DE102018105908A1

DE102018105908A1 - Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils

Info

Publication number: DE102018105908A1
Application number: DE102018105908.6A
Authority: DE
Inventors: Klaus Reingruber; Michael Zitzlsperger; Matthias Goldbach
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2018-03-14
Filing date: 2018-03-14
Publication date: 2019-09-19
Also published as: DE112019001271A5; WO2019175180A1; US11715820B2; US20200373470A1

Abstract

In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauteil (100) einen optoelektronischen Halbleiterchip (1) mit einer Emissionsseite (10) und einer der Emissionsseite gegenüberliegenden Rückseite (12). Ferner umfasst das Bauteil einen Gehäusekörper (2) mit einer Oberseite (20) und einer der Oberseite gegenüberliegenden Unterseite (22) sowie eine Metallschicht (3) auf der Oberseite des Gehäusekörpers. Der Halbleiterchip emittiert im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung über die Emissionsseite. Der Halbleiterchip ist in dem Gehäusekörper eingebettet und lateral von dem Gehäusekörper umgeben. Die Emissionsseite ist der Rückseite und die Oberseite ist der Unterseite entlang einer Hauptabstrahlrichtung (4) des Halbleiterchips nachgeordnet. Die Metallschicht ist zumindest teilweise reflektierend oder absorbierend für von dem optoelektronischen Bauteil erzeugte Strahlung.

Description

Es wird ein optoelektronisches Bauteil angegeben. Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils angegeben.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Bauteil mit einem hohen Kontrastverhältnis bereitzustellen. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauteils anzugeben.
Diese Aufgaben werden unter anderem durch die Gegenstände der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauteil einen optoelektronischen Halbleiterchip mit einer Emissionsseite und einer der Emissionsseite gegenüberliegenden Rückseite. Die Emissionsseite und die Rückseite verlaufen bevorzugt im Wesentlichen parallel zueinander. Beispielsweise bilden die Emissionsseite und die Rückseite Hauptseiten des Halbleiterchips, die sich im Wesentlichen parallel zu einer Haupterstreckungsebene des Halbleiterchips erstrecken.
Die Rückseite des Halbleiterchips kann eine Kontaktseite sein. Beispielsweise sind auf der Rückseite alle zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips notwendigen Kontaktelemente angeordnet. Alternativ ist es aber auch möglich, dass sowohl auf der Rückseite als auch auf der Emissionsseite Kontaktelemente zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips angeordnet sind.
Der optoelektronische Halbleiterchip umfasst eine Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Schicht zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung. Die Halbleiterschichtenfolge basiert zum Beispiel auf einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial. Bei dem Halbleitermaterial handelt es sich zum Beispiel um ein Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial, wie Al_nIn_1-n-mGa_mN, oder um ein Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial, wie Al_nIn_1-n-mGa_mP, oder um ein Arsenid-Verbindungshalbleitermaterial, wie Al_nIn_1-n-mGa_mAs oder Al_nIn_1-n-mGa_mAsP, wobei jeweils 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und m + n ≤ 1 ist. Dabei kann die Halbleiterschichtenfolge Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters der Halbleiterschichtenfolge, also Al, As, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können. Bevorzugt basiert die Halbleiterschichtenfolge auf AlInGaN.
Die aktive Schicht der Halbleiterschichtenfolge beinhaltet insbesondere wenigstens einen pn-Übergang und/oder mindestens eine Quantentopfstruktur und kann zum Beispiel im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung im blauen oder grünen oder roten Spektralbereich oder im UV-Bereich erzeugen. Bevorzugt umfasst der Halbleiterchip eine, insbesondere genau eine, zusammenhängende, insbesondere einfach zusammenhängende, aktive Schicht. Alternativ kann die aktive Schicht auch segmentiert sein.
Unter einem Halbleiterchip wird hier und im Folgenden ein separat handhabbares und elektrisch kontaktierbares Element verstanden. Ein Halbleiterchip entsteht durch Vereinzelung aus einem Waferverbund. Insbesondere weisen quer zur Emissionsseite verlaufende Seitenflächen eines solchen Halbleiterchips Spuren aus dem Vereinzelungsprozess des Waferverbunds auf. Ein Halbleiterchip umfasst genau einen ursprünglich zusammenhängenden Bereich der im Waferverbund gewachsenen Halbleiterschichtenfolge. Die Halbleiterschichtenfolge des Halbleiterchips ist bevorzugt zusammenhängend ausgebildet. Die laterale Ausdehnung des Halbleiterchips, gemessen parallel zur Haupterstreckungsebene der aktiven Schicht, ist beispielsweise höchstens 1 % oder höchstens 5 % größer als die laterale Ausdehnung der aktiven Schicht oder der Halbleiterschichtenfolge. Der Halbleiterchip umfasst beispielsweise noch das Aufwachsubstrat, auf dem die Halbleiterschichtenfolge gewachsen ist.
Der Halbleiterchip kann ein so genannter Volumenemitter, insbesondere ein Flip-Chip, sein. In diesem Fall umfasst der Halbleiterchip bevorzugt noch das Aufwachsubstrat, das beispielsweise aus Saphir gebildet ist. Alternativ kann der Halbleiterchip auch ein Oberflächenemitter, insbesondere ein so genannter Dünnfilm-Chip, sein. In diesem Fall ist das Aufwachsubstrat zum Beispiel abgelöst.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauteil einen Gehäusekörper mit einer Oberseite und einer der Oberseite gegenüberliegenden Unterseite. Der Gehäusekörper ist bevorzugt aus einem Material gebildet, das reflektierend oder absorbierend für die von dem Bauteil erzeugte Strahlung ist. Der Gehäusekörper umfasst beispielsweise ein organisches Matrixmaterial, wie Silikon oder Epoxid oder ein Hybrid aus Silikon und Epoxid. In dem Matrixmaterial können strahlungsreflektierende Partikel, wie TiO₂-Partikel, eingebettet sein. Der Gehäusekörper erscheint für einen Benutzer zum Beispiel weiß. Bei dem Gehäusekörper handelt es sich insbesondere um einen Spritzguss-Körper oder Formkörper.
Die Unterseite des Gehäusekörpers verläuft zum Beispiel im Wesentlichen parallel zu einer Haupterstreckungsebene des Bauteils. Die Oberseite des Gehäusekörpers kann abschnittsweise oder überall im Wesentlichen parallel zur Unterseite verlaufen.
Der Gehäusekörper ist bevorzugt einstückig ausgebildet. Das heißt, alle Bereiche des Gehäusekörpers sind integral miteinander ausgebildet und enthalten das gleiche Material oder bestehen aus dem gleichen Material. Insbesondere ist der Gehäusekörper ein zusammenhängender, bevorzugt einfach zusammenhängender, Körper.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist auf der Oberseite des Gehäusekörpers eine Metallschicht aufgebracht. Die Metallschicht ist beispielsweise mittels eines Abscheideverfahrens, wie Aufdampfen oder Sputtern oder Elektrophorese, auf die Oberseite aufgebracht. Eine Dicke der Metallschicht, gemessen senkrecht zur Oberseite des Gehäusekörpers, beträgt zum Beispiel höchstens 50 µm oder höchstens 40 µm oder höchstens 30 µm. Alternativ oder zusätzlich kann die Dicke der Metallschicht zumindest 0,5 µm oder zumindest 1 µm oder zumindest 5 µm betragen. Unter einer Dicke wird hier und im Folgenden insbesondere die mittlere oder maximale Dicke verstanden.
Bei der Metallschicht handelt es sich beispielsweise um eine zusammenhängende und/oder einstückige Schicht. Die Metallschicht besteht bevorzugt vollständig aus Metall. Die Metallschicht kann unmittelbar auf die Oberseite des Gehäusekörpers aufgebracht sein, also mit dem Gehäusekörper in direktem Kontakt stehen. Alternativ kann zwischen dem Gehäusekörper und der Metallschicht auch eine Haftvermittlungsschicht angeordnet sein. Die Metallschicht formt die Oberseite bevorzugt formschlüssig oder konform nach. Ein Abstand der Metallschicht zu der Oberseite beträgt zum Beispiel höchstens 10 µm oder höchstens 5 µm.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform emittiert der Halbleiterchip im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung über die Emissionsseite. Beispielsweise werden im Betrieb zumindest 50 % oder zumindest 75 % oder zumindest 90 % der aus dem Halbleiterchip ausgekoppelten Primärstrahlung über die Emissionsseite ausgekoppelt. Über die Rückseite werden beispielsweise höchstens 10 % oder höchstens 5 % oder höchstens 1 % der aus dem Halbleiterchip ausgekoppelten Primärstrahlung ausgekoppelt.
Bei dem optoelektronischen Bauteil handelt es sich insbesondere um eine LED oder eine Laserdiode.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Halbleiterchip in dem Gehäusekörper eingebettet und lateral von dem Gehäusekörper umgeben. Eine laterale Richtung ist dabei eine Richtung parallel zu einer Haupterstreckungsebene des Bauteils oder des Halbleiterchips. Der Gehäusekörper kann den Halbleiterchip lateral vollständig umgeben. Um den Halbleiterchip ist dann eine zusammenhängende Bahn oder ein Rahmen aus dem Gehäusekörper gebildet. Die Breite des Gehäusekörpers, gemessen in der lateralen Richtung, beträgt überall um den Halbleiterchip beispielsweise zumindest 50 µm oder zumindest 100 µm oder zumindest 500 µm.
„Eingebettet“ bedeutet vorliegend, dass der Halbleiterchip mit dem Gehäusekörper lateral umformt ist, zum Beispiel weil der Gehäusekörper mit einem Spritzgussverfahren um den Halbleiterchip positioniert wurde. Insbesondere formt der Gehäusekörper den Halbleiterchip in lateraler Richtung formschlüssig oder konform nach.
Der Gehäusekörper kann unmittelbar an den Halbleiterchip angrenzen. Der Halbleiterchip umfasst quer oder senkrecht zur Emissionsseite verlaufende Seitenflächen. Der Gehäusekörper grenzt zum Beispiel an diese Seitenflächen. Die Seitenflächen des Halbleiterchips sind zum Beispiel zu zumindest 75 % oder vollständig mit dem Gehäusekörper bedeckt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Emissionsseite der Rückseite entlang einer Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterchips nachgeordnet. Ferner ist die Oberseite des Gehäusekörpers der Unterseite des Gehäusekörpers entlang der Hauptabstrahlrichtung nachgeordnet. Die Hauptabstrahlrichtung ist dabei insbesondere eine Richtung senkrecht zur Emissionsseite beziehungsweise senkrecht zur lateralen Richtung. Die Oberseite des Gehäusekörpers und die Unterseite des Gehäusekörpers sind also entlang der Hauptabstrahlrichtung in der gleichen Reihenfolge angeordnet wie die Emissionsseite und die Rückseite.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Metallschicht zumindest teilweise reflektierend oder absorbierend für von dem optoelektronischen Bauteil erzeugte Strahlung. Beispielsweise weist die Metallschicht einen Transmissionsgrad für die von dem Bauteil erzeugte Strahlung von höchstens 10 % oder höchstens 5 % oder höchstens 1 % auf. Der Transmissionsgrad ist dabei für die Wellenlänge angegeben, bei der die von dem Bauteil erzeugte Strahlung ein Intensitätsmaximum aufweist.
Bei der von dem Bauteil erzeugten Strahlung kann es sich um die Primärstrahlung des Halbleiterchips handeln. Bevorzugt umfasst das Bauteil aber ein Konversionselement, das die Primärstrahlung teilweise oder vollständig konvertiert. Die vom Bauteil erzeugte Strahlung ist dann die daraus resultierende Strahlung.
In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauteil einen optoelektronischen Halbleiterchip mit einer Emissionsseite und einer der Emissionsseite gegenüberliegenden Rückseite. Ferner umfasst das Bauteil einen Gehäusekörper mit einer Oberseite und einer der Oberseite gegenüberliegenden Unterseite sowie eine Metallschicht auf der Oberseite des Gehäusekörpers. Der Halbleiterchip emittiert im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung über die Emissionsseite. Der Halbleiterchip ist in dem Gehäusekörper eingebettet und lateral von dem Gehäusekörper umgeben. Die Emissionsseite ist der Rückseite und die Oberseite ist der Unterseite entlang einer Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterchips nachgeordnet. Die Metallschicht ist zumindest teilweise reflektierend oder absorbierend für von dem optoelektronischen Bauteil erzeugte Strahlung.
Der vorliegenden Erfindung liegt insbesondere die Erkenntnis zu Grunde, dass für viele Anwendungen, zum Beispiel im Fahrzeugbereich, insbesondere bei Scheinwerfern, optoelektronische Bauteile mit einem hohen Kontrastverhältnis zwischen der lichtemittierenden Fläche und dem umgebenden Gehäusekörper gefordert sind. Dieses hohe Kontrastverhältnis kann in der Regel nicht durch den Gehäusekörper alleine erreicht werden, weil die Eindringtiefe der Strahlung in das Gehäusematerial zu tief ist. Dies ist insbesondere der Fall bei Gehäusekörpern, die mit einem Spritzgussverfahren hergestellt werden. Um die eigentlich strahlungsemittierende Emissionsseite entsteht dann ein leuchtender Rand im Gehäusekörper.
Um die Abstrahlung im Bereich des Gehäusekörpers zu verhindern, wird auf die Oberseite des Gehäusekörpers eine Metallschicht aufgebracht, die reflektierend oder absorbierend ist. Metallschichten können über sehr präzise Verfahren, wie Sputtern oder Verdampfen mithilfe einer Maske, erzeugt werden. Dies erlaubt, die Metallschicht sehr nahe am Halbleiterchip auszubilden. Dadurch kann der leuchtende Rand um die Emissionsseite herum reduziert werden.
Bei dem hier angegebenen optoelektronischen Bauteil kann es sich um ein so genanntes Chip-Scale-Package handeln. Beispielsweise ist dann eine gesamte Unterseite des Bauteils um höchstens 50 % oder um höchstens 20 % größer als die Rückseite des Halbleiterchips.
Der Gehäusekörper weist bevorzugt ebenfalls Seitenflächen auf, die quer oder senkrecht zur Oberseite oder Unterseite verlaufen. Die Seitenflächen können Spuren eines Vereinzelungsprozesses aufweisen. Die Seitenflächen selber sind bevorzugt höchstens von der Metallschicht bedeckt. Besonders bevorzugt sind die Bereiche der Seitenflächen des Gehäusekörpers, die Spuren eines Vereinzelungsprozesses aufweisen, von keinem Material bedeckt. Diese Seitenflächen bilden beispielsweise seitliche Außenflächen des Bauteils.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Metallschicht in lateraler Richtung um höchstens 200 µm oder höchstens 150 µm oder höchstens 100 µm oder höchstens 50 µm oder höchstens 20 µm bezüglich der Emissionsseite versetzt. Bevorzugt weist die Metallschicht überall um den Halbleiterchip einen solchen maximalen lateralen Versatz bezüglich der Emissionsseite auf. Projiziert man also die Metallschicht auf die die Emissionsseite umfassende Ebene, so ist der Abstand der projizierten Metallschicht zu der Emissionsseite höchstens der oben genannte Versatz.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Halbleiterchip in Draufsicht auf die Emissionsseite lateral vollständig von der Metallschicht umgeben. In Draufsicht auf die Emissionsseite betrachtet umgibt dann eine zusammenhängende Bahn oder ein Rahmen aus der Metallschicht den Halbleiterchip vollständig.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Metallschicht spiegelnd für die von dem optoelektronischen Bauteil erzeugte Strahlung oder weist eine der Oberseite zugewandte spiegelnde Teilschicht auf. Beispielsweise umfasst oder besteht die Metallschicht oder die Teilschicht der Metallschicht aus Ag oder Al oder Ti. Beispielsweise beträgt der Reflexionsgrad der Metallschicht oder der Teilschicht zumindest 80 % oder zumindest 90 % oder zumindest 95 %. Angaben bezüglich des Reflexionsgrades der Metallschicht oder der Teilschicht der Metallschicht beziehen sich dabei wie oben auf die Wellenlänge, bei der die von dem Bauteil erzeugte Strahlung ein Intensitätsmaximum aufweist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist auf eine der Oberseite des Gehäusekörpers abgewandten Seite der Metallschicht eine nichtmetallische Beschichtung aufgebracht. Die nichtmetallische Beschichtung kann für den Anwender beispielsweise schwarz oder weiß erscheinen. Die nicht metallische Beschichtung kann die optische Wirkung der Metallschicht, wie die Reflektivität, erhöhen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist zumindest ein erster Abschnitt der Oberseite des Gehäusekörpers, insbesondere die gesamte Oberseite des Gehäusekörpers, der Emissionsseite in Hauptabstrahlrichtung nachgeordnet oder liegt auf gleicher Höhe mit der Emissionsseite. Der erste Abschnitt ist in lateraler Richtung bevorzugt um höchstens 50 µm oder höchstens 10 µm bezüglich der Emissionsseite versetzt. Dadurch wird bereits verhindert, dass Primärstrahlung seitlich aus dem Bauteil austritt.
Der erste Abschnitt ist ein zusammenhängender, insbesondere einfach zusammenhängender Bereich der Oberseite. Der erste Abschnitt verläuft in Draufsicht auf die Emissionsseite betrachtet beispielsweise lateral vollständig um den Halbleiterchip. Das heißt, der erste Abschnitt bildet in Draufsicht auf die Oberseite beispielsweise eine Bahn um den Halbleiterchip, wobei die Breite der Bahn im Rahmen der Herstellungstoleranz bevorzugt konstant ist.
Der Anteil des ersten Abschnitts an der Gesamtfläche der Oberseite beträgt beispielsweise zumindest 5 % oder zumindest 10 %. Alternativ oder zusätzlich kann der erste Abschnitt höchstens 30 % oder höchstens 20 % der Gesamtfläche der Oberseite ausmachen. In dem ersten Abschnitt verläuft die Oberseite des Gehäusekörpers beispielsweise im Wesentlichen eben oder flach und/oder parallel zur Emissionsseite des Halbleiterchips.
Der erste Abschnitt der Oberseite des Gehäusekörpers kann teilweise oder vollständig mit der Metallschicht bedeckt sein. Der erste Abschnitt kann aber auch frei von der Metallschicht sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform überragt die Metallschicht die Emissionsseite in Hauptabstrahlrichtung um höchstens 350 µm oder höchstens 300 µm oder höchstens 250 µm oder höchstens 200 µm oder höchstens 150 µm oder höchstens 100 µm. Das heißt, eine der Oberseite abgewandte Seite der Metallschicht ist bezüglich der Emissionsseite in Hauptabstrahlrichtung um höchstens diesen Betrag versetzt. Durch diesen maximalen Versatz wird verhindert, dass das Licht zu stark entlang der Hauptabstrahlrichtung gebündelt wird.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist auf der Emissionsseite des Halbleiterchips ein Konversionselement angeordnet, das eine dem Halbleiterchip abgewandte Austrittsseite umfasst. Das Konversionselement ist insbesondere dazu eingerichtet, einen Teil oder die gesamte von dem Halbleiterchip emittierte Primärstrahlung in Strahlung eines anderen Wellenlängenbereichs zu konvertieren. Die konvertierte Strahlung oder die Mischung aus konvertierter Strahlung und Primärstrahlung verlässt das Konversionselement über die Austrittsseite. Bei dieser Strahlung oder dieser Mischstrahlung handelt es sich bevorzugt um Licht im sichtbaren Spektralbereich.
Das Konversionselement bedeckt bevorzugt zumindest 50 % oder zumindest 75 % der Emissionsseite des Halbleiterchips. Eine Dicke des Konversionselements, gemessen senkrecht zur Emissionsseite, beträgt beispielsweise höchstens 200 µm oder höchstens 150 µm oder höchstens 100 µm. Alternativ oder zusätzlich kann die Dicke des Konversionselements zumindest 5 µm oder zumindest 10 µm oder zumindest 20 µm betragen.
Das Konversionselement umfasst beispielsweise ein Matrixmaterial, wie Silikon oder Siloxan oder Silazan, mit darin eingebetteten Leuchtstoffpartikeln.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der erste Abschnitt der Oberseite entlang der Hauptabstrahlrichtung um höchstens 100 µm oder höchstens 50 µm oder höchstens 25 µm oder höchstens 10 µm oder höchstens 5 µm bezüglich der Austrittsseite des Konversionselements versetzt. Das heißt insbesondere, dass der erste Abschnitt der Oberseite die Austrittsseite des Konversionselements in Hauptabstrahlrichtung um maximal den genannten Betrag überragen kann. Bevorzugt schließt der erste Abschnitt der Oberseite des Gehäusekörpers bündig mit der Austrittsseite des Konversionselements ab. Auf diese Weise wird verhindert, dass einerseits Licht seitlich aus dem Konversionselement austritt. Andererseits überragt der Gehäusekörper das Konversionselement nicht so weit, dass die abgestrahlte Strahlung zu stark gebündelt wird.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Oberseite des Gehäusekörpers zumindest einen zweiten Abschnitt, in dem die Oberseite des Gehäusekörpers im Wesentlichen parallel zur Emissionsseite des Halbleiterchips verläuft. Der zweite Abschnitt nimmt beispielsweise eine Fläche von zumindest 10 % oder zumindest 25 % oder zumindest 50 % der Gesamtfläche der Oberseite ein. Bei dem zweiten Abschnitt handelt es sich um einen zusammenhängenden, insbesondere einfach zusammenhängenden Abschnitt der Oberseite, der in Draufsicht betrachtet beispielsweise lateral vollständig rings um den Halbleiterchip verläuft.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform bedeckt die Metallschicht die Oberseite zumindest im zweiten Abschnitt. Der zweite Abschnitt ist dabei insbesondere vollständig von der Metallschicht bedeckt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Oberseite des Gehäusekörpers im Rahmen der Herstellungstoleranz eben oder flach. Die Oberseite kann dabei im Wesentlichen parallel zur Emissionsseite verlaufen. „Im Wesentlichen parallel“ bedeutet vorliegend, dass zwei Flächen im Rahmen der Herstellungstoleranz parallel verlaufen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Oberseite einen dritten Abschnitt, der quer oder senkrecht zur Emissionsseite verläuft. Beispielsweise schließt der dritte Abschnitt mit der Emissionsseite einen Winkel von zumindest 30° oder zumindest 60° ein.
Der dritte Abschnitt bildet bevorzugt wiederum einen zusammenhängenden, insbesondere einfach zusammenhängenden Bereich der Oberseite. Der dritte Abschnitt kann in Draufsicht gesehen ebenfalls lateral vollständig rings um den Halbleiterchip verlaufen. Der dritte Abschnitt nimmt beispielsweise eine Fläche von zumindest 10 % oder zumindest 25 % oder zumindest 50 % der Gesamtfläche der Oberseite ein.
Der dritte Abschnitt kann sich über beispielsweise zumindest 30 % oder zumindest 50 % oder zumindest 75 % der Gesamtdicke des Gehäusekörpers erstrecken. Insbesondere kann der dritte Abschnitt zwischen dem ersten Abschnitt und dem zweiten Abschnitt liegen und mit dem ersten und/oder zweiten Abschnitt jeweils über eine Kante verbunden sein. Die Gesamtdicke des Gehäusekörpers ist der maximale Abstand zwischen der Oberseite und der Unterseite.
Die Dicke des Gehäusekörpers im Bereich des dritten Abschnitts kann beispielsweise höchstens 70 % oder höchstens 50 % oder höchstens 25 % der Dicke des Gehäusekörpers im ersten Abschnitt betragen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der dritte Abschnitt mit der Metallschicht bedeckt, insbesondere vollständig bedeckt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der dritte Abschnitt über eine Kante mit dem zweiten Abschnitt verbunden. Die Kante kann in Draufsicht gesehen lateral rings um den Halbleiterchip verlaufen.
Die Metallschicht kann die Kante zwischen dem zweiten Abschnitt und dem dritten Abschnitt formschlüssig nachformen. Auch eine Kante zwischen dem ersten Abschnitt und dem dritten Abschnitt kann von der Metallschicht formschlüssig überformt sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der zweite Abschnitt dem dritten Abschnitt entlang einer lateralen Richtung weg vom Halbleiterchip nachgeordnet. Gemessen entlang der lateralen Richtung ist der zweite Abschnitt also weiter weg vom Halbleiterchip angeordnet als der dritte Abschnitt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Oberseite des Gehäusekörpers mit einem Graben versehen. Der Graben ist bevorzugt V-förmig ausgebildet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Oberseite des Gehäusekörpers im Bereich des Grabens mit der Metallschicht bedeckt. Bevorzugt formt die Metallschicht die Oberseite des Gehäusekörpers im Bereich des Grabens formschlüssig nach.
Der Graben kann beispielsweise eine Tiefe von zumindest 25 % oder zumindest 30 % der Gesamtdicke des Gehäusekörpers aufweisen. Alternativ oder zusätzlich kann die Tiefe des Grabens höchstens 60 % oder höchstens 50 % der Gesamtdicke des Gehäusekörpers betragen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist in die Metallschicht ein Erkennungsmerkmal eingebracht, das mittels bloßem Auge oder einer Kamera auslesbar ist. Bei dem Erkennungsmerkmal kann es sich beispielsweise um einen QR-Code oder einen DMC-Code oder eine Beschriftung handeln.
Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils angegeben. Das Verfahren eignet sich insbesondere dazu, ein wie eben beschriebenes optoelektronisches Bauteil herzustellen. Das heißt, sämtliche in Verbindung mit dem optoelektronischen Bauteil offenbarten Merkmale sind auch für das Verfahren offenbart und umgekehrt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren einen Schritt A), in dem ein optoelektronischer Halbleiterchip bereitgestellt wird, der in einem Gehäusekörper eingebettet ist und lateral von dem Gehäusekörper umgeben ist. Der Halbleiterchip umfasst eine Emissionsseite und eine der Emissionsseite gegenüberliegende Rückseite. Im bestimmungsgemäßen Betrieb emittiert der Halbleiterchip elektromagnetische Primärstrahlung über die Emissionsseite. Der Gehäusekörper umfasst eine Oberseite und eine der Oberseite gegenüberliegende Unterseite. Die Emissionsseite ist der Rückseite entlang einer Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterchips nachgeordnet. Ferner ist die Oberseite der Unterseite entlang der Hauptabstrahlrichtung nachgeordnet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren einen Schritt B), in dem eine Metallschicht auf die Oberseite des Gehäusekörpers abgeschieden wird. Die Metallschicht wird dabei mithilfe einer Maske aufgebracht.
Mit der Maske wird die Form der Metallschicht auf der Oberseite des Gehäusekörpers vorgegeben. Beispielsweise kann eine Maske aus einer Fotolackschicht gebildet werden. Die Fotolackschicht kann über einen fotolithografischen Schritt oder über Laserbelichtung strukturiert werden, um die Form der Maske vorzugeben. Insbesondere mit Laserbelichtung sind individuell angepasste Masken möglich. Zudem können diese Masken besonders präzise Strukturen aufweisen. Beispielsweise können kundenspezifische Markierungen oder Erkennungsmerkmale in die Maske eingebracht werden, die sich dann auf die Metallschicht übertragen
Für das Abscheiden der Metallschicht kann beispielsweise eine physikalische Gasphasenabscheidung, wie zum Beispiel Sputtern oder Verdampfen, verwendet werden. Hierbei ist es möglich, zunächst eine dünne Teilschicht der Metallschicht mithilfe eines physikalischen Gasphasenabscheidungsverfahrens aufzubringen. Anschließend kann die Maske abgelöst werden. Auf der Oberseite des Gehäusekörpers verbleibt dann die dünne Teilschicht mit der Form der herzustellenden Metallschicht. Über ein Elektrophoreseverfahren kann dann auf der dünnen Teilschicht zusätzliches Metall abgeschieden werden, wodurch die Metallschicht auf ihre Zieldicke gebracht wird und fertiggestellt wird.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird mithilfe der Maske in der Metallschicht ein Erkennungsmerkmal erzeugt, wobei das Erkennungsmerkmal mittels bloßem Auge oder einer Kamera auslesbar ist. Das heißt, beim Abscheiden der Metallschicht wird aufgrund der Form der Maske das Erkennungsmerkmal in der Metallschicht erzeugt. Anders ausgedrückt ist die Maske bereits mit dem Erkennungsmerkmal beziehungsweise dem Negativ des Erkennungsmerkmals strukturiert.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird nach dem Abscheiden der Metallschicht ein Erkennungsmerkmal in die Metallschicht geschrieben. Dies erfolgt bevorzugt, nachdem die Maske abgelöst ist. Das Erkennungsmerkmal kann beispielsweise mittels eines Lasers in die Metallschicht geschrieben werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Oberseite des Gehäusekörpers eine Kante oder einen Graben. Beispielsweise wird der Gehäusekörper um den Halbleiterchip mittels eines Spritzgussverfahrens hergestellt. Durch die Form des Spritzgusswerkzeuges kann die Oberseite des Gehäusekörpers mit einer Kante oder einem Graben erzeugt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird im Schritt B) die Metallschicht im Bereich der Kante oder des Grabens abgeschieden. Die Metallschicht wird dabei bevorzugt so abgeschieden, dass die Metallschicht die Kante beziehungsweise den Graben formschlüssig nachformt.
Nachfolgend wird ein hier beschriebenes optoelektronisches Bauteil sowie ein hier beschriebenes Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils unter Bezugnahme auf Zeichnungen anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
Es zeigen:

1 bis 6 Ausführungsbeispiele des optoelektronisches Bauteils in Querschnittsansicht,
7 ein Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauteils in Draufsicht,
8A bis 8D Positionen in einem Ausführungsbeispiel des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils.

In der 1 ist ein erstes Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauteils 100 in Querschnittsansicht dargestellt. Das Bauteil 100 umfasst einen Halbleiterchip 1, beispielsweise einen GaN-basierten Flip-Chip oder Dünnfilm-Chip, der im Betrieb über eine Emissionsseite 10 Primärstrahlung emittiert. Bei der Primärstrahlung handelt es sich beispielsweise um blaues Licht oder UV-Strahlung.
Eine der Emissionsseite 10 gegenüberliegende Rückseite 12 des Halbleiterchips 1 umfasst beispielsweise Kontaktstellen oder Kontaktelemente zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips 1 (nicht gezeigt). Sowohl die Emissionsseite 10 als auch die Rückseite 12 erstrecken sich im Wesentlichen parallel zu einer Haupterstreckungsebene des Halbleiterchips 1. Eine Hauptabstrahlrichtung 4 des Halbleiterchips 1 verläuft senkrecht zur Emissionsseite 10 beziehungsweise zu der Haupterstreckungsebene des Halbleiterchips 1. Entlang der Hauptabstrahlrichtung 4 ist die Emissionsseite 10 der Rückseite 12 nachgeordnet.
Auf der Emissionsseite 10 des Halbleiterchips 1 ist ein Konversionselement 6 angeordnet. Das Konversionselement 6 umfasst beispielsweise ein Matrixmaterial, wie Siloxan oder Silikon, mit darin eingebetteten Leuchtstoffpartikeln. Das Konversionselement 6 ist dazu eingerichtet, zumindest einen Teil der über die Emissionsseite 10 von dem Halbleiterchip 1 emittierten Primärstrahlung zu konvertieren. Die konvertierte Strahlung verlässt dann das Konversionselement 6 über eine der Emissionsseite 10 abgewandte Austrittsseite 60 des Konversionselements 6.
In einer lateralen Richtung, senkrecht zur Hauptabstrahlrichtung 4, ist der Halbleiterchip 1 von einem Gehäusekörper 2 umgeben und in diesen eingebettet. Der Gehäusekörper 2 basiert zum Beispiel auf einem organischen Material, wie Silikon oder Epoxid, und umfasst darin eingebettete, strahlungsreflektierende Partikel, wie TiO₂-Partikel.
Der Gehäusekörper 2 umgibt vorliegend sowohl den Halbleiterchip 1 als auch das Konversionselement 6 lateral vollständig und liegt formschlüssig an Seitenflächen des Halbleiterchips 1 und des Konversionselements 6 an. Insbesondere steht der Gehäusekörper 2 an den Seitenflächen in direktem Kontakt mit dem Halbleiterchip 1 und dem Konversionselement 6.
Der Gehäusekörper 2 umfasst eine Oberseite 20 und eine Unterseite 22. Die Oberseite 20 ist der Unterseite 22 entlang der Hauptabstrahlrichtung 4 nachgeordnet. Die Oberseite 20 weist einen ersten Abschnitt 23 und einen zweiten Abschnitt 24 auf. Der erste Abschnitt 23 ist der dem Halbleiterchip in lateraler Richtung nächstliegende Bereich der Oberseite 20. Der zweite Abschnitt 24 ist mit einer Metallschicht 3 bedeckt. Der zweite Abschnitt 23 ist vorliegend frei von der Metallschicht 3. Der erste Abschnitt 23 und der zweite Abschnitt 24 sind der Emissionsseite 10 entlang der Hauptabstrahlrichtung 4 nachgeordnet.
Der erste Abschnitt 23 und der zweite Abschnitt 24 sind im Rahmen der Herstellungstoleranz eben oder flach und verlaufen parallel zur Emissionsseite 10. Ferner schließt der erste Abschnitt 23 bündig mit der Austrittseite 60 des Konversionselements 6 ab.
Anders als in diesem und den nachfolgenden Ausführungsbeispielen kann der erste Abschnitt 23 ebenfalls vollständig mit der Metallschicht 3 bedeckt sein.
Die Metallschicht 3 weist zum Beispiel eine Dicke zwischen einschließlich 0,5 µm und 50 µm auf. Gemessen entlang der lateralen Richtung ist die Metallschicht 3 beispielsweise um höchstens 50 µm bezüglich der Emissionsseite 10 versetzt.
Die Metallschicht 3 ist so eingerichtet, dass sie zumindest teilweise reflektierend oder absorbierend für eine von dem optoelektronischen Bauteil 100 erzeugte Strahlung ist. Bei der von dem Bauteil 100 erzeugten Strahlung handelt es sich zum Beispiel um eine Mischung aus der Primärstrahlung des Halbleiterchips 1 und der durch das Konversionselement 6 konvertierten Strahlung.
Tritt im Betrieb des Bauteils 100 Strahlung aus dem Konversionselement 6 oder dem Halbleiterchip 1 seitlich in den Gehäusekörper 2 ein, so verhindert oder reduziert die Metallschicht 3 ein Verlassen dieser Strahlung über die Oberseite 20 des Gehäusekörpers 2. Dies erhöht den Kontrast zwischen der Austrittsseite 60 des Konversionselements 6 und dem lateral umgebenden Gehäusekörper 2.
In der 2 ist ein zweites Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauteils 100 gezeigt. Auf einer der Oberseite 20 abgewandten Seite der Metallschicht 3 ist eine nichtmetallische Beschichtung 5 aufgebracht. Die nichtmetallische Beschichtung kann beispielsweise schwarz oder weiß erscheinen und kann die reflektierenden Eigenschaften der Metallschicht 3 verstärken.
In dem dritten Ausführungsbeispiel der 3 umfasst die Metallschicht 3 eine Teilschicht 31, die der Oberseite 20 zugewandt ist, und die spiegelnd für die von dem Bauteil 100 erzeugte Strahlung ist. Beispielsweise besteht die Teilschicht 31 aus Ag oder Ti/Ag. Alternativ kann auch die gesamte Metallschicht 3 spiegelnd ausgebildet sein und/oder eines der eben genannten Materialien umfassen oder daraus bestehen.
Die 4 zeigt ein viertes Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauteils 100. Hier umfasst die Oberseite 20 des Gehäusekörpers 2 einen ersten Abschnitt 23, einen zweiten Abschnitt 24 und einen dritten Abschnitt 25. Der erste Abschnitt 23 und der zweite Abschnitt 24 verlaufen im Wesentlichen parallel zur Emissionsseite 10. Der dritte Abschnitt 25 ist zwischen dem ersten Abschnitt 23 und dem zweiten Abschnitt 24 angeordnet und verläuft quer zur Emissionsseite 10. Der zweite Abschnitt 24 ist mit dem dritten Abschnitt 25 über eine Kante 26 verbunden. Insbesondere im zweiten Abschnitt 24 und im dritten Abschnitt 25 ist die Oberseite 20 des Gehäusekörpers 2 mit der Metallschicht 3 beschichtet. Die Metallschicht 3 formt dabei die Oberseite 20 in diesen Abschnitten 24, 25 und im Bereich der Kante 26 formschlüssig nach.
In dem fünften Ausführungsbeispiel der 5 verläuft im Unterschied zum vierten Ausführungsbeispiel der dritte Abschnitt 25 nicht quer, sondern senkrecht zur Emissionsseite 10.
Im Ausführungsbeispiel der 6 umfasst die Oberseite 20 des Gehäusekörpers 2 einen V-förmigen Graben 27. Der Graben weist eine Tiefe von zumindest 30 % der Gesamtdicke des Gehäusekörpers 2 auf. Die Metallschicht 3 ist im Bereich des Grabens 27, insbesondere auf die Seitenwände des Grabens 27, aufgebracht und formt den Graben 27 formschlüssig nach.
In der 7 ist eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauteils 100 gezeigt. Beispielsweise handelt es sich um die Draufsicht des Ausführungsbeispiels der 1. Zu erkennen ist, dass der Halbleiterchip 1 beziehungsweise das Konversionselement 6 lateral vollständig von dem Gehäusekörper 2 umgeben ist. Ferner bildet die Metallschicht 3 auf der Oberseite 20 des Gehäusekörpers 2 eine zusammenhängende Bahn, die lateral vollständig um den Halbleiterchip 1 verläuft.
Ferner ist in der 7 zu erkennen, dass in die Metallschicht 3 ein Erkennungsmerkmal 33, vorliegend eine Beschriftung, eingebracht ist. Diese kann beispielsweise mittels eines Lasers nachträglich oder während des Aufbringens der Metallschicht 3 in die Metallschicht 3 eingebracht werden. Alternativ zu einer Beschriftung wäre zum Beispiel auch ein QR-Code als Erkennungsmerkmal 33 denkbar.
In der 8A ist eine erste Position in einem Ausführungsbeispiel des Verfahrens zur Herstellung des optoelektronischen Bauteils 100 gezeigt. Ein Halbleiterchip 1 mit einem darauf angeordneten Konversionselement 6 ist bereitgestellt. Lateral um den Halbleiterchip 1 ist ein Gehäusekörper 2 angeordnet. Der dargestellte Gegenstand kann ein Bereich eines Verbunds aus mehreren Halbleiterchips 1 sein, die durch den Gehäusekörper 2 miteinander verbunden sind.
In der 8B ist eine zweite Position des Verfahrens gezeigt, bei dem auf die Oberseite 20 des Gehäusekörpers 2 eine Maske 7 aufgebracht ist. Die Maske 7 kann beispielsweise aus einer Fotolackschicht gebildet sein. Die Fotolackschicht kann über ein Fotolithografieverfahren oder Laserbelichtung strukturiert worden sein. Die Maske 7 weist Löcher in den Bereichen auf, in denen die Metallschicht 3 auf die Oberseite 20 aufgebracht werden soll.
In der 8C ist eine dritte Position des Verfahrens gezeigt, in der eine Metallschicht 3 in die Löcher der Maske 7 und auf die Maske 7 abgeschieden ist. Beispielsweise wurde dazu eine physikalische Gasphasenabscheidung verwendet. In dieser Position kann die Metallschicht 3 bereits direkt mit ihrer Zieldicke abgeschieden sein. Alternativ ist es aber auch denkbar, die Metallschicht 3 zunächst als eine dünne Teilschicht abzuscheiden.
In der vierten Position der 8D ist die Maske 7 abgelöst, so dass die Metallschicht 3 auf der Oberseite 20 verbleibt. Wurde beim Abscheiden die Metallschicht 3 nur als dünne Teilschicht abgeschieden, so kann nun in einem nachfolgenden Schritt noch ein Elektrophoreseverfahren durchgeführt werden, um die Metallschicht 3 auf ihre Zieldicke zu bringen.
Ferner ist in der 8D mit den gestrichelten Linien ein Vereinzelungsprozess angedeutet, bei dem ein möglicher Verbund aus mehreren Halbleiterchips 1 durch den Gehäusekörper 2 hindurch in einzelne optoelektronische Bauteile 100 vereinzelt wird. Entsprechend weisen die die Oberseite 20 und die Unterseite 22 verbindenden Seitenflächen des entstehenden Gehäusekörpers 2 Spuren eines Vereinzelungsprozesses auf.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn diese Merkmale oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Bezugszeichenliste

1: optoelektronische Halbleiterchip
2: Gehäusekörper
3: Metallschicht
4: Hauptabstrahlrichtung
5: nichtmetallische Beschichtung
6: Konversionselement
7: Maske
10: Emissionsseite
12: Rückseite
20: Oberseite des Gehäusekörpers 2
22: Unterseite des Gehäusekörpers 2
23: erster Abschnitt der Oberseite 20
24: zweiter Abschnitt der Oberseite 20
25: dritter Abschnitt der Oberseite 20
26: Kante
27: Graben
31: Teilschicht der Metallschicht 3
60: Austrittsseite des Konversionselements 6
100: optoelektronisches Bauteil

Claims

Optoelektronisches Bauteil (100), umfassend: - einen optoelektronischen Halbleiterchip (1) mit einer Emissionsseite (10) und einer der Emissionsseite gegenüberliegenden Rückseite (12); - einen Gehäusekörper (2) mit einer Oberseite (20) und einer der Oberseite (20) gegenüberliegenden Unterseite (22); - eine Metallschicht (3) auf der Oberseite (20) des Gehäusekörpers (2); wobei - der Halbleiterchip (1) im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung über die Emissionsseite (10) emittiert, - der Halbleiterchip (1) in dem Gehäusekörper (2) eingebettet ist und lateral von dem Gehäusekörper (2) umgeben ist, - die Emissionsseite (10) der Rückseite (12) und die Oberseite (20) der Unterseite (22) entlang einer Hauptabstrahlrichtung (4) des Halbleiterchips (1) nachgeordnet sind, - die Metallschicht (3) zumindest teilweise reflektierend oder absorbierend für von dem optoelektronischen Bauteil (100) erzeugte Strahlung ist.
Optoelektronisches Bauteil (100) nach Anspruch 1, wobei - die Metallschicht (3) in lateraler Richtung höchstens um 200 µm bezüglich der Emissionsseite (10) versetzt ist, - die Metallschicht (3) eine Dicke zwischen einschließlich 0,5 µm und 50 µm aufweist.
Optoelektronisches Bauteil (100) nach Anspruch 1 oder 2, wobei in Draufsicht auf die Emissionsseite (10) der Halbleiterchip (1) lateral vollständig von der Metallschicht (3) umgeben ist.
Optoelektronisches Bauteil (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Metallschicht (3) spiegelnd für die von dem optoelektronischen Bauteil (100) erzeugte Strahlung ist oder eine der Oberseite (20) zugewandte spiegelnde Teilschicht (31) aufweist.
Optoelektronisches Bauteil (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei auf eine der Oberseite (20) des Gehäusekörpers (2) abgewandten Seite der Metallschicht (3) eine nichtmetallische Beschichtung (5) aufgebracht ist.
Optoelektronisches Bauteil (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei zumindest ein erster Abschnitt (23) der Oberseite (20) des Gehäusekörpers (2) der Emissionsseite (10) in Hauptabstrahlrichtung (4) nachgeordnet ist oder auf gleicher Höhe mit der Emissionsseite (10) liegt.
Optoelektronisches Bauteil (100) nach Anspruch 6, wobei - auf der Emissionsseite (10) des Halbleiterchips (1) ein Konversionselement (6) angeordnet ist, das eine dem Halbleiterchip (1) abgewandte Austrittsseite (60) umfasst, - der erste Abschnitt (23) der Oberseite (20) entlang der Hauptabstrahlrichtung (4) um höchstens 100 µm bezüglich der Austrittsseite (60) des Konversionselements (6) versetzt ist.
Optoelektronisches Bauteil (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei - die Oberseite (20) des Gehäusekörpers (2) zumindest einen zweiten Abschnitt (24) umfasst, in dem die Oberseite (20) im Wesentlichen parallel zur Emissionsseite (10) des Halbleiterchips (1) verläuft, - die Metallschicht (3) die Oberseite (20) zumindest in dem zweiten Abschnitt (24) bedeckt.
Optoelektronisches Bauteil (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Oberseite (20) des Gehäusekörpers (2) im Rahmen der Herstellungstoleranz eben ist.
Optoelektronisches Bauteil (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei - die Oberseite (20) einen dritten Abschnitt (25) umfasst, der quer oder senkrecht zur Emissionsseite (10) verläuft, - der dritte Abschnitt (25) mit der Metallschicht (3) bedeckt ist.
Optoelektronisches Bauteil (100) nach zumindest den Ansprüchen 8 und 10, wobei - der dritte Abschnitt (25) über eine Kante (26) mit dem zweiten Abschnitt (24) verbunden ist, - der zweite Abschnitt (24) dem dritten Abschnitt (24) entlang einer lateralen Richtung weg vom Halbleiterchip (1) nachgeordnet ist.
Optoelektronisches Bauteil (100) nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei - die Oberseite (20) des Gehäusekörpers (2) mit einem Graben (27) versehen ist, - die Oberseite (20) des Gehäusekörpers (2) im Bereich des Grabens (27) mit der Metallschicht (3) bedeckt ist.
Optoelektronisches Bauteil (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei in die Metallschicht (3) ein Erkennungsmerkmal (33) eingebracht ist, das mittels bloßem Auge oder einer Kamera auslesbar ist.
Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils (100), umfassend die Schritte: A) Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips (1), der in einem Gehäusekörper (2) eingebettet ist und lateral von dem Gehäusekörper (2) umgeben ist, wobei - der Halbleiterchip (1) eine Emissionsseite (10) und eine der Emissionsseite (10) gegenüberliegende Rückseite (12) umfasst, - der Halbleiterchip (1) im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung über die Emissionsseite (10) emittiert, - der Gehäusekörper (2) eine Oberseite (20) und eine der Oberseite (20) gegenüberliegende Unterseite (22) umfasst, - die Emissionsseite (10) der Rückseite (12) und die Oberseite (20) der Unterseite (22) entlang einer Hauptabstrahlrichtung (4) des Halbleiterchips (1) nachgeordnet sind; B) Abscheiden einer Metallschicht (3) auf die Oberseite (20) des Gehäusekörpers (2), wobei die Metallschicht (3) mit Hilfe einer Maske (7) aufgebracht wird.
Verfahren nach Anspruch 14, wobei mithilfe der Maske (7) in der Metallschicht (3) ein Erkennungsmerkmal (33) erzeugt wird, wobei das Erkennungsmerkmal (33) mittels bloßem Auge oder einer Kamera auslesbar ist.
Verfahren nach Anspruch 14, wobei nach dem Abscheiden der Metallschicht (3) ein Erkennungsmerkmal (33) in die Metallschicht (3) geschrieben wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei - die Oberseite (20) des Gehäusekörpers (2) eine Kante (26) oder einen Graben (27) umfasst, - im Schritt B) die Metallschicht (3) im Bereich der Kante (26) oder des Grabens (27) abgeschieden wird.