WO2011136236A1 - リードフレーム、配線板、発光ユニット、照明装置 - Google Patents

リードフレーム、配線板、発光ユニット、照明装置 Download PDF

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light emitting
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heat transfer
led chip
metal plate
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浦野　洋二
横谷　良二
葛原　一功
田中　健一郎
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パナソニック電工株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a lead frame, a wiring board, a light emitting unit, and a lighting device.
  • a heat sink 160, an LED chip 161 mounted on the heat sink 160, and the LED chip 161 and the heat sink 160 are electrically connected to each other through bonding wires 164a and 164b, respectively.
  • the pair of lead portions 330, the resin package 400 that integrally holds the heat sink 100 and each lead portion 330 and exposes the LED chip 161 on the front surface side, and a light transmissive resin on the front surface side of the resin package 400 The light emitting device 100 including the attachment lens 560 that is mounted so as to cover the portion 550 is described.
  • Patent Document 1 describes a lead frame 300 having a configuration shown in FIG. 61 as a lead frame 300 used for manufacturing the light emitting device 100 of FIG.
  • the lead frame 300 includes a pair of long parallel frame portions 310 formed in parallel to each other and a connecting frame portion 320 that connects the opposing parallel frame portions 310 that are arranged at equal intervals in the longitudinal direction of the parallel frame portion 310. And a pair of lead portions 330 that extend in the direction of approaching each other from the center portion of the adjacent connecting frame portions 320 and that end portions face each other at a predetermined distance, and a pair of parallel portions.
  • a support frame portion 340 extending from the frame portion 310 toward the end portion of each lead portion 330 is integrally formed.
  • a lighting fixture L including a light source device 101, a power supply device 102 that supplies operating power to the light source device 101, and a fixture main body 103 that stores them is proposed.
  • Patent Document 2 Japanese Patent Publication No. 2007-35890: Patent Document 2.
  • the light source device 101 includes a light source block BK and a case 106 that houses the light source block BK. As shown in FIG. 63, the light source block BK is surface-mounted by reflow soldering on the long printed circuit board 110 on which the wiring pattern 111 is formed on one side (front side) and the wiring pattern 111 on the printed circuit board 110. A plurality of light emitting diodes 4A to 4L.
  • the light-emitting diodes 4A to 4L are so-called surface-mounting high-intensity white light-emitting diodes. The mounting surface is exposed.
  • Patent Document 2 describes that the light emitting diodes 4A to 4L are arranged at substantially equal intervals in the longitudinal direction of the printed circuit board 110 and used as a pseudo line light source, as shown in FIG. 64A. Yes.
  • the printed circuit board 110 is a single-sided mounting board formed in the shape of a long rectangular plate. On the left end side, the output power lines 107a to 107c of the power supply apparatus 102 are connected to the wiring pattern 111. Three through holes 110a for connecting (see FIG. 62A) are provided. Further, screw holes 110b into which fixing screws S1 (see FIG. 62) for fixing the printed circuit board 110 to the instrument main body 103 are screwed are provided at both ends and the center of the printed circuit board 110 in the longitudinal direction. ing.
  • Examples of the material of the printed circuit board 110 include a paper base copper-clad laminate such as a paper base epoxy resin copper-clad laminate, a glass cloth base copper-clad laminate such as a glass cloth base epoxy resin copper-clad laminate, and a glass nonwoven fabric. Glass nonwoven copper-clad laminates such as substrate epoxy resin copper-clad laminates are described.
  • a wiring pattern 111 to which the light emitting diodes 4A to 4L and the like are connected is formed on the surface side of the printed board 110.
  • the wiring pattern 111 is formed using a conductive material such as copper foil.
  • a series circuit of light emitting diodes 4A to 4F and a series circuit of light emitting diodes 4G to 4L are connected in parallel in the forward direction.
  • solder resist 112 (see FIG. 64A) is formed.
  • a warp preventing portion 113 is formed on the other surface side (back surface side) of the printed circuit board 110. As shown in FIG. 63B, the warpage preventing portion 113 is formed in a shape substantially the same as the wiring pattern 111 using a copper foil. That is, the warp preventing portion 113 is a dummy wiring pattern having substantially the same shape as the wiring pattern 111.
  • the light emitting diodes 4A to 4L are surface-mounted on the printed circuit board 110, which is performed by reflow soldering.
  • the thermal expansion coefficient of the wiring pattern 111 is smaller than the thermal expansion coefficient of the printed circuit board 110.
  • the thermal expansion of the printed circuit board 110 is suppressed, and a force that warps to the surface side is generated on the printed circuit board 110.
  • the printed circuit board 110 is formed with the warpage prevention portion 113 having substantially the same shape as the wiring pattern 111 on the back surface side, the printed circuit board is caused by the difference in thermal expansion coefficient between the warpage prevention portion 113 and the printed circuit board 110.
  • Thermal expansion is also suppressed on the back side of 110, and a force that warps the back side is generated on printed circuit board 110. Therefore, in the printed circuit board 110, thermal expansion is suppressed on both surfaces (front surface and back surface). As a result, warpage due to the difference in thermal expansion coefficient between the wiring pattern 111 and the printed circuit board 110, and the warpage preventing unit 113 and the printed circuit board 110 are suppressed. The warpage caused by the difference in the thermal expansion coefficients of each other cancels each other, and the warpage of the printed circuit board 110 is reduced. Even when the temperature of the printed circuit board 110 decreases after passing through the reflow furnace, the warpage of the printed circuit board 110 is reduced for the same reason as described above.
  • the case 106 in which the light source block BK is accommodated is formed in a long box shape having a lower surface opened using a synthetic resin having translucency such as acrylic resin, and the lower edge of both inner side surfaces in the longitudinal direction. Supporting pieces 106a and 106a for supporting the printed circuit board 110 housed in the case 106 are integrally projected on the part.
  • a sealing material made of a resin having translucency such as a silicone resin is used to illuminate the case 106 as a whole and to improve the heat dissipation and waterproofness of the light source block BK. P is filled, heated and cured.
  • the antireflection portion 113 is coated with silk printing ink so as to cover the entire back surface of the printed circuit board 110 by silk printing (silk screen printing). It is described that it can be used. Further, in Patent Document 2, as the warpage preventing portion 113, the same material as the wiring pattern 111 or a metal material having substantially the same thermal expansion coefficient as the wiring pattern 111 is used to cover the entire back surface side of the printed circuit board 110. It is described that one formed in the above may be used. In this case, it is described that it is possible to improve the heat dissipation of heat-generating components such as the light-emitting diodes 4A to 4L mounted on the printed circuit board 110.
  • the light source device having the configuration shown in FIG. 65 is provided on the first visible light LED chip 103, the first transparent substrate 161 on which the first visible light LED chip 103 is mounted, and the first transparent substrate 161. And a first transparent electrode 171 that supplies power to one visible light LED chip 103.
  • the light source device includes a second visible light LED chip 104, a second transparent substrate 162 on which the second visible light LED chip 104 is mounted so as to face the mounting surface side of the first transparent substrate 161, And a second transparent electrode 172 that is provided on the second transparent substrate 162 and supplies power to the second visible light LED chip 104.
  • the light from the first visible light LED chip 103 can be extracted to the outside through the second transparent electrode 172 and the second transparent substrate 162, and the second visible light can be extracted.
  • Light from the LED chip 104 can be extracted outside through the first transparent electrode 171 and the first transparent substrate 161.
  • the light emitting unit main body 602 of the lighting device 600 includes a pair of mounting substrates 604 and 604 and a spacer 611 that integrally connects and fixes the mounting substrates 604 and 604 to form a gap 610 between the mounting substrates 604 and 604. Yes.
  • the light emitting unit main body 602 is attached to the surface side of the mounting substrates 604 and 604 and the plastic wiring substrates 608 and 608 for the LED light emitter 603 attached to and integrally attached to the surfaces of the mounting substrates 604 and 604.
  • the mounting substrate 604 has a long thin strip shape, and an aluminum extrusion mold is used.
  • the wiring board 608 has a plurality of LED light emitters 603 arranged at predetermined intervals.
  • a plurality of light emitting devices 100 are mounted on one wiring board to constitute, for example, an LED unit (light emitting unit) connected in series.
  • an LED unit light emitting unit
  • a metal base printed wiring board as the wiring board.
  • the pair of lead portions 330 of each light emitting device 100 may be soldered to a wiring pattern made of a copper foil pattern of a metal base printed wiring board of the wiring board.
  • the light emitting unit such as the light source block BK described above, it is possible to reduce the warp of the printed circuit board 110.
  • the heat generated in the light emitting diodes 4A to 4L is dissipated through the printed circuit board 110.
  • the light output of each of the light emitting diodes 4A to 4L is increased.
  • the temperature rise of the light emitting diodes 4A to 4L cannot be sufficiently suppressed.
  • the increase in the light output is limited.
  • heat generated in the first visible light LED chip 103 is radiated mainly through the first transparent electrode 171 and the first transparent substrate 161, and the second visible light LED chip.
  • the heat generated in 104 is considered to be dissipated mainly through the second transparent electrode 172 and the second transparent substrate 162. Therefore, in this light source device, for example, when the light output of the entire light source device is increased by increasing the light output of the first visible light LED chip 103 and the second visible light LED chip 104, There is a concern that the temperature rise of the first visible light LED chip 103 and the second visible light LED chip 104 cannot be sufficiently suppressed. For this reason, in the light source device having the configuration of FIG. 65, there is a possibility that the increase in the light output is limited.
  • the heat generated in the LED light emitter 603 is mainly radiated through the wiring board 608 and the mounting board 604.
  • the LED light emitting body when the light output of the entire light emitting unit main body 602 and the entire lighting device 600 is increased by increasing the light output of the LED light emitting body 603, the LED light emitting body.
  • the temperature increase of 603 cannot be sufficiently suppressed.
  • the high output of a light output may be restrict
  • the present invention has been made in view of the above reasons, and its object is to achieve a high output light output and to reduce the cost of a light emitting unit using a plurality of solid light emitting elements connected in series.
  • An object of the present invention is to provide a frame, a wiring board, a light emitting unit and a lighting device capable of increasing the light output.
  • the lead frame of the present invention is a lead frame formed by using a metal plate and having a desired wiring pattern supported inside a 1 pitch outer frame portion via a support piece, the wiring pattern being a solid-state light emitting device.
  • a heat sink extending from the die pad so as to surround the die pad, and one electrode electrically connected to the other electrode of the solid state light emitting device electrically connected to the heat sink
  • a plurality of unit units each having a lead are provided, and the lead of one unit unit of the unit units adjacent to each other and the heat sink of the other unit unit are connected and electrically connected in series.
  • the lead is disposed inside a cut groove formed from the outer peripheral edge of the heat sink toward the die pad.
  • the plurality of unit units are preferably arranged along the length direction of the outer frame portion.
  • the wiring pattern includes a wiring arranged on the side of the heat sink across the plurality of unit units, and the wiring is one unit at one end in the length direction of the outer frame portion. It is preferable to be connected to and electrically connected to the lead of the unit.
  • the pattern includes a wiring disposed on a side of the heat sink across the plurality of unit units, and the wiring is the unit unit at one end in the length direction of the outer frame portion. It is preferable that the lead is connected and electrically connected.
  • the wiring pattern includes wiring arranged on the side of the heat sink across the plurality of unit units.
  • the plurality of unit units are preferably arranged so as to surround the center of the region surrounded by the outer frame portion.
  • the wiring board of the present invention is formed using a first metal plate and has a module having a wiring pattern capable of serial connection of a plurality of solid state light emitting devices arranged on the main surface side, and is arranged on the back side of the module.
  • the second metal plate is electrically insulated and thermally conductive and is interposed between the module and the second metal plate to thermally couple the wiring pattern and the second metal plate.
  • the wiring pattern includes a die pad for mounting the solid-state light emitting element, a heat sink extending from the die pad so as to surround the die pad, and one electrode electrically connected to the heat sink.
  • a plurality of unit units each including a lead electrically connected to the other electrode of the solid state light emitting device, and the leads of one of the unit units adjacent to each other; And the heat sink of the other unit unit are connected and electrically connected in series, and the module is a holding unit made of an insulating material that holds the die pad, the heat sink, and the lead for each unit unit. It is characterized by providing.
  • the module is provided with a concavo-convex structure portion that improves adhesion to the holding portion at a side edge of the wiring pattern.
  • a first plating layer made of a metal material having higher oxidation resistance and corrosion resistance than the first metal plate is formed on the back surface of the wiring pattern to enhance adhesion with the insulating layer. It is preferable to be made.
  • a second surface made of a metal material having higher oxidation resistance and corrosion resistance than the first metal plate is formed on a main surface of a portion electrically connected to the die pad and the solid state light emitting device. It is preferable that a plating layer is formed.
  • the material of the first metal plate is preferably Cu
  • the second plating layer is preferably a laminated film of a Ni film, a Pd film, and an Au film.
  • the wiring board includes a connecting piece for connecting the lead of one of the unit units adjacent to the unit unit and the heat sink of the other unit unit, and a space between the connecting piece and the insulating layer.
  • the connecting piece includes a stress relaxation portion bent so as to relieve stress acting on the wiring pattern due to a difference in linear expansion coefficient between the first metal plate and the second metal plate. It is preferable.
  • the solid light emitting element is mounted on each die pad of the wiring board, and the solid light emitting element is provided with the one electrode on one surface side in the thickness direction and on the other surface side.
  • the other electrode is provided, and the one electrode is electrically connected to the heat sink via the die pad and the other electrode is electrically connected to the lead via a wire. It is characterized by that.
  • the solid light emitting element is mounted on each die pad of the wiring board, and the solid light emitting element is provided with the one electrode and the other electrode on one surface side in the thickness direction.
  • the one electrode is electrically connected to the heat sink via a first wire
  • the other electrode is electrically connected to the lead via a second wire.
  • an optical member for controlling the light distribution of the light emitted from the solid light emitting element for each unit unit, an optical member for controlling the light distribution of the light emitted from the solid light emitting element, and a dome-shaped optical member that houses the solid light emitting element between the wiring board and the light emitting unit.
  • a sealing portion made of a first light-transmitting material filled in a space surrounded by the optical member and the wiring board and sealing the solid-state light-emitting element, and radiated from the solid-state light-emitting element and sealed
  • a phosphor that emits light of a color different from the emission color of the solid-state light emitting element and a second translucent material, and is arranged so as to surround the optical member.
  • a dome-shaped color conversion member provided, wherein the holding portion of the wiring board is outside the optical member and overflows when the optical member is fixed to the wiring board.
  • Annular weir to dampen volatile materials The dam portion extends inward from the inner peripheral surface of the dam portion, and a plurality of claw portions that center the center of the dam portion and the central axis of the optical member are spaced apart in the circumferential direction. It is preferable that it is provided and also serves as a positioning portion for the color conversion member.
  • the present application includes an invention of a light emitting unit that can improve heat dissipation and can increase the light output.
  • the light emitting unit includes a mounting substrate and a plurality of solid light emitting elements disposed on one surface side of the mounting substrate, and the mounting substrate is formed of a first metal plate, and the solid light emitting elements are arranged on one surface.
  • a heat transfer plate mounted on the side, a wiring pattern formed of a second metal plate, disposed on the other surface side of the heat transfer plate and electrically connected to the solid state light emitting element, and the heat transfer plate; And an insulating layer interposed between the wiring patterns.
  • the insulating layer preferably contains a filler having a higher thermal conductivity than the thermosetting resin in the thermosetting resin.
  • the solid light emitting element is preferably an LED chip.
  • the heat transfer plate is such that the first metal plate is an aluminum plate, and an aluminum film having a higher purity than the aluminum plate is laminated on the side opposite to the insulating layer side of the aluminum plate, It is preferable that an aluminum film is laminated with a reflection enhancing film made of two kinds of dielectric films having different refractive indexes.
  • the light-emitting unit includes a color conversion unit including a phosphor and a translucent material that is excited by light emitted from the LED chip and emits light having a color different from that of the LED chip.
  • the part is preferably in contact with the heat transfer plate.
  • each of the LED chips is provided with a first electrode and a second electrode on one surface side in the thickness direction, and each of the first electrode and the second electrode is connected with the wire via a wire.
  • the heat transfer plate is electrically connected to a wiring pattern, and has a through-hole through which each of the wires passes.
  • the heat transfer plate has an elongated shape, the solid light emitting element is arranged along the longitudinal direction of the heat transfer plate, and the first metal plate is more than the second metal plate. It is preferable to provide a long base substrate disposed on the opposite side of the wiring pattern from the heat transfer plate side.
  • the base substrate is preferably made of a resin substrate in which a filler having a higher thermal conductivity than the resin is mixed with a resin.
  • the base substrate is formed of a third metal plate made of the same material as the first metal plate, and the same material as the first insulating layer, which is the insulating layer, between the base substrate and the wiring pattern. It is preferable that a second insulating layer made of is interposed.
  • the present application includes an invention of a lighting device that can improve heat dissipation and can increase the light output.
  • the illumination device includes the light emitting unit.
  • the present application includes inventions of a light emitting unit and a lighting device that can improve heat dissipation and can increase the light output.
  • the light emitting unit is formed of the first metal plate and is disposed apart from each other in the thickness direction, and on one surface side opposite to the mutual facing surface of each of the heat transfer plates.
  • the solid light emitting element is preferably an LED chip.
  • the heat transfer plate is such that the first metal plate is an aluminum plate, and an aluminum film having a higher purity than the aluminum plate is laminated on the side opposite to the insulating layer side of the aluminum plate, It is preferable that an aluminum film is laminated with a reflection enhancing film made of two kinds of dielectric films having different refractive indexes.
  • the light-emitting unit includes a color conversion unit including a phosphor and a translucent material that is excited by light emitted from the LED chip and emits light having a color different from that of the LED chip.
  • the part is preferably in contact with the heat transfer plate.
  • each of the LED chips is provided with a first electrode and a second electrode on one surface side in the thickness direction, and each of the first electrode and the second electrode is connected with the wire via a wire.
  • the heat transfer plate is electrically connected to a wiring pattern, and has a through-hole through which each of the wires passes.
  • the illumination device includes the light emitting unit.
  • FIG. 1A is a schematic perspective view of one pitch of the lead frame in the first embodiment
  • FIG. 1B is a schematic plan view of a main part of the lead frame in the first embodiment
  • FIG. 1C is a schematic plan view of a unit unit of the lead frame in the first embodiment.
  • It is. 3 is a schematic plan view showing an example of mounting LED chips on the lead frame in Embodiment 1.
  • FIG. FIG. 3 is a schematic plan view illustrating an example of an LED chip on a lead frame in the first embodiment.
  • 5 is a schematic perspective view of a metal plate used for manufacturing the lead frame in Embodiment 1.
  • FIG. 5A is a schematic perspective view of the wiring board according to the first embodiment
  • FIG. 5B is a schematic plan view of a main part of the wiring board according to the first embodiment.
  • 3 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of mounting LED chips and Zener diodes on the wiring board in Embodiment 1.
  • FIG. FIG. 7A is a schematic perspective view in which a part of the LED unit in Embodiment 1 is disassembled and broken
  • FIG. 7B is a schematic plan view of an essential part.
  • 3 is a schematic cross-sectional view of an LED unit in Embodiment 1.
  • FIG. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of another configuration example of the LED unit in Embodiment 1.
  • FIG. 10A is a schematic perspective view for explaining the manufacturing method of the LED unit in the first embodiment, and FIG.
  • FIG. 10B is a schematic plan view of the main part for explaining the manufacturing method of the LED unit in the first embodiment.
  • FIG. 11A is a schematic perspective view for explaining the manufacturing method of the LED unit in the first embodiment
  • FIG. 11B is a schematic plan view of a main part for explaining the manufacturing method of the LED unit in the first embodiment.
  • FIG. 12A is a schematic perspective view for explaining the manufacturing method of the LED unit in the first embodiment
  • FIG. 12B is a schematic plan view of the main part for explaining the manufacturing method of the LED unit in the first embodiment.
  • 3 is a schematic plan view showing an example of mounting LED chips on the lead frame in Embodiment 1.
  • FIG. 14A is a main part schematic plan view showing another configuration example of the wiring board in the first embodiment
  • FIG. 14B is a main part schematic sectional view showing another configuration example of the wiring board in the first embodiment.
  • 6 is a schematic plan view illustrating an example of mounting LED chips on another configuration example of the wiring board according to Embodiment 1.
  • FIG. 6 is a schematic perspective view illustrating still another configuration example of the wiring board according to Embodiment 1.
  • FIG. 17A is a schematic perspective view showing another configuration example of the wiring board in the first embodiment
  • FIG. 17B is a perspective view of a main part showing another configuration example of the wiring board in the first embodiment.
  • FIG. 18A is a schematic perspective view of two pitches of the lead frame in the second embodiment
  • FIG. 18B is a schematic plan view of a main part of the lead frame in the second embodiment.
  • FIG. 19A is a schematic perspective view for explaining the manufacturing method of the LED unit in the second embodiment
  • FIG. 19B is a schematic plan view of the main part for explaining the manufacturing method of the LED unit in the second embodiment.
  • FIG. 20A is a schematic perspective view for explaining the manufacturing method of the LED unit in the second embodiment
  • FIG. 20B is a schematic plan view of the main part for explaining the manufacturing method of the LED unit in the second embodiment.
  • 10 is a schematic perspective view for explaining a method for manufacturing the LED unit in Embodiment 2.
  • FIG. 10 is a schematic perspective view for explaining a method for manufacturing the LED unit in Embodiment 2.
  • FIG. 10 is a schematic perspective view for explaining a method for manufacturing the LED unit in Embodiment 2.
  • FIG. 10 is a schematic perspective view for explaining a method for manufacturing the LED unit in Embodiment 2.
  • FIG. 10 is a schematic perspective view for explaining a method for manufacturing the LED unit in Embodiment 2.
  • FIG. 10 is a schematic perspective view for explaining
  • FIG. 10 is a schematic perspective view for explaining a method for manufacturing the LED unit in Embodiment 2.
  • FIG. FIG. 25A is a schematic perspective view of a main part of a light emitting unit according to Embodiment 3
  • FIG. 25B is a perspective view of a main part of the light emitting unit according to Embodiment 3 partially broken. It is the schematic perspective view which a part of light emitting unit of Embodiment 3 fractured. It is a principal part schematic sectional drawing of the light emission unit of Embodiment 3.
  • FIG. 6 is a schematic perspective view of a mounting board in a light emitting unit according to Embodiment 3.
  • FIG. FIG. 6 is a schematic exploded perspective view of a mounting board in the light emitting unit of Embodiment 3.
  • FIG. 6 is a perspective view of a main part of a mounting board in a light emitting unit according to Embodiment 3.
  • FIG. It is explanatory drawing of the manufacturing method of the mounting substrate in the light emitting unit of Embodiment 3.
  • FIG. It is explanatory drawing of the manufacturing method of the mounting substrate in the light emitting unit of Embodiment 3.
  • FIG. It is a principal part schematic sectional drawing of the other structural example of the light emission unit of Embodiment 3.
  • FIG. FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of a main part of still another configuration example of the light emitting unit according to Embodiment 3.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of a main part of another configuration example of the light emitting unit of Embodiment 3.
  • FIG. 6 is a schematic exploded perspective view of a mounting board in a light emitting unit of Embodiment 4.
  • FIG. 10 is a schematic exploded perspective view of a light emitting unit according to a fifth embodiment. It is a principal part schematic perspective view of the illuminating device of Embodiment 5.
  • FIG. It is a principal part schematic exploded perspective view of the illuminating device of Embodiment 5.
  • FIG. It is principal part explanatory drawing of the illuminating device of Embodiment 5.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of a main part of another configuration example of the light emitting units of Embodiments 3 to 5.
  • FIG. 10 is a schematic perspective view of a main part of another configuration example of the light emitting units of Embodiments 3 to 5.
  • It is a schematic perspective view of the light emitting unit of Embodiment 6.
  • 46A is a schematic perspective view of a main part of a double-sided light emitting unit according to Embodiment 7
  • FIG. 46B is a perspective view of an essential part of the double-sided light emitting unit according to Embodiment 7 partially broken.
  • It is a schematic perspective view of the double-sided light emitting unit of Embodiment 7.
  • FIG. 10 is a schematic exploded perspective view of a mounting board in a double-sided light emitting unit of Embodiment 7. It is a schematic sectional drawing of the double-sided light emission unit of Embodiment 7. It is a principal part perspective view of the mounting substrate in the double-sided light emitting unit of Embodiment 7. It is explanatory drawing of the manufacturing method of the mounting substrate in the double-sided light emission unit of Embodiment 7. It is explanatory drawing of the manufacturing method of the mounting substrate in the double-sided light emission unit of Embodiment 7. It is explanatory drawing of the manufacturing method of the mounting substrate in the double-sided light emission unit of Embodiment 7. It is a schematic sectional drawing of the other structural example of the double-sided light emission unit of Embodiment 7. FIG.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of still another configuration example of the double-sided light emitting unit of Embodiment 7. It is a schematic sectional drawing of another structural example of the double-sided light emission unit of Embodiment 7.
  • FIG. 12 is a perspective view of a principal part of another configuration example of the double-sided light emitting unit of Embodiment 7 with a part broken away. It is a schematic perspective view of the illuminating device of Embodiment 7. It is a schematic perspective view of the double-sided light emitting unit of Embodiment 8. It is a schematic exploded perspective view of the illuminating device of Embodiment 8. It is a schematic sectional drawing which shows the conventional light-emitting device.
  • FIG. 62A is a cross-sectional view of a part of a conventional lighting fixture
  • FIG. 62B is a top view of a part of the lighting fixture of the conventional example
  • FIG. 63A is a front view of a printed circuit board used for a conventional lighting fixture
  • FIG. 63B is a back view of the printed circuit board used for the conventional lighting fixture
  • 64A is a front view of a printed circuit board on which a light emitting diode is mounted
  • FIG. 64B is a rear view of the printed circuit board showing another example.
  • It is a schematic block diagram of the light source device of a prior art example. It is principal part sectional drawing of the illuminating device of a prior art example. It is the top view which a part of mounting substrate in the light emission part main body of the prior art example cut away.
  • the lead frame 230 in the present embodiment is a lead frame 230 in which a desired pattern 233 is supported via a support piece 232 inside a 1 pitch outer frame portion 231.
  • the lead frame 230 is formed by using a strip-shaped metal plate 203 (see FIG. 4), and the outer frame portion 231 is formed in a rectangular frame shape, and the outer peripheral shape is an elongated rectangular shape.
  • . 4 shows only a portion corresponding to one pitch of the lead frame 230, the belt-like metal plate 203 may be constituted by a part of a metal hoop material.
  • the pattern 233 constitutes a wiring pattern.
  • the pattern 233 of the lead frame 230 includes a die pad 234 on which the LED chip 210 (see FIGS. 2 and 3) having a pair of electrodes is mounted, a heat sink 235 extending from the die pad 234 so as to surround the die pad 234, and a pair
  • the unit unit 233a having a lead 236 electrically connected to the other electrode of the LED chip 210, one of which is electrically connected to the heat sink 235 (only the unit unit 233a in FIG. 1C)
  • the lead 236 of one unit unit 233a of the unit units 233a adjacent to each other and the heat sink 235 of the other unit unit 233a are connected and electrically connected in series.
  • the LED chip 210 constitutes a solid light emitting element.
  • the lead 236 of one unit unit 233a and the heat sink 235 of the other unit unit 233a are connected via a connecting piece 237 that is wider than the lead 236.
  • each of the unit units 233a of the lead frame 230 having a pair of electrodes formed on one side in the thickness direction as the LED chip 210 for example, as shown in FIG.
  • One electrode may be electrically connected to the heat sink 235 via the bonding wire 214, and the other electrode of the LED chip 210 may be electrically connected to the lead 236 via the bonding wire 214.
  • one electrode is electrically connected to the die pad 234 via the first bump, and the other electrode is connected to the lead 236 via the second bump.
  • the bonding wire 214 forms a wire.
  • the LED chip 210 having electrodes formed on both surfaces in the thickness direction is mounted, for example, as shown in FIG. 3, one electrode of the LED chip 210 is connected to the heat sink 235 via the die pad 234. And the other electrode of the LED chip 210 may be electrically connected to the lead 236 through the bonding wire 214.
  • the number of unit units 233a per pitch is eight, but this number is not particularly limited and may be plural.
  • a plurality of unit units 233a are arranged along the length direction of the outer frame portion 231 (left-right direction in FIG. 1B). Further, the pattern 233 of the lead frame 230 includes a linear wiring 238 disposed on the side of the heat sink 235 across the plurality of unit units 233a.
  • the wiring 238 is electrically connected to the lead 236 of one unit unit 233a (the leftmost unit unit 233a in FIG. 1A) in the length direction of the outer frame portion 231 (that is, the arrangement direction of the unit units 233a). It is connected to the.
  • the above-described lead 236 is disposed inside a cut groove 235 a formed from the outer peripheral edge of the heat sink 235 toward the die pad 234. Further, the lead frame 230 shown in FIG. 1 is provided with two leads 236 for each unit unit 233a, and the heat sink 235 is formed so that the two cut grooves 235a approach each other and the position of the center line is shifted. Has been.
  • One lead 236 of the two leads 236 is formed in a straight line and is disposed inside one cut groove 235a.
  • the other lead 236 includes a linear first portion disposed inside the other cut groove 235a and the end of the first portion opposite to the die pad 234 side to the connecting piece 237. And a second portion disposed along the outer edge of the heat sink 235.
  • the metal plate 203 As a material of the metal plate 203 (see FIG. 4) which is the basis of the lead frame 230, copper having a relatively high thermal conductivity among the metal materials (the thermal conductivity of copper is about 398 W / m ⁇ K) is used. Although preferable, it is not limited to copper, and may be phosphor bronze, for example.
  • the metal plate 203 may be made of a copper alloy (for example, 42 alloy).
  • the thickness of the metal plate 203 is preferably set in the range of about 100 ⁇ m to 1500 ⁇ m, for example.
  • the lead 236 may be disposed outside the heat sink 235 without providing the notch groove 235a in the heat sink 235.
  • a cut groove 235a is provided in the heat sink 235 as shown in FIG. It is preferable to arrange the leads 236 so as to enter the groove 235a.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a state in which the LED chip 210 and a Zener diode ZD described later are mounted on the wiring board 240.
  • the wiring board 240 includes a module 241 having a pattern 233 that can be connected in series with a plurality of LED chips 210 that are formed using the lead frame 230 and arranged on the main surface side. That is, the wiring board 240 has a pattern 233 of the lead frame 230 formed using the metal plate 203 (hereinafter referred to as the first metal plate 203) shown in FIG.
  • the pattern 233 of the wiring board 240 includes a plurality of unit units 233a including the die pad 234, the heat sink 235, and the leads 236, and the leads 236 and the other unit of one unit unit 233a of the unit units 233a adjacent to each other.
  • a heat sink 235 of the unit 233a is connected and electrically connected in series.
  • the module 241 of the wiring board 240 includes a holding portion 244 made of an insulating material that surrounds and holds the die pad 234, the heat sink 235, and the lead 236 for each unit unit 233a.
  • the holding portion 244 is formed so as to cover the surface of the pattern 233 except for a part of each of the die pad 234, the lead 236, the heat sink 235, and the wiring 238.
  • the holding portion 244 may be formed so as to expose at least the back surface of the pattern 233 and the mounting portion of the electronic components (LED chip 210, Zener diode ZD, connector CN described later, etc.). .
  • the above-mentioned holding portion 244 is formed by injection molding (injection molding).
  • an insulating material of the holding portion 244 a material having a small difference in linear expansion coefficient from the first metal plate 203 is preferable, and a liquid crystal polymer is used. Other resin materials such as, ceramics such as alumina may be used. Further, as the insulating material of the holding portion 244, a white material having a high reflectance with respect to the light emitted from the LED chip 210 is preferable.
  • the wiring board 240 includes a second metal plate 242 disposed on the back side of the module 241 and an insulating layer 243 interposed between the module 241 and the second metal plate 242.
  • the insulating layer 243 has electrical insulation and thermal conductivity, and has a function of thermally coupling the pattern 233 and the second metal plate 242.
  • the second metal plate 242 functions as a heat radiating plate (heat transfer plate), and as the material of the second metal plate 242, a metal material having a high thermal conductivity such as copper or aluminum can be adopted. preferable.
  • the thickness of the second metal plate 242 may be set, for example, in the range of about 0.5 mm to 10 mm.
  • the thermal conductivity of aluminum is about 237 W / m ⁇ K.
  • the insulating layer 243 described above contains a filler composed of a filler such as silica or alumina, and has a property of lowering viscosity and increasing fluidity when heated, and a plastic film (PET film).
  • a filler composed of a filler such as silica or alumina
  • PET film plastic film
  • thermosetting the epoxy resin layer of a thermosetting sheet-like adhesive for example, an adhesive sheet TSA manufactured by Toray Industries, Inc.
  • the epoxy resin layer of the sheet-like adhesive has properties of being electrically insulating and having high thermal conductivity, high fluidity during heating, and high adhesion to the uneven surface.
  • each LED chip 210 to the second metal plate 242.
  • the thermal resistance of the LED chip 210 can be reduced, variation in thermal resistance can be reduced, heat dissipation can be improved, and the temperature increase of the junction temperature of each LED chip 210 can be suppressed, so that the input power can be increased and the light output can be increased. Can be planned.
  • the thickness of the epoxy resin layer described above is set to 100 ⁇ m, but this value is merely an example, and is not particularly limited. For example, the thickness may be appropriately set in the range of about 50 ⁇ m to 150 ⁇ m.
  • the thermal conductivity of the epoxy resin layer is preferably 4 W / m ⁇ K or more.
  • the second metal plate 242 the epoxy resin layer, and the module 241 may be appropriately pressed.
  • the fixing performance between the module 241 and the second metal plate 242 decreases.
  • the electrical insulation between the module 241 and the second metal plate 242 may be lowered. That is, there is a trade-off relationship between fixing performance and electrical insulation. Therefore, when the second metal plate 242 has a large heat capacity and cannot satisfy both the fixing performance and the electrical insulation requirements, for example, the two epoxy resin layers of the sheet adhesive are overlapped.
  • one epoxy resin layer is cured at 170 ° C. to ensure electrical insulation and thermal conductivity
  • the other epoxy resin layer is cured at 150 ° C. to ensure fixing performance and thermal conductivity. You can do it. More specifically, after one epoxy resin layer is fixed to one surface of the second metal plate 242 as an object at 170 ° C., the other epoxy resin layer and the module 241 are overlapped to overlap the other epoxy resin layer. May be cured at 150 ° C.
  • the outer size that determines the outer peripheral shape of each of the insulating layer 243 and the second metal plate 242 is aligned with the outer size of the outer frame portion 231 of the lead frame 230, but it is not necessarily required to be aligned.
  • the wiring board 240 is formed on the back surface of the pattern 233 with a first plating layer (made of a metal material having higher oxidation resistance and corrosion resistance than the first metal plate 203 and having high adhesion to the insulating layer 243 ( (Not shown) is formed.
  • a first plating layer made of a metal material having higher oxidation resistance and corrosion resistance than the first metal plate 203 and having high adhesion to the insulating layer 243 (Not shown) is formed.
  • the material of the first metal plate 203 is Cu, for example, Ni or the like may be employed as the material of the first plating layer.
  • the wiring board 240 can suppress the oxidation and corrosion of the pattern 233 by suppressing the deterioration of the fixing performance between the pattern 233 and the insulating layer 243 by forming the first plating layer on the back surface of the pattern 233. It becomes possible to do. As a result, it is possible to suppress the temporal change in the thermal resistance between the die pad 234 and the heat sink 235 and the
  • the module 241 is provided with a concavo-convex structure portion 239 (see FIG. 6) that improves the adhesion to the holding portion 244 at the side edge of the pattern 233.
  • the lead frame 230 described above has the uneven structure portion 239 formed on the side edge of the pattern 233 at the time of manufacture.
  • the concavo-convex structure portion 239 is formed by providing a step that reduces the thickness on at least one of both surfaces of the lead frame 230 in the thickness direction.
  • a press working method or an etching method may be appropriately employed.
  • the lead frame 230 is formed by patterning the first metal plate 203 by pressing or etching.
  • the above-described module 241 can improve the adhesion between the pattern 233 and the holding portion 244 by providing the uneven structure portion 239 on the side edge of the pattern 233. Therefore, when the module 241 is cut from the lead frame 230, the holding portion 244 can be prevented from being peeled off or dropped from the pattern 233.
  • the wiring board 240 is provided with the uneven structure portion 239 on the side edge of the pattern 233, thereby increasing the creepage distance between the LED chip 210 mounted on the die pad 234 and the second metal plate 242. be able to.
  • the wiring board 240 can be mounted with a zener diode ZD in the pattern 233 where the die pad 234 and the LED chip 210 are electrically connected (the tip of the lead 236 to which the bonding wire 214 may be bonded).
  • a second plating made of a metal material having higher oxidation resistance and corrosion resistance than the first metal plate 203 on the main surface of each of the parts, and a part on which a power supply connector CN described later can be mounted.
  • a layer 247 (see FIG. 10B) is formed.
  • the adhesion between the LED chip 210, the Zener diode ZD, the connector CN and the like is reduced due to the oxidation of the pattern 233, and the LED chip 210, the Zener diode ZD, and the connector CN are fixed due to the corrosion of the pattern 233. It is possible to suppress a decrease in performance.
  • the second plating layer 247 radiates from the LED chip 210 if the second plating layer 247 is formed of a laminated film of a Ni film, a Pd film, and an Au film, for example. Part of the emitted light can be reflected by the second plating layer 247, so that the light extraction efficiency can be improved.
  • the wiring board 240 is made of a Ni film that is formed at the same time as the Ni film that is the lowermost layer of the second plating layer 247 on the main surface side of the pattern 233 where the second plating layer 247 is not formed.
  • a third plating layer (not shown) is formed.
  • the second metal plate 242 is formed in a long plate shape, but a plurality of fins may be provided on the side opposite to the module 241 side.
  • the fins in this case may be formed, for example, along the longitudinal direction of the second metal plate 242 and arranged at an equal pitch in the short direction of the second metal plate 242.
  • the LED chip 210 is mounted on each die pad 234 of the wiring board 240 described above.
  • the LED chip 210 is provided with a pair of electrodes 211, 212 (see FIG. 6) on one surface side in the thickness direction, and one electrode 211 is electrically connected to the lead 236 via the bonding wire 214, The other electrode 212 is electrically connected to the heat sink 235 via the bonding wire 214.
  • the LED chip 210 may have electrodes formed on both surfaces in the thickness direction. In this case, one electrode is electrically connected to the heat sink 235 via the die pad 234 and the other electrode is a bonding wire. It is only necessary to be electrically connected to the lead 236 via (see FIG. 3).
  • the surface mount type Zener diode ZD for preventing the overvoltage is provided on the wiring board 240 of the LED unit 250, and the heat sink 235 and the bonding wire 214 are bonded.
  • the lead 236 is arranged so as to straddle the lead 236 which is not made. Therefore, the Zener diode ZD is electrically connected to the heat sink 235 and the lead 236. Note that the Zener diode ZD is electrically connected by joining the pair of external connection electrodes of the Zener diode ZD to the second plating layer 247 of each of the heat sink 235 and the lead 236 with solder or the like.
  • the LED unit 250 includes an optical member 260 that controls the light distribution of the light emitted from the LED chip 210 for each unit unit 233a of the pattern 233.
  • the optical member 260 is formed in a dome shape with a translucent material, and is fixed to the main surface side of the wiring board 240 so as to accommodate the LED chip 210 between the optical member 260 and the wiring board 240.
  • a sealing portion 255 made of a first light-transmitting material that seals the LED chip 210 and the bonding wire 214 electrically connected to the LED chip 210.
  • the sealing part 255 is made into a gel by adopting a silicone resin as the first light-transmitting material, for example.
  • the LED unit 250 includes a phosphor that emits light of a color different from the emission color of the LED chip 210 and is excited by the light emitted from the LED chip 210 and transmitted through the sealing portion 255 and the optical member 260.
  • a dome-shaped color conversion member 270 made of a translucent material is provided.
  • the color conversion member 270 is disposed on the main surface side of the wiring board 240 so as to surround the LED chip 210 and the like with the wiring board 240. More specifically, the color conversion member 270 is disposed so that an air layer 280 is formed between the wiring board 240 and the light emitting surface 260b of the optical member 260 on the one surface side.
  • the holding portion 244 of the wiring board 240 is an annular weir that dams the first translucent material that overflows when the optical member 260 is fixed to the wiring board 240 outside the optical member 260 on the one surface. A portion 245 is projected.
  • dam portion 245 extends inward from the inner peripheral surface of the dam portion 245 to center the center of the dam portion 245 and the central axis of the optical member 260 (four in this embodiment) claw portions 246. Are spaced apart from each other in the circumferential direction and also serve as a positioning portion for the color conversion member 270.
  • the LED unit 250 described above includes, for each unit unit 233a, the light emitting device 201 that includes the unit unit 233a, the holding unit 244, the LED chip 210, the sealing unit 255, the optical member 260, and the color conversion member 270.
  • the light emitting devices 201 adjacent to each other in the arrangement direction of the unit units 233a are connected by a connecting piece 237 and electrically connected in series.
  • the LED chip 210 is a GaN-based blue LED chip that emits blue light, and is a light-emitting unit that is formed of a GaN-based compound semiconductor material on the main surface side of the crystal growth substrate and has, for example, a double-layer structure. After a substrate is epitaxially grown, a support substrate (for example, a Si substrate) that supports the light emitting portion is fixed to the light emitting portion, and then the crystal growth substrate is removed.
  • the structure of the LED chip 210 is not particularly limited.
  • a light emitting portion is provided on the main surface side of a crystal growth substrate made of an n-type SiC substrate or an n-type GaN substrate, and electrodes are provided on both sides in the thickness direction. It may be provided.
  • Each electrode is composed of, for example, a laminated film of a Ni film and an Au film. However, these materials are not particularly limited and may be any material that can obtain good ohmic characteristics. Aluminum or the like may be used.
  • the LED chip 210 is provided with a support substrate such as a Si substrate as described above, or when a SiC substrate or a GaN substrate is used, a sapphire substrate that is an insulator is left as a substrate for crystal growth. Compared to the case, the thermal resistance from the light emitting portion to the die pad 234 can be reduced. Moreover, the light radiated
  • the LED chip 10 is mounted on the die pad 234 of the wiring board 240 as shown in FIG.
  • the heat generated in the LED chip 210 can be dissipated through the path of the die pad 234, the insulating layer 243, and the second metal plate 242.
  • the LED chip 210 is attached to the die pad 234 via a submount member 215 that relieves stress acting on the LED chip 210 due to a difference in linear expansion coefficient between the LED chip 210 and the die pad 234. You may make it mount.
  • the submount member 215 is formed in a rectangular plate shape having a planar size larger than the chip size of the LED chip 210.
  • the submount member 215 has not only a function of relieving the stress but also a heat conduction function of transferring heat generated in the LED chip 210 to a range wider than the chip size of the LED chip 210 in the unit unit 233a. . Therefore, the LED unit 250 can efficiently dissipate the heat generated in the LED chip 210 through the submount member 215, the unit unit 233a, and the second metal plate 242. Further, the light emitting device 201 includes the submount member 215, so that the stress acting on the LED chip 210 due to the difference in linear expansion coefficient between the LED chip 210 and the die pad 234 can be relieved.
  • the material of the submount member 215 AlN having a relatively high thermal conductivity and an insulating property is adopted.
  • the LED chip 210 and the submount member 215 may be bonded using, for example, solder such as SnPb, AuSn, SnAgCu, or silver paste, but may be bonded using lead-free solder such as AuSn, SnAgCu. It is preferable.
  • solder such as SnPb, AuSn, SnAgCu, or silver paste
  • lead-free solder such as AuSn, SnAgCu. It is preferable.
  • the submount member 215 is AlN and is bonded using AuSn, a pretreatment for forming a metal layer made of Au or Ag in advance on the bonding surface of the submount member 215 and the LED chip 210 is necessary.
  • the submount member 215 and the die pad 234 are preferably bonded using, for example, lead-free solder such as AuSn or SnAgCu.
  • lead-free solder such as AuSn or SnAgCu.
  • the material of the submount member 215 is not limited to AlN, and any material that has a relatively small linear expansion coefficient difference from the LED chip 210 and a relatively high thermal conductivity may be used. For example, composite SiC, Si, CuW, etc. It may be adopted.
  • the thickness of the submount member 215 is preferably set so that the surface of the submount member 215 is farther from the unit unit 233a than the surface of the dam portion 245 of the wiring board 240. By setting the submount member 215 to such a thickness dimension, light emitted from the LED chip 210 to the side can be prevented from being absorbed by the holding portion 244 through the inner peripheral surface of the weir portion 245. It becomes possible.
  • the submount member 215 reflects light emitted from the LED chip 210 around a bonding portion with the LED chip 210 on the surface to which the LED chip 210 is bonded (that is, a portion overlapping the LED chip 210).
  • a reflective film is formed. Therefore, the light emitted from the side surface of the LED chip 210 can be prevented from being absorbed by the submount member 215, and the light extraction efficiency to the outside can be further increased.
  • the reflective film in the submount member 215 may be formed of, for example, a laminated film of a Ni film and an Ag film, but the material of the reflective film is not particularly limited.
  • the emission wavelength of the LED chip 210 It may be appropriately selected depending on the situation.
  • the LED chip 210 When the LED chip 210 having electrodes provided on both sides in the thickness direction is used, the LED chip 210 is electrically connected to an electrode disposed on the submount member 215 side of the LED chip 210.
  • a conductor pattern may be provided, and the conductor pattern and the heat sink 235 may be electrically connected via a bonding wire made of a thin metal wire (for example, a gold wire, an aluminum wire).
  • the holding portion 244 of the wiring board 240 is provided for each unit unit 233a as described above, and a circular shape that exposes a part of the die pad 234 and each lead 236 in the central portion of the holding portion 244.
  • a first opening 244a (see FIG. 5B) is formed, and a rectangular second opening 244b (see FIG. 5B) that exposes a portion where the Zener diode ZD is mounted is formed.
  • the second opening 244b is formed to expose a part of the lead 236 that is disposed along the outer peripheral edge of the heat sink 235 and a part of the heat sink 235 near the part.
  • the holding portion 244 is formed with a rectangular third opening 244c (see FIG. 5B) that exposes a portion where a connector CN described later can be mounted.
  • the third opening 244c is formed so as to expose a part of the wiring 238 and a part of the heat sink 235 near the part.
  • the wiring board 240 is a second layer formed of a multilayer film of a Ni film, a Pd film, and an Au film on the surface side of the pattern 233 and also in a portion exposed by each of the second opening 244b and the third opening 244c.
  • the plating layer 247 is formed. Further, on the surface side of the pattern 233, a third plating layer made of a Ni film is formed except for a portion where the second plating layer 247 is formed.
  • the silicone resin is used as the first translucent material of the sealing portion 255 described above, it is not limited to the silicone resin, and for example, an acrylic resin may be used. Moreover, you may use glass as a 1st translucent material.
  • the optical member 260 is a molded product of a translucent material (for example, silicone resin, acrylic resin, glass, etc.) and is formed in a dome shape.
  • a translucent material for example, silicone resin, acrylic resin, glass, etc.
  • the optical member 260 is formed of a molded product of silicone resin, the difference in refractive index and linear expansion coefficient between the optical member 260 and the sealing portion 255 can be reduced.
  • the material of the sealing part 255 is an acrylic resin, it is preferable that the optical member 260 is also formed of an acrylic resin.
  • the optical member 260 has a light emitting surface 260b formed in a convex curved surface shape that does not totally reflect the light incident from the light incident surface 260a at the boundary between the light emitting surface 260b and the air layer 280 described above.
  • the optical axis 210 and the optical axis coincide with each other. Therefore, the light emitted from the LED chip 210 and incident on the light incident surface 260a of the optical member 260 can easily reach the color conversion member 270 without being totally reflected at the boundary between the light emitting surface 260b and the air layer 280.
  • the total luminous flux can be increased.
  • the optical member 260 is formed to have a uniform thickness along the normal direction regardless of the position.
  • the color conversion member 270 is a mixture of a second light-transmitting material such as a silicone resin and yellow phosphor particles that are excited by the blue light emitted from the LED chip 210 and emit broad yellow light. It is comprised by the molded article of a mixture. Therefore, in the LED unit 250, the blue light emitted from the LED chip 210 and the light emitted from the yellow phosphor are emitted through the outer surface 270b of the color conversion member 270, and white light can be obtained.
  • a second light-transmitting material such as a silicone resin
  • yellow phosphor particles that are excited by the blue light emitted from the LED chip 210 and emit broad yellow light. It is comprised by the molded article of a mixture. Therefore, in the LED unit 250, the blue light emitted from the LED chip 210 and the light emitted from the yellow phosphor are emitted through the outer surface 270b of the color conversion member 270, and white light can be obtained.
  • the second light-transmitting material used as the material of the color conversion member 270 is not limited to silicone resin, but, for example, acrylic resin, glass, organic / inorganic in which organic and inorganic components are mixed and bonded at the nm level or molecular level A hybrid material or the like may be used.
  • the phosphor particles mixed with the second light-transmitting material used as the material of the color conversion member 270 are not limited to the yellow phosphor. For example, white light can be obtained even when a red phosphor and a green phosphor are mixed. The color rendering properties can be improved when the red phosphor and the green phosphor are mixed.
  • the color conversion member 270 has an inner surface 270 a formed along the light emission surface 260 b of the optical member 260. Therefore, the distance between the light emitting surface 260b in the normal direction and the inner surface 270a of the color conversion member 270 is a substantially constant value regardless of the position of the light emitting surface 260b of the optical member 260. Further, the color conversion member 270 is formed so that the thickness along the normal direction is uniform regardless of the position. In addition, the color conversion member 270 may be fixed to the wiring board 240 with an edge (periphery of the opening) on the wiring board 240 side using, for example, an adhesive (for example, a silicone resin, an epoxy resin, or the like).
  • an adhesive for example, a silicone resin, an epoxy resin, or the like.
  • the weir portion 245 also serves as a positioning portion for the color conversion member 270.
  • the number of the claw portions 246 for centering described above is not limited to four, but it is desirable to provide at least three.
  • the width dimension of the claw portion 246 is desirably smaller in order to increase the allowable amount of the first light transmissive material that can be accumulated between the dam portion 245 and the optical member 260.
  • an annular groove for positioning the color conversion member 270 may be provided on the wiring board 240 without providing the dam portion 245.
  • the color conversion member 270 has a notch 271 (see FIG. 8) that engages with the weir 245 at the end on the wiring board 240 side over the entire circumference. Therefore, in the light emitting device 201 in this embodiment, the positioning accuracy of the color conversion member 270 with respect to the holding portion 244 of the wiring board 240 can be increased, and the interval between the color conversion member 270 and the optical member 260 can be shortened. it can. Note that the cutout portion 271 is open on the edge side and the inner surface 270a side of the color conversion member 270.
  • the light emitting device 201 (the leftmost light emitting device 201 in FIG. 7A) having the one unit unit 233a in the arrangement direction of the plurality of unit units 233a and the other unit unit.
  • a connector CN is mounted on the light emitting device 201 provided with 233a (the rightmost light emitting device 201 in FIG. 7A).
  • the connector CN is a surface mount type connector, and one contact of the pair of contacts is joined and electrically connected to the heat sink 235 by soldering, and the other contact is connected to the wiring 238. They are joined by soldering and electrically connected.
  • a connector (hereinafter referred to as an output connector) 291 that is detachably connected to a connector CN of the light emitting device 201 at the right end of the LED unit 250 at one end (hereinafter referred to as an output connector).
  • an input connector (Referred to as an input connector) 292 is connected to a connector at the output end of the lighting device (not shown), the power can be supplied from the lighting device to the series circuit of the LED chips 210 of the LED unit 250 to light it.
  • the connector CN and the input connector 292 of the light emitting device 201 at the right end of the LED unit 250 are respectively a female connector, the output connector 291 and the connector of the light emitting device 201 at the left end of the LED unit 250.
  • Each CN is a male connector, but the female and male connectors may be reversed.
  • the connector CN can be mounted for each light emitting device 201, a plurality of (eight in the example of FIG. 7) light emitting devices 201 that can be manufactured per pitch of the lead frame 230 when the LED unit 250 is manufactured. Of these, only an arbitrary number of light emitting devices 201 can be cut out and used.
  • a first plating step of forming a first plating layer made of a Ni film on the back surface of the pattern 233 and forming a third plating layer made of a Ni film on the main surface of the pattern 233 is performed.
  • the structure shown in FIG. 10 is obtained by performing the second plating process for forming the Pd film and the Au film of the plating layer 247. Note that, in the first plating step, the first plating layer and the third plating layer are also formed on the support piece 232 of the lead frame 230 at a portion located inside the outer peripheral edge of the holding portion 244. In the second plating step, the amount of Au used can be reduced and the cost can be reduced by forming the third plating layer by spot plating.
  • the structure shown in FIG. 11 in which the module 241 is supported by the outer frame portion 231 via the support piece 232 is obtained by performing a molding step of injection molding (injection molding) of the holding portion 244. .
  • the LED chip 210 is mounted on the die pad 234, the Zener diode ZD and the connector CN are mounted, and appropriate portions of the LED chip 210 and the unit unit 233a (in the case of FIG. 2, the lead 236 and the heat sink 235, in the case of FIG. 3). , Lead 236 only), and a mounting process for performing electrical connection with the bonding wire 214 is performed. Thereafter, a sealing process for sealing the LED chip 210 and the bonding wire 214 with the sealing portion 255 is performed. In this sealing step, first, a liquid first translucent material (for example, a part of the sealing portion 255 in the gap between the outer surface of the LED chip 210 and the inner peripheral surface of the first opening 244a).
  • the pattern 233 supported on the inner side of the outer frame portion 231 of one pitch via the support piece 232 includes the die pad 234 on which the LED chip 210 is mounted, and the die pad 234 to the die pad 234.
  • a plurality of the unit units 233a adjacent to each other, the lead 236 of one unit unit 233a and the heat sink 235 of the other unit unit 233a are connected and electrically connected in series.
  • the lead frame 230 in the present embodiment can suppress the temperature rise of the LED chip 210 to increase the light output, and the low cost of the LED unit 250 that uses a plurality of LED chips 210 connected in series.
  • an LED unit 250 manufactured using the lead frame 230 includes a plurality of light emitting devices 100 having the configuration shown in FIG. 60 manufactured using the lead frame 300 shown in FIG. Compared to an LED unit that uses LED chips 161 connected in series, the cost can be reduced.
  • the lead 236 is disposed inside the cut groove 235 a formed from the outer peripheral edge of the heat sink 235 toward the die pad 234, so the distance between the die pad 234 and the lead 236. Can be shortened. As a result, the distance between the LED chip 210 and the lead 236 can be shortened, and the length of the bonding wire 214 connected to the LED chip 210 can be shortened. Therefore, the optical member 260 and the color conversion member 270 can be reduced in size.
  • the lead frame 230 of the present embodiment can be used for manufacturing the elongated LED unit 250 because the plurality of unit units 233a are arranged along the length direction of the outer frame portion 231. .
  • the lead frame 230 in the present embodiment includes a wiring 238 in which the pattern 233 is disposed on the side of the heat sink 235 across the plurality of unit units 233a, and the wiring 238 is in the length direction of the outer frame portion 231. Are connected to and electrically connected to the lead 236 of the unit unit 233a at one end.
  • the lead frame 230 can be used in a state where one LED chip 210 is mounted for each unit unit 233a and the pattern 233 is separated from the outer frame portion 231 as in the LED unit 250 described above.
  • power can be supplied to the series circuits of all the LED chips 210.
  • the wiring board 240 in the present embodiment includes a module 241 having a pattern 233 that can be connected in series with a plurality of LED chips 210 that are formed using the first metal plate 203 and arranged on the main surface side.
  • the pattern 233 and the second metal plate 242 are interposed between the second metal plate 242 disposed on the back side of the metal plate 242 and the module 241 and the second metal plate 242 having electrical insulation and thermal conductivity.
  • the pattern 233 is cut from the lead frame 230 described above. Since the module 241 includes the holding portion 244 made of an insulating material that holds the die pad 234, the heat sink 235, and the lead 236 for each unit unit 233a of the pattern 233, the wiring board 240 includes the temperature of the LED chip 210. An increase in light output can be achieved by suppressing the rise, and the cost of the LED unit 250 that uses a plurality of LED chips 210 connected in series can be reduced.
  • the LED chip 210 is mounted on each die pad 234 of the wiring board 240 described above, and when both electrodes are provided on one surface side in the thickness direction of the LED chip 210, As shown in FIG. 2, each electrode of the LED chip 210 is electrically connected to the lead 236 and the heat sink 235 via bonding wires 214. Therefore, in the LED unit 250 of this embodiment, heat generated in the LED chip 210 is efficiently radiated through the second metal plate 242 from the die pad 234 and the heat sink 235 formed using the lead frame 230 described above. As a result, the temperature rise of the LED chip 210 can be suppressed, the light output can be increased, and the cost can be reduced.
  • one electrode of the LED chip 210 is electrically connected to the heat sink 235 via the die pad 234 as shown in FIG. And the other electrode is electrically connected to the lead 236 via the bonding wire 214. Even in this configuration, the temperature rise of the LED chip 210 can be suppressed, and the light output can be increased. Cost reduction can be achieved.
  • each of the light emitting devices 201 of the LED unit 250 in the present embodiment has an air layer 280 interposed between the dome-shaped color conversion member 270 and the optical member 260, the light emitting device 201 is radiated from the LED chip 210 and sealed.
  • the amount of light that is scattered toward the optical member 260 and transmitted through the optical member 260 can be reduced.
  • the light extraction efficiency to the outside of each light emitting device 201 can be improved.
  • the second opening 244b and the third opening 244c are formed in the holding part 244 of the wiring board 240, so that the lead 236, the heat sink 235, and the wiring 238 are the first.
  • the second plating layer 247 may be formed by spot plating at a portion exposed by the second opening 244b and the third opening 244c, and the second opening 244b and the third opening 244c, respectively.
  • Each of the Zener diode ZD and the connector CN can be mounted with high positional accuracy using the mark as a mark.
  • one LED chip 210 having a chip size of 1 mm ⁇ is mounted on each unit unit 233a, but the chip size and number of LED chips 210 are not particularly limited.
  • an LED chip 210 having a chip size of 0.3 mm ⁇ may be used, and as shown in FIG. 13, a plurality of (two in the illustrated example) LED chips are provided for one unit unit 233a. 210 may be implemented. In this case, two LED chips 210 are connected in parallel for each unit unit 233a, and parallel circuits of the two LED chips 210 are connected in series by the number of unit units 233a. Also, a plurality of LED chips 210 may be mounted on the submount member 215 shown in FIG.
  • the pattern 233 includes the wiring 238 disposed on the side of the heat sink 235 across the plurality of unit units 233a, and this wiring 238 is the outer frame portion 231.
  • the lead frame 230 may be configured such that the wiring 238 can be used as a feed wiring without connecting the wiring 238 and the lead 236 of the unit unit 233a at one end.
  • the second plating layer 247 (the two upper left two plating layers 247 in FIG. 14A) formed on each of the lead 236 and the wiring 238 may be exposed.
  • a plurality of LED units 250 are arranged in a straight line, and between adjacent LED units 250, a connector for feed wiring connected to the unit unit 233a at one end of one LED unit 250, and the other LED unit 250.
  • the connector CN mounted on the unit unit 233a at the other end is electrically connected by a connector cable, and power is supplied to all the LED units 250 from one lighting device to light them. Can do.
  • the two cut grooves 235a of the heat sink 235 are oriented so as to approach each other and the center line is aligned, so that as shown in FIG.
  • the degree of freedom in designing the layout of the LED chips 210 when a large number of LED chips 210 are mounted on the die pad 234 is increased.
  • the pattern 233 formed using the lead frame 230 is the lead 236 of one unit unit 233a of the unit unit 233a adjacent to each other, and the other unit unit 233a. Since the connecting piece 237 is connected to the heat sink 235, the cost of the LED unit 250 can be reduced.
  • the first metal plate 203 and the second metal plate 242 have a linear expansion coefficient.
  • the pattern 233 is caused to be an insulating layer due to stress acting on the pattern 233 due to a difference in linear expansion coefficient between the first metal plate 203 and the second metal plate 242 in the operating temperature range. There is a concern of peeling from 243.
  • connection piece 237 in the wiring board 240, a space 248 is provided between the connection piece 237 and the insulating layer 243, and the connection piece 237 includes the first metal plate 203 and the second metal. You may make it provide the stress relaxation part 237b bent so that the stress which acts on the pattern 233 resulting from the linear expansion coefficient difference with the board 242 may be relieved. Further, since the pattern 233 of the wiring board 240 shown in FIG. 16 also includes the wiring 238, the wiring 238 is also located between the wiring 238 and the insulating layer 243 with respect to the portion located on the side of the connecting piece 237.
  • a space 249 is provided, and a stress relaxation portion 238b bent so as to relieve the stress acting on the pattern 233 due to the difference in linear expansion coefficient between the first metal plate 203 and the second metal plate 242 is provided.
  • the longitudinal direction of the second metal plate 242 (that is, the direction in which the unit units 233a are arranged) is the x-axis direction
  • the short direction of the second metal plate 242 is the y-axis direction
  • the stress relaxation portions 237b and 238b in FIG. 16 are bent so that the cross-section (xz plane) orthogonal to the y-axis direction has an inverted V shape.
  • the wiring board 240 as shown in FIG. 16 since the stress relaxation portions 237b and 238b are provided, materials having different linear expansion coefficients are adopted for the first metal plate 203 and the second metal plate 242. Even in this case, the pattern 233 can be prevented from peeling from the insulating layer 243 due to the stress acting on the pattern 233 due to the difference in linear expansion coefficient between the first metal plate 203 and the second metal plate 242. It becomes possible.
  • the shape of the stress relaxation portions 237b and 238b is not limited to the example of FIG. 16, and may be a shape as shown in FIG.
  • the stress relaxation portions 237b and 238b in FIG. 17 are bent in a V shape in a plane (xy plane) parallel to the joint surface of the second metal plate 242 and the insulating layer 243 in the connecting piece 237 and the wiring 238, respectively. ing.
  • the stress relaxation part 237b of the connecting piece 237 and the stress relaxation part 238b of the wiring 238 are bent so that the respective central parts are separated from each other.
  • the shape of the stress relaxation parts 237b and 238b is not particularly limited to the V shape, and other shapes may be used.
  • the pattern 233 includes the wiring 238, but the wiring 238 is not necessarily provided.
  • FIGS. 18A and 18B The basic configuration of the lead frame 230 of this embodiment shown in FIGS. 18A and 18B is substantially the same as that of Embodiment 1, and a plurality of unit units 233a are arranged so as to surround the center of the area surrounded by the outer frame portion 231. Differences are made.
  • symbol is attached
  • FIG. 18A is a schematic perspective view of two pitches of the lead frame 230.
  • the lead frame 230 has a plurality (10 in the illustrated example) of unit units 233a arranged on two concentric virtual circles, on a virtual circle positioned relatively inside. Compared to the number of die pads 234, the number of die pads 234 on the virtual circle located relatively outside is increased. Therefore, the wiring board 240 (see FIG. 22) manufactured using the lead frame 230 has the same die pad 234 arrangement as the lead frame 230. Further, in the LED unit 250 (see FIG. 24) manufactured using the wiring board 240, the number of LED chips 210 (see FIGS. 8 and 9) mounted on each die pad 234 is the same (for example, one). Then, on the basis of these two virtual circles, the number of LED chips 210 on the virtual circle relatively positioned on the outer side is larger than the number of LED chips 210 on the virtual circle relatively positioned on the inner side. Become more.
  • the pattern 233 of the lead frame 230 includes two power supply lines 139 extending from the heat sinks 235 of the two unit units 233a in order to supply power to the series circuit of the LED chips 210.
  • a second plating layer 247 (see FIG. 22) having a stacked structure of a Ni film, a Pd film, and an Au film is formed on the main surface of the tip portion of the two power supply lines 139. Yes. Therefore, for example, by connecting a power supply wire from a lighting device (not shown) to each of the second plating layers 247 of the two power supply lines 139, power is supplied to the series circuit of the LED unit 210 to light it. Is possible.
  • the second metal plate 242 is formed in a disc shape, and a pair of electric wires for power feeding is provided at the center of the second metal plate 242.
  • a wire insertion hole 242c that can be inserted is formed.
  • a plurality of (four in the illustrated example) holes 242d into which the screws used when the LED unit 250 is attached to another member such as a fixture main body of the lighting fixture can be inserted in the peripheral portion of the second metal plate 242. are formed at substantially equal intervals in the circumferential direction of the second metal plate 242.
  • a Ni film is formed on the back surface of the pattern 233.
  • a first plating step of forming a first plating layer and forming a third plating layer made of a Ni film on the main surface of the pattern 233 is performed, followed by the Pd film and the Au film of the second plating layer 247
  • the structure shown in FIG. 19 is obtained by performing the second plating step for forming.
  • the structure shown in FIG. 20 is obtained in which the module 241 is supported by the outer frame portion 231 via the support piece 232 by performing a molding step of injection molding (injection molding) of the holding portion 244. .
  • a cutting step of cutting the module 241 from the support piece 232 of the lead frame 230 is performed, and a bonding step of bonding the module 241 and the second metal plate 242 via the insulating layer 243 is performed.
  • the wiring board 240 having the structure shown in FIG. 22 is obtained.
  • the second metal plate 242 and the insulating layer 243 those capable of obtaining a large number are used.
  • an LED chip 210 is mounted on the die pad 234 and a Zener diode ZD (see FIG. 23) is mounted, and a mounting process is performed in which the LED chip 210 and an appropriate portion of the unit unit 233a are electrically connected by a bonding wire 214.
  • a sealing process is performed in which the LED chip 210 and the bonding wire 214 (see FIGS. 2 and 3) are sealed by the sealing portion 255 (see FIGS. 8 and 9).
  • a liquid first transparent light that becomes a part of the sealing portion 255 in the gap between the outer surface of the LED chip 210 and the inner peripheral surface of the first opening 244a (see FIG. 20B).
  • a functional material for example, silicone resin, acrylic resin, glass, etc.
  • a liquid first translucent material for example, a silicone resin, which becomes the remaining portion of the sealing portion 255 described above inside the dome-shaped optical member 260 (see FIGS. 8, 9, and 23). Inject acrylic resin, glass, etc.).
  • the optical member 260 is disposed at a predetermined position on the wiring board 240 and the first translucent material is cured to form the sealing portion 255, and at the same time, the optical member 260 is fixed to the wiring board 240.
  • the mounting process first mounting process
  • a fixing process for fixing the color conversion member 270 to the wiring board 240 is performed, thereby performing FIG. As shown, a plurality of LED units 250 are obtained. Then, the LED unit 250 shown in FIG. 24 is obtained by cutting into individual LED units 250.
  • the plurality of unit units 233a are arranged so as to surround the center of the area surrounded by the outer frame portion 231, and thus the plurality of LED chips 210 are connected in series.
  • the cost of the circular LED unit 250 to be used can be reduced.
  • the wiring board 240 in this embodiment can also suppress the temperature rise of the LED chip 210 and increase the light output as in the first embodiment, and the LED used by connecting a plurality of LED chips 210 in series. The cost of the unit 250 can be reduced.
  • heat generated in the LED chip 210 passes through the second metal plate 242 from the die pad 234 and the heat sink 235 formed using the lead frame 230 described above.
  • the heat is efficiently dissipated, the temperature rise of the LED chip 210 can be suppressed, the light output can be increased, and the cost can be reduced.
  • the space 248 described with reference to FIGS. 16 and 17, the stress relaxation portion 237b, and the like may be provided.
  • the light emitting device 201 includes the color conversion member 270.
  • the LED chip 210 can emit white light alone, or when the phosphor is dispersed in the sealing portion 255, the light emitting device 201 includes the color conversion member 270.
  • a structure without the color conversion member 270 can be employed.
  • the light emitting unit 1 includes a mounting substrate 2 and a plurality of solid state light emitting elements 3 arranged on one surface side of the mounting substrate 2.
  • the mounting substrate 2 includes a heat transfer plate 21 on which each solid light emitting element 3 is mounted on one surface side, a wiring pattern 22 that is disposed on the other surface side of the heat transfer plate 21 and to which the solid light emitting element 3 is electrically connected, An insulating layer 23 (first insulating layer 23) interposed between the heat transfer plate 21 and the wiring pattern 22 is provided.
  • the heat transfer plate 21 is formed of a first metal plate
  • the wiring pattern 22 is formed of a second metal plate having a linear expansion coefficient different from that of the first metal plate.
  • the mounting substrate 2 has a smaller difference in linear expansion coefficient from the first metal plate than the second metal plate, and a base substrate 24 disposed on the opposite side of the wiring pattern 22 from the heat transfer plate 21 side, and the wiring pattern 22. And a second insulating layer 25 interposed between the base substrate 24 and the base substrate 24.
  • the mounting substrate 2 is formed in a long shape, and a plurality of solid state light emitting elements 3 are arranged along the longitudinal direction of the mounting substrate 2 on the one surface side.
  • the heat transfer plate 21 is formed in a long shape (here, an elongated rectangular plate shape).
  • a metal having high thermal conductivity such as aluminum or copper is preferable.
  • the material of the first metal plate is not limited to these, and may be stainless steel or steel, for example.
  • the heat exchanger plate 21 has a function as a reflecting plate, and it is more preferable to employ aluminum as the material of the first metal plate.
  • the first metal plate is an aluminum plate, an aluminum film having a higher purity than the aluminum plate is laminated on the opposite side of the aluminum plate to the first insulating layer 23 side, and the refractive index of the aluminum film is It is preferable that a reflection enhancing film made of two different types of dielectric films is laminated.
  • the two types of dielectric films for example, an SiO 2 film and a TiO 2 film are preferably employed.
  • heat transfer plate 21 for example, MIRO2 or MIRO (registered trademark) manufactured by alanod can be used.
  • MIRO2 or MIRO registered trademark
  • an anodized surface may be used.
  • the thickness of the heat transfer plate 21 may be set as appropriate within a range of about 0.2 to 3 mm, for example.
  • the LED chip is used as the solid-state light emitting element 3, but the LED chip is not limited to this.
  • the LED chip may be housed in a package.
  • a laser diode semiconductor laser
  • an organic EL element or the like may be used as the solid light emitting element 3.
  • the solid state light emitting device 3 is provided with a first electrode (anode electrode) 31 and a second electrode (cathode electrode) 32 on one surface side in the thickness direction, and the other surface side in the thickness direction is joined. It is joined to the heat transfer plate 21 via the part 35.
  • each of the first electrode 31 and the second electrode 32 is electrically connected to the wiring pattern 22 via a wire (bonding wire) 26.
  • the heat transfer plate 21 is formed with a through hole 21b through which each wire 26 passes.
  • the through-holes 21 b are formed on both sides of the mounting region of the solid light emitting element 3 in the width direction of the heat transfer plate 21.
  • the through hole 21b has a circular opening shape.
  • the inner diameter of the through hole 21b is set to 0.5 mm, but this value is an example and is not particularly limited.
  • the shape of the through hole 21b is not limited to a circular shape, and may be, for example, a rectangular shape or an elliptical shape.
  • the bonding portion 35 may be formed of a die bond material.
  • the LED chip is a GaN-based blue LED chip that emits blue light, and uses a sapphire substrate as a substrate.
  • the substrate of the LED chip is not limited to the sapphire substrate, and may be a GaN substrate, a SiC substrate, a Si substrate, or the like.
  • the structure of the LED chip is not particularly limited.
  • the chip size of the LED chip is not particularly limited. For example, a chip size of 0.3 mm ⁇ , 0.45 mm ⁇ , or 1 mm ⁇ can be used.
  • the material and light emission color of the light emitting layer of the LED chip are not particularly limited. That is, the LED chip is not limited to the blue LED chip, and for example, a violet light LED chip, an ultraviolet light LED chip, a red LED chip, a green LED chip, or the like may be used.
  • the die bond material for example, a silicone-based die bond material, an epoxy-based die bond material, a silver paste, or the like can be used.
  • wire 26 for example, a gold wire, an aluminum wire, or the like can be used.
  • the solid light emitting element 3 and the wire 26 are sealed on the one surface side of the heat transfer plate 21.
  • a portion 36 is preferably provided.
  • a silicone resin that is a first light transmissive material is used as the material of the sealing portion 36.
  • the first light transmissive material is not limited to a silicone resin, and for example, an epoxy resin, an acrylic resin, glass, or the like may be used.
  • the light emitting unit 1 has a wavelength conversion material that emits light of a color different from the emission color of the LED chip in order to obtain high output white light.
  • a color conversion unit 37 is preferably provided.
  • a color conversion unit 37 for example, a phosphor that is excited by light emitted from the LED chip and emits light of a color different from the emission color of the LED chip is used as the wavelength conversion material. Those containing two light-transmitting materials are preferred.
  • the light emitting unit 1 uses, for example, a blue LED chip as the LED chip and a yellow phosphor as the phosphor of the color conversion unit 37, white light can be obtained. That is, the light emitting unit 1 emits the blue light emitted from the LED chip and the light emitted from the yellow phosphor through the surface of the color conversion unit 37 and can obtain white light.
  • Silicone resin is used as the second translucent material used as the material of the color conversion unit 37, but is not limited to this.
  • acrylic resin, glass, organic component and inorganic component are mixed at the nm level or the molecular level.
  • a combined organic / inorganic hybrid material may be employed.
  • the phosphor used as the material of the color conversion unit 37 is not limited to the yellow phosphor.
  • the color rendering can be achieved by using a yellow phosphor and a red phosphor, or using a red phosphor and a green phosphor. It becomes possible to raise.
  • the phosphor used as the material of the color conversion unit 37 is not limited to one type of yellow phosphor, and two types of yellow phosphors having different emission peak wavelengths may be used.
  • the LED chip can emit white light alone, when the phosphor is dispersed in the sealing portion 36, or when the light color desired to be obtained by the light emitting unit 1 is the same as the emission color of the LED chip. Can adopt a structure that does not include the color conversion unit 37.
  • the color conversion unit 37 is preferably in contact with the heat transfer plate 21. Thereby, the light emitting unit 1 can dissipate not only the heat generated in the LED chip but also the heat generated in the color conversion unit 37 through the heat transfer plate 21, and can increase the light output. It becomes.
  • the color conversion unit 37 is formed in a semi-cylindrical shape, and the LED chip and the sealing unit 36 are provided between the heat transfer plate 21 and the heat transfer plate 21 on the one surface side. It is arranged in a form surrounding. More specifically, the color conversion unit 37 is disposed such that a gas layer (for example, an air layer) 38 is formed between the heat transfer plate 21 and the sealing unit 36 on the one surface side.
  • the color conversion unit 37 may have a hemispherical shape, and the color conversion unit 37 may seal the LED chip and the wire 26 that are the solid light emitting elements 3.
  • the light emitting unit 1 has a color conversion portion 37 in a dome shape, and the color conversion portion 37 seals the LED chip and the wire 26 that are the solid light emitting elements 3. Good.
  • the color conversion unit 37 is formed in a layered shape, and the LED chip and the wire 26 that are the solid light emitting elements 3 are sealed by the color conversion unit 37. Good.
  • the color conversion part 37 like FIG.27 and FIG.34 uses what was shape
  • the color conversion part 37 as shown in FIG. 33 can be formed by a shaping
  • the color conversion unit 37 as shown in FIG. 35 can be formed by, for example, a coating method using a dispenser or a screen printing method.
  • the wiring pattern 22 is formed of the second metal plate having a linear expansion coefficient different from that of the heat transfer plate 21 as described above.
  • the second metal plate uses a lead frame 120 (see FIG. 32C) formed by stamping a metal hoop material with a press.
  • the material of the second metal plate is preferably copper having a relatively high thermal conductivity among metals (the thermal conductivity of copper is about 398 W / m ⁇ K), but is not limited to copper, for example, phosphor bronze, etc. Alternatively, a copper alloy (for example, 42 alloy) may be used.
  • the thickness of the second metal plate is preferably set in the range of about 100 ⁇ m to 1500 ⁇ m, for example.
  • the lead frame 120 is configured such that the wiring pattern 22 is supported on the inner side of the outer frame portion 121 via a support piece 122 (see FIG. 32D).
  • a first pattern 22 a to which the first electrode 31 of the solid state light emitting device 3 is connected and a second pattern 22 b to which the second electrode 32 is connected are arranged in the width direction of the heat transfer plate 21.
  • the wiring pattern 22 includes a predetermined number (for example, 16) of the first pattern 22a and the second pattern 22b, respectively.
  • each of the first pattern 22a and the second pattern 22b The heat transfer plates 21 are arranged side by side in the longitudinal direction.
  • the first pattern 22a and the second pattern 22b are formed in a rectangular shape, and are arranged so that the longitudinal direction thereof coincides with the heat transfer plate 21.
  • the first patterns 22a arranged in the longitudinal direction of the heat transfer plate 21 are divided into two sets, and the first patterns 22a forming the set are connected by a connecting piece 22c.
  • the wiring pattern 22 is divided into a set of two second patterns 22b of a specified number (for example, 16) arranged in the longitudinal direction of the heat transfer plate 21, and the second patterns 22b forming the set are separated from each other. They are connected and electrically connected by a connecting piece 22d.
  • the connecting pieces 22c and 22d are linear first portions 22ca and 22da arranged along the width direction of the heat transfer plate 21 and the heat transfer plate 21 from both longitudinal ends of the first portions 22ca and 22da.
  • the connecting piece 22c is formed narrower than the first pattern 22a
  • the connecting piece 22d is formed narrower than the second pattern 22b.
  • the wiring pattern 22 includes two first patterns 22a forming a set, a connecting piece 22c connecting the two first patterns 22a, two second patterns 22b forming a set,
  • One unit pattern 22u is constituted by the connecting piece 22d obtained by connecting the second patterns 22b.
  • a plurality of unit units 22 u are arranged along the length direction of the outer frame portion 121.
  • the first pattern 22a of one unit pattern 22u and the second pattern 22b of the other unit pattern 22u are connected by a connecting piece 22e. They are connected and electrically connected.
  • the connecting piece 22e is formed narrower than the first pattern 22a and the second pattern 22b.
  • the wiring pattern 22 can configure a parallel circuit by connecting in parallel a predetermined number (for example, six) of solid-state light emitting elements 3 arranged in the longitudinal direction of the heat transfer plate 21 for each unit pattern 22u.
  • a parallel circuit formed for each adjacent unit pattern 22u can be connected in series. Therefore, power can be supplied to all the solid state light emitting devices 3 by supplying power between the first pattern 22a at one end in the longitudinal direction of the heat transfer plate 21 and the second pattern 22b at the other end.
  • the first insulating layer 23 includes a filler made of a filler such as silica or alumina, and has a property of lowering viscosity during heating and increasing fluidity (thermosetting resin). It is formed by thermosetting an epoxy resin layer of a thermosetting sheet adhesive (for example, an adhesive sheet TSA manufactured by Toray Industries, Inc.) in which a plastic film (PET film) is laminated.
  • a thermosetting sheet adhesive for example, an adhesive sheet TSA manufactured by Toray Industries, Inc.
  • PET film plastic film
  • an insulating material having higher thermal conductivity than the epoxy resin that is a thermosetting resin may be used.
  • the epoxy resin layer of the sheet-like adhesive has properties of being electrically insulating and having high thermal conductivity, high fluidity during heating, and high adhesion to the uneven surface.
  • the thickness of the epoxy resin layer described above is set to 100 ⁇ m, but this value is merely an example, and is not particularly limited. For example, the thickness may be appropriately set in the range of about 50 ⁇ m to 150 ⁇ m.
  • the thermal conductivity of the epoxy resin layer is preferably 4 W / m ⁇ K or more.
  • the heat transfer plate 21, the epoxy resin layer, and the lead frame 120 having the wiring pattern 22 may be appropriately pressed.
  • the outer size of the first insulating layer 23 may be set as appropriate based on the outer size of the lead frame 120.
  • the first insulating layer 23 has electrical insulation and thermal conductivity, and has a function of electrically insulating and thermally coupling the heat transfer plate 21 and the wiring pattern 22.
  • the first insulating layer 23 is formed with through holes 23 b communicating with the respective through holes 21 b of the heat transfer plate 21. Therefore, at the time of manufacturing the light emitting unit 1, the wire 26 can be bonded to the wiring pattern 22 through the through hole 21 b of the heat transfer plate 21 and the through hole 23 b of the first insulating layer 23.
  • the first electrode 31 and the second electrode 32 of the solid state light emitting element 3 are respectively connected to the first pattern 22 a and the second pattern 22 b through the wire 26, and then, for example, a dispenser or the like
  • the material of the sealing portion 36 (see FIG. 27) is filled in the through hole 21b and the through hole 23b so that the wire 26 does not contact the first metal plate, and then the sealing portion 36 is formed.
  • the wiring pattern 22 is made of a metal material having higher oxidation resistance and corrosion resistance than the second metal plate, and a surface treatment layer (not shown) having high adhesion with the first insulating layer 23 is formed.
  • a surface treatment layer for example, a Ni film, a laminated film of Ni film and Au film, a laminated film of Ni film, Pd film and Au film, or the like may be formed.
  • the surface treatment layer may be formed by, for example, a plating method.
  • the base substrate 24 is formed in a long shape (here, an elongated rectangular plate shape).
  • the base substrate 24 is preferably formed of a material having a smaller difference in linear expansion coefficient from the first metal plate than the second metal plate.
  • the base substrate 24 is formed of a third metal plate made of the same material as the first metal plate. Therefore, the material of the third metal plate is preferably a metal having high thermal conductivity such as aluminum or copper.
  • the material of the third metal plate is not limited to these, and may be, for example, stainless steel or steel.
  • the thermal conductivity of aluminum is about 23 ppm
  • the thermal conductivity of copper is about 17 ppm.
  • the material of the second insulating layer 25 interposed between the wiring pattern 22 and the base substrate 24 it is preferable to adopt the same material as that of the first insulating layer 23.
  • the heating temperature of the above-mentioned epoxy resin layer is raised to about 170 ° C. and cured, the fixing performance between the heat transfer plate 21 and the wiring pattern 22 decreases, and heating is performed.
  • the temperature is lowered to about 150 ° C. and cured, the electrical insulation between the heat transfer plate 21 and the wiring pattern 22 may be lowered. That is, there is a trade-off relationship between fixing performance and electrical insulation. Therefore, in the present embodiment, as described later, the epoxy resin layers 123a and 133a (see FIGS. 31C and 32B) of the sheet-like adhesives 123 and 133 (see FIGS.
  • the epoxy resin layer 123a is cured at 170 ° C. to ensure electrical insulation and thermal conductivity
  • the other epoxy resin layer 133a is cured at 150 ° C. to ensure fixing performance and thermal conductivity.
  • the other epoxy resin layer 133a and the lead frame 120 are overlapped to overlap the other epoxy resin layer 133a. May be cured at 150 ° C.
  • FIG. 31 a method for manufacturing the mounting substrate 2 will be briefly described with reference to FIGS. 31 and 32.
  • FIG. 31 a method for manufacturing the mounting substrate 2 will be briefly described with reference to FIGS. 31 and 32.
  • the structure shown in FIG. 31A is obtained by forming the through holes 21b and the like in the heat transfer plate 21.
  • a sheet-like adhesive 123 is stacked on the other surface side of the heat transfer plate 21 so that the epoxy resin layer 123a is in contact with the heat transfer plate 21, and a predetermined pressure (
  • the sheet adhesive 123 is temporarily fixed to the heat transfer plate 21 by applying pressure at 0.5 MPa and heating at a first specified temperature (eg, 110 ° C. to 120 ° C.) lower than the curing temperature of the epoxy resin layer 123a. To do. Subsequently, the sheet adhesive 123 is cut to an appropriate length.
  • the heat transfer plate 21 to which the sheet-like adhesive 123 is temporarily fixed is naturally cooled. Subsequently, as shown in FIG. 31C, the plastic film 123b is peeled off from the epoxy resin layer 123a.
  • the heat transfer plate 21 on which the epoxy resin layer 123a is temporarily fixed is put into a drying furnace (not shown), and the epoxy resin layer 123a is heated and cured at a temperature equal to or higher than the curing temperature (for example, 170 ° C.). As a result, the epoxy resin layer 123a is permanently fixed to the heat transfer plate 21.
  • the sheet-like adhesive 133 is stacked on the epoxy resin layer 123a so that the epoxy resin layer 133a is in contact with the epoxy resin layer 123a, and is pressurized with a predetermined pressure (for example, 0.5 MPa) by the cylindrical rubber roller 140 and the epoxy resin.
  • the sheet adhesive 133 is temporarily fixed to the epoxy resin layer 123a by heating at a first specified temperature (for example, 110 ° C. to 120 ° C.) lower than the curing temperature of the layer 133a. Subsequently, the sheet adhesive 133 is cut to an appropriate length.
  • through holes 134 are formed in each region corresponding to the through holes 23b of the insulating layer 23 by, for example, a laser device 150 as shown in FIG. 32A.
  • the means for forming the through hole 134 is not limited to the laser device 150, and for example, a drill or the like may be used.
  • the plastic film 133b is peeled off from the epoxy resin layer 133a.
  • the epoxy resin layer 133a is heated to a temperature equal to or higher than the curing temperature in a drying furnace (not shown).
  • the lead frame 120 and the epoxy resin layer 133a are permanently fixed by curing at a temperature (for example, 150 ° C.). Thereby, the first insulating layer 23 is formed.
  • the wiring pattern 22 is cut from the support piece 122 of the lead frame 120, and the portion other than the wiring pattern 22 is removed from the lead frame 120 as shown in FIG. 32D.
  • the base substrate 24 and the wiring pattern 22 are bonded via the second insulating layer 25 in the same manner as the heat transfer plate 21 and the wiring pattern 22 are bonded via the first insulating layer 23.
  • the mounting substrate 2 of FIG. 28 can be obtained.
  • the solid light emitting element 3 is bonded to the one surface side of the mounting substrate 2, and then the first electrode 31 and the second electrode 32 of each solid light emitting element 3, the first pattern 22 a, and the second The pattern 22b may be electrically connected via the wire 26. Thereafter, the sealing portion 36 and the color conversion portion 37 may be provided on the one surface side of the mounting substrate 2 as necessary.
  • the above-described light emitting unit 1 includes the heat transfer plate 21 and the wiring pattern 22 formed by using the lead frame 120, so that the solid light emitting element 3 is mounted on a metal base printed wiring board. Compared to the above, it is possible to increase the optical output at low cost. In addition, by using the light-emitting unit 1 having a function as a reflector as the heat transfer plate 21, it is possible to reduce light loss in the heat transfer plate 21 and to increase the light output. It becomes possible. Therefore, the light emitting unit 1 of the present embodiment can also reduce power consumption.
  • the first metal plate of the heat transfer plate 21 is an aluminum plate, and an aluminum film having a higher purity than the aluminum plate is laminated on the side opposite to the first insulating layer 23 side in the aluminum plate,
  • an aluminum film in which an increasing reflection film made of two types of dielectric films having different refractive indexes is used it is possible to increase the light output.
  • the light emitting unit 1 uses an LED chip as the solid state light emitting element 3, it is possible to efficiently dissipate the heat generated in the LED chip and to increase the light output. It becomes possible to improve the utilization efficiency of the light emitted from the LED chip.
  • the light emitting unit 1 includes the color conversion unit 37 (see FIG.
  • the mounting substrate 2 is long and almost the entire wiring pattern 22 is joined to the first insulating layer 23, for example, the first metal plate and the second metal plate Due to the difference in linear expansion coefficient, there is a concern that the heat transfer plate 21 is warped due to a temperature change during manufacturing or use, or the wiring pattern 22 is peeled off from the first insulating layer 23.
  • the inventors of the present application have bent the connecting pieces 22 c and 22 d and the connecting piece 22 e described above, but include a base substrate 24 and a second insulating layer 25.
  • the heat transfer plate 21 is caused by the difference in linear expansion coefficient between the first metal plate and the second metal plate depending on the length of the heat transfer plate 21 and the length of the first pattern 22a and the second pattern 22b. It was found that 21 may be warped.
  • the light emitting unit 1 of the present embodiment includes the above-described base substrate 24. Further, in the light emitting unit 1 of the present embodiment, since the base substrate 24 is formed of the third metal plate, the base substrate 24 and the wiring pattern 22 are electrically insulated from each other in order to electrically insulate the base substrate 24 and the wiring pattern 22. The second insulating layer 25 is interposed therebetween.
  • the light emitting unit 1 of the present embodiment includes the mounting substrate 2 and the plurality of solid state light emitting elements 3 arranged on the one surface side of the mounting substrate 2 as described above.
  • the light emitting unit 1 includes a heat transfer plate in which the mounting substrate 2 is formed of a first metal plate and each solid light emitting element 3 is mounted on the one surface side, and a second metal plate.
  • 21 is provided with a wiring pattern 22 arranged on the other surface side of 21 and to which the solid state light emitting element 3 is electrically connected, and an insulating layer 23 interposed between the heat transfer plate 21 and the wiring pattern 22.
  • the light emitting unit 1 can efficiently transfer the heat generated in each solid light emitting element 3 in the lateral direction by the heat transfer plate 21 to dissipate the heat, and in the thickness direction of the heat transfer plate 21. It is also possible to transfer heat and dissipate heat. Therefore, the light emitting unit 1 can improve heat dissipation, can suppress the temperature rise of each solid state light emitting element 3, and can increase the light output.
  • the 1st insulating layer 23 contains the filler with high heat conductivity compared with the said thermosetting resin in the light emitting unit 1 of this embodiment, it generate
  • the solid light emitting element 3 as an LED chip, it is possible to efficiently dissipate heat generated by the LED chip in the lateral direction by the heat transfer plate 21. Become.
  • the 1st metal plate used as the foundation of the heat exchanger plate 21 is an aluminum plate, and the purity is higher than an aluminum plate on the opposite side to the 1st insulating layer 23 side in an aluminum plate. Since an aluminum film is laminated and an aluminum film is laminated with an increased reflection film made of two kinds of dielectric films having different refractive indexes, light emitted from the LED chip and incident on the one surface of the heat transfer plate 21 is efficiently obtained. It becomes possible to reflect.
  • the heat transfer plate 21 has a long shape, the solid light emitting elements 3 are arranged along the longitudinal direction of the heat transfer plate 21, and than the second metal plate. Since the difference in the linear expansion coefficient with the first metal plate is small and the long base substrate 24 is arranged on the opposite side of the wiring pattern 22 from the heat transfer plate 21 side, the mounting substrate 2 is made long. Even in this case, the warpage of the heat transfer plate 21 can be suppressed, and the warpage of the entire light emitting unit 1 can be suppressed. As a result, the light emitting unit 1 can be reduced in cost by improving the yield at the time of manufacture, and the reliability as a product can be improved.
  • the base substrate 24 is formed of the third metal plate made of the same material as the first metal plate, and the first insulating layer 23 is made of the same material as the first insulating layer 23 between the base substrate 24 and the wiring pattern 22. Since the two insulating layers 25 are interposed, the warpage of the heat transfer plate 21 can be further suppressed.
  • the longitudinal dimension of the base substrate 24 is preferably the same as the longitudinal dimension of the heat transfer plate 21.
  • the solid light emitting element 3 is an LED chip, and the first electrode 31 and the second electrode 32 are provided on one surface side in the thickness direction.
  • Each of the electrodes 32 is electrically connected to the wiring pattern 22 via the wire 26, and the heat transfer plate 21 is formed with a through hole 21b through which each of the wires 26 passes.
  • the plate 21 can be die-bonded, and the heat generated in the LED chip is easily transferred in the lateral direction of the heat transfer plate 21, thereby improving the heat dissipation.
  • the heat transfer plate is interposed via a submount member that relieves stress acting on the LED chip due to a difference in linear expansion coefficient between the solid light emitting element 3 and the heat transfer plate 21. 21 may be die-bonded.
  • the LED chip is a GaN-based blue LED chip and the first metal plate is an aluminum plate, for example, AlN, composite SiC, Si, CuW, or the like can be used as the material of the submount member.
  • the submount member is formed with a reflective film that reflects light emitted from the LED chip around the bonding portion with the LED chip on the surface to which the LED chip is bonded (that is, the portion overlapping the LED chip). It is preferable that in addition, when an LED chip having electrodes provided on both sides in the thickness direction is used, the first electrode 31 or the second electrode 32 disposed on the submount member side of the LED chip is electrically connected to the submount member. It is only necessary to provide a conductor pattern to be connected to, and to electrically connect the conductor pattern and the first pattern 22a or the second pattern 22b via the wire 26.
  • FIG. 36 shows an example of the lighting device 7 provided with the light emitting unit 1.
  • the lighting device 7 is a lighting fixture and includes a light emitting unit 1 and a fixture main body 71 that holds the light emitting unit 1.
  • the instrument main body 71 is formed in a long shape (here, rectangular plate shape) having a larger planar size than the light emitting unit 1, and the wiring pattern 22 on the other surface side of the heat transfer plate 21 in the light emitting unit 1 and the base
  • a recess 71 a for accommodating the substrate 24 and the like is formed along the longitudinal direction of the instrument body 71.
  • the light emission unit 1 is hold
  • semicircular notches 21 c are spaced apart in the longitudinal direction of the heat transfer plate 21 at substantially equal intervals on both side edges in the width direction of the heat transfer plate 21. It is formed with. Therefore, if the notch 21c in the heat transfer plate 21 of the light emitting unit 1 is formed in a semicircular shape having a smaller radius than the circular head of the screw constituting the fixture 8, the screw head, the instrument main body 71, Thus, the light emitting unit 1 can be held.
  • this illuminating device 7 as shown in FIG. 62 and FIG.
  • the light emitting unit 1 is connected to a power supply unit (not shown) via two electric wires 73 connected to the wiring pattern 22 by solder or the like. By supplying power from the power supply unit to the light emitting unit 1, Each solid light emitting element 3 can emit light.
  • FIG. 36 only one electric wire 73 connected to the first terminal pattern 22f connected to the first pattern 22a on the one end side in the longitudinal direction of the heat transfer plate 21 is illustrated. On the other end side in the longitudinal direction of the plate 21, another electric wire 73 is connected to a second terminal pattern (not shown) connected to the second pattern 22b.
  • the first terminal pattern 22f and the second terminal pattern are constituted by a part of the wiring pattern 22 formed from the lead frame 120 described above.
  • each solid light emitting element 3 shines as a point light source by shortening the arrangement pitch of the solid light emitting elements 3. It becomes possible to make it look like a linear light source.
  • the lighting device 7 of the present embodiment described above since the above-described light emitting unit 1 is provided, it is possible to improve heat dissipation and to increase the light output.
  • the basic configuration of the light emitting unit 1 of the present embodiment is substantially the same as that of the third embodiment, except that the base substrate 24 in the mounting substrate 2 has the same shape as the heat transfer plate 21.
  • symbol is attached
  • the base substrate 24 has a through hole 24b formed at a portion corresponding to the through hole 21b of the heat transfer plate 21, and a cutout portion 24c formed at a portion corresponding to the cutout portion 21c of the heat transfer plate 21.
  • the second insulating layer 25 has the same shape as the first insulating layer 23, and a through hole 25 b is formed in a portion corresponding to the through hole 23 b of the first insulating layer 23.
  • the warp of the light emitting unit 1 is further suppressed by making the shape of the base substrate 24 formed of the same material as the heat transfer plate 21 the same as that of the heat transfer plate 21. It becomes possible. Further, the light emitting unit 1 of the present embodiment can share the components of the heat transfer plate 21 and the base substrate 24, and can also reduce the cost.
  • the light emitting unit 1 of the present embodiment may be used in place of the light emitting unit 1 of the illumination device 7 described in the third embodiment.
  • the base substrate 24 also has a function as a heat transfer plate, and the heat generated in the solid light emitting element 3 on the one surface side of the mounting substrate 2 is transversal by the heat transfer plate 21. The heat generated in the solid-state light-emitting element 3 on the other surface side of the mounting substrate 2 is efficiently transferred in the lateral direction and dissipated.
  • the base substrate 24 has a function of a heat transfer plate similar to the heat transfer plate 21 and a function of a reflection plate.
  • the basic configuration of the light emitting unit 1 of the present embodiment is substantially the same as that of the third embodiment, except that the base substrate 24 is made of a resin substrate in which a filler having a higher thermal conductivity than the resin is mixed.
  • symbol is attached
  • the resin of the resin substrate preferably has a small linear expansion coefficient with the first metal plate that is the basis of the heat transfer plate 21.
  • the material of the first metal plate is aluminum and the material of the second metal plate is copper. If present, it is preferable to use a vinyl ester resin, an unsaturated polyester resin, or the like.
  • a filler it is preferable to use magnesium oxide, boron nitride, aluminum hydroxide, glass fiber etc., for example.
  • the filling rate of the filler is preferably about 60 volume percent to 75 volume percent, so that the thermal conductivity of the resin substrate can be about 4 W / m ⁇ K to 10 W / m ⁇ K.
  • the thermal conductivity is 5 W / m ⁇ K
  • the linear expansion coefficient can be set to about 18 to 22 ppm.
  • the thermal conductivity of aluminum is about 23 ppm
  • the thermal conductivity of copper is about 17 ppm.
  • the base substrate 24 is made of the same material as the first metal plate as in the light emitting unit 1 of FIG. 25 described in the third embodiment. Compared to the case where the second insulating layer 25 is interposed between the wiring pattern 22 and the base substrate 24, the cost can be reduced.
  • the base substrate 24 and the wiring pattern 22 can be simultaneously formed at the time of manufacturing, and the cost can be reduced by reducing the manufacturing cost.
  • FIG. 40 shows an example of the lighting device 7 provided with the light emitting unit 1.
  • the lighting device 7 is a lighting fixture and includes a light emitting unit 1 and a fixture main body 71 that holds the light emitting unit 1.
  • the width dimension of the base substrate 24 is set larger than the width dimension of the heat transfer plate 21. Therefore, even when the instrument main body 71 is made of metal and has electrical conductivity, by appropriately setting the width dimension of the base substrate 24, the heat transfer plate 21 or the wiring pattern 22 and the instrument main body 71 can be separated from each other. The creepage distance can be increased, and a predetermined creepage distance can be secured. In the illuminating device 7 of this embodiment, if the fixture main body 71 is made of metal, the heat generated by the light emitting unit 1 can be radiated more efficiently. In addition, when the instrument main body 71 does not have conductivity, the width dimension of the base substrate 24 is not necessarily larger than the width dimension of the heat transfer plate 21.
  • the lighting device 7 of the present embodiment includes a plurality of attachments 8 for attaching the light emitting unit 1 to the instrument main body 71.
  • the fixture 8 is made of synthetic resin, and extends between the base part 81 that abuts the instrument main body 71 and the side surface along the longitudinal direction of the base substrate 24, and the instrument main body 71.
  • a holding portion 82 for holding the light emitting unit 1. 40 has an insertion hole 83 through which a screw (not shown) for fixing the fixture 8 to the instrument body 71 is inserted.
  • the fixture 8 is not limited to the one that is fixed to the instrument main body 71 with screws, but may be one that is inserted into the attachment hole 9 of the instrument main body 71 and attached, for example, as shown in FIG.
  • the fixture 8 in FIG. 41 has a T-shaped slide piece 84 protruding from one surface of the base 81 on the side of the instrument main body 71.
  • the attachment hole 9 of the instrument main body 71 is formed in a T-shape in plan view in which a wide portion 91 into which the slide piece 84 can be inserted and a narrow portion 92 having a narrower opening width than the wide portion 91 are continuous. .
  • the slide piece 84 is engaged with the peripheral portion of the narrow portion 92 by inserting the slide piece 84 from the wide portion 91 of the attachment hole 9 and sliding the slide piece 84 toward the narrow portion 92.
  • the illuminating device 7 can attach the light emission unit 1 to the instrument main body 71, without using a screw.
  • the first protrusion 24d that is thinner than the other part protrudes from one end surface in the longitudinal direction of the base substrate 24, and is thinner than the other part from the other end surface in the longitudinal direction.
  • the second projecting piece 24e is projected.
  • the first protrusion 24 d has one surface in the thickness direction that is flush with the one surface of the base substrate 24.
  • the second projecting piece 24 e has one surface in the thickness direction that is flush with the other surface of the base substrate 24.
  • the base substrate 24 is designed so that the total dimension of the thickness dimension of the first projecting piece 24d and the thickness dimension of the second projecting piece 24e is equal to the thickness dimension of the base substrate 24.
  • the first protrusion 24d of the base substrate 24 in one of the adjacent light emitting units 1 and the base substrate 24 in the other light emitting unit 1 are arranged.
  • the second projecting piece 24e can be arranged so as to overlap each other as shown in FIGS. 42A and 42B.
  • the adjacent light emitting units 1 should just electrically connect the wiring patterns 22 with the electric wire (not shown) for feed wiring, a connector (not shown), etc., for example.
  • electric power is supplied from one power supply unit with respect to the series circuit of the light emission unit 1, and all the solid light emitting elements 3 of each light emission unit 1 are light-emitted. It becomes possible to make it.
  • the wire 26 is bonded to the wiring pattern 22 disposed on the other surface side of the heat transfer plate 21.
  • the protrusion 22h inserted into the through hole 23b of the 1 insulating layer 23 and the through hole 21b of the heat transfer plate 21 may be provided, and the wire 26 may be bonded to the distal end surface of the protrusion 22h.
  • the through holes 21b are formed on both sides of the solid light emitting element 3 mounting region in the width direction of the heat transfer plate 21.
  • the solid state light emitting device 3 is mounted at a portion between the two through holes 21 b arranged in the width direction of the heat transfer plate 21.
  • FIG. 44 between two sets arranged in the longitudinal direction of the heat transfer plate 21 among the sets of two through holes 21 b arranged in the width direction of the heat transfer plate 21, You may make it arrange
  • the basic configuration of the light emitting unit 1 of the present embodiment is substantially the same as that of the third embodiment, and the shape of the mounting substrate 2 is different.
  • symbol is attached
  • the light emitting unit 1 of the third embodiment can be used as a light source of a lighting device 7 (see FIG. 36) made of a lighting fixture such as a base light, while the light emitting unit 1 of the first embodiment has, for example, It can be used as a light source of a lighting device (not shown) composed of a lighting device such as a downlight.
  • the wiring pattern 22 in the light emitting unit 1 of the present embodiment is also formed using a lead frame (not shown).
  • the light emitting unit 1 can supply power from the power supply unit by connecting an electric wire to each of the first terminal pattern 22f and the second terminal pattern 22g with solder or the like.
  • the light emitting unit 1 of the present embodiment as in the light emitting unit 1 of the third embodiment, it is possible to improve heat dissipation and increase the light output.
  • the double-sided light emitting unit 1 includes a pair of heat transfer plates 21 and 24 that are arranged apart from each other in the thickness direction, and a solid state light emitting device that is mounted on one side of the heat transfer plates 21 and 24 opposite to the opposing surface. 3 and 3.
  • the double-sided light emitting unit 1 is arranged between the heat transfer plates 21 and 24, the wiring pattern 22 that is electrically connected to the solid light emitting elements 3 and 3, and the heat transfer plates 21 and 24 and the wiring pattern 22.
  • a pair of insulating layers 23 and 25 interposed between the two.
  • each of the heat transfer plates 21 and 24 is formed of a first metal plate
  • the wiring pattern 22 is formed of a second metal plate.
  • the pair of heat transfer plates 21 and 24, the pair of insulating layers 23 and 25, and the wiring pattern 22 constitute the mounting substrate 2 on which all the solid state light emitting devices 3 are mounted.
  • Each of the heat transfer plates 21 and 24 is formed in a long shape (here, an elongated rectangular plate shape).
  • each of the heat transfer plates 21 and 24 has a plurality of solid light emitting elements 3 arranged along the longitudinal direction of each of the heat transfer plates 21 and 24 on the one surface side.
  • the material of the first metal plate serving as the basis of the heat transfer plates 21 and 24 a metal having high thermal conductivity such as aluminum or copper is preferable.
  • the material of the first metal plate is not limited to these, and may be stainless steel or steel, for example.
  • each heat-transfer plate 21 and 24 has a function as a reflecting plate, and it is more preferable to employ
  • the first metal plate is an aluminum plate, and an aluminum film having a purity higher than that of the aluminum plate is laminated on the side opposite to the insulating layers 23 and 25 side of the aluminum plate.
  • a reflection increasing film made of two types of dielectric films having different refractive indexes is laminated.
  • the two types of dielectric films for example, an SiO 2 film and a TiO 2 film are preferably employed.
  • the reflectance with respect to visible light can be 95% or more.
  • heat transfer plates 21 and 24 for example, MIRO2 or MIRO (registered trademark) manufactured by alanod can be used.
  • MIRO2 or MIRO registered trademark
  • an anodized surface may be used.
  • the thickness of each of the heat transfer plates 21 and 24 may be set as appropriate within a range of about 0.2 to 3 mm, for example.
  • the LED chip is used as the solid-state light emitting element 3, but the LED chip is not limited to this.
  • the LED chip may be housed in a package.
  • a laser diode semiconductor laser
  • an organic EL element or the like may be used as the solid light emitting element 3.
  • the solid light-emitting element 3 mounted on each heat transfer plate 21, 24 is provided with a first electrode (anode electrode) 31 and a second electrode (cathode electrode) 32 on one surface side in the thickness direction. The other surface side in the thickness direction is joined to the heat transfer plates 21 and 24 via the joint portion 35.
  • each of the first electrode 31 and the second electrode 32 is electrically connected to the wiring pattern 22 via a wire (bonding wire) 26.
  • the heat transfer plates 21 and 24 are formed with through holes 21b and 24b through which the respective wires 26 pass.
  • the through holes 21 b and 24 b are formed on both sides of the mounting region of the solid state light emitting device 3 in the width direction of the heat transfer plates 21 and 24.
  • the through holes 21b and 24b have a circular opening shape.
  • the inner diameters of the through holes 21b and 24b are set to 0.5 mm, but this value is an example and is not particularly limited.
  • the shape of the through holes 21b and 24b is not limited to a circular shape, and may be, for example, a rectangular shape or an elliptical shape.
  • the bonding portion 35 may be formed of a die bond material.
  • the LED chip is a GaN-based blue LED chip that emits blue light, and uses a sapphire substrate as a substrate.
  • the substrate of the LED chip is not limited to the sapphire substrate, and may be a GaN substrate, a SiC substrate, a Si substrate, or the like.
  • the structure of the LED chip is not particularly limited.
  • the chip size of the LED chip is not particularly limited. For example, a chip size of 0.3 mm ⁇ , 0.45 mm ⁇ , or 1 mm ⁇ can be used.
  • the material and light emission color of the light emitting layer of the LED chip are not particularly limited. That is, the LED chip is not limited to the blue LED chip, and for example, a violet light LED chip, an ultraviolet light LED chip, a red LED chip, a green LED chip, or the like may be used.
  • the die bond material for example, a silicone-based die bond material, an epoxy-based die bond material, a silver paste, or the like can be used.
  • wire 26 for example, a gold wire, an aluminum wire, or the like can be used.
  • the double-sided light emitting unit 1 uses an LED chip as the solid state light emitting element 3
  • the solid state light emitting element 3 and the wire 26 are sealed on the one surface side of the heat transfer plates 21 and 24, for example, as shown in FIG. It is preferable to provide the sealed part 36.
  • a silicone resin that is a first light transmissive material is used as the material of the sealing portion 36.
  • the first light transmissive material is not limited to a silicone resin, and for example, an epoxy resin, an acrylic resin, glass, or the like may be used.
  • the double-sided light emitting unit 1 uses an LED chip as the solid state light emitting element 3, in order to obtain high-output white light, a wavelength conversion material that emits light of a color different from the emission color of the LED chip is used. It is preferable that the color conversion unit 37 is provided. As such a color conversion unit 37, for example, a phosphor that is excited by light emitted from the LED chip and emits light of a color different from the emission color of the LED chip is used as the wavelength conversion material. Those containing two light-transmitting materials are preferred.
  • the double-sided light emitting unit 1 uses, for example, a blue LED chip as the LED chip and a yellow phosphor as the phosphor of the color conversion unit 37, white light can be obtained. That is, the double-sided light emitting unit 1 can obtain white light by emitting the blue light emitted from the LED chip and the light emitted from the yellow phosphor through the surface of the color conversion unit 37.
  • Silicone resin is used as the second translucent material used as the material of the color conversion unit 37, but is not limited to this.
  • acrylic resin, glass, organic component and inorganic component are mixed at the nm level or the molecular level.
  • a combined organic / inorganic hybrid material may be employed.
  • the phosphor used as the material of the color conversion unit 37 is not limited to the yellow phosphor.
  • the color rendering can be achieved by using a yellow phosphor and a red phosphor, or using a red phosphor and a green phosphor. It becomes possible to raise.
  • the phosphor used as the material of the color conversion unit 37 is not limited to one type of yellow phosphor, and two types of yellow phosphors having different emission peak wavelengths may be used.
  • the LED chip can emit white light alone, when the phosphor is dispersed in the sealing portion 36, or when the light color desired to be obtained by the double-sided light emitting unit 1 is the same as the emission color of the LED chip A structure that does not include the color conversion unit 37 can be employed.
  • the color conversion unit 37 is preferably in contact with the heat transfer plates 21 and 24.
  • the double-sided light emitting unit 1 can dissipate not only the heat generated in the LED chip but also the heat generated in the color conversion section 37 through the heat transfer plates 21 and 24, thereby increasing the light output. It becomes possible.
  • the color conversion unit 37 is formed in a semi-cylindrical shape, and the LED chip and the sealing are provided between the heat transfer plates 21 and 24 on the one surface side of the heat transfer plates 21 and 24. It arrange
  • the color conversion unit 37 is disposed such that a gas layer (for example, an air layer) 38 is formed between the heat transfer plate 21 and the sealing unit 36 on the one surface side.
  • the double-sided light emitting unit 1 may be configured such that the color conversion unit 37 has a hemispherical shape, and the LED chip and the wire 26 that are the solid-state light emitting elements 3 are sealed by the color conversion unit 37.
  • the double-sided light emitting unit 1 is configured such that the color conversion unit 37 has a dome shape and the color conversion unit 37 seals the LED chip and the wire 26 that are the solid light emitting elements 3. Also good. Further, as shown in FIG.
  • the double-sided light emitting unit 1 has a color conversion unit 37 having a layered shape, and the color conversion unit 37 seals the LED chip and the wire 26, which are the solid light emitting elements 3. Also good.
  • the color conversion unit 37 as shown in FIGS. 49 and 54 uses a molded one, and the edge on the heat transfer plates 21 and 24 side (periphery of the opening) is, for example, with respect to the heat transfer plates 21 and 24. What is necessary is just to adhere using adhesives (for example, silicone resin, an epoxy resin, etc.).
  • the color conversion part 37 as shown in FIG. 53 can be formed by a shaping
  • the color conversion unit 37 as shown in FIG. 55 can be formed by, for example, a coating method using a dispenser, a screen printing method, or the like.
  • the wiring pattern 22 is formed of the second metal plate having a linear expansion coefficient different from that of the heat transfer plates 21 and 24 as described above.
  • the second metal plate uses a lead frame 120 (see FIG. 52C) formed by punching a metal hoop material with a press.
  • the material of the second metal plate is preferably copper having a relatively high thermal conductivity among metals (the thermal conductivity of copper is about 398 W / m ⁇ K), but is not limited to copper, for example, phosphor bronze, etc. Alternatively, a copper alloy (for example, 42 alloy) may be used.
  • the thickness of the second metal plate is preferably set in the range of about 100 ⁇ m to 1500 ⁇ m, for example.
  • the lead frame 120 is configured such that the wiring pattern 22 is supported on the inner side of the outer frame portion 121 via a support piece 122 (see FIG. 52D).
  • a first pattern 22 a to which the first electrode 31 of the solid light emitting element 3 is connected and a second pattern 22 b to which the second electrode 32 is connected are arranged in the width direction of the heat transfer plates 21 and 24. Is arranged.
  • the wiring pattern 22 includes a predetermined number (for example, 16) of the first pattern 22a and the second pattern 22b, respectively, and the first pattern 22a and the second pattern 22b respectively include the heat transfer plates 21 and 24.
  • the first pattern 22a and the second pattern 22b are formed in a rectangular shape, and are arranged so that the longitudinal directions thereof coincide with the heat transfer plates 21 and 24.
  • the first patterns 22a arranged in the longitudinal direction of the heat transfer plates 21 and 24 are divided into two sets, and the first patterns 22a forming the set are connected by the connecting piece 22c. Yes.
  • the wiring pattern 22 includes a predetermined number (for example, 16) of second patterns 22b arranged in the longitudinal direction of the heat transfer plates 21 and 24.
  • the second patterns 22b are divided into groups each having two sets. The two are connected and electrically connected by a connecting piece 22d.
  • the connecting pieces 22c and 22d are linear first portions 22ca and 22da arranged along the width direction of the heat transfer plates 21 and 24, and heat transfer plates from both longitudinal ends of the first portions 22ca and 22da.
  • the wiring pattern 22 includes two first patterns 22a forming a set, a connecting piece 22c connecting the two first patterns 22a, two second patterns 22b forming a set,
  • One unit pattern 22u is constituted by the connecting piece 22d obtained by connecting the second patterns 22b.
  • a plurality of unit units 22 u are arranged along the length direction of the outer frame portion 121.
  • the first pattern 22a of one unit pattern 22u and the second pattern 22b of the other unit pattern 22u are connected pieces. 22e is connected and electrically connected.
  • the connecting piece 22e is formed narrower than the first pattern 22a and the second pattern 22b.
  • the wiring pattern 22 is configured so that a parallel circuit can be configured by connecting in parallel a predetermined number (for example, six) of solid-state light emitting elements 3 arranged in the longitudinal direction of the heat transfer plates 21 and 24 for each unit pattern 22u.
  • a parallel circuit can be configured by connecting in parallel a predetermined number (for example, six) of solid-state light emitting elements 3 arranged in the longitudinal direction of the heat transfer plates 21 and 24 for each unit pattern 22u.
  • parallel circuits formed for each adjacent unit pattern 22u can be connected in series. Therefore, by supplying power between the first pattern 22a at one end in the longitudinal direction of the heat transfer plates 21 and 24 and the second pattern 22b at the other end, power can be supplied to all the solid state light emitting devices 3. it can.
  • the insulating layers 23 and 25 contain a filler made of a filler such as silica or alumina and have a property of lowering viscosity and increasing fluidity upon heating, and a B-stage epoxy resin layer (thermosetting resin). It is formed by thermosetting an epoxy resin layer of a thermosetting sheet adhesive (for example, an adhesive sheet TSA manufactured by Toray Industries, Inc.) in which a plastic film (PET film) is laminated.
  • a thermosetting sheet adhesive for example, an adhesive sheet TSA manufactured by Toray Industries, Inc.
  • PET film plastic film
  • the filler an insulating material having higher thermal conductivity than the epoxy resin that is a thermosetting resin may be used.
  • the epoxy resin layer of the sheet-like adhesive has properties of being electrically insulating and having high thermal conductivity, high fluidity during heating, and high adhesion to the uneven surface.
  • the thickness of the epoxy resin layer described above is set to 100 ⁇ m, but this value is merely an example, and is not particularly limited. For example, the thickness may be appropriately set in the range of about 50 ⁇ m to 150 ⁇ m.
  • the thermal conductivity of the epoxy resin layer is preferably 4 W / m ⁇ K or more.
  • the heat transfer plates 21 and 24, the epoxy resin layer, and the lead frame 120 having the wiring pattern 22 may be appropriately pressed.
  • the outer size of the insulating layers 23 and 25 may be set as appropriate based on the outer size of the lead frame 120.
  • the insulating layers 23 and 25 have electrical insulation and thermal conductivity, and have a function of electrically insulating the heat transfer plates 21 and 24 and the wiring pattern 22 and a function of thermal coupling.
  • the insulating layers 23 and 25 are formed with through holes 23b and 25b communicating with the through holes 21b and 24b of the heat transfer plates 21 and 24, respectively. Therefore, when manufacturing the double-sided light emitting unit 1, the wire 26 can be bonded to the wiring pattern 22 through the through holes 21 b and 24 b of the heat transfer plates 21 and 24 and the through holes 23 b and 25 b of the insulating layers 23 and 25.
  • the first electrode 31 and the second electrode 32 of the solid state light emitting device 3 are respectively connected to the first pattern 22 a and the second pattern 22 b through the wire 26, and then, for example, a dispenser
  • the through holes 21b and 24b and the through holes 23b and 25b are filled with the material of the sealing portion 36 (see FIG. 49) so that the wire 26 does not come into contact with the first metal plate. What is necessary is just to form.
  • the wiring pattern 22 is made of a metal material having higher oxidation resistance and corrosion resistance than the second metal plate, and a surface treatment layer (not shown) having high adhesion to the insulating layers 23 and 25 is formed.
  • a surface treatment layer (not shown) having high adhesion to the insulating layers 23 and 25 is formed.
  • the material of the second metal plate is Cu
  • the surface treatment layer for example, a Ni film, a laminated film of Ni film and Au film, a laminated film of Ni film, Pd film and Au film, or the like may be formed.
  • the surface treatment layer may be formed by, for example, a plating method.
  • the fixing performance between the heat transfer plates 21 and 24 and the wiring pattern 22 may be increased. If the heating temperature is lowered to about 150 ° C. and cured, the electrical insulation between the heat transfer plates 21 and 24 and the wiring pattern 22 may be lowered. That is, there is a trade-off relationship between fixing performance and electrical insulation. Therefore, in this embodiment, as described later, the epoxy resin layers 123a and 133a (see FIGS. 51C and 52B) of the sheet-like adhesives 123 and 133 (see FIGS.
  • the epoxy resin layer 123a is cured at 170 ° C. to ensure electrical insulation and thermal conductivity
  • the other epoxy resin layer 133a is cured at 150 ° C. to ensure fixing performance and thermal conductivity.
  • the other epoxy resin layer 133a and the lead frame 120 are overlapped to overlap the other epoxy resin layer 133a. May be cured at 150 ° C.
  • the structure shown in FIG. 51A is obtained by forming the through holes 21b and the like in the heat transfer plate 21.
  • a sheet-like adhesive 123 is stacked on the other surface side of the heat transfer plate 21 so that the epoxy resin layer 123a is in contact with the heat transfer plate 21, and a predetermined pressure (
  • the sheet adhesive 123 is temporarily fixed to the heat transfer plate 21 by applying pressure at 0.5 MPa and heating at a first specified temperature (eg, 110 ° C. to 120 ° C.) lower than the curing temperature of the epoxy resin layer 123a. To do. Subsequently, the sheet adhesive 123 is cut to an appropriate length.
  • the heat transfer plate 21 to which the sheet-like adhesive 123 is temporarily fixed is naturally cooled. Subsequently, as shown in FIG. 51C, the plastic film 123b is peeled off from the epoxy resin layer 123a.
  • the heat transfer plate 21 on which the epoxy resin layer 123a is temporarily fixed is put into a drying furnace (not shown), and the epoxy resin layer 123a is heated and cured at a temperature equal to or higher than the curing temperature (for example, 170 ° C.). As a result, the epoxy resin layer 123a is permanently fixed to the heat transfer plate 21.
  • the sheet-like adhesive 133 is stacked on the epoxy resin layer 123a so that the epoxy resin layer 133a is in contact with the epoxy resin layer 123a, and is pressurized with a predetermined pressure (for example, 0.5 MPa) by the cylindrical rubber roller 140 and the epoxy resin.
  • the sheet adhesive 133 is temporarily fixed to the epoxy resin layer 123a by heating at a first specified temperature (for example, 110 ° C. to 120 ° C.) lower than the curing temperature of the layer 133a. Subsequently, the sheet adhesive 133 is cut to an appropriate length.
  • through holes 134 are formed in each region corresponding to the through hole 23b of the insulating layer 23 by, for example, a laser device 150 as shown in FIG. 52A.
  • the means for forming the through hole 134 is not limited to the laser device 150, and for example, a drill or the like may be used.
  • the plastic film 133b is peeled off from the epoxy resin layer 133a.
  • the epoxy resin layer 133a is heated to a temperature equal to or higher than the curing temperature in a drying furnace (not shown).
  • the lead frame 120 and the epoxy resin layer 133a are permanently fixed by curing at a temperature (for example, 150 ° C.). Thereby, the insulating layer 23 is formed.
  • the wiring pattern 22 is cut from the support piece 122 of the lead frame 120, and the portions other than the wiring pattern 22 in the lead frame 120 are removed as shown in FIG. 52D.
  • the mounting substrate 2 is bonded by bonding the heat transfer plate 24 and the wiring pattern 22 via the insulating layer 25 in the same manner as the heat transfer plate 21 and the wiring pattern 22 are bonded via the insulating layer 23. Can be obtained.
  • the solid light emitting element 3 is joined to the one surface side of the heat transfer plates 21 and 24, and then the first electrode 31 and the second electrode 32 of each solid light emitting element 3 and the first pattern are combined. What is necessary is just to electrically connect 22a and the 2nd pattern 22b via the wire 26. FIG. Then, the sealing part 36 and the color conversion part 37 should just be provided in the said one surface side of the heat exchanger plates 21 and 24 as needed.
  • the double-sided light emitting unit 1 of the present embodiment includes a pair of heat transfer plates 21 and 24 formed of the first metal plate and spaced apart in the thickness direction, and the heat transfer plates 21 and 24.
  • the solid light-emitting elements 3 and 3 mounted on the one surface side opposite to each other's facing surface and the second metal plate are disposed between the two heat transfer plates 21 and 24, and each solid light-emitting element 3 Are electrically connected to each other, and a pair of insulating layers 23 and 25 interposed between each of the heat transfer plates 21 and 24 and the wiring pattern 22.
  • the double-sided light emitting unit 1 of the present embodiment can efficiently dissipate the heat generated in each solid light emitting element 3 by efficiently transferring the heat in the lateral direction by the heat transfer plates 21 and 24. Therefore, in the double-sided light emitting unit 1 of the present embodiment, it is possible to improve heat dissipation, suppress the temperature rise of each solid state light emitting element 3, and increase the light output.
  • the heat generated in the LED chip is transferred in the lateral direction by the heat transfer plates 21 and 24 and efficiently dissipated. Is possible.
  • each 1st metal plate used as the foundation of each heat exchanger plate 21 and 24 is an aluminum plate, and it is on the opposite side to the insulating layers 23 and 25 side in each aluminum plate.
  • An aluminum film having a purity higher than that of the aluminum plate is laminated, and an increased reflection film made of two kinds of dielectric films having different refractive indexes is laminated on the aluminum film, so that the heat transfer plates 21 and 24 are radiated from the LED chip. It becomes possible to efficiently reflect the light incident on the one surface.
  • the double-sided light emitting unit 1 can reduce the light loss in the heat transfer plates 21 and 24 by using the heat transfer plates 21 and 24 having a function as a reflection plate, thereby reducing the light output. High output can be achieved.
  • the double-sided light emitting unit 1 can efficiently dissipate the heat generated in the LED chip when the LED chip is used as the solid state light emitting element 3, and the light output can be increased. It becomes possible to improve the utilization efficiency of the light emitted from the LED chip. Further, when the double-sided light emitting unit 1 includes the color conversion unit 37 (see FIG.
  • the light emitted from the phosphor that is the wavelength conversion material of the color conversion unit 37 to the heat transfer plates 21 and 24 side Since it is possible to reflect the light emitted from the LED chip and scattered by the phosphors toward the heat transfer plates 21 and 24, it is possible to improve the light utilization efficiency.
  • the double-sided light emitting unit 1 of this embodiment is provided with the heat transfer plates 21 and 24 and the wiring pattern 22 formed using the lead frame 120, so that the solid state light emitting device 3 is printed on two metal base prints. Compared with the case where it is mounted on a wiring board, it is possible to increase the optical output at a lower cost.
  • the solid light emitting element 3 is an LED chip, and the first electrode 31 and the second electrode 32 are provided on one surface side in the thickness direction.
  • Each of the two electrodes 32 is electrically connected to the wiring pattern 22 through the wire 26, and the heat transfer plates 21 and 24 are formed with through holes 21b and 24b through which the respective wires 26 pass.
  • the LED chip can be die-bonded to the heat transfer plates 21 and 24, and the heat generated by the LED chip is easily transferred in the lateral direction of the heat transfer plates 21 and 24, so that the heat dissipation can be improved.
  • the light is transmitted through a submount member that relieves stress acting on the LED chip due to the difference in linear expansion coefficient between the solid light-emitting element 3 and the heat transfer plates 21 and 24. You may make it die-bond to the hot plates 21 and 24.
  • FIG. it is preferable to use the submount member formed in a planar size larger than the chip size of the LED chip.
  • the LED chip is a GaN-based blue LED chip and the first metal plate is an aluminum plate, for example, AlN, composite SiC, Si, CuW, or the like can be used as the material of the submount member.
  • the submount member is formed with a reflective film that reflects light emitted from the LED chip around the bonding portion with the LED chip on the surface to which the LED chip is bonded (that is, the portion overlapping the LED chip). It is preferable that in addition, when an LED chip having electrodes provided on both sides in the thickness direction is used, the first electrode 31 or the second electrode 32 disposed on the submount member side of the LED chip is electrically connected to the submount member. It is only necessary to provide a conductor pattern to be connected to, and to electrically connect the conductor pattern and the first pattern 22a or the second pattern 22b via the wire 26.
  • the through holes 21 b are formed on both sides of the solid light emitting element 3 mounting region in the width direction of the heat transfer plate 21.
  • the solid state light emitting device 3 is mounted at a portion between the two through holes 21 b arranged in the width direction of the heat transfer plate 21.
  • FIG. 56 between two sets arranged in the longitudinal direction of the heat transfer plate 21 among the sets of two through holes 21 b arranged in the width direction of the heat transfer plate 21, You may make it arrange
  • the double-sided light emitting unit 1 of the present embodiment can be used as a light source for various lighting devices.
  • a straight tube LED lamp 700 as shown in FIG. 57 can be configured as an example of an illumination device including the double-sided light emitting unit 1 of the present embodiment.
  • general straight tube LED lamps for example, the Japan Light Bulb Industry Association has established a standard “Straight tube LED lamp system with L-type pin cap GX16t-5 (for general lighting)” (JEL 801).
  • JEL 801 the Japan Light Bulb Industry Association has established a standard “Straight tube LED lamp system with L-type pin cap GX16t-5 (for general lighting)”
  • the straight tube LED lamp 700 of FIG. 57 is designed to satisfy the JEL 801 standard.
  • a straight tube LED lamp 700 of FIG. 57 is provided on each of a straight tubular tube body 702 formed of a light-transmitting material (for example, glass) and one end and the other end of the tube body 702 in the longitudinal direction.
  • the above-described double-sided light emitting unit 1 (see FIG. 46 and the like) is housed in the tube main body 702.
  • a base 703 provided at one end in the longitudinal direction of the tube main body 702 is held by the first lamp socket of the first lamp socket and the second lamp socket of the lighting fixture, and the double-sided light emitting unit 1 in the tube main body 702.
  • Two first lamp pins (terminals) 714 for supplying power to the power source are provided.
  • the base 704 at the other end in the longitudinal direction of the tube main body 702 is provided with a single second lamp pin (terminal) 715 for grounding that is held by the second lamp socket.
  • the two first lamp pins 714 protrude from the end surface (first base reference surface) of the base 703 to the side opposite to the tube body 702 side.
  • the first lamp pin 714 is electrically connected to the wiring pattern 22 of the double-sided light emitting unit 1 housed in the tube main body 702.
  • Each first lamp pin 714 has an L-shaped portion protruding from the end face of the base 703, a pin body 714a protruding along the longitudinal direction of the tube body 702, and a tube body 702 from the tip of the pin body 714a. And a key portion 714b extending along one radial direction. Here, the two key portions 714b are extended in directions away from each other.
  • the first lamp pin 714 is formed by bending an elongated conductive plate.
  • the second lamp pin 715 protrudes from the end surface (second base reference surface) of the base 704 to the side opposite to the tube body 702 side.
  • the second lamp pin 715 has a T-shaped portion protruding from the end surface of the base 704, and is provided at the pin body 715a protruding along the longitudinal direction of the tube body 702 and the tip of the pin body 715a.
  • a terminal portion 715b having an oblong shape when viewed from the front.
  • heat radiation can be improved as compared with the conventional straight tube LED lamp and the illumination device 600 shown in FIG. 66, and the light output is high. Can be achieved.
  • the lighting device including the double-sided light emitting unit 1 of the present embodiment is not limited to the straight tube LED lamp 700 described above, and may be, for example, a lighting fixture including a fixture body that houses the double-sided light emitting unit 1.
  • semicircular cutouts 21 c and 24 c are substantially spaced apart in the longitudinal direction of the heat transfer plates 21 and 24 at both side edges in the width direction of the heat transfer plates 21 and 24. It is formed at equal intervals. Therefore, the notches 21c and 24c in the heat transfer plates 21 and 24 of the double-sided light emitting unit 1 should be semicircular with a radius smaller than the circular head of the screw for attaching the double-sided light emitting unit 1 to the instrument body.
  • the double-sided light emitting unit 1 can be held between the screw head and the instrument body. In this illuminating device, the stress applied to each solid-state light emitting element 3 and each joint 35 can be reduced.
  • the arrangement of the double-sided light emitting unit 1 in the lighting device is not particularly limited.
  • a plurality of double-sided light emitting units 1 may be arranged on a straight line. ) Or a connector (not shown) or the like.
  • power is supplied from one power supply unit to the series circuit of the double-sided light emitting units 1, and all the solid state light emitting elements 3 of each double-sided light emitting unit 1 are supplied. Can be emitted.
  • the double-sided light emitting unit 1 of the present embodiment constitutes a light emitting unit.
  • the basic configuration of the light emitting unit 1 of the present embodiment is substantially the same as that of the seventh embodiment, and the shape of the mounting substrate 2 is different.
  • symbol is attached
  • the shape of the heat transfer plates 21 and 24 in plan view is an octagonal shape, and each of the heat transfer plates 21 and 24 has a plurality of (12 in the illustrated example).
  • ⁇ 6) solid state light emitting devices 3 are arranged in a two-dimensional array.
  • the shape of the heat transfer plates 21 and 24 is not limited to the octagonal shape, and may be other polygonal shapes, circular shapes, elliptical shapes, or the like.
  • the wiring pattern 22 in the double-sided light emitting unit 1 of the present embodiment is also formed using a lead frame (not shown).
  • the double-sided light emitting unit 1 supplies power from the power supply unit by connecting the wires 63 and 63 (see FIG. 59) to the first terminal pattern 22f and the second terminal pattern 22g of the wiring pattern 22 by soldering or the like. it can.
  • the double-sided light emitting unit 1 of the present embodiment as with the double-sided light emitting unit 1 of Embodiment 7, it is possible to improve heat dissipation and increase the light output.
  • a lighting fixture 40 having a configuration shown in FIG. 59 is illustrated.
  • the 59 has a flat first cover member 50 in which a housing recess 51 for housing the double-sided light emitting unit 1 is formed on one surface in the thickness direction, and a housing recess for the first cover member 50.
  • the instrument main body is constituted by the second cover member 60 accommodated in 51 so as to cover the double-sided light emitting unit 1.
  • a spacer (not shown) is provided between each of the double-sided light emitting unit 1 and the first cover member 50 and the second cover member 60.
  • the first cover member 50 is formed with a notch 54 through which the electric wires 63 and 63 for feeding power to the double-sided light emitting unit 1 are inserted.
  • a power supply unit (not shown) provided separately is provided on the side opposite to one end connected to the first terminal pattern 22f and the second terminal pattern 22g of the double-sided light emitting unit 1.
  • a second connector 70 is provided that is detachably connected to a first output connector (not shown).
  • the first cover member 50 and the second cover member 60 may be entirely formed of a translucent material, or only a portion for extracting light emitted from the double-sided light emitting unit 1 is formed of the translucent material. May be.
  • the lighting fixture which comprises an illuminating device does not specifically limit the shape and structure of a fixture main body. Further, the lighting device is not limited to the lighting fixture 40, and may be a display device, for example.

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Abstract

　リードフレームは、１ピッチの外枠部の内側に支持片を介して支持された配線パターンが、固体発光素子を搭載するダイパッドと、ダイパッドからダイパッドを取り囲むように延設されたヒートシンクと、一方の電極がヒートシンクに電気的に接続される固体発光素子の他方の電極と電気的に接続されるリードとを具備する単位ユニットを複数備え、互いに隣り合う単位ユニットの一方の単位ユニットのリードと他方の単位ユニットのヒートシンクとが連結され電気的に直列接続されている。固体発光素子の温度上昇を抑制できて光出力の高出力化を図れ、且つ、複数の固体発光素子を直列接続して用いる発光ユニットの低コスト化を図れるリードフレーム、配線板、発光ユニット、照明装置を提供する。

Description

リードフレーム、配線板、発光ユニット、照明装置
　本発明は、リードフレーム、配線板、発光ユニット、照明装置に関するものである。
　従来から、ＬＥＤチップを利用した発光装置の製造に用いられるリードフレームが提案されている（例えば、日本公開特許公報特開２００６－９３４７０号公報：特許文献１）。
　この特許文献１には、図６０に示すように、ヒートシンク１６０と、このヒートシンク１６０にマウントされたＬＥＤチップ１６１と、ＬＥＤチップ１６１並びにヒートシンク１６０にそれぞれボンディングワイヤ１６４ａ，１６４ｂを介して電気的に接続された一対のリード部３３０と、ヒートシンク１００および各リード部３３０を一体的に保持するとともにＬＥＤチップ１６１を前面側で露出させる樹脂パッケージ４００と、この樹脂パッケージ４００の前面側に光透過性の樹脂部５５０を介して覆うように装着されたアタッチメントレンズ５６０とを備えた発光装置１００が記載されている。
　また、特許文献１には、図６０の発光装置１００の製造に用いるリードフレーム３００として、図６１に示す構成のものが記載されている。このリードフレーム３００は、互いに平行に形成された一対の長尺な平行フレーム部３１０と、平行フレーム部３１０の長手方向において等間隔で配置され対向する平行フレーム部３１０同士を連結する連結フレーム部３２０と、相隣接する連結フレーム部３２０の中央部から互いに近接する方向に延在されて、端部同士が互いに所定距離を隔てて対峙するように形成された一対のリード部３３０と、一対の平行フレーム部３１０からそれぞれのリード部３３０の端部に向けて延在されたサポートフレーム部３４０とが一体的に形成されている。
　また、従来から、図６２Ａ、図６２Ｂに示すように、光源装置１０１と、光源装置１０１に動作電源を供給する電源装置１０２と、これらを収納する器具本体１０３とを備えた照明器具Ｌが提案されている（日本公開特許公報特開２００７－３５８９０号公報：特許文献２）。
　光源装置１０１は、光源ブロックＢＫと、光源ブロックＢＫを収納するケース１０６とを備えている。光源ブロックＢＫは、図６３に示すように、配線パターン１１１が一面側（表面側）に形成された長尺状のプリント基板１１０と、プリント基板１１０の配線パターン１１１にリフロー半田付けにより面実装される複数の発光ダイオード４Ａ～４Ｌを備えている。
　発光ダイオード４Ａ～４Ｌは、所謂面実装型の高輝度白色発光ダイオードであり、表面が出射口４０（図６４Ａ参照）を備えた出射面、裏面がアノード端子（図示せず）およびカソード端子（図示せず）が露出した実装面となっている。そして、特許文献２には、発光ダイオード４Ａ～４Ｌが、図６４Ａに示すように、プリント基板１１０の長手方向に略等間隔で列設され、擬似的な線光源として用いられる旨が記載されている。
　プリント基板１１０は、図６３Ａ、図６３Ｂに示すように、長尺矩形板状に形成された片面実装基板であり、左端側には、配線パターン１１１に電源装置１０２の出力用電源線１０７ａ～１０７ｃ（図６２Ａ参照）を接続するための３つのスルーホール１１０ａが貫設されている。また、このプリント基板１１０の長手方向の両端部および中央部には、プリント基板１１０を器具本体１０３に固定するための固定螺子Ｓ１（図６２参照）が螺着される螺子孔１１０ｂが貫設されている。
　プリント基板１１０の材料としては、紙基材エポキシ樹脂銅張積層板などの紙基材銅張積層板、ガラス布基材エポキシ樹脂銅張積層板などのガラス布基材銅張積層板、ガラス不織布基材エポキシ樹脂銅張積層板などのガラス不織布銅張積層板が記載されている。
　このプリント基板１１０の表面側には、図６３Ａに示すように、発光ダイオード４Ａ～４Ｌなどが接続される配線パターン１１１が形成されている。この配線パターン１１１は、銅箔などの導電材料を用いて形成されている。このプリント基板１１０では、発光ダイオード４Ａ～４Ｆの直列回路と、発光ダイオード４Ｇ～４Ｌの直列回路とが順方向に並列接続される。
　また、プリント基板１１０の表面側には、配線パターン１１１において、発光ダイオード４Ａ～４Ｌなどとの接続に必要な部分のみを露出させて、必要箇所以外に半田が付着してしまうことを防止するためのソルダレジスト１１２（図６４Ａ参照）が形成されている。
　一方、プリント基板１１０の他面側（裏面側）には、反り防止部１１３が形成されている。この反り防止部１１３は、図６３Ｂに示すように、銅箔を用いて配線パターン１１１と略同じ形状に形成されている。つまり、反り防止部１１３は、配線パターン１１１と略同じ形状のダミー用配線パターンとなっている。
　発光ダイオード４Ａ～４Ｌは、プリント基板１１０に面実装されているが、これはリフロー半田付けによって行われている。プリント基板１１０をリフロー炉に通した際には、プリント基板１１０の熱膨張係数よりも配線パターン１１１の熱膨張係数の方が小さいため、これらの熱膨張係数の差により、プリント基板１１０の表面側の熱膨張が抑制されて、プリント基板１１０には表面側へ反るような力が生じることになる。しかしながら、上述のプリント基板１１０は、裏面側に配線パターン１１１と略同じ形状の反り防止部１１３を形成してあるので、反り防止部１１３とプリント基板１１０との熱膨張係数の差により、プリント基板１１０の裏面側においても熱膨張が抑制され、プリント基板１１０には裏面側へ反るような力が生じる。そのため、プリント基板１１０では、両面（表面および裏面）において熱膨張が抑制され、その結果、配線パターン１１１とプリント基板１１０の熱膨張係数の差に起因する反りと、反り防止部１１３とプリント基板１１０の熱膨張係数の差に起因する反りとは互いに打ち消し合い、プリント基板１１０の反りは低減されることになる。そして、リフロー炉の通過後に、プリント基板１１０の温度が下がった際にも温度変化により反りが生じようとするが、上記と同様の理由からプリント基板１１０の反りは低減されることになる。
　光源ブロックＢＫが収納されるケース１０６は、アクリル樹脂などの透光性を有する合成樹脂を用いて、下面が開口した長尺箱状に形成されており、その長手方向の両内側面の下端縁部には、ケース１０６内に収納したプリント基板１１０を支持するための支持片１０６ａ，１０６ａが一体に突設されている。
　光源装置１０１のケース１０６内には、ケース１０６を全体的に光らせるため、および光源ブロックＢＫの放熱性と防水性を向上するために、シリコン樹脂などの透光性を有する樹脂からなる封止材Ｐが充填され、加熱・硬化されている。
　特許文献２には、図６４Ｂに示すように、反射防止部１１３として、シルク印刷（シルクスクリーン印刷）により、シルク印刷用のインクをプリント基板１１０の裏面側の全面を覆うように塗布したものを用いることができる旨が記載されている。また、特許文献２には、反り防止部１１３として、配線パターン１１１と同一の材料、または配線パターン１１１と略同じ熱膨張係数を有する金属材料を用いてプリント基板１１０の裏面側の全面を覆うように形成したものを用いてもよいことが記載されている。また、この場合には、プリント基板１１０に実装される発光ダイオード４Ａ～４Ｌのような発熱部品の放熱性を向上することが可能になる旨が記載されている。
　従来から、可視光発光ダイオードチップ（可視光ＬＥＤチップ）を利用した面光源として、図６５に示す構成の光源装置が提案されている（日本公開特許公報特開平１１－１６２２３３号公報：特許文献３）。
　図６５に示す構成の光源装置は、第１の可視光ＬＥＤチップ１０３と、第１の可視光ＬＥＤチップ１０３が実装される第１の透明基板１６１と、第１の透明基板１６１に設けられ第１の可視光ＬＥＤチップ１０３へ給電する第１の透明電極１７１とを備えている。また、光源装置は、第２の可視光ＬＥＤチップ１０４と、第１の透明基板１６１の実装面側に対向配置され第２の可視光ＬＥＤチップ１０４が実装される第２の透明基板１６２と、第２の透明基板１６２に設けられ第２の可視光ＬＥＤチップ１０４へ給電する第２の透明電極１７２とを備えている。
　図６５に示す構成の光源装置では、第１の可視光ＬＥＤチップ１０３からの光を第２の透明電極１７２および第２の透明基板１６２を通して外部へ取り出すことができ、且つ、第２の可視光ＬＥＤチップ１０４からの光を第１の透明電極１７１および第１の透明基板１６１を通して外部へ取り出すことができる。
　また、従来から、図６６に示すように、ＬＥＤ発光体６０３を内蔵してなる照明装置６００が提案されている（日本公開特許公報特開２００９－２６６４３２号公報：特許文献４）。
　この照明装置６００の発光部本体６０２は、一対の取付基板６０４，６０４と、取付基板６０４，６０４同士を一体に連結固定し取付基板６０４，６０４間に空隙６１０を形成するスペーサ６１１とを備えている。また、発光部本体６０２は、取付基板６０４，６０４の表面に貼り付け一体に装着したＬＥＤ発光体６０３のためのプラスチック製の配線基板６０８，６０８と、取付基板６０４，６０４の表面側に装着される透光性のカバー６０５，６０５とを備えている。なお、取付基板６０４は、長尺な薄肉の帯板状をなすもので、アルミニウムの押出型材が使用されている。また、配線基板６０８は、図６６および図６７に示すように、複数のＬＥＤ発光体６０３が所定の間隔で配置されている。
　ところで、図６０に示した構成の発光装置１００を一般照明などのように比較的大きな光出力を必要とする用途に用いる場合、１つの発光装置１００では所望の光出力を得ることができない。
　そこで、複数個の発光装置１００を１枚の配線板に実装して例えば直列接続したＬＥＤユニット（発光ユニット）を構成することが考えられる。この場合、発光装置１００におけるＬＥＤチップ１６１の温度上昇を抑制して光出力の高出力化を図るために、配線板として金属ベースプリント配線板を用いることが考えられる。このようなＬＥＤユニットの製造にあたっては、各発光装置１００それぞれの一対のリード部３３０を、配線板の金属ベースプリント配線板の銅箔パターンからなる配線パターンに半田付けすればよい。
　しかしながら、このＬＥＤユニットでは、各発光装置１００ごとにヒートシンク１６０を組み付ける必要があるとともに、金属ベースプリント配線板が必要であり、しかも、各発光装置１００それぞれを金属ベースプリント配線板に位置合わせして実装する必要があり、コストが高くなってしまう。
　また、上述の光源ブロックＢＫのような発光ユニットでは、プリント基板１１０の反りを低減することが可能となる。しかしながら、上述の光源ブロックＢＫのような発光ユニットでは、発光ダイオード４Ａ～４Ｌで発生した熱が、プリント基板１１０を通して放熱されるので、例えば、個々の発光ダイオード４Ａ～４Ｌの光出力の増加などによって光源ブロックＢＫ全体の光出力の高出力化を図った場合に、発光ダイオード４Ａ～４Ｌの温度上昇を十分に抑制できなくなる懸念がある。このため、上述の光源ブロックＢＫでは、光出力の高出力化が制限されてしまう可能性がある。
　図６５の構成の光源装置では、第１の可視光ＬＥＤチップ１０３で発生した熱が、主に第１の透明電極１７１と第１の透明基板１６１とを通して放熱され、第２の可視光ＬＥＤチップ１０４で発生した熱が、主に第２の透明電極１７２および第２の透明基板１６２を通して放熱されるものと考えられる。このため、この光源装置では、例えば、第１の可視光ＬＥＤチップ１０３および第２の可視光ＬＥＤチップ１０４の光出力の増加などによって光源装置全体の光出力の高出力化を図った場合に、第１の可視光ＬＥＤチップ１０３および第２の可視光ＬＥＤチップ１０４の温度上昇を十分に抑制できなくなる懸念がある。このため、図６５の構成の光源装置では、光出力の高出力化が制限されてしまう可能性がある。
　また、図６６に示した構成の発光部本体６０２および照明装置６００では、ＬＥＤ発光体６０３で発生した熱が、主に配線基板６０８と取付基板６０４とを通して放熱されるものと考えられる。このため、発光部本体６０２および照明装置６００では、ＬＥＤ発光体６０３の光出力の増加などによって発光部本体６０２全体および照明装置６００全体の光出力の高出力化を図った場合に、ＬＥＤ発光体６０３の温度上昇を十分に抑制できなくなる懸念がある。このため、上述の発光部本体６０２および照明装置６００では、光出力の高出力化が制限されてしまう可能性がある。
　本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、光出力の高出力化を図れ、且つ、複数の固体発光素子を直列接続して用いる発光ユニットの低コスト化を図れるリードフレーム、配線板、光出力の高出力化を図ることが可能な発光ユニットおよび照明装置を提供することにある。
　本発明のリードフレームは、金属板を用いて形成され１ピッチの外枠部の内側に支持片を介して所望の配線パターンが支持されたリードフレームであって、前記配線パターンは、固体発光素子を搭載するダイパッドと、前記ダイパッドから前記ダイパッドを取り囲むように延設されたヒートシンクと、一方の電極が前記ヒートシンクに電気的に接続される前記固体発光素子の他方の電極と電気的に接続されるリードとを具備する単位ユニットを複数備え、互いに隣り合う前記単位ユニットの一方の前記単位ユニットの前記リードと他方の前記単位ユニットの前記ヒートシンクとが連結され電気的に直列接続されてなることを特徴とする。
　このリードフレームにおいて、前記リードは、前記ヒートシンクの外周縁から前記ダイパッドに向かって形成された切込溝の内側に配置されてなることが好ましい。
　このリードフレームにおいて、前記複数の前記単位ユニットが、前記外枠部の長さ方向に沿って配列されてなることが好ましい。
　このリードフレームにおいて、前記配線パターンは、前記複数の前記単位ユニットに跨って前記ヒートシンクの側方に配置された配線を備え、前記配線は、前記外枠部の前記長さ方向における一端の前記単位ユニットの前記リードと連結されて電気的に接続されてなることが好ましい。
　このリードフレームにおいて、前記パターンは、前記複数の前記単位ユニットに跨って前記ヒートシンクの側方に配置された配線を備え、前記配線は、前記外枠部の前記長さ方向における一端の前記単位ユニットのリードと連結されて電気的に接続されてなることが好ましい。
　このリードフレームにおいて、前記配線パターンは、前記複数の前記単位ユニットに跨って前記ヒートシンクの側方に配置された配線を備えることが好ましい。
　このリードフレームにおいて、前記複数の前記単位ユニットが、前記外枠部により囲まれた領域の中心を取り囲むように配置されてなることが好ましい。
　本発明の配線板は、第１の金属板を用いて形成され主表面側に配置される複数の固体発光素子の直列接続が可能な配線パターンを有するモジュールと、前記モジュールの裏面側に配置された第２の金属板と、電気絶縁性および熱伝導性を有し前記モジュールと前記第２の金属板との間に介在して前記配線パターンと前記第２の金属板とを熱結合する絶縁層とを備え、前記配線パターンは、前記固体発光素子を搭載するダイパッドと、前記ダイパッドから前記ダイパッドを取り囲むように延設されたヒートシンクと、一方の電極が前記ヒートシンクに電気的に接続される前記固体発光素子の他方の電極と電気的に接続されるリードとを具備する単位ユニットを複数備え、互いに隣り合う前記単位ユニットの一方の前記単位ユニットの前記リードと他方の前記単位ユニットの前記ヒートシンクとが連結され電気的に直列接続されてなり、前記モジュールは、前記単位ユニットごとに前記ダイパッドと前記ヒートシンクと前記リードとを保持する絶縁性材料からなる保持部を備えることを特徴とする。
　この配線板において、前記モジュールは、前記配線パターンの側縁に前記保持部との密着性を向上させる凹凸構造部が設けられてなることが好ましい。
　この配線板において、前記配線パターンの裏面に、前記第１の金属板に比べて耐酸化性および耐腐食性の高い金属材料からなり前記絶縁層との密着性を高める第１のめっき層が形成されてなることが好ましい。
　この配線板において、前記ダイパッドおよび前記固体発光素子と電気的に接続される部位の主表面に、前記第１の金属板に比べて耐酸化性および耐腐食性の高い金属材料からなる第２のめっき層が形成されてなることが好ましい。
　この配線板において、前記第１の金属板の材料がＣｕであり、前記第２のめっき層は、Ｎｉ膜とＰｄ膜とＡｕ膜との積層膜からなることが好ましい。
　この配線板において、互いに隣り合う前記単位ユニットの一方の前記単位ユニットの前記リードと他方の前記単位ユニットの前記ヒートシンクとを連結する連結片を備え、前記連結片と前記絶縁層との間に空間を有し、前記連結片は、前記第１の金属板と前記第２の金属板との線膨張率差に起因して前記配線パターンに働く応力を緩和するように曲がった応力緩和部を備えていることが好ましい。
　本発明の発光ユニットは、前記配線板の前記各ダイパッドそれぞれに前記固体発光素子が搭載され、前記固体発光素子は、厚み方向の一面側に前記一方の電極が設けられるととともに他面側に前記他方の電極が設けられたものであり、前記一方の電極が前記ダイパッドを介して前記ヒートシンクに電気的に接続されるとともに前記他方の電極がワイヤを介して前記リードと電気的に接続されてなることを特徴とする。
　本発明の発光ユニットは、前記配線板の前記各ダイパッドそれぞれに前記固体発光素子が搭載され、前記固体発光素子は、厚み方向の一面側に前記一方の電極と前記他方の電極とが設けられたものであり、前記一方の電極が第１のワイヤを介して前記ヒートシンクと電気的に接続され、前記他方の電極が第２のワイヤを介して前記リードと電気的に接続されてなることを特徴とする。
　この発光ユニットにおいて、前記単位ユニットごとに、前記固体発光素子から放射された光の配光を制御する光学部材であって前記配線板との間に前記固体発光素子を収納するドーム状の光学部材と、前記光学部材と前記配線板とで囲まれた空間に充実され前記固体発光素子を封止した第１の透光性材料からなる封止部と、前記固体発光素子から放射され前記封止部および前記光学部材を透過した光によって励起されて前記固体発光素子の発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体および第２の透光性材料により形成され前記光学部材を囲む形で配設されたドーム状の色変換部材とを備え、前記配線板の前記保持部は、前記光学部材の外側に、前記光学部材を前記配線板に固着する際に溢れ出た前記第１の透光性材料を堰き止める環状の堰部が突設され、前記堰部は、前記堰部の内周面から内方へ延出し前記堰部の中心と前記光学部材の中心軸とをセンタリングする複数の爪部が周方向に離間して設けられ、且つ、前記色変換部材の位置決め部を兼ねていることが好ましい。
　また、本出願は、放熱性を向上させることが可能で、且つ、光出力の高出力化を図ることが可能な発光ユニットの発明も含む。この場合は、発光ユニットは、実装基板と、前記実装基板の一面側に配置された複数の固体発光素子とを備え、前記実装基板は、第１金属板により形成され前記各固体発光素子が一面側に搭載される伝熱板と、第２金属板により形成されてなり前記伝熱板の他面側に配置され前記固体発光素子が電気的に接続される配線パターンと、前記伝熱板と前記配線パターンとの間に介在する絶縁層とを備えることを特徴とする。
　この発光ユニットにおいて、前記絶縁層は、熱硬化性樹脂に前記熱硬化性樹脂に比べて熱伝導率の高いフィラーを含有していることが好ましい。
　この発光ユニットにおいて、前記固体発光素子は、ＬＥＤチップであることが好ましい。
　この発光ユニットにおいて、前記伝熱板は、前記第１金属板がアルミニウム板であり、前記アルミニウム板における前記絶縁層側とは反対側に前記アルミニウム板よりも高純度のアルミニウム膜が積層され、前記アルミニウム膜に屈折率の異なる２種類の誘電体膜からなる増反射膜が積層されてなることが好ましい。
　この発光ユニットにおいて、前記ＬＥＤチップから放射された光によって励起されて前記ＬＥＤチップの発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体および透光性材料を含む色変換部を備え、前記色変換部は、前記伝熱板に接していることが好ましい。
　この発光ユニットにおいて、前記各ＬＥＤチップは、厚み方向の一面側に第１電極と第２電極とが設けられたものであり、前記第１電極および前記第２電極の各々がワイヤを介して前記配線パターンと電気的に接続されてなり、前記伝熱板は、前記各ワイヤの各々を通す貫通孔が形成されてなることが好ましい。
　この発光ユニットにおいて、前記伝熱板が長尺状の形状であり、前記固体発光素子が前記伝熱板の長手方向に沿って配置されてなり、前記第２金属板よりも前記第１金属板との線膨張率差が小さく前記配線パターンにおける前記伝熱板側とは反対側に配置される長尺状のベース基板を備えることが好ましい。
　この発光ユニットにおいて、前記ベース基板は、樹脂に前記樹脂よりも熱伝導率の高いフィラーを混合した樹脂基板からなることが好ましい。
　この発光ユニットにおいて、前記ベース基板が前記第１金属板と同じ材料からなる第３金属板により形成され、前記ベース基板と前記配線パターンとの間に前記絶縁層である第１絶縁層と同じ材料からなる第２絶縁層が介在していることが好ましい。
　また、本出願は、放熱性を向上させることが可能で、且つ、光出力の高出力化を図ることが可能な照明装置の発明も含む。この場合は、照明装置は、前記発光ユニットを備えることを特徴とする。
　また、本出願は、放熱性を向上させることが可能で、且つ、光出力の高出力化を図ることが可能な発光ユニットおよび照明装置の発明も含む。この場合は、発光ユニットは、第１金属板により形成されてなり厚み方向に離間して配置される一対の伝熱板と、前記各伝熱板における互いの対向面とは反対の一面側に搭載された固体発光素子と、第２金属板により形成されてなり前記両伝熱板の間に配置され前記各固体発光素子が電気的に接続される配線パターンと、前記各伝熱板と前記配線パターンとの各々の間に介在する一対の絶縁層とを備えることを特徴とする。
　この発光ユニットにおいて、前記固体発光素子は、ＬＥＤチップであることが好ましい。
　この発光ユニットにおいて、前記伝熱板は、前記第１金属板がアルミニウム板であり、前記アルミニウム板における前記絶縁層側とは反対側に前記アルミニウム板よりも高純度のアルミニウム膜が積層され、前記アルミニウム膜に屈折率の異なる２種類の誘電体膜からなる増反射膜が積層されてなることが好ましい。
　この発光ユニットにおいて、前記ＬＥＤチップから放射された光によって励起されて前記ＬＥＤチップの発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体および透光性材料を含む色変換部を備え、前記色変換部は、前記伝熱板に接していることが好ましい。
　この発光ユニットにおいて、前記各ＬＥＤチップは、厚み方向の一面側に第１電極と第２電極とが設けられたものであり、前記第１電極および前記第２電極の各々がワイヤを介して前記配線パターンと電気的に接続されてなり、前記伝熱板は、前記各ワイヤの各々を通す貫通孔が形成されてなることが好ましい。
　また、照明装置は、前記発光ユニットを備えることを特徴とする。
図１Ａは実施形態１におけるリードフレームの１ピッチ分の概略斜視図、図１Ｂは実施形態１におけるリードフレームの要部概略平面図、図１Ｃは実施形態１におけるリードフレームの単位ユニットの概略平面図である。 実施形態１におけるリードフレームへのＬＥＤチップの実装例を示す概略平面図である。 実施形態１におけるリードフレームへのＬＥＤチップの実施例を示す概略平面図である。 実施形態１におけるリードフレームの製造に用いる金属板の概略斜視図である。 図５Ａは実施形態１における配線板の概略斜視図、図５Ｂは実施形態１における配線板の要部概略平面図である。 実施形態１における配線板へのＬＥＤチップおよびツェナダイオードの実装例を示す概略断面図である。 図７Ａは実施形態１におけるＬＥＤユニットの一部を分解し破断した概略斜視図、（ｂ）は要部概略平面図である。 実施形態１におけるＬＥＤユニットの概略断面図である。 実施形態１におけるＬＥＤユニットの他の構成例における概略断面図である。 図１０Ａは実施形態１におけるＬＥＤユニットの製造方法を説明するための概略斜視図、図１０Ｂは実施形態１におけるＬＥＤユニットの製造方法を説明するための要部概略平面図である。 図１１Ａは実施形態１におけるＬＥＤユニットの製造方法を説明するための概略斜視図、図１１Ｂは実施形態１におけるＬＥＤユニットの製造方法を説明するための要部概略平面図である。 図１２Ａは実施形態１におけるＬＥＤユニットの製造方法を説明するための概略斜視図、図１２Ｂは実施形態１におけるＬＥＤユニットの製造方法を説明するための要部概略平面図である。 実施形態１におけるリードフレームへのＬＥＤチップの実装例を示す概略平面図である。 図１４Ａは実施形態１における配線板の他の構成例を示す要部概略平面図、図１４Ｂは実施形態１における配線板の他の構成例を示す要部概略断面図である。 実施形態１における配線板の他の構成例へのＬＥＤチップの搭載例を示す概略平面図である。 実施形態１における配線板のさらに他の構成例を示す概略斜視図である。 図１７Ａは実施形態１における配線板の別の構成例を示す概略斜視図、図１７Ｂは実施形態１における配線板の別の構成例を示す要部斜視図である。 図１８Ａは実施形態２におけるリードフレームの２ピッチ分の概略斜視図、図１８Ｂは実施形態２におけるリードフレームの要部概略平面図である。 図１９Ａは実施形態２におけるＬＥＤユニットの製造方法を説明するための概略斜視図、図１９Ｂは実施形態２におけるＬＥＤユニットの製造方法を説明するための要部概略平面図である。 図２０Ａは実施形態２におけるＬＥＤユニットの製造方法を説明するための概略斜視図、図２０Ｂは実施形態２におけるＬＥＤユニットの製造方法を説明するための要部概略平面図である。 実施形態２におけるＬＥＤユニットの製造方法を説明するための概略斜視図である。 実施形態２におけるＬＥＤユニットの製造方法を説明するための概略斜視図である。 実施形態２におけるＬＥＤユニットの製造方法を説明するための概略斜視図である。 実施形態２におけるＬＥＤユニットの製造方法を説明するための概略斜視図である。 図２５Ａは実施形態３の発光ユニットの要部概略斜視図、図２５Ｂは実施形態３の発光ユニットの一部破断した要部斜視図である。 実施形態３の発光ユニットの一部破断した概略斜視図である。 実施形態３の発光ユニットの要部概略断面図である。 実施形態３の発光ユニットにおける実装基板の概略斜視図である。 実施形態３の発光ユニットにおける実装基板の概略分解斜視図である。 実施形態３の発光ユニットにおける実装基板の要部斜視図である。 実施形態３の発光ユニットにおける実装基板の製造方法の説明図である。 実施形態３の発光ユニットにおける実装基板の製造方法の説明図である。 実施形態３の発光ユニットの他の構成例の要部概略断面図である。 実施形態３の発光ユニットの更に他の構成例の要部概略断面図である。 実施形態３の発光ユニットの別の構成例の要部概略断面図である。 実施形態３の照明装置の一部破断した概略斜視図である。 実施形態４の発光ユニットの概略斜視図である。 実施形態４の発光ユニットにおける実装基板の概略分解斜視図である。 実施形態５の発光ユニットの概略分解斜視図である。 実施形態５の照明装置の要部概略斜視図である。 実施形態５の照明装置の要部概略分解斜視図である。 実施形態５の照明装置の要部説明図である。 実施形態３～５の発光ユニットの他の構成例の要部概略断面図である。 実施形態３～５の発光ユニットの別の構成例の要部概略斜視図である。 実施形態６の発光ユニットの概略斜視図である。 図４６Ａは実施形態７の両面発光ユニットの要部概略斜視図、図４６Ｂは実施形態７の両面発光ユニットの一部破断した要部斜視図である。 実施形態７の両面発光ユニットの概略斜視図である。 実施形態７の両面発光ユニットにおける実装基板の概略分解斜視図である。 実施形態７の両面発光ユニットの概略断面図である。 実施形態７の両面発光ユニットにおける実装基板の要部斜視図である。 実施形態７の両面発光ユニットにおける実装基板の製造方法の説明図である。 実施形態７の両面発光ユニットにおける実装基板の製造方法の説明図である。 実施形態７の両面発光ユニットの他の構成例の概略断面図である。 実施形態７の両面発光ユニットの更に他の構成例の概略断面図である。 実施形態７の両面発光ユニットの別の構成例の概略断面図である。 実施形態７の両面発光ユニットの更に別の構成例の一部破断した要部斜視図である。 実施形態７の照明装置の概略斜視図である。 実施形態８の両面発光ユニットの概略斜視図である。 実施形態８の照明装置の概略分解斜視図である。 従来の発光装置を示す概略断面図である。 同上の発光装置の製造に用いるリードフレームの概略平面図である。 図６２Ａは従来例の照明器具の一部の断面図であり、図６２Ｂは従来例の照明器具の一部を透視した上面図である。 図６３Ａは従来例の照明器具に用いるプリント基板の表面図であり、図６３Ｂは従来例の照明器具に用いるプリント基板の裏面図である。 図６４Ａは発光ダイオードが実装されたプリント基板の表面図であり、図６４Ｂは他の例を示すプリント基板の裏面図である。 従来例の光源装置の概略構成図である。 従来例の照明装置の要部断面図である。 従来例の発光部本体における取付基板の一部切り欠いた平面図である。
　（実施形態１）
　まず、リードフレームについて図１～図３を参照しながら説明する。
　本実施形態におけるリードフレーム２３０は、１ピッチの外枠部２３１の内側に支持片２３２を介して所望のパターン２３３が支持されたリードフレーム２３０である。このリードフレーム２３０は、帯状の金属板２０３（図４参照）を用いて形成されており、外枠部２３１は、矩形枠状に形成されており、外周形状が細長の矩形状となっている。なお、図４の帯状の金属板２０３は、リードフレーム２３０の１ピッチ分に対応する部分のみ図示してあるが、この帯状の金属板２０３を金属フープ材の一部により構成してもよい。また、本実施形態では、パターン２３３が、配線パターンを構成している。
　リードフレーム２３０のパターン２３３は、一対の電極を有するＬＥＤチップ２１０（図２、図３参照）を搭載するダイパッド２３４と、ダイパッド２３４から当該ダイパッド２３４を取り囲むように延設されたヒートシンク２３５と、一対の電極のうちの一方の電極がヒートシンク２３５に電気的に接続されるＬＥＤチップ２１０の他方の電極と電気的に接続されるリード２３６とを具備する単位ユニット２３３ａ（図１Ｃに、単位ユニット２３３ａのみを図示し、ハッチングを施してある）を複数備え、互いに隣り合う単位ユニット２３３ａの一方の単位ユニット２３３ａのリード２３６と他方の単位ユニット２３３ａのヒートシンク２３５とが連結され電気的に直列接続されている。なお、本実施形態では、ＬＥＤチップ２１０が、固体発光素子を構成している。
　ここで、一方の単位ユニット２３３ａのリード２３６と他方の単位ユニット２３３ａのヒートシンク２３５とは、リード２３６に比べて幅広の連結片２３７を介して連結されている。
　リードフレーム２３０の各単位ユニット２３３ａごとに、ＬＥＤチップ２１０として厚み方向の一面側に一対の電極が形成されているものを実装する場合には、例えば、図２に示すように、ＬＥＤチップ２１０の一方の電極を、ボンディングワイヤ２１４を介してヒートシンク２３５に電気的に接続し、ＬＥＤチップ２１０の他方の電極を、ボンディングワイヤ２１４を介してリード２３６に電気的に接続すればよい。なお、このようなＬＥＤチップ２１０の場合、一方の電極をダイパッド２３４に第１のバンプを介して電気的に接続し、他方の電極をリード２３６に第２のバンプを介して接続するような形態のフリップチップ実装も可能である。また、本実施形態では、ボンディングワイヤ２１４が、ワイヤを構成している。
　また、ＬＥＤチップ２１０として厚み方向の両面に電極が形成されているものを実装する場合には、例えば、図３に示すように、ＬＥＤチップ２１０の一方の電極を、ダイパッド２３４を介してヒートシンク２３５に電気的に接続し、ＬＥＤチップ２１０の他方の電極を、ボンディングワイヤ２１４を介してリード２３６に電気的に接続すればよい。なお、本実施形態におけるリードフレーム２３０では、１ピッチ当たりの単位ユニット２３３ａの数を８個にしてあるが、この数は特に限定するものではなく、複数であればよい。
　上述のリードフレーム２３０は、複数の単位ユニット２３３ａが、外枠部２３１の長さ方向（図１Ｂの左右方向）に沿って配列されている。また、リードフレーム２３０のパターン２３３は、複数の単位ユニット２３３ａに跨ってヒートシンク２３５の側方に配置された直線状の配線２３８を備えている。この配線２３８は、例えば、外枠部２３１の長さ方向（つまり、単位ユニット２３３ａの配列方向）における一端の単位ユニット２３３ａ（図１Ａの左端の単位ユニット２３３ａ）のリード２３６と連結されて電気的に接続されている。したがって、各単位ユニット２３３ａごとに１個のＬＥＤチップ２１０が実装されパターン２３３が外枠部２３１から分離された状態において、複数の単位ユニット２３３ａの配列方向の他端の単位ユニット２３３ａ（図１Ａの右端の単位ユニット２３３ａ）のヒートシンク２３５と配線２３８との間に給電することにより、全てのＬＥＤチップ２１０の直列回路に対して給電することができる。
　上述のリード２３６は、ヒートシンク２３５の外周縁からダイパッド２３４に向かって形成された切込溝２３５ａの内側に配置されている。また、図１に示したリードフレーム２３０には、単位ユニット２３３ａごとにリード２３６が２つ設けられるとともに、ヒートシンク２３５に２つの切込溝２３５ａが互いに近づく向きで且つ中心線の位置をずらして形成されている。この２つのリード２３６のうちの一方のリード２３６は、直線状に形成されており、一方の切込溝２３５ａの内側に配置されている。また、他方のリード２３６は、他方の切込溝２３５ａの内側に配置された直線状の第１の部位と、当該第１の部位におけるダイパッド２３４側とは反対側の端部から連結片２３７まで延長されヒートシンク２３５の外側縁に沿って配置された第２の部位とで構成されている。
　リードフレーム２３０のもとになる金属板２０３（図４参照）の材料としては、金属材料の中で熱伝導率が比較的高い銅（銅の熱伝導率は、３９８Ｗ／ｍ・Ｋ程度）が好ましいが、銅に限らず、例えば、リン青銅などでもよい。また、金属板２０３の材料は、銅合金（例えば、４２アロイなど）でもよい。また、金属板２０３の厚みは、例えば、１００μｍ～１５００μｍ程度の範囲で設定することが好ましい。なお、金属板２０３の厚みを厚くするにつれて、切込溝２３５ａの内周面とリード２３６の外側縁との距離が長くなるので、金属板２０３の厚みの上限としては１５００μｍ程度が望ましい。単位ユニット２３３ａでは、ヒートシンク２３５に切込溝２３５ａを設けずにヒートシンク２３５の外側にリード２３６を配置してもよい。しかしながら、この場合には、ＬＥＤチップ２１０とリード２３６との距離が長くなってボンディングワイヤ２１４の全長が長くなってしまうので、例えば図１のようにヒートシンク２３５に切込溝２３５ａを設けて切込溝２３５ａの内側に入り組むようにリード２３６を配置することが好ましい。
　以下、上述のリードフレーム２３０を用いて製造される配線板２４０について図５および図６を参照しながら説明し、その配線板２４０を用いて製造されるＬＥＤユニット２５０について、図７および図８を参照しながら説明する。なお、図６は、配線板２４０にＬＥＤチップ２１０および後述のツェナダイオードＺＤを実装した状態の概略断面図である。
　配線板２４０は、リードフレーム２３０を用いて形成され主表面側に配置される複数のＬＥＤチップ２１０の直列接続が可能なパターン２３３を有するモジュール２４１を備えている。すなわち、配線板２４０は、図４に示した金属板２０３（以下、第１の金属板２０３と称する）を用いて形成されたリードフレーム２３０のパターン２３３を有している。
　したがって、配線板２４０のパターン２３３は、上述のダイパッド２３４とヒートシンク２３５とリード２３６とを具備する単位ユニット２３３ａを複数備え、互いに隣り合う単位ユニット２３３ａの一方の単位ユニット２３３ａのリード２３６と他方の単位ユニット２３３ａのヒートシンク２３５とが連結され電気的に直列接続されている。そして、配線板２４０のモジュール２４１は、単位ユニット２３３ａごとにダイパッド２３４とヒートシンク２３５とリード２３６とを取り囲んで保持する絶縁性材料からなる保持部２４４を備えている。保持部２４４は、ダイパッド２３４、および、リード２３６、ヒートシンク２３５、配線２３８それぞれの一部を除いてパターン２３３の表面を覆う形で形成してあるが、図６に示すように、パターン２３３の表面を全体に亘って露出させてもよい。要するに、保持部２４４は、図６に示すように、少なくともパターン２３３の裏面と電子部品（ＬＥＤチップ２１０、ツェナダイオードＺＤ、後述のコネクタＣＮなど）の実装部位とを露出させる形で形成すればよい。
　上述の保持部２４４は、インジェクション成形（射出成形）により形成されている。保持部２４４の絶縁材料としては、第１の金属板２０３との線膨張率差が小さい材料が好ましく、液晶ポリマーを採用しているが、これに限らず、例えば、ポリアミド系樹脂や、エポキシ樹脂などの他の樹脂材料や、アルミナなどのセラミックなどを採用してもよい。また、保持部２４４の絶縁材料としては、ＬＥＤチップ２１０から放射される光に対する反射率の高い白色の材料が好ましい。
　また、配線板２４０は、上述のモジュール２４１の他に、モジュール２４１の裏面側に配置された第２の金属板２４２と、モジュール２４１と第２の金属板２４２との間に介在する絶縁層２４３とを備えている。ここで、絶縁層２４３は、電気絶縁性および熱伝導性を有し、パターン２３３と第２の金属板２４２とを熱結合する機能を有している。第２の金属板２４２は、放熱板（伝熱板）として機能するものであり、第２の金属板２４２の材料としては、銅、アルミニウムなどの熱伝導率の高い金属材料を採用することが好ましい。また、第２の金属板２４２の厚みは、例えば、０．５ｍｍ～１０ｍｍ程度の範囲で設定すればよい。なお、アルミニウムの熱伝導率は、２３７Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。
　また、上述の絶縁層２４３は、シリカやアルミナなどのフィラーからなる充填材を含有し且つ加熱時に低粘度化するとともに流動性が高くなる性質を有するＢステージのエポキシ樹脂層とプラスチックフィルム（ＰＥＴフィルム）とが積層された熱硬化型のシート状接着剤（例えば、東レ株式会社製の接着剤シートＴＳＡなど）のエポキシ樹脂層を熱硬化させることにより形成されている。ここにおいて、シート状接着剤のエポキシ樹脂層は、電気絶縁性を有するとともに熱伝導率が高く加熱時の流動性が高く凹凸面への密着性が高いという性質を有している。したがって、絶縁層２４３とパターン２３３および第２の金属板２４２との間に空隙が発生するのを防止することができて密着信頼性が向上するとともに、密着不足による熱抵抗の増大やばらつきの発生を抑制することができる。しかして、パターン２３３と第２の金属板２４２との間にサーコン（登録商標）のようなゴムシート状の放熱シートなどを挟む場合に比べて、各ＬＥＤチップ２１０から第２の金属板２４２までの熱抵抗を低減できるとともに、熱抵抗のばらつきを低減できて、放熱性が向上し、各ＬＥＤチップ２１０のジャンクション温度の温度上昇を抑制できるから、入力電力を大きくでき、光出力の高出力化を図れる。上述のエポキシ樹脂層の厚みは、１００μｍに設定してあるが、この値は一例であり、特に限定するものではなく、例えば、５０μｍ～１５０μｍ程度の範囲で適宜設定すればよい。なお、上述のエポキシ樹脂層の熱伝導率は、４Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましい。また、シート状接着剤のプラスチックフィルムは、モジュール２４１と第２の金属板２４２とを重ね合わせる前に、エポキシ樹脂層から剥離する。要するに、エポキシ樹脂層におけるプラスチックフィルム側とは反対側の一面を対象物に固着した後、プラスチックフィルムを剥離する。
　ここで、絶縁層２４３の形成にあたっては、第２の金属板２４２とエポキシ樹脂層とモジュール２４１とを重ね合わせた状態で適宜加圧するようにしてもよい。なお、第２の金属板２４２の熱容量の大きさによっては、エポキシ樹脂層の加熱温度を１７０℃程度まで上げて硬化させると、モジュール２４１と第２の金属板２４２との固着性能が低下し、加熱温度を１５０℃程度まで下げて硬化させるとモジュール２４１と第２の金属板２４２との間の電気絶縁性が低下することがある。すなわち、固着性能と電気絶縁性とがトレードオフの関係を有している。そこで、第２の金属板２４２の熱容量が大きいことに起因して固着性能と電気絶縁性との両方の要求を満足できない場合には、例えば、２つのシート状接着剤のエポキシ樹脂層を重ね合わせるようにし、一方のエポキシ樹脂層を１７０℃で硬化させることにより電気絶縁性および熱伝導性を確保し、他方のエポキシ樹脂層を１５０℃で硬化させることにより固着性能および熱伝導性を確保するようにすればよい。さらに説明すれば、一方のエポキシ樹脂層を対象物である第２の金属板２４２の一面に１７０℃で固着させた後、他方のエポキシ樹脂層およびモジュール２４１を重ね合わせて当該他方のエポキシ樹脂層を１５０℃で硬化させるようすればよい。
　絶縁層２４３および第２の金属板２４２それぞれの外周形状を決める外形サイズは、リードフレーム２３０の外枠部２３１の外形サイズに揃えてあるが、必ずしも揃える必要はない。
　また、配線板２４０は、パターン２３３の裏面に、第１の金属板２０３に比べて耐酸化性および耐腐食性の高い金属材料からなり絶縁層２４３との密着性の高い第１のめっき層（図示せず）が形成されている。ここで、第１の金属板２０３の材料がＣｕの場合には、第１のめっき層の材料として、例えば、Ｎｉなどを採用すればよい。配線板２４０は、パターン２３３の裏面に第１のめっき層が形成されていることにより、パターン２３３の酸化や腐食を抑制することができ、パターン２３３と絶縁層２４３との固着性能の劣化を抑制することが可能となる。その結果、ダイパッド２３４およびヒートシンク２３５と第２の金属板２４２との間の熱抵抗の経時変化を抑制することが可能となる。
　また、モジュール２４１は、パターン２３３の側縁に保持部２４４との密着性を向上させる凹凸構造部２３９（図６参照）が設けられている。要するに、上述のリードフレーム２３０は、製造時に、パターン２３３の側縁に凹凸構造部２３９を形成してある。この凹凸構造部２３９は、リードフレーム２３０の厚み方向の両面の少なくとも一方に厚みを薄くする段差を設けることで形成されている。このような凹凸構造部２３９の形成方法としては、例えば、プレス加工法やエッチング法などを適宜採用すればよい。いずれにしても、リードフレーム２３０は、第１の金属板２０３をプレス加工やエッチング加工などによってパターニングすることにより形成されている。
　上述のモジュール２４１は、パターン２３３の側縁に凹凸構造部２３９が設けられていることにより、パターン２３３と保持部２４４との密着性を向上させることができる。したがって、リードフレーム２３０からモジュール２４１を切断するときに、パターン２３３から保持部２４４が剥離したり脱落したりするのを防止することができる。また、配線板２４０は、パターン２３３の側縁に凹凸構造部２３９が設けられていることにより、ダイパッド２３４に搭載されるＬＥＤチップ２１０と第２の金属板２４２との間の沿面距離を長くすることができる。
　また、配線板２４０は、パターン２３３において、ダイパッド２３４およびＬＥＤチップ２１０と電気的に接続される部位（ボンディングワイヤ２１４が接合される可能性のあるリード２３６の先端部）、ツェナダイオードＺＤを実装可能とする部位、後述の給電用のコネクタＣＮを実装可能とする部位、それぞれの主表面に、第１の金属板２０３に比べて耐酸化性および耐腐食性の高い金属材料からなる第２のめっき層２４７（図１０Ｂ参照）が形成されている。したがって、パターン２３３の酸化に起因してＬＥＤチップ２１０、ツェナダイオードＺＤ、コネクタＣＮなどとの密着性が低下したり、パターン２３３の腐食に起因してＬＥＤチップ２１０、ツェナダイオードＺＤ、コネクタＣＮの固着性能が低下するのを抑制することが可能となる。ここで、第１の金属板２０３の材料がＣｕの場合には、第２のめっき層２４７は、例えば、Ｎｉ膜とＰｄ膜とＡｕ膜との積層膜により構成すれば、ＬＥＤチップ２１０から放射された光の一部を第２のめっき層２４７により反射することができ、光取り出し効率の向上を図れる。
　また、配線板２４０は、パターン２３３の主表面側において第２のめっき層２４７が形成されていない部位に、第２のめっき層２４７の最下層であるＮｉ膜と同時に形成されたＮｉ膜からなる第３のめっき層（図示せず）が形成されている。
　第２の金属板２４２は、長尺の板状に形成されているが、モジュール２４１側とは反対側に複数のフィンを設けてもよい。この場合のフィンは、例えば、第２の金属板２４２の長手方向に沿って形成し、第２の金属板２４２の短手方向に等ピッチで配列されるようにすればよい。
　ＬＥＤユニット２５０は、上述の配線板２４０の各ダイパッド２３４それぞれにＬＥＤチップ２１０が搭載されている。ＬＥＤチップ２１０は、厚み方向の一面側に一対の電極２１１，２１２（図６参照）が設けられたものであり、一方の電極２１１がボンディングワイヤ２１４を介してリード２３６と電気的に接続され、他方の電極２１２がボンディングワイヤ２１４を介してヒートシンク２３５と電気的に接続されている。ただし、ＬＥＤチップ２１０は、厚み方向の両面に電極が形成されたものでもよく、この場合は、一方の電極がダイパッド２３４を介してヒートシンク２３５に電気的に接続されるとともに他方の電極がボンディングワイヤを介してリード２３６と電気的に接続されるようにすればよい（図３参照）。
　また、ＬＥＤユニット２５０の配線板２４０には、ＬＥＤチップ２１０へ過電圧が印加されるのを防止するために、過電圧防止用の表面実装型のツェナダイオードＺＤが、ヒートシンク２３５と、ボンディングワイヤ２１４のボンディングされていないリード２３６とに跨るように配置されている。しかして、ツェナダイオードＺＤが、ヒートシンク２３５とリード２３６とに電気的に接続されている。なお、ツェナダイオードＺＤは、当該ツェナダイオードＺＤの一対の外部接続電極それぞれが半田などによりヒートシンク２３５、リード２３６それぞれの第２のめっき層２４７と接合されて電気的に接続される。
　ＬＥＤユニット２５０は、パターン２３３の単位ユニット２３３ａごとに、ＬＥＤチップ２１０から放射された光の配光を制御する光学部材２６０を備えている。光学部材２６０は、透光性材料によりドーム状に形成されており、配線板２４０との間にＬＥＤチップ２１０を収納する形で配線板２４０の主表面側に固着されている。
　光学部材２６０と配線板２４０とで囲まれた空間には、ＬＥＤチップ２１０およびＬＥＤチップ２１０に電気的に接続されたボンディングワイヤ２１４を封止した第１の透光性材料からなる封止部２５５が充実されている。ここで、封止部２５５は、例えば、第１の透光性材料として、シリコーン樹脂を採用して、ゲル状とすることが好ましい。
　また、ＬＥＤユニット２５０は、ＬＥＤチップ２１０から放射され封止部２５５および光学部材２６０を透過した光によって励起されてＬＥＤチップ２１０の発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体および第２の透光性材料により形成されたドーム状の色変換部材２７０を備えている。ここで、色変換部材２７０は、配線板２４０の主表面側において配線板２４０との間にＬＥＤチップ２１０などを囲む形で配設される。更に説明すれば、色変換部材２７０は、配線板２４０の上記一表面側において光学部材２６０の光出射面２６０ｂとの間に空気層２８０が形成されるように配設されている。また、配線板２４０の保持部２４４は、上記一表面において光学部材２６０の外側に、光学部材２６０を配線板２４０に固着する際に溢れ出た第１の透光性材料を堰き止める環状の堰部２４５が突設されている。
　また、堰部２４５は、堰部２４５の内周面から内方へ延出し堰部２４５の中心と光学部材２６０の中心軸とをセンタリングする複数（本実施形態では、４つ）の爪部２４６が周方向に離間して設けられ、且つ、色変換部材２７０の位置決め部を兼ねている。
　以上説明したＬＥＤユニット２５０は、単位ユニット２３３ａと、保持部２４４と、ＬＥＤチップ２１０と、封止部２５５と光学部材２６０と色変換部材２７０とで構成される発光装置２０１を単位ユニット２３３ａごとに備えており、単位ユニット２３３ａの配列方向において隣り合う発光装置２０１同士が連結片２３７により連結されるとともに電気的に直列接続されている。
　以下、各構成要素について更に説明する。
　ＬＥＤチップ２１０は、青色光を放射するＧａＮ系青色ＬＥＤチップであり、結晶成長用基板の主表面側にＧａＮ系化合物半導体材料により形成されて例えばダブルへテロ構造を有する積層構造部からなる発光部などをエピタキシャル成長した後に発光部を支持する支持基板（例えば、Ｓｉ基板など）を発光部に固着してから、結晶成長用基板などを除去したものを用いている。ＬＥＤチップ２１０の構造は特に限定するものではなく、例えば、ｎ形のＳｉＣ基板やｎ形のＧａＮ基板などからなる結晶成長用基板の主表面側に発光部を備え、厚み方向の両面に電極を備えたものでもよい。なお、各電極は、例えば、Ｎｉ膜とＡｕ膜との積層膜により構成してあるが、これらの材料は特に限定するものではなく、良好なオーミック特性が得られる材料であればよく、例えば、アルミニウムなどを採用してもよい。
　ＬＥＤチップ２１０として、上述のようにＳｉ基板のような支持基板を備えたものや、ＳｉＣ基板やＧａＮ基板を用いた場合には結晶成長用基板として絶縁体であるサファイア基板を用いて残している場合に比べて、発光部からダイパッド２３４までの熱抵抗を小さくすることが可能となる。また、ＬＥＤチップ２１０から放射される光は青色光に限らず、例えば、紫色光、紫外光などでもよい。
　ＬＥＤチップ１０は、図８に示すように配線板２４０のダイパッド２３４に搭載されている。しかして、ＬＥＤチップ２１０で発生した熱をダイパッド２３４、絶縁層２４３、第２の金属板２４２の経路で放熱させることができる。
　ただし、ＬＥＤチップ２１０は、図９に示すように、ＬＥＤチップ２１０とダイパッド２３４との線膨張率の差に起因してＬＥＤチップ２１０に働く応力を緩和するサブマウント部材２１５を介してダイパッド２３４に搭載するようにしてもよい。ここで、サブマウント部材２１５は、ＬＥＤチップ２１０のチップサイズよりも大きな平面サイズの矩形板状に形成されている。
　サブマウント部材２１５は、上記応力を緩和する機能だけでなく、ＬＥＤチップ２１０で発生した熱を単位ユニット２３３ａにおいてＬＥＤチップ２１０のチップサイズよりも広い範囲に伝熱させる熱伝導機能を有している。したがって、ＬＥＤユニット２５０は、ＬＥＤチップ２１０で発生した熱をサブマウント部材２１５および単位ユニット２３３ａおよび第２の金属板２４２を介して効率良く放熱させることができる。また、発光装置２０１は、サブマウント部材２１５を備えていることにより、ＬＥＤチップ２１０とダイパッド２３４との線膨張率の差に起因してＬＥＤチップ２１０に働く応力を緩和することができる。
　サブマウント部材２１５の材料としては、熱伝導率が比較的高く且つ絶縁性を有するＡｌＮを採用している。なお、ＬＥＤチップ２１０とサブマウント部材２１５とは、例えば、ＳｎＰｂ、ＡｕＳｎ、ＳｎＡｇＣｕなどの半田や、銀ペーストなどを用いて接合すればよいが、ＡｕＳｎ、ＳｎＡｇＣｕなどの鉛フリー半田を用いて接合することが好ましい。サブマウント部材２１５がＡｌＮであって、ＡｕＳｎを用いて接合する場合には、サブマウント部材２１５およびＬＥＤチップ２１０における接合表面にあらかじめＡｕまたはＡｇからなる金属層を形成する前処理が必要である。また、サブマウント部材２１５とダイパッド２３４とは、例えば、ＡｕＳｎ、ＳｎＡｇＣｕなどの鉛フリー半田を用いて接合することが好ましい。ここで、ＡｕＳｎを用いて接合する場合には、ダイパッド２３４における接合表面にあらかじめＡｕまたはＡｇからなる金属層を形成する前処理が必要である。
　サブマウント部材２１５の材料は、ＡｌＮに限らず、ＬＥＤチップ２１０との線膨張率差が比較的小さく且つ熱伝導率が比較的高い材料であればよく、例えば、複合ＳｉＣ、Ｓｉ、ＣｕＷなどを採用してもよい。また、サブマウント部材２１５の厚み寸法は、当該サブマウント部材２１５の表面が配線板２４０の堰部２４５の表面よりも単位ユニット２３３ａから離れるように設定することが好ましい。サブマウント部材２１５を、このような厚み寸法に設定することにより、ＬＥＤチップ２１０から側方に放射された光が堰部２４５の内周面を通して保持部２４４に吸収されるのを防止することが可能となる。
　また、サブマウント部材２１５は、ＬＥＤチップ２１０が接合される側の表面におけるＬＥＤチップ２１０との接合部位（つまり、ＬＥＤチップ２１０に重なる部位）の周囲に、ＬＥＤチップ２１０から放射された光を反射する反射膜が形成されている。しかして、ＬＥＤチップ２１０の側面から放射された光がサブマウント部材２１５に吸収されるのを防止することができ、外部への光取出し効率をさらに高めることができる。ここで、サブマウント部材２１５における反射膜は、例えば、Ｎｉ膜とＡｇ膜との積層膜により構成すればよいが、反射膜の材料は特に限定するものではなく、例えば、ＬＥＤチップ２１０の発光波長に応じて適宜選択すればよい。なお、ＬＥＤチップ２１０として厚み方向の両面に電極が設けられたものを用いる場合には、サブマウント部材２１５に、ＬＥＤチップ２１０においてサブマウント部材２１５側に配置される電極に電気的に接続される導体パターンを設けておき、当該導体パターンとヒートシンク２３５とを金属細線（例えば、金細線、アルミニウム細線など）からなるボンディングワイヤを介して電気的に接続するようにすればよい。
　ところで、配線板２４０の保持部２４４は、上述のように各単位ユニット２３３ａごとに設けられており、保持部２４４の中央部には、ダイパッド２３４および各リード２３６の一部を露出させる円形状の第１の開口部２４４ａ（図５Ｂ参照）が形成されるとともに、ツェナダイオードＺＤを実装させる部位を露出させる矩形状の第２の開口部２４４ｂ（図５Ｂ参照）が形成されている。この第２の開口部２４４ｂは、リード２３６のうちヒートシンク２３５の外周縁に沿って配置されている部位の一部と、ヒートシンク２３５における当該一部の近傍の部位を露出させるように形成されている。また、保持部２４４は、後述のコネクタＣＮを実装可能とする部位を露出させる矩形状の第３の開口部２４４ｃ（図５Ｂ参照）が形成されている。この第３の開口部２４４ｃは、配線２３８の一部と、ヒートシンク２３５における当該一部の近傍の部位を露出させるように形成されている。
　また、配線板２４０は、パターン２３３の表面側において、第２の開口部２４４ｂおよび第３の開口部２４４ｃそれぞれにより露出する部位にも、Ｎｉ膜とＰｄ膜とＡｕ膜の積層膜からなる第２のめっき層２４７が形成されている。また、パターン２３３の表面側において、第２のめっき層２４７が形成されている部位以外は、Ｎｉ膜からなる第３のめっき層が形成されている。
　上述の封止部２５５の第１の透光性材料としては、シリコーン樹脂を用いているが、シリコーン樹脂に限らず、例えばアクリル樹脂などを用いてもよい。また、第１の透光性材料としては、ガラスを用いてもよい。
　光学部材２６０は、透光性材料（例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ガラスなど）の成形品であってドーム状に形成されている。ここで、本実施形態では、光学部材２６０をシリコーン樹脂の成形品により構成しているので、光学部材２６０と封止部２５５との屈折率差および線膨張率差を小さくすることができる。なお、封止部２５５の材料がアクリル樹脂の場合には、光学部材２６０もアクリル樹脂により形成することが好ましい。
　ところで、光学部材２６０は、光出射面２６０ｂが、光入射面２６０ａから入射した光を光出射面２６０ｂと上述の空気層２８０との境界で全反射させない凸曲面状に形成されており、ＬＥＤチップ２１０と光軸が一致するように配置されている。したがって、ＬＥＤチップ２１０から放射され光学部材２６０の光入射面２６０ａに入射された光が光出射面２６０ｂと空気層２８０との境界で全反射されることなく色変換部材２７０まで到達しやすくなり、全光束を高めることができる。また、ＬＥＤチップ２１０の側面から放射された光は封止部２５５および光学部材２６０および空気層２８０を伝搬して色変換部材２７０まで到達し色変換部材２７０の蛍光体を励起したり、蛍光体により散乱されたり、蛍光体には衝突せずに色変換部材２７０を透過したりする。なお、光学部材２６０は、位置によらず法線方向に沿って肉厚が一様となるように形成されている。
　色変換部材２７０は、シリコーン樹脂のような第２の透光性材料とＬＥＤチップ２１０から放射された青色光によって励起されてブロードな黄色系の光を放射する黄色蛍光体の粒子とを混合した混合物の成形品により構成されている。したがって、ＬＥＤユニット２５０は、ＬＥＤチップ２１０から放射された青色光と黄色蛍光体から放射された光とが色変換部材２７０の外面２７０ｂを通して放射されることとなり、白色光を得ることができる。色変換部材２７０の材料として用いる第２の透光性材料は、シリコーン樹脂に限らず、例えば、アクリル樹脂、ガラス、有機成分と無機成分とがｎｍレベルもしくは分子レベルで混合、結合した有機・無機ハイブリッド材料などを採用してもよい。また、色変換部材２７０の材料として用いる第２の透光性材料に混合する蛍光体の粒子も黄色蛍光体に限らず、例えば、赤色蛍光体と緑色蛍光体とを混合しても白色光を得ることができ、赤色蛍光体と緑色蛍光体とを混合した場合の方が演色性を高めることができる。
　ここで、色変換部材２７０は、内面２７０ａが光学部材２６０の光出射面２６０ｂに沿った形状に形成されている。したがって、光学部材２６０の光出射面２６０ｂの位置によらず法線方向における光出射面２６０ｂと色変換部材２７０の内面２７０ａとの間の距離が略一定値となっている。また、色変換部材２７０は、位置によらず法線方向に沿った肉厚が一様となるように成形されている。また、色変換部材２７０は、配線板２４０側の端縁（開口部の周縁）を配線板２４０に対して、例えば接着剤（例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など）を用いて固着すればよい。
　堰部２４５は、色変換部材２７０の位置決め部を兼ねている。ここで、上述のセンタリング用の爪部２４６の数は４つに限定するものではないが、少なくとも３つ設けることが望ましい。また、爪部２４６の幅寸法は、堰部２４５と光学部材２６０との間に溜めることが可能な第１の透光性材料の許容量を多くするために、小さいほうが望ましい。また、堰部２４５を設けずに、配線板２４０に色変換部材２７０を位置決めする円環状の凹溝を設けてもよい。
　また、色変換部材２７０は、配線板２４０側の端縁に、堰部２４５に係合する切欠部２７１（図８参照）が全周に亘って形成されている。したがって、本実施形態における発光装置２０１では、配線板２４０の保持部２４４に対する色変換部材２７０の位置決め精度を高めることができ、また、色変換部材２７０と光学部材２６０との間隔を短くすることができる。なお、切欠部２７１は、色変換部材２７０の端縁側と内面２７０ａ側とが開放されている。
　ＬＥＤユニット２５０の複数の発光装置２０１のうち、複数の単位ユニット２３３ａの配列方向の上記一端の単位ユニット２３３ａを備えた発光装置２０１（図７Ａにおける左端の発光装置２０１）および上記他端の単位ユニット２３３ａを備えた発光装置２０１（図７Ａにおける右端の発光装置２０１）には、コネクタＣＮが実装されている。ここで、コネクタＣＮは、表面実装型のコネクタであり、一対のコンタクトのうちの一方のコンタクトがヒートシンク２３５に対して半田により接合されて電気的に接続され、他方のコンタクトが配線２３８に対して半田により接合されて電気的に接続されている。したがって、例えば、ＬＥＤユニット２５０の右端の発光装置２０１のコネクタＣＮに着脱自在に接続されるコネクタ（以下、出力用コネクタと称する）２９１を一端に備えた一対の電線２９０の他端のコネクタ（以下、入力用コネクタと称する）２９２を図示しない点灯装置の出力端のコネクタに接続すれば、点灯装置から、ＬＥＤユニット２５０のＬＥＤチップ２１０の直列回路へ電力を供給して点灯させることができる。なお、図７に示した例では、ＬＥＤユニット２５０の右端の発光装置２０１のコネクタＣＮおよび入力用コネクタ２９２それぞれを雌型のコネクタ、出力用コネクタ２９１およびＬＥＤユニット２５０の左端の発光装置２０１のコネクタＣＮそれぞれを雄型のコネクタとしてあるが、雌型と雄型とは逆にしてもよい。また、各発光装置２０１ごとにコネクタＣＮを実装することが可能なので、ＬＥＤユニット２５０の製造時に、リードフレーム２３０の１ピッチ当たりに作製可能な複数（図７の例では８つ）の発光装置２０１のうちの任意の数の発光装置２０１のみを切り出して使用することもできる。
　以下、ＬＥＤユニット２５０の製造方法について図１０～図１２および図５、図７を参照しながら簡単に説明する。
　まず、図４に示した第１の金属板２０３に対してプレス加工やエッチング加工を行うことによって図１に示したリードフレーム２３０を形成するパターン形成工程（前工程）を行った後、例えば、パターン２３３の裏面にＮｉ膜からなる第１のめっき層を形成するとともにパターン２３３の主表面にＮｉ膜からなる第３のめっき層を形成する第１のめっき工程を行い、続いて、第２のめっき層２４７のＰｄ膜とＡｕ膜とを形成する第２のめっき工程を行うことによって、図１０に示す構造を得る。なお、第１のめっき工程では、リードフレーム２３０の支持片２３２のうち保持部２４４の外周縁よりも内側に位置する部位にも第１のめっき層および第３のめっき層を形成する。また、第２のめっき工程では、スポットめっき法により第３のめっき層を形成することにより、Ａｕの使用量を低減でき、低コスト化を図れる。
　第２のめっき工程の後、保持部２４４をインジェクション成形（射出成形）する成形工程を行うことによって、モジュール２４１が支持片２３２を介して外枠部２３１に支持された図１１に示す構造を得る。
　その後、図１２に示すように、モジュール２４１をリードフレーム２３０の支持片２３２から切断する切断工程を行い、モジュール２４１と第２の金属板２４２とを絶縁層２４３を介して接合する接合工程を行うことによって、図５に示す構造の配線板２４０を得る。
　その後、ＬＥＤチップ２１０をダイパッド２３４に搭載するとともにツェナダイオードＺＤおよびコネクタＣＮを実装し、ＬＥＤチップ２１０と単位ユニット２３３ａの適宜部位（図２の場合は、リード２３６およびヒートシンク２３５、図３の場合は、リード２３６のみ）とのボンディングワイヤ２１４による電気的接続を行う実装工程を行う。その後、ＬＥＤチップ２１０およびボンディングワイヤ２１４を封止部２５５により封止する封止工程を行う。この封止工程では、まず、ＬＥＤチップ２１０の外側面と第１の開口部２４４ａの内周面との隙間に封止部２５５の一部となる液状の第１の透光性材料（例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ガラスなど）を注入した後に硬化させる。次に、ドーム状の光学部材２６０の内側に上述の封止部２５５の残りの部分となる液状の第１の透光性材料（例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ガラスなど）を注入する。続いて、光学部材２６０を配線板２４０における所定位置に配置して第１の透光性材料を硬化させることにより封止部２５５を形成するのと同時に光学部材２６０を配線板２４０に固着する。この封止工程において、光学部材２６０に液状の第１の透光性材料を多めに注入することによって、製造過程において封止部２５５に気泡（ボイド）が発生するのを防止することが可能となる。なお、封止工程の前の実装工程（第１の実装工程）では、ＬＥＤチップ２１０のみを実装するようにし、封止工程の後で、ツェナダイオードＺＤおよびコネクタＣＮを実装する第２の実装工程を行うようにしてもよい。
　上述のＬＥＤチップ２１０、ツェナダイオードＺＤ、コネクタＣＮの実装が終了するとともに封止部２５５の形成が終了した後、色変換部材２７０を配線板２４０に固着する固着工程を行うことによって、図７に示す構造のＬＥＤユニット２５０を得る。
　以上説明した本実施形態におけるリードフレーム２３０は、１ピッチの外枠部２３１の内側に支持片２３２を介して支持されたパターン２３３が、ＬＥＤチップ２１０を搭載するダイパッド２３４と、ダイパッド２３４からダイパッド２３４を取り囲むように延設されたヒートシンク２３５と、一方の電極２１１がヒートシンク２３５に電気的に接続されるＬＥＤチップ２１０の他方の電極と電気的に接続されるリード２３６とを具備する単位ユニット２３３ａを複数備え、互いに隣り合う単位ユニット２３３ａの一方の単位ユニット２３３ａのリード２３６と他方の単位ユニット２３３ａのヒートシンク２３５とが連結され電気的に直列接続されている。しかして、本実施形態におけるリードフレーム２３０は、ＬＥＤチップ２１０の温度上昇を抑制できて光出力の高出力化を図れ、且つ、複数のＬＥＤチップ２１０を直列接続して用いるＬＥＤユニット２５０の低コスト化を図れる。例えば、このリードフレーム２３０を用いて製造するＬＥＤユニット２５０は、図６１のリードフレーム３００を利用して製造される図６０の構成の発光装置１００を金属ベースプリント配線板に複数個実装し複数のＬＥＤチップ１６１を直列接続して用いるＬＥＤユニットに比べて、低コスト化を図れる。
　また、本実施形態におけるリードフレーム２３０は、リード２３６が、ヒートシンク２３５の外周縁からダイパッド２３４に向かって形成された切込溝２３５ａの内側に配置されているので、ダイパッド２３４とリード２３６との距離を短くできる。その結果、ＬＥＤチップ２１０とリード２３６との距離を短くでき、ＬＥＤチップ２１０に接続されるボンディングワイヤ２１４の長さを短くできるから、光学部材２６０および色変換部材２７０の小型化を図れる。
　また、本実施形態のリードフレーム２３０は、複数の単位ユニット２３３ａが、外枠部２３１の長さ方向に沿って配列されているので、細長のＬＥＤユニット２５０の製造に利用することが可能となる。
　また、本実施形態におけるリードフレーム２３０は、パターン２３３が、複数の単位ユニット２３３ａに跨ってヒートシンク２３５の側方に配置された配線２３８を備え、この配線２３８が、外枠部２３１の長さ方向における一端の単位ユニット２３３ａのリード２３６と連結されて電気的に接続されている。これにより、リードフレーム２３０は、上述のＬＥＤユニット２５０のように、各単位ユニット２３３ａごとに１個のＬＥＤチップ２１０が実装されパターン２３３が外枠部２３１から分離された状態で用いる場合において、複数の単位ユニット２３３ａの配列方向の他端の単位ユニット２３３ａのヒートシンク２３５と配線２３８との間に給電することにより、全てのＬＥＤチップ２１０の直列回路に対して給電することができる。
　また、本実施形態における配線板２４０は、第１の金属板２０３を用いて形成され主表面側に配置される複数のＬＥＤチップ２１０の直列接続が可能なパターン２３３を有するモジュール２４１と、モジュール２４１の裏面側に配置された第２の金属板２４２と、電気絶縁性および熱伝導性を有しモジュール２４１と第２の金属板２４２との間に介在してパターン２３３と第２の金属板２４２とを熱結合する絶縁層２４３とを備え、パターン２３３が上述のリードフレーム２３０から切断されたものである。そして、配線板２４０は、モジュール２４１が、パターン２３３の単位ユニット２３３ａごとにダイパッド２３４とヒートシンク２３５とリード２３６とを保持する絶縁性材料からなる保持部２４４を備えているので、ＬＥＤチップ２１０の温度上昇を抑制できて光出力の高出力化を図れ、且つ、複数のＬＥＤチップ２１０を直列接続して用いるＬＥＤユニット２５０の低コスト化を図れる。
　本実施形態におけるＬＥＤユニット２５０は、上述の配線板２４０の各ダイパッド２３４それぞれにＬＥＤチップ２１０が搭載されており、ＬＥＤチップ２１０の厚み方向の一面側に両電極が設けられている場合には、図２のようにＬＥＤチップ２１０の各電極とリード２３６およびヒートシンク２３５とをそれぞれボンディングワイヤ２１４を介して電気的に接続されている。しかして、本実施形態のＬＥＤユニット２５０においては、ＬＥＤチップ２１０で発生した熱が上述のリードフレーム２３０を用いて形成されたダイパッド２３４およびヒートシンク２３５から第２の金属板２４２を通して効率的に放熱されることとなり、ＬＥＤチップ２１０の温度上昇を抑制できて光出力の高出力化を図れ、且つ、低コスト化を図れる。
　また、ＬＥＤユニット２５０は、ＬＥＤチップ２１０の厚み方向の両面に電極が設けられている場合には、図３のようにＬＥＤチップ２１０の一方の電極がダイパッド２３４を介してヒートシンク２３５に電気的に接続されるとともに他方の電極がボンディングワイヤ２１４を介してリード２３６と電気的に接続されており、この構成においても、ＬＥＤチップ２１０の温度上昇を抑制できて光出力の高出力化を図れ、且つ、低コスト化を図れる。
　また、本実施形態におけるＬＥＤユニット２５０の各発光装置２０１それぞれは、ドーム状の色変換部材２７０と光学部材２６０との間に空気層２８０が介在しているので、ＬＥＤチップ２１０から放射され封止部２５５および光学部材２６０を通して色変換部材２７０に入射し色変換部材２７０の蛍光体の粒子で散乱された光のうち光学部材２６０側へ散乱されて光学部材２６０を透過する光の光量を低減できて各発光装置２０１それぞれの外部への光取り出し効率を向上できる。
　また、本実施形態におけるＬＥＤユニット２５０では、配線板２４０の保持部２４４に第２の開口部２４４ｂおよび第３の開口部２４４ｃが形成されているので、リード２３６、ヒートシンク２３５、配線２３８それぞれにおいて第２の開口部２４４ｂおよび第３の開口部２４４ｃにより露出する部位に第２のめっき層２４７をスポットめっきにより形成しておけばよく、また、第２の開口部２４４ｂおよび第３の開口部２４４ｃそれぞれを目印としてツェナダイオードＺＤおよびコネクタＣＮそれぞれを位置精度良く実装することが可能となる。
　なお、上述の例では、１つの単位ユニット２３３ａに対して、チップサイズが１ｍｍ□のＬＥＤチップ２１０を１個ずつ実装してあるが、ＬＥＤチップ２１０のチップサイズや数は特に限定するものではなく、例えば、チップサイズが０．３ｍｍ□のＬＥＤチップ２１０を用いてもよく、また、図１３に示すように、１つの単位ユニット２３３ａに対して複数個（図示例では、２個）のＬＥＤチップ２１０を実装してもよい。この場合、１つの単位ユニット２３３ａごとに２個のＬＥＤチップ２１０が並列接続され、２個のＬＥＤチップ２１０の並列回路が単位ユニット２３３ａの数だけ直列接続されることとなる。また、図９に示したサブマウント部材２１５上に複数個のＬＥＤチップ２１０を搭載するようにしてもよい。
　また、上述のリードフレーム２３０を用いた配線板２４０では、パターン２３３が、複数の単位ユニット２３３ａに跨ってヒートシンク２３５の側方に配置された配線２３８を備え、この配線２３８が、外枠部２３１の長さ方向における一端の単位ユニット２３３ａのリード２３６と連結されて電気的に接続されているが、これに限らない。例えば、リードフレーム２３０は、配線２３８と上記一端の単位ユニット２３３ａのリード２３６とを連結せずに、配線２３８を送り配線として利用できるような構成としてもよい。このようなリードフレーム２３０を用いた配線板２４０を作製する場合には、リード２３６と配線２３８とのそれぞれに各別に電気接続されるコンタクトを備えた送り配線用のコネクタを実装できるように、図１４に示すように、リード２３６および配線２３８それぞれに形成された第２のめっき層２４７（図１４Ａにおける左上部の２つの第２のめっき層２４７）を露出させておけばよい。この場合、複数のＬＥＤユニット２５０を一直線上に並べ、隣り合うＬＥＤユニット２５０間で、一方のＬＥＤユニット２５０の上記一端の単位ユニット２３３ａに接続された送り配線用のコネクタと、他方のＬＥＤユニット２５０の上記他端の単位ユニット２３３ａに実装されたコネクタＣＮとをコネクタケーブルにより電気的に接続することにおり、全てのＬＥＤユニット２５０に対して、１つの点灯装置から電力を供給して点灯させることができる。
　なお、図１４に示した配線板２４０の作製に用いるリードフレーム２３０では、ヒートシンク２３５の２つの切込溝２３５ａが互いに近づく向きで且つ中心線の位置を揃えてあるので、図１５に示すように、ダイパッド２３４に多数のＬＥＤチップ２１０を搭載する場合のＬＥＤチップ２１０の配置の設計自由度が高くなる。
　ところで、ここまでに説明した配線板２４０やＬＥＤユニット２５０では、リードフレーム２３０を用いて形成されたパターン２３３が、互いに隣り合う単位ユニット２３３ａの一方の単位ユニット２３３ａのリード２３６と他方の単位ユニット２３３ａのヒートシンク２３５とを連結する連結片２３７を備えているので、ＬＥＤユニット２５０の低コスト化を図ることが可能となる。
　しかしながら、上述の配線板２４０やＬＥＤユニット２５０では、パターン２３３の略全体が絶縁層２４３と接合されているので、例えば、第１の金属板２０３と第２の金属板２４２とで線膨張率の異なる材料を採用した場合など、使用温度域において第１の金属板２０３と第２の金属板２４２との線膨張率差に起因してパターン２３３に働く応力に起因して、パターン２３３が絶縁層２４３から剥離する懸念がある。
　そこで、例えば、図１６に示すように、配線板２４０において、連結片２３７と絶縁層２４３との間に空間２４８を有するようにし、連結片２３７が、第１の金属板２０３と第２の金属板２４２との線膨張率差に起因してパターン２３３に働く応力を緩和するように曲がった応力緩和部２３７ｂを備えるようにしてもよい。また、図１６に示した配線板２４０のパターン２３３は、配線２３８も備えているので、配線２３８についても、連結片２３７の側方に位置する部位に関して、配線２３８と絶縁層２４３との間に空間２４９を有するようにし、第１の金属板２０３と第２の金属板２４２との線膨張率差に起因してパターン２３３に働く応力を緩和するように曲がった応力緩和部２３８ｂを備えるようにしてある。この図１６に示した例では、第２の金属板２４２の長手方向（つまり、単位ユニット２３３ａの並ぶ方向）をｘ軸方向、第２の金属板２４２の短手方向をｙ軸方向、第２の金属板２４２の厚み方向をｚ軸方向とするとき、パターン２３３と絶縁層２４３とを接合する前に、連結片２３７および配線２３８をｚ軸方向に曲げるプレス加工を行うことにより、応力緩和部２３７ｂ，２３８ｂを形成すればよい。ここにおいて、図１６における応力緩和部２３７ｂ，２３８ｂは、ｙ軸方向に直交する断面（ｘｚ平面）の形状が逆Ｖ字状となるように曲成されている。この図１６のような配線板２４０によれば、応力緩和部２３７ｂ，２３８ｂが設けられているので、第１の金属板２０３と第２の金属板２４２とで線膨張率の異なる材料を採用した場合でも、第１の金属板２０３と第２の金属板２４２との線膨張率差に起因してパターン２３３に働く応力に起因してパターン２３３が絶縁層２４３から剥離するのを抑制することが可能となる。
　応力緩和部２３７ｂ，２３８ｂの形状は図１６の例に限らず、例えば、図１７に示すような形状でもよい。図１７における応力緩和部２３７ｂ，２３８ｂは、連結片２３７および配線２３８それぞれを第２の金属板２４２における絶縁層２４３との接合面に平行な面内（ｘｙ平面）でＶ字状に曲成されている。ここにおいて、連結片２３７の応力緩和部２３７ｂと配線２３８の応力緩和部２３８ｂとは、それぞれの中央部同士が両端部同士よりも離れるように曲成されている。
　なお、応力緩和部２３７ｂ，２３８ｂの形状は、特にＶ字状に限定するものではなく、これ以外の形状でもよい。また、図１６および図１７に示した例では、パターン２３３が配線２３８を備えているが、配線２３８を必ずしも備えている必要はない。
　（実施形態２）
　図１８Ａ、図１８Ｂに示す本実施形態のリードフレーム２３０の基本構成は実施形態１と略同じであり、複数の単位ユニット２３３ａが、外枠部２３１により囲まれた領域の中心を取り囲むように配置されている点などが相違する。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。また、図１８Ａは、リードフレーム２３０の２ピッチ分の概略斜視図である。
　本実施形態におけるリードフレーム２３０は、複数（図示例では、１０個）の単位ユニット２３３ａを２つの同心状の仮想円上に分けて配置してあり、相対的に内側に位置する仮想円上のダイパッド２３４の数に比べて、相対的に外側に位置する仮想円上のダイパッド２３４の数を多くしてある。したがって、このリードフレーム２３０を利用して製造される配線板２４０（図２２参照）においてもリードフレーム２３０と同じダイパッド２３４の配置となる。また、この配線板２４０を用いて製造されるＬＥＤユニット２５０（図２４参照）においては、各ダイパッド２３４に搭載するＬＥＤチップ２１０（図８、図９参照）の数を同じ（例えば、１個）とすれば、これら２つの仮想円を基準として、相対的に内側に位置する仮想円上のＬＥＤチップ２１０の数に比べて、相対的に外側に位置する仮想円上のＬＥＤチップ２１０の数が多くなる。
　また、リードフレーム２３０のパターン２３３は、ＬＥＤチップ２１０の直列回路に給電するために２つの単位ユニット２３３ａのヒートシンク２３５それぞれから延設された２つの給電ライン１３９を備えている。
　そして、配線板２４０では、この２つの給電ライン１３９の先端部の主表面に、Ｎｉ膜とＰｄ膜とＡｕ膜との積層構造を有する第２のめっき層２４７（図２２参照）が形成されている。したがって、例えば、２つの給電ライン１３９の第２のめっき層２４７それぞれに点灯装置（図示せず）からの給電用の電線を接続することにより、ＬＥＤユニット２１０の直列回路に給電して点灯させることが可能となる。
　図２４に示すように、配線板２４０およびＬＥＤユニット２５０は、第２の金属板２４２が円板状に形成されており、第２の金属板２４２の中央部に、給電用の一対の電線を挿通可能な電線挿通孔２４２ｃが形成されている。また、第２の金属板２４２の周部には、ＬＥＤユニット２５０を照明器具の器具本体などの別の部材に取り付ける際に用いるねじを挿通可能な複数（図示例では、４つ）の孔２４２ｄが第２の金属板２４２の周方向において略等間隔で形成されている。
　以下、ＬＥＤユニット２５０の製造方法について図１８～図２４を参照しながら説明するが、実施形態１と同様の工程については説明を適宜省略する。
　まず、第１の金属板２０３に対してプレス加工やエッチング加工を行うことによって図１８に示したリードフレーム２３０を形成するパターン形成工程を行った後、例えば、パターン２３３の裏面にＮｉ膜からなる第１のめっき層を形成するとともにパターン２３３の主表面にＮｉ膜からなる第３のめっき層を形成する第１のめっき工程を行い、続いて、第２のめっき層２４７のＰｄ膜とＡｕ膜とを形成する第２のめっき工程を行うことによって、図１９に示す構造を得る。
　第２のめっき工程の後、保持部２４４をインジェクション成形（射出成形）する成形工程を行うことによって、モジュール２４１が支持片２３２を介して外枠部２３１に支持された図２０に示す構造を得る。
　その後、図２１に示すように、モジュール２４１をリードフレーム２３０の支持片２３２から切断する切断工程を行い、モジュール２４１と第２の金属板２４２とを絶縁層２４３を介して接合する接合工程を行うことによって、図２２に示す構造の配線板２４０を得る。なお、第２の金属板２４２および絶縁層２４３としては、多数個取りが可能なものを用いている。
　その後、ＬＥＤチップ２１０をダイパッド２３４に搭載するとともにツェナダイオードＺＤ（図２３参照）を実装し、ＬＥＤチップ２１０と単位ユニット２３３ａの適宜部位とのボンディングワイヤ２１４による電気的接続を行う実装工程を行う。その後、ＬＥＤチップ２１０およびボンディングワイヤ２１４（図２、図３参照）を封止部２５５（図８、図９参照）により封止する封止工程を行う。この封止工程では、まず、ＬＥＤチップ２１０の外側面と第１の開口部２４４ａ（図２０Ｂ参照）の内周面との隙間に封止部２５５の一部となる液状の第１の透光性材料（例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ガラスなど）を注入した後に硬化させる。次に、ドーム状の光学部材２６０（図８、図９、図２３参照）の内側に上述の封止部２５５の残りの部分となる液状の第１の透光性材料（例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ガラスなど）を注入する。続いて、光学部材２６０を配線板２４０における所定位置に配置して第１の透光性材料を硬化させることにより封止部２５５を形成するのと同時に光学部材２６０を配線板２４０に固着する。なお、封止工程の前の実装工程（第１の実装工程）では、ＬＥＤチップ２１０のみを実装するようにし、封止工程の後で、ツェナダイオードＺＤおよびコネクタＣＮを実装する第２の実装工程を行うようにしてもよい。
　上述のＬＥＤチップ２１０、ツェナダイオードＺＤ、コネクタＣＮの実装が終了し且つ封止部２５５の形成が終了した後、色変換部材２７０を配線板２４０に固着する固着工程を行うことによって、図２３に示すように複数個のＬＥＤユニット２５０を得る。その後、個々のＬＥＤユニット２５０に切断することによって、図２４に示すＬＥＤユニット２５０を得る。
　以上説明した本実施形態におけるリードフレーム２３０は、複数の単位ユニット２３３ａが、外枠部２３１により囲まれた領域の中心を取り囲むように配置されているので、複数のＬＥＤチップ２１０を直列接続して用いる円形状のＬＥＤユニット２５０の低コスト化を図れる。
　また、本実施形態における配線板２４０も、実施形態１と同様、ＬＥＤチップ２１０の温度上昇を抑制できて光出力の高出力化を図れ、且つ、複数のＬＥＤチップ２１０を直列接続して用いるＬＥＤユニット２５０の低コスト化を図れる。
　また、本実施形態のＬＥＤユニット２５０においては、実施形態１と同様、ＬＥＤチップ２１０で発生した熱が上述のリードフレーム２３０を用いて形成されたダイパッド２３４およびヒートシンク２３５から第２の金属板２４２を通して効率的に放熱されることとなり、ＬＥＤチップ２１０の温度上昇を抑制できて光出力の高出力化を図れ、且つ、低コスト化を図れる。
　また、本実施形態の配線板２４０およびＬＥＤユニット２５０においても、上述の図１６や図１７を用いて説明した空間２４８、応力緩和部２３７ｂなどを設けるようにしてもよい。
　上記各実施形態では、発光装置２０１が色変換部材２７０を備えているが、ＬＥＤチップ２１０単体で白色光を放射できる場合や、封止部２５５に蛍光体を分散させている場合には、上述の色変換部材２７０を備えていない構造を採用することができる。
　（実施形態３）
　以下、本実施形態の発光ユニット１について図２５～図３２に基づいて説明する。
　発光ユニット１は、実装基板２と、実装基板２の一面側に配置された複数の固体発光素子３とを備えている。
　実装基板２は、各固体発光素子３が一面側に搭載される伝熱板２１と、伝熱板２１の他面側に配置され固体発光素子３が電気的に接続される配線パターン２２と、伝熱板２１と配線パターン２２との間に介在する絶縁層２３（第１絶縁層２３）とを備える。ここで、伝熱板２１は、第１金属板により形成されており、配線パターン２２は、第１金属板とは線膨張率の異なる第２金属板により形成されている。また、実装基板２は、第２金属板よりも第１金属板との線膨張率差が小さく配線パターン２２における伝熱板２１側とは反対側に配置されるベース基板２４と、配線パターン２２とベース基板２４との間に介在する第２絶縁層２５とを備えている。
　以下、発光ユニット１の各構成要素について詳細に説明する。
　実装基板２は、長尺状に形成されており、上記一面側において、複数の固体発光素子３が、実装基板２の長手方向に沿って配置されている。
　伝熱板２１は、長尺状（ここでは、細長の矩形板状）に形成されている。伝熱板２１の基礎となる第１金属板の材料としては、アルミニウム、銅などの熱伝導率の高い金属が好ましい。ただし、第１金属板の材料は、これらに限らず、例えば、ステンレスやスチールなどでもよい。
　また、伝熱板２１は、反射板としての機能を有することが好ましく、第１金属板の材料としてアルミニウムを採用することが、より好ましい。また、伝熱板２１は、第１金属板がアルミニウム板であり、アルミニウム板における第１絶縁層２３側とは反対側にアルミニウム板よりも高純度のアルミニウム膜が積層され、アルミニウム膜に屈折率の異なる２種類の誘電体膜からなる増反射膜が積層されていることが好ましい。ここで、２種類の誘電体膜としては、例えば、ＳｉＯ２膜とＴｉＯ２膜とを採用することが好ましい。このような伝熱板２１を用いることにより、可視光に対する反射率を９５％以上とすることが可能となる。この伝熱板２１としては、例えば、アラノッド（alanod）社のＭＩＲＯ２、ＭＩＲＯ（登録商標）を用いることができる。上述のアルミニウム板としては、表面が陽極酸化処理されたものを用いてもよい。なお、伝熱板２１の厚みは、例えば、０．２～３ｍｍ程度の範囲で適宜設定すればよい。
　固体発光素子３としては、ＬＥＤチップを用いているが、これに限らず、例えば、ＬＥＤチップがパッケージに収納されたものでもよい。また、固体発光素子３としては、例えば、レーザダイオード（半導体レーザ）や、有機ＥＬ素子などを用いてもよい。
　固体発光素子３は、図２７に示すように、厚み方向の一面側に第１電極（アノード電極）３１と第２電極（カソード電極）３２とが設けられており、厚み方向の他面側が接合部３５を介して伝熱板２１に接合されている。そして、固体発光素子３は、第１電極３１および第２電極３２の各々がワイヤ（ボンディングワイヤ）２６を介して配線パターン２２と電気的に接続されている。ここにおいて、伝熱板２１は、各ワイヤ２６の各々を通す貫通孔２１ｂが形成されている。貫通孔２１ｂは、伝熱板２１の幅方向において固体発光素子３の搭載領域の両側に形成してある。貫通孔２１ｂは、開口形状を円形状としてある。貫通孔２１ｂの内径は、０．５ｍｍに設定してあるが、この値は一例であり、特に限定するものではない。貫通孔２１ｂの形状は、円形状に限らず、例えば、矩形状、楕円形状などでもよい。固体発光素子３がＬＥＤチップの場合、接合部３５は、ダイボンド材により形成すればよい。
　ＬＥＤチップは、青色光を放射するＧａＮ系青色ＬＥＤチップであり、基板としてサファイア基板を備えたものを用いている。ただし、ＬＥＤチップの基板は、サファイア基板に限らず、例えば、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板、Ｓｉ基板などでもよい。なお、ＬＥＤチップの構造は特に限定するものではない。
　ＬＥＤチップのチップサイズは、特に限定するものではなく、例えば、チップサイズが０．３ｍｍ□や０．４５ｍｍ□や１ｍｍ□のものなどを用いることができる。
　また、ＬＥＤチップの発光層の材料や発光色は特に限定するものではない。すなわち、ＬＥＤチップとしては、青色ＬＥＤチップに限らず、例えば、紫色光ＬＥＤチップ、紫外光ＬＥＤチップ、赤色ＬＥＤチップ、緑色ＬＥＤチップなどを用いてもよい。
　ダイボンド材としては、例えば、シリコーン系のダイボンド材、エポキシ系のダイボンド材、銀ペーストなどを用いることができる。
　また、ワイヤ２６としては、例えば、金ワイヤ、アルミニウムワイヤなどを用いることができる。
　ところで、発光ユニット１は、固体発光素子３としてＬＥＤチップを用いている場合、例えば図２７に示すように、伝熱板２１の上記一面側において固体発光素子３およびワイヤ２６を封止した封止部３６を備えることが好ましい。図２７では、封止部３６の材料として、第１透光性材料であるシリコーン樹脂を用いている。第１透光性材料は、シリコーン樹脂に限らず、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ガラスなどを用いてもよい。
　また、発光ユニット１は、固体発光素子３としてＬＥＤチップを用いている場合、高出力の白色光を得るためには、ＬＥＤチップの発光色とは異なる色の光を放射する波長変換材料を有する色変換部３７を備えていることが好ましい。このような色変換部３７としては、例えば、ＬＥＤチップから放射された光によって励起されてＬＥＤチップの発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を波長変換材料として用い、蛍光体および第２透光性材料を含むものが好ましい。
　発光ユニット１は、例えば、ＬＥＤチップとして青色ＬＥＤチップを用い、色変換部３７の蛍光体として黄色蛍光体を用いれば、白色光を得ることが可能となる。すなわち、発光ユニット１は、ＬＥＤチップから放射された青色光と黄色蛍光体から放射された光とが色変換部３７の表面を通して放射されることとなり、白色光を得ることができる。色変換部３７の材料として用いる第２透光性材料として、シリコーン樹脂を用いているが、これに限らず、例えば、アクリル樹脂、ガラス、有機成分と無機成分とがｎｍレベルもしくは分子レベルで混合、結合した有機・無機ハイブリッド材料などを採用してもよい。また、色変換部３７の材料として用いる蛍光体も黄色蛍光体に限らず、例えば、黄色蛍光体と赤色蛍光体とを用いたり、赤色蛍光体と緑色蛍光体とを用いることにより、演色性を高めることが可能となる。また、色変換部３７の材料として用いる蛍光体は、１種類の黄色蛍光体に限らず、発光ピーク波長の異なる２種類の黄色蛍光体を用いてもよい。
　また、ＬＥＤチップ単体で白色光を放射できる場合や、封止部３６に蛍光体を分散させている場合や、発光ユニット１で得たい光の色がＬＥＤチップの発光色と同じである場合には、色変換部３７を備えていない構造を採用することができる。
　発光ユニット１は、色変換部３７が、伝熱板２１に接していることが好ましい。これにより、発光ユニット１は、ＬＥＤチップで発生した熱だけでなく、色変換部３７で発生した熱も伝熱板２１を通して放熱させることが可能となり、光出力の高出力化を図ることが可能となる。図２７に示した例では、色変換部３７が、半円筒状の形状に形成されており、伝熱板２１の上記一面側において伝熱板２１との間にＬＥＤチップおよび封止部３６などを囲む形で配設されている。更に説明すれば、色変換部３７は、伝熱板２１の上記一面側において封止部３６との間に気体層（例えば、空気層）３８が形成されるように配設されている。発光ユニット１は、図３３に示すように、色変換部３７を半球状の形状として、色変換部３７により固体発光素子３であるＬＥＤチップおよびワイヤ２６を封止するようにしてもよい。また、発光ユニット１は、図３４に示すように、色変換部３７をドーム状の形状として、色変換部３７により、固体発光素子３であるＬＥＤチップおよびワイヤ２６を封止するようにしてもよい。また、発光ユニット１は、図３５に示すように、色変換部３７を、層状の形状として、色変換部３７により、固体発光素子３であるＬＥＤチップおよびワイヤ２６を封止するようにしてもよい。なお、図２７や図３４のような色変換部３７は、成形したものを用い、伝熱板２１側の端縁（開口部の周縁）を伝熱板２１に対して、例えば接着剤（例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など）を用いて固着すればよい。また、図３３に示すような色変換部３７は、例えば、成形法により形成することができる。また、図３５に示すような色変換部３７は、例えば、ディスペンサを用いた塗布法や、スクリーン印刷法などにより形成することが可能である。
　配線パターン２２は、上述のように伝熱板２１とは線膨張率の異なる第２金属板により形成されている。ここで、第２金属板は、金属フープ材に対してプレスによる打ち抜き加工を施すことにより形成したリードフレーム１２０（図３２Ｃ参照）を用いている。
　第２金属板の材料としては、金属の中で熱伝導率が比較的高い銅（銅の熱伝導率は、３９８Ｗ／ｍ・Ｋ程度）が好ましいが、銅に限らず、例えば、リン青銅などでもよいし、銅合金（例えば、４２アロイなど）などでもよい。また、第２金属板の厚みは、例えば、１００μｍ～１５００μｍ程度の範囲で設定することが好ましい。
　リードフレーム１２０は、外枠部１２１の内側に支持片１２２（図３２Ｄ参照）を介して配線パターン２２が支持されたものである。
　配線パターン２２は、固体発光素子３の第１電極３１が接続される第１パターン２２ａと第２電極３２が接続される第２パターン２２ｂとが、伝熱板２１の幅方向に並んで配置されている。また、配線パターン２２は、第１パターン２２ａおよび第２パターン２２ｂの各々を規定数（例えば、１６個）ずつ備えており、図３０に示すように、第１パターン２２ａおよび第２パターン２２ｂそれぞれが、伝熱板２１の長手方向に並んで配置されている。第１パターン２２ａおよび第２パターン２２ｂは、長方形状に形成されており、伝熱板２１と長手方向が一致するように配置されている。そして、配線パターン２２は、伝熱板２１の長手方向に並んだ第１パターン２２ａが、２個ずつの組に分けられ、組をなす第１パターン２２ａ同士が連結片２２ｃにより連結されている。また、配線パターン２２は、伝熱板２１の長手方向に並んだ規定数（例えば、１６個）の第２パターン２２ｂが、２個ずつの組に分けられ、組をなす第２パターン２２ｂ同士が連結片２２ｄにより連結され電気的に接続されている。連結片２２ｃ，２２ｄは、伝熱板２１の幅方向に沿って配置された直線状の第１部位２２ｃａ，２２ｄａと、当該第１部位２２ｃａ，２２ｄａの長手方向の両端部から伝熱板２１の長手方向において逆向きに延設された第２部位２２ｃｂ，２２ｄｂおよび第３部位２２ｃｃ，２２ｄｃとで構成されている。また、連結片２２ｃは、第１パターン２２ａよりも幅狭に形成され、連結片２２ｄは、第２パターン２２ｂよりも幅狭に形成されている。ここで、配線パターン２２は、組をなす２個の第１パターン２２ａと、これら２個の第１パターン２２ａを連結した連結片２２ｃと、組をなす２個の第２パターン２２ｂと、これら２個の第２パターン２２ｂを連結した連結片２２ｄとで、１つの単位パターン２２ｕを構成している。上述のリードフレーム１２０は、複数の単位ユニット２２ｕが、外枠部１２１の長さ方向に沿って配列されている。また、配線パターン２２は、伝熱板２１の長手方向において隣り合う単位パターン２２ｕ同士において、一方の単位パターン２２ｕの第１パターン２２ａと他方の単位パターン２２ｕの第２パターン２２ｂとが連絡片２２ｅにより連結され電気的に接続されている。連絡片２２ｅは、第１パターン２２ａおよび第２パターン２２ｂよりも幅狭に形成されている。
　配線パターン２２は、単位パターン２２ｕごとに、伝熱板２１の長手方向に並んで配置される所定数（例えば、６個）の固体発光素子３を並列接続して並列回路を構成できるようになっており、隣り合う単位パターン２２ｕごとに形成される並列回路を直列接続できるようになっている。したがって、伝熱板２１の長手方向の一端部の第１パターン２２ａと他端部の第２パターン２２ｂとの間に給電することにより、全ての固体発光素子３に対して給電することができる。
　また、第１絶縁層２３は、シリカやアルミナなどのフィラーからなる充填材を含有し且つ加熱時に低粘度化するとともに流動性が高くなる性質を有するＢステージのエポキシ樹脂層（熱硬化性樹脂）とプラスチックフィルム（ＰＥＴフィルム）とが積層された熱硬化型のシート状接着剤（例えば、東レ株式会社製の接着剤シートＴＳＡなど）のエポキシ樹脂層を熱硬化させることにより形成されている。フィラーとしては、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂よりも熱伝導率の高い絶縁性材料を用いればよい。ここにおいて、シート状接着剤のエポキシ樹脂層は、電気絶縁性を有するとともに熱伝導率が高く加熱時の流動性が高く凹凸面への密着性が高いという性質を有している。したがって、第１絶縁層２３と伝熱板２１および配線パターン２２との間に空隙が発生するのを防止することができて密着信頼性が向上するとともに、密着不足による熱抵抗の増大やばらつきの発生を抑制することが可能となる。しかして、伝熱板２１と配線パターン２２との間にサーコン（登録商標）のようなゴムシート状の放熱シートなどを挟む場合に比べて、各固体発光素子３から配線パターン２２までの熱抵抗を低減できるとともに、熱抵抗のばらつきを低減できて、放熱性が向上し、各固体発光素子３のジャンクション温度の温度上昇を抑制できるから、入力電力を大きくでき、光出力の高出力化を図ることが可能となる。上述のエポキシ樹脂層の厚みは、１００μｍに設定してあるが、この値は一例であり、特に限定するものではなく、例えば、５０μｍ～１５０μｍ程度の範囲で適宜設定すればよい。なお、上述のエポキシ樹脂層の熱伝導率は、４Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましい。また、シート状接着剤のプラスチックフィルムは、配線パターン２２と伝熱板２１とを重ね合わせる前に、エポキシ樹脂層から剥離する。要するに、エポキシ樹脂層におけるプラスチックフィルム側とは反対側の一面を対象物に固着した後、プラスチックフィルムを剥離する。
　ここで、第１絶縁層２３の形成にあたっては、伝熱板２１とエポキシ樹脂層と配線パターン２２を有するリードフレーム１２０とを重ね合わせた状態で適宜加圧するようにしてもよい。
　第１絶縁層２３の外形サイズは、リードフレーム１２０の外形サイズに基づいて適宜設定すればよい。ここで、第１絶縁層２３は、電気絶縁性および熱伝導性を有し、伝熱板２１と配線パターン２２とを電気的に絶縁する機能および熱結合する機能を有している。
　また、第１絶縁層２３は、伝熱板２１の各貫通孔２１ｂの各々に連通する貫通孔２３ｂが形成されている。したがって、発光ユニット１の製造時には、ワイヤ２６を伝熱板２１の貫通孔２１ｂと第１絶縁層２３の貫通孔２３ｂとを通して配線パターン２２にボンディングすることができる。ここで、発光ユニット１の製造時には、固体発光素子３の第１電極３１および第２電極３２それぞれと第１パターン２２ａおよび第２パターン２２ｂとをワイヤ２６を介して接続した後に、例えば、ディスペンサなどにより、貫通孔２１ｂおよび貫通孔２３ｂに封止部３６（図２７参照）の材料を充填してワイヤ２６が第１金属板に接触しないようにし、その後、封止部３６を形成すればよい。
　ところで、配線パターン２２は、第２金属板に比べて耐酸化性および耐腐食性の高い金属材料からなり第１絶縁層２３との密着性の高い表面処理層（図示せず）が形成されていることが好ましい。第２金属板の材料がＣｕの場合、表面処理層としては、例えば、Ｎｉ膜、Ｎｉ膜とＡｕ膜との積層膜、Ｎｉ膜とＰｄ膜とＡｕ膜との積層膜などを形成することが好ましい。なお、表面処理層は、例えば、めっき法により形成すればよい。
　ベース基板２４は、長尺状（ここでは、細長の矩形板状）に形成されている。ベース基板２４は、第２金属板よりも第１金属板との線膨張率差が小さい材料により形成することが好ましい。本実施形態では、ベース基板２４を、第１金属板と同じ材料からなる第３金属板により形成してある。したがって、第３金属板の材料としては、アルミニウム、銅などの熱伝導率の高い金属が好ましい。ただし、第３金属板の材料は、これらに限らず、例えば、ステンレスやスチールなどでもよい。なお、アルミニウムの熱伝導率は２３ｐｐｍ程度、銅の熱伝導率は１７ｐｐｍ程度である。
　また、配線パターン２２とベース基板２４との間に介在する第２絶縁層２５の材料としては、第１絶縁層２３と同じ材料を採用することが好ましい。
　ところで、伝熱板２１の熱容量の大きさによっては、上述のエポキシ樹脂層の加熱温度を１７０℃程度まで上げて硬化させると、伝熱板２１と配線パターン２２との固着性能が低下し、加熱温度を１５０℃程度まで下げて硬化させると伝熱板２１と配線パターン２２との間の電気絶縁性が低下する懸念がある。すなわち、固着性能と電気絶縁性とがトレードオフの関係を有している。そこで、本実施形態では、後述のように、シート状接着剤１２３，１３３（図３１Ｂおよび図３２Ａ参照）のエポキシ樹脂層１２３ａ，１３３ａ（図３１Ｃおよび図３２Ｂ参照）を重ね合わせるようにし、一方のエポキシ樹脂層１２３ａを１７０℃で硬化させることにより電気絶縁性および熱伝導性を確保し、他方のエポキシ樹脂層１３３ａを１５０℃で硬化させることにより固着性能および熱伝導性を確保するようにしている。さらに説明すれば、一方のエポキシ樹脂層１２３ａを対象物である伝熱板２１に１７０℃で固着させた後、他方のエポキシ樹脂層１３３ａおよびリードフレーム１２０を重ね合わせて当該他方のエポキシ樹脂層１３３ａを１５０℃で硬化させるようにすればよい。これにより、本実施形態の発光ユニット１の製造にあたっては、伝熱板２１の熱容量に関わらず、固着性能と電気絶縁性との両方の要求を満足させることが可能となる。
　以下、実装基板２の製造方法について図３１および図３２を参照しながら簡単に説明する。
　まず、伝熱板２１に貫通孔２１ｂなどを形成することによって、図３１Ａに示す構造を得る。
　その後、図３１Ｂに示すように、伝熱板２１の上記他面側にシート状接着剤１２３をエポキシ樹脂層１２３ａが伝熱板２１に接するように重ねて、円柱状のゴムローラ１４０により所定圧力（例えば、０．５ＭＰａ）で加圧するとともにエポキシ樹脂層１２３ａの硬化温度よりも低い第１規定温度（例えば、１１０℃～１２０℃）で加熱してシート状接着剤１２３を伝熱板２１に仮固着する。続いて、シート状接着剤１２３を適当な長さで切断する。
　その後、シート状接着剤１２３が仮固着されている伝熱板２１を自然冷却させる。続いて、図３１Ｃに示すように、エポキシ樹脂層１２３ａからプラスチックフィルム１２３ｂを剥がす。
　その後、エポキシ樹脂層１２３ａが仮固着されている伝熱板２１を乾燥炉（図示せず）内に投入しエポキシ樹脂層１２３ａを上記硬化温度以上の温度（例えば、１７０℃）で加熱して硬化させることでエポキシ樹脂層１２３ａを伝熱板２１に本固着する。
　その後、エポキシ樹脂層１２３ａにシート状接着剤１３３をエポキシ樹脂層１３３ａがエポキシ樹脂層１２３ａに接するように重ねて、円柱状のゴムローラ１４０により所定圧力（例えば、０．５ＭＰａ）で加圧するとともにエポキシ樹脂層１３３ａの硬化温度よりも低い第１規定温度（例えば、１１０℃～１２０℃）で加熱してシート状接着剤１３３をエポキシ樹脂層１２３ａに仮固着する。続いて、シート状接着剤１３３を適当な長さで切断する。
　その後、エポキシ樹脂層１２３ａとエポキシ樹脂層１３３ａとの積層構造において、絶縁層２３の貫通孔２３ｂに対応する各領域に、図３２Ａに示すように、例えばレーザ装置１５０により貫通孔１３４を形成する。なお、貫通孔１３４を形成する手段は、レーザ装置１５０に限らず、例えば、ドリルなどを用いてもよい。
　その後、図３２Ｂに示すように、エポキシ樹脂層１３３ａからプラスチックフィルム１３３ｂを剥がす。
　その後、図３２Ｃに示すように、リードフレーム１２０をエポキシ樹脂層１３３ａ上に載置して適宜の荷重を印加した後、乾燥炉（図示せず）内においてエポキシ樹脂層１３３ａを上記硬化温度以上の温度（例えば、１５０℃）で硬化させることでリードフレーム１２０とエポキシ樹脂層１３３ａとを本固着する。これにより、第１絶縁層２３が形成される。
　その後、配線パターン２２をリードフレーム１２０の支持片１２２から切断し、図３２Ｄに示すように、リードフレーム１２０のうち配線パターン２２以外の部分を取り外す。
　その後、伝熱板２１と配線パターン２２とを第１絶縁層２３を介して接合したのと同様にして、ベース基板２４と配線パターン２２とを第２絶縁層２５を介して接合することにより、図２８の実装基板２を得ることができる。
　発光ユニット１の製造にあたっては、実装基板２の上記一面側に固体発光素子３を接合してから、各固体発光素子３の第１電極３１および第２電極３２それぞれと第１パターン２２ａおよび第２パターン２２ｂとをワイヤ２６を介して電気的に接続すればよい。その後、必要に応じて封止部３６、色変換部３７を実装基板２の上記一面側に設ければよい。
　ところで、上述の発光ユニット１は、伝熱板２１とリードフレーム１２０を用いて形成される配線パターン２２とを備えていることにより、固体発光素子３を金属ベースプリント配線板に実装して用いる場合に比べて、低コスト化で光出力の高出力化を図ることが可能となる。しかも、発光ユニット１は、伝熱板２１として、反射板としての機能を有するものを用いることにより、伝熱板２１での光損失を低減することが可能となり、光出力の高出力化を図ることが可能となる。したがって、本実施形態の発光ユニット１は、低消費電力化を図ることも可能となる。ここで、発光ユニット１は、伝熱板２１の第１金属板がアルミニウム板であり、アルミニウム板における第１絶縁層２３側とは反対側にアルミニウム板よりも高純度のアルミニウム膜が積層され、アルミニウム膜に屈折率の異なる２種類の誘電体膜からなる増反射膜が積層されているものを用いることにより、光出力の高出力化を図ることが可能となる。特に、発光ユニット１は、固体発光素子３として、ＬＥＤチップを用いている場合に、ＬＥＤチップで発生した熱を効率よく放熱させることが可能となって光出力の高出力化を図れ、そのうえ、ＬＥＤチップから放射された光の利用効率の向上を図ることが可能となる。また、発光ユニット１は、色変換部３７（図２７など参照）を備えている場合、色変換部３７の波長変換材料である蛍光体から伝熱板２１側へ放射された光や、ＬＥＤチップから放射され蛍光体で伝熱板２１側へ散乱された光などを反射させることが可能なので、光の利用効率の向上を図ることが可能となる。
　ところで、上述の発光ユニット１では、実装基板２が長尺状であり、配線パターン２２の略全体が第１絶縁層２３と接合されているので、例えば、第１金属板と第２金属板との線膨張率の差に起因して、製造時や使用時の温度変化で伝熱板２１が反ったり、配線パターン２２が第１絶縁層２３から剥離してしまう懸念がある。本願発明者らは、配線パターン２２にかかる応力を緩和するために、上述の連結片２２ｃ，２２ｄおよび連絡片２２ｅそれぞれを曲がった形状としてあるが、ベース基板２４および第２絶縁層２５を備えていない試作品において、伝熱板２１の長さや第１パターン２２ａおよび第２パターン２２ｂの長さによっては第１金属板と第２金属板との線膨張率の差に起因して、伝熱板２１に反りが発生してしまうことがあるという知見を得た。
　これに対して、本実施形態の発光ユニット１では、上述のベース基板２４を備えている。また、本実施形態の発光ユニット１では、ベース基板２４が第３金属板により形成されているので、ベース基板２４と配線パターン２２とを電気的に絶縁するために、ベース基板２４と配線パターン２２との間に第２絶縁層２５を介在させてある。
　本実施形態の発光ユニット１は、上述のように、実装基板２と、実装基板２の上記一面側に配置された複数の固体発光素子３とを備えている。そして、発光ユニット１は、実装基板２が、第１金属板により形成され各固体発光素子３が上記一面側に搭載される伝熱板２１と、第２金属板により形成されてなり伝熱板２１の上記他面側に配置され固体発光素子３が電気的に接続される配線パターン２２と、伝熱板２１と配線パターン２２との間に介在する絶縁層２３とを備えている。これにより、発光ユニット１は、各固体発光素子３で発生した熱を、伝熱板２１により横方向に効率よく伝熱させて放熱させることが可能となり、また、伝熱板２１の厚み方向へも伝熱させて放熱させることが可能となる。したがって、発光ユニット１は、放熱性を向上させることが可能で各固体発光素子３の温度上昇を抑制でき、且つ、光出力の高出力化を図ることが可能となる。
　また、本実施形態の発光ユニット１は、第１絶縁層２３が、熱硬化性樹脂に当該熱硬化性樹脂に比べて熱伝導率の高いフィラーを含有しているので、固体発光素子３で発生した熱をより効率良く放熱させることが可能となる。
　また、本実施形態の発光ユニット１では、固体発光素子３をＬＥＤチップとすることにより、ＬＥＤチップで発生した熱を伝熱板２１により横方向へ伝熱させて効率良く放熱させることが可能となる。
　また、本実施形態の発光ユニット１では、伝熱板２１の基礎となる第１金属板がアルミニウム板であり、アルミニウム板における第１絶縁層２３側とは反対側にアルミニウム板よりも高純度のアルミニウム膜が積層され、アルミニウム膜に屈折率の異なる２種類の誘電体膜からなる増反射膜が積層されているので、ＬＥＤチップから放射され伝熱板２１の上記一面に入射した光を効率良く反射することが可能となる。
　また、本実施形態の発光ユニット１は、伝熱板２１が長尺状の形状であり、固体発光素子３が伝熱板２１の長手方向に沿って配置されており、第２金属板よりも第１金属板との線膨張率差が小さく配線パターン２２における伝熱板２１側とは反対側に配置される長尺状のベース基板２４を備えているので、実装基板２を長尺状と場合でも、伝熱板２１の反りを抑制することが可能となり、発光ユニット１全体の反りを抑制することが可能となる。これにより、発光ユニット１は、製造時の歩留まりの向上による低コスト化を図ることが可能となるとともに、製品としての信頼性の向上を図ることが可能となる。
　また、発光ユニット１は、ベース基板２４が第１金属板と同じ材料からなる第３金属板により形成され、ベース基板２４と配線パターン２２との間に第１絶縁層２３と同じ材料からなる第２絶縁層２５が介在しているので、伝熱板２１の反りを、より抑制することが可能となる。なお、ベース基板２４の長手方向の寸法は、伝熱板２１の長手方向の寸法と同じであることが好ましい。
　また、本実施形態の発光ユニット１では、固体発光素子３がＬＥＤチップであり、厚み方向の一面側に第１電極３１と第２電極３２とが設けられており、第１電極３１および第２電極３２の各々がワイヤ２６を介して配線パターン２２と電気的に接続されてなり、伝熱板２１に、各ワイヤ２６の各々を通す貫通孔２１ｂが形成されているので、ＬＥＤチップを伝熱板２１にダイボンドすることができ、ＬＥＤチップで発生した熱が伝熱板２１の横方向へ伝熱されやすくなり、放熱性を向上させることが可能となる。
　なお、固体発光素子３としてＬＥＤチップを用いる場合、固体発光素子３と伝熱板２１との線膨張率の差に起因してＬＥＤチップに働く応力を緩和するサブマウント部材を介して伝熱板２１にダイボンドするようにしてもよい。ここで、サブマウント部材は、ＬＥＤチップのチップサイズよりも大きな平面サイズに形成したものを用いることが好ましい。なお、ＬＥＤチップがＧａＮ系青色ＬＥＤチップであり、第１金属板がアルミニウム板の場合、サブマウント部材の材料としては、例えば、ＡｌＮ、複合ＳｉＣ、Ｓｉ、ＣｕＷなどを採用することができる。また、サブマウント部材は、ＬＥＤチップが接合される側の表面におけるＬＥＤチップとの接合部位（つまり、ＬＥＤチップに重なる部位）の周囲に、ＬＥＤチップから放射された光を反射する反射膜が形成されていることが好ましい。また、ＬＥＤチップとして厚み方向の両面に電極が設けられたものを用いる場合には、サブマウント部材に、ＬＥＤチップにおいてサブマウント部材側に配置される第１電極３１あるいは第２電極３２に電気的に接続される導体パターンを設けておき、当該導体パターンと第１パターン２２ａあるいは第２パターン２２ｂとをワイヤ２６を介して電気的に接続するようにすればよい。
　図３６に、発光ユニット１を備えた照明装置７の一例を示す。この照明装置７は、照明器具であり、発光ユニット１と、発光ユニット１を保持する器具本体７１とを備えている。
　器具本体７１は、発光ユニット１よりも平面サイズの大きな長尺状（ここでは、矩形板状）に形成されており、発光ユニット１における伝熱板２１の上記他面側の配線パターン２２、ベース基板２４などを収納する凹所７１ａが、器具本体７１の長手方向に沿って形成されている。
　そして、照明装置７は、発光ユニット１が、複数の樹脂製の螺子からなる取付具８により器具本体７１に保持されている。ここにおいて、発光ユニット１は、伝熱板２１における幅方向の両側縁の各々に、半円状の切欠部２１ｃ（図２５Ａ参照）が、伝熱板２１の長手方向に離間して略等間隔で形成されている。したがって、発光ユニット１の伝熱板２１における切欠部２１ｃを、取付具８を構成する螺子の円形状の頭部よりも半径の小さな半円状としておけば、螺子の頭部と器具本体７１とで発光ユニット１を挟持することができる。この照明装置７では、図６２および図６３のようにプリント基板１１０の長手方向の両端部および中央部に、プリント基板１１０を器具本体１０３に固定するための固定螺子Ｓ１が螺着される螺子孔１１０ｂが貫設されている構成を採用した照明器具Ｌにおける発光ダイオード４Ａ～４Ｌに比べて、各固体発光素子３や各接合部３５にかかる応力を低減することが可能となる。
　発光ユニット１は、配線パターン２２に半田などにより接続された２本の電線７３を介して電源ユニット（図示せず）に接続されており、電源ユニットから発光ユニット１へ電力を供給することにより、各固体発光素子３を発光させることができる。なお、図３６では、伝熱板２１の長手方向の一端部側で第１パターン２２ａに連結された第１端子パターン２２ｆに接続された１本の電線７３のみを図示してあるが、伝熱板２１の長手方向の他端部側では、第２パターン２２ｂに連結された第２端子パターン（図示せず）に、もう１本の電線７３が接続されている。なお、第１端子パターン２２ｆおよび第２端子パターンは、上述のリードフレーム１２０から形成される配線パターン２２の一部により構成されている。
　発光ユニット１は、伝熱板２１の反りを抑制することができるので、固体発光素子３の配列ピッチを短くすることにより、個々の固体発光素子３が点光源として粒々に光っているように見えるのを抑制することが可能となり、線状光源に見えるようにすることが可能となる。
　以上説明した本実施形態の照明装置７では、上述の発光ユニット１を備えていることにより、放熱性を向上させることが可能で、且つ、光出力の高出力化を図ることが可能となる。
　（実施形態４）
　以下、本実施形態の発光ユニット１について図３７および図３８に基づいて説明する。
　本実施形態の発光ユニット１の基本構成は実施形態３と略同じであり、実装基板２におけるベース基板２４を、伝熱板２１と同じ形状とした点などが相違する。なお、実施形態３と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
　ベース基板２４は、伝熱板２１の貫通孔２１ｂに対応する部位に貫通孔２４ｂが形成され、伝熱板２１の切欠部２１ｃに対応する部位に、切欠部２４ｃが形成されている。また、第２絶縁層２５は、第１絶縁層２３と同じ形状であり、第１絶縁層２３の貫通孔２３ｂに対応する部位に貫通孔２５ｂが形成されている。
　本実施形態の発光ユニット１では、実施形態３の発光ユニット１と同様、放熱性を向上させることが可能で、且つ、光出力の高出力化を図ることが可能となる。また、本実施形態の発光ユニット１においても、長尺状の伝熱板２１の反りを抑制することが可能となる。
　また、本実施形態の発光ユニット１では、伝熱板２１と同じ材料により形成されるベース基板２４の形状を伝熱板２１と同じ形状とすることで、発光ユニット１の反りを、より抑制することが可能となる。また、本実施形態の発光ユニット１は、伝熱板２１とベース基板２４との部品の共通化を図れ、低コスト化を図ることも可能となる。
　また、本実施形態の発光ユニット１を、実施形態３で説明した照明装置７の発光ユニット１に代えて用いてもよい。
　また、本実施形態の発光ユニット１は、ベース基板２４における第２絶縁層２５側とは反対側にも固体発光素子３を搭載するようにすれば、実装基板２の厚み方向の一面側と他面側との両方へ光を放射することが可能となり、両面発光ユニットとして用いることができる。ここにおいて、本実施形態の発光ユニット１では、ベース基板２４も伝熱板としての機能を有し、実装基板２の上記一面側の固体発光素子３などで発生した熱は伝熱板２１で横方向へ効率良く伝熱されて放熱され、実装基板２の上記他面側の固体発光素子３などで発生した熱はベース基板２４で横方向へ効率良く伝熱されて放熱される。発光ユニット１は、両面発光ユニットを構成する場合、ベース基板２４が、伝熱板２１と同様の伝熱板の機能と、反射板の機能とを有することとなる。
　（実施形態５）
　以下、本実施形態の発光ユニット１について図３９に基づいて説明する。
　本実施形態の発光ユニット１の基本構成は実施形態３と略同じであり、ベース基板２４が、樹脂に当該樹脂よりも熱伝導率の高いフィラーを混合した樹脂基板からなる点などが相違する。なお、実施形態３と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
　樹脂基板の樹脂としては、伝熱板２１の基礎となる第１金属板との線膨張率が小さいことが好ましく、例えば、第１金属板の材料がアルミニウム、第２金属板の材料が銅であれば、ビニルエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などを用いることが好ましい。また、フィラーとしては、例えば、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、水酸化アルミニウム、ガラス繊維などを用いることが好ましい。また、フィラーの充填率は、６０体積パーセント～７５体積パーセント程度が好ましく、これにより、樹脂基板の熱伝導率を４Ｗ／ｍ・Ｋ～１０Ｗ／ｍ・Ｋ程度とすることが可能となる。
　一例を挙げれば、樹脂基板は、樹脂としてビニルエステル樹脂を、フィラーの材料として酸化マグネシウムを、それぞれ採用し、フィラーの充填率を６７体積パーセントとすれば、熱伝導率を５Ｗ／ｍ・Ｋ、線膨張率を１８～２２ｐｐｍ程度とすることが可能となる。なお、上述したように、アルミニウムの熱伝導率は２３ｐｐｍ程度、銅の熱伝導率は１７ｐｐｍ程度である。
　本実施形態の発光ユニット１では、実施形態３の発光ユニット１と同様、放熱性を向上させることが可能で、且つ、光出力の高出力化を図ることが可能となる。また、本実施形態の発光ユニット１においても、長尺状の伝熱板２１の反りを抑制することが可能となる。
　本実施形態の発光ユニット１では、ベース基板２４として樹脂基板を用いているので、ベース基板２４を実施形態３で説明した図２５の発光ユニット１のように第１金属板と同じ材料からなる第３金属板により形成し、配線パターン２２とベース基板２４との間に第２絶縁層２５を介在させる場合に比べて、低コスト化を図ることが可能となる。
　本実施形態の発光ユニット１では、製造時に、ベース基板２４と配線パターン２２とを同時成形することが可能となり、製造コストの低減による低コスト化を図ることが可能となる。
　図４０に、発光ユニット１を備えた照明装置７の一例を示す。この照明装置７は、照明器具であり、発光ユニット１と、発光ユニット１を保持する器具本体７１とを備えている。
　ところで、発光ユニット１は、ベース基板２４の幅寸法を伝熱板２１の幅寸法よりも大きく設定してある。したがって、器具本体７１が金属製で導電性を有しているような場合でも、ベース基板２４の幅寸法を適宜設定することによって、伝熱板２１や配線パターン２２と器具本体７１との間の沿面距離を長くすることが可能となり、所定の沿面距離を確保することが可能となる。本実施形態の照明装置７では、器具本体７１を金属製とすれば、発光ユニット１で発生した熱をより効率良く放熱させることが可能となる。なお、器具本体７１が導電性を有していない場合には、必ずしもベース基板２４の幅寸法を伝熱板２１の幅寸法よりも大きくする必要はない。
　また、本実施形態の照明装置７では、発光ユニット１を器具本体７１に取り付けるための複数の取付具８を備えている。取付具８は、合成樹脂製であり、器具本体７１とベース基板２４の長手方向に沿った側面とに当接する基台部８１と、基台部８１から延設され器具本体７１との間に発光ユニット１を保持する保持部８２とを有している。図４０における取付具８は、取付具８を器具本体７１に固定するための螺子（図示せず）を挿通させる挿通孔８３が形成されている。また、本実施形態の照明装置７では、取付具８の保持部８２が伝熱板２１の幅方向の側部に重なるように配置されるので、伝熱板２１の反りを抑制することが可能となる。
　取付具８は、螺子により器具本体７１に固定するものに限らず、例えば、図４１に示すように、器具本体７１の取付孔９に挿入して取り付けるものでもよい。ここで、図４１における取付具８は、基台部８１における器具本体７１側の一面からＴ字状のスライド片８４が突設されている。一方、器具本体７１の取付孔９は、スライド片８４を挿入可能な幅広部９１と、幅広部９１よりも開口幅の狭い幅狭部９２とが連続した平面視Ｔ字状に形成されている。したがって、取付具８は、スライド片８４を取付孔９の幅広部９１から挿入し、幅狭部９２側へスライドさせることにより、幅狭部９２の周部にスライド片８４が係止される。これにより、照明装置７は、螺子を用いることなく、発光ユニット１を器具本体７１に取り付けることが可能となる。
　また、本実施形態の発光ユニット１は、ベース基板２４の長手方向の一端面から他の部位よりも薄肉の第１突片２４ｄが突設され、長手方向の他端面から他の部位よりも薄肉の第２突片２４ｅが突設されている。ここで、第１突片２４ｄは、厚み方向の一方の面がベース基板２４の上記一面と面一になっている。また、第２突片２４ｅは、厚み方向の一方の面がベース基板２４の上記他面と面一になっている。また、ベース基板２４は、第１突片２４ｄの厚さ寸法と第２突片２４ｅの厚さ寸法との合計寸法が、ベース基板２４の厚さ寸法と等しくなるように設計してある。
　したがって、複数の発光ユニット１を一直線上に並べて配置する場合に、隣り合う発光ユニット１のうち一方の発光ユニット１におけるベース基板２４の第１突片２４ｄと、他方の発光ユニット１におけるベース基板２４の第２突片２４ｅとを、図４２Ａ、図４２Ｂのように重ねて配置することが可能となる。これにより、本実施形態の照明装置７では、第１突片２４ｄおよび第２突片２４ｅを設けていないベース基板２４の端面同士を突き合わせて配置する場合に比べて、伝熱板２１や配線パターン２２と器具本体７１との間の沿面距離を長くすることが可能となる。なお、隣り合う発光ユニット１は、配線パターン２２同士を、例えば、送り配線用の電線（図示せず）やコネクタ（図示せず）などにより電気的に接続するようにすればよい。これにより、複数の発光ユニット１を備えた照明装置７では、発光ユニット１の直列回路に対して、１つの電源ユニットから電力を供給して、各発光ユニット１の全ての固体発光素子３を発光させることが可能となる。
　ところで、実施形態３～５では、伝熱板２１の上記他面側に配置された配線パターン２２にワイヤ２６をボンディングしているが、図４３に示すように、配線パターン２２の一部に第１絶縁層２３の貫通孔２３ｂおよび伝熱板２１の貫通孔２１ｂに挿入される突出部２２ｈを設けておき、突出部２２ｈの先端面にワイヤ２６をボンディングするようにしてもよい。
　また、実施形態３～５の発光ユニット１では、貫通孔２１ｂを、伝熱板２１の幅方向において固体発光素子３の搭載領域の両側に形成してある。言い換えれば、伝熱板２１の幅方向において並ぶ２つの貫通孔２１ｂの間の部位に固体発光素子３を搭載してある。しかし、これらに限らず、例えば、図４４に示すように、伝熱板２１の幅方向において並ぶ２つの貫通孔２１ｂの組のうち伝熱板２１の長手方向に並ぶ２つの組の間に、固体発光素子３を配置するようにしてもよい。
　（実施形態６）
　以下、本実施形態の発光ユニット１について図４５に基づいて説明する。
　本実施形態の発光ユニット１の基本構成は実施形態３と略同じであり、実装基板２の形状などが相違する。なお、実施形態３と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
　実施形態３の発光ユニット１は、例えばベースライトなどの照明器具からなる照明装置７（図３６参照）の光源として用いることができるのに対して、本実施形態１の発光ユニット１は、例えば、ダウンライトなどの照明器具からなる照明装置（図示せず）の光源として用いることができる。
　なお、本実施形態の発光ユニット１における配線パターン２２もリードフレーム（図示せず）を用いて形成されている。そして、発光ユニット１は、第１端子パターン２２ｆおよび第２端子パターン２２ｇそれぞれに半田などにより電線を接続して電源ユニットから電力を供給することができる。
　本実施形態の発光ユニット１では、実施形態３の発光ユニット１と同様、放熱性を向上させることが可能で、且つ、光出力の高出力化を図ることが可能となる。
　（実施形態７）
　以下、本実施形態の発光ユニット（以下、両面発光ユニットと称する）１について図４６～図５２に基づいて説明する。
　両面発光ユニット１は、厚み方向に離間して配置される一対の伝熱板２１，２４と、各伝熱板２１，２４における互いの対向面とは反対の一面側に搭載された固体発光素子３，３とを備えている。また、両面発光ユニット１は、両伝熱板２１，２４の間に配置され各固体発光素子３，３が電気的に接続される配線パターン２２と、各伝熱板２１，２４と配線パターン２２との各々の間に介在する一対の絶縁層２３，２５とを備えている。ここで、各伝熱板２１，２４は、第１金属板により形成されており、配線パターン２２は、第２金属板により形成されている。なお、本実施形態では、一対の伝熱板２１，２４と一対の絶縁層２３，２５と配線パターン２２とで、全ての固体発光素子３が実装される実装基板２を構成している。
　以下、両面発光ユニット１の各構成要素について詳細に説明する。
　各伝熱板２１，２４は、長尺状（ここでは、細長の矩形板状）に形成されている。また、各伝熱板２１，２４は、上記一面側において、複数の固体発光素子３が、各伝熱板２１，２４の長手方向に沿って配置されている。
　各伝熱板２１，２４の基礎となる第１金属板の材料としては、アルミニウム、銅などの熱伝導率の高い金属が好ましい。ただし、第１金属板の材料は、これらに限らず、例えば、ステンレスやスチールなどでもよい。
　また、各伝熱板２１，２４は、反射板としての機能を有することが好ましく、第１金属板の材料としてアルミニウムを採用することが、より好ましい。また、各伝熱板２１，２４は、第１金属板がアルミニウム板であり、アルミニウム板における絶縁層２３，２５側とは反対側にアルミニウム板よりも高純度のアルミニウム膜が積層され、アルミニウム膜に屈折率の異なる２種類の誘電体膜からなる増反射膜が積層されていることが好ましい。ここで、２種類の誘電体膜としては、例えば、ＳｉＯ２膜とＴｉＯ２膜とを採用することが好ましい。このような伝熱板２１，２４を用いることにより、可視光に対する反射率を９５％以上とすることが可能となる。このような伝熱板２１，２４としては、例えば、アラノッド（alanod）社のＭＩＲＯ２やＭＩＲＯ（登録商標）などを用いることができる。上述のアルミニウム板としては、表面が陽極酸化処理されたものを用いてもよい。なお、各伝熱板２１，２４の厚みは、例えば、０．２～３ｍｍ程度の範囲で適宜設定すればよい。
　固体発光素子３としては、ＬＥＤチップを用いているが、これに限らず、例えば、ＬＥＤチップがパッケージに収納されたものでもよい。また、固体発光素子３としては、例えば、レーザダイオード（半導体レーザ）や、有機ＥＬ素子などを用いてもよい。
　各伝熱板２１，２４に搭載される固体発光素子３は、図４９に示すように、厚み方向の一面側に第１電極（アノード電極）３１と第２電極（カソード電極）３２とが設けられており、厚み方向の他面側が接合部３５を介して伝熱板２１，２４に接合されている。そして、固体発光素子３は、第１電極３１および第２電極３２の各々がワイヤ（ボンディングワイヤ）２６を介して配線パターン２２と電気的に接続されている。ここにおいて、伝熱板２１，２４は、各ワイヤ２６の各々を通す貫通孔２１ｂ，２４ｂが形成されている。貫通孔２１ｂ，２４ｂは、伝熱板２１，２４の幅方向において固体発光素子３の搭載領域の両側に形成してある。貫通孔２１ｂ，２４ｂは、開口形状を円形状としてある。貫通孔２１ｂ，２４ｂの内径は、０．５ｍｍに設定してあるが、この値は一例であり、特に限定するものではない。貫通孔２１ｂ，２４ｂの形状は、円形状に限らず、例えば、矩形状、楕円形状などでもよい。固体発光素子３がＬＥＤチップの場合、接合部３５は、ダイボンド材により形成すればよい。
　ＬＥＤチップは、青色光を放射するＧａＮ系青色ＬＥＤチップであり、基板としてサファイア基板を備えたものを用いている。ただし、ＬＥＤチップの基板は、サファイア基板に限らず、例えば、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板、Ｓｉ基板などでもよい。なお、ＬＥＤチップの構造は特に限定するものではない。
　ＬＥＤチップのチップサイズは、特に限定するものではなく、例えば、チップサイズが０．３ｍｍ□や０．４５ｍｍ□や１ｍｍ□のものなどを用いることができる。
　また、ＬＥＤチップの発光層の材料や発光色は特に限定するものではない。すなわち、ＬＥＤチップとしては、青色ＬＥＤチップに限らず、例えば、紫色光ＬＥＤチップ、紫外光ＬＥＤチップ、赤色ＬＥＤチップ、緑色ＬＥＤチップなどを用いてもよい。
　ダイボンド材としては、例えば、シリコーン系のダイボンド材、エポキシ系のダイボンド材、銀ペーストなどを用いることができる。
　また、ワイヤ２６としては、例えば、金ワイヤ、アルミニウムワイヤなどを用いることができる。
　ところで、両面発光ユニット１は、固体発光素子３としてＬＥＤチップを用いている場合、例えば図４９に示すように、伝熱板２１，２４の上記一面側において固体発光素子３およびワイヤ２６を封止した封止部３６を備えることが好ましい。図４９では、封止部３６の材料として、第１透光性材料であるシリコーン樹脂を用いている。第１透光性材料は、シリコーン樹脂に限らず、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ガラスなどを用いてもよい。
　また、両面発光ユニット１は、固体発光素子３としてＬＥＤチップを用いている場合、高出力の白色光を得るためには、ＬＥＤチップの発光色とは異なる色の光を放射する波長変換材料を有する色変換部３７を備えていることが好ましい。このような色変換部３７としては、例えば、ＬＥＤチップから放射された光によって励起されてＬＥＤチップの発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を波長変換材料として用い、蛍光体および第２透光性材料を含むものが好ましい。
　両面発光ユニット１は、例えば、ＬＥＤチップとして青色ＬＥＤチップを用い、色変換部３７の蛍光体として黄色蛍光体を用いれば、白色光を得ることが可能となる。すなわち、両面発光ユニット１は、ＬＥＤチップから放射された青色光と黄色蛍光体から放射された光とが色変換部３７の表面を通して放射されることとなり、白色光を得ることができる。色変換部３７の材料として用いる第２透光性材料として、シリコーン樹脂を用いているが、これに限らず、例えば、アクリル樹脂、ガラス、有機成分と無機成分とがｎｍレベルもしくは分子レベルで混合、結合した有機・無機ハイブリッド材料などを採用してもよい。また、色変換部３７の材料として用いる蛍光体も黄色蛍光体に限らず、例えば、黄色蛍光体と赤色蛍光体とを用いたり、赤色蛍光体と緑色蛍光体とを用いることにより、演色性を高めることが可能となる。また、色変換部３７の材料として用いる蛍光体は、１種類の黄色蛍光体に限らず、発光ピーク波長の異なる２種類の黄色蛍光体を用いてもよい。
　また、ＬＥＤチップ単体で白色光を放射できる場合や、封止部３６に蛍光体を分散させている場合や、両面発光ユニット１で得たい光の色がＬＥＤチップの発光色と同じである場合には、色変換部３７を備えていない構造を採用することができる。
　両面発光ユニット１は、色変換部３７が、伝熱板２１，２４に接していることが好ましい。これにより、両面発光ユニット１は、ＬＥＤチップで発生した熱だけでなく、色変換部３７で発生した熱も伝熱板２１，２４を通して放熱させることが可能となり、光出力の高出力化を図ることが可能となる。図４９に示した例では、色変換部３７が、半円筒状の形状に形成されており、伝熱板２１，２４の上記一面側において伝熱板２１，２４との間にＬＥＤチップおよび封止部３６などを囲む形で配設されている。更に説明すれば、色変換部３７は、伝熱板２１の上記一面側において封止部３６との間に気体層（例えば、空気層）３８が形成されるように配設されている。両面発光ユニット１は、図５３に示すように、色変換部３７を半球状の形状として、色変換部３７により固体発光素子３であるＬＥＤチップおよびワイヤ２６を封止するようにしてもよい。また、両面発光ユニット１は、図５４に示すように、色変換部３７をドーム状の形状として、色変換部３７により、固体発光素子３であるＬＥＤチップおよびワイヤ２６を封止するようにしてもよい。また、両面発光ユニット１は、図５５に示すように、色変換部３７を、層状の形状として、色変換部３７により、固体発光素子３であるＬＥＤチップおよびワイヤ２６を封止するようにしてもよい。なお、図４９や図５４のような色変換部３７は、成形したものを用い、伝熱板２１，２４側の端縁（開口部の周縁）を伝熱板２１，２４に対して、例えば接着剤（例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など）を用いて固着すればよい。また、図５３に示すような色変換部３７は、例えば、成形法により形成することができる。また、図５５に示すような色変換部３７は、例えば、ディスペンサを用いた塗布法や、スクリーン印刷法などにより形成することが可能である。
　配線パターン２２は、上述のように伝熱板２１，２４とは線膨張率の異なる第２金属板により形成されている。ここで、第２金属板は、金属フープ材に対してプレスによる打ち抜き加工を施すことにより形成したリードフレーム１２０（図５２Ｃ参照）を用いている。
　第２金属板の材料としては、金属の中で熱伝導率が比較的高い銅（銅の熱伝導率は、３９８Ｗ／ｍ・Ｋ程度）が好ましいが、銅に限らず、例えば、リン青銅などでもよいし、銅合金（例えば、４２アロイなど）などでもよい。また、第２金属板の厚みは、例えば、１００μｍ～１５００μｍ程度の範囲で設定することが好ましい。
　リードフレーム１２０は、外枠部１２１の内側に支持片１２２（図５２Ｄ参照）を介して配線パターン２２が支持されたものである。
　配線パターン２２は、固体発光素子３の第１電極３１が接続される第１パターン２２ａと第２電極３２が接続される第２パターン２２ｂとが、伝熱板２１，２４の幅方向に並んで配置されている。また、配線パターン２２は、第１パターン２２ａおよび第２パターン２２ｂの各々を規定数（例えば、１６個）ずつ備えており、第１パターン２２ａおよび第２パターン２２ｂそれぞれが、伝熱板２１，２４の長手方向に並んで配置されている（図５０参照）。第１パターン２２ａおよび第２パターン２２ｂは、長方形状に形成されており、伝熱板２１，２４と長手方向が一致するように配置されている。そして、配線パターン２２は、伝熱板２１，２４の長手方向に並んだ第１パターン２２ａが、２個ずつの組に分けられ、組をなす第１パターン２２ａ同士が連結片２２ｃにより連結されている。また、配線パターン２２は、伝熱板２１，２４の長手方向に並んだ規定数（例えば、１６個）の第２パターン２２ｂが、２個ずつの組に分けられ、組をなす第２パターン２２ｂ同士が連結片２２ｄにより連結され電気的に接続されている。連結片２２ｃ，２２ｄは、伝熱板２１，２４の幅方向に沿って配置された直線状の第１部位２２ｃａ，２２ｄａと、当該第１部位２２ｃａ，２２ｄａの長手方向の両端部から伝熱板２１の長手方向において逆向きに延設された第２部位２２ｃｂ，２２ｄｂおよび第３部位２２ｃｃ，２２ｄｃとで構成されている。また、連結片２２ｃは、第１パターン２２ａよりも幅狭に形成され、連結片２２ｄは、第２パターン２２ｂよりも幅狭に形成されている。ここで、配線パターン２２は、組をなす２個の第１パターン２２ａと、これら２個の第１パターン２２ａを連結した連結片２２ｃと、組をなす２個の第２パターン２２ｂと、これら２個の第２パターン２２ｂを連結した連結片２２ｄとで、１つの単位パターン２２ｕを構成している。上述のリードフレーム１２０は、複数の単位ユニット２２ｕが、外枠部１２１の長さ方向に沿って配列されている。また、配線パターン２２は、伝熱板２１，２４の長手方向において隣り合う単位パターン２２ｕ同士において、一方の単位パターン２２ｕの第１パターン２２ａと他方の単位パターン２２ｕの第２パターン２２ｂとが連絡片２２ｅにより連結され電気的に接続されている。連絡片２２ｅは、第１パターン２２ａおよび第２パターン２２ｂよりも幅狭に形成されている。
　配線パターン２２は、単位パターン２２ｕごとに、伝熱板２１，２４の長手方向に並んで配置される所定数（例えば、６個）の固体発光素子３を並列接続して並列回路を構成できるようになっており、隣り合う単位パターン２２ｕごとに形成される並列回路を直列接続できるようになっている。したがって、伝熱板２１，２４の長手方向の一端部の第１パターン２２ａと他端部の第２パターン２２ｂとの間に給電することにより、全ての固体発光素子３に対して給電することができる。
　また、絶縁層２３，２５は、シリカやアルミナなどのフィラーからなる充填材を含有し且つ加熱時に低粘度化するとともに流動性が高くなる性質を有するＢステージのエポキシ樹脂層（熱硬化性樹脂）とプラスチックフィルム（ＰＥＴフィルム）とが積層された熱硬化型のシート状接着剤（例えば、東レ株式会社製の接着剤シートＴＳＡなど）のエポキシ樹脂層を熱硬化させることにより形成されている。フィラーとしては、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂よりも熱伝導率の高い絶縁性材料を用いればよい。ここにおいて、シート状接着剤のエポキシ樹脂層は、電気絶縁性を有するとともに熱伝導率が高く加熱時の流動性が高く凹凸面への密着性が高いという性質を有している。したがって、絶縁層２３，２５と伝熱板２１，２４および配線パターン２２との間に空隙が発生するのを防止することができて密着信頼性が向上するとともに、密着不足による熱抵抗の増大やばらつきの発生を抑制することが可能となる。しかして、伝熱板２１，２４と配線パターン２２との間にサーコン（登録商標）のようなゴムシート状の放熱シートなどを挟む場合に比べて、各固体発光素子３から配線パターン２２までの熱抵抗を低減できるとともに、熱抵抗のばらつきを低減できて、放熱性が向上し、各固体発光素子３のジャンクション温度の温度上昇を抑制できるから、入力電力を大きくでき、光出力の高出力化を図ることが可能となる。上述のエポキシ樹脂層の厚みは、１００μｍに設定してあるが、この値は一例であり、特に限定するものではなく、例えば、５０μｍ～１５０μｍ程度の範囲で適宜設定すればよい。なお、上述のエポキシ樹脂層の熱伝導率は、４Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましい。また、シート状接着剤のプラスチックフィルムは、配線パターン２２と伝熱板２１，２４とを重ね合わせる前に、エポキシ樹脂層から剥離する。要するに、エポキシ樹脂層におけるプラスチックフィルム側とは反対側の一面を対象物に固着した後、プラスチックフィルムを剥離する。
　ここで、絶縁層２３，２５の形成にあたっては、伝熱板２１，２４とエポキシ樹脂層と配線パターン２２を有するリードフレーム１２０とを重ね合わせた状態で適宜加圧するようにしてもよい。
　絶縁層２３，２５の外形サイズは、リードフレーム１２０の外形サイズに基づいて適宜設定すればよい。ここで、絶縁層２３，２５は、電気絶縁性および熱伝導性を有し、伝熱板２１，２４と配線パターン２２とを電気的に絶縁する機能および熱結合する機能を有している。
　また、絶縁層２３，２５は、伝熱板２１，２４の各貫通孔２１ｂ，２４ｂの各々に連通する貫通孔２３ｂ，２５ｂが形成されている。したがって、両面発光ユニット１の製造時には、ワイヤ２６を伝熱板２１，２４の貫通孔２１ｂ，２４ｂと絶縁層２３，２５の貫通孔２３ｂ，２５ｂとを通して配線パターン２２にボンディングすることができる。ここで、両面発光ユニット１の製造時には、固体発光素子３の第１電極３１および第２電極３２それぞれと第１パターン２２ａおよび第２パターン２２ｂとをワイヤ２６を介して接続した後に、例えば、ディスペンサなどにより、貫通孔２１ｂ，２４ｂおよび貫通孔２３ｂ，２５ｂに封止部３６（図４９参照）の材料を充填してワイヤ２６が第１金属板に接触しないようにし、その後、封止部３６を形成すればよい。
　ところで、配線パターン２２は、第２金属板に比べて耐酸化性および耐腐食性の高い金属材料からなり絶縁層２３，２５との密着性の高い表面処理層（図示せず）が形成されていることが好ましい。第２金属板の材料がＣｕの場合、表面処理層としては、例えば、Ｎｉ膜、Ｎｉ膜とＡｕ膜との積層膜、Ｎｉ膜とＰｄ膜とＡｕ膜との積層膜などを形成することが好ましい。なお、表面処理層は、例えば、めっき法により形成すればよい。
　ところで、伝熱板２１，２４の熱容量の大きさによっては、上述のエポキシ樹脂層の加熱温度を１７０℃程度まで上げて硬化させると、伝熱板２１，２４と配線パターン２２との固着性能が低下し、加熱温度を１５０℃程度まで下げて硬化させると伝熱板２１，２４と配線パターン２２との間の電気絶縁性が低下する懸念がある。すなわち、固着性能と電気絶縁性とがトレードオフの関係を有している。そこで、本実施形態では、後述のように、シート状接着剤１２３，１３３（図５１Ｂおよび図５２Ａ参照）のエポキシ樹脂層１２３ａ，１３３ａ（図５１Ｃおよび図５２Ｂ参照）を重ね合わせるようにし、一方のエポキシ樹脂層１２３ａを１７０℃で硬化させることにより電気絶縁性および熱伝導性を確保し、他方のエポキシ樹脂層１３３ａを１５０℃で硬化させることにより固着性能および熱伝導性を確保するようにしている。さらに説明すれば、一方のエポキシ樹脂層１２３ａを対象物である伝熱板２１に１７０℃で固着させた後、他方のエポキシ樹脂層１３３ａおよびリードフレーム１２０を重ね合わせて当該他方のエポキシ樹脂層１３３ａを１５０℃で硬化させるようにすればよい。これにより、本実施形態の両面発光ユニット１の製造にあたっては、伝熱板２１，２４の熱容量に関わらず、固着性能と電気絶縁性との両方の要求を満足させることが可能となる。
　以下、伝熱板２１と配線パターン２２との接合方法について図５１および図５２を参照しながら簡単に説明する。
　まず、伝熱板２１に貫通孔２１ｂなどを形成することによって、図５１Ａに示す構造を得る。
　その後、図５１Ｂに示すように、伝熱板２１の上記他面側にシート状接着剤１２３をエポキシ樹脂層１２３ａが伝熱板２１に接するように重ねて、円柱状のゴムローラ１４０により所定圧力（例えば、０．５ＭＰａ）で加圧するとともにエポキシ樹脂層１２３ａの硬化温度よりも低い第１規定温度（例えば、１１０℃～１２０℃）で加熱してシート状接着剤１２３を伝熱板２１に仮固着する。続いて、シート状接着剤１２３を適当な長さで切断する。
　その後、シート状接着剤１２３が仮固着されている伝熱板２１を自然冷却させる。続いて、図５１Ｃに示すように、エポキシ樹脂層１２３ａからプラスチックフィルム１２３ｂを剥がす。
　その後、エポキシ樹脂層１２３ａが仮固着されている伝熱板２１を乾燥炉（図示せず）内に投入しエポキシ樹脂層１２３ａを上記硬化温度以上の温度（例えば、１７０℃）で加熱して硬化させることでエポキシ樹脂層１２３ａを伝熱板２１に本固着する。
　その後、エポキシ樹脂層１２３ａにシート状接着剤１３３をエポキシ樹脂層１３３ａがエポキシ樹脂層１２３ａに接するように重ねて、円柱状のゴムローラ１４０により所定圧力（例えば、０．５ＭＰａ）で加圧するとともにエポキシ樹脂層１３３ａの硬化温度よりも低い第１規定温度（例えば、１１０℃～１２０℃）で加熱してシート状接着剤１３３をエポキシ樹脂層１２３ａに仮固着する。続いて、シート状接着剤１３３を適当な長さで切断する。
　その後、エポキシ樹脂層１２３ａとエポキシ樹脂層１３３ａとの積層構造において、絶縁層２３の貫通孔２３ｂに対応する各領域に、図５２Ａに示すように、例えばレーザ装置１５０により貫通孔１３４を形成する。なお、貫通孔１３４を形成する手段は、レーザ装置１５０に限らず、例えば、ドリルなどを用いてもよい。
　その後、図５２Ｂに示すように、エポキシ樹脂層１３３ａからプラスチックフィルム１３３ｂを剥がす。
　その後、図５２Ｃに示すように、リードフレーム１２０をエポキシ樹脂層１３３ａ上に載置して適宜の荷重を印加した後、乾燥炉（図示せず）内においてエポキシ樹脂層１３３ａを上記硬化温度以上の温度（例えば、１５０℃）で硬化させることでリードフレーム１２０とエポキシ樹脂層１３３ａとを本固着する。これにより、絶縁層２３が形成される。
　その後、配線パターン２２をリードフレーム１２０の支持片１２２から切断し、図５２Ｄに示すように、リードフレーム１２０のうち配線パターン２２以外の部分を取り外す。
　その後、伝熱板２１と配線パターン２２とを絶縁層２３を介して接合したのと同様にして、伝熱板２４と配線パターン２２とを絶縁層２５を介して接合することにより、実装基板２を得ることができる。
　両面発光ユニット１の製造にあたっては、伝熱板２１，２４の上記一面側に固体発光素子３を接合してから、各固体発光素子３の第１電極３１および第２電極３２それぞれと第１パターン２２ａおよび第２パターン２２ｂとをワイヤ２６を介して電気的に接続すればよい。その後、必要に応じて封止部３６、色変換部３７を伝熱板２１，２４の上記一面側に設ければよい。
　本実施形態の両面発光ユニット１は、上述のように、第１金属板により形成されてなり厚み方向に離間して配置される一対の伝熱板２１，２４と、各伝熱板２１，２４における互いの対向面とは反対の上記一面側に搭載された固体発光素子３，３と、第２金属板により形成されてなり両伝熱板２１，２４の間に配置され各固体発光素子３が電気的に接続される配線パターン２２と、各伝熱板２１，２４と配線パターン２２との各々の間に介在する一対の絶縁層２３，２５とを備えている。これにより、本実施形態の両面発光ユニット１は、各固体発光素子３で発生した熱を、伝熱板２１，２４により横方向に効率よく伝熱させて放熱させることが可能となる。したがって、本実施形態の両面発光ユニット１では、放熱性を向上させることが可能で各固体発光素子３の温度上昇を抑制でき、且つ、光出力の高出力化を図ることが可能となる。
　また、本実施形態の両面発光ユニット１では、固体発光素子３をＬＥＤチップとすることにより、ＬＥＤチップで発生した熱を伝熱板２１，２４により横方向へ伝熱させて効率良く放熱させることが可能となる。
　また、本実施形態の両面発光ユニット１では、伝熱板２１，２４の各々の基礎となる各第１金属板がアルミニウム板であり、各アルミニウム板における絶縁層２３，２５側とは反対側にアルミニウム板よりも高純度のアルミニウム膜が積層され、アルミニウム膜に屈折率の異なる２種類の誘電体膜からなる増反射膜が積層されているので、ＬＥＤチップから放射され伝熱板２１，２４の上記一面に入射した光を効率良く反射することが可能となる。要するに、両面発光ユニット１は、伝熱板２１，２４として、反射板としての機能を有するものを用いることにより、伝熱板２１，２４での光損失を低減することが可能となり、光出力の高出力化を図ることが可能となる。特に、両面発光ユニット１は、固体発光素子３として、ＬＥＤチップを用いている場合に、ＬＥＤチップで発生した熱を効率よく放熱させることが可能となって光出力の高出力化を図れ、そのうえ、ＬＥＤチップから放射された光の利用効率の向上を図ることが可能となる。また、両面発光ユニット１は、色変換部３７（図４９など参照）を備えている場合、色変換部３７の波長変換材料である蛍光体から伝熱板２１，２４側へ放射された光や、ＬＥＤチップから放射され蛍光体で伝熱板２１，２４側へ散乱された光などを反射させることが可能なので、光の利用効率の向上を図ることが可能となる。
　また、本実施形態の両面発光ユニット１は、伝熱板２１，２４とリードフレーム１２０を用いて形成される配線パターン２２とを備えていることにより、固体発光素子３を２枚の金属ベースプリント配線板に実装して用いる場合に比べて、低コスト化で光出力の高出力化を図ることが可能となる。
　また、本実施形態の両面発光ユニット１では、固体発光素子３がＬＥＤチップであり、厚み方向の一面側に第１電極３１と第２電極３２とが設けられており、第１電極３１および第２電極３２の各々がワイヤ２６を介して配線パターン２２と電気的に接続されてなり、伝熱板２１，２４に、各ワイヤ２６の各々を通す貫通孔２１ｂ，２４ｂが形成されているので、ＬＥＤチップを伝熱板２１，２４にダイボンドすることができ、ＬＥＤチップで発生した熱が伝熱板２１，２４の横方向へ伝熱されやすくなり、放熱性を向上させることが可能となる。
　なお、固体発光素子３としてＬＥＤチップを用いる場合、固体発光素子３と伝熱板２１，２４との線膨張率の差に起因してＬＥＤチップに働く応力を緩和するサブマウント部材を介して伝熱板２１，２４にダイボンドするようにしてもよい。ここで、サブマウント部材は、ＬＥＤチップのチップサイズよりも大きな平面サイズに形成したものを用いることが好ましい。なお、ＬＥＤチップがＧａＮ系青色ＬＥＤチップであり、第１金属板がアルミニウム板の場合、サブマウント部材の材料としては、例えば、ＡｌＮ、複合ＳｉＣ、Ｓｉ、ＣｕＷなどを採用することができる。また、サブマウント部材は、ＬＥＤチップが接合される側の表面におけるＬＥＤチップとの接合部位（つまり、ＬＥＤチップに重なる部位）の周囲に、ＬＥＤチップから放射された光を反射する反射膜が形成されていることが好ましい。また、ＬＥＤチップとして厚み方向の両面に電極が設けられたものを用いる場合には、サブマウント部材に、ＬＥＤチップにおいてサブマウント部材側に配置される第１電極３１あるいは第２電極３２に電気的に接続される導体パターンを設けておき、当該導体パターンと第１パターン２２ａあるいは第２パターン２２ｂとをワイヤ２６を介して電気的に接続するようにすればよい。
　また、上述の両面発光ユニット１では、貫通孔２１ｂを、伝熱板２１の幅方向において固体発光素子３の搭載領域の両側に形成してある。言い換えれば、伝熱板２１の幅方向において並ぶ２つの貫通孔２１ｂの間の部位に固体発光素子３を搭載してある。しかし、これらに限らず、例えば、図５６に示すように、伝熱板２１の幅方向において並ぶ２つの貫通孔２１ｂの組のうち伝熱板２１の長手方向に並ぶ２つの組の間に、固体発光素子３を配置するようにしてもよい。なお、伝熱板２４へ搭載する固体発光素子３についても、図５６と同様の配置としてもよい。
　本実施形態の両面発光ユニット１は、種々の照明装置の光源として用いることが可能である。例えば、本実施形態の両面発光ユニット１を備えた照明装置の一例として、図５７に示すような直管形ＬＥＤランプ７００を構成することができる。なお、一般的な直管形ＬＥＤランプについては、例えば、社団法人日本電球工業会により、「Ｌ型ピン口金ＧＸ１６ｔ－５付直管形ＬＥＤランプシステム（一般照明用）」（ＪＥＬ　８０１）が規格化されており、図５７の直管形ＬＥＤランプ７００は、ＪＥＬ　８０１の規格を満足するように設計してある。
　図５７の直管形ＬＥＤランプ７００は、透光性材料（例えば、ガラスなど）により形成された直管状の管本体７０２と、管本体７０２の長手方向の一端部および他端部それぞれに設けられた口金７０３，７０４とを備え、管本体７０２内に上述の両面発光ユニット１（図４６など参照）が収納されている。
　管本体７０２の長手方向の一端部に設けられた口金７０３には、照明器具の第１ランプソケットおよび第２ランプソケットのうち第１ランプソケットに保持されるとともに管本体７０２内の両面発光ユニット１へ給電するための２本の第１ランプピン（端子）７１４が設けられている。また、管本体７０２の長手方向の他端部の口金７０４には、第２ランプソケットに保持されるアース用の１本の第２ランプピン（端子）７１５が設けられている。
　２本の第１ランプピン７１４は、口金７０３の端面（第１の口金基準面）から管本体７０２側とは反対側へ突出している。ここで、第１ランプピン７１４は、管本体７０２内に収納されている両面発光ユニット１の配線パターン２２と電気的に接続されている。
　各第１ランプピン７１４は、口金７０３の端面から突出した部分の形状がＬ字状であり、管本体７０２の長手方向に沿って突出したピン本体７１４ａと、ピン本体７１４ａの先端部から管本体７０２の１つの径方向に沿って延設された鍵部７１４ｂとで構成されている。ここで、２つの鍵部７１４ｂは、互いに離れる向きに延設されている。なお、第１ランプピン７１４は、細長の導電板を折曲することにより形成されている。
　第２ランプピン７１５は、口金７０４の端面（第２の口金基準面）から管本体７０２側とは反対側へ突出している。ここで、第２ランプピン７１５は、口金７０４の端面から突出した部分の形状がＴ字状であり、管本体７０２の長手方向に沿って突出したピン本体７１５ａと、ピン本体７１５ａの先端部に設けられた正面視長円状の端子部７１５ｂとで構成されている。
　本実施形態の直管形ＬＥＤランプ７００では、従来の直管形ＬＥＤランプや、図６６に示した照明装置６００に比べて、放熱性を向上させることが可能で、且つ、光出力の高出力化を図ることが可能となる。
　本実施形態の両面発光ユニット１を備えた照明装置は、上述の直管形ＬＥＤランプ７００に限らず、例えば、両面発光ユニット１を収納する器具本体を備えた照明器具でもよい。ここにおいて、両面発光ユニット１は、伝熱板２１，２４における幅方向の両側縁の各々に、半円状の切欠部２１ｃ，２４ｃが、伝熱板２１，２４の長手方向に離間して略等間隔で形成されている。したがって、両面発光ユニット１の伝熱板２１，２４における切欠部２１ｃ，２４ｃを、両面発光ユニット１を器具本体に取り付けるための螺子の円形状の頭部よりも半径の小さな半円状としておけば、螺子の頭部と器具本体とで両面発光ユニット１を挟持することができる。この照明装置では、各固体発光素子３や各接合部３５にかかる応力を低減することが可能となる。
　以上説明した本実施形態の照明装置では、上述の両面発光ユニット１を備えていることにより、放熱性を向上させることが可能で、且つ、光出力の高出力化を図ることが可能となる。
　なお、照明装置における両面発光ユニット１の配置は特に限定するものではない。例えば、照明装置では、複数の両面発光ユニット１を一直線上に並べて配置してもよく、この場合、隣り合う両面発光ユニット１の配線パターン２２同士を、例えば、送り配線用の電線（図示せず）やコネクタ（図示せず）などにより電気的に接続するようにすればよい。これにより、複数の両面発光ユニット１を備えた照明装置では、両面発光ユニット１の直列回路に対して、１つの電源ユニットから電力を供給して、各両面発光ユニット１の全ての固体発光素子３を発光させることが可能となる。
　（実施形態８）
　以下、本実施形態の両面発光ユニット１について図５８に基づいて説明する。なお、本実施形態では、両面発光ユニット１が、発光ユニットを構成している。
　本実施形態の発光ユニット１の基本構成は実施形態７と略同じであり、実装基板２の形状などが相違する。なお、実施形態７と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
　本実施形態の両面発光ユニット１では、伝熱板２１，２４の平面視形状が、八角形状であり、各伝熱板２１，２４の上記一面側の各々において、複数個（図示例では、１２×６個）の固体発光素子３が２次元アレイ状に配置されている。ここで、伝熱板２１，２４の形状は、八角形状に限らず、例えば、他の多角形状でもよいし、円形状、楕円形状などでもよい。
　なお、本実施形態の両面発光ユニット１における配線パターン２２もリードフレーム（図示せず）を用いて形成されている。そして、両面発光ユニット１は、配線パターン２２の第１端子パターン２２ｆおよび第２端子パターン２２ｇそれぞれに半田などにより電線６３，６３（図５９参照）を接続して電源ユニットから電力を供給することができる。
　本実施形態の両面発光ユニット１では、実施形態７の両面発光ユニット１と同様、放熱性を向上させることが可能で、且つ、光出力の高出力化を図ることが可能となる。
　ここで、上述の面状発光ユニット１を備えた照明装置の一例として、図５９に示す構成の照明器具４０を例示する。
　図５９に示した構成の照明器具４０は、厚み方向の一面に両面発光ユニット１を収納する収納凹所５１が形成された偏平な第１カバー部材５０と、第１カバー部材５０の収納凹所５１に両面発光ユニット１を覆うように収納される第２カバー部材６０とで、器具本体を構成している。なお、両面発光ユニット１と第１カバー部材５０および第２カバー部材６０との間の各々には、スペーサ（図示せず）を設けてある。また、第１カバー部材５０には、両面発光ユニット１への給電用の電線６３，６３を挿通する切欠部５４が形成されている。ここで、各電線６３，６３において、両面発光ユニット１の第１端子パターン２２ｆおよび第２端子パターン２２ｇに接続される一端側とは反対側には、別置の電源ユニット（図示せず）の出力用の第１のコネクタ（図示せず）に着脱自在に接続される第２のコネクタ７０が設けられている。
　第１カバー部材５０および第２カバー部材６０は、例えば、全体を透光性材料により形成してもよいし、両面発光ユニット１から放射される光を取り出す部位のみを、透光性材料により形成してもよい。また、照明装置を構成する照明器具は、器具本体の形状や構成も特に限定するものではない。また、照明装置は、照明器具４０に限らず、例えば、表示装置などでもよい。
　以上説明した本実施形態の照明装置では、上述の両面発光ユニット１を備えていることにより、放熱性を向上させることが可能で、且つ、光出力の高出力化を図ることが可能となる。

Claims (31)

  1. 　金属板を用いて形成され１ピッチの外枠部の内側に支持片を介して所望の配線パターンが支持されたリードフレームであって、前記配線パターンは、固体発光素子を搭載するダイパッドと、前記ダイパッドから前記ダイパッドを取り囲むように延設されたヒートシンクと、一方の電極が前記ヒートシンクに電気的に接続される前記固体発光素子の他方の電極と電気的に接続されるリードとを具備する単位ユニットを複数備え、互いに隣り合う前記単位ユニットの一方の前記単位ユニットの前記リードと他方の前記単位ユニットの前記ヒートシンクとが連結され電気的に直列接続されてなることを特徴とするリードフレーム。
  2. 　前記リードは、前記ヒートシンクの外周縁から前記ダイパッドに向かって形成された切込溝の内側に配置されてなることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
  3. 　前記複数の前記単位ユニットが、前記外枠部の長さ方向に沿って配列されてなることを特徴とする請求項１または請求項２記載のリードフレーム。
  4. 　前記配線パターンは、前記複数の前記単位ユニットに跨って前記ヒートシンクの側方に配置された配線を備え、前記配線は、前記外枠部の前記長さ方向における一端の前記単位ユニットの前記リードと連結されて電気的に接続されてなることを特徴とする請求項３記載のリードフレーム。
  5. 　前記配線パターンは、前記複数の前記単位ユニットに跨って前記ヒートシンクの側方に配置された配線を備えることを特徴とする請求項３記載のリードフレーム。
  6. 　前記複数の前記単位ユニットが、前記外枠部により囲まれた領域の中心を取り囲むように配置されてなることを特徴とする請求項１または請求項２記載のリードフレーム。
  7. 　第１の金属板を用いて形成され主表面側に配置される複数の固体発光素子の直列接続が可能な配線パターンを有するモジュールと、前記モジュールの裏面側に配置された第２の金属板と、電気絶縁性および熱伝導性を有し前記モジュールと前記第２の金属板との間に介在して前記配線パターンと前記第２の金属板とを熱結合する絶縁層とを備え、前記配線パターンは、前記固体発光素子を搭載するダイパッドと、前記ダイパッドから前記ダイパッドを取り囲むように延設されたヒートシンクと、一方の電極が前記ヒートシンクに電気的に接続される前記固体発光素子の他方の電極と電気的に接続されるリードとを具備する単位ユニットを複数備え、互いに隣り合う前記単位ユニットの一方の前記単位ユニットの前記リードと他方の前記単位ユニットの前記ヒートシンクとが連結され電気的に直列接続されてなり、前記モジュールは、前記単位ユニットごとに前記ダイパッドと前記ヒートシンクと前記リードとを保持する絶縁性材料からなる保持部を備えることを特徴とする配線板。
  8. 　前記モジュールは、前記配線パターンの側縁に前記保持部との密着性を向上させる凹凸構造部が設けられてなることを特徴とする請求項７記載の配線板。
  9. 　前記配線パターンの裏面に、前記第１の金属板に比べて耐酸化性および耐腐食性の高い金属材料からなり前記絶縁層との密着性を高める第１のめっき層が形成されてなることを特徴とする請求項７または請求項８記載の配線板。
  10. 　前記ダイパッドおよび前記固体発光素子と電気的に接続される部位の主表面に、前記第１の金属板に比べて耐酸化性および耐腐食性の高い金属材料からなる第２のめっき層が形成されてなることを特徴とする請求項７ないし請求項９のいずれか１項に記載の配線板。
  11. 　前記第１の金属板の材料がＣｕであり、前記第２のめっき層は、Ｎｉ膜とＰｄ膜とＡｕ膜との積層膜からなることを特徴とする請求項１０記載の配線板。
  12. 　互いに隣り合う前記単位ユニットの一方の前記単位ユニットの前記リードと他方の前記単位ユニットの前記ヒートシンクとを連結する連結片を備え、前記連結片と前記絶縁層との間に空間を有し、前記連結片は、前記第１の金属板と前記第２の金属板との線膨張率差に起因して前記配線パターンに働く応力を緩和するように曲がった応力緩和部を備えていることを特徴とする請求項７ないし請求項１１のいずれか１項に記載の配線板。
  13. 　請求項７ないし請求項１２のいずれか１項に記載の配線板の前記各ダイパッドそれぞれに前記固体発光素子が搭載され、前記固体発光素子は、厚み方向の一面側に前記一方の電極が設けられるととともに他面側に前記他方の電極が設けられたものであり、前記一方の電極が前記ダイパッドを介して前記ヒートシンクに電気的に接続されるとともに前記他方の電極がワイヤを介して前記リードと電気的に接続されてなることを特徴とする発光ユニット。
  14. 　請求項７ないし請求項１２のいずれか１項に記載の配線板の前記各ダイパッドそれぞれに前記固体発光素子が搭載され、前記固体発光素子は、厚み方向の一面側に前記一方の電極と前記他方の電極とが設けられたものであり、前記一方の電極が第１のワイヤを介して前記ヒートシンクと電気的に接続され、前記他方の電極が第２のワイヤを介して前記リードと電気的に接続されてなることを特徴とする発光ユニット。
  15. 　前記単位ユニットごとに、前記固体発光素子から放射された光の配光を制御する光学部材であって前記配線板との間に前記固体発光素子を収納するドーム状の光学部材と、前記光学部材と前記配線板とで囲まれた空間に充実され前記固体発光素子を封止した第１の透光性材料からなる封止部と、前記固体発光素子から放射され前記封止部および前記光学部材を透過した光によって励起されて前記固体発光素子の発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体および第２の透光性材料により形成され前記光学部材を囲む形で配設されたドーム状の色変換部材とを備え、前記配線板の前記保持部は、前記光学部材の外側に、前記光学部材を前記配線板に固着する際に溢れ出た前記第１の透光性材料を堰き止める環状の堰部が突設され、前記堰部は、前記堰部の内周面から内方へ延出し前記堰部の中心と前記光学部材の中心軸とをセンタリングする複数の爪部が周方向に離間して設けられ、且つ、前記色変換部材の位置決め部を兼ねていることを特徴とする請求項１３または請求項１４記載の発光ユニット。
  16. 　実装基板と、前記実装基板の一面側に配置された複数の固体発光素子とを備え、前記実装基板は、第１金属板により形成され前記各固体発光素子が一面側に搭載される伝熱板と、第２金属板により形成されてなり前記伝熱板の他面側に配置され前記固体発光素子が電気的に接続される配線パターンと、前記伝熱板と前記配線パターンとの間に介在する絶縁層とを備えることを特徴とする発光ユニット。
  17. 　前記絶縁層は、熱硬化性樹脂に前記熱硬化性樹脂に比べて熱伝導率の高いフィラーを含有していることを特徴とする請求項１６記載の発光ユニット。
  18. 　前記固体発光素子は、ＬＥＤチップであることを特徴とする請求項１６または請求項１７記載の発光ユニット。
  19. 　前記伝熱板は、前記第１金属板がアルミニウム板であり、前記アルミニウム板における前記絶縁層側とは反対側に前記アルミニウム板よりも高純度のアルミニウム膜が積層され、前記アルミニウム膜に屈折率の異なる２種類の誘電体膜からなる増反射膜が積層されてなることを特徴とする請求項１８記載の発光ユニット。
  20. 　前記ＬＥＤチップから放射された光によって励起されて前記ＬＥＤチップの発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体および透光性材料を含む色変換部を備え、前記色変換部は、前記伝熱板に接していることを特徴とする請求項１８または請求項１９記載の発光ユニット。
  21. 　前記各ＬＥＤチップは、厚み方向の一面側に第１電極と第２電極とが設けられたものであり、前記第１電極および前記第２電極の各々がワイヤを介して前記配線パターンと電気的に接続されてなり、前記伝熱板は、前記各ワイヤの各々を通す貫通孔が形成されてなることを特徴とする請求項１８ないし請求項２０のいずれか１項に記載の発光ユニット。
  22. 　前記伝熱板が長尺状の形状であり、前記固体発光素子が前記伝熱板の長手方向に沿って配置されてなり、前記第２金属板よりも前記第１金属板との線膨張率差が小さく前記配線パターンにおける前記伝熱板側とは反対側に配置される長尺状のベース基板を備えることを特徴とする請求項１６ないし請求項２１のいずれか１項に記載の発光ユニット。
  23. 　前記ベース基板は、樹脂に前記樹脂よりも熱伝導率の高いフィラーを混合した樹脂基板からなることを特徴とする請求項２２記載の発光ユニット。
  24. 　前記ベース基板が前記第１金属板と同じ材料からなる第３金属板により形成され、前記ベース基板と前記配線パターンとの間に前記絶縁層である第１絶縁層と同じ材料からなる第２絶縁層が介在していることを特徴とする請求項２２記載の発光ユニット。
  25. 　請求項１６ないし請求項２４のいずれか１項に記載の発光ユニットを備えることを特徴とする照明装置。
  26. 　第１金属板により形成されてなり厚み方向に離間して配置される一対の伝熱板と、前記各伝熱板における互いの対向面とは反対の一面側に搭載された固体発光素子と、第２金属板により形成されてなり前記両伝熱板の間に配置され前記各固体発光素子が電気的に接続される配線パターンと、前記各伝熱板と前記配線パターンとの各々の間に介在する一対の絶縁層とを備えることを特徴とする発光ユニット。
  27. 　前記固体発光素子は、ＬＥＤチップであることを特徴とする請求項２６記載の発光ユニット。
  28. 　前記伝熱板は、前記第１金属板がアルミニウム板であり、前記アルミニウム板における前記絶縁層側とは反対側に前記アルミニウム板よりも高純度のアルミニウム膜が積層され、前記アルミニウム膜に屈折率の異なる２種類の誘電体膜からなる増反射膜が積層されてなることを特徴とする請求項２７記載の発光ユニット。
  29. 　前記ＬＥＤチップから放射された光によって励起されて前記ＬＥＤチップの発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体および透光性材料を含む色変換部を備え、前記色変換部は、前記伝熱板に接していることを特徴とする請求項２７または請求項２８記載の発光ユニット。
  30. 　前記各ＬＥＤチップは、厚み方向の一面側に第１電極と第２電極とが設けられたものであり、前記第１電極および前記第２電極の各々がワイヤを介して前記配線パターンと電気的に接続されてなり、前記伝熱板は、前記各ワイヤの各々を通す貫通孔が形成されてなることを特徴とする請求項２７ないし請求項２９のいずれか１項に記載の発光ユニット。
  31. 　請求項２６ないし請求項３０のいずれか１項に記載の発光ユニットを備えることを特徴とする照明装置。
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