KR100862532B1 - 발광 다이오드 패키지 제조방법 - Google Patents

발광 다이오드 패키지 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, LED 칩을 마련하는 단계와; 상기 LED 칩의 상부에 형광층을 형성하는 단계; 및 상기 형광층 상에 형광체 분말이 함유된 잉크를 사용하는 잉크젯 공정에 의해 격자구조 형광체 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 LED 패키지 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 소정 두께를 갖는 형광층을 형성하는 단계와; 상기 형광층 상에 형광체 분말이 함유된 잉크를 사용하는 잉크젯 공정에 의해 격자구조 형광체 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 격자구조 형광체 패턴이 형성된 형광층을 LED 칩 상부에 배치하는 단계를 포함하는 LED 패키지 제조방법을 제공한다.
LED 패키지(light emitting diode package), 격자구조(lattice structure), 잉크젯(ink-jet)

Description

발광 다이오드 패키지 제조방법{METHOD OF MANUFACTURING LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}
도1은, 종래기술에 따른 LED 패키지의 단면도이다.
도2의 (a) 내지 (e)는, 본 발명의 일실시형태에 따른 LED 패키지 제조공정의 순서도이다.
도3의 (a) 내지 (d)는, 본 발명의 다른 실시형태에 따른 LED 패키지의 제조공정의 순서도이다.
도4의 (a) 및 (b)는, 본 발명의 일실시형태에서 잉크젯 공정에 의해 형광층 상에 격자구조 형광체 패턴을 형성하는 공정의 단면도 및 사시도이다.
도5의 (a) 내지 (c)는, 본 발명의 또 다른 실시형태에서 격자구조 형광체 패턴이 형성된 형광층을 형성하는 공정의 순서도이다.
도6의 (a) 내지 (c)는, 상기 도5의 순서에 의해 얻어진 격자구조 형광체 패턴이 형성된 형광층을 사용하는 일실시 형태에 따른 LED 패키지의 제조공정의 순서도이다.
도7의 (a) 내지 (c)는, 상기 도5의 순서에 의해 얻어진 격자구조 형광체 패턴이 형성된 형광층을 사용하는 다른 실시 형태에 따른 LED 패키지의 제조공정의 순서도이다.
<발명의 주요부분에 대한 부호 설명>
21 : LED 칩 22 : 형광층
23 : 격자구조 형광체 패턴 24 : 패키지 하우징
25 : 투명수지 47 : 잉크젯 노즐
66 : 격자구조 형광체 패턴이 형성된 형광층
본 발명은, LED 패키지 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 LED 패키지에서 LED 칩의 전면에 배치되는 형광층 상에 잉크젯 공정을 이용하여 격자구조 형광체를 형성하여 LED 패키지의 발광효율을 증가시키고, 제조공정을 단순화시키는 것을 목적으로 한다.
LED(Light Emitting Diode)는, 전극에 순방향 전압을 인가하면 전도대의 전자가 가전자대의 정공과 재결합을 위하여 천이될 때 그 에너지만큼 빛으로 발광되는 현상을 응용한 발광소자의 하나로서, 기존의 전구에 비해 소형, 경량화가 가능하고, 발열이 적으며 수명이 길고 고속의 응답이 가능한 점 등의 다양한 장점으로 인해 다양한 전기전자 제품에 활용되고 있다.
최근 이러한 LED 소자의 발광효율을 높이고자 하는 연구가 계속되고 있으며, 그 중 한가지 방법이 형광체의 표면에 일정한 주기구조를 갖는 구조물 혹은 패턴을 형성시킴으로써 LED 소자의 발광효율을 증대시키는 것이다.
즉, LED 소자에서 형광체는 대부분 형광체 파우더를 기본으로 슬러리나 페이스트 형태로 하여 평탄한 면으로 도포되어 형성된다. 이 때 조사되는 여기 광원과 이에 의해 형광체가 여기되어 발생하는 빛이 파우더에 의해 산란되거나 소실되는 비율이 커 발광효율 및 휘도가 떨어지는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 개선하기 위해 형광체 상에 격자구조를 형성하여 발광효율을 증대시키려는 노력이 있어 왔다.
도1은, 종래기술(한국 공개공보 2006-0055934호)에 따른 LED 패키지의 단면도이다.
도1을 참조하면, 종래기술에 따른 LED 패키지는 발광다이오드(LED : Light Emitting Diode) 칩(11), 상기 LED 칩이 실장되는 하우징(14), 상기 LED 칩을 밀봉하는 증폭판(12)을 포함한다.
상기 하우징(14)의 내부에는 상기 LED 칩(11)으로부터의 빛을 반사하기 위한 반사판(14a)이 형성되어 있고, 상기 LED 칩(11)은 상기 하우징 내에서 와이어(18)에 의해 본딩된다. 또한, 상기 증폭판(12)의 일면에는 요철부(13)가 형성되어 있다. 상기 요철부는 LED 칩으로부터 방출된 빛을 산란시켜 증폭발광이 가능하게 한다. 이 때, 상기 요철부의 피치(pitch), 골의 깊이, 요철부의 모양을 조절하여 증폭판을 통한 굴절을 극대화시켜 전방으로의 광 방출효과를 극대화시킬 수 있다.
상기의 격자구조를 형성하는 예로는, 광감성 폴리머를 형광체 상에 도포하고 자외선을 조사하여 소정의 격자구조만 경화시킨 후 격자구조 이외의 부분은 식각함으로써 3차원의 격자구조를 만들 수 있다. 또는 포토리소그래피 공정을 이용하여 격자구조를 갖는 박막형태의 형광체를 형성할 수 있다.
그러나, 식각공정의 경우, 광의 제어, 식각공정에 있어서의 해상도의 문제로 인해 균일한 주기를 갖는 격자구조를 형성하기 어렵다는 문제가 있으며, 포토리소그래피를 이용한 박막 형광체의 경우 형광체 내부에서 발생한 빛이 전반사로 인해 밖으로 빠져 나오지 못하기 때문에 발광효율이 떨어지는 문제가 있다.
본 발명은, 상기한 문제점을 해결하기 위해서 형광층 상에 형성되는 격자구조를 잉크젯 방식을 사용하여 형성함으로써, 제조공정을 단순화시키고 균일한 주기 및 격자구조의 정확도를 높이는 것을 일목적으로 한다.
또한, 형광층 시트 상에 직접 격자구조를 형성함으로써 양산성을 향상시키 것을 다른 일목적으로 한다.
본 발명은, LED 칩을 마련하는 단계와; 상기 LED 칩의 상부에 형광층을 형성하는 단계; 및 상기 형광층 상에 형광체 분말이 함유된 잉크를 사용하는 잉크젯 공정에 의해 격자구조 형광체 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 LED 패키지 제조방법을 제공한다.
상기 형광층은, 상기 LED칩의 상면에 부착되며, 상기 격자구조 형광체 패턴이 형성된 형광층이 부착된 LED칩을 패키지 하우징 내부에 실장하는 단계; 및 상기 패키지 하우징 내부를 투명수지로 몰딩하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 LED 칩을 마련하는 단계는, LED 칩을 패키지 하우징 내부에 실장하는 단계; 및 상기 패키지 하우징 내부를 투명수지로 몰딩하는 단계를 포함하며, 상기 형광층은, 상기 투명수지의 상면에 형성될 수 있다.
상기 격자구조 형광체 패턴은, 복수개의 도트(dot)의 배열로 형성될 수 있으며, 상기 형광층의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖도록 제조될 수 있다.
또한, 본 발명은 소정 두께를 갖는 형광층을 형성하는 단계와; 상기 형광층 상에 형광체 분말이 함유된 잉크를 사용하는 잉크젯 공정에 의해 격자구조 형광체 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 격자구조 형광체 패턴이 형성된 형광층을 LED 칩 상부에 배치하는 단계를 포함하는 LED 패키지 제조방법을 제공한다.
상기 격자구조 형광체 패턴이 형성된 형광층을 LED 칩 상부에 배치하는 단계는, LED 칩 상면에 상기 형광층을 부착하는 단계와; 상기 형광층이 부착된 LED 칩을 패키지 하우징 내부에 실장하는 단계; 및 상기 패키지 하우징 내부를 투명수지로 몰딩하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 격자구조 형광체 패턴이 형성된 형광층을 LED 칩 상부에 배치하는 단계는, LED 칩을 패키지 하우징 내부에 실장하는 단계와; 상기 패키지 하우징 내부를 투명수지로 몰딩하는 단계; 및 상기 투명수지의 상면에 상기 격자구조 형광체 패턴이 형성된 형광층을 부착하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 격자구조 형광체 패턴은 시트 단위의 형광층 상에 형성되며, 상기 격자구조 형광체 패턴이 형성된 형광층을 LED 칩 상부에 배치하는 단계 이전에 상기 격자구조 형광체 패턴이 형성된 형광층 시트를 칩단위로 절단하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 격자구조 형광체 패턴은, 복수개의 도트(dot)의 배열로 형성될 수 있으며, 상기 형광층의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖도록 제조될 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하겠다.
도2는, 본 발명의 일실시형태에 따른 LED 패키지의 제조공정에 대한 흐름도이다.
도2a는, LED 칩(21)을 마련하는 단계이다.
본 실시형태의 경우, 웨이퍼 레벨에서 칩단위로 절단된 LED 칩이 사용된다.
도2b는, 상기 LED 칩(21) 상에 형광층(22)을 형성하는 단계이다.
상기 형광층(22)은, 분산가능한 나노입자의 형광체 분말을 투명성 폴리머 수지에 혼합한 페이스트를 상기 LED 칩(21) 상에 도포하고 경화시키는 단계에 의해 형성될 수 있다. 상기 투명성 폴리머 수지로는 경화성 수지 또는 아크릴계 수지 등이 사용될 수 있으며, 바람직하게는 에폭시계 폴리머 수지 또는 실리콘계 폴리머 수지 등이 사용될 수 있다.
도2c는, 상기 형광층(22) 상에 격자구조 형광체 패턴(23)을 형성하는 단계이다.
본 실시형태에서는, 잉크젯공정에 의해 상기 격자구조 형광체 패턴(23)을 형성한다. 상기 격자구조를 이루는 형광체 패턴에 의해 상기 형광층(22) 상에 돌출부가 형성되어 상기 형광층(22)의 표면에는 요철구조가 형성된다.
본 실시형태에서는, 형광층(22) 상에 돌출된 복수개의 도트(23)의 배열에 의해 격자구조를 형성한다.
상기 격자구조 형광체 패턴(23)을 형성함으로써 상기 형광층(22) 내부에서 발생된 빛은 상기 격자구조 형광체(23)를 통해 브래그 산란에 의해 전면방향으로 추출될 수 있다. 이러한 격자구조에 의한 브래그 산란에서 기인하는 광 추출 메카니즘은 격자구조의 높이나 주기에 의해 결정된다.
본 실시형태와 같이, 잉크젯 공정을 이용하여 상기 격자구조를 구현하면 사용되는 헤드의 특성에 따라 토출되는 액적의 양과 사이즈를 제어할 수 있기 때문에 이러한 격자구조의 높이나 폭, 주기 등을 자유롭게 조절할 수 있다. 또한, 잉크젯 공정을 이용하면, 종래의 마스크를 필요로 하는 노광공정을 거치지 않고 형광체가 포함된 잉크를 직접 인쇄하여 격자구조를 형성하는 것이 가능하기 때문에 공정이 매우 간단하며 형광체의 사용량을 최소로 할 수 있어 경제적이다.
상기 잉크젯 공정에 사용되는 잉크는, 분산 가능한 나노입자의 형광체 분말, 솔벤트 등의 용매제, 및 경화성 폴리머를 혼합하여 형성할 수 있다. 상기 잉크는, 노즐에 의해 토출될 수 있도록 적절한 점도를 갖도록 형성할 수 있으며, 상기 잉크의 점도에 따라 상기 격자구조 형광체 패턴의 높이 등을 조절할 수 있다.
또한, 상기 격자구조 형광체 패턴(23)은 하부의 형광층(22)과 동일하거나 더 높은 굴절률을 갖는 물질을 사용하는 것이 전반사효과를 제거하는데 바람직하다.
도2d는, 상기 형광층(22)이 부착된 LED 칩(21)을 패키지 하우징(24) 내부에 실장하는 단계이다.
상기 패키지 하우징(24)의 내부에는 상기 LED 칩(21)이 실장될 수 있는 금속단자부(미도시)가 있으며, 상기 금속단자부와 상기 LED 칩(21)은 와이어본딩 또는 플립칩 본딩에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
도면에서는 LED 칩과 패키지 하우징 사이의 연결형태에 대해 구체적으로 도시하지 않았으나, LED 칩이 패키지 하우징 내에 실장된다는 의미는 상기 LED 칩이 상기 패키지 하우징 내의 단자부에 전기적으로 연결되는 것을 의미한다.
상기 패키지 하우징(24)의 내부는, 상기 LED 칩으로부터 발생된 빛을 LED 칩의 전면방향으로 반사시키기 위해 원뿔대의 사면의 형태로 형성된 반사판(24a)이 형성되어 있다. 상기 반사판(24a)은 성형된 열경화성 고분자 수지 또는 금속판 일면 위에 Al, Ag, Cr, Ni 또는 Ti 등이 얇게 코팅되어 형성될 수 있다.
도2e는, 상기 패키지 하우징(24)의 내부에 투명수지(25)로 몰딩하는 단계이다.
상기 투명수지(25)는 상기 하우징(24)의 내부에 실장된 LED 칩을 외부로부터 보호하는 기능을 하며, 상기 수지(25)에는 형광체가 포함될 수도 있다. 상기 투명수지로는 투명 폴리머 수지가 사용될 수 있으며, 바람직하게는 에폭시 수지 또는 실리콘 수지 등이 사용될 수 있다.
도3의 (a) 내지 (d)는, 본 발명의 다른 실시형태에 따른 LED 패키지의 제조공정 순서도이다.
도3의 (a)는, LED 칩(31)을 패키지 하우징(34) 내부에 실장하는 단계이다.
상기 LED 칩(31)을 패키지 하우징(34)에 실장한다는 의미는, 상기 LED 칩을 와이어 본딩 또는 플립칩 본딩에 의해 상기 패키지 하우징(34)의 단자에 전기적으로 연결하는 것을 의미한다.
도3의 (b)는, 상기 하우징 패키지(34)의 내부를 투명수지(35)로 몰딩하는 단계이다.
상기 투명수지(35)는 투명성 폴리머 수지가 사용될 수 있으며, 바람직하게는 에폭시 수지 또는 실리콘 수지가 사용될 수 있다.
도3의 (c)는, 상기 투명수지(35)의 상면에 형광층(32)을 형성하는 단계이다.
상기 형광층(32)은, 형광체 분말과 에폭시 수지 등이 혼합된 형광체 페이스트를 상기 투명수지(35)의 상부에 도포하여 경화시키는 단계를 통해 형성될 수 있다.
도3의 (d)는, 상기 형광층(32) 상에 잉크젯 공정에 의해 격자구조 형광체 패턴(33)을 형성하는 단계이다.
여기서 격자구조 형광체 패턴(33)을 형성하는 공정은, 상기 도2의 (c) 단계와 동일한 공정으로 수행될 수 있다.
도4의 (a) 및 (b)는, 상기 도2 및 도3의 실시형태에서 잉크젯 공정에 의해 형광층 상에 격자구조 형광체 패턴을 형성하는 공정의 단면도 및 사시도이다.
도4의 (a) 및 (b)를, 참조하면, LED 칩 또는 투명 수지의 상면에 형성된 칩 사이즈의 형광층(42) 상에 잉크젯 노즐(47)을 이용하여 격자구조 형광체 패턴(43)을 형성한다.
본 실시형태에서는 상기 잉크젯 노즐(47)은 불연속적으로 액적을 토출할 수 있도록 하여 복수개의 돌출된 도트의 배열이 격자구조를 이루도록 하였으나, 상기 노즐의 형태 및 특성은 다양하게 구현할 수 있다. 즉, 상기 노즐에서 연속적으로 액적을 토출시켜 연속적인 돌출형태의 격자구조 형광체를 형성할 수 있다.
상기 잉크젯 공정에 사용되는 잉크는, 형광체 분말, 솔벤트 등의 용매제, 및 폴리머 수지 등이 포함될 수 있다. 상기 잉크는, 혼합되는 폴리머 수지 및 용매제의 비율을 조절하여 점도를 조절할 수 있다. 잉크의 점도에 따라 상기 격자구조 형광체의 높이 및 면적을 조절할 수 있다. 또한, 이러한 격자구조 형광체 패턴을 이루는 도트의 크기와 높이의 조절은 기본적으로 헤드 노즐 사이즈, 구동전압, 구동파형 등을 조절함으로써 원하는 크기와 형태의 격자구조 형광체 패턴을 형성할 수 있다.
이처럼, 잉크젯 공정에 의해 격자구조 형광체 패턴을 형성하는 경우, 종래의 식각공정이나, 포토리소그래피 공정에 비해 요철의 형태 및 간격을 조절하기가 용이하고, 형광체 상에 직접 인쇄하는 기법을 사용하므로 공정을 간소화시킬 수 있다.
도5의 (a) 내지 (c)는, 본 발명의 또 다른 실시형태에서 격자구조 형광체 패턴이 형성된 형광층을 형성하는 공정의 순서도이다.
도5의 (a)는, 형광층 시트(52)를 형성하는 단계이다.
상기 형광층 시트(52)는 소정의 두께를 갖도록 형성되며, 형광체 분말이 혼합된 투명성 수지를 경화시켜 형성할 수 있다.
도5의 (b)는, 상기 형광층 시트(52) 상에 격자구조 형광체 패턴(53)을 잉크젯 방식으로 형성하는 단계이다.
본 실시형태에 따르면, 잉크젯 노즐(57)을 상기 형광층 시트(52)를 따라서 화살표방향으로 이동시키면서 상기 격자구조 형광체 패턴(53)을 형성할 수 있다. 본 실시형태에서는 도트(dot) 형태의 격자구조 형광체 패턴을 형성하였으나, 상기 잉크젯 노즐(57)의 특성을 조절한다면 상기 격자구조 형광체 패턴의 형태는 연속적인 형태로도 구현될 수 있다.
도5의 (c)는, 상기 격자구조 형광체 패턴(53)이 형성된 형광체 시트(52)를 칩 단위(52a,52b,52c)로 절단하는 단계이다.
본 실시형태와 같이 시트구조의 형광층 상에 격자구조 형광체 패턴을 일괄적으로 형성한 후, 원하는 크기의 칩 단위로 절단하여 사용할 경우에는, 각각의 칩단위 LED 칩 또는 LED 패키지 상에서 잉크젯 공정을 수행하는 경우보다 공정이 용이하게 될 수 있다.
도6의 (a) 내지 (c)는, 상기 도5의 순서에 의해 얻어진 격자구조 형광체 패턴이 형성된 형광층을 사용하는 일실시 형태에 따른 LED 패키지의 제조공정의 순서도이다.
도6의 (a)는, LED 칩(61) 상에 격자구조 형광체 패턴이 형성된 형광층(66)을 접착하는 단계이다.
여기서 상기 격자구조 형광체 패턴이 형성된 형광층(66)은 상기 도5의 (a) 내지 (c)의 공정에 의해 제조된 칩 단위 형광층이다. 본 실시형태는 상기 도2의 실시형태와 달리 격자구조 형광체 패턴이 형성된 형광층(66)을 시트상에서 일체로 제조한 후 칩단위로 절단하여 LED 칩 상에 부착하므로 제조공정이 단순화될 수 있다.
도6의 (b)는, 상기 격자구조 형광체 패턴이 형성된 형광층(66)이 부착된 LED 칩(61)을 패키지 하우징(64) 내부에 실장하는 단계이며, 도6의 (c)는, 상기 패키지 하우징(64)의 내부를 투명수지로 몰딩하는 단계이다.
본 실시형태에서 도6의 (b) 및 (c) 단계는 도2의 실시형태에서 (d) 및 (e) 단계와 동일한 공정으로 이루어진다.
도7의 (a) 내지 (c)는, 본 발명의 다른 일실시형태에 따른 LED 패키지의 제조공정 순서도이다.
도7의 (a)는, 패키지 하우징(74) 내부에 LED 칩(71)을 실장하는 단계이며, 도7의 (b)는, 상기 패키지 하우징(74) 내부에 투명수지(75)를 몰딩하는 단계이다.
본 실시형태에서 도7의 (a) 및 (b) 단계는 도3의 실시형태에서 (a) 및 (b) 단계와 동일한 공정으로 이루어진다.
도7의 (c)는, 상기 투명수지(75) 상면에 격자구조 형광체 패턴이 형성된 형광층(76)을 부착하는 단계이다.
여기서 상기 격자구조 형광체 패턴이 형성된 형광층(76)은 상기 도5의 (a) 내지 (c)의 공정에 의해 제조된 칩 단위 형광층이다. 본 실시형태는 상기 도3의 실시형태와 달리 격자구조 형광체 패턴이 형성된 형광층(76)을 일체로 제조한 후 LED 칩 상에 부착하므로 제조공정이 단순화될 수 있다.
이와 같이, 본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되지 아니한다. 즉, 잉크젯 공정에 사용되는 형광체가 포함된 잉크, 격자구조 형광체 패턴의 형태 등은 다양하게 구현될 수 있다. 첨부된 청구범위에 의해 권리범위를 한정하고자 하며, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
본 발명에 따르면, 잉크젯 공정을 사용하여 형광층 상에 격자구조 형광체 패턴을 형성하므로 균일한 주기 및 정확도가 향상된 격자구조를 구현할 수 있으며, 상기 격자구조 형광체 패턴을 제조하는 공정을 단순화시킬 수 있다.

Claims (11)

  1. LED 칩을 마련하는 단계;
    상기 LED 칩의 상부에 형광층을 형성하는 단계; 및
    상기 형광층 상에 형광체 분말이 함유된 잉크를 사용하는 잉크젯 공정에 의해 일정한 주기적 구조를 갖는 격자구조로 배열된 형광체 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 LED 패키지 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 형광층은, 상기 LED칩의 상면에 부착되며,
    상기 형광층이 부착된 LED칩을 패키지 하우징 내부에 실장하는 단계; 및
    상기 패키지 하우징 내부를 투명수지로 몰딩하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 LED 칩을 마련하는 단계는,
    LED 칩을 패키지 하우징 내부에 실장하는 단계; 및
    상기 패키지 하우징 내부를 투명수지로 몰딩하는 단계를 포함하며,
    상기 형광층은, 상기 투명수지의 상면에 형성되는 것을 특징으로 LED 패키지 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 형광체 패턴은,
    복수개의 도트(dot)의 배열로 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 형광체 패턴은,
    상기 형광층의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
  6. 소정 두께를 갖는 형광층을 형성하는 단계;
    상기 형광층 상에 형광체 분말이 함유된 잉크를 사용하는 잉크젯 공정에 의해 형광체 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 형광체 패턴이 형성된 형광층을 LED 칩 상부에 배치하는 단계를 포함하는 LED 패키지 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 형광체 패턴이 형성된 형광층을 LED 칩 상부에 배치하는 단계는,
    LED 칩 상면에 상기 형광체 패턴이 형성된 형광층을 부착하는 단계;
    상기 형광층이 부착된 LED 칩을 패키지 하우징 내부에 실장하는 단계; 및
    상기 패키지 하우징 내부를 투명수지로 몰딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 형광체 패턴이 형성된 형광층을 LED 칩 상부에 배치하는 단계는,
    LED 칩을 패키지 하우징 내부에 실장하는 단계;
    상기 패키지 하우징 내부를 투명수지로 몰딩하는 단계;
    상기 투명수지의 상면에 상기 형광체 패턴이 형성된 형광층을 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 형광체 패턴은, 시트 단위의 형광층 상에 형성되며,
    상기 형광체 패턴이 형성된 형광층을 LED 칩 상부에 배치하는 단계 이전에 상기 형광체 패턴이 형성된 형광층 시트를 칩단위로 절단하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 형광체 패턴은,
    복수개의 도트(dot)의 배열로 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 형광체 패턴은,
    상기 형광층의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100969100B1 (ko) 2010-02-12 2010-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지
KR101099428B1 (ko) 2009-04-06 2011-12-28 이익주 엘이디 모듈 제조방법

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9412926B2 (en) 2005-06-10 2016-08-09 Cree, Inc. High power solid-state lamp
KR20090002835A (ko) * 2007-07-04 2009-01-09 엘지전자 주식회사 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법
EP2312658B1 (en) 2008-07-03 2018-06-27 Samsung Electronics Co., Ltd. A wavelength-converting light emitting diode (led) chip and method for fabrication of an led device equipped with this chip
TWI411091B (zh) * 2008-10-13 2013-10-01 Walsin Lihwa Corp 發光二極體封裝結構
US8507300B2 (en) * 2008-12-24 2013-08-13 Ledengin, Inc. Light-emitting diode with light-conversion layer
JP5680278B2 (ja) 2009-02-13 2015-03-04 シャープ株式会社 発光装置
JP5327042B2 (ja) * 2009-03-26 2013-10-30 豊田合成株式会社 Ledランプの製造方法
US8803171B2 (en) * 2009-07-22 2014-08-12 Koninklijke Philips N.V. Reduced color over angle variation LEDs
US9500325B2 (en) 2010-03-03 2016-11-22 Cree, Inc. LED lamp incorporating remote phosphor with heat dissipation features
US9625105B2 (en) 2010-03-03 2017-04-18 Cree, Inc. LED lamp with active cooling element
US10359151B2 (en) 2010-03-03 2019-07-23 Ideal Industries Lighting Llc Solid state lamp with thermal spreading elements and light directing optics
US8632196B2 (en) 2010-03-03 2014-01-21 Cree, Inc. LED lamp incorporating remote phosphor and diffuser with heat dissipation features
US20110227102A1 (en) * 2010-03-03 2011-09-22 Cree, Inc. High efficacy led lamp with remote phosphor and diffuser configuration
US9316361B2 (en) 2010-03-03 2016-04-19 Cree, Inc. LED lamp with remote phosphor and diffuser configuration
US10451251B2 (en) 2010-08-02 2019-10-22 Ideal Industries Lighting, LLC Solid state lamp with light directing optics and diffuser
KR101478472B1 (ko) 2010-08-17 2014-12-31 코니카 미놀타 어드밴스드 레이어즈 인코포레이티드 발광 장치의 제조 방법
JP5931330B2 (ja) * 2010-10-22 2016-06-08 不二サッシ株式会社 ベアチップ実装面発光体の製造方法及びベアチップ実装面発光体
KR101210066B1 (ko) 2011-01-31 2012-12-07 엘지이노텍 주식회사 광 변환 부재 및 이를 포함하는 표시장치
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
US8329485B2 (en) 2011-05-09 2012-12-11 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited LED phosphor ink composition for ink-jet printing
JP5772293B2 (ja) * 2011-06-28 2015-09-02 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
KR101305696B1 (ko) 2011-07-14 2013-09-09 엘지이노텍 주식회사 표시장치 및 광학 부재
KR20130009020A (ko) 2011-07-14 2013-01-23 엘지이노텍 주식회사 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
KR101893494B1 (ko) 2011-07-18 2018-08-30 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101262520B1 (ko) 2011-07-18 2013-05-08 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101241549B1 (ko) 2011-07-18 2013-03-11 엘지이노텍 주식회사 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
KR101294415B1 (ko) 2011-07-20 2013-08-08 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101251815B1 (ko) * 2011-11-07 2013-04-09 엘지이노텍 주식회사 광학 시트 및 이를 포함하는 표시장치
US9488359B2 (en) 2012-03-26 2016-11-08 Cree, Inc. Passive phase change radiators for LED lamps and fixtures
JP2013227362A (ja) * 2012-04-24 2013-11-07 Citizen Electronics Co Ltd 蛍光体シート及び蛍光体シートを備えた半導体発光装置
US20130342103A1 (en) * 2012-06-25 2013-12-26 Shing-Chung Wang Solid state lighting luminaire and a fabrication method thereof
KR20140092127A (ko) 2013-01-15 2014-07-23 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자 제조방법
TW201503421A (zh) * 2013-07-15 2015-01-16 Ind Tech Res Inst 發光二極體晶粒
JP2014099650A (ja) * 2014-02-03 2014-05-29 Sharp Corp 発光装置および発光装置の製造方法
US9360188B2 (en) 2014-02-20 2016-06-07 Cree, Inc. Remote phosphor element filled with transparent material and method for forming multisection optical elements
US9618697B2 (en) 2014-02-28 2017-04-11 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light directional angle control for light-emitting device and light-emitting apparatus
JP2016034015A (ja) * 2014-02-28 2016-03-10 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置
US9515239B2 (en) 2014-02-28 2016-12-06 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device and light-emitting apparatus
CN105940510B (zh) 2014-02-28 2019-01-11 松下知识产权经营株式会社 发光装置
WO2015129222A1 (ja) 2014-02-28 2015-09-03 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光素子および発光装置
CN105940508B (zh) 2014-02-28 2019-01-11 松下知识产权经营株式会社 发光器件以及发光装置
US9518215B2 (en) 2014-02-28 2016-12-13 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device and light-emitting apparatus
JP6158248B2 (ja) * 2014-05-27 2017-07-05 ザ・ボード・オブ・トラスティーズ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・イリノイThe Board Of Trustees Of The University Of Illinois ナノ構造材料の方法および素子
US10182702B2 (en) 2015-03-13 2019-01-22 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting apparatus including photoluminescent layer
JP6569856B2 (ja) 2015-03-13 2019-09-04 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置および内視鏡
JP2016171228A (ja) 2015-03-13 2016-09-23 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光素子、発光装置および検知装置
US10031276B2 (en) 2015-03-13 2018-07-24 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Display apparatus including photoluminescent layer
JP2017003697A (ja) 2015-06-08 2017-01-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光素子および発光装置
JP2017005054A (ja) 2015-06-08 2017-01-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置
US10359155B2 (en) 2015-08-20 2019-07-23 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting apparatus
JP2017040818A (ja) 2015-08-20 2017-02-23 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光素子
CN108780830B (zh) * 2016-03-16 2020-03-31 亮锐控股有限公司 制造led模块的方法
JP6719094B2 (ja) 2016-03-30 2020-07-08 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光素子
CN107093659B (zh) * 2016-09-30 2019-11-01 深圳市玲涛光电科技有限公司 柔性面光源及其制造方法及电子设备
US10957825B2 (en) 2017-09-25 2021-03-23 Lg Innotek Co., Ltd. Lighting module and lighting apparatus having thereof

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003115614A (ja) 2001-10-03 2003-04-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置の製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100499129B1 (ko) * 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
JP4374913B2 (ja) * 2003-06-05 2009-12-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20050006659A1 (en) * 2003-07-09 2005-01-13 Ng Kee Yean Light emitting diode utilizing a discrete wavelength-converting layer for color conversion
US20050167684A1 (en) * 2004-01-21 2005-08-04 Chua Janet B.Y. Device and method for emitting output light using group IIB element selenide-based phosphor material
US7250715B2 (en) * 2004-02-23 2007-07-31 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices
JP2005300576A (ja) * 2004-04-06 2005-10-27 Konica Minolta Opto Inc 防眩性反射防止フィルム、偏光板及び表示装置
JP4546176B2 (ja) * 2004-07-16 2010-09-15 京セラ株式会社 発光装置
WO2006011734A1 (en) * 2004-07-24 2006-02-02 Young Rak Do Led device comprising thin-film phosphor having two dimensional nano periodic structures
JP4692059B2 (ja) * 2005-04-25 2011-06-01 パナソニック電工株式会社 発光装置の製造方法
DE102005061828B4 (de) * 2005-06-23 2017-05-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wellenlängenkonvertierendes Konvertermaterial, lichtabstrahlendes optisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US20070001182A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 3M Innovative Properties Company Structured phosphor tape article
KR100665219B1 (ko) * 2005-07-14 2007-01-09 삼성전기주식회사 파장변환형 발광다이오드 패키지
US7569406B2 (en) * 2006-01-09 2009-08-04 Cree, Inc. Method for coating semiconductor device using droplet deposition

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003115614A (ja) 2001-10-03 2003-04-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101099428B1 (ko) 2009-04-06 2011-12-28 이익주 엘이디 모듈 제조방법
KR100969100B1 (ko) 2010-02-12 2010-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지

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Publication number Publication date
KR20080083776A (ko) 2008-09-19
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