CN104937733B - 用于制造多个光电子器件的方法和光电子器件 - Google Patents

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Abstract

提出一种用于制造多个光电子器件的方法，所述方法具有下述步骤：‑提供具有接触结构(4)的辅助载体晶片(1)，其中辅助载体晶片具有玻璃、蓝宝石或半导体材料；‑将多个发射辐射的半导体本体(5)施加到接触结构(4)上；‑用囊封件(10)将至少一个接触结构(4)封装，并且‑移除辅助载体晶片(1)。此外，提出一种光电子器件。

Description

用于制造多个光电子器件的方法和光电子器件
技术领域
提出一种用于制造多个光电子器件的方法以及光电子器件。
背景技术
用于制造多个光电子器件的方法和光电子器件例如在下面的参考文献中描述：WO2007/025515、WO 2012/000943。
发明内容
应提出一种用于制造光电子器件的成本适当的方法。此外，应提出一种具有紧凑结构的光电子器件。
所述目的通过用于制造多个光电子器件的方法来实现，其中所述方法具有下述步骤：-提供具有接触结构的辅助载体晶片，-将多个发射辐射的半导体本体施加到所述接触结构上，-将所述接触结构用进行机械稳定的材料封装，使得所述进行机械稳定的材料的表面与所述接触结构的表面齐平，其中所述进行机械稳定的材料是壳体材料，-将囊封件施加到通过所述接触结构和所述进行机械稳定的材料形成的表面上，使得所述囊封件与所述半导体本体的前侧齐平，并且-借助于激光剥离法移除所述辅助载体晶片；以及通过借助根据本发明的方法制造的光电子器件来实现。
方法的或光电子器件的有利的改进方案和实施方式在从本文中给出。
在用于制造多个光电子器件的方法中，提供具有接触结构的辅助载体晶片。辅助载体晶片优选具有玻璃、蓝宝石或半导体材料、例如硅。辅助载体晶片也能够由玻璃、蓝宝石或半导体材料、例如硅构成。多个发射辐射的半导体本体施加到接触结构上。发射辐射的半导体本体适合于：从辐射出射面发出第一波长范围的电磁辐射。至少接触结构由囊封件封装。辅助载体晶片优选从所形成的复合件中移除。尤其优选地，将辅助载体晶片完全从随后的器件的复合件中移除。
方法利用下述思想：为了制造多个光电子器件，替代预制的壳体使用辅助载体晶片。辅助载体晶片在此通常随后不再包含在制成的器件中。辅助载体晶片用于在制造光电子器件期间机械稳定半导体本体。此外，各个用于制造光电子器件的方法步骤由于辅助载体晶片能够简单地以晶片级进行。由此，有利地，节约材料和工艺耗费并且制造方法的各个工艺步骤的整体优化是可行的。此外，各个生产单元、例如辅助载体晶片能够简单地缩放。
此外，借助所提出的方法，实现制成的器件的尤其紧凑的和/或扁平的结构。紧凑的结构有利地引起半导体本体在制成的器件运行时的非常好的散热。
此外，在所提出的方法中，有利地，能够放弃使用预制的导体框或陶瓷面板以用于半导体本体的机械稳定。在所提出的方法中，有利地也不需要使用贯通接触的硅面板。制成的器件尤其优选地不具有常规的壳体。
接触结构尤其优选地用于随后电接触半导体本体。接触结构例如由各个接触结构元件构成，所述接触结构元件彼此电绝缘。尤其优选地，每个半导体本体与两个接触结构元件相关联。尤其，当每个随后的器件具有唯一的半导体本体时，每个单独的半导体本体优选地与刚好两个接触结构元件相关联。
尤其优选地，每个半导体本体借助与其辐射出射面相对置的安装面导电地施加到接触结构元件上。半导体本体的辐射出射面在此通常是半导体本体的前侧的部分，然而所述部分能够具有子区域、例如焊盘，辐射不能够从所述子区域中射出。前侧与安装面相对置。
例如，接触结构具有第一金属层和第二金属层，其中第二金属层电镀地沉积在第一金属层上。第一金属层尤其优选地具有在50纳米和500纳米之间的厚度，其中包括边界值。第一金属层例如能够具有下述材料中的一种材料或由下述材料中的一种材料构成：金、镍。
第一金属层也称作为生长层(英语为：“Seed-Layer”种子层)。所述第一金属层不一定必须由唯一的层构成。更确切地说，也可行的是，第一金属层是由多个彼此不同的单层构成的层序列。例如，第一金属层能够包括金单层和镍单层或者由金单层或镍单层构成。
第二金属层尤其优选地厚于第一金属层。第二金属层尤其优选地具有在10微米和100微米之间的厚度，其中包括边界值。第二金属层例如具有大约60微米的厚度。第二金属层尤其优选地具有下述材料中的一种或者由下述材料中的一种形成：银、金、镍、铜。
第二金属层不一定必须由唯一的层构成。更确切地说，也可行的是，第二金属层是由多个彼此不同的单层构成的层序列。例如，第二金属层能够包括银单层和镍单层或者由银单层和镍单层构成。
也可行的是，第二金属层包括金单层和镍单层或者由金单层和镍单层构成。
此外，第二金属层能够包括镍单层、铜单层、另一个镍单层和银单层或者由这些单层构成。优选地，第二金属层在此具有以在上文中说明的顺序、即以镍-铜-镍-银的顺序的所述单层。银单层在此也能够通过金单层替换。
尤其优选地，第二金属层具有带有底切的侧壁。例如，第二金属层的侧壁在子区域至少或在整个长度至少倾斜于第二金属层的主面的法线构成，其中第二金属层的横截面从朝向半导体本体的主面朝向背离半导体本体的主面渐缩。尤其优选地，囊封件以形状配合的方式包围半导体本体和接触结构。囊封件尤其优选地与半导体本体和接触结构构成共同的边界面。有利地，具有带有底切的侧壁的第二金属层有助于囊封件在随后的器件之内的更好的固定。
根据方法的一个实施方式，除了发射辐射的半导体本体之外，将其他的有源元件、例如ESD二极管芯片(ESD在此表示“静电放电”)施加到辅助载体晶片上。例如，每个随后的器件能够具有ESD二极管芯片，所述ESD二极管芯片设为用于，保护器件免受过高的电压。
根据方法的一个实施方式，囊封件构成为是反射性的和/或转换波长的。囊封件尤其优选地具有基体材料，例如环氧化物、硅树脂、聚邻苯二甲酰胺(PPA)、聚己内酰胺(PCT)或者至少两种所述材料的混合物。为了将囊封件构成为是反射性的，例如将反射性的颗粒嵌入到基体材料中。反射性的颗粒例如能够包含下述材料中的一种或由下述材料中的一种构成：氧化钛、锌白、例如氧化锌、铅白、例如碳酸铅。
此外，对反射性的特性附加地或替选地，囊封件也能够构成为是转换波长的。转换波长的囊封件优选地适合于：将第一波长范围的电磁辐射转换成第二波长范围的电磁辐射。对此，例如将发光材料颗粒引入到囊封件的基体材料中，所述发光材料颗粒适合于，将第一波长范围的电磁辐射转换成第二波长范围的电磁辐射。换言之，发光材料颗粒优选地给予囊封件转换波长的特性。
将“转换波长”在此尤其理解成将特定的波长范围的入射的电磁辐射转换成另外的、优选更长波长的波长范围的电磁辐射。尤其，在转换波长时，入射的波长范围的电磁辐射通过转换波长的元件吸收，通过原子和/或分子层面的电子过程转换成另一波长范围的电磁辐射并且再次发送。尤其，术语“转换波长”当前不表示电磁辐射的纯散射或纯吸收。
发光材料颗粒例如能够具有一种下述材料或由一种下述材料构成：掺杂有稀土元素的石榴石、掺杂有稀土元素的碱土金属硫化物、掺杂有稀土元素的硫代镓酸盐、掺杂有稀土元素的铝酸盐、掺杂有稀土元素的硅酸盐、掺杂有稀土元素的正硅酸盐、掺杂有稀土元素的氯代硅酸盐、掺杂有稀土元素的碱土金属氮化硅、掺杂有稀土元素的氮氧化物、掺杂有稀土元素的氧氮化铝、掺杂有稀土元素的氮化硅、掺杂有稀土元素的塞隆(Sialone)。
囊封件例如能够借助下述方法中的一种处理：浇注、滴涂、喷射、模塑。
辅助载体晶片例如能够通过下述方法中的一种移除：激光剥离、刻蚀、研磨。通常，在此将辅助载体晶片从边界面移除，所述边界面部分地通过接触结构的表面并且部分地通过囊封件的表面形成。换言之，辅助载体晶片通常与接触结构并且与囊封件构成共同的边界面，所述边界面在移除辅助载体芯片之后可自由触及。
尤其优选地，对于激光器的电磁辐射而言可穿透的辅助载体晶片借助于激光剥离工艺移除。特别的优点在此是，辅助载体晶片在激光剥离工艺中基本上不被破坏，使得辅助载体晶片必要时能够在相应的调理(Konditionierung)之后再次使用。
激光剥离工艺例如在下述参考文献中描述：WO 98/14986、WO03/065420，其公开内容在此通过参考并入本文。
尤其，具有蓝宝石或玻璃或由蓝宝石或玻璃构成的载体优选借助激光剥离工艺移除。
具有半导体材料、例如硅或者由所述材料构成的辅助载体晶片相反地通常借助于刻蚀或研磨移除。在此，辅助载体晶片通常被破坏并且不能够继续使用。
在移除辅助载体晶片之后，通常分割由光电子器件构成的所形成的复合件并且测量由器件发出的光的色度坐标。
根据方法的另一个实施方式，在半导体本体的光路中设置有转换波长的层。在此，除了反射性的囊封件之外能够设有转换波长的层。例如，转换波长的层整面地施加到反射性的囊封件上。转换波长的层具有转换波长的特性。对此，转换波长的层通常包含发光材料颗粒，所述发光材料颗粒适合于将第一波长范围的辐射转换成第二波长范围的电磁辐射。
转换波长的层例如能够构成为层状的转换波长的囊封件。换言之，转换波长的层例如能够具有基体材料，所述基体材料中嵌入有发光材料颗粒。具有发光材料颗粒的基体材料例如能够通过浇注或印刷以转换波长的层的方式构成。例如，转换波长的层能够印刷或浇注到囊封件上。
此外，也可行的是，转换波长的层通过沉淀法产生，尤其在囊封件上产生。
在沉淀法中，将发光材料颗粒引入到基体材料中。要覆层的表面在下述体积部中提供，所述体积部由具有发光材料颗粒的基体材料填充。随后，发光材料颗粒以转换波长的层的形式由于重力在要覆层的表面上沉积。发光材料颗粒的沉积在此能够通过离心分离加速。稀释的基体材料的应用通常也加速沉淀工艺。在发光材料颗粒的沉降之后，将基体材料硬化。
借助于沉淀法施加的转换波长的层的特征在于，将颗粒由于重力而能够沉积在其上的全部表面用转换波长的层覆层。此外，沉淀的转换波长的层的发光材料颗粒通常彼此直接接触。
转换波长的层此外能够与由随后的光电子器件构成的复合件单独地、即空间分离地产生并且随后引入到半导体本体的光路中。例如，能够将层形式的具有发光材料颗粒的基体材料印刷到薄膜上并且随后硬化，使得形成转换波长的层。因此，转换波长的层能够借助于拾取法引入到半导体本体的光路中。例如，转换波长的层能够安置到囊封件上。
根据本发明的另一个实施方式，在每个半导体本体的光路中分别设置有光学元件。例如，在每个半导体本体之上沿其放射方向在下游定位透镜。光学元件例如能够在半导体本体之上模塑，即借助于腔产生。光学元件例如能够借助一个下述方法产生：喷注、浇注、传递模塑、压缩模塑。
半导体本体例如能够构成为倒装芯片。倒装芯片尤其在半导体本体的安装面上具有两个电接触部，而倒装芯片的发射辐射的前侧没有电接触部。尤其，倒装芯片通常不需要接合线以用于电接触。倒装芯片的电接触部通常设为用于将倒装芯片安装在接触结构上。
然而此外，也能够应用下述半导体本体，所述半导体本体在与其安装面相对置的前侧上具有一个或两个电接触部。这种半导体本体提例如能够具有蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上外延生长半导体本体的发射辐射的半导体层序列。这种半导体本体也称作为“蓝宝石芯片”。蓝宝石通常是电绝缘材料。如果半导体本体因此具有带有蓝宝石或由蓝宝石构成的生长衬底，那么为了电接触，通常在半导体本体的前侧上设置有至少两个电接触部。安装面通常通过生长衬底的外面构成。
此外，下述半导体本体也是适合的，所述半导体本体在其前侧上仅具有唯一的电接触部。第二电接触部例如设置在半导体本体的安装面上或者通过安装面形成。这种半导体本体也称作为“竖直的”半导体本体，因为在运行时沿竖直方向通过半导体本体的电流平行于半导体层序列的堆叠方向伸展。
竖直的半导体本体例如能够为薄膜半导体本体。在薄膜半导体本体中，通常将用于外延的半导体层序列的生长衬底完全移除或打薄成，使得其单独地不再足以机械地稳定外延的半导体层序列。薄膜半导体本体为了机械稳定通常包括载体材料，所述载体材料固定在外延的半导体层序列上。载体材料通常导电地构成，使得从半导体本体的前侧至安装面的竖直的电通流是可行的。薄膜半导体本体例如在参考文献I.Schnitzer等的Appl.Phy.Lett.63(16)，1993年10月18日，2174-2176中公开，其公开内容在此通过参考并入本文。
此外，半导体本体通常也构成为竖直的半导体本体，所述半导体本体具有生长衬底，所述生长衬底由碳化硅构成或具有碳化硅。在此，竖直的电通流是可行的，因为碳化硅导电地构成。这种半导体本体例如在参考文献WO 01/61764中描述，其公开内容在此通过参考并入本文。
仅具有唯一的竖直的半导体本体的随后的器件通常包括具有两个结构元件的接触结构。竖直的半导体本体在此通常借助其安装面导电地施加到第一接触元件上并且在经由其前侧与第二接触结构元件借助于接合线导电地连接。
如果半导体本体为倒装芯片，那么后侧的电接触部通常分别与接触结构元件导电地连接。
如果半导体本体在前侧上具有至少两个电接触部，其中半导体本体的安装面没有电接触部，那么半导体本体例如能够在前侧分别借助接合线与电接触结构元件导电地连接。
根据方法的另一个实施方式，囊封件的上棱边伸展到第二金属层的上棱边。尤其优选地，在此，第二金属层构成接触结构的外侧。尤其优选地，囊封件在此与第二金属层的上侧齐平。囊封件尤其优选地覆盖第二金属层的侧面，而半导体本体的侧面不具有囊封件。在方法的该实施方式中，施加囊封件能够在将半导体本体施加到辅助载体晶片上之前或之后进行。
根据方法的另一个实施方式，囊封件的上棱边伸展到半导体本体的上棱边。在此，囊封件尤其优选地与半导体本体的前侧齐平。尤其优选地，囊封件在此分别完全地覆盖半导体本体的侧面，然而不伸出半导体本体的前侧。该实施方式在将反射性的囊封件尤其用在半导体本体中时是有利的，所述囊封件不设为用于将电磁辐射经由其侧面发出，即例如具有硅载体或锗载体的薄膜半导体本体。在方法的该实施方式中，将囊封件在将半导体本体施加到辅助载体晶片上之后施加。
此外，也可行的是，囊封件的上棱边伸出第二金属层，但是没有延伸至半导体本体的上棱边。在此，也可行的是，囊封件虽然完全地封装接触结构的侧壁，但是半导体本体的侧面与囊封件间隔开地设置。在方法的该实施方式中，施加囊封件同样能够在将半导体本体施加到辅助载体晶片上之前或之后进行。
尤其优选地，在使用反射性的囊封件时，半导体本体的侧面与囊封件间隔开地设置，或者在半导体本体的辐射也能够经由半导体本体的侧面发出时不具有囊封件，如尤其在半导体本体具有辐射可穿透的生长衬底、例如蓝宝石或碳化硅时是这种情况。
根据方法的另一个实施方式，接触结构借助进行机械稳定的材料围绕成型。进行机械稳定的材料尤其优选地用于稳定制成的光电子器件并且例如满足壳体的功能。但是与常规的壳体不同地，进行机械稳定的材料不作为单独的元件构成，半导体本体安装在所述单独的元件上或安装在单独的元件中。
尤其优选地，接触结构在将多个半导体本体用囊封件封装之前借助进行机械稳定的材料围绕成型。进行机械稳定的材料例如为高稳定性的壳体材料，例如高稳定性的聚邻苯二甲酰胺(PPA)或高稳定性的环氧化物。
尤其优选地，进行机械稳定的材料与接触结构一起构成共同的边界面。尤其优选地，进行机械稳定的材料的上棱边与接触结构的上棱边横向地齐平。
尤其优选地，随后将囊封材料施加到进行机械稳定的材料上，所述囊封材料对半导体本体围绕成型。
进行机械稳定的材料例如能够借助于模塑、这就是说借助于尤其优选地扁平地构成的浇注工具以围绕接触结构围绕成型的方式构成。
根据方法的另一个实施方式，每个随后的器件具有多个半导体本体。例如，半导体本体能够设为用于，发出不同波长的光。
随后的光电子器件例如能够为发光二极管。
根据一个实施方式，制成的器件设为用于发出白光。对此，每个器件通常包括转换波长的元件，例如转换波长的层或转换波长的囊封件。转换波长的元件优选将由半导体本体发出的第一波长范围的电磁辐射的一部分转换成第二波长范围的电磁辐射。第一波长范围优选包括蓝光并且第二波长范围优选包括黄光。在该情况下，器件优选发出混合色的白光，所述白光由未经转换的蓝光和经过转换的黄光形成。
附图说明
本发明的其他有利的实施方式和改进方案从在下面结合附图描述的实施例中得出。
根据图1至5的示意剖面图描述方法的第一实施例。
根据图6至10的示意剖面图描述方法的另一个实施例。
根据图11和13至19的示意剖面图分别描述方法的另一个实施例。
图12示例性地示出第二金属层的底切的电子显微照片。
具体实施方式
相同的、相同类型的或起相同作用的元件在图中设有相同的附图标记。附图和在附图中示出的元件相互间的大小关系部视作为是按照比例的。更确切地说，为了更好的可视性和/或为了更好的理解能够夸张大地示出个别元件、尤其是层厚度。
在根据图1至5的实施例的方法中，在第一步骤中，提供辅助载体晶片1(图1)。辅助载体晶片1尤其具有玻璃、蓝宝石或半导体材料、例如硅。将第一金属层2施加到辅助载体晶片1上。第一金属层2结构化地构成。换言之，第一金属层2具有不同的结构元件。
在另一个步骤中，将第二金属层3电镀地沉积到第一金属层2上(图2)。第二金属层3也结构化地构成。第二金属层3的结构化在此跟随第一金属层2的结构化。第一金属层2和第二金属层3共同构成具有各个接触结构元件41的接触结构4。
在另一个步骤中，现在将多个适合于将电磁辐射从其辐射出射面6发出的半导体本体5施加到接触结构4上(图3)。每个半导体本体5在此借助安装面7导电地施加到接触结构元件41上，例如通过粘接、焊接或贴片。
在下一个步骤中，现在将每个半导体本体5借助其前侧9借助于接合线8导电地与另一个接触结构元件41连接(图4)。
在下一个步骤中，将囊封件10施加到辅助载体晶片1上，使得接触结构4和半导体本体5借助囊封件10封装(图5)。囊封件10在此完全包围接触结构4的接触结构元件41和施加在其上的半导体本体5。接合线9完全由囊封件10包围。囊封件10伸出半导体本体5的辐射出射面6并且处于半导体本体5的光路12中。
在本实施例中，囊封件10层状地构成。囊封件10的层在此具有基本上恒定的厚度。此外，囊封件10在本实施例中构成为是转换波长的。对此，囊封件10包括具有发光材料颗粒11的基体材料，所述发光材料颗粒适合于，将由半导体本体5发出的第一波长范围的辐射转换成第二波长范围的电磁辐射。因为囊封件10处于半导体本体5的光路12中，所以由半导体本体5发出的第一波长范围的电磁辐射部分地转换成第二波长范围的电磁辐射。现在，半导体本体5尤其优选地发出蓝光，所述蓝光由囊封件10中的发光材料颗粒11部分地转换成黄光。制成的器件在本实施例中发出混合色的白光。
在下一个步骤中，辅助载体晶片1与随后的包括接触结构4、半导体本体5和转换波长的囊封件10的器件的复合件分开(没有示出)。随后，将分别包括唯一的半导体本体5的随后的组件分割(没有示出)。
在根据图6至10的实施例的方法中，首先执行已经根据图1至4描述的方法步骤。随后将囊封件10施加到辅助载体晶片1上，所述辅助载体晶片将接触结构4完全地封装并且将半导体本体5部分地封装(图6)。半导体本体5的侧壁的子区域以及半导体本体5的辐射出射面6保持不具有囊封件10。囊封件10在该实施例中反射性地构成。对此，囊封件10包括基体材料，将反射性的颗粒13、例如氧化钛颗粒引入到所述基体材料中。
在下一个步骤中，将转换波长的层14施加到反射性的囊封件10上(图7)。转换波长的层14在此包围半导体本体5的侧面的下述区域，所述区域不由反射性的囊封件10包围。此外，转换波长的层14伸出半导体本体5，使得其至少部分为处于半导体本体5的光路12中。
转换波长的层14包括基体材料，将发光材料颗粒11引入到所述基体材料中。发光材料颗粒11给予转换波长的层14其转换波长的特性。
在下一个步骤中，将多个光学元件15施加到转换波长的层14上(图8)。光学元件15分别构成为透镜。每个光学元件15分别定位在半导体本体5之上并且处于其光路12中。光学元件15例如能够模塑到转换波长的层14上，即借助于腔构成。
在下一个步骤中，将辅助载体晶片1从随后的半导体器件的复合件中完全移除(图9)。如果辅助载体晶片1为蓝宝石衬底或玻璃载体，那么所述辅助载体晶片能够借助于激光剥离工艺移除。如果将硅载体用作为辅助载体晶片1，那么其通常以破坏的方式、即例如借助于研磨或刻蚀从随后的器件的复合件移除。在另一个步骤中，将器件分割(图10)。
在根据图11的实施例的方法中，如在之前的实施例中那样提供辅助载体晶片1，将接触结构4施加到所述辅助载体晶片上。图11在此示出辅助载体晶片1的局部，所述辅助载体晶片包含半导体本体5并且相应于制成的器件。接触结构4包括多个接触结构元件41，其中发射辐射的半导体本体5施加到接触结构元件41上。半导体本体5在前侧与另一个接触结构元件41借助接合线8导电地连接。
接触结构4具有第一金属层2和第二金属层3。不同于已经描述的实施例，第二金属层2具有带有底切的侧壁。每个接触结构元件41在此都具有侧壁，所述侧壁在子区域之上倾斜于辅助载体晶片1的法线伸展。接触结构元件41由于第二金属层3的倾斜的侧壁从接触结构元件41的外面朝向辅助载体晶片1渐缩。第二金属层3的底切设为用于，将囊封件10更好地锚固。反射性的囊封件10当前施加直至第二金属层2的上棱边。反射性的囊封件10的表面与接触结构4的表面齐平。
图12示例性地示出第二金属层2的侧壁的底切的电子显微照片。
在根据图13的实施例的方法中，与根据图11的实施例不同，反射性的囊封件10施加直至半导体本体5的辐射出射面6。囊封件10的表面与半导体本体5的辐射出射面6齐平。
在根据图14的实施例的方法中，与根据图11和13的实施例的方法不同，反射性的囊封件10施加成，使得囊封件10的表面处于半导体本体5的辐射出射面6之下。囊封件10在此虽然在其整个高度之上封装金属的接触结构4，使得接触结构4的侧壁完全由囊封件10包围，然而在半导体本体5的侧面和囊封件10之间构成有空气间隙。
在迄今描述的实施例中，分别使用竖直的半导体本体5，所述半导体本体在后侧经由安装面7与第一接触结构元件41并且在前侧与第二接触结构元件41导电地连接。半导体本体5的与安装面7相对置的前侧9与接触结构元件41的导电的连接在此经由接合线8进行。
与图11的实施例不同，在根据图15的实施例中，使用半导体本体5，其中在其前侧9上设置有两个接触部。半导体本体5例如为蓝宝石芯片。半导体本体5在前侧借助两个接合线8分别与接触结构元件41导通地连接。
与图11和15的实施例不同，在根据图16的实施例中，将倒装芯片用作为半导体本体5。倒装芯片在其安装面7上具有两个电接触部，所述电接触部分别与接触结构元件41导电地连接，例如借助于焊接。
在根据图17的实施例中，与已经描述的实施例不同，接触结构元件41借助进行机械稳定的材料16、例如借助壳体材料围绕成型。进行机械稳定的材料16在此与接触结构元件41的表面齐平。此外，将囊封件10施加到通过接触结构元件41和进行机械稳定的材料16的表面形成的表面上，所述囊封件在此构成为反射性的。反射性的囊封件10在此以层的形式施加到接触结构元件41或壳体材料16上并且与半导体本体5的前侧9齐平。
在根据图18的实施例中，产生随后的器件，所述器件包括多个半导体本体5。半导体本体5尤其优选地设为用于，发出不同波长范围的电磁辐射。尤其优选地，波长范围选择成，使得制成的器件在运行时发出白光。半导体本体5分别在后侧借助其安装面7导电地施加到共同的接触结构元件41上。在前侧，半导体本体5彼此分别借助接合线8导电地接触。两个在边缘侧设置的半导体本体5此外分别在前侧经由接合线8与另一个接触结构元件41导电地连接。在随后的器件运行时，半导体本体5被串行地通电。
在根据图19的实施例的方法中也提供器件，所述器件具有多个半导体本体5。然而与前面的实施例不同，半导体本体5并联地电接触。对此，半导体本体5分别在前侧经由接合线8与共同的另一个接触结构元件41导电地连接。
本申请要求德国专利申请DE 10 2013 100 711.2的优先权，其公开内容在此通过参考并入本文。
本发明不受根据实施例的描述的限制。更确切地说，本发明包括任意的新的特征以及特征的任意组合，这尤其是包含在本文中的特征的任意组合，即使所述特征或所述组合本身并未详尽地在本文或实施例中说明时也如此。

Claims (13)

1.一种用于制造多个光电子器件的方法，所述方法具有下述步骤：
-提供具有接触结构(4)的辅助载体晶片(1)，
-将多个发射辐射的半导体本体(5)施加到所述接触结构(4)上，
-将所述接触结构(4)用进行机械稳定的材料(16)封装，使得所述进行机械稳定的材料(16)的表面与所述接触结构(4)的表面齐平，其中所述进行机械稳定的材料(16)是壳体材料，
-将囊封件(10)施加到通过所述接触结构(4)和所述进行机械稳定的材料(16)形成的表面上，使得所述囊封件(10)与所述半导体本体(5)的前侧齐平，并且
-借助于激光剥离法移除所述辅助载体晶片(1)。
2.根据权利要求1所述的方法，
其中所述接触结构(4)具有第一金属层(2)和第二金属层(3)，其中所述第二金属层(3)电镀地沉积在所述第一金属层(2)上。
3.根据权利要求2所述的方法，
其中所述第二金属层(3)具有带有底切的侧壁。
4.根据权利要求1或2所述的方法，
其中所述囊封件(10)反射性地和/或转换波长地构成。
5.根据权利要求1或2所述的方法，
其中所述囊封件(10)借助下述方法中的一种施加：浇注、滴涂、喷射、模塑。
6.根据权利要求1或2所述的方法，
其中在所述半导体本体(5)的光路(12)中设置有转换波长的层(14)。
7.根据权利要求1或2所述的方法，
其中在每个半导体本体(5)的光路(12)中设置有光学元件(15)。
8.根据权利要求7所述的方法，
其中所述光学元件(15)在所述半导体本体(5)之上模塑。
9.根据权利要求1或2所述的方法，
其中所述半导体本体(5)构成为倒装芯片。
10.根据权利要求1或2所述的方法，
其中所述半导体本体(5)在其前侧(9)上具有一个电接触部或至少两个电接触部。
11.根据权利要求1或2所述的方法，
其中所述囊封件(10)的上棱边伸展到所述半导体本体(5)的上棱边。
12.根据权利要求1或2所述的方法，
其中每个随后的器件都具有多个半导体本体(5)。
13.一种光电子器件，
所述光电子器件借助根据权利要求1或2所述的方法制造。
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