TWI446593B - 光電半導體組件之製造方法及光電半導體組件 - Google Patents

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Ralph Wirth
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Walter Wegleiter
Bernd Barchmann
Oliver Wutz
Jan Marfeld
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Description

光電半導體組件之製造方法及光電半導體組件
本發明涉及一種光電半導體組件及其製造方法。
文件WO 2009/075753 A2和WO 02/084749分別描述一種光電半導體組件。
本發明的目的是提供一種簡單的製造方法來製造光電半導體組件。本發明的另一目的是提供一種光電半導體組件，其可特別簡單地製成。
本發明提供一種光電半導體組件之製造方法。此光電半導體組件例如是一種發光二極體，其用來發出電磁輻射。或是，其亦可以是一種光二極體，其用來偵測電磁輻射。
依據本方法之至少一實施形式，首先製備一載體。此載體是一暫時的載體，其在最後的步驟中又被去除。此載體例如可以是箔、電路板或通常是一種板，其以塑料、金屬、陶瓷材料或半導體材料來形成。
依據本方法之至少一實施形式，至少一光電半導體晶片配置在載體之上側上。光電半導體晶片例如是一種發光二極體晶片或光二極體晶片。又，其亦可以是雷射二極體晶片。該至少一光電半導體晶片較佳是固定在該載體上，以便在該光電半導體晶片和該載體之間形成機械式連接，其稍後可對該光電半導體晶片無損傷地拆除。換言之，在該半導體晶片和該載體之間配置一犧牲層。該光電半導體晶片例如可藉由黏合材料而固定至該載體上。
較佳是將多個光電半導體晶片固定在該載體上。於是，由載體和多個光電半導體晶片構成的配置是一種所謂藝術晶圓，其中多個較佳是相同形式的光電半導體晶片配置在共用的載體上。
依據本方法之至少一實施形式，至少一光電半導體晶片(較佳是多個光電半導體晶片)以成型體而發生變形，其中該成型體覆蓋該至少一光電半導體晶片之全部的側面。換言之，該至少一光電半導體晶片由該成型體所包封著。上述變形或包封例如可藉由箔的噴鍍、澆注、壓製、積層化或類似方法來進行。該成型體由機械性穩定的材料來形成，例如，由塑料、低熔點玻璃或低熔點玻璃陶瓷來形成。該成型體例如可含有環氧樹脂、矽樹脂、環氧化物-矽樹脂-混合材料、玻璃或玻璃陶瓷、或由這些材料中之一所構成。
該成型體施加在該載體上，使其覆蓋該載體之與該至少一光電半導體晶片相面對的表面且與該表面直接相接觸。又，該成型體至少依據位置而與多個橫向於或垂直於該載體的表面而延伸之側面直接相接觸。於是，該至少一光電半導體晶片之全部的側面可完全由該成型體所覆蓋。然而，半導體晶片亦可只在其側面上至一特定的高度為止由該成型體所覆蓋且該至少一光電半導體晶片之一些部份由該成型體中突出，使該至少一光電半導體晶片之多個側面可依據位置而由該成型體露出。此外，該成型體亦可在該半導體晶片之裸露出的面上完全覆蓋該半導體晶片。即，該至少一光電半導體晶片之遠離該載體的一表面可由該成型體所覆蓋。
依據本方法之至少一實施形式，將載體去除。即，在至少一光電半導體晶片變形之後，該載體須由成型體和光電半導體晶片所構成的複合物中去除。此種去除例如可藉由載體之加熱或薄化來達成。所述加熱例如可藉由雷射束來達成。所述薄化例如可藉由載體之回(back)研磨來達成。又，所述去除亦可藉由載體之化學式剝離來達成或需要時可在該載體上所存在之黏合層上進行。在去除該載體之後，至少一光電半導體晶片之原來面向該載體之下側可自由地被接近。該下側是指半導體晶片之發射側，半導體晶片在操作時輻射由此下側發出。換言之，半導體晶片以”面朝下”的方式而施加在該載體上。至少一光電半導體晶片之全部側面至少依位置而由成型體所覆蓋。即，在去除該載體之後，該成型體成為機械上穩定用的物體，其圍繞著該至少一光電半導體晶片之側面且將多個光電半導體晶片(若存在時)互相連接。
依據上述光電半導體組件之製造方法之至少一實施形式，本方法包括以下步驟：
-製備一載體，
-在該載體之上側上配置至少一光電半導體晶片，
-以成型體使該至少一光電半導體晶片變形，其中該成型體覆蓋該至少一光電半導體晶片之全部側面，以及
-去除該載體。
上述方法的各步驟較佳是以上述順序來進行。
依據本方法之至少一實施形式，多個光電半導體晶片配置在載體的上側，其中每一個半導體晶片在操作時都產生電磁輻射，其波長範圍包括該半導體晶片所對應的尖峰波長。即，每一個半導體晶片都適合用來產生電磁輻射。半導體晶片在操作時在特定的波長範圍中產生電磁輻射。所產生的電磁輻射的波長範圍在特定的波長(即，尖峰波長)中具有最大值。換言之，該尖峰波長是該半導體晶片在操作時所產生的電磁輻射之主要波長。
每一個半導體晶片之尖峰波長因此與全部之光電半導體晶片之尖峰波長之平均值相差的程度最多為+/- 2%。即，此種光電半導體晶片在相同波長或近似的波長處發出電磁輻射。每一個半導體晶片之尖峰波長與全部之光電半導體晶片之尖峰波長之平均值相差的程度較佳是最多為+/- 1%，特別是最多為+/- 0.5%。
換言之，配置在載體上的光電半導體晶片針對其發射波長而預先分類。這些光電半導體晶片共同配置在該載體上，各個光電半導體晶片之尖峰波長幾乎完全不同或完全不同。
例如，各光電半導體晶片在製造後針對其尖峰波長而分類(所謂binning)。在分類中劃分成共同組中的光電半導體晶片配置在該載體上。
依據本方法之至少一實施形式，在該變形之前或之後一種共用的發光材料層以其上側或下側而配置在光電半導體晶片之後。”共用的發光材料層”此處是指：具有相同特性或類似特性的發光材料層配置在全部之光電半導體晶片之後。即，全部之光電半導體晶片之發光材料層例如由相同的材料構成且具有相同的厚度。
該發光材料層含有發光材料或由發光材料構成，其用來在操作時吸收由半導體晶片所產生的電磁輻射且在與該光電半導體晶片所發出的電磁輻射不同的波長範圍中再發出電磁輻射。例如，該光電半導體晶片在操作時產生藍光且由該發光材料層之發光材料再發出黃光，其與藍光混合成白光。該發光材料層例如以發光粒子之形式施加而成，各發光粒子施加至例如矽樹脂或陶瓷之類的母材中。又，該發光材料層以陶瓷小板之形式而施加在半導體晶片之遠離該載體之表面上，其中各陶瓷小板含有發光材料或由陶瓷發光材料所構成。於此，發光材料層可直接施加在光電半導體晶片之遠離該載體之表面上。
特別有利的是，上述光電半導體晶片是一種尖峰波長幾乎完全不同或甚至完全不同的近似光電半導體晶片。一共用的發光材料層可有利地配置在此種近似光電半導體晶片之後。由於此種光電半導體晶片和該共用的發光材料層之近似性，則這樣所製成的光電半導體晶片在操作時發出具有類似特性或相同特性的混合光。與其它一般在製造光電半導體組件時不同，不必在每一個光電半導體晶片之後都配置一適用的發光材料層，因此可將光電半導體晶片直接發出之電磁輻射和由該發光材料層再發出的電磁輻射所構成之混合輻射調整成所期望者。
依據本方法之至少一實施形式，該至少一光電半導體晶片之遠離該載體之上側是由成型體露出或保持著由成型體露出。即，須施加該成型體，使該至少一光電半導體晶片之遠離該載體之表面未被該成型體之材料所覆蓋。或是，在施加該成型體之後，又將該成型體由半導體晶片之上側去除。在由該成型體露出的表面上例如可施加該發光材料層。
然而，該半導體晶片亦能以其發射側固定在該載體上。在將該載體去除時，面向該載體的表面(即，下側)露出。在本方法的此種不同方式中，至少一終端接觸區可位於每一個半導體晶片之發射側上。
依據本方法之至少一實施形式，在變形之前或之後，對每一個光電半導體晶片產生至少一具有導電材料的接觸孔。此接觸孔配置成與所屬的半導體晶片在橫向中相隔開。即，在與該半導體晶片所屬的載體之表面相平行的方向中，與該半導體晶片相隔開一距離而產生一接觸孔。此接觸孔完全穿過該成型體且由該成型體之上側延伸至該成型體之下側。在本方法結束後，即，在該載體去除之後，至少在該成型體之下側上可自由地接近該接觸孔。在該成型體的上側上，該接觸孔可由該發光材料層所覆蓋。
在該成型體變形之前，該接觸孔例如藉由接觸銷(pin)而產生，各接觸銷在變形之前配置在半導體晶片之間的載體之上側上。各接觸銷因此是由導電材料(例如，銅)所形成。各接觸銷亦可與該載體形成為單一組件。即，可使用一種已具有多個接觸孔之基板作為載體。又，載體亦可以是一種沖製式柵格。
或是，亦可在半導體晶片變形之後藉由在成型體中產生多個凹口而產生多個接觸孔。例如，可藉由雷射鑽孔或其它方式的材料剝蝕以便在成型體中產生多個孔，其完全穿過該成型體且由該成型體的上側延伸至下側。這此孔中然後以導電材料來填入。該導電材料例如可以是電鍍劑、焊料或導電性黏合劑。
依據本方法之至少一電施形式，在接觸孔與所屬之半導體晶片之間形成一種可導電的連接區。此可導電的連接區因此是與半導體晶片之上側上遠離該載體之表面相連接且沿著該成型體之上側而延伸。此可導電的連接區例如是與所屬的半導體晶片之上側上的接合墊形成導電性接觸且延伸至該接觸孔。此種連接區因此在該成型體的外表面上的上側延伸或緊貼在該成型體之外表面下側而延伸。此可導電的連接區可藉由濺鍍、光微影術、電鍍及/或回蝕刻而產生。又，為了產生該可導電的連接區，亦可對絕緣材料和金屬進行壓製，藉由燒結方法以形成金屬糊(特別是當該成型體由陶瓷材料來形成時)，或施加導電黏合劑或類似物。因此，例如亦可藉由濺鍍澆注法來施加該可導電的連接區。即，該可導電的連接區然後依據一種”模製化的互連裝置”(MID)施加而成。
當光電半導體晶片在其上側上和遠離該上側之下側上具有可導電的接觸區時，產生各接觸孔和所屬之可導電的連接區是有利的。或是，亦可使用覆晶(Flip-Chip)半導體晶片，其只在一側(上側或下側)上具有可導電的接觸區。在此種情況下，經由該成型體之接觸孔已不需要。
又，本發明提供一種光電半導體組件。此光電半導體組件較佳是可藉由此處所述的多種方法之一來製成。即，本方法已揭示的全部特徵亦已揭示於該光電半導體組件中且反之亦然。
依據該光電半導體組件之至少一實施形式，該光電半導體組件包括一個光電半導體晶片，其側面是由成型體所覆蓋。此處，各側面是指在該光電半導體晶片之上側和下側上與外表面成橫向而延伸的每一面，且該些側面互相連接。該些側面因此可完全由成型體包圍著。此外，該些側面亦可只至一特定的高度為止是由該成型體包圍著。例如，該光電半導體晶片可以是一種半導體晶片，其中多個半導體層以磊晶方式而沈積在基板上。該半導體晶片之側面可被覆蓋，使磊晶生長而成的各層由該成型體露出。磊晶生長而成的各層然後可藉由其它材料以便例如經由壓製過程來覆蓋或保持著空著的狀態。
依據該光電半導體組件之至少一實施形式，該光電半導體組件包括至少一接觸孔，其含有導電材料。該導電材料例如是金屬或可導電的黏合劑。
依據該光電半導體組件之至少一實施形式，該光電半導體組件包含可導電的連接區，其可導電地與該半導體晶片和各接觸孔相連接。該可導電的連接區例如是以金屬或可導電的黏合劑來形成。
依據該光電半導體組件之至少一實施形式，接觸孔配置成與該半導體晶片在橫向中相隔開。此處，橫向是指與該光電半導體晶片之側面成橫向或垂直而延伸的方向。即，接觸孔配置於該半導體晶片之側面且例如平行於或基本上平行於該光電半導體晶片之側面而延伸。接觸孔較佳是穿過該成型體且由該成型體的上側延伸至該成型體的下側。於是，可在該成型體的上側和下側自由地接近該接觸孔。
依據該光電半導體組件之至少一實施形式，該可導電的連接區在成型體之上側上延伸。即，該可導電的連接區使該半導體晶片與接觸孔相連接且因此在半導體本體和接觸孔之間於該成型體之上側上延伸。該可導電的連接區可配置在該成型體的外表面上。
依據該光電半導體組件之至少一實施形式，該光電半導體組件包括一光電半導體晶片，其側面由成型體所覆蓋。此外，該光電半導體組件包括：至少一接觸孔，其包含導電材料；以及一可導電的連接區，其可導電地與半導體晶片和該接觸孔相連接。該接觸孔因此配置成與該半導體晶片在橫向中相隔開且完全穿過該成型體。該接觸孔由該成型體的上側延伸至該成型體的下側，且該可導電的連接區在該成型體的上側上由該半導體晶片延伸至該接觸孔。
依據該光電半導體組件之至少一實施形式，該成型體形成為在光學上具有反射性。這例如可藉由“使對電磁輻射(特別是光)具有反射性的粒子被施加至該成型體之母材中”來達成。在該光電半導體晶片之側面上發出的電磁輻射於是可由該成型體所反射。在此種情況下，該成型體在該光電半導體晶片之上側上至少依區域而未覆蓋該光電半導體晶片。各粒子例如是以下述材料中的至少一種來形成或含有下述材料中的至少一種：TiO2 ,BaSO4 ,ZnO,AlxOy。當該成型體含有矽或由矽構成且粒子由氧化鈦構成時已顯示是特別有利的。
粒子較佳是以使成型體顯示成白色時所需的濃度而施加至成型體中。
此外，該成型體亦可形成為可使輻射透過。這相對於經由側面而發出大部份電磁輻射的光電半導體晶片而言特別有利。
依據該光電半導體組件之至少一實施形式，其包括多個半導體晶片，該些半導體晶片藉由可導電的連接區而互相形成電性連接，該些連接區在成型體的上側上延伸。例如，該些半導體晶片可經由可導電的連接區而串聯或並聯。該些半導體晶片分別在側面上由成型體所覆蓋。該成型體是一種連接用的材料，藉此可將導電性的半導體晶片連接至該光電半導體組件。
以下，將依據各實施例及所屬之圖式來說明此處所描述的方法和光電半導體組件。
各圖式和實施例中相同-或作用相同的各組件分別設有相同的參考符號。所示的各元件和各元件之間的比例未必依比例繪出。反之，為了清楚及/或易於理解之故各圖式的一些元件已予放大地顯示出。
依據第1A圖之切面圖來詳述此處所述之光電半導體組件之製造方法之第一步驟。此步驟中，首先製備一載體1。此載體1例如是一種以金屬(例如，銅或鋁)、陶瓷、半導體材料、或塑料來形成。多個光電半導體晶片2配置在該載體1之上側1a上，其中半導體晶片是發光二極體晶片。半導體晶片2藉由連接劑5而固定至載體1上。該連接劑5例如是黏合劑。半導體晶片2之下側2b是與該載體1之上側1a相面對。半導體晶片2之下側2b上存在一接觸區4a，其用來對該半導體晶片2達成電性接觸。例如，該接觸區4a可以是該半導體晶片2之下側2b上之金屬層。該半導體晶片2之輻射發出面可包括側面2c和該上側2a之外表面。
於此，一接觸區4a可位於該上側2a上且一接觸區4b可位於該下側2b上。此外，二個接觸區4a,4b可位於相同的側面上。又，該下側2b或該上側2a可以是該半導體晶片2之發射側。即，該半導體晶片2之輻射發出面可包括上側2a及/或下側2b上的側面2c和外表面。
就第1B圖來說明下一步驟。此步驟中，例如藉由成型材料之噴鍍來施加一成型體3，使該半導體晶片2之側面2c由該成型體所覆蓋且該成型體將各個半導體晶片2互相連接。該成型體之下側3b直接與載體1相接觸或與該載體1之上側1a之連接劑相接觸。該成型體3在其上側3a上可與該半導體晶片2之上側2a的表面齊平。又，與第1B圖不同，該成型體3可對該半導體晶片2之側面2c只覆蓋至一特定的高度為止且該半導體晶片2由該成型體3之上側3a而突出於該成型體3。
該成型體3可形成為可透過輻射，例如，可以是透明者、可吸收輻射者或具有反射性者。
在第1C圖所示的步驟中，載體1和可選擇性地(optionally)存在的連接劑層5由該成型體和半導體晶片2去除。留下一種由半導體晶片2構成的複合物，各個半導體晶片2藉由成型體3而互相連接。在半導體晶片2之下側2b上裸露出該接觸區4a，且在“面朝下”的配置的情況下亦使該輻射發出面裸露出。
在第1D圖所示的下一步驟中，半導體晶片2之複合物劃分成各別的光電半導體組件，其包含一個或多個半導體晶片2。藉由該劃分而產生該成型體之側面3c，其具有材料剝蝕的痕跡。例如，側面3c可具有切鋸條紋或研磨痕跡，其是由成型體3之劃分所造成。每一個半導體晶片2在其側面2c上至少依據位置而由成型體3所覆蓋。
依據第2圖之切面圖來說明下一步驟，其在以成型材料來使半導體晶片2變形之前或之後進行且在該載體去除之前或之後進行。此步驟中，由可導電的材料來產生多個接觸孔6，其由成型體3之上側3a穿過該成型體3而至下側3b。各接觸孔6配置成與半導體本體2在橫向中相隔開。每一個半導體本體2較佳是設置一接觸孔。於此，此種設置亦可以是確定的。又，多個半導體晶片2亦可設有一接觸孔6。在產生該接觸孔6之後，在成型體3之上側3a(即，表面)上形成可導電的連接區7，其使該半導體晶片2之接觸區4c可導電地與該接觸孔6相連接。在成型體3之下側3b上可自由地接近各接觸孔6且在該處形成用於該半導體組件之接觸區4b。
依據第3圖的切面圖來說明下一步驟，其可在施加該成型體之後進行。此步驟中，在成型體3之上側上一發光材料層8施加在該半導體晶片2之上側2a上。此發光材料層8可在整個半導體晶片2上連續地形成，如第3圖所示。又，亦可在每一個半導體晶片2上施加特定的發光材料層，這亦可在施加該成型材料之前進行。該光電半導體晶片在第3圖之實施例中較佳是具有類似的-或相同的發射特性的發光二極體晶片，即，具有如上所述的類似的-或相同的尖峰波長。在半導體晶片2上施加一致的發光材料層8。這樣可造成發射特性相類似或相同的光電半導體組件。例如，半導體組件在操作時產生白光，其具有類似的-或相同的彩色位置及/或類似的-或相同的色溫。
第4A圖和第4B圖顯示此處所述的光電半導體組件之透視圖。第4A圖顯示由半導體晶片2之上側2a所看到的半導體組件。此半導體組件恰巧包括一個半導體晶片2，其側面2c完全由成型材料3所包圍著。多個接觸孔6穿過該成型材料3，各接觸孔6藉由可導電的連接區7而與半導體晶片2之上側2a上的接觸區4c相連接。在該半導體組件之下側上如第4B圖所示形成一接觸區4a，藉此可在p-側接觸該半導體晶片2。n-側接觸可藉由多個接觸孔6來形成的接觸區4b而達成。在各接觸孔6和半導體晶片2之間同樣配置該成型體3，其使各接觸孔6在電性上與該半導體晶片2絕緣。
亦可與上述實施例不同，該半導體晶片2亦可將n-側和p-側接觸區共同地配置在該半導體晶片之下側2b上。在此種情況下，可不需要該些接觸孔6。
第5圖顯示此處所述之半導體組件之另一實施例之俯視圖。本實施例中，該半導體組件包括四個半導體晶片2，其藉由成型體3而互相連接。半導體晶片2藉由可導電的連接區7而可導電地互相連接，各連接區7配置在成型體3之上側3a且例如在該成型體之外表面上延伸。各個半導體晶片2目前是經由可導電的連接區7而串聯且可經由接觸孔6所形成的多個接觸區4b、以及多個接觸區4a而達成電性接觸。
此處所述的方法和半導體組件另有以下的優點：可在整面上經由半導體晶片2之整個下側2b來對半導體組件加熱。
可經由多個接觸孔6來對半導體組件達成一種覆晶(Flip-Chip)-接觸。即，可以不需要一種機械上脆弱的接合線。由於多個半導體晶片2同時可由成型體3所包圍著，則上述方法是一種特別省成本的方法。
例如，預先以光電半導體晶片之尖峰波長來對光電半導體晶片進行分類，則這樣可將一共用的發光材料層8同時施加在全部的半導體晶片上，該些半導體晶片然後將具有類似的-或相同的發射特性。
又，藉由上述方法能多樣化地產生半導體組件，其具有近似於任意數目的半導體晶片2。半導體組件之面積使用率可最佳化。
本專利申請案主張德國專利申請案10 2009 036 621.0之優先權，其已揭示的內容在此一併作為參考。
本發明當然不限於依據各實施例中所作的描述。反之，本發明包含每一新的特徵和各特徵的每一種組合，特別是包含各申請專利範圍-或不同實施例之各別特徵之每一種組合，當相關的特徵或相關的組合本身未明顯地顯示在各申請專利範圍中或各實施例中時亦屬本發明。
1．．．載體
1a．．．載體的上側
1b．．．載體的下側
2．．．半導體晶片
2a．．．半導體晶片之上側
2b．．．半導體晶片之下側
2c．．．半導體晶片之側面
3．．．成型體
3a．．．成型體的上側
3b．．．成型體的下側
3c．．．成型體的側面
4a．．．接觸區
4b．．．接觸區
4c．．．接觸區
5．．．連接劑
6．．．接觸孔
7．．．可導電的連接區
8．．．發光材料層
第1圖至第3圖顯示此處所描述的方法之實施例的切面圖。
第4圖至第5圖顯示此處所描述之光電半導體組件之實施例的圖解。
2a．．．半導體晶片之上側
3．．．成型體
3a．．．成型體的上側
3c．．．成型體的側面
4c．．．接觸區
6．．．接觸孔
7．．．可導電的連接區

Claims (12)

  1. 一種光電半導體組件之製造方法，包括以下各步驟：-製備一載體(1)，-在該載體(1)之上側(1a)上配置至少一光電半導體晶片(2)，-以成型體(3)使該至少一光電半導體晶片(2)變形，其中該成型體(3)覆蓋該至少一光電半導體晶片(2)之全部側面(2c)，且該至少一光電半導體晶片(2)之上側(2a)之遠離該載體(1)之表面及/或下側(2b)之面對該載體之表面保持著由該成型體(3)空出或裸露出，且其中在每一個光電半導體晶片(2)變形之前或之後以可導電的材料來產生至少一接觸孔(6)，其中該接觸孔(6)配置成在橫向中與所屬的光電半導體晶片(2)相隔開，以及該接觸孔(6)完全穿過該成型體(3)，其中該接觸孔(6)由該成型體(3)之上側(3a)延伸至該成型體(3)之下側(3b)，以及-去除該載體(1)。
  2. 如申請專利範圍第1項之製造方法，其中該成型體(3)包括一種母材，且用來使光反射的粒子施加至該母材中，使該成型體(3)顯示成白色。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之製造方法，其中該母材含有矽樹脂或由矽樹脂構成，且所述使光反射的 粒子由氧化鈦構成。
  4. 如申請專利範圍第1項之製造方法，其中-多個光電半導體晶片(2)配置在該載體(1)之上側(1a)，-每一個光電半導體晶片(2)在操作時產生電磁輻射，其波長範圍包括一由該光電半導體晶片(2)所決定的尖峰波長，-每一個光電半導體晶片(2)之該尖峰波長與全部的光電半導體晶片(2)之尖峰波長之平均值所相差的程度最多是+/-2%。
  5. 如申請專利範圍第1項之製造方法，其中在該光電半導體晶片(2)變形之前或之後一共用的發光材料層(8)在該光電半導體晶片(2)之上側(2a)或下側(2b)上配置於該光電半導體晶片(2)之後。
  6. 如申請專利範圍第1項之製造方法，其中在該接觸孔(6)和所屬的光電半導體晶片(2)之間產生一種可導電的連接區(7)，其可導電地與該光電半導體晶片(2)之上側(2a)上的與該載體(1)相面對的表面相連接且在該成型體(3)之上側(3a)上延伸。
  7. 一種光電半導體組件，包括：-光電半導體晶片(2)，其側面(2c)是由成型體(3)所覆蓋，-至少一接觸孔(6)，其包含導電材料；以及-一可導電的連接區(7)，其可導電地與該半導體晶 片(2)和該接觸孔相連接，其中-該接觸孔(6)完全穿過該成型體(3)，且該接觸孔(6)由該成型體(3)的上側(3a)延伸至該成型體(3)的下側(3b)，且-該可導電的連接區(7)在該成型體(3)的上側(3a)上延伸。
  8. 如申請專利範圍第7項之光電半導體組件，其中該成型體(3)在光學上形成為具有反射性。
  9. 如申請專利範圍第8項之光電半導體組件，其中該成型體(3)包含一種母材，且用來使光反射的粒子施加至該母材中，使該成型體(3)顯示成白色。
  10. 如申請專利範圍第9項之光電半導體組件，其中該母材含有矽樹脂或由矽樹脂構成，且所述使光反射的粒子由氧化鈦構成。
  11. 如申請專利範圍第7項之光電半導體組件，其中該成型體(3)以可透過輻射的方式而形成。
  12. 如申請專利範圍第7項之光電半導體組件，其具有多個光電半導體晶片(2)，該些光電半導體晶片(2)藉由在該成型體(3)之上側(3a)上延伸之可導電的連接區(7)而可導電地互相連接。
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