CN107175815B - 一种透射式液晶面板与3d打印装置 - Google Patents

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Abstract

发明提供一种透射式液晶面板及一种包含其的3D打印装置，所述透射式液晶面板包括：第一基板；第二基板，所述第二基板包括数据线与扫描线，所述数据线与扫描线交叉设置定义多个像素；液晶层，位于所述第一基板与所述第二基板之间；黑矩阵，限定多个开口区，与所述像素对应设置；单色量子点层，覆盖所述黑矩阵的开口区，所述单色量子点层在近紫外光的照射下可以激发出波长范围为385nm‑420nm的光线。本发明提供的透射式液晶面板不再设置彩色滤光层，提高了透射式液晶面板对近紫外光的透过率，当将该透射式液晶面板应用到3D打印装置中时，提升了感光树脂的感光效率及打印速度，提高了对背光源发射的近紫外光的利用率。

Description

一种透射式液晶面板与3D打印装置
技术领域
本发明涉及3D打印技术领域，且特别涉及一种透射式液晶面板与3D打印装置。
背景技术
快速成型技术(又称快速原型制造技术，Rapid Prototyping Manufacturing,简称RPM)，又称3D打印，是基于材料堆积法的一种高新制造技术，其根据零件或者物体的三维模型数据，通过成型设备以材料累加的方式就可以制造出实物或者实物模型。由于具有大幅降低生产成本、提高原材料和能量的利用率、可根据需求进行定制、大大节省产品制作时间等优点，3D打印技术近年来逐渐进入公众视野并得到快速发展。
3D打印的基本原理是分层加工、叠加成型，即通过逐层增加材料来生成3D实体，在进行3D打印时，首先由计算机通过设计、扫描等方式得到待打印物体的三维模型，再通过电脑辅助设计技术(例如CAD)沿某个方向完成一系列数字切片，并将这些切片的信息传送到3D打印机上，由计算机根据切片生成机器指令，3D打印机根据该机器指令打印出薄型层面，并将连续的薄型层面堆叠起来，直到一个固态物体成型，形成三维立体实物，完成3D打印。
根据所用材料及生成片层方式的区别，3D打印可大致归纳为挤出成型、粒状物料成型和光聚合成型，其中，光聚合成型是采用近紫外波段光对液态感光树脂进行感光固化成型，只是近紫外光的投射系统实现方式不同。其中一种成本较低的实现方式为采用透射型液晶显示屏来代替高昂的激光投影仪形成图案，作为透过紫外光的的掩膜，使液态感光树脂感光，来控制3D成型。现在3D打印的背光源通常采用400nm左右的单波长近紫外光，但该波长不在液晶显示屏的彩色滤光膜透过频谱内，因此正常液晶显示屏对400nm左右光透过率较低，降低了光源利用率，增大了功耗。另外，为尽可能提升白态透过率及较好的白平衡，液晶显示屏的盒厚通常为3.2um-4.0um，但此盒厚下液晶分子关态时即模组暗态时对400nm左右的单波长光透过率较高，容易使得非有效图形区对应的感光树脂也感光，造成3D打印局部细节粗糙，同时也会浪费树脂材料。
发明内容
本发明的目的在于提供一种透射式液晶面板与3D打印装置，以解决现有3D打印装置的成本较高、以及彩色液晶显示器用于3D打印时对近紫外光的透过率较低以及暗态透过率较高的技术问题。
本发明提供一种透射式液晶面板，包括：第一基板，所述第一基板包括数据线与扫描线，所述数据线与扫描线交叉设置定义多个像素；第二基板；液晶层，位于所述第一基板与所述第二基板之间；黑矩阵，限定多个开口区，与所述像素对应设置；单色量子点层，覆盖所述黑矩阵的开口区，所述单色量子点层在近紫外光的照射下可以激发出波长范围为385nm-420nm的光线。
另外，本发明还提供一种3D打印装置，包括背光源与上述的透射式液晶面板，该背光源发射单波长的近紫外光，所述背光源所发出的近紫外光经过所述透射式液晶面板，可以激发出波长范围为385nm-420nm的光线。
与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：本发明提供的透射式液晶面板，包括：第一基板，所述第二基板包括数据线与扫描线，所述数据线与扫描线交叉设置定义多个像素；第二基板；液晶层，位于所述第一基板与所述第二基板之间；黑矩阵，限定多个开口区，与所述像素对应设置；单色量子点层，覆盖所述黑矩阵的开口区，所述单色量子点层在近紫外光的照射下可以激发出波长范围为385nm-420nm的光线。与现有技术中的液晶显示面板相比，本发明实施方式提供的透射式液晶面板不再设置彩色滤光层，而是加入了一层单色量子点层，该单色量子点层在近紫外光的照射下可以激发出波长范围为385nm-420nm的光线，提高了透射式液晶面板对近紫外光的透过率，当将该透射式液晶面板应用到3D打印装置中时，提升了感光树脂的感光效率，提高了对背光源发射的近紫外光的利用率。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1是本发明一实施例提供的透射式液晶面板的截面图；
图2是本发明另一实施例提供的透射式液晶面板的一局部截面图；
图3是图2所示透射式液晶面板的像素结构示意图；
图4是图2所示透射式液晶面板的黑矩阵的示意图；
图5是本发明又一实施例提供的透射式液晶面板中阵列基板的截面图；
图6是本发明又一实施例提供的透射式液晶面板中阵列基板的截面图；
图7是本发明再一实施例提供的透射式液晶面板的截面图；
图8是本发明实施例提供一种3D打印装置的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
首先，本发明提供一种透射式液晶面板，具体请参考图1所示，图1是本发明一实施例提供的透射式液晶面板的截面图，该透射式液晶面板100包括第一基板01、与第一基板01相对设置的第二基板02、以及位于第一基板01与第二基板02之间的液晶层03，第一基板01与第二基板02通过围绕其周边的封框胶05将液晶层03密封在由第一基板01与第二基板02形成的盒体内，并通过设置在第一基板01与第二基板02之间的多个间隔物04保持该盒体厚度的稳定性。
该透射式液晶面板100的盒厚，也即液晶层03的厚度D优选为2.5um-3.0um,以降低透射式液晶面板100暗态时的近紫外光透过率。
该透射式液晶面板100还包括下偏光片061，位于第一基板01的远离液晶层03的一侧，以及上偏光片062，位于第二基板02的远离液晶层03的一侧。
进一步的，第一基板01包括多条平行设置的数据线与多条平行设置的扫描线，该多条平行设置的数据线与多条平行设置的扫描线交叉设置定义多个像素；该透射式液晶面板100还包括黑矩阵与一单色量子点层，该黑矩阵限定多个开口区，与上述像素对应设置，该单色量子点层覆盖所述黑矩阵的开口区，且该单色量子点层在近紫外光的照射下可以激发出波长范围为385nm-420nm的光线。在本发明中，上述黑矩阵与单色量子点层可以位于第一基板01上，也可以位于第二基板02上。
单色量子点层例如可以通过在第一基板或者第二基板的衬底基板上涂覆一层量子点胶体形成，将单色量子点胶涂布在衬底基板上，经固化后，得到单色量子点层。同时可以根据需要，通过控制单色量子点材料的粒径大小得到能够透过不同波长近紫外光的单色量子点层。当该透射式液晶面板用于3D打印装置内时，可以根据3D打印材料固化的需要，使得通过上述方法制得的单色量子点层在近紫外光照射下可以激发出符合需要的波长的近紫外光。
本实施例中，该单色量子点层在近紫外光的照射下可以激发出波长范围为385nm-420nm的光线。
进一步的，该单色量子点层在近紫外光的照射下可以激发出例如波长为385nm、405nm或者420nm的光线。
在本发明的一个实施例中，上述单色量子点层位于第二基板02上，黑矩阵位于第一基板01上，具体的，请参考图2、3、4所示，其中，图2是本发明另一实施例提供的透射式液晶面板的一局部截面图，图3是图2所示透射式液晶面板的像素结构示意图，图4是图2所示透射式液晶面板的黑矩阵的示意图，具体的，在本实施例中，单色量子点层21位于第二基板02上，第二基板02包括第二衬底基板20，单色量子点层21位于第二衬底基板20的朝向液晶层03的一侧，该单色量子点层21在近紫外光的照射下可以激发出波长范围为385nm-420nm的光线。
第一基板01为阵列基板，具体的，在本实施例中，第一基板01包括多条平行设置的数据线DL与多条平行设置的扫描线SL，该多条数据线DL与多条扫描线SL交叉设置界定多个呈阵列排布的像素P。每个像素P包括至少一条扫描线SL、至少一条数据线DL、至少一个半导体薄膜晶体管T以及至少一个像素电极15。在本实施例中，其中，扫描线与数据线例如可选用金属材料，但本发明不限于此，也可以为合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或是金属材料与其它导电材料的堆叠层。
每个半导体薄膜晶体管T包括栅极T1、与栅极T1重叠的半导体沟道T2、设置在栅极T1与半导体沟道T2之间的栅绝缘层11、以及分别与半导体沟道T2两侧电连接的源漏电极T3,源漏电极T3包括源电极与漏电极。半导体薄膜晶体管T的栅极T1与扫描线SL电连接,半导体薄膜晶体管T的源电极与数据线DL电连接，像素电极15与半导体薄膜晶体管T的的漏电极电连接。在本实施例中，半导体薄膜晶体管为背沟道型的半导体薄膜晶体管，栅极T1位于半导体沟道T2与第一衬底基板10之间，且栅极T1由不透光的金属材料、合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或是金属材料与其它导电材料的堆叠层等形成，可以有效遮挡自第一衬底基板方向照射过来的光线，保护半导体薄膜晶体管的半导体沟道免受近紫外光和/或紫外光的影响，增加了半导体薄膜晶体管的性能稳定性，提高了半导体薄膜晶体管的使用寿命。
进一步的，第一基板01还包括以覆盖各数据线10和各源漏电极T3的方式设置的平坦化层12；在平坦化层12上设置的公共电极13，以及，在公共电极13上呈矩阵状地设置的多个像素电极15，在公共电极13与像素电极15之间设置有绝缘层14，以使得公共电极13与像素电极15绝缘间隔，在驱动信号的控制下，上述公共电极与上述像素电极之间会产生一平行电场，驱动液晶层的液晶分子发生状态变化。
平坦化层例如是具有透光性的绝缘膜，是为了使位于其上方的像素电极形成为平坦状而吸收位于其下侧的金属走线(如扫描线、数据线等)、半导体薄膜晶体管等形成阶梯从而进行平坦化的。平坦化层上设置有过孔，像素电极位于平坦化层的远离半导体薄膜晶体管、金属走线的一侧，通过过孔与半导体薄膜晶体管的漏电极电连接。
在本实施例中，像素电极的材质例如可以为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物等透明导电材料。平坦化层的材料可以为无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少两种材料的堆叠层)、有机材料、或其它合适的材料、或上述的组合。
在本实施例中，栅极T1与扫描线SL可选择性地为同一膜层所形成，源漏电极T3与数据线DL可选择性地为同一膜层所形成。然而，本发明并不以此为限，在其他实施例中，栅极与扫描线之间的膜层关系及/或源漏电极与数据线之间的膜层关系可视实际的需求做其他适当设计。
进一步的，第一基板01还包括黑矩阵B，具体的，黑矩阵B包括遮光区B2与开口区B1。其遮光区B2对应设置于第一基板01上的金属走线及半导体薄膜晶体管T所在的区域，其中该金属走线例如为上述扫描线、数据线等；其开口区B1与像素P对应设置。在本发明中，黑矩阵B位于半导体薄膜晶体管T与液晶层之间，具体的，位于源漏电极、数据线所在膜层与平坦化层之间，一方面，限定多个像素，阻止不同像素出射的光线产生混光现象，另一方面用于用于阻止自液晶层反射回第一基板01的光线照射到半导体薄膜晶体管T的半导体沟道上，保护半导体薄膜晶体管的半导体沟道免受近紫外光和/或紫外光的影响，增加了半导体薄膜晶体管的性能稳定性，提高了半导体薄膜晶体管的使用寿命。
例如可以采用如下所述的制备方法制造上述阵列基板：首先提供一第一衬底基板，通过构图工艺在该第一衬底基板上依次形成栅极和扫描线、栅极绝缘层、半导体沟道层、源漏电极和数据线图形；然后，在完成上述步骤的第一衬底基板上沉积黑矩阵层，去除位于像素区域的黑矩阵，形成开口区与遮光区；接着依次形成平坦化层、公共电极与像素电极，所述像素电极所在位置对应于黑矩阵的开口区。其中，所述黑矩阵可具有钝化层作用，可选为无环感炫光性树脂或者聚亚胺非感炫光树脂，或者上述树脂的组合；可具有钝化层作用的所述黑矩阵还可为铬氧化物或钼氧化物，或上述氧化物的组合。
在本实施例中，由于第一基板01为阵列基板，黑矩阵B是制备在阵列基板上，明显减小了该透射式液晶面板对盒精度的要求，同时对半导体薄膜晶体管起到了遮光作用，保护半导体薄膜晶体管免受近紫外光和/或紫外光的影响，使得半导体薄膜晶体管的性能稳定，提升了该透射式液晶面板的使用寿命。
在本实施例中，黑矩阵位于第一基板上，具体的，位于源漏电极、数据线所在膜层与平坦化层之间，在起到定义像素与阻止混光的作用的同时，可以保护半导体薄膜晶体管；当然，在其它实施例中，也可以设置为：黑矩阵位于第二基板上，例如位于第二衬底基板朝向液晶层的一侧，包括多个遮光区与多个开口区，所述开口区成矩阵排列并与第一基板上形成的多个像素相对设置，阻止不同像素出射的光线产生混光现象。同时在第一基板上形成多个遮光层，位于源漏电极、数据线所在膜层与平坦化层之间，覆盖半导体薄膜晶体管的半导体沟道，阻止自液晶层反射回来的光线照射到半导体薄膜晶体管的半导体沟道上，使得半导体薄膜晶体管的性能稳定，提升透射式液晶面板的使用寿命。该遮光层的材质例如可以和黑矩阵的材质相同。
现有技术中的彩色液晶显示器包含彩色滤光层，当使用近紫外光作为背光源时，近紫外光通常只能从蓝色色阻层内穿过，透过率较小，光效损失非常大。本实施例提供的透射式液晶面板采用一单色量子点层代替了原来的彩色滤光层，该单色量子点层在近紫外光的照射下可以激发出波长范围为385nm-420nm的光线，提高了近紫外光的透过率，进而提升了该透射式液晶面板的光能利用率。同时，相较于现有技术中的彩色液晶显示器，本实施例还降低了该透射式液晶面板的盒厚，优选的，使其盒厚范围保持在2.5um-3.0um，降低了该透射式液晶面板的暗态透过率，当使用该透射式液晶面板作为图形掩膜使用时，成像清晰，例如在3D打印中作为图形掩膜使用时，可以增强亮态时近紫外光的透过率，降低暗态时近紫外光的透过率，阻止无效图形处的感光树脂感光，提升了打印图形的质量，降低了感光树脂的材料浪费，同时有效提升了3D打印速度。
图5是本发明又一实施例提供的透射式液晶面板中第一基板的截面图，在本实施例中，该透射式液晶面板的结构与图2-图4提供的透射式液晶面板的结构类似，包括第一基板、与第一基板相对设置的第二基板、以及位于第一基板与第二基板之间的液晶层，黑矩阵位于第一基板即阵列基板上，不同之处在于：黑矩阵B位于像素电极所在膜层与液晶层之间，例如可以采用如下所述的制备方法制造上述阵列基板：首先提供一第一衬底基板，通过构图工艺在该第一衬底基板上依次形成栅极和扫描线、栅极绝缘层、半导体沟道层、源漏电极和数据线图形；然后，在完成上述步骤的第一衬底基板上依次沉积平坦化层与透明导电层，通过构图工艺形成像素电极图形；接着沉积黑矩阵层并图形化形成黑矩阵，黑矩阵覆盖阵列基板的半导体薄膜晶体管所在位置。
在本实施例中，黑矩阵是制备在阵列基板上，明显减小了触控显示装置对盒精度的要求，同时黑矩阵覆盖阵列基板的半导体薄膜晶体管所在位置，阻止自液晶层反射回来的光线照射到半导体薄膜晶体管的半导体沟道上，保护半导体薄膜晶体管免受近紫外光的影响，使得半导体薄膜晶体管的性能稳定，提升了透射式液晶面板的使用寿命。
进一步的，该透射式液晶面板还包括一单色量子点层，该单色量子点层在近紫外光的照射下可以激发出波长范围为385nm-420nm的光线，在本实施例中，该单色量子点层可以位于第一基板上也可以位于第二基板上，本实施例对此并不做特别限定。
进一步的，该透射式液晶面板的盒厚，也即液晶层的厚度优选为2.5um-3.0um,以降低透射式液晶面板暗态时的近紫外光透过率。
进一步的，该透射式液晶面板的第一基板与第二基板上还分别设置有取向层，为液晶层的液晶分子提供一初始配向。
图6是本发明又一实施例提供的透射式液晶面板中第一基板的截面图，在本实施例中，该透射式液晶面板的结构与图2-图4提供的透射式液晶面板的结构类似，包括第一基板、与第一基板相对设置的第二基板、以及位于第一基板与第二基板之间的液晶层，不同之处在于：本实施例中的半导体薄膜晶体管为顶栅式的半导体薄膜晶体管，其半导体沟道T2位于栅极T1与第一衬底基板10之间，同时在第一衬底基板10上形成多个遮光层B3，位于第一衬底基板10与半导体沟道T2之间并覆盖该半导体沟道T2，遮挡自第一衬底基板方向照射过来的光线，保护半导体薄膜晶体管的半导体沟道免受外界光线的影响，提高了半导体薄膜晶体管的使用寿命。该遮光层的材质例如可以和黑矩阵的材质相同。在本实施例中，黑矩阵可以位于第一基板上也可以位于第二基板上，本实施例并不对此做特别限定。
进一步的，该透射式液晶面板还包括一单色量子点层，该单色量子点层在近紫外光的照射下可以激发出波长范围为385nm-420nm的光线，在本实施例中，该单色量子点层可以位于第一基板上也可以位于第二基板上，本实施例对此并不做特别限定。
进一步的，该透射式液晶面板的盒厚，也即液晶层的厚度优选为2.5um-3.0um,以降低透射式液晶面板暗态时的近紫外光透过率。
进一步的，该透射式液晶面板的第一基板与第二基板上还分别设置有取向层，为液晶层的液晶分子提供一初始配向。
图7是本发明再一实施例提供的透射式液晶面板的一局部截面图，该透射式液晶面板的结构与图2-图4提供的透射式液晶面板的结构类似，包括第一基板、与第一基板相对设置的第二基板、以及位于第一基板与第二基板之间的液晶层，黑矩阵位于第一基板即阵列基板上，不同之处在于：图2-图4提供的透射式液晶面板为平行电场驱动模式，其公共电极与像素电极都位于第一基板上，本实施例提供的透射式液晶面板，可以为电控双折射液晶显示(ECB-LCD)、扭曲向列型液晶显示器件(TN-LCD)、垂直配向技术液晶显示器件(VA-LCD)等主流液晶显示模式中的一种，其像素电极15位于第一基板上，公共电极13位于第二基板上，驱动时，像素电极15与公共电极13之间产生一垂直电场，液晶层中的液晶分子在该垂直电场的驱动下发生状态变化，使透过液晶层的光线的偏振方向发生变化。进一步的，例如还可以在第一基板上设置公共电极连接线，位于第二基板上的公共电极例如可以通过封框胶内的导电粒子连接到上述公共电极连接线上，通过该公共电极连接线给公共电极提供公共电压。
进一步的，该透射式液晶面板还包括一单色量子点层，该单色量子点层在近紫外光的照射下可以激发出波长范围为385nm-420nm的光线，在本实施例中，该单色量子点层可以位于第一基板上也可以位于第二基板上，本实施例对此并不做特别限定。
进一步的，该透射式液晶面板的盒厚，也即液晶层的厚度优选为2.5um-3.0um,以降低透射式液晶面板暗态时的近紫外光透过率。
另外，本发明还提供一种包含上述透射式液晶面板的3D打印装置，图8是本发明实施例提供一种3D打印装置的示意图，具体的，该3D打印装置包括背光源200、透射式液晶面板100、成型槽300与涂覆结构400，透射式液晶面板100位于背光源200与成型槽300之间。其中，背光源200发射单波长的近紫外光，所述背光源200所发出的单波长的近紫外光经过所述透射式液晶面板内的单色量子点层，可以激发出波长范围为385nm-420nm的光线。优选的，对该单色量子点层内的量子点的尺寸大小进行选择性设置，使得该背光源200所发出的单波长的近紫外光经过该单色量子点层可以激发出波长为385nm、405nm或者420nm的光线。
在进行3D打印时，首先由计算机通过设计、扫描等方式得到待打印物体的三维模型，再通过电脑辅助设计技术沿某个方向完成一系列数字切片，并将这些切片的信息传送到3D打印装置上，涂覆结构400根据所述切片信息的指示通过喷涂头将一定量的液态感光树脂涂覆在成型槽300内；同时，透射式液晶面板100根据所述切片信息的指示按时显示一预设的图形，使得背光源200提供的单波长的近紫外光部分透过透射式液晶面板照射到液态感光树脂上，该液态感光树脂在一定波长和功率的近紫外光的照射下能迅速发生光聚合反应，相对分子质量急剧增大，材料也就从液态转变成固态，形成一薄型层面；当该层薄型层面完成后，未被照射的地方仍是液态的感光树脂，然后在已成型的薄型层面上继续涂覆一层液态感光树脂，并利用刮板将黏度较大的感光树脂的液面刮平，然后再通过变换透射式液晶面板的显示图形，重复上述成形过程形成又一层薄型层面，如此重复并将连续的薄型层面堆叠起来，直到一个固态物体成型，形成三维立体实物，完成3D打印。
本实施例提供的3D打印装置利用透射式液晶面板作为成型掩膜，代替激光投影仪来形成图案，相较于价格高昂的激光投射仪，该透射式液晶面板的造价较低，降低了3D打印装置的产品成本，提高了普及率。
本实施例提供的3D打印装置中的透射式液晶面板，采用一单色量子点层代替了原来液晶显示面板内的彩色滤光层，该单色量子点层在近紫外光的照射下可以激发出波长范围为385nm-420nm的光线，提高了近紫外光的透过率，改善了感光树脂的感光强度，改善了3D打印产品的细节形貌，同时提升了该3D打印装置的光能利用率。
同时，本实施例中3D打印装置使用的透射式液晶面板的盒厚较小，优选的，使其盒厚范围保持在2.5um-3.0um，降低了该透射式液晶面板的暗态透过率，当该透射式液晶面板在3D打印中作为图形掩膜使用时，可以有效降低暗态时近紫外光的透过率，阻止无效图形处的感光树脂感光，提升了打印图形的质量，提升了成型槽里感光树脂的使用寿命，降低了感光树脂的材料浪费，同时有效提升了3D打印速度。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (12)

1.一种3D打印装置，其特征在于，包括透射式液晶面板和背光源，所述透射式液晶面板包括：
第一基板，所述第一基板包括数据线与扫描线，所述数据线与扫描线交叉设置定义多个像素；
第二基板；
液晶层，位于所述第一基板与所述第二基板之间；
黑矩阵，限定多个开口区，与所述像素对应设置；
所述背光源发射单波长的近紫外光，所述背光源所发出的近紫外光经过所述透射式液晶面板；
单色量子点层，覆盖所述黑矩阵的开口区，所述单色量子点层在近紫外光的照射下可以激发出波长范围为385nm-420nm的光线；
所述液晶层的厚度为2.5um-3.0um。
2.如权利要求1所述3D打印装置，其特征在于，所述单色量子点层在近紫外光的照射下可以激发出波长为385nm、405nm或者420nm的光线。
3.如权利要求1所述3D打印装置，其特征在于，所述第二基板包括第二衬底基板，所述单色量子点层位于所述第二衬底基板的朝向所述液晶层的一侧。
4.如权利要求1所述3D打印装置，其特征在于，所述第一基板还包括背沟道型的半导体薄膜晶体管，所述黑矩阵位于所述液晶层与所述半导体薄膜晶体管之间，且所述黑矩阵覆盖所述半导体薄膜晶体管。
5.如权利要求4所述3D打印装置，其特征在于，所述第一基板还依次包括位于所述半导体薄膜晶体管的朝向所述液晶层一侧的平坦化层与像素电极，所述像素电极通过一贯穿所述平坦化层的过孔与所述半导体薄膜晶体管的漏电极连接；
所述黑矩阵位于所述半导体薄膜晶体管的朝向所述平坦化层的一侧。
6.如权利要求4所述3D打印装置，其特征在于，所述第一基板还依次包括位于所述半导体薄膜晶体管的朝向所述液晶层一侧的平坦化层与像素电极，所述像素电极通过一贯穿所述平坦化层的过孔与所述半导体薄膜晶体管的漏电极连接；
所述黑矩阵位于所述像素电极的朝向所述液晶层的一侧。
7.如权利要求5或6所述3D打印装置，其特征在于，所述第一基板还包括公共电极，所述公共电极与所述像素电极之间形成平行电场。
8.如权利要求5或6所述3D打印装置，其特征在于，所述第二基板还包括公共电极，所述公共电极与所述像素电极之间形成垂直电场。
9.如权利要求1所述3D打印装置，其特征在于，所述黑矩阵位于所述第二基板，所述第一基板还包括遮光层与背沟道型的半导体薄膜晶体管，所述遮光层位于所述液晶层与所述半导体薄膜晶体管之间，且所述遮光层覆盖所述半导体薄膜晶体管。
10.如权利要求1所述3D打印装置，其特征在于，第一基板还包括第一衬底基板与位于所述第一衬底基板上的遮光层和半导体薄膜晶体管，所述遮光层位于所述第一衬底基板与所述半导体薄膜晶体管之间，且所述遮光层覆盖所述半导体薄膜晶体管。
11.如权利要求9或10所述3D打印装置，其特征在于，所述遮光层与所述黑矩阵的材质相同。
12.如权利要求1所述3D打印装置，其特征在于，所述3D打印装置还包括涂覆结构与成型槽，所述透射式液晶面板位于所述成型槽与所述背光源之间。
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