DE102013100711A1 - Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement Download PDF

Info

Publication number
DE102013100711A1
DE102013100711A1 DE102013100711.2A DE102013100711A DE102013100711A1 DE 102013100711 A1 DE102013100711 A1 DE 102013100711A1 DE 102013100711 A DE102013100711 A DE 102013100711A DE 102013100711 A1 DE102013100711 A1 DE 102013100711A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
metallic layer
semiconductor body
semiconductor
potting
contact structures
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102013100711.2A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102013100711B4 (de
Inventor
Tony Albrecht
Thomas Schlereth
Albert Schneider
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to DE102013100711.2A priority Critical patent/DE102013100711B4/de
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to US14/763,157 priority patent/US9755114B2/en
Priority to CN201380071171.7A priority patent/CN104937733B/zh
Priority to JP2015554074A priority patent/JP2016504773A/ja
Priority to PCT/EP2013/076431 priority patent/WO2014114407A1/de
Priority to KR1020157019811A priority patent/KR102276800B1/ko
Publication of DE102013100711A1 publication Critical patent/DE102013100711A1/de
Priority to JP2017231543A priority patent/JP6621797B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of DE102013100711B4 publication Critical patent/DE102013100711B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/183—Connection portion, e.g. seal
    • H01L2924/18301—Connection portion, e.g. seal being an anchoring portion, i.e. mechanical interlocking between the encapsulation resin and another package part
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)

Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente mit den folgenden Schritten angegeben: – Bereitstellen eines Hilfsträgerwafers (1) mit Kontaktstrukturen (4), wobei der Hilfsträgerwafer Glas, Saphir oder ein Halbleitermaterial aufweist, – Aufbringen einer Vielzahl an strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern (5) auf die Kontaktstrukturen (4), – Verkapseln zumindest der Kontaktstrukturen (4) mit einem Verguss (10), und – Entfernen des Hilfsträgerwafers (1). Weiterhin wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben.

Description

  • Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente sowie ein optoelektronisches Bauelement angegeben.
  • Ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente und ein optoelektronisches Bauelement sind beispielsweise in den folgenden Druckschriften beschrieben: WO 2007/025515 , WO 2012/000943 .
  • Es soll ein kostengünstiges Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes angegeben werden. Weiterhin soll ein optoelektronisches Bauelement mit einer kompakten Bauweise angegeben werden.
  • Diese Aufgaben werden durch ein Verfahren mit den Schritten des Patentanspruches 1 sowie durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Patentanspruches 18 gelöst.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausführungsformen des Verfahrens sowie des optoelektronischen Bauelements sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Bei dem Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente wird ein Hilfsträgerwafer mit Kontaktstrukturen bereitgestellt. Der Hilfsträgerwafer weist bevorzugt Glas, Saphir oder ein Halbleitermaterial, wie beispielsweise Silizium, auf. Der Hilfsträgerwafer kann auch aus Glas, Saphir oder einem Halbleitermaterial, wie beispielsweise Silizium, bestehen. Eine Vielzahl an strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern wird auf die Kontaktstrukturen aufgebracht. Die strahlungsemittierenden Halbleiterkörper sind dazu geeignet, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs von einer Strahlungsaustrittsfläche auszusenden. Zumindest die Kontaktstrukturen werden mit einem Verguss verkapselt. Der Hilfsträgerwafer wird bevorzugt von dem entstandenen Verbund entfernt. Besonders bevorzugt wird der Hilfsträgerwafer vollständig von dem Verbund der späteren Bauelemente entfernt.
  • Das Verfahren macht sich die Idee zu Nutze, dass zur Herstellung der Vielzahl optoelektronischer Bauelemente statt eines vorgefertigten Gehäuses ein Hilfsträgerwafer eingesetzt wird. Der Hilfsträgerwafer ist hierbei in der Regel in dem fertigen Bauelement später nicht mehr enthalten. Der Hilfsträgerwafer dient zur mechanischen Stabilisierung der Halbleiterkörper während der Herstellung der optoelektronischen Bauelemente. Weiterhin können die einzelnen Verfahrensschritte zur Herstellung der optoelektronischen Bauelemente aufgrund des Hilfsträgerwafers einfach auf Waferebene stattfinden. Dadurch werden mit Vorteil Material- und Prozesskosten eingespart und es ist eine Gesamtoptimierung der einzelnen Prozessschritte des Herstellungsverfahrens möglich. Zudem können die einzelnen Fertigungseinheiten, wie beispielsweise der Hilfsträgerwafer, einfach skaliert werden.
  • Weiterhin wird mit dem vorgeschlagenen Verfahren eine besonders kompakte und/oder flache Bauweise der fertigen Bauelemente erzielt. Eine kompakte Bauweise führt mit Vorteil zu einer sehr guten Wärmeabfuhr vom Halbleiterkörper im Betrieb des fertigen Bauelements.
  • Weiterhin kann bei dem vorgeschlagenen Verfahren mit Vorteil auf die Verwendung vorgefertigter Leiterrahmen oder Keramikpanels zur mechanischen Stabilisierung der Halbleiterkörper verzichtet werden. Auch die Verwendung durchkontaktierter Siliziumpanels ist bei dem vorgeschlagenen Verfahren mit Vorteil nicht notwendig. Das fertige Bauelement ist besonders bevorzugt frei von einem herkömmlichen Gehäuse.
  • Die Kontaktstrukturen dienen besonders bevorzugt zur späteren elektrischen Kontaktierung der Halbleiterkörper. Die Kontaktstrukturen sind beispielsweise aus einzelnen Kontaktstrukturelementen aufgebaut, die voneinander elektrisch isoliert sind. Besonders bevorzugt sind jedem Halbleiterkörper zwei Kontaktstrukturelemente zugeordnet. Insbesondere, wenn jedes spätere Bauelement einen einzigen Halbleiterkörper aufweist, sind jedem einzelnen Halbleiterkörper bevorzugt genau zwei Kontaktstrukturelemente zugeordnet.
  • Besonders bevorzugt ist jeder Halbleiterkörper mit einer Montagefläche, die seiner Strahlungsaustrittsfläche gegenüberliegt, elektrisch leitend auf ein Kontaktstrukturelement aufgebracht. Die Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterkörpers ist hierbei in der Regel Teil einer Vorderseite des Halbleiterkörpers, die jedoch Teilbereiche aufweisen kann, wie beispielsweise ein Bondpad, aus denen keine Strahlung austreten kann. Die Vorderseite liegt der Montagefläche gegenüber.
  • Beispielsweise weisen die Kontaktstrukturen eine erste metallische Schicht und eine zweite metallische Schicht auf, wobei die zweite metallische Schicht galvanisch auf der ersten metallischen Schicht abgeschieden wird. Die erste metallische Schicht weist besonders bevorzugt eine Dicke zwischen einschließlich 50 Nanometer und einschließlich 500 Nanometer auf. Die erste metallische Schicht kann beispielsweise eines der folgenden Materialien aufweisen oder aus einem der folgenden Materialien bestehen: Gold, Nickel.
  • Die erste metallische Schicht wird auch als Anwachsschicht (englisch „Seed-Layer“) bezeichnet. Sie muss nicht notwendigerweise aus einer einzigen Schicht bestehen. Vielmehr ist es auch möglich, dass die erste metallische Schicht eine Schichtenfolge aus mehreren von einander verschiedenen Einzelschichten ist. Beispielsweise kann die erste metallische Schicht eine Gold-Einzelschicht und eine Nickel-Einzelschicht umfassen oder aus einer Gold-Einzelschicht und einer Nickel-Einzelschicht bestehen.
  • Die zweite metallische Schicht ist besonders bevorzugt dicker als die erste metallische Schicht. Die zweite metallische Schicht weist besonders bevorzugt eine Dicke zwischen einschließlich 10 Mikrometer und einschließlich 100 Mikrometer auf. Beispielsweise weist die zweite metallische Schicht eine Dicke von etwa 60 Mikrometer auf. Die zweite metallische Schicht weist besonders bevorzugt eines der folgenden Materialien auf oder ist aus einem der folgenden Materialien gebildet: Silber, Gold, Nickel, Kupfer.
  • Die zweite metallische Schicht muss nicht notwendigerweise aus einer einzigen Schicht bestehen. Vielmehr ist es auch möglich, dass die zweite metallische Schicht eine Schichtenfolge aus mehreren von einander verschiedenen Einzelschichten ist. Beispielsweise kann die zweite metallische Schicht eine Silber-Einzelschicht und eine Nickel-Einzelschicht umfassen oder aus einer Silber-Einzelschicht und einer Nickel-Einzelschicht bestehen.
  • Es ist auch möglich, dass die zweite metallische Schicht eine Gold-Einzelschicht und eine Nickel-Einzelschicht umfasst oder aus einer Gold-Einzelschicht und einer Nickel-Einzelschicht besteht.
  • Weiterhin kann die zweite metallische Schicht eine Nickel-Einzelschicht, eine Kupfer-Einzelschicht, eine weitere Nickel-Einzelschicht und eine Silber-Einzelschicht umfassen oder aus diesen Einzelschichten bestehen. Bevorzugt weist die zweite metallische Schicht hierbei diese Einzelschichten in der Reihenfolge auf, wie oben angegeben, das heißt in der Reihenfolge Nickel-Kupfer-Nickel-Silber. Die Silber-Einzelschicht kann hierbei auch durch eine Gold-Einzelschicht ersetzt sein.
  • Besonders bevorzugt weist die zweite metallische Schicht Seitenflanken mit einem Unterschnitt auf. Beispielsweise sind die Seitenflanken der zweiten metallischen Schicht über einen Teilbereich oder über ihre gesamte Länge schräg zu einer Normalen einer Hauptfläche der zweiten metallischen Schicht ausgebildet, wobei sich die Querschnittsfläche der zweiten metallischen Schicht von einer dem Halbleiterkörper zugewandten Hauptfläche zu einer dem Halbleiterkörper abgewandten Hauptfläche verjüngt. Besonders bevorzugt umgibt der Verguss sowohl die Halbleiterkörper als auch die Kontaktstrukturen formschlüssig. Der Verguss bildet besonders bevorzugt eine gemeinsame Grenzfläche mit den Halbleiterkörpern und den Kontaktstrukturen aus. Mit Vorteil trägt eine zweite metallische Schicht mit Seitenflanken mit einem Unterschnitt zur besseren Fixierung des Vergusses innerhalb des späteren Bauelementes bei.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens werden auf den Hilfsträgerwafer neben den strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern weitere aktive Elemente, wie beispielsweise ESD-Diodenchips (ESD steht hierbei für „electrostatic discharge“) aufgebracht. Beispielsweise kann jedes spätere Bauelement einen ESD-Diodenchip aufweisen, der dazu vorgesehen ist, das Bauelement vor überhöhten elektrischen Spannungen zu schützen.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens ist der Verguss reflektierend und/oder wellenlängenkonvertierend ausgebildet. Der Verguss weist besonders bevorzugt ein Matrixmaterial, wie beispielsweise ein Epoxid, ein Silikon, ein Polyphtalanide (PPA), ein Polycyclohexylendimethylenterephthalat (PCT) oder eine Mischung mindestens zweier dieser Materialien auf. Um den Verguss reflektierend auszubilden, sind in das Matrixmaterial beispielsweise reflektierende Partikel eingebettet. Die reflektierenden Partikel können beispielsweise eines der folgenden Materialien enthalten oder aus einem der folgenden Materialien bestehen: Titanoxid, Zinkweiß, beispielsweise Zinkoxid, Bleiweiß, beispielsweise Bleicarbonat.
  • Weiterhin kann der Verguss zusätzlich oder alternativ zu den reflektierenden Eigenschaften auch wellenlängenkonvertierend ausgebildet sein. Der wellenlängenkonvertierende Verguss ist bevorzugt dazu geeignet, elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln. Hierzu sind in das Matrixmaterial des Vergusses beispielsweise Leuchtstoffpartikel eingebracht, die dazu geeignet sind, elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln. Mit anderen Worten verleihen bevorzugt die Leuchtstoffpartikel dem Verguss die wellenlängenkonvertierenden Eigenschaften.
  • Unter „Wellenlängenkonversion“ wird vorliegend insbesondere die Umwandlung von eingestrahlter elektromagnetischer Strahlung eines bestimmten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines anderen, bevorzugt längerwelligen, Wellenlängenbereichs verstanden. Insbesondere wird bei der Wellenlängenkonversion elektromagnetische Strahlung eines eingestrahlten Wellenlängenbereiches durch das wellenlängenkonvertierende Element absorbiert, durch elektronische Vorgänge auf atomarer und/oder molekularer Ebene in elektromagnetische Strahlung eines anderen Wellenlängenbereiches umgewandelt und wieder ausgesendet. Insbesondere ist reine Streuung oder reine Absorption von elektromagnetischer Strahlung vorliegend nicht mit dem Begriff „Wellenlängenkonversion“ gemeint.
  • Die Leuchtstoffpartikel können beispielsweise eines der folgenden Materialien aufweisen oder aus einem der folgenden Materialien bestehen: mit seltenen Erden dotierte Granate, mit seltenen Erden dotierte Erdalkalisulfide, mit seltenen Erden dotierte Thiogallate, mit seltenen Erden dotierte Aluminate, mit seltenen Erden dotierte Silikate, mit seltenen Erden dotierte Orthosilikate, mit seltenen Erden dotierte Chlorosilikate, mit seltenen Erden dotierte Erdalkalisiliziumnitride, mit seltenen Erden dotierte Oxynitride, mit seltenen Erden dotierte Aluminiumoxinitride, mit seltenen Erden dotierte Siliziumnitride, mit seltenen Erden dotierte Sialone.
  • Der Verguss kann beispielsweise mit einem der folgenden Verfahren verarbeitet werden: Vergießen, Dispensen, Jetten, Molden.
  • Der Hilfsträgerwafer kann beispielsweise durch eines der folgenden Verfahren entfernt werden: Laser-Lift-Off, Ätzen, Schleifen. In der Regel wird der Hilfsträgerwafer hierbei von einer Grenzfläche, die teilweise durch eine Oberfläche der Kontaktstrukturen und teilweise durch eine Oberfläche des Vergusses gebildet wird, entfernt. Mit anderen Worten bildet der Hilfsträgerwafer in der Regel mit den Kontaktstrukturen und mit dem Verguss eine gemeinsame Grenzfläche aus, die nach dem Entfernen des Hilfsträgerwafers frei zugänglich ist.
  • Besonders bevorzugt wird ein Hilfsträgerwafer, der durchlässig ist für elektromagnetische Strahlung eines Lasers, mittels eines Laser-Lift-Off-Prozesses entfernt. Der besondere Vorteil hierbei ist, dass der Hilfsträgerwafer bei dem Laser-Lift-Off-Prozess im Wesentlichen nicht zerstört wird, so dass der Hilfsträgerwafer gegebenenfalls nach einer entsprechenden Konditionierung wieder verwendet werden kann.
  • Ein Laser-Lift-Off-Prozess ist beispielsweise in einer der folgenden Druckschriften beschrieben, deren Offenbarungsgehalt diesbezüglich hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird: WO 98/14986 , WO 03/065420 .
  • Insbesondere wird ein Träger, der Saphir oder Glas aufweist oder aus Saphir oder Glas besteht, bevorzugt mit einem Laser-Lift-Off-Prozess entfernt.
  • Ein Hilfsträgerwafer, der ein Halbleitermaterial, wie beispielsweise Silizium, aufweist oder aus diesem Material besteht, wird hingegen in der Regel mittels Ätzen oder Schleifen entfernt. Hierbei wird der Hilfsträgerwafer in der Regel zerstört und kann nicht weiter verwendet werden.
  • Nach dem Entfernen des Hilfsträgerwafers wird der entstandene Verbund aus optoelektronischen Bauelementen in der Regel vereinzelt und der Farbort des von den Bauelementen ausgesandten Lichts vermessen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird in einem Lichtweg der Halbleiterkörper eine wellenlängenkonvertierende Schicht angeordnet. Hierbei kann die wellenlängenkonvertierende Schicht zusätzlich zu einem reflektierenden Verguss vorgesehen sein. Beispielsweise wird die wellenlängenkonvertierende Schicht vollflächig auf den reflektierenden Verguss aufgebracht. Die wellenlängenkonvertierende Schicht weist wellenlängenkonvertierende Eigenschaften auf. Hierzu enthält die wellenlängenkonvertierende Schicht in der Regel Leuchtstoffpartikel, die dazu geeignet sind, Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln.
  • Die wellenlängenkonvertierende Schicht kann beispielsweise als schichtförmiger wellenlängenkonvertierender Verguss ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die wellenlängenkonvertierende Schicht beispielsweise ein Matrixmaterial aufweisen, in das Leuchtstoffpartikel eingebracht sind. Das Matrixmaterial mit den Leuchtstoffpartikeln kann beispielsweise durch Gießen oder Drucken in Form einer wellenlängenkonvertierenden Schicht ausgebildet werden. Beispielsweise kann die wellenlängenkonvertierende Schicht auf den Verguss aufgedruckt oder aufgegossen werden.
  • Weiterhin ist es auch möglich, dass die wellenlängenkonvertierende Schicht durch ein Sedimentationsverfahren erzeugt wird, insbesondere auf dem Verguss.
  • Bei einem Sedimentationsverfahren werden Leuchtstoffpartikel in ein Matrixmaterial eingebracht. Die zu beschichtende Oberfläche wird in einem Volumen bereitgestellt, das mit dem Matrixmaterial mit den Leuchtstoffpartikeln befüllt wird. Anschließend setzen sich die Leuchtstoffpartikel in Form einer wellenlängenkonvertieren Schicht aufgrund der Schwerkraft auf der zu beschichtenden Oberfläche ab. Das Absetzen der Leuchtstoffpartikel kann hierbei durch Zentrifugieren beschleunigt werden. Auch die Verwendung eines verdünnten Matrixmaterials beschleunigt den Sedimentationsprozess in der Regel. Nach dem Absinken der Leuchtstoffpartikel wird das Matrixmaterial ausgehärtet.
  • Ein Kennzeichen einer wellenlängenkonvertierenden Schicht, die mittels eines Sedimentationsverfahrens aufgebracht wurde, besteht darin, dass sämtliche Oberflächen, auf denen sich die Partikel aufgrund der Schwerkraft absetzen können, mit der wellenlängenkonvertierenden Schicht beschichtet sind. Weiterhin stehen die Leuchtstoffpartikel einer sedimentierten wellenlängenkonvertierenden Schicht in der Regel in direktem Kontakt miteinander.
  • Die wellenlängenkonvertierende Schicht kann weiterhin separat, das heißt räumlich entfernt, von dem Verbund aus späteren optoelektronischen Bauelementen erzeugt und dann in einen Lichtweg der Halbleiterkörper eingebracht werden. Beispielsweise kann das Matrixmaterial mit den Leuchtstoffpartikeln in Form einer Schicht auf eine Folie gedruckt und dann ausgehärtet werden, so dass eine wellenlängenkonvertierende Schicht entsteht. Die wellenlängenkonvertierende Schicht kann dann mittels eines Pick-and-Place-Verfahrens in den Lichtweg der Halbleiterkörper eingebracht werden. Beispielsweise kann die wellenlängenkonvertierende Schicht auf den Verguss aufgesetzt werden.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird in dem Lichtweg jedes Halbleiterkörpers jeweils ein optisches Element angeordnet. Beispielsweise wird über jedem Halbleiterkörper in dessen Abstrahlrichtung nachfolgend eine Linse positioniert. Das optische Element kann beispielsweise über die Halbleiterkörper gemoldet, also mit Hilfe einer Kavität erzeugt werden. Das optische Element kann beispielsweise mit einem der folgenden Verfahren erzeugt werden: Spritzguss, Gießen, Transfer Molding, Compression Molding.
  • Die Halbleiterkörper können beispielsweise als Flip-Chips ausgebildet sein. Ein Flip-Chip weist insbesondere zwei elektrische Kontakte auf einer Montagefläche des Halbleiterkörpers auf, während eine strahlungsemittierende Vorderseite des Flip-Chips frei von elektrischen Kontakten ist. Insbesondere benötigen Flip-Chips in der Regel zur elektrischen Kontaktierung keinen Bonddraht. Die elektrischen Kontakte des Flip-Chips sind in der Regel zur Montage des Flip-Chips auf Kontaktstrukturen vorgesehen.
  • Weiterhin können jedoch auch Halbleiterkörper mit einem oder zwei elektrischen Kontakten auf der ihrer Montagefläche gegenüberliegenden Vorderseite verwendet werden. Derartige Halbleiterkörper können beispielsweise ein Saphirsubstrat aufweisen, auf dem eine strahlungsemittierende Halbleiterschichtenfolge des Halbleiterkörpers epitaktisch aufgewachsen ist. Derartige Halbleiterkörper werden auch als „Saphirchips“ bezeichnet. Saphir ist in der Regel ein elektrisch isolierendes Material. Weist der Halbleiterkörper daher ein Aufwachssubstrat auf, das Saphir aufweist oder aus Saphir besteht, so sind zur elektrischen Kontaktierung in der Regel mindestens zwei elektrische Kontakte auf der Vorderseite des Halbleiterkörpers angeordnet. Die Montagefläche wird in der Regel durch eine Außenfläche des Aufwachssubstrates ausgebildet.
  • Weiterhin sind auch Halbleiterkörper geeignet, die lediglich einen einzigen elektrischen Kontakt auf ihrer Vorderseite aufweisen. Der zweite elektrische Kontakt ist beispielsweise auf der Montagefläche des Halbleiterkörpers angeordnet oder durch die Montagefläche gebildet. Derartige Halbleiterkörper werden auch als „vertikale“ Halbleiterkörper bezeichnet, da der Stromfluss im Betrieb durch den Halbleiterkörper in vertikaler Richtung parallel zu einer Stapelrichtung der Halbleiterschichtenfolge verläuft.
  • Bei einem vertikalen Halbleiterkörper kann es sich beispielsweise um einen Dünnfilmhalbleiterkörper handeln. Bei einem Dünnfilmhalbleiterkörper ist in der Regel ein Aufwachssubstrat für die epitaktische Halbleiterschichtenfolge entweder vollständig entfernt oder derartig gedünnt, dass es die epitaktische Halbleiterschichtenfolge alleine nicht mehr ausreichend mechanisch stabilisiert. Dünnfilmhalbleiterkörper umfassen zur mechanischen Stabilisierung in der Regel ein Trägermaterial, das an der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge befestigt ist. Das Trägermaterial ist in der Regel elektrisch leitend ausgebildet, so dass ein vertikaler Stromfluss von der Vorderseite zur Montagefläche des Halbleiterkörpers möglich ist. Dünnfilmhalbleiterkörper sind beispielsweise in der Druckschrift I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), 18. Oktober 1993, 2174–2176 offenbart, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
  • Weiterhin sind in der Regel auch Halbleiterkörper als vertikale Halbleiterkörper ausgebildet, die ein Aufwachssubstrat aufweisen, das aus Siliziumcarbid besteht oder Siliziumcarbid aufweist. Auch hierbei ist ein vertikaler Stromfluss möglich, da Siliziumcarbid elektrisch leitend ausgebildet ist. Derartige Halbleiterkörper sind beispielsweise in der Druckschrift WO 01/61764 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
  • Spätere Bauelemente, die lediglich einen einzigen vertikalen Halbleiterkörper aufweisen, umfassen in der Regel Kontaktstrukturen mit zwei Strukturelementen. Der vertikale Halbleiterkörper ist hierbei in der Regel mit seiner Montagefläche auf ein erstes Kontaktstrukturelement elektrisch leitend aufgebracht und über seine Vorderseite mit einem zweiten Kontaktstrukturelement mittels eines Bonddrahts elektrisch leitend verbunden.
  • Handelt es sich bei dem Halbleiterkörper um einen Flip-Chip, so sind die rückseitigen elektrischen Kontakte in der Regel jeweils mit einem Kontaktstrukturelement elektrisch leitend verbunden.
  • Weist der Halbleiterkörper mindestens zwei elektrische Kontakte auf der Vorderseite auf, wobei die Montagefläche des Halbleiterkörpers frei ist von elektrischen Kontakten, so kann der Halbleiterkörper beispielsweise vorderseitig jeweils mit einem Bonddraht mit einem elektrischen Kontaktstrukturelement elektrisch leitend verbunden sein.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens reicht eine Oberkante des Vergusses bis an eine Oberkante der zweiten metallischen Schicht. Besonders bevorzugt bildet hierbei die zweite metallische Schicht eine Außenseite der Kontaktstrukturen aus. Besonders bevorzugt schließt der Verguss hierbei mit einer Oberseite der zweiten metallischen Schicht bündig ab. Der Verguss bedeckt besonders bevorzugt die Seitenflächen der zweiten metallischen Schicht, während die Seitenflächen des Halbleiterkörpers frei sind von dem Verguss. Bei dieser Ausführungsform des Verfahrens kann das Aufbringen des Vergusses vor oder nach dem Aufbringen der Halbleiterkörper auf den Hilfsträgerwafer erfolgen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens reicht die Oberkante des Vergusses an eine Oberkante der Halbleiterkörper. Hierbei schließt der Verguss besonders bevorzugt mit der Vorderseite der Halbleiterkörper bündig ab. Besonders bevorzugt bedeckt der Verguss hierbei die Seitenflächen der Halbleiterkörper jeweils vollständig, ragt jedoch nicht über die Vorderseite der Halbleiterkörper hinaus. Diese Ausführungsform ist bei Verwendung eines reflektierenden Vergusses insbesondere bei einem Halbleiterkörper von Vorteil, der nicht dazu vorgesehen ist, elektromagnetische Strahlung über seine Seitenflächen auszusenden, wie beispielsweise ein Dünnfilmhalbleiterkörper mit einem Silizium- oder Germaniumträger. Bei dieser Ausführungsform des Verfahrens wird der Verguss nach dem Aufbringen der Halbleiterkörper auf den Hilfsträgerwafer aufgebracht.
  • Weiterhin ist es auch möglich, dass die Oberkante des Vergusses über die zweite metallische Schicht hinausragt, sich aber nicht bis zur Oberkante des Halbleiterkörpers erstreckt. Hierbei ist es auch möglich, dass der Verguss zwar die Seitenflanken der Kontaktstrukturen vollständig umkapselt, aber die Seitenflächen des Halbleiterkörpers beabstandet von dem Verguss angeordnet sind. Bei dieser Ausführungsform des Verfahrens kann das Aufbringen des Vergusses ebenfalls vor oder nach dem Aufbringen der Halbleiterkörper auf den Hilfsträgerwafer erfolgen.
  • Besonders bevorzugt sind bei Verwendung eines reflektierenden Vergusses die Seitenflächen des Halbleiterkörpers beabstandet von dem Verguss angeordnet oder frei von dem Verguss, wenn Strahlung des Halbleiterkörpers auch über die Seitenflächen des Halbleiterkörpers ausgesandt werden kann, wie es insbesondere bei einem Halbleiterkörper mit einem strahlungsdurchlässigen Aufwachssubstrat, wie Saphir oder Siliziumcarbid, der Fall ist.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens werden die Kontaktstrukturen mit einem mechanisch stabilisierenden Material umformt. Das mechanisch stabilisierende Material dient besonders bevorzugt der Stabilisierung des fertigen optoelektronischen Bauelementes und erfüllt beispielsweise die Funktion eines Gehäuses. Im Unterschied zu einem herkömmlichen Gehäuse ist das mechanisch stabilisierende Material aber nicht als separates Element ausgebildet, auf oder in das der Halbleiterkörper montiert ist.
  • Besonders bevorzugt werden die Kontaktstrukturen mit dem mechanisch stabilisierenden Material umformt, bevor die Vielzahl an Halbleiterkörpern mit dem Verguss verkapselt werden. Bei dem mechanisch stabilisierenden Material handelt es sich beispielsweise um ein hochstabiles Gehäusematerial, wie etwa hochstabiles Polyphtalamid (PPA) oder hochstabiles Epoxid.
  • Besonders bevorzugt bildet das mechanisch stabilisierende Material mit den Kontaktstrukturen eine gemeinsame Grenzfläche aus. Besonders bevorzugt schließt eine Oberkante des mechanisch stabilisierenden Materials mit einer Oberkante der Kontaktstrukturen lateral bündig ab.
  • Besonders bevorzugt wird nachfolgend auf das mechanisch stabilisierende Material das Vergussmaterial aufgebracht, das die Halbleiterkörper umformt.
  • Das mechanisch stabilisierende Material kann beispielsweise mittels Molden, das heißt mit der Hilfe eines Gusswerkzeuges, das besonders bevorzugt flach ausgebildet ist, umformend um die Kontaktstrukturen ausgebildet werden.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens weist jedes spätere Bauelement eine Vielzahl an Halbleiterkörpern auf. Beispielsweise können die Halbleiterkörper dazu vorgesehen sein, Licht verschiedener Wellenlängen auszusenden.
  • Bei den späteren optoelektronischen Bauelementen kann es sich beispielsweise um Leuchtdioden handeln.
  • Gemäß einer Ausführungsform sind die fertigen Bauelemente dazu vorgesehen, weißes Licht auszusenden. Hierzu umfasst jedes Bauelement in der Regel ein wellenlängenkonvertierendes Element, wie beispielsweise eine wellenlängenkonvertierende Schicht oder einen wellenlängenkonvertierenden Verguss. Das wellenlängenkonvertierende Element wandelt bevorzugt einen Teil der von dem Halbleiterkörper ausgesandten elektromagnetischen Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs um. Der erste Wellenlängenbereich umfasst bevorzugt blaues Licht und der zweite Wellenlängenbereich umfasst bevorzugt gelbes Licht. In diesem Fall sendet das Bauelement bevorzugt mischfarbiges weißes Licht aus, das aus unkonvertiertem blauen Licht und konvertiertem gelben Licht gebildet ist.
  • Weitere vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen.
  • Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der 1 bis 5 wird ein erstes Ausführungsbeispiel des Verfahrens beschrieben.
  • Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der 6 bis 10 wird ein weiteres Ausführungsbeispiel des Verfahrens beschrieben.
  • Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der 11 und 13 bis 19 wird jeweils ein weiteres Ausführungsbeispiel des Verfahrens beschrieben.
  • 12 zeigt exemplarisch eine elektronenmikroskopische Aufnahme eines Unterschnitts einer zweiten metallischen Schicht.
  • Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente, insbesondere Schichtdicken, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
  • Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 1 bis 5 wird in einem ersten Schritt ein Hilfsträgerwafer 1 bereitgestellt (1). Der Hilfsträgerwafer 1 weist insbesondere Glas, Saphir oder ein Halbleitermaterial, wie beispielsweise Silizium, auf. Auf den Hilfsträgerwafer 1 ist eine erste metallische Schicht 2 aufgebracht. Die erste metallische Schicht 2 ist strukturiert ausgebildet. Mit anderen Worten weist die erste metallische Schicht 2 verschiedene Strukturelemente auf.
  • In einem weiteren Schritt wird auf die erste metallische Schicht 2 eine zweite metallische Schicht 3 galvanisch abgeschieden (2). Auch die zweite metallische Schicht 3 ist strukturiert ausgebildet. Die Strukturierung der zweiten metallischen Schicht 3 folgt hierbei der Strukturierung der ersten metallischen Schicht 2. Zusammen bilden die erste metallische Schicht 2 und die zweite metallische Schicht 3 Kontaktstrukturen 4 mit einzelnen Kontaktstrukturelementen 41 aus.
  • In einem weiteren Schritt wird nun eine Vielzahl an Halbleiterkörpern 5, die dazu geeignet sind, elektromagnetische Strahlung von ihrer Strahlungsaustrittsfläche 6 auszusenden, auf die Kontaktstrukturen 4 aufgebracht (3). Jeder Halbleiterkörper 5 wird hierbei mit einer Montagefläche 7 auf ein Kontaktstrukturelement 41 elektrisch leitend aufgebracht, beispielsweise durch Kleben, Löten oder Die-Bonden.
  • In einem nächsten Schritt wird nun jeder Halbleiterkörper 5 mit seiner Vorderseite 9 mittels eines Bonddrahtes 8 elektrisch leitend mit einem weiteren Kontaktstrukturelement 41 verbunden (4).
  • In einem nächsten Schritt wird auf den Hilfsträgerwafer 1 ein Verguss 10 aufgebracht, so dass die Kontaktstrukturen 4 und die Halbleiterkörper 5 mit dem Verguss 10 verkapselt werden (5). Der Verguss 10 umschließt hierbei sowohl die Kontaktstrukturelemente 41 der Kontaktstrukturen 4 als auch die darauf aufgebrachten Halbleiterkörper 5 vollständig. Auch die Bonddrähte 9 sind vollständig von dem Verguss 10 umschlossen. Der Verguss 10 ragt über die Strahlungsaustrittsflächen 6 der Halbleiterkörper 5 hinaus und befindet sich in einem Lichtweg 12 der Halbleiterkörper 5.
  • Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist der Verguss 10 schichtförmig ausgebildet. Die Schicht des Vergusses 10 weist hierbei eine im Wesentlichen konstante Dicke auf. Weiterhin ist der Verguss 10 bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wellenlängenkonvertierend ausgebildet. Hierzu umfasst der Verguss 10 ein Matrixmaterial mit Leuchtstoffpartikeln 11, die dazu geeignet sind, Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs, die von den Halbleiterkörpern 5 ausgesandt wird, in elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln. Da sich der Verguss 10 in dem Lichtweg 12 der Halbleiterkörper 5 befindet, wird die elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs, die von den Halbleiterkörpern 5 ausgesandt wird, teilweise in elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umgewandelt. Vorliegend senden die Halbleiterkörper 5 besonders bevorzugt blaues Licht aus, das von den Leuchtstoffpartikeln 11 in dem Verguss 10 teilweise in gelbes Licht umgewandelt wird. Die fertigen Bauelemente senden bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel mischfarbiges weißes Licht aus.
  • In einem nächsten Schritt wird der Hilfsträgerwafer 1 von dem Verbund der späteren Bauelemente, der Kontaktstrukturen 4, Halbleiterkörper 5 und wellenlängenkonvertierenden Verguss 10 umfasst, abgelöst (nicht dargestellt). Anschließend werden die späteren Bauteile, die jeweils einen einzigen Halbleiterkörper 5 umfassen, vereinzelt (nicht dargestellt).
  • Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 6 bis 10 werden zunächst die Verfahrensschritte durchgeführt, die bereits anhand der 1 bis 4 beschrieben wurden. Dann wird ein Verguss 10 auf den Hilfsträgerwafer 1 aufgebracht, der die Kontaktstrukturen 4 vollständig und die Halbleiterkörper 5 teilweise verkapselt (6). Ein Teilbereich der Seitenflanken der Halbleiterkörper 5 sowie die Strahlungsaustrittsfläche 6 der Halbleiterkörper 5 bleiben frei von dem Verguss 10. Der Verguss 10 ist bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel reflektierend ausgebildet. Hierzu umfasst der Verguss 10 ein Matrixmaterial in das reflektierende Partikel 13, beispielsweise Titanoxidpartikel, eingebracht sind.
  • In einem nächsten Schritt wird eine wellenlängenkonvertierende Schicht 14 auf den reflektierenden Verguss 10 aufgebracht (7). Die wellenlängenkonvertierende Schicht 14 umgibt hierbei die Bereiche der Seitenflächen des Halbleiterkörpers 5, die nicht von dem reflektierenden Verguss 10 umgeben sind. Weiterhin ragt die wellenlängenkonvertierende Schicht 14 über die Halbleiterkörper 5 hinaus, so dass sie sich zumindest teilweise im Lichtweg 12 der Halbleiterkörper 5 befindet.
  • Die wellenlängenkonvertierende Schicht 14 umfasst ein Matrixmaterial, in das Leuchtstoffpartikel 11 eingebracht sind. Die Leuchtstoffpartikel 11 verleihen der wellenlängenkonvertierenden Schicht 14 ihre wellenlängenkonvertierenden Eigenschaften.
  • In einem nächsten Schritt wird auf die wellenlängenkonvertierende Schicht 14 eine Vielzahl optischer Elemente 15 aufgebracht (8). Die optischen Elemente 15 sind jeweils als Linse ausgebildet. Jedes optische Element 15 wird jeweils über einem Halbleiterkörper 5 positioniert und befindet sich in dessen Lichtweg 12. Das optische Element 15 kann beispielsweise auf die wellenlängenkonvertierende Schicht 14 gemoldet, das heißt mittels einer Kavität ausgebildet werden.
  • In einem nächsten Schritt wird der Hilfsträgerwafer 1 von dem Verbund der späteren Halbleiterbauelemente vollständig entfernt (9). Handelt es sich bei dem Hilfsträgerwafer 1 um ein Saphirsubstrat oder einen Glasträger, so kann dieser mittels eines Laser-Lift-Off-Prozesses entfernt werden. Wird ein Siliziumträger als Hilfsträgerwafer 1 verwendet, so wird er in der Regel destruktiv, das heißt, beispielsweise mittels Schleifen oder Ätzen, von dem Verbund der späteren Bauelemente entfernt. In einem weiteren Schritt werden die Bauelemente vereinzelt (10).
  • Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 11 wird wie bei den vorherigen Ausführungsbeispielen ein Hilfsträgerwafer 1 bereitgestellt, auf den Kontaktstrukturen 4 aufgebracht sind. Die 11 zeigt hierbei einen Ausschnitt des Hilfsträgerwafers 1, der einen Halbleiterkörper 5 enthält und einem fertigen Bauelement entspricht. Die Kontaktstrukturen 4 umfassen mehrere Kontaktstrukturelemente 41, wobei ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper 5 auf ein Kontaktstrukturelement 41 aufgebracht ist. Der Halbleiterkörper 5 ist vorderseitig mit einem weiteren Kontaktstrukturelement 41 mit einem Bonddraht 8 elektrisch leitend verbunden.
  • Die Kontaktstrukturen 4 weisen eine erste metallische Schicht 2 und eine zweite metallische Schicht 3 auf. Im Unterschied zu den bereits beschriebenen Ausführungsbeispielen weist die zweite metallische Schicht 2 Seitenflanken mit einem Unterschnitt auf. Jedes Kontaktstrukturelement 41 weist hierbei Seitenflanken auf, die über einen Teilbereich schräg zu einer Normalen des Hilfsträgerwafers 1 verlaufen. Das Kontaktstrukturelement 41 verjüngt sich aufgrund der schrägen Seitenflanken der zweiten metallischen Schicht 3 von einer Außenfläche des Kontaktstrukturelements 41 zum Hilfsträgerwafer 1 hin. Der Unterschnitt der zweiten metallischen Schicht 3 ist dazu vorgesehen, den Verguss 10 besser zu verankern. Der reflektierende Verguss 10 ist vorliegend bis zu einer Oberkante der zweiten metallischen Schicht 2 aufgebracht. Eine Oberfläche des reflektierenden Vergusses 10 schließt bündig mit einer Oberfläche der Kontaktstrukturen 4 ab.
  • 12 zeigt exemplarisch eine elektronenmikroskopische Aufnahme eines Unterschnitts einer Seitenflanke einer zweiten metallischen Schicht 2.
  • Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 13 wird im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel gemäß der 11 der reflektierende Verguss 10 bis zur Strahlungsaustrittsfläche 6 des Halbleiterkörpers 5 aufgebracht. Die Oberfläche des Vergusses 10 schließt bündig mit der Strahlungsaustrittsfläche 6 des Halbleiterkörpers 5 ab.
  • Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 14 wird der reflektierende Verguss 10 im Unterschied zu den Verfahren der Ausführungsbeispiele der 11 und 13 derart aufgebracht, dass sich die Oberfläche des Vergusses 10 unterhalb der Strahlungsaustrittsfläche 6 des Halbleiterköpers 5 befindet. Der Verguss 10 verkapselt hierbei zwar die metallischen Kontaktstrukturen 4 über ihre gesamte Höhe, so dass die Seitenflanken der Kontaktstrukturen 4 vollständig von dem Verguss 10 umgeben sind, zwischen den Seitenflächen des Halbleiterkörpers 5 und dem Verguss 10 ist jedoch ein Luftspalt ausgebildet.
  • Bei den bislang beschriebenen Ausführungsbeispielen sind jeweils vertikale Halbleiterkörper 5 verwendet, die rückseitig über eine Montagefläche 7 mit einem ersten Kontaktstrukturelement 41 und vorderseitig mit einem zweiten Kontaktstrukturelement 41 elektrisch leitend verbunden sind. Die elektrisch leitende Verbindung von der der Montagefläche 7 gegenüberliege Vorderseite 9 des Halbleiterkörpers 5 mit dem Kontaktstrukturelement 41 erfolgt hierbei über einen Bonddraht 8.
  • Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel der 11 ist bei dem Ausführungsbeispiel gemäß 15 ein Halbleiterkörper 5 verwendet, bei dem zwei elektrische Kontakte auf seiner Vorderseite 9 angeordnet sind. Bei dem Halbleiterkörper 5 handelt es sich beispielsweise um einen Saphirchip. Der Halbleiterkörper 5 ist vorderseitig mit zwei Bonddrähten 8 jeweils mit einem Kontaktstrukturelement 41 leitend verbunden.
  • Im Unterschied zu den Ausführungsbeispielen der 11 und 15 ist bei dem Ausführungsbeispiel gemäß der 16 ein Flip-Chip als Halbleiterkörper 5 verwendet. Der Flip-Chip weist auf seiner Montagefläche 7 zwei elektrische Kontakte auf, die jeweils mit einem Kontaktstrukturelement 41 elektrisch leitend verbunden sind, beispielsweise mittels Löten.
  • Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß 17 sind die Kontaktstrukturelemente 41 im Unterschied zu den bereits beschriebenen Ausführungsbeispielen mit einem mechanisch stabilisierenden Material 16, beispielsweise mit einem Gehäusematerial, umformt. Das mechanisch stabilisierende Material 16 schließt hierbei bündig mit einer Oberfläche der Kontaktstrukturelemente 41 ab. Auf die Oberfläche, die durch die Kontaktstrukturelemente 41 und die Oberfläche des mechanisch stabilisierenden Materials 16 gebildet ist, ist weiterhin ein Verguss 10 aufgebracht, der vorliegend reflektierend ausgebildet ist. Der reflektierende Verguss 10 ist hierbei in Form einer Schicht auf die Kontaktstrukturelemente 41 beziehungsweise das Gehäusematerial 16 aufgebracht und schließt mit einer Vorderseite 9 des Halbleiterkörpers 5 bündig ab.
  • Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß der 18 wird ein späteres Bauelement erzeugt, das mehrere Halbleiterkörper 5 umfasst. Die Halbleiterkörper 5 sind besonders bevorzugt dazu vorgesehen, elektromagnetische Strahlung unterschiedlicher Wellenlängenbereiche auszusenden. Besonders bevorzugt sind die Wellenlängenbereiche derart ausgewählt, dass das fertige Bauelement im Betrieb weißes Licht aussendet. Die Halbleiterkörper 5 sind jeweils rückseitig mit ihrer Montagefläche 7 auf ein gemeinsames Kontaktstrukturelement 41 elektrisch leitend aufgebracht. Vorderseitig sind die Halbleiterkörper 5 untereinander jeweils mit einem Bonddraht 8 elektrisch leitend kontaktiert. Die beiden randseitig angeordneten Halbleiterkörper 5 sind jeweils zudem vorderseitig über einen Bonddraht 8 mit einem weiteren Kontaktstrukturelement 41 elektrisch leitend verbunden. Im Betrieb des späteren Bauelements werden die Halbleiterkörper 5 seriell bestromt.
  • Auch bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 19 wird ein Bauelement hergestellt, das eine Vielzahl an Halbleiterkörpern 5 aufweist. Im Unterschied zu dem vorangegangenen Ausführungsbeispiel sind die Halbleiterkörper 5 jedoch parallel elektrisch kontaktiert. Hierzu sind die Halbleiterkörper 5 jeweils vorderseitig über einen Bonddraht 8 mit einem gemeinsamen weiteren Kontaktstrukturelement 41 elektrisch leitend verbunden.
  • Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • WO 2007/025515 [0002]
    • WO 2012/000943 [0002]
    • WO 98/14986 [0027]
    • WO 03/065420 [0027]
    • WO 01/61764 [0042]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), 18. Oktober 1993, 2174–2176 [0041]

Claims (18)

  1. Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente mit den Schritten: – Bereitstellen eines Hilfsträgerwafers (1) mit Kontaktstrukturen (4), wobei der Hilfsträgerwafer Glas, Saphir oder ein Halbleitermaterial aufweist, – Aufbringen einer Vielzahl an strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern (5) auf die Kontaktstrukturen (4), – Verkapseln zumindest der Kontaktstrukturen (4) mit einem Verguss (10), und – Entfernen des Hilfsträgerwafers (1).
  2. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem der Verguss (10) die Halbleiterkörper (5) und die Kontaktstrukturen (4) verkapselt.
  3. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die Kontaktstrukturen (4) eine erste metallische Schicht (2) und eine zweite metallische Schicht (3) aufweisen, wobei die zweite metallische Schicht (3) galvanisch auf der ersten metallischen Schicht (2) abgeschieden wird.
  4. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem die zweite metallische Schicht (3) Seitenflanken mit einem Unterschnitt aufweist.
  5. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem der Verguss (10) reflektierend und/oder wellenlängenkonvertierend ausgebildet ist.
  6. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem der Verguss (10) mit einem der folgenden Verfahren aufgebracht wird: Vergießen, Dispensen, Jetten, Molden.
  7. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem der Hilfsträgerwafer (1) durch eines der folgenden Verfahren entfernt wird: Laser-Lift-Off, Ätzen, Schleifen.
  8. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem in einem Lichtweg (12) der Halbleiterkörper (5) eine wellenlängenkonvertierende Schicht (14) angeordnet wird.
  9. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem in dem Lichtweg (12) jedes Halbleiterkörpers (5) ein optisches Element (15) angeordnet wird.
  10. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem die optischen Elemente (15) über die Halbleiterkörper (5) gemoldet werden.
  11. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die Halbleiterkörper (5) als Flip-Chip ausgebildet sind.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem die Halbleiterkörper (5) einen elektrischen Kontakt oder mindestens zwei elektrische Kontakte auf ihrer Vorderseite (9) aufweisen.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 12, bei dem eine Oberkante des Vergusses (10) bis an eine Oberkante der zweiten metallischen Schicht (3) reicht.
  14. Verfahren nach einem Ansprüche 1 bis 12, bei dem eine Oberkante des Vergusses (10) bis an eine Oberkante der Halbleiterkörper (5) reicht.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 12, bei dem eine Oberkante des Vergusses (10) teilweise über die zweite metallische Schicht (3) reicht.
  16. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die Kontaktstrukturen (4) mit einem mechanisch stabilisierenden Material (16) umformt werden.
  17. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem jedes spätere Bauelement eine Vielzahl an Halbleiterkörpern (5) aufweist.
  18. Optoelektronisches Bauelement, das mit einem Verfahren gemäß einer der Ansprüche 1 bis 17 hergestellt ist.
DE102013100711.2A 2013-01-24 2013-01-24 Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente Active DE102013100711B4 (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013100711.2A DE102013100711B4 (de) 2013-01-24 2013-01-24 Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente
CN201380071171.7A CN104937733B (zh) 2013-01-24 2013-12-12 用于制造多个光电子器件的方法和光电子器件
JP2015554074A JP2016504773A (ja) 2013-01-24 2013-12-12 複数のオプトエレクトロニクス部品の製造方法およびオプトエレクトロニクス部品
PCT/EP2013/076431 WO2014114407A1 (de) 2013-01-24 2013-12-12 Verfahren zur herstellung einer vielzahl optoelektronischer bauelemente und optoelektronisches bauelement
US14/763,157 US9755114B2 (en) 2013-01-24 2013-12-12 Method for producing a plurality of optoelectronic components and optoelectronic component
KR1020157019811A KR102276800B1 (ko) 2013-01-24 2013-12-12 복수의 광전자 소자의 제조 방법 및 광전자 소자
JP2017231543A JP6621797B2 (ja) 2013-01-24 2017-12-01 複数のオプトエレクトロニクス部品の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013100711.2A DE102013100711B4 (de) 2013-01-24 2013-01-24 Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102013100711A1 true DE102013100711A1 (de) 2014-07-24
DE102013100711B4 DE102013100711B4 (de) 2021-07-01

Family

ID=49876569

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102013100711.2A Active DE102013100711B4 (de) 2013-01-24 2013-01-24 Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9755114B2 (de)
JP (2) JP2016504773A (de)
KR (1) KR102276800B1 (de)
CN (1) CN104937733B (de)
DE (1) DE102013100711B4 (de)
WO (1) WO2014114407A1 (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015101143A1 (de) * 2015-01-27 2016-07-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102015109876A1 (de) * 2015-06-19 2016-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE102015109953A1 (de) * 2015-06-22 2016-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung elektronischer Bauelemente
WO2017037037A1 (de) * 2015-09-02 2017-03-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiter-bauteils, optoelektronisches; halbleiter-bauteil, und temporärer träger
CN108140641A (zh) * 2015-10-28 2018-06-08 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 光电子部件以及用于制造其的方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150200336A1 (en) * 2014-01-10 2015-07-16 Cree, Inc. Wafer level contact pad standoffs with integrated reflector
DE102014116079A1 (de) * 2014-11-04 2016-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US10840420B2 (en) * 2015-10-30 2020-11-17 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting device
CN109390327B (zh) * 2017-08-02 2020-10-30 吴裕朝 发光装置、应用其的背光模组、光源模组及其制备方法
EP3591345B1 (de) * 2018-07-02 2020-11-11 Dr. Johannes Heidenhain GmbH Verfahren zur herstellung einer lichtquelle für eine sensoreinheit einer positionsmesseinrichtung sowie eine positionsmesseinrichtung
DE102019127731A1 (de) * 2019-10-15 2021-04-15 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung einer vielzahl von halbleiterbauelementen, halbleiterbauelement und halbleiterbauteil mit einem solchen halbleiterbauelement

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998014986A1 (de) 1996-10-01 1998-04-09 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum trennen zweier materialschichten voneinander und nach diesem verfahren hergestellte elektronische bauelemente
WO2001061764A1 (de) 2000-02-15 2001-08-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement, verfahren zu seiner herstellung und strahlungsemittierendes optisches bauelement
WO2003065420A2 (de) 2002-01-31 2003-08-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements
WO2007025515A1 (de) 2005-08-30 2007-03-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung
DE102008005497A1 (de) * 2008-01-22 2009-07-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und eines Wafers
WO2012000943A1 (de) 2010-06-28 2012-01-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung eines oberflächenmontierbaren halbleiterbauelements
DE102011050450A1 (de) * 2011-05-18 2012-11-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3809733B2 (ja) 1998-02-25 2006-08-16 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの剥離方法
JP2001274290A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置
TWI240434B (en) 2003-06-24 2005-09-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method to produce semiconductor-chips
US7432119B2 (en) 2005-01-11 2008-10-07 Semileds Corporation Light emitting diode with conducting metal substrate
US8318519B2 (en) * 2005-01-11 2012-11-27 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method for handling a semiconductor wafer assembly
JP4686248B2 (ja) * 2005-04-28 2011-05-25 スタンレー電気株式会社 光半導体装置、及び光半導体装置製造方法
JP5237539B2 (ja) * 2005-09-20 2013-07-17 パナソニック株式会社 発光装置
JP4833683B2 (ja) 2006-02-17 2011-12-07 株式会社 日立ディスプレイズ 光源モジュールの製造方法及び液晶表示装置の製造方法
JP2007324205A (ja) 2006-05-30 2007-12-13 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP4865525B2 (ja) * 2006-08-03 2012-02-01 イッツウェル カンパニー リミテッド Ｓｍｌ型発光ダイオードランプ用素子およびその製造方法
JP2008251618A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
US9024340B2 (en) * 2007-11-29 2015-05-05 Nichia Corporation Light emitting apparatus and method for producing the same
WO2009075530A2 (en) 2007-12-13 2009-06-18 Amoleds Co., Ltd. Semiconductor and manufacturing method thereof
US8158983B2 (en) 2008-01-03 2012-04-17 Goldeneye, Inc. Semiconducting sheet
JP4840371B2 (ja) * 2008-01-28 2011-12-21 ソニー株式会社 素子転写方法
US7759163B2 (en) * 2008-04-18 2010-07-20 Infineon Technologies Ag Semiconductor module
JP5217753B2 (ja) * 2008-08-05 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 光半導体装置
JP5440010B2 (ja) * 2008-09-09 2014-03-12 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその製造方法
JP4799606B2 (ja) 2008-12-08 2011-10-26 株式会社東芝 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法
JP5493549B2 (ja) * 2009-07-30 2014-05-14 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
DE102009036621B4 (de) * 2009-08-07 2023-12-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP2011096970A (ja) * 2009-11-02 2011-05-12 Dainippon Printing Co Ltd Ｌｅｄ素子載置部材、ｌｅｄ素子載置基板およびその製造方法、ならびにｌｅｄ素子パッケージおよびその製造方法
CN102074640A (zh) * 2009-11-25 2011-05-25 台湾应解股份有限公司 发光二极管模块及其制造方法
JP5375630B2 (ja) * 2010-01-25 2013-12-25 大日本印刷株式会社 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにｌｅｄ素子パッケージおよびその製造方法
CN102754229B (zh) * 2010-02-09 2016-07-06 日亚化学工业株式会社 发光装置、及发光装置的制造方法
JP2012151358A (ja) * 2011-01-20 2012-08-09 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置及び照明装置
JP5716281B2 (ja) * 2010-03-01 2015-05-13 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
DE102010023815A1 (de) * 2010-06-15 2011-12-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelements
KR20130115208A (ko) * 2010-06-16 2013-10-21 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 웨이퍼 지지 시스템을 위한 광학적으로 조정된 금속화된 광-열 변환층
DE102010027253B4 (de) * 2010-07-15 2022-05-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
TWI407536B (zh) * 2010-12-10 2013-09-01 Univ Nat Cheng Kung 半導體元件之散熱座的製作方法
US8405482B2 (en) * 2011-02-23 2013-03-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated circuits including inductors
CN103392242B (zh) * 2011-02-28 2017-02-22 日亚化学工业株式会社 发光装置
JP2011187979A (ja) * 2011-05-24 2011-09-22 Towa Corp 保護用全体部材付の全体基板及びその製造方法
JP5753446B2 (ja) 2011-06-17 2015-07-22 株式会社東芝 半導体発光装置の製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998014986A1 (de) 1996-10-01 1998-04-09 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum trennen zweier materialschichten voneinander und nach diesem verfahren hergestellte elektronische bauelemente
WO2001061764A1 (de) 2000-02-15 2001-08-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement, verfahren zu seiner herstellung und strahlungsemittierendes optisches bauelement
WO2003065420A2 (de) 2002-01-31 2003-08-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements
WO2007025515A1 (de) 2005-08-30 2007-03-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung
DE102008005497A1 (de) * 2008-01-22 2009-07-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und eines Wafers
WO2012000943A1 (de) 2010-06-28 2012-01-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung eines oberflächenmontierbaren halbleiterbauelements
DE102011050450A1 (de) * 2011-05-18 2012-11-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), 18. Oktober 1993, 2174-2176

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015101143A1 (de) * 2015-01-27 2016-07-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US10115871B2 (en) 2015-01-27 2018-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component and method for producing same
DE102015109876A1 (de) * 2015-06-19 2016-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
US10049967B2 (en) 2015-06-19 2018-08-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method of producing an optoelectronic component and optoelectronic component
DE102015109953A1 (de) * 2015-06-22 2016-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung elektronischer Bauelemente
WO2017037037A1 (de) * 2015-09-02 2017-03-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiter-bauteils, optoelektronisches; halbleiter-bauteil, und temporärer träger
US10483444B2 (en) 2015-09-02 2019-11-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method of producing an optoelectronic semiconductor component, optoelectronic semiconductor component, and temporary carrier
CN108140641A (zh) * 2015-10-28 2018-06-08 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 光电子部件以及用于制造其的方法
US10923640B2 (en) 2015-10-28 2021-02-16 Osram Oled Gmbh Optoelectronic component and method of producing same
CN108140641B (zh) * 2015-10-28 2021-04-20 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 光电子部件以及用于制造其的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104937733B (zh) 2017-09-01
KR102276800B1 (ko) 2021-07-14
KR20150109367A (ko) 2015-10-01
US20150357530A1 (en) 2015-12-10
US9755114B2 (en) 2017-09-05
CN104937733A (zh) 2015-09-23
WO2014114407A1 (de) 2014-07-31
JP6621797B2 (ja) 2019-12-18
JP2016504773A (ja) 2016-02-12
DE102013100711B4 (de) 2021-07-01
JP2018061054A (ja) 2018-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102013100711B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente
DE102010053362B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips, strahlungsemittierender Halbleiterchip und strahlungsemittierendes Bauelement
DE102010027253B4 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil
EP2162927B1 (de) Verfahren zur herstellung von optoelektronischen bauelementen
DE102012209325B4 (de) Optoelektronisches Modul
DE102013207308B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe und optoelektronische Baugruppe
WO2014095923A1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils und optoelektronisches halbleiterbauteil
EP1920470A1 (de) Oberflächenmontierbares optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung
EP2901479B1 (de) Optoelektronisches bauelement
DE112011103158T5 (de) Lichtemittiernde Halbleitervorrichtung mit dicht gepackter Phosphorschicht an lichtemittiernder Oberfläche
WO2015036231A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils
DE102014100773A1 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE102014100772B4 (de) Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102018109542A1 (de) Licht emittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines licht emittierenden bauelements
DE102010046257A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE102013212247A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102015107586A1 (de) Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente und oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement
WO2018202685A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
WO2014048905A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement
DE102011111980A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode und Leuchtdiode
DE102012111065A1 (de) Optoelektronisches Bauelement
EP2195863B1 (de) Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement
DE102017120385B4 (de) Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Bauelements
DE102015119553A1 (de) Strahlungsemittierender Halbleiterchip, optoelektronisches Bauelement mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip und Verfahren zur Beschichtung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips
DE102011012298A1 (de) Verbundsubstrat, Halbleiterchip mit Verbundsubstrat und Verfahren zur Herstellung von Verbundsubstraten und Halbleiterchips

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final