JP2012151358A - 発光装置及び照明装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】発光素子を封止する封止部材の剥離を抑制できる発光装置及び照明装置を提供することを課題とする。
【解決手段】発光装置は、表面に発光素子を実装した基板、この基板の表面に発光素子の実装領域を除いて積層した光反射層、および発光素子を封止した封止部材を有する。光反射層が発光素子の実装領域に接する縁部には、封止部材に向けて突出した係合突起が設けられている。係合突起は、封止部材の中に突出して封止部材の剥離を抑制する。
【選択図】 図5
【解決手段】発光装置は、表面に発光素子を実装した基板、この基板の表面に発光素子の実装領域を除いて積層した光反射層、および発光素子を封止した封止部材を有する。光反射層が発光素子の実装領域に接する縁部には、封止部材に向けて突出した係合突起が設けられている。係合突起は、封止部材の中に突出して封止部材の剥離を抑制する。
【選択図】 図5
Description
本発明の実施形態は、発光ダイオード(LED)等の発光素子を用いた発光装置及び照明装置に関する。
近年、光源として複数の発光ダイオードを使用した照明装置が実用化されている。この種の照明装置は、例えば室内の天井に直接取り付ける、いわゆる直付け(surface mounted)形の全般照明(general lighting)として用いられている。
発光ダイオードは、基板に実装されて、封止部材で封止される。封止部材として、例えば、透明シリコーン樹脂等に蛍光体を混入した材料が用いられる。封止部材は、例えば、発光ダイオードを囲む枠部材の内側に注入されて固化される。しかし、このような枠部材は、一般に、発光ダイオードの発光効率を低下させる。
このため、枠部材を設けずに封止部材だけで発光ダイオードを封止する方法が提案されている。
しかし、枠部材を設けない場合、封止部材は、基板上に接着される。このため、例えば、封止部材に横方向の力が作用すると、封止部材が基板から剥離され易い。
よって、発光素子を封止する封止部材の剥離を抑制できる発光装置及び照明装置の開発が望まれている。
実施形態に係る発光装置は、表面に発光素子を実装した基板、この基板の表面に発光素子の実装領域を除いて積層した光反射層、および発光素子を封止した封止部材を有する。光反射層が発光素子の実装領域に接する縁部には、封止部材に向けて突出した係合突起が設けられている。係合突起は、封止部材の中に突出して封止部材の剥離を抑制する。
以下、第1の実施形態について図1乃至図7を参照して説明する。図1乃至図6は、発光装置1を示しており、図7は、この発光装置1を用いた照明装置100を示している。なお、各図において同一部分には同一符号を付し重複した説明は省略する。
照明用の光源としての発光装置1は、基板2、複数の発光素子3および一対の封止部材4a,4bを有している。基板2は、例えばガラスエポキシ樹脂のような合成樹脂材料により形成されている。基板2は、一対の長辺2a,2bおよび一対の短辺2c,2dを有する細長い形状である。さらに、基板2は、第1の面5aと、第1の面5aの反対側に位置された第2の面5bと、第1の面5aと第2の面5bとを結ぶ外周面5cとを有している。第1および第2の面5a,5bは、夫々フラットな面である。本実施形態によると、基板2は、長辺2a,2bに沿う長さ寸法が230mm、短辺2c,2dに沿う幅寸法が35mmである。さらに、基板2の厚さ寸法は、0.5mm以上1.8mm以下が好ましい。本実施形態では、厚さ寸法が1.0mmの基板2を使用している。
基板2の形状は、長方形状に限らず、正方形状や円形状のものでも良い。また、基板2の材料には、セラミックス材料又は他の合成樹脂材料を使用できる。さらに、各発光素子3の放熱性を高めるため、基板2として、アルミニウム等の熱伝導性が良好で放熱性に優れたべース板の一面に絶縁層が積層された金属製の基板を用いても良い。
複数の貫通部6が基板2の長辺2a,2bを規定する端縁に形成されている。貫通部6は、基板2の外周面5cに開口された円弧状の切り欠きであって、基板2を厚さ方向に貫通している。さらに、貫通部6は、基板2の長手方向に間隔を存して並んでいる。
複数のねじ8が貫通部6に挿通されている。ねじ8は基板2を照明装置のベースに固定する固定具の一例であって、貫通部6を通ってベースにねじ込まれている。ねじ8をベースにねじ込んだ状態では、ねじ8の頭部とベースとの間で基板2の端縁が挟み込まれる。これにより、基板2がベースに固定される。
図2に示すように、第1の導体パターン10および第2の導体パターン11が基板2の第1の面5aの上に形成されている。第1の導体パターン10は、例えば9個のパッド12、正側給電導体13、負側給電導体14および中継導体15を有している。パッド12は、四角い形状を有するとともに、基板2の長手方向に間隔を存して一列に並んでいる。
各パッド12は、スリット12aによって第1の実装領域16aおよび第2の実装領域16bに区分けされている。スリット12aは、パッド12の中央部を基板2の長手方向に直線状に延びているとともに、パッド12の一端に開口されている。六つの凹部17がパッド12の第1の実装領域16aに形成されている。凹部17は、パッド12の一側縁に開口されているとともに、基板2の長手方向に間隔を存して一列に並んでいる。同様に六つの凹部17がパッド12の第2の実装領域16bに形成されている。凹部17は、スリット12aに開口されているとともに、基板2の長手方向に間隔を存して一列に並んでいる。
図2に示すように、基板2の左端に位置された一つのパッド12を除く残りのパッド12は、夫々一対の延長部19a,19bを有している。延長部19a,19bは、パッド12の一端から基板2の長手方向に直線状に延びているとともに、互いに間隔を存して平行に配置されている。延長部19a,19bは、夫々六つの給電端子20を有している。給電端子20は、延長部19a,19bから突出されているとともに、基板2の長手方向に間隔を存して一列に並んでいる。
パッド12の一方の延長部19aは、隣り合うパッド12の一側縁に沿って延びている。延長部19aの給電端子20は、パッド12の一側縁に開口された凹部17に挿入されている。延長部19aとパッド12の一側縁とは、これら両者間に絶縁用の間隔を設けることで電気的に切り離されている。同様に、延長部19aの給電端子20と凹部17とは、これら両者間に絶縁用の間隙を設けることで電気的に切り離されている。
パッド12の他方の延長部19bは、隣り合うパッド12のスリット12aに挿入されている。延長部19bの給電端子20は、スリット12aに開口された凹部17に挿入されている。延長部19bとパッド12とは、スリット12a内に位置された絶縁用の間隙を介して電気的に切り離されている。同様に、延長部19bの給電端子20と凹部17とは、これら両者間に絶縁用の間隙を設けることで電気的に切り離されている。
したがって、図2から明らかなように、複数のパッド12は、延長部19a,19bを基板2の幅方向に交互に反転させた形態で基板2の長手方向に一列に並べられている。
図2に示すように、正側給電導体13は、基板2の長辺2bに沿うように基板2の全長に亘って延びている。負側給電導体14は、基板2の長辺2bに沿うように基板2の長手方向に沿って延びている。負側給電導体14の左端は、基板2の左端に位置された一つのパッド12に接続されている。
正側給電導体13は、正極端子21を有している。同様に負側給電導体14は、負極端子22を有している。正極端子21および負極端子22は、基板2の左端部において互いに間隔を存して並んでいる。
中継導体15は、基板2の長辺2bに沿うように基板2の長手方向に延びている。中継導体15は、基板2の右端部に位置されている。中継導体15は、一対の給電パターン24a,24bを有している。給電パターン24a,24bは、基板2の長手方向に直線状に延びているとともに、互いに間隔を存して平行に配置されている。給電パターン24a,24bは、夫々六つの給電端子25を有している。給電端子25は、給電パターン24a,24bから突出されているとともに、基板2の長手方向に間隔を存して一列に並んでいる。
一方の給電パターン24aは、基板2の右端に位置されたパッド12の一側縁に沿って延びている。給電パターン24aの給電端子25は、パッド12の一側縁に開口された凹部17に挿入されている。給電パターン24aとパッド12の一側縁とは、これら両者間に絶縁用の間隔を設けることで電気的に切り離されている。同様に、給電パターン24aの給電端子25とパッド12の凹部17とは、これら両者間に絶縁用の間隙を設けることで電気的に切り離されている。
他方の給電パターン24bは、基板2の右端に位置されたパッド12のスリット12aに挿入されている。給電パターン24bの給電端子25は、スリット12aに開口された凹部17に挿入されている。給電パターン24bとパッド12とは、スリット12a内に位置された絶縁用の間隙を介して電気的に切り離されている。同様に、給電パターン24bの給電端子25とパッド12の凹部17とは、これら両者間に絶縁用の間隙を設けることで電気的に切り離されている。
図1および図2に示すように、電源コネクタ26が正極端子21および負極端子22に半田付けされている。電源コネクタ26は、基板2の第1の面5aの上に位置されているとともに、リード線26aを介して電源回路に電気的に接続されている。さらに、負側給電導体14と中継導体15との間は、中継コネクタ27を介して短絡されている。
図5に示すように、パッド12を含む第1の導体パターン10は、銅層28、ニッケルめっき層29および銀めっき層30を有する三層構造となっている。銅層28は、基板2の第1の面5aの上に積層された銅箔をエッチングすることで形成されている。ニッケルめっき層29は、銅層28に電解めっきを施すことで銅層28の上に形成されている。銀めっき層30は、ニッケルめっき層29に電解めっきを施すことでニッケルめっき層29の上に形成されている。銀めっき層30は、ニッケルめっき層29を被覆するとともに、第1の導体パターン10の表面に露出された反射層を構成している。よって、第1の導体パターン10の表面は、光反射面となっている。この光反射面の全光線反射率は90%程度である。
ニッケルめっき層29は、膜厚を5μm以上とするのが好ましい。同様に銀めっき層30は、膜厚は、1μm以上とするのが好ましい。このようにニッケルめっき層29および銀めっき層30の膜厚を規定することで、ニッケルめっき層29および銀めっき層30の膜厚のばらつきを解消でき、全てのパッド12の光反射率を均一化することができる。
第2の導体パターン11は、第1の導体パターン10のパッド12に電解めっきを施す際に、全てのパッド12を同電位に維持するためのものである。具体的には、第2の導体パターン11は、図2に示すような共通ライン32と複数の枝ライン33とを有している。共通ライン32は、基板2の長辺2aに沿うように基板2の全長に亘って直線状に延びている。それとともに、共通ライン32は、基板2の長辺2aを規定する基板2の端縁から予め決められた距離Dだけ離れている。
さらに、共通ライン32は、基板2の貫通部6に対応する位置に複数の曲線部34を有している。曲線部34は、貫通部6の縁から遠ざかる方向に円弧を描いて湾曲されている。このため、共通ライン32は、曲線部34の存在により、貫通部6に対応する箇所においても少なくとも前記距離Dと同じ寸法だけ貫通部6の縁から離れている。
枝ライン33は、共通ライン32から分岐されてパッド12に向けて直線状に延びている。枝ライン33は、基板2の長手方向に互いに間隔を存して並んでいる。枝ライン33の先端は、全てのパッド12および中継導体15の給電パターン24aに電気的に接続されている。言い換えると、全てのパッド12および中継導体15は、枝ライン33を介して共通ライン32に電気的に接続されている。
第2の導体パターン11は、基板2の第1の面5aの上に第1の導体パターン10と同時に形成したものであり、第1の導体パターン10と同様の三層構造となっている。そのため、第2の導体パターン11の表面は銀めっき層で構成されて、光反射性を有している。
複数の発光素子3は、発光ダイオード(LED)のベアチップである。本実施形態では、発光装置1を介して白色系の光を発光させるため、青色の光を発する発光素子3を用いた。LEDのベアチップ3は、例えば、InGaN系の素子であり、透光性のサファイア素子基板に発光層が積層されている。発光層は、n型窒化物半導体層と、InGaN発光層と、p型窒化物半導体層とが順次積層されて形成されている。そして、発光層に電流を流すための電極は、p型窒化物半導体層上にp型電極パッドで形成された正側電極と、n型窒化物半導体層上にn型電極パッドで形成された負側電極とで構成されている。
発光素子3は、各パッド12の第1の実装領域16aおよび第2の実装領域16bにシリコーン樹脂系の接着剤36を介して接着されている。具体的には、6個の発光素子3がパッド12の第1の実装領域16aに基板2の長手方向に間隔を存して一列に並んでいるとともに、6個の発光素子3がパッド12の第2の実装領域16bに基板2の長手方向に間隔を存して一列に並んでいる。そのため、各パッド12は、12個の発光素子3を有している。パッド12上の発光素子3は、基板2の長手方向に連続する二列の発光素子列を構成している。
図3および図5に示すように、発光素子3の正側電極は、発光素子3が接着されたパッド12にボンディングワイヤ38を介して電気的に接続されている。発光素子3の負側電極は、隣り合うパッド12の給電端子20および給電パターン24a,24bの給電端子25に他のボンディングワイヤ39を介して電気的に接続されている。これらボンディングワイヤ38、39は、金(Au)の細線からなっており、実装強度の向上とLEDのベアチップの損傷低減のため、金(Au)を主成分とするバンプを介して接続されている。
すなわち、図6に示すように、発光装置1は、12個の発光素子3が並列に接続された9個の並列回路40a,40b,40c,40d,40e,40f,40g,40h,40iを有するとともに、9個の並列回路40a,40b,40c,40d,40e,40f,40g,40h,40iが互いに直列に接続されている。
さらに、本実施形態では、発光装置1の誤作動を防止するため、9個の並列回路40a,40b,40c,40d,40e,40f,40g,40h,40iの夫々にコンデンサ41が接続されている。それとともに、並列回路40a,40b,40c,40d,40e,40f,40g,40h,40iを直列に接続する回路にもコンデンサ41が接続されている。コンデンサ41は、基板2の第1の面5aに実装されている。
本実施形態では、ボンディングワイヤ39が接続される給電端子20,25は、隣り合うパッド12の凹部17に挿入されている。言い換えると、給電端子20,25が第1および第2の実装領域16a,16bの中央部に向けて進出するので、ボンディングワイヤ38,39の長さを変えることなく発光素子3を第1および第2の実装領域16a,16bの中央部に接着することができる。そのため、発光素子3が発する熱を第1および第2の実装領域16a,16bの広範囲に伝えて、パッド12から効率よく放出することができる。
全てのパッド12を同電位に維持する第2の導体パターン11は、第1の導体パターン10に電解めっきを施した以降は無用となる。そのため、本実施形態では、第1の導体パターン10に電解めっきを施した後、第2の導体パターン11の共通ライン32を除去して、第2の導体パターン11によるパッド12の電気的な接続を遮断している。
図3、および図5に示すように、凹部45が基板2の第1の面5aに形成されている。凹部45は、共通ライン32を除去した後に残った痕跡であって、基板2の長辺2aに沿って延びている。凹部45は、底面45aと、一対の側面45b,45cとで規定された溝であって、基板2の第1の面5aに開口されている。
さらに、凹部45は、基板2の貫通部6に対応する位置に複数の湾曲部46を有している。湾曲部46は、貫通部6を迂回するように共通ライン32の曲線部34と合致する形状に形成されている。このような凹部45は、基板2の長辺2aを規定する基板2の端縁とパッド12との間に位置されて、基板2の端縁から予め決められた距離だけ離れている。本実施形態によると、凹部45は幅寸法が1mmであり、深さ寸法が0.3mmである。
このような凹部45の存在により、第2の導体パターン11は、枝ライン33のみが基板2の第1の面5aの上に残っている。残った枝ライン33は、電気的に切り離されている。さらに、基板2の長辺2aを規定する基板2の端縁からパッド12に至る沿面距離は、凹部45の側面45b,45cの高さ寸法を加えた値となる。よって、沿面距離は、基板2の端縁からパッド12に至る空間距離よりも凹部45の深さ分だけ長くなる。凹部45の形状は本実施形態に限らない。例えば、凹部45は、基板2の長手方向と直交する方向の断面形状がV字形あるいはU字形でもよい。
封止部材4a、4bは、二列に並んだ発光素子3およびボンディングワイヤ38,39をパッド12の上に封止している。封止部材4a,4bは、例えばYAG:Ce等の蛍光体が適量混ぜられた透明なシリコーン樹脂製であり、その断面形状が扁平な山形になるように塗布されて、基板2の長手方向に沿って直線状に延びている。
蛍光体は、発光素子3が発する光で励起されて、発光素子3が発する光の色とは異なる色の光を放射する。本実施形態では、発光素子3が青色光を発するため、発光装置1が白色系の光を出射できるように、蛍光体には青色の光とは補色の関係にある黄色系の光を放射する黄色蛍光体を使用した。
図1および図5示すように、基板2の第1の面5aは、発光素子3およびコンデンサ41のような部品が実装される領域を除いて白色のレジスト層48で覆われている。レジスト層48が形成されていない領域を分かりやすく説明するため、図3では、右から2番目のパッド12上で、レジスト層48が形成されていない領域Sを代表して示している。他の8個のパッド12についても同様に、レジスト層48が形成されていない領域Sが存在している。少なくとも発光素子3(LEDのベアチップ)が接着される部分、すなわち、発光素子3の実装部は、このレジスト層48が形成されていない領域Sとなる。この領域Sは、図1および図5に示すように、封止部材4a、4bで埋められて封止される。
レジスト層48は、光反射性を有している。レジスト層48は、上記領域Sを除いて、第1の導体パターン10、枝ライン33および凹部45を連続して覆い隠している。そのため、基板2の第1の面5aの上の第1の導体パターン10、枝ライン33および凹部45は、視覚的に見え難くなっている。
図5に示すように、基板2の第1面5a上には、パッド12が形成され、その上にレジスト層48が積層される。レジスト層48が形成されない領域Sの周縁部、すなわちレジスト層48が領域Sに接する境界部には、封止部材4a、4bの剥離を防止するため、封止部材に向けて突出した係合突部48aが設けられている。本実施形態では、レジスト層48の表面からパッド12の光反射面に向けて領域Sを広げる方向に断面形状が傾斜した係合突部48aを領域Sの縁に形成した。なお、係合突部48aは、領域Sの境界となるレジスト層48の縁に沿った全周に設けても良いが、少なくともレジスト層48の縁の数箇所に点在させて設ければ良い。また、係合突部48aの形状は、本実施形態の形状に限るものではなく、封止部材4a、4bの中に差し込まれて封止部材に引っ掛かる形状であればいかなる形状であっても良い。
レジスト層48は、白色のフォトレジスト材料によって形成されている。そして、このレジスト層48は、発光素子3から放出された光を前方(図5で上方)に反射する機能、およびパッド12や給電導体13、14などの金属層の腐食を防止する機能を担う。発光素子3の光をレジスト層48の表面で反射するためには、発光素子3の上面は、少なくともレジスト層48の表面より高くする必要がある。換言すれば、レジスト層48の表面は、発光素子3の上面より低い位置に形成することが望ましい。
このため、本実施形態では、パッド12の厚さを35μmに設定し、レジスト層48の厚さを40μmに設定し、発光素子3の高さを80μmに設定した。レジスト層48の厚さは、30〜40μmに設定することが望ましく、例えばレジスト層48の厚さを30μmに変更する場合には、パッド12の厚さを30μm未満にすれば良い。
図4および図5に示すように、18個の四角い放熱シート50が基板2の第2の面5bに積層されている。放熱シート50は導電体の一例であって、熱伝導性に優れた銅箔で構成されている。放熱シート50は、第1の面5aの上のパッド12に対応するように、基板2の長手方向に互いに間隔を存して二列に並んでいる。隣り合う放熱シート50は、基板2の長手方向に延びる第1のスリット51および基板2の長手方向と直交する短手方向に延びる複数の第2のスリット52によって熱的に切り離されている。さらに、放熱シート50および基板2の第2の面5bは、レジスト層53で覆われている。
基板2の第2の面5bに放熱シート50を積層したことで、発光素子3の熱を受ける基板2の温度分布を均等化することができる。そのため、基板2の放熱性能を高めることができる。特に、隣り合う放熱シート50の間に基板2の長手方向と直交する短手方向に沿う第2のスリット52を設けたことで、熱による基板2の反りや変形を抑制できる。
次に、発光装置1を製造する工程について、図1ないし図3、および図5を参照して説明する。なお、ここでは、基板2の第2面5bに放熱シート50を積層する工程についての説明は省略する。
まず、基板2の第1の面5aの上に第1の導体パターン10および第2の導体パターン11を形成する。具体的には、第1の面5aに積層された銅箔をエッチングすることで、第1および第2の導体パターン10,11の銅層28を形成する。第1の導体パターン10の銅層28のうちパッド12を構成する部分は、第2の導体パターン11の銅層28を介して電気的に接続されている。このため、第1の導体パターン10の銅層28のうちパッド12を構成する部分は、同電位に維持されている。
この状態で、第1の導体パターン10の銅層28に電解めっきを施すことにより、銅層28の上にニッケルめっき層29を形成する。引き続いて、ニッケルめっき層29に電解めっきを施すことにより、ニッケルめっき層29の上に銀めっき層30を形成する。電解めっきを実行する工程では、第1の導体パターン10の銅層28のうちパッド12を構成する全ての部分が同電位に維持されている。そのため、第1の導体パターン10の銅層28を負極とし、めっきと同一の金属を正極として両極間に電流を流すことで、第1の導体パターン10の銅層28の上にニッケルめっき層29および銀めっき層30が形成される。ニッケルめっき層29および銀めっき層30は、第2の導体パターン11の銅層28の上にも同時に形成される。この状態を図2に示す。
この後、図3に示すように、第2の導体パターン11の共通ライン32を基板2の第1の面5aから取り除く。具体的には、第1の面5aの上の共通ライン32を削り取る。この結果、第1の導体パターン10のパッド12と第2の導体パターン11との電気的な接続が遮断され、パッド12が電気的に独立した状態に保持される。
共通ライン32を第1の面5aの上から削り取ると、第1の面5aの上に溝状の凹部45が形成される。凹部45は、基板2の貫通部6に対応した位置に貫通部6を迂回するように湾曲された湾曲部46を有している。
凹部45は、共通ライン32から分岐された枝ライン33の付け根を横切っている。この結果、枝ライン33は、互いに電気的に切り離された状態で基板2の第1の面5aの上に残っている。
この後、図3に示すように、パッド12の第1および第2の実装領域16a,16bの上に、夫々6個の発光素子3を接着する。引き続いて発光素子3の正側電極を、当該発光素子3が接着されたパッド12にボンディングワイヤ38で電気的に接続する。同様に、発光素子3の負側電極を、隣り合うパッド12の給電端子20および給電パターン24a,24bの給電端子25に夫々ボンディングワイヤ39で接続する。
さらにこの後、図1および図5に示すように、導体パターン10、11の上に、レジスト層48のパターンを形成する。前述したように、このレジスト層48のパターンは、発光素子3の実装領域や他の電子部品の実装部分を除いた基板表面に形成される。本実施形態では、レジスト層48を白色のフォトレジスト材料を用いて形成した。このため、レジスト層48に紫外線を照射して露光および現像することで、領域Sのパターンを形成するようにした。
この場合、紫外線をレジスト層48に照射すると、レジスト層48の領域Sの境界部において、一部の照射光が、レジスト層48を透過し、パッド12の表面で反射される。この際、紫外光の照射方向を傾斜させることで、パッド12で反射された光が側方や斜め上方に向かい、レジスト層48の厚み寸法の範囲内において、レジスト層を窪み状に露光する。そして、この後の現像工程を経て、レジスト層48の境界部に上述した断面形状の係合突部48aが形成される。このように、露光によって係合突部48aを形成する場合、紫外線の照射強度、照射角度、照射時間などを調整することで、係合突部48aの形状を所望する形状にすることができる。
なお、このレジスト層48のパターンを形成する工程は、上述した第2の導体パターン11の除去工程の前に行うこともできる。本実施形態では、第2の導体パターン11を除去した後にレジスト層48を積層したため、図1および図5に示すように、第2の導体パターン11を削り取った後の凹部45がレジスト層48で埋められる。しかし、レジスト層48を積層した後に、このレジスト層48とともに第2の導体パターン11を削り取ることで、凹部45が発光装置1の表面に露出する。
最後に、二列に並んだ発光素子3およびボンディングワイヤ38,39を封止部材4a,4bを用いてパッド12の上に封止する。このことにより、図1および図5に示すような、発光装置1が形成される。
この際、封止部材4a、4bは、適当な粘度に調整され、不用意に流れ出すことなく、図5に断面を示す扁平な山形状を保持するように、未硬化の状態で、各列の発光素子3およびボンディングワイヤ38、39の上に図1のように直線状に塗布される。これにより、図5に示すように、レジスト層48の領域Sの縁部で、封止部材4a、4bが係合突部48aの下に流れ込む。そして、封止部材4a、4bを加熱して硬化させた後、或いは所定時間放置した後、封止部材4a、4bが硬化されてレジスト層48の領域Sに固定される。
この状態で、係合突部48aが、硬化された封止部材4a、4bの中に差し込まれた状態となるので、例えば、封止部材4a、4bに横方向の力が加わった場合であっても、封止部材4a、4bが簡単に剥離することはない。また、係合突部48aを設けることで、領域Sの縁が斜めに傾斜するため、その分、封止部材4a、4bがレジスト層48に接触する面積が大きくなる。これにより、封止部材4a、4bのレジスト層48に対する接着強度が増す。
次に、図7を参照して上述した発光装置1を組み込んだ照明装置100について説明する。ここで説明する照明装置100は、例えば、部屋の天井に設置して使用される天井直付タイプの照明装置である。
照明装置100は、細長で略直方体形状の本体ケース101を備えており、この本体ケース101内には、上述した発光装置1が複数個、本実施形態では2個接続されて、長手方向に並べて配設されている。また、図示しない電源回路を備えた図示しない電源ユニットは、本体ケース101に内蔵されている。なお、本体ケース101の下方開口部には、拡散性を有する前面カバー102が取り付けられている。
電源回路により2つの発光装置1に通電されると、複数の発光素子3が一斉に点灯されて、複数の発光素子3それぞれから光が出射される。複数の発光素子3から出射された光は、封止部材4a、4bを透過して、白色の照明光として利用される。すなわち、当該照明装置100は、面状光源として使用される。
照明装置100の点灯中において、パッド12は、各発光素子3が発した熱を拡散するヒートスプレッダとして機能する。さらに、発光装置1の発光中、発光素子3が放射した光のうち基板2側に向かった光は、パッド12の表の反射層で主として光の利用方向に反射される。そのため、光の取り出し効率を良好なものとすることができる。
以下、上述した第1の実施形態の効果について説明する。
第1の導体パターン10のパッド12を同電位に維持する第2の導体パターン11は、共通ライン32と、共通ライン32から分岐されてパッド12に至る複数の枝ライン33とで構成されている。そのため、共通ライン32を基板2から除去することで、第2の導体パターン11によるパッド12間の電気的な接続を遮断することができる。
第1の導体パターン10のパッド12を同電位に維持する第2の導体パターン11は、共通ライン32と、共通ライン32から分岐されてパッド12に至る複数の枝ライン33とで構成されている。そのため、共通ライン32を基板2から除去することで、第2の導体パターン11によるパッド12間の電気的な接続を遮断することができる。
よって、パッド12の間の電気的な接続を遮断する作業を効率よく容易に行うことができ、発光装置1の生産性を高めることができる。
しかも、共通ライン32を削り取った後に残る凹部45は、基板2の端縁から予め決められた距離だけ離れているとともに、基板2の端縁とパッド12との間に位置されている。この結果、基板2の端縁とパッド12との間を結ぶ沿面距離が、基板2の端縁とパッド12との間を結ぶ空間距離よりも凹部45の深さに相当する分だけ長くなり、基板2の端縁からパッド12に至る絶縁距離を確保できる。
加えて、凹部45は、基板2の貫通部6に対応した位置に、貫通部6を迂回するように湾曲された湾曲部46を有している。そのため、貫通部6の縁から湾曲部46までの絶縁距離を同等に確保することができ、基板2の絶縁耐圧(dielectric strength)が向上する。よって、貫通部6を通るねじ8が金属製である場合でも、ねじ8とパッド12との間の絶縁性を十分に確保でき、発光装置1の電気的絶縁の信頼性を向上できる。
また、上述した第1の実施形態によると、封止部材4a、4bが、レジスト層48の係合突部48aをその中に受け入れた状態で硬化されているので、封止部材4a、4bが基板2の面から剥離する不具合を抑制できる。特に、封止部材4a、4b中に埋まる係合突部48aを設けることで、封止部材4a、4bのレジスト層48に対する接着強度を増すことができる。
さらに、本実施形態では、レジスト層48の表面は、発光素子3の上面の高さより低い位置に形成されているので、レジスト層48が発光素子3から出射される光の障害となることを軽減でき、発光効率を高めることができる。
次に、第2の実施形態に係る発光装置60について、図8を参照して説明する。
本実施形態の発光装置60は、封止部材4a、4bの代りに、発光素子3を個々に被覆して封止する封止部材4cを設けた以外、上述した第1の実施形態の発光装置1と略同じ構造を有する。よって、第1の実施形態と同一又は相当部分には、同一符号を付し重複した説明は省略する。
本実施形態の発光装置60は、封止部材4a、4bの代りに、発光素子3を個々に被覆して封止する封止部材4cを設けた以外、上述した第1の実施形態の発光装置1と略同じ構造を有する。よって、第1の実施形態と同一又は相当部分には、同一符号を付し重複した説明は省略する。
本実施形態のレジスト層48は、複数の発光素子3を個別に露出する複数の略円形の領域S(図示せず)を有する。これら複数の領域Sは、上述した第1の実施形態と同様に、レジスト層48にパターニングされる。つまり、各発光素子3に対応して設けられた複数の封止部材4cより一周り小さい領域Sが各発光素子3の周りに形成される。この場合、レジスト層48の各領域Sの縁には、それぞれ、図5に断面を示すような係合突部48aが突設される。
よって、本実施形態においても、レジスト層48の複数の領域Sを覆うように複数の封止部材4cを設けることで、各封止部材4cがレジスト層48に固着され、封止部材4cが容易に剥離されることが無い。特に、本実施形態のように、レジスト層48に複数の領域Sを設けることで、より多くの(長い)係合突部48aを設けることができ、封止部材4cの接着強度をより強くすることができる。また、本実施形態によると、複数の小さな封止部材4cを用いたため、第1の実施形態と比較して、封止部材の量を減少でき、材料コストを低減できるとともに、レジスト層48が発光素子3から出射される光の障害となることを軽減でき、発光効率を良好なものとすることができる。
次に、第3の実施形態に係る発光装置70について、図9および図10を参照して説明する。図9は、発光装置70の要部を部分的に拡大した断面図を示してある。また、図10は、図9の領域Rを拡大した断面図を示してある。本実施形態の発光装置70は、図9に図示した構造以外、上述した第1の実施形態或いは第2の実施形態と同様の構造を有する。よって、ここでは、上述した実施形態と同様の構成には同一符号を付してその詳細な説明を省略する。
本実施形態によると、発光素子3を電気的に接続するボンディングワイヤ38、39は、発光素子3を取り付けたパッド12とはそれぞれ電気的に独立した電極パッド71、72に接続される。また、封止部材4(4a、4b、4c)の剥離を防止するためのレジスト層48の係合突部74は、各電極パッド71、72の発光素子3から離れた側のレジスト層48の縁部にそれぞれ設けられている。
本実施形態の係合突部74は、図10に示すように、レジスト層48の上面と電極パッド71(72)の表面をつなぐようにレジスト層48の厚さ方向に沿ってなだらかに湾曲した断面形状を有する。上述したように、係合突部74の断面形状は、紫外光の照射強度、照射角度、照射時間などを調整することで任意に設定できる。
以上のように、本実施形態によると、上述した第1および第2の実施形態と同様の効果を奏することができることに加え、レジスト層48の係合突部74に対する封止部材4の接着強度をより強固にできる。つまり、レジスト層48の縁を第1および第2の実施形態のように真っ直ぐ傾斜させた場合と比較して、封止部材4がレジスト層48に接触する面積を大きくすることができ、両者の間の接着強度をより高めることができる。
図11には、図10の係合突部74の変形例を示してある。この変形例に係る係合突部76は、電極パッド71(72)の表面から離間したレジスト層48の上面側が尖っているとともに、その先端から電極パッド71(72)に向けてレジスト層48の縁をえぐるように図中左側に湾曲した断面形状を有する。この変形例に係る係合突部76も、上述した第1乃至第3の実施形態の係合突部と同様に機能し、封止部材4の剥離を抑制することができる。特に、この係合突部76も、第1および第2の実施形態と比較して、封止部材4に接触する面積が大きいため、接着強度を高くできる。
以上述べた少なくともひとつの実施形態の発光装置および照明装置によれば、発光素子3を表面側に露出する領域Sの周りのレジスト層の縁に係合突部を持つことにより、封止部材の剥離を抑制することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
例えば、上述した実施形態では、レジスト層を、フォトレジスト材料を用いて形成したが、レジスト層の材料は、この材料に限定されるものではない。いかなる材料を用いたとしても、封止部材の剥離を抑制するための上述した係合突部を形成できれば良く、或いは、係合突部を構成する他の手段を適用してもよい。
また、上述した実施形態では、発光素子3を取り付けるパッドを、配線パターンとして用いたが、必ずしも配線パターンとして用いる必要はない。例えば、発光素子3からの熱を伝導して拡散するヒートスプレッダとしての機能や光を反射する機能を有していれば足りる場合がある。
また、封止部材には、例えば、蛍光体を用いることなく、発光素子から直接赤色光、緑色光、青色光を放射させるように構成してもよい。
さらに、照明装置としては、屋内又は屋外で使用される照明器具、ディスプレイ装置の光源などに適用可能である。
1…発光装置、2…基板、3…発光素子(LEDチップ)、4、4a、4b、4c…封止部材、12…パッド、48…レジスト層、48a…係合突部、100…照明装置。
Claims (7)
- 表面に発光素子を実装した基板と;
上記発光素子を実装した領域を除く上記基板の表面に積層された光反射層と;
この光反射層の上記領域に接する縁部に形成された係合突部と;
上記領域を埋めて上記係合突部を包囲するように上記発光素子を封止する封止部材と;
を有する発光装置。 - 上記係合突部は、上記光反射層の上記基板表面から離間した表面近くの上記縁部から上記封止部材に向けて突出している請求項1の発光装置。
- 上記係合突部は、上記光反射層の上記縁部を、該光反射層の表面から上記基板の表面に向けて上記領域を広げる方向に傾斜させて形成されている請求項2の発光装置。
- 上記係合突部は、上記光反射層の上記縁部を、上記領域に向けて湾曲させて突出させることで形成されている請求項2の発光装置。
- 上記係合突部は、上記光反射層の上記縁部を、該光反射層の表面から上記基板の表面に向けてえぐるように湾曲させて形成されている請求項2の発光装置。
- 上記光反射層の表面は、上記発光素子の高さより低い位置に形成されている請求項1に記載の発光装置。
- 装置本体と;
装置本体に配設された請求項1乃至請求項6のいずれかの発光装置と;
を具備する照明装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011010021A JP2012151358A (ja) | 2011-01-20 | 2011-01-20 | 発光装置及び照明装置 |
US13/024,376 US8616732B2 (en) | 2010-02-12 | 2011-02-10 | Light-emitting device and illumination device |
CN201110037796.4A CN102194976B (zh) | 2010-02-12 | 2011-02-11 | 发光装置和照明装置 |
EP11154159.5A EP2360417A3 (en) | 2010-02-12 | 2011-02-11 | Light-emitting device and illumination device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012151358A true JP2012151358A (ja) | 2012-08-09 |
Family
ID=46793319
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
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-
2011
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Cited By (3)
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