JP2001203395A - 混成集積回路装置 - Google Patents
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Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 61
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 27
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 102100031573 Hematopoietic progenitor cell antigen CD34 Human genes 0.000 description 1
- 101000777663 Homo sapiens Hematopoietic progenitor cell antigen CD34 Proteins 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01039—Yttrium [Y]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
照射装置の放熱性を改善すると同時に、光量を増大させ
る。 【解決手段】 金属基板11の上には、Niが被着され
たCuパターンを形成し、この上に反射手段RFを固着
し、底面に発光素子15を実装する。Niは、耐食性に
優れ、光反射効率も優れているので、基板表面自身が反
射板として活用でき、また反射手段RFにより発光ダイ
オードから発射される殆どの光を上方へ反射させること
ができる。またレンズ19を発光素子それぞれに形成す
ることで発射効率をより改善させることができる。
Description
であり、特に発光素子を複数個実装させた光照射装置に
関するものである。
合、一般には電灯等が用いられている。しかし、軽薄短
小および省電力を目的として、図7の様にプリント基板
1に光素子2を実装させる場合がある。
イオード(Light Emitting Diode)が主ではあるが、他
に半導体レーザ等も考えられる。
3,4が用意され、一方のリード3には、発光ダイオー
ドチップ5の裏面(アノード電極またはカソード電極)
が半田等で固着され、他方のリード4は、前記チップ表
面の電極(カソード電極またはアノード電極)と金属細
線6を介して電気的に接続されている。また前記リード
3,4、チップ5および金属細線6を封止する透明な樹
脂封止体7がレンズも兼ねて形成されている。
オード2に電源を供給するために電極8,9が設けら
れ、ここに設けられたスルーホールに前記リード3、4
が挿入され、半田等を介して前記発光ダイオード2が固
着、実装されている。
は、この発光ダイオードを用いた光照射装置が説明され
ている。
脂封止体7、リード3,4等が組み込まれたパッケージ
で成るため、実装された基板1のサイズが大きく、重量
が重くなる欠点があった。また基板自身の放熱性が劣る
ため、全体として温度上昇を来す問題があった。そのた
め、半導体チップ自身も温度上昇し、駆動能力が低下す
る問題があった。
らも光が発光し、基板1側にも向かう光が存在する。し
かし基板1がプリント基板でなるため、全ての光を上方
に発射させる効率の高い発射ができない問題もあった。
これは、特願平11−162508号で既に出願されて
いるものである。
により、実装される発光ダイオード15の温度上昇を防
止するものである。
発光ダイオード15…を直列接続させ、発光ダイオード
15…に通過する電流値を一定にさせた構造である。
電極が形成され、電極32に発光ダイオードのカソード
電極(またはアノード電極)と成るチップ裏面を固着
し、アノード電極(またはカソード電極)と電極30を
金属細線17で接続している。また電極33に二番目の
発光ダイオードのチップ裏面を固着し、チップ表面の電
極と電極32を金属細線34で接続している。つまりカ
ソード電極(またはアノード電極)となるチップ裏面が
固着された電極は、次の発光ダイオードのアノード電極
(またはカソード電極)から延在された金属細線と接続
されている。この接続形態を繰り返して直列接続が実現
されている。また、銅箔から成る電極を反射板とするた
め、表面にはNiが被覆され、更には基板全域を実質反
射板とするために、右の電極30から左の電極31まで
の12個の電極で実質完全に覆われるようにパターニン
グされている。
ら発生する熱は、金属基板11を介して放熱され、発光
ダイオード15の駆動電流をより大きく取れるメリット
を有する。更には、金属基板11がNiで被覆され、レ
ンズ19を形成しているため、発光ダイオード15から
発光される光を効率よく上方に発射できる特徴を有して
いる。
イオード15側面から発射される光の中には、レンズの
側面から斜めまたは横方向に発射されてしまう光があ
り、発光ダイオード15から発生する光の全てを、上方
に発射できない問題があった。
鑑みて成され、第1に、少なくとも表面が絶縁処理され
た基板と、前記基板上に形成された第1の電極と、前記
第1の電極と離間されて形成された第2の電極と、前記
第1の電極に一方の電極が接続され、前記第2の電極に
他方の電極が接続された発光素子と、前記発光素子の周
囲を囲み、前記基板に固定された反射手段とを有するこ
とで解決するものである。
で、発光素子の側面から発射される光を上方に反射させ
ることができ、上方に発射される光の発光強度を高める
ことができる。
基板と、前記基板上に形成された第1の電極と、前記第
1の電極と離間されて形成された第2の電極と、前記第
1の電極と電気的に接続され、前記発光素子の周囲を囲
んだ面が反射面となる反射手段と、前記反射手段に一方
の電極が電気的に接続されて固着され、前記第2の電極
に他方の電極が接続された発光素子とを有することで解
決するものである。
を採用しているため、発光ダイオード15の熱は、反射
手段、第1の電極を介して金属基板へ伝わり、発光ダイ
オードの温度上昇を防止できるメリットを有する。しか
も、これにより発光ダイオードの駆動電流をより多く流
せ、ここから発光される光の殆どを基板の上方に向かっ
て発射させることができる。
基板と、前記基板上に形成された第1の電極と、前記第
1の電極と離間されて形成された第2の電極と、前記第
1の電極と電気的に接続される第3の電極と、前記第2
の電極と電気的に接続される第4の電極とを有し、前記
第3の電極および/または前記第4の電極の表面に入射
された光を上方に反射する反射手段と、前記反射手段の
第3の電極に電気的に接続されて固着され、前記第4の
電極に他方の電極が接続された発光素子とを有すること
で解決するものである。
り、前記一方の電極は、カソード電極またはアノード電
極であり、他方の電極はアノード電極またはカソード電
極であることで解決するものである。
質鏡面を成す導電材から成り、側面が傾斜しているカッ
プ状の形状を有していることで解決するものである。
は、金属細線により接続されることで解決するものであ
る。
は、金属細線により接続されることことで解決するもの
である。
レンズが設けられることで解決するものである。
本発明は、金属基板11の殆どを電極材料で被覆し、電
気的分離に必要なスリットのみを形成して、金属基板全
てを反射板としている。また電極には、発光ダイオード
15から発射される光を全て上方に発射させるために、
反射手段RFが設けられている。この反射手段RFは、
発光ダイオード15の熱を効率よく金属基板11に伝え
るために、少なくとも発光ダイオード15と固着されて
いる部分は金属材料、例えばCuで構成されている。従
って、この構造により、発光ダイオード15の温度上昇
を防止でき、温度上昇できる分だけ駆動電流をより多く
流せ、しかもより多く流せることで発光ダイオード15
の発光量を増加させることができる特徴を有する。また
この増加した光の殆どは、反射手段により基板上方に発
射させることができるため、基板全域から発射される光
の強度は、従来の構造よりも大きくできる特徴を有す
る。
ら説明する。この構造は、第1の電極13と第2の電極
14で、混成集積回路基板11の殆ど全域を被覆してい
る構造であり、この2つの電極13、14の間に発光ダ
イオード15が並列接続されているものである。
から成る混成集積回路基板11がある。この混成集積回
路基板11は、Al、CuまたはFe等が考えられる。
用いた理由は、発光素子から発生する熱を効率良く外部
に放出する事、発光素子の温度上昇を防止することによ
り、駆動能力を向上させる事、また基板の平坦性から上
方に向かって発光される光以外の光を効率よく反射させ
て上方へ向かわせる事、また実装上のビス止め孔加工、
放物面等の湾曲加工性等に優れる事等からである。詳細
は、図4、図5で説明する。
Alが採用されている。この場合、その表面は、絶縁性
向上から、陽極酸化により酸化物が形成され、この上に
絶縁性樹脂12が形成されている。また前記酸化膜は省
略されても良いし、酸化物の代わりに別の無機物からな
る絶縁膜で被覆されても良い。また混成集積回路基板1
1は、導電性を有するため、この上に設けられる第1の
電極13、第2の電極14との短絡を考慮し全面に絶縁
性樹脂12が被着され、スリットSLは、実質1mm以
下で形成されている。
り、配線、ランド、ボンデイング用のパッド、外部リー
ド用の固着パッド等として機能し、第1の電極13には
ベアの発光ダイオード15が設けられる。ここで発光ダ
イオードチップの裏面は、カソードタイプとアノードタ
イプの2種類があり、図1では、カソードタイプであ
る。これは直流電源の向きを変えるだけで、アノードタ
イプも実現できる。
せるため、発光ダイオード15を複数個点在させてい
る。これら発光ダイオードの駆動回路は、別の基板で実
現しているが、前記駆動回路を金属基板11に形成して
も良い。この場合、基板の周辺、特に角部およびその近
傍に配線、ランド、ボンデイング用のパッド、外部との
電気的接続パッド等がパターニングされ、配線間はチッ
プコンデンサ、チップ抵抗および印刷抵抗等の部品、ト
ランジスタ、ダイオード、IC等が設けられる。ここで
は、パッケージされた素子が実装されても良いが、ベア
チップの方が、放熱性、実装面積の点から優れる。
て電気的に固着され、あるいは印刷抵抗がスクリーン印
刷等で形成されている。また中には、前記半導体チップ
と配線を電気的に接続するため、チップ上の電極とボン
ディング用パッドとの間には金属細線が電気的に接続さ
れ、パッドには、必要があれば、半田を介して外部リー
ドが電気的に接続されている。また実装上の問題から、
基板の両側に少なくとも2個のビス止め孔が設けられて
も良い。
絶縁性のフレキシブルシートに貼り合わされ、このフレ
キシブルシートが混成集積回路基板に貼り合わされても
良い。
絶縁性樹脂12の膜が被着され、図では、前述した駆動
回路が実装されない為、金属基板11を二分するように
二つの電極13、14が設けられている。
Cuを主材料とする箔がパターニングされて形成されて
おり、また表面にはNiが被着されている。Cuの酸化
防止、およびCuの酸化により光反射効率が低下するた
め、比較的酸化されにくく、光反射性に優れ、また金属
細線とのボンディング性が考慮され、光沢性のあるNi
が採用される。この構造により、金属基板11全域は、
光反射板として活用される。
は、第1の電極13と電気的にコンタクトされている。
そして発光ダイオード15を囲むように反射手段RFが
設けられている。
ある。つまり反射手段として発光素子15の周囲に、図
3のような傾斜面Sを持つ反射板を設けることで、発光
素子15の側面から発射される光を上方に反射させるこ
とができる。従って、発光素子15から発生する殆どの
光を全て上方に向け発射させることができる。尚、具体
的構造は、後述する。
第1の電極13のNiが取り除かれて露出されたCu
と、銀ペーストや半田等の導電性固着材を介して電気的
に固着される。また発光ダイオード15の裏面電極(カ
ソード電極またはアノード電極)は、反射手段と固着さ
れ、発光ダイオード15の表面電極は、第2の電極14
と接続される反射手段31または第2の電極14と金属
細線17を介して接続されている。一般に、金属細線と
してAlが採用される場合は、超音波を使ったボンディ
ングでNiと接続することができる。
封止するように光透過性の樹脂が設けられる。これはレ
ンズ19として採用するものであり、効率良く基板から
上方に発射させるため、凸状に形成されている。レンズ
19の材料は、透明樹脂であれば良く、ここではシリコ
ーン樹脂やエポキシ樹脂等が採用される。どちらも加熱
硬化型であるが、加熱硬化時の粘度が小さいため、レン
ズとして好ましい半球形状に安定して形成できない問題
がある。シリコーン樹脂は、元々液状で、加熱硬化時も
その粘度は、あまり変わらない。またエポキシ樹脂は、
加熱硬化時にその粘度が低下する。どちらにしても安定
したレンズ形状が難しいため、図1のように、発光ダイ
オード15を囲むように、流れ防止手段20を形成して
いる。
が、シリコーン樹脂は、この変色が少ない。またエポキ
シ樹脂は、濡れ性が良く、逆にシリコーン樹脂は、はじ
きやすい。また硬化後のシリコーン樹脂は、ゴム状また
はゲル状であり、エポキシ樹脂に比べて回路素子の接続
手段である金属細線へのストレスが少ない。
樹脂を使い、中にシリコーン樹脂またはエポキシ樹脂を
塗布すると、ここに貯められた樹脂(シリコーン樹脂や
エポキシ樹脂)は、はじきやすく表面張力によりレンズ
状に形成される。
線17の途中から第2の電極14との接続部までを樹脂
封止体で覆われず構成されている。しかし、図2の様に
4つのタイプで形成できる。完全に透明樹脂で覆えば、
金属細線の接続部の信頼性も向上させることができるか
らである。
段…に形成しても良い。これはレンズの指向性を高める
ために実施されている。ここでは、二段に形成するた
め、第1のレンズ21、第2のレンズ22は、ともに濡
れ性の少ないシリコーン樹脂が採用されている。特に第
2のレンズ22は、第1のレンズ21と濡れ性が良いと
レンズ形状が実現できないからである。
止手段20にシリコーン樹脂を凸状に塗布し、レンズ形
状を維持しながら、約100度〜150度、30秒程度
で仮硬化し、更にこの上に第2のレンズとしてシリコー
ン樹脂を塗布する。この際も、仮硬化を行い、条件は前
回と同じである。そして最後に約150度、1時間で完
全硬化を行う。
れる光の指向性が優れ、光の発射効率が向上する。また
両者共に、光が通過するため、フィラーは、混入されな
い方がよい。
を電極13、14を含み全面に形成することがある。こ
の場合、できるだけ光沢性のある膜を選択すれば、Ni
と同様に反射膜として活用できる。ただし、発光ダイオ
ードの固着領域、金属細線の接続部は、当然取り除かれ
る。透明であれば、Niが主たる反射面として機能し、
色が付いているようならば、できるだけ反射効率の優れ
た白から成る膜が好ましい。
て図2を参照して具体的に説明する。図2a、bは、図
3aの反射手段RFを用いたものである。図3aの反射
手段は、カップの形状で、側面が傾斜され、光が反射さ
れて上方へ向かうものである。この反射手段RFは、C
uの一体構造で、少なくとも傾斜面は、AgやNi等の
被膜が形成され鏡面構造となっている。
は、金属基板であり、12は絶縁性樹脂膜である。この
絶縁性樹脂膜12の上に被着された第1の電極13上に
前記反射手段RFがロウ材、導電ペースト等で固着され
ている。この反射手段RFの内側の底面に発光ダイオー
ド15のカソード電極(またはアノード電極)が電気的
に固着されている。ここの固着手段もロウ材や導電ペー
ストが採用されている。そして発光ダイオード15の表
面に形成されたアノード電極(またはカソード電極)
は、前記反射手段RFを飛び越えて延在される金属細線
17の一端と接続され、金属細線17の他端は、第2の
電極14と接続されている。そして前記反射手段RFと
金属細線17を囲むように流れ防止手段20が形成さ
れ、ここに透明樹脂が塗布され、第1のレンズ21と第
2のレンズ22が形成される。ここでは、前記透明樹脂
により金属細線17が完全に被覆され、保護されてい
る。
の構造と、金属細線17の被覆構造が異なるだけで、他
は実質図2aと同じである。第1のレンズ21は、反射
手段RFの内側に塗布された透明樹脂で成り、この上に
第2のレンズ22が形成されている。このため、第1の
レンズ17から飛び出している金属細線17は、透明樹
脂で保護されない。しかし本構造であれば、第1のレン
ズ21の樹脂量が少なくてすみ、また反射手段RFの裏
面は、透明樹脂で被覆されず、外部雰囲気に露出されて
いるため、発光ダイオード15から発生する熱を、反射
手段RFの裏面から放熱できるメリットを有する。
で採用される反射手段RFは、図3bの構造である。前
述した図3aは、一体で構成されていたが、本図の反射
手段RFは、2つに電気的に分離されて形成されてい
る。つまり第3の電極30、第4の電極31、第3の電
極30と第4の電極31の間に形成されたスリットでカ
ップが構成されている。ただしスリットは、絶縁材料が
埋め込まれていても良いし、空間でも良い。
同様に、絶縁性樹脂膜12の上に被着された第1の電極
13上に前記反射手段RFが固着されている。この反射
手段RFの内側の底面に発光ダイオード15のカソード
電極(またはアノード電極)が電気的に固着され、発光
ダイオード15の表面に形成されたアノード電極(また
はカソード電極)は金属細線17の一端と接続され、金
属細線17の他端は、第4の電極31と接続されてい
る。そして前記反射手段RFと金属細線17を囲むよう
に流れ防止手段20が形成され、ここに透明樹脂が塗布
され、第1のレンズ21と第2のレンズ22が形成され
る。ここでは、前記透明樹脂により金属細線17が完全
に被覆され、保護されている。
の構造と、金属細線17の被覆構造が異なるだけで、他
は実質図2Cと同じである。第1のレンズ21は、反射
手段RFの内側に塗布された透明樹脂で形成され、この
上に第2のレンズ22が形成されている。本構造であれ
ば、第1のレンズ21の樹脂量が少なくてすみ、また反
射手段RFの裏面は、透明樹脂で被覆されず、外部雰囲
気に露出されているため、発光ダイオード15から発生
する熱を、反射手段RFの裏面から放熱できるメリット
を有する。
参照しながら説明する。
反射手段(カップ)が設けられ、左からレンズを形成し
ないもの、レンズを一段〜三段で形成したものの光量
(mW)を調べたものである。また図4bは、反射手段
(カップ)が設けられてなく、左からレンズを形成しな
いもの、レンズを一段〜三段で形成したものの光量を調
べたものである。レンズを構成する透明樹脂は、シリコ
ンで、塗布する際のエアー圧は、1.5Kgf/cm
で、一段目は、1.3秒、二段目は、0.3秒、三段目
は0.1秒吐出して形成されている。また光量の測定条
件は、以下のようである。測定器は、アンリツのopi
cal senser MA9422Aで、測定波長
は、633nm、測定電流は、50mAである。
いものは、平均2.22mWの光量で、カップが付いて
いるものは、2.86mWであった。またカップ無しで
レンズが一段から三段へと形成されると、その上昇率
は、180%、185%、205%となったが、カップ
付きでは、164%、172%、198%の上昇率とな
った。カップ付きの方が上昇率は少ないが、カップを付
けることで実際の光量は、カップを付けないよりも約2
0%〜30%程度上昇している。従ってカップを付ける
こと、レンズを少なくとも1段設けることで、光量が増
加することが判る。
5を参照しながら説明する。左のY軸は光量を示し、発
光ダイオードに50mAを流した時の光量を100と
し、算出したものである。右のY軸は、発光ダイオード
の表面温度(度C)を示す。またX軸は、発光ダイオー
ドに流れる電流(mA)を示す。三角の点で示されたカ
ーブは、プリント基板上に実装された発光ダイオードの
表面温度を示し、×印で示したカーブは、金属基板上に
実装された発光ダイオードの表面温度を示す。また菱形
で示すカーブは、金属基板上に実装された発光ダイオー
ドの光量を示すものである。
約80〜95度Cを越えると、駆動電流を大きくして
も、その光量は増加せず、逆に減少することが判る。特
に約250mAの電流を流すと、プリント基板上の発光
ダイオードの表面温度は、236度程度になってしま
い、光量が減少してしまうが、金属基板上の発光ダイオ
ードの表面温度は、85.8度Cと非常に低いことが判
る。従って、金属基板を採用すれば、発光ダイオードの
表面温度を大幅に低くすることができ、その分発光ダイ
オードの駆動電流を流せると同時に、発光ダイオードか
ら発射される光量も増大できる。よって、この状態でカ
ップを採用すれば、更に光量を増大できる特徴をゆうす
る。
極14との間に、発光ダイオード15…が並列接続され
ているものである。第2の電極14表面がNiを採用し
ているため、この並列タイプは、金属細線17のボンデ
ィングによりコンタクト抵抗がばらつく問題がある。従
って、数ある発光ダイオード15の内、コンタクト抵抗
の少ない発光ダイオードに電流が集中し、特定の発光ダ
イオードが異常に明るかったり、また破壊に至ったりす
る問題があった。
1との間に発光ダイオード15…を直列接続させ、発光
ダイオード15…に通過する電流値を一定にさせた。
電極が形成され、電極32に発光ダイオードのカソード
電極(またはアノード電極)と成るチップ裏面を固着
し、アノード電極(またはカソード電極)と電極30を
金属細線17で接続している。また電極33に二番目の
発光ダイオードのチップ裏面を固着し、チップ表面の電
極と電極32を金属細線34で接続している。つまりカ
ソード電極(またはアノード電極)となるチップ裏面が
固着された電極は、次の発光ダイオードのアノード電極
(またはカソード電極)から延在された金属細線と接続
されている。この接続形態を繰り返して直列接続が実現
されている。この場合も、銅箔から成る電極を反射板と
するため、表面にはNiが被覆され、基板全域を実質反
射板とするために、右の電極30から左の電極31まで
の12個の電極で完全に覆われるようにパターニングさ
れている。もちろんそれぞれがパターン的に分離される
ように若干の隙間、スリットSLが形成されている。
イオードのそれぞれに流れる電流は、理論的には同じ値
を取るので、全ての発光ダイオードは、同じように光
る。
金属細線の接続構造、レンズの構造は、図1〜図3で説
明した内容と同一であり、説明は省略する。本構造に於
いても、金属基板を採用することで、発光ダイオードの
表面温度を大幅に低くすることができ、その分発光ダイ
オードの駆動電流を流せると同時に、発光ダイオードか
ら発射される光量も増大できる。よって、この状態で反
射手段(カップ)を採用すれば、更に光量を増大できる
特徴を有する。
板を採用し、金属基板にベアチップ状の発光ダイオード
を実装するため、基板からの放熱性が向上し、発光ダイ
オード自身の温度上昇を抑制することができる。従って
より電流を流せ、光照射装置としての明るさを向上させ
ることができる。しかも反射手段を採用すること、反射
手段を覆うレンズを用いることで、更に光照射装置の明
るさを増大させることができる。
形成されているため、発光ダイオードの側面や裏面から
発光される光を前記電極で反射させることができる。特
にNiやAu等の耐食性の優れた材料を銅箔パターンの
上に形成すれば、金属細線とのボンディング性および反
射効率を一度に実現させることができる。
レンズとして活用することができ、より上方へ向かった
光の光量を増大させることができる。
図である。
する図である。
図である。
する図である。
る。
明する図である。
明する図である。
Claims (8)
- 【請求項1】 少なくとも表面が絶縁処理された基板
と、 前記基板上に形成された第1の電極と、 前記第1の電極と離間されて形成された第2の電極と、 前記第1の電極に一方の電極が接続され、前記第2の電
極に他方の電極が接続された発光素子と、 前記発光素子の周囲を囲み、前記基板に固定された反射
手段とを有することを特徴とした混成集積回路装置。 - 【請求項2】 少なくとも表面が絶縁処理された基板
と、 前記基板上に形成された第1の電極と、 前記第1の電極と離間されて形成された第2の電極と、 前記第1の電極と電気的に接続され、前記発光素子の周
囲を囲んだ面が反射面となる反射手段と、 前記反射手段に一方の電極が電気的に接続されて固着さ
れ、前記第2の電極に他方の電極が接続された発光素子
とを有することを特徴とした混成集積回路装置。 - 【請求項3】 少なくとも表面が絶縁処理された基板
と、 前記基板上に形成された第1の電極と、 前記第1の電極と離間されて形成された第2の電極と、 前記第1の電極と電気的に接続される第3の電極と、前
記第2の電極と電気的に接続される第4の電極とを有
し、前記第3の電極および/または前記第4の電極の表
面に入射された光を上方に反射する反射手段と、 前記反射手段の第3の電極に電気的に接続されて固着さ
れ、前記第4の電極に他方の電極が接続された発光素子
とを有することを特徴とした混成集積回路装置。 - 【請求項4】 前記発光素子は、LED素子であり、前
記一方の電極は、カソード電極またはアノード電極であ
り、他方の電極はアノード電極またはカソード電極であ
る請求項1から請求項3のいずれかに記載の混成集積回
路装置。 - 【請求項5】 前記反射手段は、内側の表面が実質鏡面
を成す導電材から成り、側面が傾斜しているカップ状の
形状を有していることを特徴とした請求項1から請求項
3のいずれかに記載の混成集積回路装置。 - 【請求項6】 前記他方の電極と前記第2の電極は、金
属細線により接続されることを特徴とした請求項1また
は請求項2に記載の混成集積回路装置。 - 【請求項7】 前記他方の電極と前記第4の電極は、金
属細線により接続されることを特徴とした請求項3に記
載の混成集積回路装置。 - 【請求項8】 前記反射手段には、表面が凸状のレンズ
が設けられる請求項1から請求項3、請求項5のいずれ
かに記載の混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000011190A JP3696020B2 (ja) | 2000-01-20 | 2000-01-20 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000011190A JP3696020B2 (ja) | 2000-01-20 | 2000-01-20 | 混成集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001203395A true JP2001203395A (ja) | 2001-07-27 |
JP3696020B2 JP3696020B2 (ja) | 2005-09-14 |
Family
ID=18539087
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000011190A Expired - Fee Related JP3696020B2 (ja) | 2000-01-20 | 2000-01-20 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3696020B2 (ja) |
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Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040120 |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040316 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050621 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080708 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090708 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090708 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100708 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110708 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120708 Year of fee payment: 7 |
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