트 수지, 알로파네이트 우레탄 아크릴레이트 수지, 뷰렛 우레탄 아크릴레이트 수지 또는 옥사디아진 트리온 우레탄 아크릴레이트 수지로부터 선택될 수 있다.
상기 우레탄 아크릴레이트계 수지의 분자량은 약 10,000 내지 300,000일 수 있다.
상기 광 변환 부재(501)는 다음과 같은 공정에 의해서 형성될 수 있다.
먼저, 양자점을 포함하는 제 1 수지 조성물이 형성된다. 상기 제 1 수지 조성물은 실리콘계 수지 또는 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.
이후, 상기 제 1 수지 조성물은 상기 하부 기판(510) 상에 균일하게 코팅되고, 열 및/또는 광에 의해서 경화된다. 이에 따라서, 상기 하부 기판(510) 상에 광 변환층(530)이 형성된다.
이후, 고점도 수지 및 저점도 수지를 포함하는 제 2 수지 조성물이 형성된다. 상기 고점도 수지는 에폭시계 수지, 더 자세하게, 에폭시 아크릴레이트계 수지 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 저점도 수지는 우레탄계 수지, 더 자세하게, 우레탄 아크릴레이트계 수지 등을 포함할 수 있다.
상기 에폭시계 수지의 점도는 약 10,000cP 내지 약 200,000cP일 수 있다. 상기 우레탄계 수지의 점도는 약 1,000cP 내지 약 10,000cP일 수 있다. 이에 따라서, 상기 수지 조성물 전체적인 점도는 상기 우레탄계 수지에 의해서 낮아질 수 있다.
상기 에폭시 아크릴레이트계 수지의 출발원료는 1분자중에 2개 이상의 에폭시기를 가지는 에폭시수지가 사용될 수 있다. 구체적으로, 출발 원료의 예로서는 비스페놀형 에폭시수지; 비페닐형 에폭시수지; 페놀노보락형 에폭시수지 또는 크레졸노보락형 에폭시수지; 페놀, ο-크레졸, m-크레졸 또는 나프톨 등의 페놀화합물과 트리글리시딜이소시아누레이트 등의 복소환을 갖는 에폭시수지; 페놀아랄킬형 에폭시수지; 등을 들 수 있다. 또한, 상기 에폭시 아크릴레이트의 출발 원료로 이러한 에폭시수지의 2분자 이상의 다염기산, 폴리페놀화합물, 다관능아미노화합물 또는 다가 티올 등의 쇄연장제와의 반응에 의해 결합시켜 쇄연장한 것도 사용할 수 있다.
상기 에폭시 아크릴레이트계 수지를 합성할 때의 출발 원료인 에폭시수지의 반응상대는 불포화일염기산, 예를 들어, 1개의 카르복실기와 1개 이상의 라디칼중합성 이중결합을 가지는 일염기산이다. 구체적으로, 상기 반응 상대의 예로서는 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 계피산, β-아크릴록시프로피온산, 1개의 히드록실기와 1개의 (메타)아크릴로일기를 가지는 히드록시알킬(메타)아크릴레이트와 이염기산 무수물과의 반응물, 1개의 히드록실기와 2개이상의 (메타)아크릴로일기를 가지는 다관능 (메타)아크릴레이트와 이염기산무수물과의 반응물 등을 들 수 있으며, 그중에서도 바람직한 것으로는 아크릴산, 메타크릴산 등의 (메타)아크릴로일기를 가지는 것이다.
상기 에폭시 아크릴레이트계 수지는 상기 출발 원료 및 상기 일염기산의 반응에 의해서 형성되는 고분자일 수 있다. 즉, 상기 에폭시 아크릴레이트계 수지는 비스페놀형 에폭시 아크릴레이트 수지; 비페닐형 에폭시 아크릴레이트 수지; 페놀노보락형 에폭시 아크릴레이트 수지 또는 크레졸노보락형 에폭시 아크릴레이트 수지; 페놀, ο-크레졸, m-크레졸 또는 나프톨 등의 페놀화합물과 트리글리시딜이소시아누레이트 등의 복소환을 갖는 에폭시 아크릴레이트 수지 또는 페놀아랄킬형 에폭시 아크릴레이트 수지로부터 선택될 수 있다.
또한, 상기 우레탄계 수지는 모노머 또는 올리고머일 수 있다. 예를 들어, 상기 우레탄 아크릴레이트계 수지는 이미노옥사디아진 디온, 이소 시아누레이트(isocyanurate), 우레트디온(uretdione), 우레탄, 알로파네이트(allophanate), 뷰렛(biuret) 또는 옥사디아진 트리온 그룹을 함유하는 지방족 폴리이소시아네이트 성분과 메트(아크릴)산의 하나 이상의 일염기성 하이드록실 관능성 직쇄 또는 측쇄 알킬 에스테르를 함유하는 알코올 성분과의 반응으로 형성되는 지방족 우레탄 아크릴레이트일 수 있다. 상기 우레탄 아크릴레이트계 수지는 특정 양태에서 다관능성 아크릴레이트와 알킬 카보모노사이클 디이소시아네이트의 중합체를 기재로 하는 지방족 우레탄과의 반응으로 형성되는 지방족 우레탄 아크릴레이트일 수 있다. 즉, 상기 우레탄 아크릴레이트계 수지는 이미노옥사디아진 디온 우레탄 아크릴레이트 수지, 이소 시아누레이트 우레탄 아크릴레이트 수지, 우레트디온 우레탄 아크릴레이트 수지, 우레탄 아크릴레이트 수지, 알로파네이트 우레탄 아크릴레이트 수지, 뷰렛 우레탄 아크릴레이트 수지 또는 옥사디아진 트리온 우레탄 아크릴레이트 수지로부터 선택될 수 있다.
더 자세하게, 상기 저점도 수지는 우레탄 아크릴레이트(urethane acrylate) 및 2-히드록시 에틸 아크릴레이트(2-hydroxy ethyl acrylate)를 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 저점도 수지는 약 75wt% 내지 약 85wt%의 우레탄 아크릴레이트 및 약 15wt% 내지 약 25wt%의 2-하이드록시 에틸 아크릴레이트를 포함하는 혼합물일 수 있다.
상기 고점도 수지는 비스페놀 A 에폭시 디아크릴레이트 에스테르(diacrylate ester of biphenol A epoxy resin), 1,6 헥산디올 아크릴레이트(1,6-hexanediol acrylate) 및 트리메틸올 프로판 트리아크릴레이트(trimethylol propane triacylate)를 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 고점도 수지는 약 50wt% 내지 약 70wt%의 비스페놀 A 에폭시 디아크릴레이트 에스테르, 약 15wt 내지 약 25wt%의 1,6 헥산디올 아크릴레이트 및 약 15wt% 내지 약 25wt%의 트리메틸올 프로판 트리아크릴레이트를 포함하는 혼합물일 수 있다.
상기 고점도 수지 및 상기 저점도 수지의 비는 약 약 6.5:3.5 내지 약 7.5:2.5일 수 있다. 더 자세하게, 상기 고점도 수지 및 상기 저점도 수지의 비는 약 6.8:3.2 내지 약 7.2:2.8일 수 있다.
또한, 상기 제 2 수지 조성물은 광 경화 개시제 및/또는 열 경화 개시제를 더 포함할 수 있다.
상기 광경화 개시제의 예로는 α-히드록시케톤(α-hydroxyketone), 페닐글리옥시레이트(phenylglyoxylate), 벤질디메틸 케탈(benzildimethyl ketal), α-아미노케톤(α-aminoketone), 모노 아실 포스핀(mono acyl phosphine), 비스 아실 포스핀(bis acyl phosphine), 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논(2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone) 및 이들의 혼합물 등이 있다.
상기 제 2 수지 조성물은 상기 광 변환층(530)의 주위에 코팅된다. 더 자세하게, 상기 광 변환층(530)은 상기 하부 기판(510)의 중앙 부분에 형성되고, 상기 제 2 수지 조성물은 상기 하부 기판(510)의 외곽에 코팅된다.
이후, 상기 광 변환층(530) 상에 상부 기판(520)이 라미네이트되고, 상기 코팅된 제 2 수지 조성물은 열 및/또는 광에 의해서 경화되고, 접착부(540)가 형성된다. 이에 따라서, 상기 광 변환 부재(501)가 형성될 수 있다.
또한, 상기 광 변환 부재(501)는 제 1 무기 보호막 및 제 2 무기 보호막을 더 포함할 수 있다. 상기 제 1 무기 보호막은 상기 하부 기판(510)의 하면에 코팅되고, 상기 제 2 무기 보호막은 상기 상부 기판(520)의 상면에 코팅될 수 있다. 상기 제 1 무기 보호막 및 상기 제 2 무기 보호막으로 사용되는 물질의 예로서는 실리콘 옥사이드 등을 들 수 있다.
상기 확산 시트(502)는 상기 광 변환 부재(501) 상에 배치된다. 상기 확산 시트(502)는 통과되는 광의 균일도를 향상시킨다. 상기 확산 시트(502)는 다수 개의 비드들을 포함할 수 있다.
상기 제 1 프리즘 시트(503)는 상기 확산 시트(502) 상에 배치된다. 상기 제 2 프리즘 시트(504)는 상기 제 1 프리즘 시트(503) 상에 배치된다. 상기 제 1 프리즘 시트(503) 및 상기 제 2 프리즘 시트(504)는 통과하는 광의 직진성을 증가시킨다.
상기 액정패널(20)은 상기 광학시트들(500)상에 배치된다. 또한, 상기 액정패널(20)은 패널 가이드(23) 상에 배치된다. 상기 액정패널(20)은 상기 패널 가이드(23)에 의해서 가이드될 수 있다.
상기 액정패널(20)은 통과하는 광의 세기를 조절하여 영상을 표시한다. 즉, 상기 액정패널(20)은 상기 백라이트 유닛(10)으로부터 출사되는 광을 사용하여, 영상을 표시하는 표시패널이다. 상기 액정패널(20)은 TFT기판(21), 컬러필터기판(22), 두 기판들 사이에 개재되는 액정층을 포함한다. 또한, 상기 액정패널(20)은 편광필터들을 포함한다.
도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 상기 TFT기판(21) 및 컬러필터기판(22)을 상세히 설명하면, 상기 TFT기판(21)은 복수의 게이트 라인 및 데이터 라인이 교차하여 화소를 정의하고, 각각의 교차영역마다 박막 트랜지스터(TFT : thin flim transistor)가 구비되어 각각의 픽셀에 실장된 화소전극과 일대일 대응되어 연결된다. 상기 컬러필터기판(22)은 각 픽셀에 대응되는 R, G, B 컬러의 컬러필터, 이들 각각을 테두리 하며 게이트 라인과 데이터 라인 및 박막 트랜지스터 등을 가리는 블랙 매트릭스(531)와, 이들 모두를 덮는 공통전극을 포함한다.
액정패널(20)의 가장자리에는 게이트 라인 및 데이터 라인으로 구동신호를 공급하는 구동 PCB(25)가 구비된다.
상기 구동 PCB(25)는 COF(Chip on film, 24)에 의해 액정패널(20)과 전기적으로 연결된다. 여기서, 상기 COF(24)는 TCP(Tape Carrier Package)로 변경될 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 실시예에 따른 액정표시장치는 에폭시계 수지 및 우레탄계 수지를 포함하는 접착부(540)를 포함한다. 이때, 상기 우레탄계 수지는 상기 에폭시계 수지와 혼합되어, 전체적으로 향상된 연성 및 열적 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 우레탄계 수지는 상기 접착부(540)의 밀봉 특성을 향상시키고, 상기 광 변환 입자들(532)의 신뢰성 및 내구성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 접착부(540)가 형성되는 과정에서, 저점도 수지 및 고점도 수지가 사용될 수 있다. 특히, 상기 저점도 수지로 우레탄계 수지가 사용될 수 있다. 이에 따라서, 우레탄계 수지는 에폭시계 수지와 혼합되어, 전체적으로 수지 조성물의 점도를 낮출 수 있다.
이에 따라서, 상기 수지 조성물은 낮은 점도를 가지기 때문에, 용이하게 상기 하부 기판(510) 상에 코팅될 수 있고, 상기 광 변환 부재(501)는 용이하게 제조될 수 있다.
도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 4는 제 2 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 5는 제 2 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 6은 도 5에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 본 실시예에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예에 대한 설명 참조한다. 즉, 앞선 액정표시장치에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 액정표시장치에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 3 내지 도 6을 참조하면, 광 변환 부재(600)는 발광다이오드들(400) 및 도광판(200) 사이에 개재된다.
상기 광 변환 부재(600)는 일 방향으로 길게 연장되는 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 도광판(200)의 일 측면을 따라 연장되는 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 도광판(200)의 입사면을 따라서 연장되는 형상을 가질 수 있다.
상기 광 변환 부재(600)는 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 청색광의 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이에 따라서, 상기 광 변환 부재(600)를 통과하는 광 및 상기 광 변환 부재(600)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 도광판(200)에는 백색광이 입사될 수 있다.
상기 광 변환 부재(600)는 하부 기판(610), 상부 기판(620), 광 변환층(630) 및 접착부(640)를 포함한다.
상기 하부 기판(610)은 상기 광 변환층(630) 아래에 배치된다. 상기 하부 기판(610)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 하부 기판(610)은 상기 광 변환층(630)의 하면에 밀착될 수 있다.
상기 상부 기판(620)은 상기 광 변환층(630) 상에 배치된다. 상기 상부 기판(620)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 상부 기판(620)은 상기 광 변환층(630)의 상면에 밀착될 수 있다.
또한, 상기 하부 기판(610)은 상기 발광다이오드들(400)에 대향한다. 즉, 상기 하부 기판(610)은 상기 발광다이오드들(400) 및 상기 광 변환층(630) 사이에 배치된다. 또한, 상기 상부 기판(620)은 상기 도광판(200)에 대향한다. 즉, 상기 상부 기판(620)은 상기 광 변환층(630) 및 상기 도광판(200) 사이에 개재된다.
상기 하부 기판(610) 및 상기 상부 기판(620)은 상기 광 변환층(630)을 샌드위치한다. 또한, 상기 접착부(640)는 상기 광 변환층(630)의 측면을 덮는다. 상기 하부 기판(610) 및 상기 상부 기판(620)은 상기 광 변환층(630)을 지지한다. 또한, 상기 하부 기판(610), 상기 상부 기판(620) 및 상기 접착부(640)는 외부의 물리적인 충격 및 화학적인 충격으로부터 상기 광 변환층(630)을 보호한다.
본 실시예에 따른 액정표시장치에서, 상기 광 변환층(630)은 상대적으로 작은 크기를 가진다. 따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치를 제조하는데 있어서, 적은 양의 광 변환 입자들(632)이 사용될 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 광 변환 입자들(632)의 사용을 줄이고, 적은 비용으로 용이하게 제조될 수 있다.
도 8은 제 3 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 9는 제 3 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 10은 도 8에서 C-C`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 11은 제 3 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 광 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다. 본 실시예에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예들에 대한 설명 참조한다. 즉, 앞선 액정표시장치들에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 액정표시장치에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 8 내지 도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 다수 개의 광 변환 부재들(700)을 포함한다. 상기 광 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400)에 각각 대응된다.
또한, 상기 광 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400) 및 상기 도광판(200) 사이에 배치된다. 즉, 각각의 광 변환 부재(600)는 대응되는 발광다이오드 및 상기 도광판(200) 사이에 배치된다.
상기 광 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400)보다 더 넓은 평면적을 가질 수 있다. 이에 따라서, 각각의 발광다이오드로부터 출사되는 광은 대응되는 광 변환 부재(600)에 거의 대부분이 입사될 수 있다.
또한, 도 8 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 광 변환 부재들(700)은 하부 기판(710), 상부 기판(720), 광 변환층(730) 및 접착부(740)를 포함한다.
상기 하부 기판(710), 상기 상부 기판(720), 상기 광 변환층(730) 및 상기 접착부(740)의 특징은 앞서 설명한 실시예들에서 설명한 특징과 실질적으로 동일할 수 있다.
본 실시예에 따른 액정표시장치에서, 상기 광 변환층(730)은 상대적으로 작은 크기를 가진다. 따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치를 제조하는데 있어서, 적은 양의광 변환 입자들(732)이 사용될 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 광 변환 입자들(732)의 사용을 줄이고, 적은 비용으로 용이하게 제조될 수 있다.
또한, 각각 광 변환 부재(700)의 특성은 대응되는 발광다이오드(400)에 적합하도록 변형될 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 더 향상된 신뢰성, 휘도 및 균일한 색재현성을 가질 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
실험예
제 1 PET기판 상에 양자점을 포함하는 광 변환층이 형성되었다. 이후, 에폭시계 수지 혼합물(비스페놀 A 에폭시 디아크릴레이트 에스테르, 1,6 헥산디올 아크릴레이트 및 트리메틸올 프로판 트리아크릴레이트를 각각 6:2:2의 질량 비율로 혼합함) 및 우레탄계 수지 혼합물(우레탄 아크릴레이트 및 2-히드록시 에틸 아크릴레이트를 8:2의 질량 비율로 혼합함)을 아래의 표 1에서와 같이 혼합하여, 수지 조성물을 형성하였다. 상기 수지 조성물에는 약 0.5wt%의 α-히드록시케톤이 광 경화 개시제로 혼합되었다. 이후, 상기 수지 조성물은 상기 광 변환층의 주위에, 상기 제 1 PET기판의 외곽 상면에 코팅되었다. 이후, 상기 광 변환층 및 상기 코팅된 제 2 수지 조성물 상에 제 2 PET기판이 라미네이트되었다. 이후, 상기 코팅된 수지 조성물은 자외선에 의해서 경화되었다.
이와 같이 형성된 광 변환 부재들은 60℃/90%(습도)의 가혹 조건에서 광 변환 효율이 약 30% 만큼 저하되는 시간이 표 1과 같이 측정되었다.
비율 (에폭시계 수지 혼합물:우레탄계 수지 혼합물 | 0:10 | 3:7 | 5:5 | 7:3 | 10:0 |
신뢰성(시간) | 420 | 400 | 400 | 480 | 400 |
Claims (11)
- 제 1 기판;
상기 제 1 기판 상에 배치되는 제 2 기판;
상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 사이에 배치되는 매트릭스;
상기 매트릭스 내에 배치되는 복수의 광 변환 입자; 및
상기 매트릭스에 인접하여 배치되고, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판과 접착되는 접착부를 포함하고,
상기 접착부는 에폭시계 수지 및 우레탄계 수지를 포함하고,
상기 에폭시계 수지는 에폭시 아크릴레이트계 수지이고,
상기 우레탄계 수지는 우레탄 아크릴레이트계 수지이고,
상기 에폭시 아크릴레이트계 수지의 분자량은 100 내지 300,000이고,
상기 우레탄 아크릴레이트계 수지의 분자량은 10,000 내지 300,000이고,
상기 에폭시계 수지 및 상기 우레탄계 수지의 비는 6.5:3.5 내지 7.5:2.5인 광학 부재. - 제 1 항에 있어서,
상기 에폭시계 수지의 점도는 10,000cP 내지 200,000cP
상기 우레탄계 수지의 점도는 1,000cP 내지 10,000cP인 광학 부재. - 제 1 항에 있어서,
상기 광 변환 입자는 양자점을 포함하는 광학 부재. - 제 1 항에 있어서, 상기 우레탄계 수지는 이미노옥사디아진 디온 우레탄 아크릴레이트 수지, 이소 시아누레이트 우레탄 아크릴레이트 수지, 우레트디온 우레탄 아크릴레이트 수지, 우레탄 아크릴레이트 수지, 알로파네이트 우레탄 아크릴레이트 수지, 뷰렛 우레탄 아크릴레이트 수지 또는 옥사디아진 트리온 우레탄 아크릴레이트 수지로부터 선택되는 광학 부재.
- 제 4 항에 있어서, 상기 에폭시계 수지는 비스페놀형 에폭시 아크릴레이트 수지; 비페닐형 에폭시 아크릴레이트 수지; 페놀노보락형 에폭시 아크릴레이트 수지 또는 크레졸노보락형 에폭시 아크릴레이트 수지; 페놀, ο-크레졸, m-크레졸 또는 나프톨 등의 페놀화합물과 트리글리시딜이소시아누레이트 등의 복소환을 갖는 에폭시 아크릴레이트 수지 또는 페놀아랄킬형 에폭시 아크릴레이트 수지로부터 선택되는 광학 부재.
- 광원;
상기 광원으로부터의 광이 입사되는 광 변환 부재; 및
상기 광 변환 부재로부터의 광이 입사되는 표시패널을 포함하고,
상기 광 변환 부재는,
제 1 기판;
상기 제 1 기판 상에 배치되는 제 2 기판;
상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 사이에 배치되는 매트릭스;
상기 매트릭스 내에 배치되는 복수의 광 변환 입자; 및
상기 매트릭스에 인접하여 배치되고, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판과 접착되는 접착부를 포함하고,
상기 접착부는 에폭시계 수지 및 우레탄계 수지를 포함하고,
상기 에폭시계 수지는 에폭시 아크릴레이트계 수지이고,
상기 우레탄계 수지는 우레탄 아크릴레이트계 수지이고,
상기 에폭시 아크릴레이트계 수지의 분자량은 100 내지 300,000이고,
상기 우레탄 아크릴레이트계 수지의 분자량은 10,000 내지 300,000이고,
상기 에폭시계 수지 및 상기 우레탄계 수지의 비는 6.5:3.5 내지 7.5:2.5인 표시장치. - 제 6 항에 있어서,
상기 에폭시계 수지의 점도는 10,000cP 내지 200,000cP
상기 우레탄계 수지의 점도는 1,000cP 내지 10,000cP인 표시장치. - 제 6 항에 있어서,
상기 광 변환 입자는 양자점을 포함하는 표시장치. - 제 6 항에 있어서, 상기 우레탄계 수지는 이미노옥사디아진 디온 우레탄 아크릴레이트 수지, 이소 시아누레이트 우레탄 아크릴레이트 수지, 우레트디온 우레탄 아크릴레이트 수지, 우레탄 아크릴레이트 수지, 알로파네이트 우레탄 아크릴레이트 수지, 뷰렛 우레탄 아크릴레이트 수지 또는 옥사디아진 트리온 우레탄 아크릴레이트 수지로부터 선택되는 표시장치.
- 제 9 항에 있어서, 상기 에폭시계 수지는 비스페놀형 에폭시 아크릴레이트 수지; 비페닐형 에폭시 아크릴레이트 수지; 페놀노보락형 에폭시 아크릴레이트 수지 또는 크레졸노보락형 에폭시 아크릴레이트 수지; 페놀, ο-크레졸, m-크레졸 또는 나프톨 등의 페놀화합물과 트리글리시딜이소시아누레이트 등의 복소환을 갖는 에폭시 아크릴레이트 수지 또는 페놀아랄킬형 에폭시 아크릴레이트 수지로부터 선택되는 표시장치.
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