DE102010046257A1

DE102010046257A1 - Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements

Info

Publication number: DE102010046257A1
Application number: DE102010046257A
Authority: DE
Inventors: Dr. Preuß Stephan; Herbert Brunner; Dr. Gallmeier Hans-Christoph; Dr. Schwarz Raimund
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2010-09-22
Filing date: 2010-09-22
Publication date: 2012-03-22

Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (100) angegeben, bei dem – ein Träger (1) mit einer klebenden Oberfläche (11) bereitgestellt wird, – auf die klebende Oberfläche (11) eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (2) aufgebracht wird, – die Halbleiterchips (2) auf jeweils allen dem Träger (1) abgewandten Oberflächen mit einer ersten Formmasse (3) umhüllt werden, die zumindest einen ersten Wellenlängenkonversionsstoff und/oder einen reflektierenden Füllstoff aufweist, – die dem Träger (1) zugewandte Seite (12) der Halbleiterchips (2) und der ersten Formmasse (3) durch Entfernen des Trägers (1) freigelegt wird, – die erste Formmasse (3) mit der Mehrzahl von Halbleiterchips (2) mit der freigelegten Seite (12) auf eine Trennfolie (4) aufgebracht wird, – zwischen zumindest zwei der Mehrzahl der Halbleiterchips (2) die erste Formmasse (3) durchtrennt wird.

Description

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.
Um eine mischfarbig, beispielsweise weiß, leuchtende Licht emittierende Diode (LEDs) herzustellen, ist es bekannt, einen Leuchtdiodenchip in ein Gehäuse einzubauen und darin in einem Vergussmaterial einzubetten, in das ein Konversionsstoff und gegebenenfalls noch Streupartikel eingemischt sind. Der Leuchtdiodenchip wird dabei vor dem Einbetten fertig angeschlossen und kontaktiert und anschließend beispielsweise mittels eines Casting- oder eines Formprozesses mit dem Vergussmaterial umhüllt.
Weiterhin ist es auch bekannt, beispielsweise auf einem Leuchtdiodenchip eine chipnahe Konversion in Form eines ebenen Konverter-Plättchens anzubringen, das mittels Silikonkleber direkt auf den Chip geklebt wird. Das Konverter-Plättchen besteht dabei üblicherweise aus einem Gemisch aus Silikon und einem Konversionsstoff sowie gegebenenfalls auch Streupartikeln. Um den Leuchtdiodenchip nach dem Aufbringen des Konverter-Plättchens noch mittels eines Drahtanschlusses kontaktieren zu können, kann im Konverter-Plättchen das entsprechende Bondpad des Leuchtdiodenchips in Form einer Öffnung ausgespart sein.
Weiterhin ist es auch bekannt, mittels Siebdruck und einer geeigneten Maske eine Konversionsschicht auf eine Vielzahl von Leuchtdiodenchips aufzudrucken, die sich noch in einem Waferverbund befinden, die also noch nicht vereinzelt sind. Alternativ kann die Konversionsschicht auch mittels eines Formprozesses aufgebracht werden.
Während beim ersten oben beschriebenen Herstellungsverfahren zwar ein Leuchtdiodenchip allseitig vom Farbstoff im Verguss umgeben werden kann, ist diese Methode an die Verwendung eines geeigneten Gehäuses gebunden. Die anderen beschriebenen Verfahren ermöglichen lediglich die Positionierung des Konverters auf dem Leuchtdiodenchip, nicht aber beispielsweise an dessen Seitenflanken.
Eine Aufgabe zumindest einiger Ausführungsformen ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements anzugeben.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen des Verfahrens sind in den abhängigen Ansprüchen gekennzeichnet und gehen weiterhin aus der nachfolgenden Beschreibung und den Zeichnungen hervor.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird bei einem Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauelements und insbesondere einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen ein Träger mit einer klebenden Oberfläche bereitgestellt. Der Träger kann beispielsweise Kunststoff oder Metall aufweisen oder daraus sein. Beispielsweise kann der Träger in Form einer Folie, beispielsweise einer Kunststofffolie oder einer Metallfolie, einer entsprechenden Folienbahn oder einer Platte ausgebildet sein. Weiterhin kann der Träger beispielsweise auch aus einem Keramikmaterial oder einem Halbleitermaterial aufweisen oder aus einem solchen Material sein.
Die klebende Oberfläche des Trägers kann insbesondere durch einen Klebstoff bereitgestellt werden. Das kann bedeuten, dass auf den Träger ein klebendes Material aufgebracht wird, beispielsweise ein Klebstoff. Insbesondere kann die klebende Oberfläche durch eine Klebefolie gebildet werden, die auf dem Träger aufgebracht ist und die auf der dem Träger gegenüber liegenden Seite einen Klebstoff aufweist. Die Klebefolie kann besonders bevorzugt zweiseitig klebend sein, das heißt, sie kann mit einer klebenden Oberfläche auf dem Träger befestigt werden und mit der anderen klebenden Oberfläche die klebende Oberfläche des Trägers bilden. Besonders vorteilhaft kann es sein, wenn die Klebefolie bei einer Temperatur unterhalb einer Grenztemperatur klebend ist und oberhalb der Grenztemperatur leicht ablösbar ist. Eine derartige Klebefolie kann auch als so genannte Thermo-Release-Folie ausgebildet sein. Die Klebefolie kann dabei beispielsweise eine Folie vom Typ „Revalpha” der Firma Nitto Denko sein. Durch eine derartige Thermo-Release-Folie ist es möglich, unterhalb der Grenztemperatur, die beispielsweise bei 90°C bis 150°C liegen kann, eine klebende Wirkung zu erzielen und die Klebefolie wie jede andere Klebefolie zur Befestigung zu verwenden. Bei Erwärmung des Trägers und der Klebefolie über die Grenztemperatur kann der Träger leicht von der Klebefolie abgelöst werden. Weiterhin können die Klebefolie und der Träger auch von Elementen, die auf der klebenden Oberfläche aufgebracht sind, abgelöst werden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird auf die klebende Oberfläche eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips aufgebracht. Das kann insbesondere bedeuten, dass die optoelektronischen Halbleiterchips auf der klebenden Oberfläche aufgrund der klebenden Wirkung dieser angeordnet und damit zumindest zeitweise auf dem Träger befestigt werden können. Insbesondere können die Halbleiterchips dabei regelmäßig oder unregelmäßig voneinander beabstandet auf dem Träger aufgebracht werden. Darüber hinaus können die Halbleiterchips auch in Gruppen aufgebracht werden.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist das durch das hier beschriebene Verfahren hergestellte optoelektronische Halbleiterbauelement oder die Mehrzahl davon als Licht emittierendes Halbleiterbauelement ausgeführt. Das bedeutet insbesondere, dass die Mehrzahl der Halbleiterchips, die auf dem Träger aufgebracht werden, als Licht emittierende Halbleiterchips ausgeführt sind, die einen aktiven Bereich aufweisen, der im Betrieb des jeweiligen Halbleiterchips Licht abstrahlen kann. Die Halbleiterchips können je nach Wellenlänge als Halbleiterschichtenfolgen auf der Basis von verschiedenen Halbleitermaterialsystemen hergestellt werden. Für eine langwellige, infrarote bis rote Strahlung ist beispielsweise eine Halbleiterschichtenfolge auf Basis von In_xGa_yAl_1-x-yAs, für rote bis gelbe Strahlung beispielsweise eine Halbleiterschichtenfolge auf Basis von In_xGa_yAl_1-x-yP und für kurzwellige sichtbare, also insbesondere im Bereich von grünem bis blauem Licht, und/oder für UV-Strahlung beispielsweise eine Halbleiterschichtenfolge auf Basis von In_xGa_yAl_1-x-yN geeignet, wobei jeweils 0 ≤ y ≤ 1 und 0 ≤ y ≤ 1 gilt.
Besonders bevorzugt sind die Halbleiterchips vor dem Aufbringen auf die klebende Oberfläche des Trägers hinsichtlich des emittierten Lichts sortiert. Das kann insbesondere bedeuten, dass die Halbleiterchips jeweils Licht abstrahlen, das durch Farborte in einem gezielt gewählten Farbortbereich charakterisierbar ist. Im Vergleich zu bekannten Herstellungsprozessen, bei denen eine Mehrzahl von Leuchtdiodenchips im Waferverbund hergestellt wird, kann eine größere Homogenität hinsichtlich des von den einzelnen Halbleiterchips der Mehrzahl der Halbleiterchips jeweils abgestrahlten Lichts erreicht werden.
Insbesondere können die Halbleiterchips eine Halbleiterschichtenfolge, besonders bevorzugt eine epitaktisch gewachsene Halbleiterschichtenfolge, aufweisen oder daraus sein. Dazu kann die Halbleiterschichtenfolge mittels eines Epitaxieverfahrens, beispielsweise metallorgansicher Gasphasenepitaxie (MOVPE) oder Molekularstrahlepitaxie (MBE), auf einem Aufwachssubstrat aufgewachsen und mit elektrischen Kontakten versehen werden. Durch Vereinzelung des Aufwachssubstrats mit der aufgewachsenen Halbleiterschichtenfolge kann eine Mehrzahl der Halbleiterchips bereitgestellt werden.
Weiterhin kann die Halbleiterschichtenfolge vor dem Vereinzeln auf ein Trägersubstrat übertragen werden und das Aufwachssubstrat kann gedünnt oder ganz entfernt werden. Derartige Halbleiterchips, die als Substrat ein Trägersubstrat anstelle des Aufwachssubstrats aufweisen, können auch als so genannte Dünnfilm-Halbleiterchips bezeichnet werden.
Ein Dünnfilm-Halbleiterchip zeichnet sich insbesondere durch folgende charakteristische Merkmale aus:

– an einer zu dem Trägersubstrat hin gewandten ersten Hauptfläche einer strahlungserzeugenden Epitaxieschichtenfolge ist eine reflektierende Schicht aufgebracht oder ausgebildet, die zumindest einen Teil der in der Epitaxieschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung in diese zurückreflektiert;
– die Epitaxieschichtenfolge weist eine Dicke im Bereich von 20 μm oder weniger, insbesondere im Bereich zwischen 4 μm und 10 μm auf; und
– die Epitaxieschichtenfolge enthält mindestens eine Halbleiterschicht mit zumindest einer Fläche, die eine Durchmischungsstruktur aufweist, die im Idealfall zu einer annähernd ergodischen Verteilung des Lichtes in der epitaktischen Epitaxieschichtenfolge führt, d. h. sie weist ein möglichst ergodisch stochastisches Streuverhalten auf.

Ein Dünnfilm-Halbleiterchip ist in guter Näherung ein Lambert'scher Oberflächenstrahler. Das Grundprinzip eines Dünnschicht-Leuchtdiodenchips ist beispielsweise in der Druckschrift I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), 18. Oktober 1993, 2174–2176 beschrieben.
Die elektrischen Kontakte der Halbleiterchips können auf verschiedenen Seiten der Halbleiterschichtenfolge oder auch auf derselben Seite angeordnet sein. Beispielsweise kann ein Halbleiterchip einen elektrischen Kontakt in Form einer lötbaren oder klebbaren Kontaktfläche auf einer der Halbleiterschichtenfolge gegenüber liegenden Seite des Substrats aufweisen. Auf einer dem Substrat gegenüber liegenden Seite der Halbleiterschichtenfolge kann eine weitere Kontaktfläche, beispielsweise in Form eines so genannten Bondpads zur Kontaktierung mittels eines Bonddrahts, ausgebildet sein. Weiterhin kann ein Halbleiterchip die elektrischen Kontaktflächen auf derselben Seite, beispielsweise als lötbare oder klebbare Kontaktflächen, aufweisen und als so genannter Flip-Chip ausgebildet sein, der mit den Kontaktflächen auf einem elektrisch leitenden Träger, beispielsweise einer Platine, einer Leitplatte oder einem Leuchtdiodengehäuse, montierbar ist. Darüber hinaus kann ein Halbleiterchip auch zwei als Bondpads ausgebildete Kontaktflächen auf derselben Seite der Halbleiterschichtenfolge aufweisen.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform werden die Halbleiterchips auf jeweils allen dem Träger abgewandten Oberflächen mit einer ersten Formmasse umhüllt, die zumindest einen ersten Wellenlängenkonversionsstoff und/oder einen reflektierenden Füllstoff aufweist. Das Umhüllen kann insbesondere mittels eines Formprozesses durchgeführt werden. Dazu kann der Träger mit den darauf aufgebrachten Halbleiterchips in ein geeignetes Formwerkzeug eingelegt werden und mittels eines Spritzgieß-, eines Spritzpress- oder eines Formpressverfahrens mit der Formmasse umformt werden. Mit Vorteil können dadurch eine Vielzahl von Halbleiterchips gleichzeitig mit der Formmasse umhüllt werden. Die Formmasse mit dem Wellenlängenkonversionsstoff und/oder dem reflektierenden Füllstoff bedeckt dabei nicht nur die dem Träger gegenüber liegende jeweilige Oberseite der Halbleiterchips, sondern auch deren Seitenflächen.
Die erste Formmasse wird derart ausgehärtet, dass die Halbleiterchips in der ersten Formmasse eingebettet und befestigt sind, sodass die erste Formmasse mit den Halbleiterchips unabhängig vom Träger weiterverarbeitbar ist. Die erste Formmasse ist nach dem Ausformen und dem Umhüllen der Halbleiterchips sowie gegebenenfalls nach einem entsprechenden Aushärtvorgang bevorzugt selbsttragend.
Der Wellenlängenkonversionsstoff ist insbesondere geeignet, das vom optoelektronischen Halbleiterchip emittierte Licht mit einer ersten Wellenlänge zumindest teilweise zu absorbieren und Licht mit einer zweiten, von der ersten Wellenlänge verschiedenen Wellenlänge zu emittieren. Durch die Überlagerung des nicht absorbierten Teils des Lichts mit der ersten Wellenlänge mit dem vom Wellenlängenkonversionsstoff emittierten Licht mit der zweiten Wellenlänge kann ein mischfarbiger Leuchteindruck, beispielsweise ein weißer Leuchteindruck, ermöglicht werden. Alternativ dazu kann beispielsweise auch das gesamte vom Halbleiterchip emittierte Licht durch den Wellenlängenkonversionsstoff umgewandelt werden.
Der Wellenlängenkonversionsstoff kann dabei einen oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen: Granate der Seltenen Erden und der Erdalkalimetalle, beispielsweise YAG:Ce³ ⁺, Nitride, Nitridosilikate, Sione, Sialone, Aluminate, Oxide, Halophosphate, Orthosilikate, Sulfide, Vanadate und Chlorosilikate. Das oder die Materialien des Wellenlängenkonversionsstoffs können beispielsweise in Form von Partikeln ausgeformt sein, die eine Größe von 2 bis 10 μm aufweisen können. Weiterhin kann der Wellenlängenkonversionsstoff zusätzlich oder alternativ ein organisches Material umfassen, das aus einer Gruppe ausgewählt sein kann, die Perylene, Benzopyrene, Coumarine, Rhodamine und Azo-Farbstoffe umfasst. Die erste Formmasse kann geeignete Mischungen und/oder Kombinationen der genannten Materialien als ersten Wellenlängenkonversionsstoff aufweisen.
Die erste Formmasse kann insbesondere ein transparentes Matrixmaterial umfassen, das den Wellenlängenkonversionsstoff umgibt oder enthält oder das daran chemisch gebunden ist. Die Formmasse kann beispielsweise Siloxane, Epoxide, Acrylate oder Methylmethacrylate oder Derivate davon oder auch Mischungen, Copolymere oder Verbindungen damit aufweisen. Besonders bevorzugt kann die Formmasse Silikon mit einem hohen oder einem niedrigen Brechungsindex oder auch ein Silikon-Epoxid-Hybridmaterial aufweisen oder daraus sein. Insbesondere kann die Formmasse ein an die Herstellungs- und Betriebsbedingungen angepasst temperatur- und strahlungsbeständiges Material sein.
Zusätzlich zum Wellenlängenkonversionsstoff kann die Formmasse auch noch Streupartikel beziehungsweise den reflektierenden Füllstoff aufweisen. Die Streupartikel beziehungsweise der reflektierende Füllstoff können insbesondere beispielsweise ein Metalloxid, etwa Titanoxid oder Aluminiumoxid wie etwa Korund, und/oder Glaspartikel aufweisen. Je nach Wellenlänge des von den Halbleiterchips abgestrahlten Lichts können die Streupartikel beziehungsweise der reflektierende Füllstoff dabei Durchmesser oder Korngrößen von weniger als 1 μm bis zu einer Größenordnung von 10 μm oder auch bis zu 100 μm aufweisen. Weist die erste Formmasse lediglich einen reflektierenden Füllstoff auf, so wird dieser besonders bevorzugt durch Titanoxid gebildet.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird die dem Träger zugewandte Seite der Halbleiterchips und der ersten Formmasse durch Entfernen des Trägers freigelegt. Dazu wird der Träger mit der klebenden Oberfläche von der ersten Formmasse und den darin eingebetteten und befestigten Halbleiterchips abgelöst. Wird beispielsweise, wie oben beschrieben, eine so genannte Thermo-Release-Folie auf dem Träger als klebende Oberfläche des Trägers verwendet, so kann beispielsweise zuerst der Träger von der Klebefolie und anschließend die Klebefolie von der Formmasse mit dem Halbleiterchips durch geeignete Erhöhung der Temperatur des Trägers und/oder der Formmasse und der Halbleiterchips abgelöst werden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird die erste Formmasse mit der Mehrzahl von Halbleiterchips mit der freigelegten Seite auf eine Trennfolie aufgebracht. Die Trennfolie kann insbesondere durch eine Kunststofffolie, besonders bevorzugt eine zumindest teilweise elastische Kunststofffolie, gebildet werden. Das Aufbringen der ersten Formmasse mit der Mehrzahl von Halbleiterchips auf die Trennfolie kann beispielsweise durch Laminieren erfolgen.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird zumindest zwischen zwei der Mehrzahl der Halbleiterchips die erste Formmasse durchtrennt. Dabei kann auch die Trennfolie zumindest teilweise durchtrennt werden. Beispielsweise können alle der Mehrzahl der Halbleiterchips so durch entsprechendes Durchtrennen der ersten Formmasse vereinzelt werden, sodass eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen, die jeweils einen Halbleiterchip mit der ersten Formmasse aufweisen, hergestellt werden können. Alternativ oder zusätzlich können zumindest einige der Mehrzahl der Halbleiterchips auch mittels der ersten Formmasse miteinander verbunden bleiben und ein entsprechendes optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer Gruppe von Halbleiterchips bilden. Das Durchtrennen der ersten Formmasse und damit das Vereinzeln der Halbleiterchips oder von Gruppen von Halbleiterchips kann bevorzugt mittels Lasertrennen, Wasserstrahlschneiden und/oder Sägen oder einer Kombination daraus erfolgen.
Auf diese Weise können mit Vorteil eine Mehrzahl von vereinzelten optoelektronischen Bauelementen auf der Trennfolie hergestellt werden, die unabhängig voneinander später von der Trennfolie abgelöst werden können und entsprechend weiterverarbeitet werden können. Jedes der optoelektronischen Halbleiterbauelemente weist dabei zumindest einen Halbleiterchip auf, der nicht nur auf einer Oberseite, sondern auch auf den Seitenflanken mit der ersten Formmasse und dem darin eingebetteten Wellenlängenkonversionsstoff und/oder reflektierenden Füllstoff bedeckt ist. Dadurch kann beispielsweise der Austritt von unkonvertiertem, vom Halbleiterchip erzeugtem Licht aus dem Halbleiterbauelement über Seitenflanken des Halbleiterchips vermieden werden. Weiterhin kann eine Verbesserung der Farbhomogenität über den Abstrahlwinkel erreicht werden. Mit den hier beschriebenen Verfahren kann eine kostengünstige Herstellung ermöglicht werden durch Verwendung eines so genannten Batch-Prozesses auf Wafer-Level, wobei im Vergleich zu bekannten Prozessen auf Wafer-Level, die noch im Waferverbund durchgeführt werden, eine Verringerung der Unterschiede zueinander in der Farbortverteilung der optoelektronischen Halbleiterbauelemente erreicht werden kann, wenn die Halbleiterchips vor dem Aufbringen auf den Träger hinsichtlich ihres jeweiligen Farborts sortiert werden. Der Träger mit der klebenden Oberfläche wie auch die Trennfolie mit der Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen darauf können somit einen so genannten Kunstwafer bilden, der die Halbleiterchips beziehungsweise die optoelektronischen Halbleiterbauelemente mit einer großen Farbhomogenität aufweist.
Insbesondere kann es mit dem hier beschriebenen Verfahren möglich sein, beispielsweise weiß emittierende optoelektronische Halbleiterbauelemente mit einer engen Farbortverteilung herzustellen.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird über den dem Träger gegenüber liegenden Seiten zumindest einiger der Halbleiterchips jeweils eine Öffnung in der ersten Formmasse ausgebildet. Dadurch kann beispielsweise ein Kontaktbereich oder eine Kontaktfläche des jeweiligen Halbleiterchips auf der dem Träger gegenüber liegenden Seite durch die erste Formmasse hindurch zugänglich gemacht werden. Eine derartige Kontaktfläche kann beispielsweise zur späteren Drahtkontaktierung geeignet sein und somit beispielsweise als Bondpad ausgeführt sein. Weiterhin kann eine solche Öffnung in der Formmasse auch über der gesamten dem Träger abgewandten Oberseite eines Halbleiterchips ausgebildet werden. In eine solche Öffnung kann anschließend beispielsweise eine zweite Formmasse mit zumindest einem zweiten Wellenlängenkonversionsstoff aufgebracht werden. über verschiedenen Halbleiterchips können gleiche oder auch verschiedene Formmassen mit gleichen oder auch verschiedenen Wellenlängenkonversionsstoffen aufgebracht werden. Besonders bevorzugt kann bei einer derartigen Ausführungsform die erste Formmasse lediglich einen reflektierenden Füllstoff aufweisen, während die zweite Formmasse einen Wellenlängenkonversionsstoff aufweist. Weiterhin kann beispielsweise auch in der zweiten Formmasse über einem Kontaktbereich eines Halbleiterchips eine Öffnung zur späteren Drahtkontaktierung ausgebildet werden.
Die zweite Formmasse und der zweite Wellenlängenkonversionsstoff können eines oder mehrere Merkmale bzw. Ausführungsformen aufweisen, die oben in Verbindung mit der ersten Formmasse und dem ersten Wellenlängenkonversionsstoff beschrieben sind.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird eine Öffnung über einem Halbleiterchip mittels Laserstrukturierung und/oder Fotostrukturierung ausgebildet. Weiterhin kann beispielsweise zusätzlich auch vor dem Aufbringen der ersten oder zweiten Formmasse ein Fotolack zum Schutz der Oberseite oder des Kontaktbereichs eines Halbleiterchips aufgebracht werden. Alternativ dazu kann eine Öffnung über einem Halbleiterchip auch beispielsweise beim Umhüllen des Halbleiterchips mit der ersten Formmasse oder beim Aufbringen einer zweiten Formmasse durch ein geeignetes Formwerkzeug oder eine geeignete Maske ermöglicht werden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform werden vor dem Aufbringen auf die Trennfolie auf die freigelegte Seite der Halbleiterchips zumindest teilweise eine elektrische Kontaktschicht und/oder eine elektrisch isolierende Schicht aufgebracht. Die elektrische Kontaktschicht und die elektrisch isolierende Schicht können dabei beispielsweise Kontaktbereiche beziehungsweise Anschlussstrukturen für den Halbleiterchip beziehungsweise das spätere optoelektronische Halbleiterbauelement bereitstellen. Weiterhin können durch die elektrische Kontaktschicht beziehungsweise eine Mehrzahl von elektrischen Kontaktschichten auch mehrere Halbleiterchips miteinander verschaltet werden, die später als Gruppe ein optoelektronisches Halbleiterbauelement bilden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die dem Halbleiterchip abgewandte Oberseite der ersten beziehungsweise gegebenenfalls der zweiten Formmasse eben ausgebildet. Alternativ dazu kann die dem Halbleiterchip abgewandte Oberseite der Formmasse auch gekrümmt, beispielsweise linsenförmig, ausgebildet sein. Dadurch kann eine Anpassung der Abstrahlcharakteristik im fertig gestellten Halbleiterbauelement erreicht werden. Weiterhin kann auch über der ersten beziehungsweise gegebenenfalls der zweiten Formmasse zumindest einiger oder auch nur eines Halbleiterchips eine Linse aus einem transparenten oder einem transluzenten Material ausgeformt werden. Eine gekrümmte Oberfläche beziehungsweise eine Linse bedeutet hier und im Folgenden eine beliebig geformte, dreidimensionale Oberfläche, die entsprechend der gewünschten Abstrahlcharakteristik gewählt wird. Weiterhin kann beispielsweise auch über einer Gruppe von mehreren Halbleiterchips ein Konversionsbereich mit einem Wellenlängenkonversionsstoff ausgeformt werden. Alternativ dazu kann auch ein Licht streuendes Material über mehrere der Halbleiterchips angeordnet werden. Die mehreren Halbleiterchips können dabei beispielsweise verschieden ausgeführt sein oder aber auch gleich ausgeführt sein und jeweils unterschiedliche zweite Formmassen mit unterschiedlichen zweiten Wellenlängenkonversionsstoffen aufweisen, sodass die Gruppe derartiger Halbleiterchips mit entsprechenden zweiten Wellenlängenkonversionsstoffen und dem darüber angeordneten Konverterbereich oder Streubereich ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem mischfarbigen Lichteindruck bilden können.
Mit dem hier beschriebenen Verfahren ist es möglich, optoelektronische Halbleiterbauelement in Form von Leuchtdiodenchips herzustellen, die beispielsweise einen weißen Leuchteindruck erwecken können. Weiterhin ist es möglich, optoelektronische Bauelemente in Form von Leuchtdiodenchips in einer als so genanntes Chip-Sized Package (CSP) bezeichneten Bauform mit und ohne Linse herzustellen. Damit werden optoelektronische Halbleiterbauelemente bezeichnet, die nicht mehr in ein Leuchtdiodengehäuse eingebaut werden müssen, sondern die wie Leuchtdioden mit Halbleiterchips in Gehäusen direkt weiterverarbeitet werden können und dabei aber eine Baugröße aufweisen, die im Wesentlichen der Größe des Halbleiterchips entspricht. Durch die Einbettung und Umformung der Halbleiterchips mit der ersten Formmasse, insbesondere auch auf den Seitenflächen, kann eine unerwünschte Abstrahlung von im Halbleiterchip erzeugtem und unkonvertiertem Licht über die Seitenkanten vermieden werden. Ein solcher unerwünschter Effekt ist beispielsweise bei bekannten weißen Leuchtdioden mit blau emittierenden Leuchtdiodenchips und gelben Konversionsstoffen als so genanntes „Blue Piping” bekannt. Weiterhin weisen die mit dem hier beschriebenen Verfahren hergestellten optoelektronischen Halbleiterbauelemente eine hohe Farbhomogenität über alle Abstrahlwinkel auf, da die Halbleiterchips bis auf die der Trennfolie zugewandten Seite in der ersten Formmasse eingebettet sind. Werden die Halbleiterchips vor dem Anordnen auf dem Träger hinsichtlich ihres Farborts vorsortiert, können in Form des Trägers mit den Halbleiterchips beziehungsweise der Trennfolie mit den darauf hergestellten optoelektronischen Halbleiterbauelementen so genannte Kunstwafer bereitgestellt werden, der im Vergleich zu bekannten Leuchtdiodenchips im Waferverbund eine verringerte Farbortvariation aufweist. Weiterhin ist mit dem hier beschriebenen Verfahren eine kostengünstige Herstellung durch Verwendung eines Batch-Prozesses auf Wafer-Level möglich.
Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den 1A bis 9 beschriebenen Ausführungsformen.
Es zeigen:
1A bis 1F schematische Darstellungen eines Verfahrens gemäß einem Ausführungsbeispiel,
2 und 3 schematische Darstellungen von optoelektronischen Halbleiterbauelementen hergestellt durch Verfahren gemäß weiteren Ausführungsbeispielen,
4A und 4B schematische Darstellungen von Verfahrensschritten eines Verfahrens gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel,
5A bis 5H schematische Darstellungen eines Verfahrens gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel und
6 bis 9 schematische Darstellungen von optoelektronischen Halbleiterbauelementen hergestellt durch Verfahren gemäß weiteren Ausführungsbeispielen.
In den Ausführungsbeispielen und Figuren können gleiche oder gleich wirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen sein. Die dargestellten Elemente und deren Größenverhältnisse untereinander sind grundsätzlich nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente, wie zum Beispiel Schichten, Bauteile, Bauelemente und Bereiche, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben dick oder groß dimensioniert dargestellt sein.
In den 1A bis 1F ist ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen 100 gemäß einem Ausführungsbeispiel gezeigt.
In einem ersten Verfahrensschritt gemäß 1A wird dazu ein Träger 1 mit einer klebenden Oberfläche 11 bereitgestellt. Der Träger 1 ist im gezeigten Ausführungsbeispiel aus einer Kunststofffolie gebildet, auf der eine Klebefolie 10 angeordnet ist, die die klebende Oberfläche 11 bereitstellt. Die Klebefolie 10 ist als so genannte Thermo-Release-Folie ausgebildet, die unterhalb einer Grenztemperatur im Bereich von 90°C bis 150°C klebend ist und bei einer Temperatur über der Grenztemperatur leicht ablösbar ist. Die Klebefolie 10 weist dazu zwei klebende Oberflächen auf, von denen die eine Oberfläche die klebende Oberfläche 11 bildet und die andere, der Oberfläche 11 gegenüber liegende Oberfläche zur Befestigung der Klebefolie 10 am Träger 1 dient.
Als Klebefolie 10 eignet sich beispielsweise eine Thermo-Release-Folie vom Typ ”Revalpha” der Firma Nitto Denko.
In einem weiteren Verfahrensschritt gemäß 1B werden als Licht emittierende Halbleiterchips ausgebildete optoelektronische Halbleiterchips 2 auf der klebenden Oberfläche 11 des Trägers 1 angeordnet und durch die klebende Wirkung der klebenden Oberfläche 11 auf dem Träger 1 befestigt. Die optoelektronischen Halbleiterchips 2 sind dabei hinsichtlich ihres Farborts des abgestrahlten Lichts sortiert und weisen nur geringe oder sogar keine Farbortvariationen zueinander auf. Im gezeigten Ausführungsbeispiel sind die Halbleiterchips 2 derart ausgeführt, dass die elektrischen Kontakte beziehungsweise Kontaktflächen, mittels derer die Halbleiterchips 2 elektrisch kontaktiert werden können, auf der dem Träger 1 zugewandten Seite angeordnet beziehungsweise ausgebildet sind. Beispielsweise können die optoelektronischen Halbleiterchips 2 dazu als so genannte Flip-Chips ausgeführt sein, die dem Fachmann bekannt sind und daher hier nicht weiter beschrieben werden.
In einem weiteren Verfahrensschritt gemäß 1C werden die optoelektronischen Halbleiterchips 2 allseitig, das heißt auf der dem Träger 1 gegenüber liegenden Oberseite sowie auch auf den Seitenflächen, mit einer ersten Formmasse 3 umformt und in diese eingebettet. In der ersten Formmasse 3 ist ein erster Wellenlängenkonversionsstoff eingebettet ist. Das Einbetten der Halbleiterchips 2 in die erste Formmasse 3 erfolgt mittels eines geeigneten Formprozesses, beispielsweise Spritzgießen, Spritzpressen oder Formpressen. Im gezeigten Ausführungsbeispiel weist die erste Formmasse 3 ein Silikonharz mit einem hohen oder einem niedrigen Brechungsindex je nach den gewünschten Abstrahleigenschaften der fertigen optoelektronischen Halbleiterbauelemente oder ein Silikon-Epoxid-Hybridmaterial auf. Alternativ dazu können auch andere strahlungsstabile und thermisch stabile Materialien als erste Formmasse 3 zum Einsatz kommen.
Um beispielsweise optoelektronische Halbleiterbauelemente herzustellen, die weißes Licht abstrahlen, können die Halbleiterchips 2 rein beispielhaft blaues Licht emittieren und der erste Wellenlängenkonversionsstoff in der ersten Formmasse 3 kann einen Teil des blauen Lichts in gelbes und/oder grünes und rotes Licht konvertieren. Alternativ dazu sind auch andere Kombinationen des vom Halbleiterchip 2 emittierten Lichts und des vom ersten Wellenlängenkonversionsstoff konvertierten Lichts möglich.
Weiterhin kann die erste Formmasse 3 auch noch Streupartikel aufweisen, um eine Homogenisierung der Abstrahlung zu erreichen. Durch die Umformung der Halbleiterchips 2 mit der ersten Formmasse 3 wird ein selbsttragender Verbund hergestellt, von dem durch Erwärmung in einem weiteren Verfahrensschritt gemäß 1D der Träger 1 sowie die Klebefolie 10 entfernt werden. Dadurch wird die ursprünglich dem Träger 1 zugewandte Seite 12 der Halbleiterchips 2 und der ersten Formmasse 3 freigelegt.
In einem weiteren Verfahrensschritt gemäß 1E werden die Formmasse 3 und die Halbleiterchips 2 mit der freigelegten Seite 12 auf eine Trennfolie 4 auflaminiert. Die Trennfolie dient der weiteren temporären Befestigung der Halbleiterchips 2 und der ersten Formmasse 3, sodass in einem weiteren Verfahrensschritt gemäß 1F die erste Formmasse 3 zwischen den Halbleiterchips 2 durchtrennt werden kann. Dadurch werden auf der Trennfolie 4 einzelne optoelektronische Bauelemente 100 hergestellt, die jeweils einen in der ersten Formmasse 3 mit dem ersten Wellenlängenkonversionsstoff eingebetteten Halbleiterchip 2 aufweisen. Die Trennung der ersten Formmasse 3 kann dabei mittels Lasertrennung, Wasserstrahlschneiden oder Sägen erfolgen. Dabei kann, wie in 1F gezeigt, die Trennfolie überhaupt nicht oder auch alternativ dazu zumindest teilweise mit durchtrennt werden. Zur weiteren, einzelnen Verarbeitung der optoelektronischen Halbleiterbauelemente 100 kann die Trennfolie 4 zwischen den Halbleiterbauelementen 100 durchtrennt und von den jeweiligen Halbleiterbauelementen 100 entfernt werden. Da, wie oben beschrieben, die Halbleiterchips 2 die elektrischen Kontaktflächen auf der der ersten Formmasse 3 abgewandten Seite aufweisen, können die optoelektronischen Halbleiterbauelemente 100 direkt weiterverarbeitet und beispielsweise direkt auf einer Platine oder Leiterplatte aufgelötet werden. Die optoelektronischen Halbleiterbauelemente 100 können daher auch als so genannte Chip-Sized Packages bezeichnet werden.
Alternativ dazu können die unteren, also der ersten Formmasse 3 gegenüber liegenden, Kontakte auf die Halbleiterchips 2 auch aufmetallisiert werden, beispielsweise durch Aufbringen von elektrischen Kontaktschichten und/oder elektrisch isolierenden Schichten (nicht gezeigt). Dieses Aufbringen kann beispielsweise bereits nach dem Ablösen des Trägers 1 und der Klebefolie 10 und vor dem Aufbringen der Trennfolie 4 erfolgen.
Während die optoelektronischen Halbleiterbauelemente 100 gemäß dem Ausführungsbeispiel in 1F eine dem jeweiligen Halbleiterchip 2 gegenüber liegende ebene Oberfläche 10 aufweisen, die im Wesentlichen an die Oberseite des Halbleiterchips 2 angepasst ist, können, wie in 2 gezeigt, mit dem hier beschriebenen Verfahren auch optoelektronische Halbleiterbauelemente 101 hergestellt werden, die eine gekrümmte, beispielsweise eine linsenförmige oder eine anders geformte, dreidimensional ausgebildete, Oberfläche 13 aufweisen. Dies ist insbesondere dadurch möglich, dass die erste Formmasse 3 mit dem ersten Wellenlängenkonversionsstoff durch den oben beschriebenen Formprozess beliebig über den Halbleiterchips 2 aufgebracht werden kann.
Wie im Ausführungsbeispiel gemäß 3 gezeigt ist, können mit dem hier beschriebenen Verfahren auch optoelektronische Halbleiterbauelemente 102 hergestellt werden, die jeweils auf der ersten Formmasse 3 eine zusätzlich aufgebrachte transparente, also klare, oder transluzente oder auch konverter-gefüllte Linse 5 aufweisen. Die Linsen 5 können beispielsweise nach dem Durchtrennen der ersten Formmasse 3 im oben in 1F gezeigten Verfahrensschritt hergestellt werden oder alternativ dazu auch in einem der voran gegangenen Verfahrensschritte, beispielsweise auch direkt nach dem Aufbringen der ersten Formmasse 3.
In den 4A und 4B sind Verfahrensschritte für ein Verfahren gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen 103 gezeigt. Die dabei verwendeten Halbleiterchips 2 weisen auf einer dem Träger 1 gegenüber liegenden Oberseite eine elektrische Kontaktfläche zur späteren Drahtkontaktierung des Halbleiterchips 2, beispielsweise mittels eines Bonddrahts, auf. Zur Zugänglichmachung des jeweiligen elektrischen Kontaktbereichs der Halbleiterchips 2 wird in einem zusätzlichen Verfahrensschritt gemäß 4A, der nach dem oben beschriebenen Verfahrensschritt 1C durchführbar ist, über den Halbleiterchips 2 jeweils eine Öffnung 6 ausgebildet. Das Herstellen der Öffnungen 6 kann beispielsweise mittels eines Laserablationsverfahrens durchgeführt werden. Alternativ oder zusätzlich können die elektrischen Kontaktbereiche der Halbleiterchips 2 auch mittels eines Fotolacks abgedeckt und geschützt werden. Weiterhin ist es auch denkbar, dass die Öffnungen 6 bereits durch ein geeignetes Formwerkzeug beim Umformen der Halbleiterchips 2 mit der ersten Formmasse 3 hergestellt werden. Nach den weiteren oben in Verbindung mit den 1D bis 1F beschriebenen Verfahrensschritten können somit die in 4B gezeigten optoelektronischen Halbleiterbauelemente 103 bereitgestellt werden, die jeweils die Öffnung 6 zur oberseitigen Kontaktierung der Halbleiterchips 2 aufweisen. Werden die Halbleiterchips 2 beispielsweise nur mittels Bonddrähten von der Oberseite her kontaktiert, können zusätzlich zu der jeweils einen gezeigten Öffnung 6 auch mehrere Öffnungen in der ersten Formmasse 3 über den Halbleiterchips 2 ausgebildet werden.
In den 5A bis 5H ist ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen 104 gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel gezeigt. Dabei entsprechen die in den 5A bis 5C gezeigten Verfahrensschritte den oben in Verbindung mit den 1A mit 1C beschriebenen Verfahrensschritten. Im Unterschied zum Verfahren gemäß den 1A bis 1F weist die erste Formmasse jedoch keinen ersten Wellenlängenkonversionsstoff sondern einen reflektierenden Füllstoff auf, beispielsweise Titandioxid-Partikel.
In einem weiteren Verfahrensschritt gemäß 5D werden über den Halbleiterchips 2 Öffnungen 6 in der ersten Formmasse 3 ausgebildet. Die Öffnungen 6 können beispielsweise mittels eines Laserablationsverfahrens hergestellt werden. Alternativ dazu kann beispielsweise auch ein fotostrukturierbares Material für die erste Formmasse 3, beispielsweise ein fotostrukturierbares Silikon wie etwa ein Spin-On-Silikon vom Typ WL5150 der Firma Dow Corning verwendet werden. Gemäß einem weiteren Verfahrensschritt gemäß 5E wird in die Öffnungen 6 über den Halbleiterchips 2 eine zweite Formmasse 7 mit einem zweiten Wellenlängenkonversionsstoff aufgebracht. Das Aufbringen des zweiten Wellenlängenkonversionsstoffs 2 kann beispielsweise durch Dosieren, Jetten, Sprayen oder andere geeignete Aufbringverfahren erfolgen.
Die weiteren Verfahrensschritte gemäß der 5F bis 5H entsprechen den oben in Verbindung mit den 1D mit 1F beschriebenen Verfahrensschritten. Dadurch können in den in Zusammenhang mit den 5A bis 5H beschriebenen Verfahren optoelektronische Halbleiterbauelemente 104 hergestellt werden, die jeweils einen Halbleiterchip 2 aufweisen, der von der ersten Formmasse 3 mit dem reflektierenden Füllstoff an den Seitenflanken umgeben ist, und über dem der zweite Wellenlängenkonversionsstoff eingebettet in der zweiten Formmasse 7 in der Öffnung 6 der ersten Formmasse 3 angeordnet ist. Während die optoelektronischen Halbleiterbauelemente 100 gemäß 1F eine eher isotrope Abstrahlung in den über der Trennfolie 4 gebildeten Halbraum ermöglichen, kann durch die optoelektronischen Halbleiterbauelemente 104 gemäß 5H eine eher vorwärts gerichtete Abstrahlung erreicht werden.
Weiterhin ist es auch möglich, dass die zweite Formmasse 7 mit dem zweiten Wellenlängenkonversionsstoff für verschiedene Halbleiterchips 2 unterschiedlich ist, sodass mit dem Verfahren gemäß der 5A bis 5H verschiedenfarbig emittierende optoelektronische Halbleiterbauelemente 104 auf der Trennfolie 4 herstellbar sind.
In 6 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel für optoelektronische Halbleiterbauelemente 105 gezeigt, bei denen jeweils eine Öffnung 6 über einem elektrischen Kontaktbereich der Halbleiterchips 2 in der zweiten Formmasse 7 ausgebildet ist. Dadurch können die optoelektronischen Halbleiterbauelemente 105 durch die Öffnung 6 in der zweiten Formmasse 7 beispielsweise mittels eines Bonddrahts kontaktierbar sein.
In 7 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel für optoelektronische Halbleiterbauelemente 106 gezeigt, bei denen die zweite Formmasse 7 eine gekrümmte Oberfläche 13 aufweist, die somit, wie im gezeigten Ausführungsbeispiel dargestellt, beispielsweise linsenförmig ausgebildet sein kann.
Gemäß dem weiteren Ausführungsbeispiel gemäß 8 weisen die dort dargestellten optoelektronischen Halbleiterbauelemente 107 auf der ersten Formmasse 3 und der zweiten Formmasse 7 zusätzlich aufgebrachte transparente oder transluzente Linsen 5 auf.
In 9 sind optoelektronische Halbleiterbauelemente 108 gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel gezeigt, die jeweils mehrere Halbleiterchips 2, im gezeigten Ausführungsbeispiel jeweils zwei Halbleiterchips 2, aufweisen. Die Halbleiterchips 2 eines optoelektronischen Halbleiterbauelements 108 können beispielsweise über elektrische Kontaktschichten auf der der Trennfolie 4 zugewandten Seite miteinander verschaltet sein (nicht gezeigt). Wie im gezeigten Ausführungsbeispiel dargestellt, können die optoelektronischen Halbleiterchips 2 jeweils unterschiedlich ausgeführt sein und insbesondere können den Halbleiterchips 2 eines optoelektronischen Halbleiterbauelements 108 in unterschiedlicher Weise beispielsweise ein zweiter Wellenlängenkonversionsstoff in einer zweiten Formmasse 7 sowie eine Linse 5 nachgeordnet sein. Alternativ zum gezeigten Ausführungsbeispiel kann ein optoelektronisches Halbleiterbauelement 108 auch mehr als zwei Halbleiterchips 2 aufweisen.
Weiterhin ist im gezeigten Ausführungsbeispiel über der ersten Formmasse 3 und der zweiten Formmasse 7 ein zusätzliches Konversionselement 8 mit einem weiteren Wellenlängenkonversionsstoff angeordnet. Das optoelektronische Halbleiterbauelement 108 kann dadurch beispielsweise einen mischfarbigen Leuchteindruck durch Überlagerung der einzelnen von den Halbleiterchips 2 direkt emittierten Strahlungen sowie dem jeweils von den einzelnen Elementen konvertierten Licht aufweisen. Ein derartiges optoelektronisches Halbleiterbauelement 108 kann auch als so genanntes Multi-Chip-Modul bezeichnet werden.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Nicht-Patentliteratur

I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), 18. Oktober 1993, 2174–2176 [0016]

Claims

Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (100), bei dem – ein Träger (1) mit einer klebenden Oberfläche (11) bereitgestellt wird, – auf die klebende Oberfläche (11) eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (2) aufgebracht wird, – die Halbleiterchips (2) auf jeweils allen dem Träger (1) abgewandten Oberflächen mit einer ersten Formmasse (3) umhüllt werden, die zumindest einen ersten Wellenlängenkonversionsstoff und/oder einen reflektierenden Füllstoff aufweist, – die dem Träger (1) zugewandte Seite (12) der Halbleiterchips (2) und der ersten Formmasse (3) durch Entfernen des Trägers (1) freigelegt wird, – die erste Formmasse (3) mit der Mehrzahl von Halbleiterchips (2) mit der freigelegten Seite (12) auf eine Trennfolie (4) aufgebracht wird, – zwischen zumindest zwei der Mehrzahl der Halbleiterchips (2) die erste Formmasse (3) durchtrennt wird.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem über den dem Träger (1) gegenüber liegenden Seiten zumindest einiger der Halbleiterchips (2) Öffnungen (6) in der ersten Formmasse (3) ausgebildet werden.
Verfahren nach Anspruch 2, bei dem die Öffnungen (6) in der ersten Formmasse (3) über Kontaktbereichen der Halbleiterchips (2) ausgebildet werden.
Verfahren nach Anspruch 2, bei dem in zumindest einigen Öffnungen (6) der ersten Formmasse (3) eine zweite Formmasse (7) mit zumindest einem zweiten Wellenlängenkonversionsstoff aufgebracht wird.
Verfahren nach Anspruch 4, bei dem Öffnungen (6) in der zweiten Formmasse (7) über Kontaktbereichen zumindest einiger Halbleiterchips (2) ausgebildet werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 5, bei dem die Öffnungen (6) mittels Laserstrukturierung und/oder Fotostrukturierung ausgebildet werden.
Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem vor dem Aufbringen auf die Trennfolie (4) auf die freigelegte Seite (12) der Halbleiterchips (2) zumindest teilweise eine elektrische Kontaktschicht und/oder eine elektrisch isolierende Schicht aufgebracht werden.
Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem als klebende Oberfläche (11) des Trägers (1) eine Klebefolie (10) auf dem Träger (1) bereitgestellt wird.
Verfahren nach Anspruch 8, bei dem auf den Träger (1) eine Klebefolie (10) aufgebracht wird, die bei einer Temperatur unterhalb einer Grenztemperatur klebend und oberhalb der Grenztemperatur ablösbar ist.
Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die erste Formmasse (3) Silikon oder ein Silikon-Epoxid-Hybridmaterial aufweist.
Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die erste Formmasse (3) oder die zweite Formmasse (7) mit einer gekrümmten Oberfläche (13) auf einer dem Träger (1) gegenüber liegenden Seite über den Halbleiterchips (2) hergestellt wird.
Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem über der ersten Formmasse (3) über zumindest einem oder einigen Halbleiterchips (2) eine Linse (5) aus einem transparenten oder transluzenten Material oder ein Konversionsbereich (8) mit einem Wellenlängenkonversionsstoff ausgeformt wird.
Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der reflektierende Füllstoff Titanoxid-Partikel aufweist.
Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem das Durchtrennen der ersten Formmasse (3) mittels Lasertrennen, Wasserstrahlschneiden und/oder Sägen erfolgt.