DE102013110733A1 - Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements - Google Patents

Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements Download PDF

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Abstract

Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem optoelektronischen Halbleiterchip angegeben. Insbesondere handelt es sich bei dem optoelektronischen Halbleiterbauelement um ein Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement, das als Seitenemitter ausgebildet ist. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.

Description

  • Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem optoelektronischen Halbleiterchip angegeben. Insbesondere handelt es sich bei dem optoelektronischen Halbleiterbauelement um ein Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement, das als Seitenemitter ausgebildet ist.
  • Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben. Insbesondere beruht das Verfahren auf der so genannten CiF-(CiF: „Chip in a Frame“)Technologie, wobei der optoelektronische Halbleiterchip teilweise in einen Formkörper eingebettet wird, der als Träger dient.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Anmeldung, ein mechanisch stabiles optoelektronisches Halbleiterbauelement anzugeben, das zur seitlichen Strahlungsemission oder -absorption geeignet ist. Eine weitere Aufgabe ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines mechanisch stabilen optoelektronischen Halbleiterbauelements anzugeben, das zur seitlichen Strahlungsemission oder -absorption geeignet ist.
  • Diese Aufgaben werden durch einen Gegenstand und ein Verfahren gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen des Gegenstands und des Verfahrens sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben und gehen weiterhin aus der nachfolgenden Beschreibung und den Zeichnungen hervor.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauelement einen optoelektronischen Halbleiterchip mit einer Strahlungsdurchtrittsfläche, mehreren Seitenflächen, die quer zu der Strahlungsdurchtrittsfläche angeordnet sind, sowie einer der Strahlungsdurchtrittsfläche gegenüber liegend angeordneten rückseitigen Oberfläche. Insbesondere ist die Strahlungsdurchtrittsfläche dadurch gekennzeichnet, dass ein Großteil der Strahlung, die beispielsweise im Betrieb von dem optoelektronischen Halbleiterchip erzeugt wird, durch sie hindurchtritt. Insbesondere bildet die Strahlungsdurchtrittsfläche des Halbleiterchips einen Teil einer strahlungsdurchtrittsseitigen Oberfläche des Halbleiterbauelements.
  • Vorzugsweise umfasst das optoelektronische Halbleiterbauelement einen Formkörper, der aus einer Formmasse gebildet ist. Die Formmasse kann ein Kunststoffmaterial, zum Beispiel ein Duroplastmaterial wie Epoxid oder ein Silikon, enthalten. Ferner kann die Formmasse einen Füllstoff, zum Beispiel amorphes Siliziumdioxid, Bornitrid oder Aluminiumoxid, aufweisen. Insbesondere beträgt der Anteil des Füllstoffs in der Formmasse mindestens 50 Gewichtsprozent. Weiterhin kann die Formmasse Zusätze wie Weißpigmente oder Russ enthalten, welche dem Formkörper eine charakteristische Farbe wie weiß oder schwarz verleihen. Insbesondere beträgt der Anteil der Zusätze in der Formmasse 10 bis 15 Gewichtsprozent.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der optoelektronische Halbleiterchip teilweise in den Formkörper eingebettet, wobei die Formmasse mindestens zwei Seitenflächen und die rückseitige Oberfläche des Halbleiterchips zumindest teilweise bedeckt. Insbesondere sind die bedeckten Seitenflächen gegenüber liegend angeordnet. Vorteilhafterweise bildet der Formkörper einen Träger für den optoelektronischen Halbleiterchip. Der Formkörper trägt also zur mechanischen Stabilität des optoelektronischen Halbleiterbauelements bei. Der Formkörper kann eine strahlungsdurchtrittsseitige Hauptfläche, eine rückseitige Hauptfläche und mehrere Seitenflächen aufweisen. Insbesondere wird der Formkörper auf der Strahlungsdurchtrittsseite des Halbleiterbauelements durch die strahlungsdurchtrittsseitige Hauptfläche, auf der Rückseite durch die rückseitige Hauptfläche und umfangseitig durch die Seitenflächen begrenzt. Insbesondere bildet die strahlungsdurchtrittsseitige Hauptfläche des Formkörpers einen Teil der strahlungsdurchtrittsseitigen Oberfläche des Halbleiterbauelements.
  • Weiterhin kann das optoelektronische Halbleiterbauelement eine erste Kontaktschicht und eine zweite Kontaktschicht aufweisen, die auf dem Formkörper angeordnet sind und zum elektrischen Anschluss des Halbleiterchips vorgesehen sind. Insbesondere kann der optoelektronische Halbleiterchip einen ersten und einen zweiten elektrischen Kontakt aufweisen, die zum elektrischen Anschluss des Halbleiterchips vorgesehen sind, wobei der erste elektrische Kontakt mit der ersten Kontaktschicht und der zweite elektrische Kontakt mit der zweiten Kontaktschicht verbunden sind. Insbesondere ermöglichen die Kontaktschichten eine drahtlose Kontaktierung des Halbleiterchips.
  • Weiterhin kann das optoelektronische Halbleiterbauelement eine Montagefläche aufweisen, die quer zu der Strahlungsdurchtrittsfläche des Halbleiterchips angeordnet ist und zur Montage des Halbleiterbauelements vorgesehen ist. Hierdurch ist das Halbleiterbauelement insbesondere als Seitenemitter ausgebildet, wenn es sich bei dem Halbleiterchip um einen Strahlung emittierenden Halbleiterchip handelt. Ein derartiger Seitenemitter ist insbesondere zur seitlichen Lichteinkopplung in einen Lichtleiter eines Displays geeignet.
  • Beispielsweise kann das optoelektronische Halbleiterbauelement mit der Montagefläche auf einem Anschlussträger angeordnet werden. Zur Befestigung des Halbleiterbauelements kann dieses entlang von Kanten der Montagefläche mit einem Verbindungsmittel, insbesondere einem Lot, versehen werden. Das Verbindungsmittel kann auf der strahlungsdurchtrittsseitigen Oberfläche, zwei gegenüber liegenden Seitenflächen, die insbesondere quer zum Anschlussträger angeordnet sind, und einer rückseitigen Oberfläche des optoelektronischen Halbleiterbauelements angeordnet sein. Weiterhin ist das Verbindungsmittels vorzugsweise zwischen der Montagefläche und dem Anschlussträger angeordnet. Vorzugsweise bedeckt das Verbindungsmittel die Kontaktschichten zumindest teilweise, so dass diese durch das Verbindungsmittel mit dem Anschlussträger elektrisch verbunden sind. Insbesondere erstrecken sich die Kontaktschichten parallel zur strahlungsdurchtrittsseitigen Oberfläche, über die Seitenflächen bis zur rückseitigen Oberfläche des optoelektronischen Halbleiterbauelements. Weiterhin können sich die Kontaktschichten bis an die Montagefläche erstrecken, so dass das Halbleiterbauelement auch an der Montagefläche elektrisch angeschlossen werden kann.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform umfasst der Formkörper einen überstehenden Teilbereich, der an einer Seitenfläche des Halbleiterchips angeordnet ist und eine erste und zweite Abmessung aufweist, die jeweils größer sind als eine kleinste Abmessung des Halbleiterchips. Insbesondere weist der Formkörper einen weiteren überstehenden Teilbereich auf, der dem anderen Teilbereich gegenüber liegend angeordnet ist und sich an einer weiteren Seitenfläche des Halbleiterchips befindet. Mit Vorteil weist auch der weitere Teilbereich eine erste und zweite Abmessung auf, die jeweils größer sind als eine kleinste Abmessung des Halbleiterchips. Insbesondere werden die erste und die zweite Abmessung des Teilbereichs entlang einer ersten und zweiten Haupterstreckungsrichtung bestimmt, wobei durch die beiden Haupterstreckungsrichtungen eine Ebene aufgespannt wird, in welcher die Montagefläche angeordnet ist. Mittels der beiden Teilbereiche kann das optoelektronische Halbleiterbauelement an der Montagefläche abgestützt werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements sind die erste und die zweite Abmessung des überstehenden Teilbereichs mindestens doppelt so groß wie die kleinste Abmessung des Halbleiterchips. Dies gilt vorzugsweise auch für den weiteren Teilbereich. Beispielsweise kann die kleinste Abmessung des Halbleiterchips eine parallel zur ersten Haupterstreckungsrichtung gemessene Dicke des Halbleiterchips sein, die insbesondere zwischen 0.1 mm und 0.2 mm beträgt. Weiterhin kann die erste Abmessung des überstehenden Teilbereichs zwischen 0.2 mm und 2 mm betragen. Ferner kann die zweite Abmessung zwischen 0.3 mm und 3 mm betragen.
  • Außerdem sind die erste und die zweite Abmessung bei einer vorteilhaften Ausgestaltung des überstehenden Teilbereichs höchstens so groß wie eine größte Abmessung des Halbleiterchips. Beispielsweise kann der Halbleiterchip in der zweiten Haupterstreckungsrichtung die größte Abmessung aufweisen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform erstreckt sich die erste Kontaktschicht von der strahlungsdurchtrittsseitigen Hauptfläche bis auf eine Seitenfläche des Formkörpers, wobei die Seitenfläche quer zur Montagefläche angeordnet ist. Weiterhin kann sich die zweite Kontaktschicht von der strahlungsdurchtrittsseitigen Hauptfläche bis auf eine weitere Seitenfläche des Formkörpers erstrecken, wobei auch die weitere Seitenfläche quer zur Montagefläche angeordnet ist. Ferner können sich die erste und die zweite Kontaktschicht über die jeweiligen Seitenflächen bis zur rückseitigen Hauptfläche des Formkörpers erstrecken. Insbesondere werden die Seitenflächen von den jeweiligen Kontaktschichten vollständig bedeckt.
  • Bei einer bevorzugten Ausgestaltung des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist der Formkörper eine Öffnung auf, die sich von der rückseitigen Oberfläche des optoelektronischen Halbleiterchips bis zu der rückseitigen Hauptfläche des Formkörpers erstreckt. Die Öffnung ermöglicht eine elektrische Kontaktierung des Halbleiterchips an seiner rückseitigen Oberfläche.
  • Beispielsweise kann sich die Öffnung ausgehend von der rückseitigen Hauptfläche des Formkörpers bis zur rückseitigen Oberfläche des optoelektronischen Halbleiterchips verjüngen. Das heißt, dass eine Querschnittsfläche der Öffnung ausgehend von der rückseitigen Hauptfläche des Formkörpers bis zur rückseitigen Oberfläche des optoelektronischen Halbleiterchips kleiner wird.
  • Vorzugsweise wird die Öffnung an ihrer Unterseite durch die rückseitige Oberfläche des Halbleiterchips und umfangsseitig zumindest teilweise durch mindestens eine Innenfläche des Formkörpers begrenzt. Beispielsweise kann die Öffnung durch eine geschlossene Innenfläche begrenzt werden. Hierbei wird die Öffnung umfangsseitig vollständig von dem Formkörper umschlossen. Weiterhin ist es denkbar, dass sich die Öffnung von einer ersten Seitenfläche, beispielsweise der Montagefläche, bis zu einer der ersten Seitenfläche gegenüber liegenden zweiten Seitenfläche, die beispielsweise der Montagefläche gegenüber liegt, erstreckt. Dann wird die Öffnung nicht durch eine geschlossene Innenfläche begrenzt, sondern beispielsweise durch zwei unverbundene Innenflächen.
  • Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung erstreckt sich die erste Kontaktschicht von der rückseitigen Hauptfläche des Formkörpers bis in die Öffnung. Insbesondere erstreckt sich die erste Kontaktschicht von der strahlungsdurchtrittsseitigen Hauptfläche, über eine quer zur Montagefläche angeordnete Seitenfläche und über die rückseitige Hauptfläche bis in die Öffnung. Bevorzugt ist die Kontaktschicht auf die Innenfläche des Formkörpers und die rückseitige Oberfläche des optoelektronischen Halbleiterchips aufgebracht.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist in der Öffnung eine Füllung angeordnet. Beispielsweise kann die Füllung aus der gleichen Formmasse wie der Formkörper gebildet sein. Durch die Füllung gewinnt das Halbleiterbauelement weiter an Stabilität. Vorzugsweise ist die erste Kontaktschicht zwischen der Füllung und dem Formkörper angeordnet. Weiterhin ist die erste Kontaktschicht zwischen dem Halbleiterchip und der Füllung angeordnet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist der Formkörper einlagig ausgebildet. Das heißt insbesondere, dass keine Grenzflächen innerhalb des Formkörpers auftreten.
  • Alternativ kann der Formkörper zweilagig ausgebildet sein. Das heißt insbesondere, dass innerhalb des Formkörpers eine Grenzfläche ausgebildet ist, welche eine erste Lage des Formkörpers von einer zweiten Lage trennt. Insbesondere werden die erste und zweite Lage durch die gleiche Formmasse gebildet. Es ist jedoch auch denkbar, verschiedene Formmassen für die beiden Lagen zu verwenden. Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung weist das Halbleiterbauelement eine dritte Kontaktschicht auf, welche zwischen der ersten und zweiten Lage angeordnet ist. Die dritte Kontaktschicht bildet eine Grenzfläche zwischen der ersten und zweiten Lage des Formkörpers. Vorzugsweise werden die erste Kontaktschicht und die rückseitige Oberfläche des Halbleiterchips mittels der dritten Kontaktschicht miteinander verbunden. Insbesondere werden die erste Kontaktschicht und die rückseitige Oberfläche des Halbleiterchips mittels der dritten Kontaktschicht mechanisch und elektrisch miteinander verbunden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird zumindest ein Teil der Montagefläche des Halbleiterbauelements durch eine Seitenfläche des Formkörpers gebildet. Weiterhin kann ein Teil der Montagefläche des Halbleiterbauelements durch eine Seitenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips gebildet werden. Ist die Seitenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips mit Formmasse bedeckt, so wird die Montagefläche des Halbleiterbauelements vorzugsweise nur durch die Seitenfläche des Formkörpers gebildet. Weiterhin kann ein Teil der Montagefläche durch mindestens eine der beiden Kontaktschichten, die sich bis an die Montagefläche erstrecken, gebildet sein. Insbesondere kann sich mindestens eine der beiden Kontaktschichten bis auf diejenige Seitenfläche des Formkörpers erstrecken, die zumindest einen Teil der Montagefläche bildet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird für das optoelektronische Halbleiterbauelement ein optoelektronischer Halbleiterchip verwendet, der eine Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Zone und vorzugsweise mit weiteren funktionellen Schichten aufweist. Die Halbleiterschichtenfolge kann mittels eines Epitaxieverfahrens, beispielsweise mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) oder Molekularstrahlepitaxie (MBE), auf einem Aufwachssubstrat aufgewachsen werden. Vorzugsweise handelt es sich vorliegend um einen Dünnfilm-Halbleiterchip. Dies bedeutet insbesondere, dass das Aufwachssubstrat nach dem Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge stark gedünnt oder vollständig von der Halbleiterschichtenfolge entfernt wird. Die Halbleiterschichtenfolge kann auf einem Ersatzsubstrat angeordnet werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Halbleiterschichtenfolge unbedeckt von der Formmasse des Formkörpers. Auch eine Substratfläche, auf welcher die Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist, ist vorzugsweise von der Formmasse des Formkörpers unbedeckt. Weitere Oberflächen des Substrats können formschlüssig in den Formkörper eingebettet sein. Insbesondere werden Seitenflächen des Substrats von der Formmasse bedeckt.
  • Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung weist das optoelektronische Halbleiterbauelement kein zusätzliches Gehäuse auf. Das heißt, dass der optoelektronische Halbleiterchip, der durch den Formkörper stabilisiert wird, ohne ein weiteres Gehäuse auf einem Anschlussträger angeordnet werden kann.
  • Beispielsweise kann auf die Halbleiterschichtenfolge ein Verguss, insbesondere ein Klarverguss, aufgebracht werden.
  • Die Halbleiterschichtenfolge kann beispielsweise aus einem Material auf Basis von InxGayAl1-x-yN gebildet sein, wobei jeweils 0 ≤ x ≤ 1 und 0 ≤ y ≤ 1 gilt. Die Halbleiterschichtenfolge ist insbesondere zur Emission von kurzwelliger sichtbarer, insbesondere von grüner bis blauer, Strahlung geeignet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das optoelektronische Halbleiterbauelement zur Emission von mischfarbiger Strahlung geeignet. Hierfür weist das Halbleiterbauelement insbesondere ein Konversionselement auf, das auf der Strahlungsdurchtrittsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet ist. In diesem bildet eine Strahlungsaustrittsfläche des Konversionselements einen Teil der strahlungsdurchtrittsseitigen Oberfläche des Halbleiterbauelements.
  • Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung sind der erste elektrische Kontakt und der zweite elektrische Kontakt am Substrat angeordnet, auf welchem die Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist. Insbesondere enden die erste und zweite Kontaktschicht auf einer Oberfläche des Substrats. Mit Vorteil ist die Strahlungsdurchtrittsfläche frei von strahlungsabsorbierenden Kontaktschichten und Kontakten. Beispielsweise kann die erste Kontaktschicht auf einer rückseitigen Substratfläche enden. Es ist jedoch auch möglich, dass die erste Kontaktschicht auf einer vorderseitigen Substratfläche endet. Weiterhin kann auch die zweite Kontaktschicht auf einer vorderseitigen Substratfläche enden. Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung wird die rückseitige Oberfläche des Halbleiterchips durch die rückseitige Substratfläche gebildet. Auf der vorderseitigen Substratfläche ist vorzugsweise die Halbleiterschichtenfolge angeordnet.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements weist gemäß zumindest einer Ausführungsform folgende Schritte auf:
    • – Bereitstellen eines Verbunds aus mehreren optoelektronischen Halbleiterchips, die mit ihren Strahlungsdurchtrittsflächen auf einem gemeinsamen Träger angeordnet sind,
    • – Einbetten der optoelektronischen Halbleiterchips in eine Formmasse, so dass die Seitenflächen und rückseitigen Oberflächen der Halbleiterchips von der Formmasse bedeckt werden, wobei jedem Halbleiterchip ein überstehender Teilbereich der Formmasse zugeordnet ist, der an einer Seitenfläche des Halbleiterchips angeordnet ist und eine erste und zweite Abmessung aufweist, die jeweils größer sind als eine kleinste Abmessung der Halbleiterchips,
    • – Ablösen des gemeinsamen Trägers,
    • – Aufbringen von ersten und zweiten Metallisierungen auf die Formmasse zum Ausbilden von ersten und zweiten Kontaktschichten,
    • – Vereinzelung in mehrere optoelektronische Halbleiterbauelemente.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Formmasse mittels Spritzens oder Gießens auf die Halbleiterchips aufgebracht. Vorzugsweise erfolgt das Aufbringen der Formmase in einem Spritzpress-Prozess ("transfer molding"), beispielsweise einem Folien-Spritzpress-Prozess.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die Metallisierungen galvanisch erzeugt. Beispielsweise kann zur Erzeugung der Metallisierungen zunächst eine Keimschicht, beispielsweise aus Titan oder Kupfer, auf die Formmasse aufgebracht und auf dieser eine Metallschicht, beispielsweise aus Kupfer, galvanisch abgeschieden werden. Zur Herstellung der Kontaktschichten können die Metallisierungen bereits strukturiert aufgebracht werden oder nach Ausbildung der Metallisierungen strukturiert werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Formmasse als durchgehende geschlossene Schicht auf die Halbleiterchips aufgebracht und bis auf die Zerteilung in mehrere Formkörper nicht weiter strukturiert.
  • Alternativ kann die Formmasse als geschlossene Schicht auf die Halbleiterchips aufgebracht werden, und es können in der Formmasse Öffnungen erzeugt werden. Insbesondere erstrecken sich die Öffnungen hierbei bis zu den rückseitigen Oberflächen der optoelektronischen Halbleiterchips. Die Öffnungen können durch Entfernen der Formmasse, beispielsweise mittels Laserablation, erzeugt werden.
  • Ferner kann die Formmasse als unterbrochene Schicht aufgebracht werden. Beispielsweise kann die Formmasse gezielt aufgebracht werden, wobei ausgewählte Bereiche der Halbleiterchips ausgespart werden. Insbesondere werden die rückseitigen Oberflächen der Halbleiterchips höchstens teilweise von der Formmasse bedeckt.
  • Bei einer weiteren Ausgestaltung wird zur Herstellung von Öffnungen eine strukturierte Opferschicht verwendet, welche Bereiche der Halbleiterchips bedeckt, auf welchen keine Formmasse aufgebracht werden soll. Nach Einbettung der Halbleiterchips in die Formmasse wird die Opferschicht vorzugsweise entfernt, wobei in Bereichen der abgelösten Opferschicht Öffnungen entstehen.
  • Weitere Vorteile, vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen.
  • Es zeigen:
  • 1A eine schematische Seitenansicht und 1B eine schematische Draufsicht einer Anordnung umfassend ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauelement,
  • 2B bis 2D schematische Draufsichten auf die strahlungsdurchtrittsseitige Oberfläche eines optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen und 2A eine schematische Draufsicht auf eine der Montagefläche gegenüber liegende Seitenfläche eines optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß den verschiedenen Ausführungsbeispielen,
  • 3 eine schematische Draufsicht auf eine der Montagefläche gegenüber liegende Seitenfläche gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel,
  • 4A eine schematische Draufsicht auf eine der Montagefläche gegenüber liegende Seitenfläche und 4B eine schematische Draufsicht auf die strahlungsdurchtrittsseitige Oberfläche eines optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel,
  • 5A eine schematische Draufsicht auf eine der Montagefläche gegenüber liegende Seitenfläche und 5B eine schematische Draufsicht auf die strahlungsdurchtrittsseitige Oberfläche eines optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel,
  • 6A bis 6F und 7A bis 7C und 8A bis 8C verschiedene Verfahrensschritte gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen eines Verfahrens,
  • 9B eine schematische Draufsicht eines Verbunds aus Halbleiterchips und 9A eine schematische Querschnittsansicht hierzu.
  • Die 1A und 1B veranschaulichen eine mögliche Anordnung mit einem hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelement 100. Bei dem Halbleiterbauelement 100 handelt es sich insbesondere um ein Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement. Das optoelektronische Halbleiterbauelement 100 ist mit seiner Montagefläche 4 auf einem Anschlussträger 20 angeordnet. Zwischen dem optoelektronischen Halbleiterbauelement 100 und dem Anschlussträger 20 befindet sich ein Verbindungsmittel 13 zur Befestigung des Halbleiterbauelements 100 an dem Anschlussträger 20. Wie in 1B dargestellt ist, kann das Verbindungsmittel 13 entlang von Kanten der Montagefläche 4 angeordnet sein. Insbesondere ist das Verbindungsmittel 13 auf einer strahlungsdurchtrittsseitigen Oberfläche 100A, zwei gegenüber liegenden Seitenflächen 100B und einer rückseitigen Oberfläche 100C des optoelektronischen Halbleiterbauelements 100 angeordnet. Ferner weist das Halbleiterbauelement 100 eine erste und zweite Kontaktschicht 3A, 3B auf, die sich entsprechend dem Verbindungsmittel 13 parallel zu der strahlungsdurchtrittsseitigen Oberfläche 100A, über die Seitenflächen 100B bis auf die rückseitige Oberfläche 100C des optoelektronischen Halbleiterbauelements 100 erstrecken. Insbesondere sind die Kontaktschichten 3A, 3B durch das Verbindungsmittel 13 mechanisch und elektrisch leitend mit dem Anschlussträger 20 verbunden.
  • Das optoelektronische Halbleiterbauelement 100 emittiert einen Großteil der erzeugten Strahlung durch die strahlungsdurchtrittsseitige Oberfläche 100A, die quer zu der Montagefläche 4 angeordnet ist. Eine Hauptabstrahlrichtung 12, in welche der Großteil der erzeugten Strahlung emittiert wird, verläuft senkrecht zur Strahlungsdurchtrittsfläche.
  • Die Strahlung wird bei dieser Anordnung seitlich in einen Lichtleiter 30 eingekoppelt.
  • Das optoelektronische Halbleiterbauelement 100 kann vergleichsweise flach ausgebildet werden und ist damit besonders geeignet zur Ausbildung einer flachen Hinterleuchtungsanordnung, die beispielsweise für ein Display verwendet werden kann. Insbesondere weist das optoelektronische Halbleiterbauelement 100 eine Höhe H zwischen 0.2 mm und 0.4 mm auf. Ferner ist das optoelektronische Halbleiterbauelement 100 mit einer Dicke D von ungefähr 0.2 mm vergleichsweise schmal ausgebildet.
  • In den 2B, 2C und 2D sind verschiedene Ausführungsbeispiele eines optoelektronischen Halbleiterbauelements 100 dargestellt. Das Halbleiterbauelement 100 weist einen optoelektronischen Halbleiterchip 1 und einen aus einer Formmase 200 gebildeten Formkörper 2 auf, in welchen der optoelektronische Halbleiterchip 1 teilweise eingebettet ist. Der Formkörper 2 weist eine strahlungsdurchtrittsseitige Hauptfläche 2A, mehrere Seitenflächen 2B und eine rückseitige Hauptfläche 2C auf.
  • Weiterhin weist der optoelektronische Halbleiterchip 1 eine Strahlungsdurchtrittsfläche 1A, durch welche ein Großteil der erzeugten Strahlung hindurchtritt, und mehrere Seitenflächen 1B, die quer zu der Strahlungsdurchtrittsfläche 1A angeordnet sind, sowie eine der Strahlungsdurchtrittsfläche 1A gegenüber liegend angeordnete rückseitige Oberfläche 1C auf. Mindestens zwei Seitenflächen 1B des Halbleiterchips 1 sind von der Formmasse 200 bedeckt. Beispielsweise können alle vier Seitenflächen 1B von der Formmasse 200 bedeckt sein (vgl. 2B). Alternativ können höchstens drei Seitenflächen 1B von der Formmasse 200 bedeckt sein. Beispielsweise kann die an der Montagefläche 4 angeordnete Seitenfläche 1B unbedeckt sein von Formmasse, so dass diese Seitenfläche 1B einen Teil der Montagefläche 4 bildet. Weiterhin kann auch die der Montagefläche 4 gegenüber liegende Seitenfläche 1B unbedeckt sein von Formmasse (vgl. 2C). Insbesondere weist das Halbleiterbauelement 100 in diesem Fall eine Höhe H auf, die der Höhe H‘ des Halbleiterchips 1 entspricht.
  • Bei den Ausführungsbeispielen der 2A bis 2D ist die rückseitige Oberfläche 1C nur teilweise von der Formmasse bedeckt. Insbesondere weist der Formkörper 2 eine Öffnung 5 auf, die sich von der rückseitigen Oberfläche 1C des optoelektronischen Halbleiterchips 1 bis zu der rückseitigen Hauptfläche 2C des Formkörpers 2 erstreckt. Die Öffnung 5 verjüngt sich ausgehend von der rückseitigen Hauptfläche 2C des Formkörpers 2 bis zur rückseitigen Oberfläche 1C des optoelektronischen Halbleiterchips 1.
  • Die Öffnung 5 wird an ihrer Unterseite durch die rückseitige Oberfläche 1C des Halbleiterchips 1 und umfangseitig durch mindestens eine Innenfläche 2D des Formkörpers 2 begrenzt.
  • Eine mögliche Ausgestaltung der Öffnung 5 ist in 2D dargestellt. Die Öffnung 5 wird hierbei umfangseitig durch eine geschlossene Innenfläche 2D des Formkörpers 2 begrenzt. Die Öffnung 5 ist als Langloch ausgebildet und weist insbesondere parallel zur Montagefläche 4 eine größere Ausdehnung auf als senkrecht zur Montagefläche 4.
  • Alternativ kann die Öffnung 5 durch zwei unverbundene Innenflächen des Formkörpers 2 begrenzt werden (nicht dargestellt). Hierbei kann sich die Öffnung 5 von der Montagefläche 4 bis zu der der Montagefläche 4 gegenüber liegenden Seitenfläche 100B des Halbleiterbauelements 100 erstrecken.
  • Das optoelektronische Halbleiterbauelement 100 umfasst eine erste Kontaktschicht 3A und eine zweite Kontaktschicht 3B, die auf dem Formkörper 2 angeordnet sind und zum elektrischen Anschluss des Halbleiterchips 1 vorgesehen sind. Die beiden Kontaktschichten 3A, 3B erstrecken sich von der vorderseitigen Hauptfläche 2A, jeweils über eine Seitenfläche 2B bis auf die rückseitige Hauptfläche 2C des Formkörpers 2. Ferner erstreckt sich die erste Kontaktschicht 3A von der rückseitigen Hauptfläche 2C des Formkörpers 2 bis in die Öffnung 5. Die erste Kontaktschicht 3a ist auf eine Innenfläche 2D des Formkörpers 2 und auf die rückseitige Oberfläche 1C des optoelektronischen Halbleiterchips 1 aufgebracht. Insbesondere endet die erste Kontaktschicht 3A auf der rückseitigen Oberfläche 1C und ist mit einem ersten elektrischen Kontakt (nicht dargestellt) des Halbleiterchips 1 verbunden. Vorzugsweise umfasst der Halbleiterchip 1 ein Substrat 6 und eine auf dem Substrat 6 angeordnete Halbleiterschichtenfolge 7. Der erste elektrische Kontakt ist zum elektrischen Anschluss eines ersten, auf einer dem Substrat 6 zugewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge 7 angeordneten Halbleiterbereichs (nicht dargestellt) vorgesehen. Ferner weist der Halbleiterchip 1 einen zweiten elektrischen Kontakt (nicht dargestellt) auf, der zum elektrischen Anschluss eines zweiten, auf einer dem Substrat 6 abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge 7 angeordneten Halbleiterbereichs (nicht dargestellt) vorgesehen ist. Insbesondere ist der erste Kontakt ein p-Kontakt und der erste Halbleiterbereich ein p-leitender Halbleiterbereich. Weiterhin ist vorzugsweise der zweite Kontakt ein n-Kontakt und der zweite Halbleiterbereich ein n-leitender Halbleiterbereich.
  • Beispielsweise kann die Halbleiterschichtenfolge 7 eine aktive Zone aufweisen, die mit mindestens einem elektrisch leitenden Durchbruch versehen ist, welcher eine elektrische Kontaktierung des zweiten Halbleiterbereichs ausgehend vom Substrat 6 ermöglicht (nicht dargestellt). Vorzugsweise endet hierbei die zweite Kontaktschicht 3B auf dem Substrat 6. Ebenso kann der erste Halbleiterbereich über das Substrat 6 elektrisch angeschlossen werden. Durch die substratseitige Kontaktierung des Halbleiterchips 1 kann die Strahlungsdurchtrittsfläche 1A frei bleiben von strahlungsabsorbierenden Kontaktstrukturen.
  • Der Formkörper 2 umfasst einen ersten überstehenden Teilbereich 8A und einen zweiten überstehenden Teilbereich 8B, die jeweils an einer Seitenfläche 1B des Halbleiterchips 1 angeordnet sind. Die überstehenden Teilbereiche 8a, 8b weisen jeweils eine erste und zweite Abmessung auf, die jeweils größer sind als eine kleinste Abmessung des Halbleiterchips 1. Bei der ersten Abmessung T handelt es sich insbesondere um die Tiefe der überstehenden Teilbereiche 8A, 8B und bei der zweiten Abmessung B um die Breite der überstehenden Teilbereiche 8A, 8B. Beispielsweise kann die erste Abmessung T der überstehenden Teilbereiche 8A, 8B zwischen 0.2 mm und 2 mm betragen. Ferner kann die zweite Abmessung B zwischen 0.3 mm und 3 mm betragen. Ferner kann eine Höhe H’ zwischen 0.2 mm und 0.4 mm betragen (vgl. 2B).
  • Beispielsweise kann die kleinste Abmessung des Halbleiterchips dessen Dicke D angeben, die insbesondere zwischen 0.1 mm und 0.2 mm beträgt.
  • Das optoelektronische Halbleiterbauelement 100 umfasst vorzugsweise in einem mit dem Halbleiterchip 1 verbundenen Endbereich der zweiten Kontaktschicht 3B eine Passivierungsschicht 9, die zwischen der zweiten Kontaktschicht 3B und dem optoelektronischen Halbleiterchip 1 angeordnet ist. Mittels der Passivierungsschicht 9 kann die die zweite Kontaktschicht 3B gegenüber dem Substrat 6 elektrisch isoliert werden. Beispielsweise kann die Passivierungsschicht 9 aus einem organischen Material, insbesondere einem Kunststoff, gebildet werden. Mit Vorteil ist die zweite Kontaktschicht 3B in dem Endbereich schmäler ausgebildet als in einem an die Seitenfläche 2B angrenzenden Übergangsbereich, in welchem die strahlungsdurchtrittsseitige Hauptfläche 2A insbesondere vollständig von der zweiten Kontaktschicht 3B bedeckt ist (vgl. 2B bis 2D). Vorzugsweise bedeckt auch die erste Kontaktschicht 3A im Übergangsbereich zwischen der Seitenfläche 2B und der strahlungsdurchtrittsseitigen Hauptfläche 2A diese vollständig (vgl. 2B bis 2D). Allerdings reicht die erste Kontaktschicht 3A nicht bis zum Halbleiterchip 1 heran, sondern endet auf der strahlungsdurchtrittsseitigen Hauptfläche 2A.
  • Die elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterbauelements 100 erfolgt von außen mittels der ersten und zweiten Kontaktschicht 3A, 3B, wobei das Verbindungsmittel 13 zumindest umfangseitig, das heißt entlang von Kanten angeordnet ist, welche die Montagefläche 4 begrenzen (vgl. hierzu 1B). Weiterhin kann sich mindestens eine der beiden Kontaktschichten 3A, 3B bis an die Montagefläche 4 erstrecken, wobei das Verbindungsmittel 13 dann insbesondere auch zwischen der Montagefläche 4 und dem Anschlussträger angeordnet ist (nicht dargestellt).
  • Das Halbleiterbauelement 100 kann, wie in 2A dargestellt, ein Konversionselement 10 umfassen, das auf der Strahlungsdurchtrittsfläche 1A des Halbleiterchips 1 angeordnet ist. Die durch die Strahlungsdurchtrittsfläche 1A des Halbleiterchips 1 durchtretende Strahlung kann mittels des Konversionselements 10 wellenlängenkonvertiert werden. Vorzugsweise emittiert der Halbleiterchip 1 Strahlung mit einem Wellenlängenbereich im ultravioletten bis blauen Spektralbereich. Weiterhin kann das Konversionselement 10 die von dem Halbleiterchip 1 ausgesandte Strahlung in Strahlung mit einem Wellenlängenbereich im grünen bis roten Spektralbereich umwandeln. Beispielsweise kann das optoelektronische Halbleiterbauelement 100 dafür geeignet sein, weißes Licht zu emittieren.
  • Das wie in den 2A bis 2D dargestellte optoelektronische Halbleiterbauelement 100 ist besonders flach ausgebildet. Darüber hinaus verleiht der Formkörper 2 bzw. verleihen die mit geeigneten Abmessungen versehenen überstehenden Teilbereiche 8a, 8b dem Halbleiterbauelement 100 ausreichende Stabilität, so dass das Halbleiterbauelement 100 quer zur Strahlungsdurchtrittsfläche 1A montiert werden kann und damit als Seitenemitter ausgebildet ist.
  • In Verbindung mit 3 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Halbleiterbauelements 100 dargestellt. Dieses ist ähnlich den in den 2A bis 2D dargestellten Halbleiterbauelementen 100 ausgebildet. Im Unterschied dazu ist in der rückseitigen Öffnung 5 eine Füllung 11 angeordnet. Hierbei wird die Öffnung 5 vollständig von der Füllung 11 ausgefüllt. Es ist jedoch auch denkbar, dass die Füllung 11 nur einen Teil der Öffnung 5 ausfüllt. Die Füllung 11 wird insbesondere aus dem gleichen Material gebildet wie die Formmasse. Die Füllung kann beispielsweise mittels Spritzen, Gießen oder Dispensen hergestellt werden. Durch die Füllung 11 kann die Stabilität des Halbleiterbauelements 100 weiter erhöht werden.
  • Bei dem in Verbindung mit den 4A und 4B dargestellten Ausführungsbeispiel ist der Formkörper 2 zweilagig ausgebildet. Vorzugsweise wird hierbei der optoelektronische Halbleiterchip 1 in einem ersten Herstellungsschritt in eine Formmasse eingebettet, wobei die Seitenflächen 1B und die rückseitige Oberfläche 1C des Halbleiterchips 1 vollständig von der Formmasse bedeckt werden. Dann kann die Formmasse parallel zu der rückseitigen Oberfläche 1C des Halbleiterchips 1 abgetragen werden bis die rückseitige Oberfläche 1C des Halbleiterchips 1 von Formmasse unbedeckt ist. Insbesondere geschieht dies durch Rückschleifen der Formmasse. Die verbleibende Formmasse bildet eine erste Lage 21 des fertigen Formkörpers 2. Auf die erste Lage 21 und die rückseitige Oberfläche 1C des Halbleiterchips 1 kann eine dritte Kontaktschicht 3C aufgebracht werden. Anschließend wird auf die erste Lage 21 und den darin eingebetteten Halbleiterchip 1 eine zweite Lage 22 aufgebracht, welche aus der gleichen oder einer anderen Formmasse wie die erste Lage 21 hergestellt werden kann. Der zweilagige Formkörper 2 weist zwischen der ersten und zweiten Lage 21, 22 eine durch die dritte Kontaktschicht 3C gebildete Grenzfläche auf. Die dritte Kontaktschicht 3C ist mit der ersten Kontaktschicht 3A verbunden und stellt eine elektrische Verbindung zwischen der ersten Kontaktschicht 3A und dem Halbleiterchip 1 her.
  • Bei dem in Verbindung mit den 5A und 5B dargestellten Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Halbleiterbauelements 100 ist die rückseitige Oberfläche 1C vollständig von Formmasse bedeckt. Der Formkörper 2 weist im Innern keine Grenzflächen auf. Ferner sind die Kontaktschichten 3A, 3B jeweils nur auf der strahlungsdurchtrittsseitigen Hauptfläche 2A, den Seitenflächen 2B und der rückseitigen Hauptfläche 2C des Formkörpers 2 angeordnet. Weiterhin erstrecken sich beide Kontaktschichten 3A, 3B auf der strahlungsdurchtrittsseitigen Hauptfläche 2A bis zum Halbleiterchip 1. Die rückseitige Oberfläche 1C des Halbleiterchips 1 bleibt bei diesem Ausführungsbeispiel von den Kontaktschichten 3A, 3B unbedeckt.
  • Die 6A bis 6F zeigen verschiedene Schritte eines Verfahrens gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel zur Herstellung eines wie hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements.
  • 6A zeigt einen anfänglichen Schritt des Verfahrens, wobei ein Verbund aus mehreren optoelektronischen Halbleiterchips 1 bereitgestellt wird. Die Halbleiterchips 1 sind mit ihren Strahlungsdurchtrittsflächen 1A auf einem gemeinsamen Träger 40 angeordnet. Die Halbleiterchips 1 können beispielsweise mittels einer Klebefolie 14 an dem Träger 40 befestigt sein. 6B zeigt einen nächsten Schritt, wobei die optoelektronischen Halbleiterchips 1 in Formmasse 200 eingebettet werden. Insbesondere werden hierbei die Seitenflächen 1B und rückseitigen Oberflächen 1C der Halbleiterchips 1 von der Formmasse 200 bedeckt, wobei überstehende Teilbereiche ausgebildet werden, die an Seitenflächen 1B der Halbleiterchips 1 angeordnet sind und jeweils eine erste Abmessung T und zweite Abmessung B aufweisen, die jeweils größer sind als eine kleinste Abmessung D der Halbleiterchips 1 (vgl. 6A).
  • 6C zeigt einen weiteren Verfahrensschritt, wobei der gemeinsame Träger 40 abgelöst wird.
  • Bei dem in 6D dargestellten Verfahrensschritt werden in der Formmasse 200 verschiedene Öffnungen 5, 15 ausgebildet.
  • Die Öffnungen 15 erstrecken sich von einer ersten Hauptfläche der Formmasse 200 bis zu einer zweiten Hauptfläche und sind jeweils zwischen zwei benachbarten Halbleiterchips 1 angeordnet. Die Öffnungen 15 ermöglichen eine Zerteilung des Verbunds in mehrere optoelektronische Halbleiterbauelemente.
  • Die Öffnungen 5 erstrecken sich jeweils von der zweiten Hauptfläche der Formmasse bis zu den rückseitigen Oberflächen 1C der optoelektronischen Halbleiterchips 1. Insbesondere werden die Öffnungen 5, 15 in der Formmasse 200 mittels Laserablation erzeugt.
  • 6E zeigt einen Verfahrensschritt, wobei auf die Halbleiterchips 1 jeweils eine Passivierungsschicht 9 aufgebracht wird. Insbesondere wird die Passivierungsschicht 9 am Rand des Halbleiterchips 1 aufgebracht, so dass der zweite Kontakt 16 von der Passivierungsschicht 9 teilweise bedeckt wird.
  • 6F zeigt einen weiteren Verfahrensschritt, wobei auf die Formmasse 200 erste und zweite Metallisierungen zum Ausbilden der ersten und zweiten Kontaktschichten 3A, 3B aufgebracht werden. Insbesondere werden die Metallisierungen galvanisch erzeugt, wobei zunächst eine Keimschicht aufgebracht werden kann, auf welcher eine Metallschicht galvanisch abgeschieden wird.
  • In einem anschließenden Verfahrensschritt kann der Verbund entlang der Öffnungen 15 in mehrere optoelektronische Halbleiterbauelemente vereinzelt werden (nicht dargestellt).
  • Die 7A bis 7C zeigen erste Schritte eines Verfahrens gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel, wobei der in 7A dargestellte Verfahrensschritt vorzugsweise in Übereinstimmung mit dem in 6A dargestellten Verfahrensschritt erfolgt. Allerdings werden die Öffnungen 5, 15 nicht wie in den 6C und 6D dargestellt durch Entfernen der Formmasse 200 ausgebildet, sondern mittels Aussparung der Formmasse in den Bereichen des Verbunds, die von Formmasse 200 frei bleiben sollen. Hierbei wird die Formmasse 200 bereits als unterbrochene Schicht aufgebracht. Vorzugsweise wird bei dem Verfahren gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der gemeinsame Träger 40 erst abgelöst, wenn die mit Öffnungen 5, 15 versehene Formmasse auf die Halbleiterchips 1 aufgebracht ist (vgl. 7B und 7C). Die weiteren Verfahrensschritte wie Aufbringen von Passivierungsschichten und Aufbringen von Metallisierungen erfolgen vorzugsweise in Übereinstimmung mit den in Verbindung mit den 6E und 6F beschriebenen Verfahrensschritten.
  • Ein drittes Ausführungsbeispiel eines Verfahrens ist in Verbindung mit den 8A bis 8C dargestellt. Hierbei wird zur Erzeugung der Öffnungen 5, 15 eine strukturierte Opferschicht 17, beispielsweise eine Fotolackschicht, verwendet, welche in den Bereichen des Verbunds angeordnet wird, wo die Öffnungen 5, 15 entstehen sollen. In Zwischenräumen der Opferschicht 17 wird Formmasse 200 angeordnet. Anschließend wird die Opferschicht 17 herausgelöst, so dass die Öffnungen in der Formmasse 200 ausgebildet werden (nicht dargestellt). Der gemeinsame Träger 40 kann bereits vor dem Entfernen der Opferschicht 17 entfernt werden (vgl. 8C). Die weiteren Verfahrensschritte wie Aufbringen von Passivierungsschichten und Aufbringen von Metallisierungen erfolgen vorzugsweise in Übereinstimmung mit den in Verbindung mit den 6E und 6F beschriebenen Verfahrensschritten.
  • Ein Ausführungsbeispiel eines Verbunds aus Halbeiterchips 1 ist in 9B in Draufsicht und in 9A in einer Querschnittsansicht entlang der in 9B dargestellten gestrichelten Linie gezeigt.
  • In einer ersten Richtung R1 sind die Halbeiterchips 1 in Reihen angeordnet, wobei jeweils zwei benachbarte Halbleiterchips 1 mittels Formmasse 200 miteinander verbunden sind. In einer orthogonal zur ersten angeordneten zweiten Richtung R2 sind die Halbleiterchips 1 auch in Reihen angeordnet, wobei jeweils zwei benachbarte Halbleiterchips 1 einer Reihe durch eine Öffnung 15 voneinander getrennt sind. Die Öffnung 15 weist erste und zweite Metallisierungen zur Ausbildung von ersten und zweiten Kontaktschichten 3A, 3B auf. Insbesondere durchtrennt eine Öffnung 15 mehrere Reihen von Halbleiterchips 1. Die Halbleitchips 1 der äußeren Reihen werden entlang der zweiten Richtung R2 jeweils durch einen Rand aus Formmasse 200 miteinander verbunden. Eine Zerteilung des Verbunds erfolgt vorzugsweise parallel zur ersten und zweiten Richtung R1, R2, wobei die Ränder aus Formmasse 200 sowie die aus Formmasse 200 gebildeten Verbindungen zwischen den Halbleiterchips 1 durchtrennt werden und somit eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen 100 entsteht.
  • Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims (17)

  1. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (100) mit – einem optoelektronischen Halbleiterchip (1) aufweisend eine Strahlungsdurchtrittsfläche (1A), durch welche ein Großteil von Strahlung hindurchtritt, und mehrere Seitenflächen (1B), die quer zu der Strahlungsdurchtrittsfläche (1A) angeordnet sind, sowie eine der Strahlungsdurchtrittsfläche (1A) gegenüber liegend angeordnete rückseitige Oberfläche (1C), – einem Formkörper (2), der eine strahlungsdurchtrittsseitige Hauptfläche (2A), mehrere Seitenflächen (2B) und eine rückseitige Hauptfläche (2C) aufweist, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (1) teilweise in den Formkörper (2) eingebettet ist und wobei der Formkörper (2) aus einer Formmasse (200) gebildet ist, die mindestens zwei Seitenflächen (2B) und die rückseitige Oberfläche (1C) des Halbleiterchips (1) zumindest teilweise bedeckt, – einer ersten Kontaktschicht (3A) und einer zweiten Kontaktschicht (3B), die auf dem Formkörper (2) angeordnet sind und zum elektrischen Anschluss des Halbleiterchips (1) vorgesehen sind, – einer Montagefläche (4), die quer zu der Strahlungsdurchtrittsfläche (1A) angeordnet ist und zur Montage des Halbleiterbauelements (100) vorgesehen ist, wobei der Formkörper (2) einen überstehenden Teilbereich (8A, 8B) aufweist, der an einer Seitenfläche (1B) des Halbleiterchips (1) angeordnet ist und eine erste Abmessung (T) und zweite Abmessung (B) aufweist, die jeweils größer sind als eine kleinste Abmessung (D) des Halbleiterchips (1).
  2. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (100) nach dem vorherigen Anspruch, wobei die erste Abmessung (T) und die zweite Abmessung (B) des überstehenden Teilbereichs (8A, 8B) mindestens doppelt so groß sind wie die kleinste Abmessung (D) des Halbleiterchips (1).
  3. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüchen, wobei sich die erste und die zweite Kontaktschicht (3A, 3B) von der strahlungsdurchtrittsseitigen Hauptfläche (2A) jeweils bis auf eine Seitenfläche (2B) des Formkörpers (2) erstrecken, die quer zur Montagefläche (4) angeordnet ist.
  4. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Formkörper (2) eine Öffnung (5) aufweist, die sich von der rückseitigen Oberfläche (1C) des optoelektronischen Halbleiterchips (1) bis zu der rückseitigen Hauptfläche (2C) des Formkörpers (2) erstreckt.
  5. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (100) nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Öffnung (5) an ihrer Unterseite durch die rückseitige Oberfläche (1C) des Halbleiterchips (1) und umfangsseitig zumindest teilweise durch mindestens eine Innenfläche (2D) des Formkörpers (2) begrenzt wird.
  6. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (100) nach Anspruch 4 oder 5, wobei sich die erste Kontaktschicht (3A) von der rückseitigen Hauptfläche (2C) des Formkörpers (2) bis in die Öffnung (5) erstreckt.
  7. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (100) nach Anspruch 6, wobei die erste Kontaktschicht (3A) auf die Innenfläche (2D) des Formkörpers (2) und die rückseitige Oberfläche (1C) des optoelektronischen Halbleiterchips (1) aufgebracht ist.
  8. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (100) nach einem der Ansprüche 4 bis 7, wobei in der Öffnung (5) eine Füllung (11) angeordnet ist, und die erste Kontaktschicht (3A) zwischen der Füllung (11) und dem Formkörper (2) angeordnet ist.
  9. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Formkörper (2) einlagig ausgebildet ist.
  10. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, das eine dritte Kontaktschicht (3C) aufweist, wobei der Formkörper (2) zweilagig ausgebildet ist und die dritte Kontaktschicht (3C) zwischen einer ersten und einer zweiten Lage (21, 22) des Formkörpers (2) angeordnet ist.
  11. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (100) nach Anspruch 10, wobei die erste Kontaktschicht (3A) und die rückseitige Oberfläche (1C) des Halbleiterchips (1) mittels der dritten Kontaktschicht (3C) miteinander verbunden werden.
  12. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei zumindest ein Teil der Montagefläche (4) des Halbleiterbauelements (100) durch eine Seitenfläche (2B) des Formkörpers (2) gebildet wird, und wobei sich mindestens eine der beiden Kontaktschichten (3A, 3B) bis auf die Seitenfläche (2B) erstreckt.
  13. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Teil der Montagefläche (4) des Halbleiterbauelements (100) durch eine Seitenfläche (1B) des optoelektronischen Halbleiterchips (1) gebildet wird.
  14. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche mit den folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Verbunds aus mehreren optoelektronischen Halbleiterchips (1), die mit ihren Strahlungsdurchtrittsflächen (1A) auf einem gemeinsamen Träger (40) angeordnet sind, – Einbetten der optoelektronischen Halbleiterchips (1) in eine Formmasse (200), so dass die Seitenflächen (1B) und rückseitigen Oberflächen (1C) der Halbleiterchips (1) von der Formmasse (200) bedeckt werden, wobei jedem Halbleiterchip (1) ein überstehender Teilbereich (8A, 8B) der Formmasse zugeordnet ist, der an einer Seitenfläche (1B) des Halbleiterchips (1) angeordnet ist und eine erste und zweite Abmessung (T, B) aufweist, die jeweils größer sind als eine kleinste Abmessung (D) des Halbleiterchips (1), – Ablösen des gemeinsamen Trägers (40), – Aufbringen von ersten und zweiten Metallisierungen auf die Formmasse zum Ausbilden von ersten und zweiten Kontaktschichten (3A, 3B), – Vereinzelung in mehrere optoelektronische Halbleiterbauelemente.
  15. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (100) gemäß Anspruch 14, wobei in der Formmasse (200) Öffnungen (5) erzeugt werden, die sich bis zu den rückseitigen Oberflächen (1C) der optoelektronischen Halbleiterchips (1) erstrecken.
  16. Verfahren nach Anspruch 15, wobei die Formmasse (200) als geschlossene Schicht aufgebracht wird, und die Öffnungen (5) mittels Entfernen der Formmasse (200) durch Laserablation erzeugt werden.
  17. Verfahren nach Anspruch 15, wobei die Formmasse (200) als unterbrochene Schicht aufgebracht wird.
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