JP2009054894A - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2009054894A
JP2009054894A JP2007221863A JP2007221863A JP2009054894A JP 2009054894 A JP2009054894 A JP 2009054894A JP 2007221863 A JP2007221863 A JP 2007221863A JP 2007221863 A JP2007221863 A JP 2007221863A JP 2009054894 A JP2009054894 A JP 2009054894A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led chip
light
mounting substrate
optical member
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007221863A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4888280B2 (ja
Inventor
Yoji Urano
洋二 浦野
Yasuhiro Miyazaki
康弘 宮崎
Daisuke Wada
大助 和田
Norikazu Shimoda
則和 下田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Electric Works Co Ltd filed Critical Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority to JP2007221863A priority Critical patent/JP4888280B2/ja
Priority to US12/733,400 priority patent/US7869675B2/en
Priority to EP08828607.5A priority patent/EP2197047B1/en
Priority to PCT/JP2008/065453 priority patent/WO2009028628A1/ja
Publication of JP2009054894A publication Critical patent/JP2009054894A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4888280B2 publication Critical patent/JP4888280B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/184Components including terminals inserted in holes through the printed circuit board and connected to printed contacts on the walls of the holes or at the edges thereof or protruding over or into the holes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0058Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
    • H05K3/0061Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates onto a metallic substrate, e.g. a heat sink
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2105/00Planar light sources
    • F21Y2105/10Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10Light-emitting diodes [LED]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/505Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/14Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/141One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03Conductive materials
    • H05K2201/0302Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0311Metallic part with specific elastic properties, e.g. bent piece of metal as electrical contact
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/04Assemblies of printed circuits
    • H05K2201/048Second PCB mounted on first PCB by inserting in window or holes of the first PCB
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007Types of components
    • H05K2201/10106Light emitting diode [LED]
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007Types of components
    • H05K2201/10121Optical component, e.g. opto-electronic component
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10954Other details of electrical connections
    • H05K2201/10962Component not directly connected to the PCB
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S385/00Optical waveguides
    • Y10S385/901Illuminating or display apparatus

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

【課題】封止部にボイドが発生するのを防止できるとともに光学部材の位置決め精度を高めることができ、しかも、外部接続用電極部での半田付け不良などの発生を防止可能な発光装置を提供する。
【解決手段】ドーム状の光学部材60と実装基板20とで囲まれた空間に充実されLEDチップ1を封止した封止樹脂からなる封止部50と、ドーム状の色変換部材70とを備える。実装基板20は、一表面において光学部材60の外側に、上記空間から溢れ出た封止樹脂を堰き止める環状の堰部27が突設され、堰部27は、当該堰部27の内周面から内方へ延出し当該堰部27の中心と光学部材60の中心軸とをセンタリングする複数のセンタリング用爪部27bが設けられ、且つ、色変換部材70の位置決め部を兼ねる。導体パターン23は、色変換部材70よりも外側に外部接続用電極部23bを有する。
【選択図】図1

Description

本発明は、LEDチップ(発光ダイオードチップ)を利用した発光装置に関するものである。
従来から、LEDチップとLEDチップから放射された光によって励起されてLEDチップとは異なる発光色の光を放射する波長変換材料としての蛍光材料とを組み合わせてLEDチップの発光色とは異なる色合いの混色光を出す発光装置の研究開発が各所で行われている(例えば、特許文献1参照)。なお、この種の発光装置としては、例えば、青色光あるいは紫外光を放射するLEDチップと蛍光体とを組み合わせて白色の光(白色光の発光スペクトル)を得る白色発光装置(一般的に白色LEDと呼ばれている)の商品化がなされている。
上記特許文献1には、この種の発光装置の一例として、図9に示すように、LEDチップ110と、LEDチップ110が実装された実装基板120と、LEDチップ110に重ねて配置された凸レンズ状の光学部材(光取出し増大部)160と、LEDチップ110から放射された光によって励起されてLEDチップ110の発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を含有し光学部材160を覆うように実装基板120に気密的に封着されたドーム状の色変換部材(波長変換部材)170とを備えたものが提案されている。
ここにおいて、実装基板120は、LEDチップ110および光学部材160の一部を収納する収納凹所123が一表面に設けられており、収納凹所123内でLEDチップ110がフリップチップ実装されている。また、図9に示した構成の発光装置は、実装基板120の収納凹所123に収納されたLEDチップ110を封止した封止樹脂からなる封止部150を備えている。
また、図9に示した構成の発光装置は、実装基板120の上記一表面に、収納凹所123を全周にわたって囲み収納凹所123に封止部150の封止樹脂を充填した際に溢れ出た余分な封止樹脂を溜める環状の凹溝127が形成されており、色変換部材170における実装基板120側の部位が全周にわたって凹溝127内に挿入されて凹溝127内の封止樹脂により実装基板120に固着されている。
また、従来から、図10や図11に示すように、実装基板120の一表面側にLEDチップ110およびボンディングワイヤ114(図10には図示せず)を封止する封止樹脂の流れ出しを防止するための環状の堰部127を設けた発光装置が提案されている(例えば、特許文献2,3参照)。
ここにおいて、図10に示した構成の発光装置では、堰部127が黒色のレジストにより形成され、図11に示した構成の発光装置では、堰部127がエポキシ樹脂により形成されている。
特開2005−158949号公報(段落〔0016〕−〔0017〕、および図3,4) 特開2003−345268号公報(段落〔0009〕−〔0015〕、および図5) 特開2003−152226号公報(段落〔0018〕−〔0019〕、および図3)
ところで、図9に示した構成の発光装置では、実装基板120の上記一表面に環状の凹溝127が形成されているので、製造過程において封止部150に気泡(ボイド)が発生しないように収納凹所123に封止樹脂を多めに注入することができる。
しかしながら、LEDチップ100の各電極が実装基板120の収納凹所123の内底面に対向する形でフリップチップ実装され、LEDチップ100に凸レンズ状の光学部材160を重ねて配置してあるので、LEDチップと光学部材160との光軸を合わせるのが難しいとともに光学部材160と色変換部材170との光軸を合わせるのが難しく、しかも、LEDチップ100の側面から放射されて収納凹所123の内側面に入射した光の一部が実装基板120に吸収されて、外部への光取り出し効率が低下し、光出力が低下してしまう。
また、上述の発光装置では、実装基板120の上記一表面に環状の凹溝127が形成されるとともに他表面側に給電用の導体パターン(図示せず)が設けられており、例えば照明器具の光源として用いる場合には実装基板120を回路基板に実装して器具本体に収納する必要があるので、LEDチップ110の発光部から器具本体までの熱抵抗が大きくなり、LEDチップ110のジャンクション温度が最大ジャンクション温度を超えないようにLEDチップ110への入力電力を制限する必要があるから、光出力の高出力化が制限されてしまう。
そこで、図9に示した構成の発光装置において、実装基板120の上記一表面側に導体パターンを設けることが考えられるが、色変換部材170を実装基板120に固着する際に凹溝127内の封止樹脂が導体パターンのうち色変換部材170よりも外側で露出している外部接続用電極部上に広がってしまい、半田付け不良の原因となる懸念があった。
また、図9に示した構成の発光装置では、LEDチップ110およびLEDチップ110よりも外形サイズの大きな光学部材160の一部を実装基板120の収納凹所123内に収納した後で封止樹脂を注入する必要があるので、封止部150にボイドが発生して光取り出し効率が低下し、光出力が低下してしまうことがあった。
また、図10や図11に示した構成の発光装置では、堰部127により封止部150の外周形状を規定しているので、封止樹脂が堰部127を乗り越えて広がってしまう恐れがある。
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、封止部にボイドが発生するのを防止できるとともに光学部材の位置決め精度を高めることができ、しかも、外部接続用電極部での半田付け不良などの発生を防止可能な発光装置を提供することにある。
請求項1の発明は、LEDチップと、一表面側にLEDチップへの給電用の導体パターンを有しLEDチップが前記一表面側に実装された実装基板と、LEDチップから放射された光の配光を制御する光学部材であって実装基板との間にLEDチップを収納する形で実装基板の前記一表面側に固着されたドーム状の光学部材と、光学部材と実装基板とで囲まれた空間に充実されLEDチップを封止した透光性の封止樹脂からなる封止部と、LEDチップから放射され封止部および光学部材を透過した光によって励起されてLEDチップの発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体および透光性材料により形成したものであって実装基板の前記一表面側で光学部材を囲む形で配設されたドーム状の色変換部材とを備え、実装基板は、前記一表面において光学部材の外側に、光学部材を実装基板に固着する際に前記空間から溢れ出た封止樹脂を堰き止める環状の堰部が突設され、堰部は、当該堰部の内周面から内方へ延出し当該堰部の中心と光学部材の中心軸とをセンタリングする複数のセンタリング用爪部が周方向に離間して設けられ、且つ、色変換部材の位置決め部を兼ねており、導体パターンは、色変換部材よりも外側において露出した部位が外部接続用電極部を構成していることを特徴とする。
この発明によれば、LEDチップから放射された光の配光を制御する光学部材がドーム状に形成され実装基板との間にLEDチップを収納する形で実装基板の一表面側に固着されており、光学部材と実装基板とで囲まれた空間に充実されLEDチップを封止した透光性の封止樹脂からなる封止部と、実装基板の前記一表面側で光学部材を囲む形で配設されたドーム状の色変換部材とを備え、実装基板は、前記一表面において光学部材の外側に、光学部材を実装基板に固着する際に前記空間から溢れ出た封止樹脂を堰き止める環状の堰部が突設され、堰部は、当該堰部の内周面から内方へ延出し当該堰部の中心と光学部材の中心軸とをセンタリングする複数のセンタリング用爪部が周方向に離間して設けられ、且つ、色変換部材の位置決め部を兼ねており、導体パターンは、色変換部材よりも外側において露出した部位が外部接続用電極部を構成しているので、封止部にボイドが発生するのを防止できるとともに光学部材の位置決め精度を高めることができ、しかも、光学部材と堰部の内周面とが離間しているので、堰部の外側へ封止樹脂が溢れて外部接続用電極部上に付着するのを抑制することができ、外部接続用電極部での半田付け不良などの発生を防止可能となる。また、従来のように実装基板にLEDチップおよび光学部材の一部を収納する収納凹所を設けた発光装置に比べて、実装基板での光吸収損失を低減できて外部への光取り出し効率を高めることができるとともに、封止部にボイドが発生するのを防止することができて外部への光取り出し効率を高めることができるから、光出力の高出力化を図れる。
請求項2の発明は、請求項1の発明において、前記色変換部材は、前記実装基板側の端縁に、前記堰部に係合する切欠部が形成されていることを特徴とする。
この発明によれば、前記色変換部材の位置決め精度を高めることができ、また、前記色変換部材と前記光学部材との間隔を短くすることができる。
請求項3の発明は、請求項1または請求項2の発明において、前記堰部は、白色系のレジストにより形成されてなることを特徴とする。
この発明によれば、前記LEDチップから放射された光や前記蛍光体から放射された光が前記堰部で吸収されるのを防止することができ、光出力の高出力化を図れる。
請求項4の発明は、請求項1ないし請求項3の発明において、前記実装基板は、熱伝導性材料からなり前記LEDチップが搭載される伝熱板と、前記導体パターンを有し伝熱板における前記LEDチップの搭載面側に固着された配線基板とからなり、前記LEDチップは、前記LEDチップと伝熱板との線膨張率差に起因して前記LEDチップに働く応力を緩和するサブマウント部材を介して伝熱板に搭載されてなることを特徴とする。
この発明によれば、前記LEDチップと伝熱板との線膨張率差に起因して前記LEDチップが破損するのを防止することができて、信頼性を高めることができ、また、前記LEDチップの側面から放射された光が配線基板に吸収されるのを抑制でき、光出力の高出力化を図れる。
請求項1の発明では、封止部にボイドが発生するのを防止できるとともに光学部材の位置決め精度を高めることができ、しかも、外部接続用電極部での半田付け不良などの発生を防止可能になるという効果がある。
以下、本実施形態の発光装置について図1〜図6を参照しながら説明する。
本実施形態の発光装置1は、LEDチップ10と、一表面側にLEDチップ10への給電用の導体パターン23,23を有しLEDチップ10が上記一表面側に実装された矩形板状の実装基板20と、LEDチップ10から放射された光の配光を制御する光学部材であって実装基板20との間にLEDチップ10を収納する形で実装基板20の上記一表面側に固着された透光性材料からなるドーム状の光学部材60と、光学部材60と実装基板20とで囲まれた空間に充実されLEDチップ10および当該LEDチップ10に電気的に接続された複数本(本実施形態では、2本)のボンディングワイヤ14を封止した封止樹脂からなり透光性および弾性を有する封止部50と、LEDチップ10から放射され封止部50および光学部材60を透過した光によって励起されてLEDチップ10の発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体および透光性材料により形成されたものであって実装基板20の上記一表面側において実装基板20との間にLEDチップ10などを囲む形で配設されるドーム状の色変換部材70とを備えている。ここにおいて、色変換部材70は、実装基板20の上記一表面側において光学部材60の光出射面60bとの間に空気層80が形成されるように配設されている。また、実装基板20は、上記一表面において光学部材60の外側に、光学部材60を実装基板20に固着する際に上記空間から溢れ出た封止樹脂を堰き止める環状の堰部27が突設されている。
また、本実施形態の発光装置1は、実装基板20の他表面側に、シート状の接合用部材90として、シリカやアルミナなどのフィラーからなる充填材を含有し且つ加熱時に低粘度化する樹脂シート(例えば、溶融シリカを高充填したエポキシ樹脂シートのような有機グリーンシート)を備えている。しかして、本実施形態の発光装置1を照明器具の光源として用いる場合には、例えば、照明器具における金属(例えば、Al,Cuなどの熱伝導率の高い金属)製の器具本体100(図2、図5、図6参照)と実装基板20とを接合用部材90により接合することができる。ここにおいて、上記樹脂シートからなる接合用部材90は、電気絶縁性を有するとともに熱伝導率が高く加熱時の流動性が高く凹凸面への密着性が高いので、実装基板20を金属製の器具本体100に接合用部材90を介して接合する(実装基板20と器具本体100との間に接合用部材90を介在させた後で接合用部材90を加熱することで実装基板20と器具本体100とを接合する)際に接合用部材90と実装基板20および器具本体100との間に空隙が発生するのを防止することができて、密着不足による熱抵抗の増大やばらつきの発生を防止することができ、従来のように発光装置を回路基板に実装して回路基板と器具本体との間にサーコン(登録商標)のようなゴムシート状の放熱シートなどを挟む場合に比べて、LEDチップ10から器具本体100までの熱抵抗を小さくすることができて放熱性が向上するとともに熱抵抗のばらつきが小さくなり、LEDチップ10のジャンクション温度の温度上昇を抑制できるから、入力電力を大きくでき、光出力の高出力化を図れる。なお、本実施形態の発光装置1を照明器具の光源として用いる場合には、図5に示すように、器具本体100に複数個の発光装置1を実装して複数個の発光装置1を直列接続したり並列接続したりすればよい。
LEDチップ10は、青色光を放射するGaN系青色LEDチップであり、結晶成長用基板としてサファイア基板に比べて格子定数や結晶構造がGaNに近く且つ導電性を有するn形のSiC基板を用いており、SiC基板の主表面側にGaN系化合物半導体材料により形成されて例えばダブルへテロ構造を有する積層構造部からなる発光部がエピタキシャル成長法(例えば、MOVPE法など)により成長されている。ここで、LEDチップ10は、一表面側(図1(a)における上面側)にアノード電極(図示せず)が形成され、他表面側(図1(a)における上面側)にカソード電極が形成されている。上記カソード電極および上記アノード電極は、Ni膜とAu膜との積層膜により構成してあるが、上記カソード電極および上記アノード電極の材料は特に限定するものではなく、良好なオーミック特性が得られる材料であればよく、例えば、Alなどを採用してもよい。また、LEDチップ10の構造は特に限定するものではなく、例えば、結晶成長用基板の主表面側に発光部などをエピタキシャル成長した後に発光部を支持する支持基板(例えば、Si基板など)を発光部に固着してから、結晶成長用基板などを除去したものを用いてもよい。
実装基板20は、熱伝導性材料からなりLEDチップ10が搭載される矩形板状の伝熱板21と、伝熱板21の一面側(図1(a)における上面側)に例えばポリオレフィン系の固着シート29(図2参照)を介して固着された矩形板状のフレキシブルプリント配線板からなる配線基板22とで構成され、配線基板22の中央部に伝熱板21におけるLEDチップ10の実装面(上記一面の一部)を露出させる矩形状の窓孔24が形成されており、LEDチップ10が窓孔24の内側に配置された後述のサブマウント部材30を介して伝熱板21に搭載されている。したがって、LEDチップ10で発生した熱が配線基板22を介さずにサブマウント部材30および伝熱板21に伝熱されるようになっている。ここにおいて、伝熱板21の上記一面には、サブマウント部材30の位置決め精度を高めるためのアライメントマーク21cが形成されている。
なお、本実施形態では、伝熱板21の熱伝導性材料としてCuを採用しているが、Cuに限らず、例えば、Alなどを採用してもよい。また、本実施形態では、LEDチップ10の発光部が結晶成長用基板よりも伝熱板21から離れた側となるように伝熱板21に搭載されているが、LEDチップ10の発光部が結晶成長用基板よりも伝熱板21に近い側となるように伝熱板21に搭載するようにしてもよい。光取り出し効率を考えた場合には、発光部を伝熱板21から離れた側に配置することが望ましいが、本実施形態では結晶成長用基板と発光部とが同程度の屈折率を有しているので、発光部を伝熱板21に近い側に配置しても光の取り出し損失が大きくなりすぎることはない。
上述の配線基板22は、ポリイミドフィルムからなる絶縁性基材22aの一表面側に、LEDチップ10への給電用の一対の導体パターン23,23が設けられるとともに、各導体パターン23,23および絶縁性基材22aにおいて導体パターン23,23が形成されていない部位を覆う白色系のレジスト(樹脂)からなる保護層26が積層されている。したがって、LEDチップ10の側面から放射され保護層26の表面に入射した光が保護層26の表面で反射されるので、LEDチップ10から放射された光が配線基板22に吸収されるのを防止することができ、外部への光取り出し効率の向上による光出力の向上を図れる。なお、各導体パターン23,23は、絶縁性基材22aの外周形状の半分よりもやや小さな外周形状に形成されている。また、絶縁性基材22aの材料としては、FR4、FR5、紙フェノールなどを採用してもよい。
保護層26は、配線基板22の窓孔24の近傍において各導体パターン23,23の2箇所が露出し、配線基板22の周部において各導体パターン23,23の1箇所が露出するようにパターニングされており、各導体パターン23,23は、配線基板22の窓孔24近傍において露出した2つの矩形状の部位が、ボンディングワイヤ14が接続される端子部23aを構成し、配線基板22の周部において露出した円形状の部位が外部接続用電極部23bを構成している。なお、配線基板22の導体パターン23,23は、Cu膜とNi膜とAu膜との積層膜により構成されている。また、2つの外部接続用電極部23bのうちLEDチップ10の上記アノード電極が電気的に接続される外部接続用電極部23b(図6における右側の外部接続用電極部23b)には「+」の表示が形成され、LEDチップ10の上記カソード電極が電気的に接続される外部接続用電極部23b(図6における左側の外部接続用電極部23b)には「−」の表示が形成されているので、発光装置1における両外部接続用電極部23b,23bの極性を視認することができ、誤接続を防止することができる。
ところで、LEDチップ10は、LEDチップ10と伝熱板21との線膨張率の差に起因してLEDチップ10に働く応力を緩和する上述のサブマウント部材30を介して伝熱板21に搭載されている。ここで、サブマウント部材30は、LEDチップ10のチップサイズよりも大きなサイズの矩形板状に形成されている。
サブマウント部材30は、上記応力を緩和する機能だけでなく、LEDチップ10で発生した熱を伝熱板21においてLEDチップ10のチップサイズよりも広い範囲に伝熱させる熱伝導機能を有している。したがって、本実施形態の発光装置1では、LEDチップ10がサブマウント部材30を介して伝熱板21に搭載されているので、LEDチップ10で発生した熱をサブマウント部材30および伝熱板21を介して効率良く放熱させることができるとともに、LEDチップ10と伝熱板21との線膨張率差に起因してLEDチップ10に働く応力を緩和することができる。
本実施形態では、サブマウント部材30の材料として熱伝導率が比較的高く且つ絶縁性を有するAlNを採用しており、LEDチップ10は、上記カソード電極がサブマウント部材30におけるLEDチップ10側の表面に設けられ上記カソード電極と接続される電極パターン(図示せず)および金属細線(例えば、金細線、アルミニウム細線など)からなるボンディングワイヤ14を介して一方の導体パターン23と電気的に接続され、上記アノード電極がボンディングワイヤ14を介して他方の導体パターン23と電気的に接続されている。なお、LEDチップ10とサブマウント部材30とは、例えば、SnPb、AuSn、SnAgCuなどの半田や、銀ペーストなどを用いて接合すればよいが、AuSn、SnAgCuなどの鉛フリー半田を用いて接合することが好ましく、サブマウント部材30がCuであって、AuSnを用いて接合する場合には、サブマウント部材30およびLEDチップにおける接合表面にあらかじめAuまたはAgからなる金属層を形成する前処理が必要である。また、サブマウント部材30と伝熱板21とは、例えば、AuSn、SnAgCuなどの鉛フリー半田を用いて接合することが好ましいが、AuSnを用いて接合する場合には、伝熱板21における接合表面にあらかじめAuまたはAgからなる金属層を形成する前処理が必要である。
サブマウント部材30の材料はAlNに限らず、線膨張率が結晶成長用基板の材料である6H−SiCに比較的近く且つ熱伝導率が比較的高い材料であればよく、例えば、複合SiC、Si、Cu、CuWなどを採用してもよい。なお、サブマウント部材30は、上述の熱伝導機能を有しており、伝熱板21におけるLEDチップ10側の表面の面積はLEDチップ10における伝熱板21側の表面の面積よりも十分に大きいことが望ましい。
また、本実施形態の発光装置1では、サブマウント部材30の厚み寸法を、当該サブマウント部材30の表面が配線基板22の保護層26の表面よりも伝熱板21から離れるように設定してあり、LEDチップ10から側方に放射された光が配線基板22の窓孔24の内周面を通して配線基板22に吸収されるのを防止することができる。なお、サブマウント部材30においてLEDチップ10が接合される側の表面においてLEDチップ10との接合部位の周囲に、LEDチップ10から放射された光を反射する反射膜を形成すれば、LEDチップ10の側面から放射された光がサブマウント部材30に吸収されるのを防止することができ、外部への光取出し効率をさらに高めることが可能となる。ここで、反射膜は、例えば、Ni膜とAg膜との積層膜により構成すればよい。
上述の封止部50の材料である封止樹脂としては、シリコーン樹脂を用いているが、シリコーン樹脂に限らず、例えばアクリル樹脂などを用いてもよい。
光学部材60は、透光性材料(例えば、シリコーン樹脂、ガラスなど)の成形品であってドーム状に形成されている。ここで、本実施形態では、光学部材60をシリコーン樹脂の成形品により構成しているので、光学部材60と封止部50との屈折率差および線膨張率差を小さくすることができる。なお、封止部50の材料がアクリル樹脂の場合には、光学部材60もアクリル樹脂により形成することが好ましい。
ところで、光学部材60は、光出射面60bが、光入射面60aから入射した光を光出射面60bと上述の空気層80との境界で全反射させない凸曲面状に形成されており、LEDチップ10と光軸が一致するように配置されている。したがって、LEDチップ10から放射され光学部材60の光入射面60aに入射された光が光出射面60bと空気層80との境界で全反射されることなく色変換部材70まで到達しやすくなり、全光束を高めることができる。なお、LEDチップ10の側面から放射された光は封止部50および光学部材60および空気層80を伝搬して色変換部材70まで到達し色変換部材70の蛍光体を励起したり蛍光体には衝突せずに色変換部材70を透過したりする。また、光学部材60は、位置によらず法線方向に沿って肉厚が一様となるように形成されている。
色変換部材70は、シリコーン樹脂のような透光性材料とLEDチップ10から放射された青色光によって励起されてブロードな黄色系の光を放射する粒子状の黄色蛍光体とを混合した混合物の成形品により構成されている(つまり、色変換部材70は、蛍光体を含有している)。したがって、本実施形態の発光装置1は、LEDチップ10から放射された青色光と黄色蛍光体から放射された光とが色変換部材70の外面70bを通して放射されることとなり、白色光を得ることができる。なお、色変換部材70の材料として用いる透光性材料は、シリコーン樹脂に限らず、例えば、アクリル樹脂、ガラス、有機成分と無機成分とがnmレベルもしくは分子レベルで混合、結合した有機・無機ハイブリッド材料などを採用してもよい。また、色変換部材70の材料として用いる透光性材料に混合する蛍光体も黄色蛍光体に限らず、例えば、赤色蛍光体と緑色蛍光体とを混合しても白色光を得ることができる。
ここで、色変換部材70は、内面70aが光学部材60の光出射面60bに沿った形状に形成されている。したがって、光学部材60の光出射面60bの位置によらず法線方向における光出射面60bと色変換部材70の内面70aとの間の距離が略一定値となっている。なお、色変換部材70は、位置によらず法線方向に沿った肉厚が一様となるように成形されている。また、色変換部材70は、実装基板20側の端縁(開口部の周縁)を実装基板20に対して、例えば接着剤(例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など)を用いて固着すればよい。
ところで、本実施形態の発光装置1を光源として用いた上述の照明器具は、図5および図6に示すように、各発光装置1の接続関係を規定する配線パターン202が絶縁性基材201の一表面側に形成された回路基板200を備えている。なお、本実施形態では、複数の発光装置1を直列接続しているが、複数の発光装置1の接続関係は特に限定するものではなく、例えば、並列接続するようにしてもよいし、直列接続と並列接続とを組み合わせてもよい。
回路基板200は、浅い有底円筒状の器具本体100内において当該器具本体100の底壁100aから離間して配置されるものであり、各発光装置1それぞれに対応する部位に各発光装置1の一部を通す開孔窓204が形成されている。なお、回路基板200の絶縁性基材201の材料としては、例えば、FR4のようなガラスエポキシ樹脂を採用すればよいが、ガラスエポキシ樹脂に限らず、例えば、ポリイミド系樹脂、フェノール樹脂などでもよい。また、器具本体100の形状は特に限定するものではなく、例えば、平板状でもよい。
上述の回路基板200は、器具本体100の底壁100aに貫設されている挿通孔100cに挿通された給電用のリード線が挿通される電線挿通孔206が貫設されており、電線挿通孔206に挿通された一対の電線が電気的に接続されるようになっている。また、回路基板200は、器具本体100の底壁100a側とは反対の表面側に白色系のレジスト層からなる光反射層203が形成されており、配線パターン202の大部分が光反射層203により覆われている。
また、回路基板200は、各開口窓204の開口サイズが発光装置1における実装基板20の平面サイズよりもやや大きく設定されている。なお、回路基板200には、発光装置1のLEDチップ10へ過電圧が印加されるのを防止するために、過電圧防止用の表面実装型のツェナダイオード231(図6参照)および表面実装型のセラミックコンデンサ232が各開口窓204の近傍で実装されている。
一方、発光装置1は、実装基板20の各外部接続用電極部23bが端子板210を介して回路基板200の配線パターン202と電気的に接続されている。ここにおいて、端子板210は、細長の金属板の一端部をL字状に曲成することにより配線パターン202に厚み方向が重なる形で半田などを用いて接合される端子片211を形成するとともに、他端部をJ字状に曲成することにより外部接続用電極部23bに厚み方向が一致する形で半田などを用いて接合される端子片212を形成したものであり、器具本体100と回路基板200との線膨張率差に起因して接続端子210と外部接続用電極部23bおよび配線パターン202それぞれとの接合部に発生する応力を緩和可能となっており、各発光装置1と回路基板200との間の接続信頼性を高めることができる。
また、本実施形態の発光装置1では、シート状の接合用部材90の平面サイズを伝熱板21の平面サイズよりも大きく設定してあるので、接合用部材90と伝熱板21とが同じ平面サイズに形成されている場合に比べて、伝熱板21と金属部材である器具本体100との間の沿面距離を長くすることができ、照明器具用の光源として用いる場合の耐雷サージ性を高めることができる(ただし、一般的に屋内用の照明器具と屋外用の照明器具とで要求される発光装置と金属部材との沿面距離は異なり、屋外用の照明器具の方がより長い沿面距離を要求される)。ここにおいて、シート状の接合用部材90の厚みについては、耐雷サージ性の要求耐圧に応じて厚みを設計する必要があるが、熱抵抗を低減する観点からはより薄く設定することが望ましい。したがって、接合用部材90に関しては、厚みを設定した上で、沿面距離の要求を満足できるように平面サイズを設定すればよい。
ところで、上述の発光装置1の製造方法にあたっては、例えば、LEDチップ10と各導体パターン23,23とをそれぞれ2本のボンディングワイヤ14を介して電気的に接続した後、配線基板22の窓孔24に連続して形成されている樹脂注入孔28からサブマウント部材30と配線基板22との隙間に封止部50の一部となる液状の封止樹脂(例えば、シリコーン樹脂)を注入した後に硬化させ、その後、ドーム状の光学部材60の内側に上述の封止部50の残りの部分となる液状の封止樹脂(例えば、シリコーン樹脂)を注入してから、光学部材60を実装基板20における所定位置に配置して封止樹脂を硬化させることにより封止部50を形成するのと同時に光学部材60を実装基板20に固着し、その後、色変換部材70を実装基板20に固着するような製造方法が考えられるが、このような製造方法でも、製造過程において封止部50に気泡(ボイド)が発生する恐れがあるので、光学部材60に液状の封止樹脂を多めに注入する必要がある。
そこで、本実施形態の発光装置1では、上述のように、実装基板20の上記一表面において光学部材60の外側に、光学部材60を実装基板20に固着する際に上記空間(光学部材60と実装基板20とで囲まれた空間)から溢れ出た封止樹脂を堰き止める環状(本実施形態では、円環状)の堰部27を突設してある。ここにおいて、堰部27は、白色系のレジストにより形成されている。また、堰部27は、当該堰部27の内周面から内方へ延出し当該堰部27の中心と光学部材60の中心軸とをセンタリングする複数(本実施形態では、4つ)のセンタリング用爪部27bが周方向に離間して等間隔で設けられ、且つ、色変換部材70の位置決め部を兼ねている。ここで、上述のセンタリング用爪部27bの数は4つに限定するものではないが、少なくとも3つ設けることが望ましく、堰部27と光学部材60との間に溜めることが可能な封止樹脂の許容量を多くするためにセンタリング用爪部27bの幅寸法は小さいほうが望ましい。
また、色変換部材70は、実装基板20側の端縁に、堰部27に係合する切欠部71が全周に亘って形成されている。したがって、本実施形態の発光装置1では、実装基板20に対する色変換部材70の位置決め精度を高めることができ、また、色変換部材70と光学部材60との間隔を短くすることができる。なお、切欠部71は、色変換部材70の端縁側と内面70a側とが開放されている。
また、上述の実装基板20における導体パターン23,23は、色変換部材70よりも外側において露出した部位が上述の外部接続用電極部23b,23bを構成している。
本実施形態の発光装置1の製造にあたっては、図4(a)に示すように、実装基板20にLEDチップ10を実装してLEDチップ10とボンディングワイヤ14,14とを電気的に接続した後、配線基板22の窓孔24に連続して形成されている樹脂注入孔28からサブマウント部材30と配線基板22との隙間、ドーム状の光学部材60の内側それぞれに上述の封止部50の一部となる液状の封止樹脂(例えば、シリコーン樹脂)50aを注入して光学部材60を実装基板20に対向させ、図4(b)に示すように光学部材60と実装基板20とを近づけ、図4(c)に示すように光学部材60を位置決めしてから液状の封止樹脂50aを硬化させることにより封止部50を形成するとともに光学部材60を実装基板20に固着し、その後、色変換部材70を実装基板20に固着するようにしている。ここで、図4(a)では、ドーム状の光学部材60の内側に、光学部材60の内側空間の容積よりも多い適量(定量)の封止樹脂50aを注入するようにしている。また、実装基板20の上記一表面側において光学部材60と堰部27と保護層26とで囲まれた空間に溜まった封止樹脂50aは、硬化させることにより図1(a)における樹脂部50bとなる。
このような製造方法によれば、製造過程で封止部50にボイドが発生しにくくなり、信頼性が高く且つ光出力が大きな発光装置1を提供することができる。ここで、図4(b)のように光学部材60を実装基板20に近づける前(つまり、図4(a)の段階)に、サブマウント部材30と配線基板22との隙間に注入した封止樹脂50aを硬化させておけば、図4(b)に示すように光学部材60と実装基板20とを近づける際にボイドが抜けやすくなるという利点がある。
以上説明した本実施形態の発光装置1では、LEDチップ10から放射された光の配光を制御する光学部材60がドーム状に形成され実装基板20との間にLEDチップ10を収納する形で実装基板20の上記一表面側に固着されており、光学部材60と実装基板20とで囲まれた上記空間に充実されLEDチップ10を封止した透光性の封止樹脂からなる封止部50と、実装基板20の上記一表面側で光学部材60を囲む形で配設されたドーム状の色変換部材70とを備え、実装基板20の上記一表面において光学部材60の外側に、光学部材60を実装基板20に固着する際に上記空間から溢れ出た封止樹脂50aを堰き止める環状の堰部27が突設され、堰部27は、当該堰部27の内周面から内方へ延出し当該堰部27の中心と光学部材60の中心軸とをセンタリングする複数のセンタリング用爪部27bが周方向に離間して設けられ、且つ、色変換部材70の位置決め部を兼ねており、導体パターン23,23は、色変換部材70よりも外側において露出した部位が外部接続用電極部23b,23bを構成しているので、封止部50にボイドが発生するのを防止できてボンディングワイヤ14,14の断線や光出力の低下を防止できるとともに光学部材60の位置決め精度を高めることができ、しかも、光学部材60と堰部27の内周面とが離間しているので、堰部27の外側へ封止樹脂50aが溢れて外部接続用電極部23b,23b上に付着するのを抑制することができ、外部接続用電極部23b,23bでの半田付け不良などの発生を防止可能となる。
また、本実施形態の発光装置1では、堰部27が、白色系のレジストにより形成されているので、LEDチップ10から放射された光や蛍光体から放射された光が堰部27で吸収されるのを防止することができ、光出力の高出力化を図れる。
また、本実施形態の発光装置1では、サブマウント部材30の厚み寸法を、当該サブマウント部材30の表面が配線基板22の上記一表面(保護層26の表面)よりも伝熱板21から離れるように設定してあるので、LEDチップ10から側方に放射された光が配線基板22に吸収されるのを抑制でき、光出力の高出力化を図れる。
また、本実施形態の発光装置1は、実装基板20の上記一表面側にLEDチップ10への給電用の導体パターン23,23を有しているので、実装基板20を回路基板に実装することなく照明器具の器具本体100と熱結合させることが可能となり、LEDチップ10から器具本体100までの熱抵抗を小さくできて放熱性が向上し、LEDチップ10のジャンクション温度の温度上昇を抑制できるから、入力電力を大きくでき、光出力の高出力化を図れる。
ところで、堰部27の高さ寸法は50μm以上に設定することが望ましく、例えば、図7(a)に示すように、保護層26上に形成された第1のレジスト層27と、第1のレジスト層27に積層された第2のレジスト層27とで構成してもよいし、図7(b)に示すように、配線基板22の厚み方向において保護層26から離れるにつれて径方向の幅が広がり径方向の両側面(内周面および外周面)が湾曲した形状としてもよい。
また、図8に示すように、実装基板20の上記一表面において環状の堰部27と各外部接続用電極部23b,23bとの間それぞれに、堰部27と同じ材料(本実施形態では、白色のレジスト)により形成された弧状の樹脂止め部25,25を設ければ、製造時に封止樹脂50aが外部接続用電極部23b,23bの表面に付着するのをより確実に防止することができる。
なお、上述の実施形態では、LEDチップ10として、発光色が青色の青色LEDチップを採用しており、結晶成長用基板としてSiC基板を採用しているが、SiC基板の代わりにGaN基板やサファイア基板を用いてもよく、SiC基板やGaN基板を用いた場合には結晶成長用基板として絶縁体であるサファイア基板を用いている場合に比べて、結晶成長用基板の熱伝導率が高く結晶成長用基板の熱抵抗を小さくできる。また、上述のLEDチップ10は、上記一表面側に上記アノード電極が形成され、上記他表面側にカソード電極が形成されているが、上記一表面側にアノード電極およびカソード電極が形成されていてもよく、この場合には、アノード電極およびカソード電極の両方ともボンディングワイヤ14を介して導体パターン23,23と直接接続することができる。また、LEDチップ10から放射される光は青色光に限らず、例えば、赤色光、緑色光、紫色光、紫外光などでもよい。また、LEDチップ10と実装基板20における伝熱板21との線膨張率の差が比較的小さい場合にはサブマウント部材30は必ずしも設ける必要はない。
実施形態を示す発光装置の概略断面図である。 同上の発光装置を用いた照明器具の要部概略分解斜視図である。 同上の発光装置の要部概略平面図である。 同上の発光装置の製造方法の説明図である。 同上の発光装置を用いた照明器具の要部概略分解斜視図である。 同上の発光装置を用いた照明器具の要部概略斜視図である。 同上の発光装置の要部説明図である。 同上の他の構成例の発光装置を用いた照明器具の要部概略分解斜視図である。 従来例を示し、(a)は概略断面図、(b)は要部概略平面図である。 他の従来例を示す概略断面図である。 別の従来例を示す概略断面図である。
符号の説明
1 発光装置
10 LEDチップ
14 ボンディングワイヤ
20 実装基板
21 伝熱板
22 配線基板
23 導体パターン
23b 外部接続用電極部
26 保護層
27 堰部
27b センタリング用爪部
30 サブマウント部材
50 封止部
60 光学部材
70 色変換部材
71 切欠部

Claims (4)

  1. LEDチップと、一表面側にLEDチップへの給電用の導体パターンを有しLEDチップが前記一表面側に実装された実装基板と、LEDチップから放射された光の配光を制御する光学部材であって実装基板との間にLEDチップを収納する形で実装基板の前記一表面側に固着されたドーム状の光学部材と、光学部材と実装基板とで囲まれた空間に充実されLEDチップを封止した透光性の封止樹脂からなる封止部と、LEDチップから放射され封止部および光学部材を透過した光によって励起されてLEDチップの発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体および透光性材料により形成したものであって実装基板の前記一表面側で光学部材を囲む形で配設されたドーム状の色変換部材とを備え、実装基板は、前記一表面において光学部材の外側に、光学部材を実装基板に固着する際に前記空間から溢れ出た封止樹脂を堰き止める環状の堰部が突設され、堰部は、当該堰部の内周面から内方へ延出し当該堰部の中心と光学部材の中心軸とをセンタリングする複数のセンタリング用爪部が周方向に離間して設けられ、且つ、色変換部材の位置決め部を兼ねており、導体パターンは、色変換部材よりも外側において露出した部位が外部接続用電極部を構成していることを特徴とする発光装置。
  2. 前記色変換部材は、前記実装基板側の端縁に、前記堰部に係合する切欠部が形成されていることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
  3. 前記堰部は、白色系のレジストにより形成されてなることを特徴とする請求項1または請求項2記載の発光装置。
  4. 前記実装基板は、熱伝導性材料からなり前記LEDチップが搭載される伝熱板と、前記導体パターンを有し伝熱板における前記LEDチップの搭載面側に固着された配線基板とからなり、前記LEDチップは、前記LEDチップと伝熱板との線膨張率差に起因して前記LEDチップに働く応力を緩和するサブマウント部材を介して伝熱板に搭載されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の発光装置。
JP2007221863A 2007-08-28 2007-08-28 発光装置 Active JP4888280B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007221863A JP4888280B2 (ja) 2007-08-28 2007-08-28 発光装置
US12/733,400 US7869675B2 (en) 2007-08-28 2008-08-28 Light emitting device
EP08828607.5A EP2197047B1 (en) 2007-08-28 2008-08-28 Light emitting device
PCT/JP2008/065453 WO2009028628A1 (ja) 2007-08-28 2008-08-28 発光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007221863A JP4888280B2 (ja) 2007-08-28 2007-08-28 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009054894A true JP2009054894A (ja) 2009-03-12
JP4888280B2 JP4888280B2 (ja) 2012-02-29

Family

ID=40387342

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007221863A Active JP4888280B2 (ja) 2007-08-28 2007-08-28 発光装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7869675B2 (ja)
EP (1) EP2197047B1 (ja)
JP (1) JP4888280B2 (ja)
WO (1) WO2009028628A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011136236A1 (ja) * 2010-04-26 2011-11-03 パナソニック電工株式会社 リードフレーム、配線板、発光ユニット、照明装置
JP2011249737A (ja) * 2010-04-26 2011-12-08 Panasonic Electric Works Co Ltd リードフレーム、配線板およびそれを用いたledユニット
KR101701746B1 (ko) * 2015-11-06 2017-02-13 주식회사 에스엘네트웍스 패키지를 갖지 않는 led 조명

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5236521B2 (ja) * 2009-02-19 2013-07-17 株式会社ジャパンディスプレイイースト 液晶表示装置
US20100237364A1 (en) * 2009-03-19 2010-09-23 Christy Alexander C Thermal Energy Dissipating and Light Emitting Diode Mounting Arrangement
JP2011082339A (ja) * 2009-10-07 2011-04-21 Nitto Denko Corp 光半導体封止用キット
JP5678629B2 (ja) * 2010-02-09 2015-03-04 ソニー株式会社 発光装置の製造方法
US8525213B2 (en) 2010-03-30 2013-09-03 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device having multiple cavities and light unit having the same
JP5395761B2 (ja) * 2010-07-16 2014-01-22 日東電工株式会社 発光装置用部品、発光装置およびその製造方法
JP5634519B2 (ja) * 2010-07-22 2014-12-03 京セラ株式会社 発光装置
DE102011003608A1 (de) * 2010-08-20 2012-02-23 Tridonic Gmbh & Co. Kg Gehäustes LED-Modul
JP5733743B2 (ja) * 2010-12-15 2015-06-10 日東電工株式会社 光半導体装置
JP2012199497A (ja) * 2011-03-23 2012-10-18 Panasonic Corp 発光装置
US9365766B2 (en) * 2011-10-13 2016-06-14 Intematix Corporation Wavelength conversion component having photo-luminescence material embedded into a hermetic material for remote wavelength conversion
EP2804925B1 (en) * 2012-01-19 2016-12-28 Nanoco Technologies Ltd Molded nanoparticle phosphor for light emitting applications
JP2013206925A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Nitto Denko Corp 半導体基板、半導体装置、および、半導体装置の製造方法
US20130264577A1 (en) * 2012-04-07 2013-10-10 Axlen, Inc. High flux high brightness led lighting devices
CN103375736A (zh) * 2012-04-28 2013-10-30 Ge医疗系统环球技术有限公司 Led灯及包括led灯的限束器和x射线设备
WO2013175697A1 (ja) * 2012-05-22 2013-11-28 パナソニック株式会社 窒化物半導体発光装置
CN103511995B (zh) * 2012-06-29 2016-04-20 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管灯条
US8974077B2 (en) 2012-07-30 2015-03-10 Ultravision Technologies, Llc Heat sink for LED light source
US20140209950A1 (en) * 2013-01-31 2014-07-31 Luxo-Led Co., Limited Light emitting diode package module
KR102080778B1 (ko) * 2013-09-11 2020-04-14 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US9195281B2 (en) 2013-12-31 2015-11-24 Ultravision Technologies, Llc System and method for a modular multi-panel display
US10368290B2 (en) 2014-10-27 2019-07-30 Sikorsky Aircraft Corporation Cooperative communication link mapping and classification
US10289122B2 (en) 2014-10-27 2019-05-14 Sikorsky Aircraft Corporation Communication link accessibility aware navigation
DE102015103840A1 (de) * 2015-03-16 2016-09-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe
DE102015114287A1 (de) * 2015-08-27 2017-03-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauelement
JP6817599B2 (ja) * 2016-03-10 2021-01-20 パナソニックIpマネジメント株式会社 Ledモジュール
EP3426976B1 (en) 2016-03-11 2021-02-24 TE Connectivity Nederland B.V. Socket assembly, light emitter module, and lighting system
WO2017163598A1 (ja) * 2016-03-24 2017-09-28 ソニー株式会社 発光装置、表示装置および照明装置
JP6458793B2 (ja) * 2016-11-21 2019-01-30 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
EP4240122A1 (en) * 2022-03-01 2023-09-06 Valeo Vision Lighting module with interconnected pcb assemblies
CN116107119B (zh) * 2023-04-12 2023-06-16 永林电子股份有限公司 一种显示模组用led发光器件及显示模组

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19918370B4 (de) * 1999-04-22 2006-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit Linse
JP2001021775A (ja) * 1999-07-09 2001-01-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 光学装置
US6712529B2 (en) * 2000-12-11 2004-03-30 Rohm Co., Ltd. Infrared data communication module and method of making the same
JP4108318B2 (ja) 2001-11-13 2008-06-25 シチズン電子株式会社 発光装置
JP3889725B2 (ja) 2003-06-20 2007-03-07 三洋電機株式会社 Led表示器
JP4444609B2 (ja) * 2003-09-26 2010-03-31 スタンレー電気株式会社 Ledランプ及び製造方法
JP4385741B2 (ja) 2003-11-25 2009-12-16 パナソニック電工株式会社 発光装置
US7717589B2 (en) * 2003-11-25 2010-05-18 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Light emitting device using light emitting diode chip
JP4204058B2 (ja) * 2005-09-20 2009-01-07 パナソニック電工株式会社 Led照明器具
JP4820135B2 (ja) * 2005-09-20 2011-11-24 パナソニック電工株式会社 発光装置
KR100983836B1 (ko) * 2005-09-20 2010-09-27 파나소닉 전공 주식회사 Led조명 기구
JP3998028B2 (ja) 2006-01-26 2007-10-24 松下電工株式会社 照明器具

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011136236A1 (ja) * 2010-04-26 2011-11-03 パナソニック電工株式会社 リードフレーム、配線板、発光ユニット、照明装置
JP2011249737A (ja) * 2010-04-26 2011-12-08 Panasonic Electric Works Co Ltd リードフレーム、配線板およびそれを用いたledユニット
US8967827B2 (en) 2010-04-26 2015-03-03 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Lead frame, wiring board, light emitting unit, and illuminating apparatus
KR101701746B1 (ko) * 2015-11-06 2017-02-13 주식회사 에스엘네트웍스 패키지를 갖지 않는 led 조명

Also Published As

Publication number Publication date
US7869675B2 (en) 2011-01-11
US20100163914A1 (en) 2010-07-01
WO2009028628A1 (ja) 2009-03-05
EP2197047A1 (en) 2010-06-16
JP4888280B2 (ja) 2012-02-29
EP2197047B1 (en) 2015-08-12
EP2197047A4 (en) 2014-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4888280B2 (ja) 発光装置
JP5149601B2 (ja) 発光装置
KR100983836B1 (ko) Led조명 기구
US7800124B2 (en) Light-emitting device
JP4678388B2 (ja) 発光装置
JP3948488B2 (ja) 発光装置
JP4204058B2 (ja) Led照明器具
JP5209910B2 (ja) Led照明器具
JP2009105379A (ja) 発光装置
JP4981600B2 (ja) 照明器具
KR20080073343A (ko) 발광 장치
JP2007043125A (ja) 発光装置
JP4844506B2 (ja) 発光装置
JP2007116095A (ja) 発光装置
JP2009054893A (ja) 発光装置
JP2009054892A (ja) Ledチップの実装方法
JP4001178B2 (ja) 発光装置
JP4960657B2 (ja) 発光装置
JP2009130300A (ja) 発光装置の製造方法
JP5180564B2 (ja) 発光装置
JP2011159813A (ja) 発光装置
JP2007088099A (ja) 照明器具
JP2007165937A (ja) 発光装置
JP4678389B2 (ja) 発光装置
JP5155539B2 (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100419

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111115

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111128

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4888280

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141222

Year of fee payment: 3