JP2012134305A - 発光装置及びそれを用いた照明装置 - Google Patents

発光装置及びそれを用いた照明装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2012134305A
JP2012134305A JP2010284765A JP2010284765A JP2012134305A JP 2012134305 A JP2012134305 A JP 2012134305A JP 2010284765 A JP2010284765 A JP 2010284765A JP 2010284765 A JP2010284765 A JP 2010284765A JP 2012134305 A JP2012134305 A JP 2012134305A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitting device
light emitting
light
led
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010284765A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5049382B2 (ja
Inventor
Ryoji Yokoya
良二 横谷
Yoji Urano
洋二 浦野
Kazunari Kuzuhara
一功 葛原
Kenichiro Tanaka
健一郎 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2010284765A priority Critical patent/JP5049382B2/ja
Priority to CN201110428440.3A priority patent/CN102544341B/zh
Priority to US13/331,028 priority patent/US8592836B2/en
Priority to EP11010023.7A priority patent/EP2469613B1/en
Publication of JP2012134305A publication Critical patent/JP2012134305A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5049382B2 publication Critical patent/JP5049382B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139Silver (Ag) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147Copper (Cu) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H01L2224/48228Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

【課題】個体発光素子(LED)を用いた発光装置において、配線構造を簡易なものとし、LEDからの熱を効率的に放熱できるものとする。
【解決手段】発光装置1は、LED2と、LED2を実装するための基板3と、LED2を被覆する封止部材4と、LED2とワイヤ5によって電気的に接続されるリードフレーム6と、を備る。リードフレーム6は、基板3の裏面側に配置され、基板3は、LED2が載置され、封止部材4で被覆される部分が平坦面から成る実装面31と、ワイヤ5を表面側から裏面側へと挿通させるためのワイヤ通し32孔と、を有している。この構成によれば、LED2と、基板3の裏面側に設けられたリードフレーム6とが、ワイヤ通し孔32を介してワイヤ5によって電気的に接続されるので、配線構造を簡易なものとすることができる。また、実装面31が平坦面となっているので、LED2からの熱を効率的に放熱することができる。
【選択図】図1

Description

本発明は、光源として複数の固体発光素子を用いた発光装置、及びこの発光装置を用いた照明装置に関する。
発光ダイオード(以下、LED)は、低電力で高輝度の発光が可能であり、しかも長寿命であることから、白熱灯や蛍光灯に代替する照明装置用の光源として注目されている。しかし、LED単体では、蛍光灯に比べて光量が少ないので、LEDを光源とする一般的な照明装置では、複数のLEDを備えた発光装置が用いられている。
この種の発光装置においては、基板の表面側から裏面側へ貫通する貫通配線部を埋め込むことにより、フリップチップ実装されたLEDと基板の裏面側に設けられた配線部とを電気的に接続させたものが知られている(例えば、特許文献1参照)。また、基板に、表面側から裏面側へ貫通するスルーホールを設け、このスルーホールに配線層を介在させた発光装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開2005−175292号公報 特開2006−54209号公報
しかしながら、上記特許文献1に記載の発光装置においては、基板内に貫通配線部を埋め込むといった複雑な配線構造を有しており、製造コストが高くなる虞がある。また、LEDがバンプを介して基板に実装されているため、LEDと基板との接触面積が少なく、LEDからの熱を基板を通じて効率的に放熱できないことがある。しかも、特許文献1に記載の発光装置は、フェイスダウン型の素子を用いてフリップチップ実装することを想定しており、フェイスアップ型の素子を用いるには適していない。
上記特許文献2に記載の発光装置においては、LEDの実装面に、配線層及び電極による凹凸が形成されているので、素子を被覆する封止部材等の固着性が低下する虞がある。また、中空の透明レンズに透明樹脂を充填してLEDを封止する場合、基板の凹凸によって樹脂が流れ出てしまい、ボイドが発生し易くなるので、製造効率が悪い。しかも、配線層が、LEDの実装面と電気配線を兼ねる構造となっているので、LEDと基板との接触面積が少なくなり、放熱性が低下する虞もある。
本発明は、上記課題を解決するものであり、配線構造が簡易であり、LEDからの熱を効率的に放熱することができる発光装置及びこの発光装置を用いた照明装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明に係る発光装置は、固体発光素子と、前記固体発光素子を実装するための実装基板と、前記固体発光素子を被覆する封止部材と、前記固体発光素子とワイヤによって電気的に接続されるリードフレームと、を備え、前記リードフレームは、前記実装基板の裏面側に配置され、前記実装基板は、前記固体発光素子が載置され、前記封止部材で被覆される部分が平坦面から成る実装面と、前記ワイヤを表面側から裏面側へと挿通させるためのワイヤ通し孔と、を有していることを特徴とする。
上記発光装置において、前記実装基板は、金属板又はアルミニウム板から形成されていることが好ましい。
上記発光装置において、前記実装基板は、前記固体発光素子から導出された光を反射する光反射部材として構成されていることが好ましい。
上記発光装置において、前記実装基板は、導電性部材から形成され、前記実装基板とリードフレームとの間に、絶縁部材が介在していることが好ましい。
上記発光装置において、前記実装基板の実装面には、前記固体発光素子から導出された光を反射する光反射部が形成されていることが好ましい。
上記発光装置において、前記封止部材は、蛍光体又は顔料を含有する樹脂材料から構成されていることが好ましい。
上記発光装置において、前記封止部材に直接又は空気層を介して、前記封止部材を被覆する拡散部材を更に備え、前記実装面は、前記拡散部材によって被覆される部分まで拡張されていることが好ましい。
上記発光装置において、前記拡散部材は、蛍光体又は顔料を含有する樹脂材又はシート材から構成されていることが好ましい。
上記発光装置において、前記リードフレームは、前記実装基板の裏面側に当接していることが好ましい。
上記発光装置において、前記実装基板は、前記実装面の周囲を取り囲む延設部を有することが好ましい。
上記発光装置において、前記延設部の外周は、固体発光素子側に向かって折り曲げられていることが好ましい。
上記発光装置において、前記リードフレームは、絶縁性部材によって被覆されていることが好ましい。
上記発光装置において、前記固体発光素子を複数備え、前記封止部材は、前記複数の固体発光素子を封止するように配置されていることが好ましい。
上記発光装置において、前記固体発光素子は、アレイ状又はマトリクス状に配置されていることが好ましい。
上記発光装置において、前記リードフレームは、該リードフレームの長手方向に垂直な方向に屈曲した応力緩和部を備えることが好ましい。
上記発光装置は、照明装置に用いられることが好ましい。
本発明によれば、固体発光素子と、基板の裏面側に設けられたリードフレームとが、ワイヤ通し孔を介してワイヤによって電気的に接続されるので、配線構造を簡易とすることができる。また、実装面が平坦面となっているので、固体発光素子からの熱を効率的に放熱することができる。
(a)は本発明の第1の実施形態に係る発光装置の表面側を示す斜視図、(b)は同発光装置の裏面側を示す斜視図、(c)は同発光装置の側断面図。 (a)は上記実施形態の変形例に係る発光装置の表面側を示す斜視図、(b)は同発光装置の裏面側を示す斜視図。 上記実施形態の別の変形例に係る発光装置の側断面図。 上記実施形態の更に別の変形例に係る発光装置(照明装置)の側断面図。 本発明の第2の実施形態に係る発光装置の側断面図。 本発明の第3の実施形態に係る発光装置の側断面図。 本発明の第4の実施形態に係る発光装置の側断面図。 本発明の第5の実施形態に係る発光装置の裏面側を示す斜視図。 本発明の第6の実施形態に係る発光装置の表面側を示す一部分解斜視図及び一部拡大斜視図。 本発明の第7の実施形態に係る発光装置の側断面図。 (a)は本発明の第8の実施形態に係る発光装置の側断面図、(b)は同発光装置の斜視図。 (a)乃至(c)は本発明の第9の実施形態に係る発光装置の側断面図。 (a)(b)は同発光装置の斜視図。 (a)は本発明の第10の実施形態に係る発光装置の表面側の正面図、(b)は同発光装置の裏面側の正面図。 (a)は本発明の第11の実施形態に係る発光装置の表面側の正面図、(b)は同発光装置の裏面側の正面図、(c)は同発光装置の側断面図。 (a)(b)は上記第8の実施形態に係る発光装置を用いた照明装置の側断面図。
本発明の第1の実施形態に係る発光装置について、図1(a)乃至(c)を参照して説明する。本実施形態の発光装置1は、光源である固体発光素子としての発光ダイオード(以下、LED)2と、このLED2を実装するための実装基板(以下、基板)3と、を備える。また、発光装置1は、LED2を被覆する封止部材4と、LED2とワイヤ5によって電気的に接続されるリードフレーム6と、を備える。リードフレーム6は、基板3の裏面側に配置されている。基板3は、LED2が載置されて、封止部材4で被覆される部分が平坦面から成る実装面31と、ワイヤ5を表面側から裏面側へと挿通させるためのワイヤ通し孔32と、を有している。
リードフレーム6は、接着性を有する絶縁シート7によって、基板3の裏面に接着固定されている。この絶縁シート7は、ワイヤ通し孔32に対応する箇所が開口するよう加工され、基板3の表面側からワイヤ通し孔32を通してリードフレーム6のワイヤ接合部が露出している。封止部材4の光導出方向には、LED2の出射光の波長を変換する蛍光体等を含有すると共に、出射光の配光を制御する波長変換部材8が設けられる。封止部材4及び波長変換部材8の中心軸は、夫々LED2の実装軸と一致するように配置される。波長変換部材8は、封止部材4を直接又は空気層を介して被覆するように配置される。なお、図例では、波長変換部材8が、封止部材4との間に空気層を介して配置された構成を示す。
LED2は、例えば、汎用の窒化物半導体が用いられ、その発光波長は任意であるが、発光ピーク波長が略460nmの青色光を発光するもの好ましい。LED2の大きさも、特に限定されないが、□0.3mmサイズのものが好ましい。本実施形態において、LED2は、素子上面に陽極及び陰極の各電極が設けられた、いわゆるフェイスアップ型の素子が用いられる。LED2の実装方法としては、LED2を基板3上に、例えば、シリコーン系のダイボンド材(不図示)で接合し、素子上面の各電極から、ワイヤ5を用い、基板3に設けられたワイヤ通し孔32を介して、リードフレーム6にボンディング接合される。これにより、LED2とリードフレーム6とが電気的に接続される。なお、ダイボンド材は、上記のものに限られず、例えば、銀ペースト、その他高耐熱のエポキシ系樹脂材等であってもよい。
基板3には、金属板又はアルミニウム板から形成された平坦な板が好適に用いられ、LED2が実装される部分の近傍に、ワイヤ通し孔32が設けられている。ここでいう、「平坦」とは、一般的なガラスエポキシ製の配線基板上に敷設される配線パターンの厚みよりも凹凸が小さい面であり、凹凸幅が略75μm以下である面を含むものとする。基板3の厚みは1mm、その形状は□5mmの矩形形状であることが好ましい。なお、基板3の材質上記の限りではなく、例えば、ステンレスやスチール等の導電部材、アルミナセラミック、又は窒化アルミ等の絶縁材であってもよい。また、基板3の形状も、LED2及び封止部材4等の搭載部材を覆うように搭載できるサイズ及び形状であればよく、厚みは、取り扱い時に撓み等の変形を生じない強度を有する程度であればよい。ワイヤ通し孔32は、LED2の陽極及び陰極に接続される夫々のワイヤ5を挿通するため、LED2を挟むように2箇所設けられる。
封止部材4には、好ましくは、透明のシリコーン樹脂が用いられ、その外形断面が半球状であり、内形においてLED2を覆うことができるサイズに形成される。LED2とリードフレーム6とをワイヤ5で結線した後のワイヤ通し孔32内には、封止部材4を構成する樹脂と同じ樹脂が充填され、その後、封止部材4が実装される。封止部材4の外形直径は、LED2の外接円直径の「封止部材4の材料屈折率」倍とされ、例えば、封止部材4の材質がシリコーン樹脂の場合、1.41倍以上とされる。封止部材4は、LED2及びワイヤ5を内包するサイズの碗状部材の凹部に、上記の透明のシリコーン樹脂又はそれと同じ屈折率の樹脂が充填され、LED2を覆うように基板3上に実装される。こうすれば、凹部に充填された樹脂が硬化した後は、碗状部材と充填樹脂とが一体構造となり、それらの間での屈折界面は存在しないので、封止部材4内での全反射等による光の損失は生じない。なお、封止部材4の材料も、上記に限られず、例えば、エポキシ樹脂、又はガラス等の無機材等であってもよい。また、ワイヤ通し孔32内に充填される樹脂と、封止部材4を構成する樹脂とは、別材料であってもよい。
ワイヤ5には、例えば、汎用の金ワイヤが用いられる。また、アルミワイヤ、銀ワイヤ又は銅ワイヤ等であってもよい。ワイヤ5は、熱接合又は超音波接合等の公知の接合方法により、LED2の各電極及びリードフレーム6に設けられた電極部に接合される。
リードフレーム6は、銅のフープ材をプレスして、打ち抜き加工することにより成形された配線部材であり、その表面は酸化防止のための表面処理(例えば、Niめっき、又はNi/Auめっき、又はNi/Pd/Auめっき等)が施されている。なお、リードフレーム6の材質もまた上記に限られず、例えば、アルミ材等であってもよい。リードフレーム6には、電極部が設けられ(後述する図2(a)参照)、この電極部には半田により電源線が接合され、電源線によって発光装置1の電源回路に接続される(不図示)。
絶縁シート7は、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁性のシート状接着剤であり、熱伝導性の高く、好ましくは、応力緩和性のあるものが用いられる。このものとして、例えば、東レ(株)社製「TSA」、又はパナソニック電工(株)社製「有機グリーンシート」等が挙げられる。
波長変換部材8には、例えば、屈折率が1.2〜1.5の透明な耐熱性樹脂(例えば、シリコーン樹脂)に、LED2から出射された青色光によって励起され、黄色光を放射する粒子状の黄色蛍光体を分散させた混合材料を、所定形状に形成したものが用いられる。透光性材料に分散させる蛍光体は、黄色蛍光体に限らず、色温度や演色性を調整するため等に、複数色の蛍光体を混色させて用いてもよく、例えば、赤色蛍光体と緑色蛍光体を適宜に混合させることにより、演色性の高い白色光を得ることができる。波長変換部材8の形状は、その内径が封止部材4よりも大きい半球状であり、その厚みは、0.5〜1mmであることが好ましい。
本実施形態の発光装置1によれば、LED2の実装面31と電気配線であるリードフレーム6が基板3を挟んで分離して設けられ、LED2とリードフレーム6とが、ワイヤ通し孔32を介してワイヤ5によって電気的に接続されるので、配線構成が簡易となる。また、リードフレーム6の構造も簡易であるため、製造コストを安価とすることができる。また、リードフレーム6が基板3の裏面側に配され、LED2及び封止部材4が搭載される部分、すなわち、実装面31が平坦面となっているので、封止部材4の固着性が向上し、しかも、ボイド生成を軽減することができる。更に、それらの搭載が容易となるので、製造効率も向上する。
また、実装面31が平坦なので、LED2と基板3との接触面積が大きくなり、LED2かで発生した熱を基板3を通じて効率的に放熱することができる。更に、LED2が搭載される基板3は、ワイヤ通し孔32を除き、開口していないので、LED2で発生した熱は、基板3内で効果的に広がり、LED2の温度を下げることができる。
本実施形態においては、基板3は、上述した金属板又はアルミニウム板といったメタルプレートから形成され、LED2から導出された光を反射する光反射部材として構成されていることが望ましい。こうすれば、LED2内で生じた光のうち、基板3側へ向かう光成分が、LED2直下の基板3で反射されて、LED2の上面から出射されるので、光取出し効率が向上する。また、この場合、LED2から出射した光のうち、LED2の水平位より基板3方向へ向かう光成分も、LED2周辺の基板3で反射され、光導出方向に向かうので、光取出し効率が更に向上する。更に、基板3が、ワイヤ通し孔32を除き、全て高反射な平坦面となるので、LED2の配列の自由度が向上し、しかもLED2の配列に拘わらず高い光取出し効率を安定して実現することができる。
ここで、本実施形態に係る発光装置1の変形例について、図2乃至図4を参照して説明する。図2(a)(b)に示す変形例は、リードフレーム6に電極部61が延設され、この電極部61直上の基板3に貫通孔33が設けられると共に、この貫通孔33に電源線接続用ピン51が挿入されているものである。貫通孔33の直下は絶縁シート7が除去され、電源線接続用ピン51は、半田52を介してリードフレーム6の電極部61に接続される。また、電源線接続用ピン51は、基板3の表面から突出していて、コネクタ付きの配線(不図示)を差し込むことにより、導通接続が可能となっている。貫通孔33内の電源線接続用ピン51の周辺は、シリコーン樹脂等の絶縁性樹脂材料34が充填され、給電端子として基板3に対する絶縁性が確保されている。この構成によれば、電源への接続が容易となり、発光装置1の製造効率を向上させることができる。
図3に示す変形例は、LED2を実装する基板3とは別途に設けられた配線基板3a上に複数の発光装置1を設けることにより、照明装置10を構成したものである。配線基板3aの表面には、絶縁層7aを介して配線パターン6aが設けられており、この配線パターン6aが半田層52aを介して発光装置1のリードフレーム6と接合されている。配線パターン6aからは、給電のためのリード線(不図示)が引き出される。この構成によれば、複数の発光装置1を配線基板3a上に実装することができ、照明装置10の製造効率がよくなる。
図4に示す変形例は、基板3が導電性部材から形成され、基板3とリードフレーム6との間に、絶縁部材7aが介在しているものである。基板3に電極端子5aが設けられ、電極端子5aに配線5bが接続されることにより、基板3が、発光装置1の陽極又は陰極の電極として機能する。この構成によれば、基板3が陽極又は陰極の一方の電極を兼ねているので、リードフレーム6は他方の電極パターンのみを敷けばよく、リードフレーム6の構成がより簡易となり、製造コストを安価とすることができる。また、リードフレーム6の敷設面積が小さくなるので、絶縁部材7aの敷設面積も小さくすることができ、絶縁部材の使用量を削減することができ、材料コストを安価とすることができる。
次に、本発明の第2の実施形態に係る発光装置について、図5を参照して説明する。本実施形態の発光装置1は、基板3の実装面31に、LED2から導出された光を反射する光反射部30が形成されているものである。他の構成は、上記第1の実施形態と同様である。光反射部30は、基板3の表面に高反射処理が施されることにより形成される。高反射処理としては、例えば、基板3の表面にアルミ蒸着又は銀蒸着を行い、その上にSiOから成る保護膜を形成することが挙げられる。また、光反射部30は、SiO保護膜の代わりにSiO及びTiOの多層膜が形成されたもの、アルミ表面を化学研磨することにより鏡面と成し、その上にSiO等の保護膜が形成されたもの、又は高反射の白色レジストを塗布されたもの等であってもよい。
この構成によれば、LED2内で生じた光のうち、基板3側へ向かう光成分、及びLED2の水平位より基板3方向へ向かう光成分が、基板3で反射されて、光導出方向に向かうので、光取出し効率が向上する。
ところで、リードフレーム上に銀めっきを施したものにおいては、銀めっきが、空気中の水分、熱又はLEDからの出射光等の影響によって腐食劣化し易いので、反射率が低下し、光取出し効率が低下することがあった(特開2003−332628号公報参照)。また、波長変換部材の下面部位は、リードフレームで覆うことができないので、波長変換部材からチップ側へ向かう光をリードフレーム上の銀めっきで反射することができず、光取出しが効率が低下することがあった。また、基板表面のうち、リードフレームのみに銀めっきが施されると、めっきが施されている箇所と、施されていない箇所との間で反射率のムラができるので、発光装置1の照射光にもムラが生じることがあった。
これに対して、本実施形態の発光装置1によれば、波長変換部材8の下面部位に位置する基板3が高反射部位(光反射部30)となっているので、光取出し効率が高くなると共に、ムラのない均一な輝度分布の光を照射することができる。
次に、本発明の第3の実施形態に係る発光装置について、図6を参照して説明する。本実施形態の発光装置1は、封止部材4が、蛍光体又は顔料を含有する樹脂材料から構成され、この封止部材4が、上記第1の実施形態における波長変換部材8の機能を兼ねているものである。他の構成は、上記第1の実施形態と同様である。
この構成によれば、封止部材4内の蛍光体又は顔料によって変換された光、及び蛍光体又は顔料の粒子によって反射された光が、基板3によって反射され易くなるので、光取出し効率が更に高くなる。また、別途の波長変換部材8を設ける必要がないので、製造効率を良くすると共に、製造コストを安価とすることができる。更に、蛍光体又は顔料を含有する封止部材4と基板3の実装面31との接触面積が大きくなるので、封止部材4において波長変換時に発生した熱を効率的に基板3に対して伝導することができ、蛍光体又は顔料の劣化を抑制することができる。
次に、本発明の第4の実施形態に係る発光装置について、図7を参照して説明する。本実施形態の発光装置1は、封止部材4に対して直接又は空気層を介して、封止部材4を被覆する拡散部材8aを更に備え、基板3の実装面31は、この拡散部材8aによって被覆される部分まで拡張されているものである。他の構成は、上記第3の実施形態と同様である。拡散部材8aは、封止部材4よりも大きな半球形状の部材であり、例えは、透明シリコーン樹脂内にシリカ等の拡散剤を混入させて成形したものが用いられる。
この構成によれば、拡散部材8a内の拡散剤粒子によって反射された光が、基板3によって反射され易くなるので、光取出し効率が更に高くなる。また、拡散部材8aによって拡散された光の一部が、蛍光体又は顔料を含有する封止部材4に再入射した後、基板3によって再反射されるので、蛍光体又は顔料による波長変換が効率的に行われる。
拡散部材8aは、蛍光体又は顔料を含有する樹脂材又はシート材から構成されていてもよい。この場合、拡散部材8a内の蛍光体又は顔料によって変換された光、及びそれの粒子によって反射された光が、基板3によって反射され易くなるので、光取出し効率が更に高くなる。また、封止部材4及び拡散部材8aに混入される、蛍光体又は顔料の種類、添加量等を調整することにより、任意の波長の光を出射することができる。
次に、本発明の第5の実施形態に係る発光装置について、図8を参照して説明する。本実施形態の発光装置1は、リードフレーム6が、基板3の裏面側に当接しているものである。本実施形態の基板3は、アルミナセラミック又は窒化アルミ製である。また、リードフレーム6が基板3の裏面にろう付け(不図示)固着されている。好ましくは、基板3の裏面のうち、リードフレーム6が固着される部位には、ろう付けするため、Niめっき又は金めっき等のめっき処理を施したパターンが形成される。他の構成は、上記第1の実施形態(特に変形例)と同様である。
この構成によれば、リードフレーム6が基板3に当接するため両者間の熱抵抗が小さくなり、基板3に伝わった熱が、効率的にリードフレーム6に伝導され、リードフレーム6を介して基板3全体への伝熱が促進される。これにより、LED2の温度を効果的に下げることができる。
次に、本発明の第6の実施形態に係る発光装置について、図9を参照して説明する。本実施形態の発光装置1は、複数のLED2を備え、これらが長尺の基板3上にアレイ状に配置され、封止部材4が、複数のLED2を封止するように配置されているものである。また、複数の封止部材4を覆うように、中空半円筒形状の波長変換部材8が基板3上に実装される。なお、LED2の配列方向に直交する断面は、上記第1の実施形態と同様である(図1(c)参照)。
LED2は、複数個が近接して配置されると共に、夫々ワイヤ5によって直列に接続されてLED群を構成するように基板3上に実装されている。ワイヤ通し孔32は、LED群毎に形成されていて、直列に接続されたLED2の起端及び末端の電極が、夫々ワイヤ通し孔32を挿通させたワイヤ5によって、リードフレーム6と電気的に接続されている。なお、図例では、3個のLED2が一つのLED群を構成しているものを示すが、一つのLED群に含まれるLED2の個数は、この例に限られない。リードフレーム6は、各LED群を直列に又は並列に接続するよう適宜にパターン形成される。
基板3は、その表面に高反射処理が施され、かつ波長変換部材8が搭載される部位よりも、LEDの配列方向に直交する断面方向に延設された延設部35を有し、この延設部35が光反射部として機能する。また、延設部35には発光装置1を照明装置10に固定するための固定孔36が形成されている。
封止部材4は、断面が略半球でLED2の配列方向に長いタブレット形状に形成され、一つの封止部材4が複数のLED2(図例では2つのLED群)を覆うように、基板3上に連続的に実装されている。波長変換部材8は、厚みが0.5〜1mmとなるように形成されている。波長変換部材8は、複数の封止部材4を覆うように配置され、配列方向の最端部が夫々閉口している。
この構成によれば、LED2を実装する実装面31の周辺部の平坦性が高いので、LED群を一括して封止部材4で覆うことができるようになり、製造効率が良くなる。また、LED群を一括して封止することにより、封止部材4内部を空気界面での全反射と封止部材4直下の基板3での反射による多重反射により、LED群の出射光が平準化されて波長変換部材8に入射する。その結果、発光装置1は、波長変換部材8全体の輝度分布が均一化され、ムラのない光を照射することができる。また、延設部35を設けたことにより、発光装置1の単位体積当りに占める基板3の面積が大きくなるので、LED2からの熱が広がる面積が大きくなり、LED2の温度を効果的に下げることができ、発光装置1の放熱性が向上する。
次に、本発明の第7の実施形態に係る発光装置について、図10を参照して説明する。本実施形態の発光装置1は、基板3が、実装面31の周囲を取り囲む延設部37を有するものである。この延設部37は、実装面31と同様に高反射処理が施されている。単一のLED2を用いた発光装置1では、延設部37は、LED2及び波長変換部材8の四方を取り囲むように設けられてもよいし、二方のみに設けられてもよい。この場合、他の構成は、上記第1の実施形態と同様である。一方、アレイ状に配列された多数のLED2を用いた発光装置1では、LED2列の両側部に沿って延設部37が設けられ、この場合、上記第6の実施形態で示した構成と同様である(図9参照)。
この構成によれば、基板3の面積が大きくなるので、LED2からの熱が広がる面積も大きくなり、LED2の温度を更に効果的に下げることができ、発光装置1の放熱性が向上する。また、LED2、封止部材4、又は波長変換部材8(拡散部材8a)から出射された光のうち、基板3側へ向かう光成分が、延設部37で反射されて、発光装置1の光導出方向へ向かうので、発光装置1を組み込んだ照明装置の光出射効率が向上する。
次に、本発明の第8の実施形態に係る発光装置について、図11(a)(b)を参照して説明する。本実施形態の発光装置1は、上述した延設部37の外周が、LED2側に向かって折り曲げられ、屈曲延設部37aとして構成されているものである。屈曲延設部37aは、例えば、実装面31に対して略45°程度に折れ曲がるように構成されている。また、この屈曲延設部37aもまた、実装面31と同様に高反射処理が施されている。
単一のLED2を用いた発光装置1では、屈曲延設部37aは、LED2及び波長変換部材8の四方を取り囲むように設けられてもよいし、二方のみに設けられてもよい。この場合、他の構成は、上記第1の実施形態と同様である。一方、アレイ状に配列された多数のLED2を用いた発光装置1では、LED2列の両側部に沿って屈曲延設部37aが設けられ、この場合、図11(b)に示した構成となる。なお、同図に示す構成では、上記第1の実施形態の変形例(図2(a)(b)参照)と同様に、電源線接続用ピン51を備える。
この構成によれば、上記第7の実施形態の効果に加えて、LED2から出射された光が、屈曲延設部37aで反射されて、発光装置1の前方光軸方向に出射されるので、発光装置1を搭載した照明装置の光出射効率が向上する。
次に、本発明の第9の実施形態に係る発光装置について、図12及び図13を参照して説明する。本実施形態の発光装置1は、図12(a)に示すように、基板3の裏面に配されたリードフレーム6が、絶縁性部材70によって被覆されているものである。絶縁性部材70の形成には、高耐熱性の絶縁性樹脂材料が用いられ、例えば、液晶ポリマー又はポリアミド系の熱可塑性樹脂が用いられる。このものとしては、例えば、クラレ(株)社製「ジェネスダ」又はソルベイ製「アモデル」等が挙げられる。また、この樹脂中に、MgO、アルミナ、炭素繊維又はシリカといった、高熱伝導性のフィラーを混合することにより、絶縁性部材70の熱伝導率が良くなると共に、発光装置1の放熱性が向上する。なお、絶縁性部材70を構成する絶縁性樹脂材料の熱伝導率は、3W以上であることが好ましい。
上述した図12(a)に示す構成は、リードフレーム6のみが絶縁性部材70によって被覆された例である。この構成によれば、発光装置1を照明装置に組み込む際、絶縁処理のために、絶縁シートを両者間に装着する等の絶縁処理を施す必要がくなるので、製造コストを安価とすることができる。また、リードフレーム6が露出しないので、リードフレーム6の変質や損傷を抑制できると共に、発光装置1の取り扱いが容易となる。また、後述する図12(b)(c)に示す構成に比べて、少量の絶縁性樹脂を用いて絶縁性部材70を形成することができるので、製造コストを安価とすることができる。
図12(b)に示す構成は、リードフレーム6だけでなく、基板3の周囲が絶縁性部材70によって被覆された例である。この構成によれば、発光装置1全体の強度を向上させることができる。また、図13(a)は、図12(b)に示す構成と、上記第8の実施形態で示した構成(図11(b)参照)とを組み合わせた構成を示す。また、ここでは絶縁性部材70の端部付近にネジ止め部72を設けた構成を示す。こうすれば、発光装置1の照明装置へ取付けが容易となり、装置の製造効率が良くなる。
図12(c)に示す構成は、波長変換部材8を覆うように、絶縁性部材70にテーパ状の斜面部71を設けた例である。この構成によれば、絶縁性部材70を構成する樹脂材料にPBT等の白色の高反射材を用いる、又は斜面部71に高反射処理を施すことにより、波長変換部材8から側方に発した光を、斜面部71で反射して、発光装置1の光導出方向に照射することができる。図13(b)は、図12(c)に示す構成と、上記第6の実施形態で示した構成(図9参照)とを組み合わせた構成を示す。また、ここでは、リードフレーム6の電極部61が光導出方向に露出している構成を示す。こうすれば、電極部61と電源線(不図示)との接続が容易となる。
次に、本発明の第10の実施形態に係る発光装置について、図14(a)(b)を参照して説明する。本実施形態の発光装置1は、複数のLED2が、アレイ状に配置され、夫々が並列接続されるように、リードフレーム6がパターンニングされていると共に、リードフレーム6は、その長手方向に垂直な方向に屈曲した応力緩和部9を備えるものである。なお、図例では、封止部材4及び波長変換部材8等の一部の構成を省略している。ここでいう応力緩和部9とは、長手方向に垂直な方向に屈曲した辺と、これと直交し、リードフレーム6の主体を構成する長手方向の辺とが組み合わされて、U字形状となるようにパターニングされているものである。なお、応力緩和部9の形状は、図例に限られず、例えばV字形状、M字形状、又はN字形状等であってもよい。
この構成によれば、基板3とリードフレーム6との線膨張率差に起因してリードフレーム6に働く応力を緩和することができ、リードフレーム6が基板3から剥離することを防止できると共に、基板3の反りを抑制することができる。
次に、本発明の第11の実施形態に係る発光装置について、図15(a)乃至(c)を参照して説明する。本実施形態の発光装置1は、複数のLED2が、マトリクス状に配置されたものである。ここでは、アレイ状に配列した8個のLED2を一群としてLED群が構成され、このLED群及びそれに対応したリードフレーム6が5列、等間隔で一つの基板3上に配置され、これにより、複数のLED2がマトリクス状に配置される。また、上記第10の実施形態と同様、リードフレーム6には応力緩和部9が形成されている。
基板3上に配置されたLED郡のうち、上端と下端を除くLED群は、隣り合う2組が1つのリードフレーム6によって接続され、その結果、各LED2は、8並列×5直列として電気的に接続されている。また、各LED群を覆うように、封止部材4が基板3上に実装され、また、この封止部材4を覆うように波長変換部材8が基板3上に実装される。
この構成によれば、複数のLED2から出射された光が、封止部材4を介して波長変換部材8へ、入射密度が均一化されて入射されるので、輝度分布が均一化されたムラのない面発光光源を実現することができる。
次に、上記第8の実施形態の発光装置1を複数個組み込んだ照明装置10について、図16(a)(b)を参照して説明する。照明装置10は、光導出方向に開口した器具筐体11に複数の発光装置1が固定され、器具筐体11の開口部には、前面カバー12を保持する枠体13が取り付けられているものである。各発光装置1のリードフレーム6は、直接又は間接的に電源線5cによって発光装置1の電源回路に接続される(不図示)。なお、基板3の端部を樹脂製の板材(不図示)で器具筐体11に押さえつけ、この板材をネジ止めすることにより、発光装置1は、器具筐体11に固定される。
図16(a)に示す構成は、絶縁性確保のため、発光装置1が、器具筐体11の底面に、シリコーン樹脂に高熱伝導フイラーを混ぜ込んて形成された軟質の絶縁シート73を介して固定されたものである。この絶縁シート73の厚みは、リードフレーム6の厚みを吸収できる厚みであればよい。図16(b)に示す構成は、上記第9の実施形態で示した絶縁性部材70を介して、発光装置1が器具筐体11に固定されたものである。この照明装置10においては、配線構造が簡易であり、LED2からの熱を効率的に放熱することができる発光装置1を用いているので、組立が容易で、製造コストを安価することができ、また、光を安定的に照射することができる。
なお、本発明は、上記実施形態に限らず、種々の変形が可能である。例えば、LED2の陽極及び陰極のうち、一方の電極が上述したようにワイヤ5によってリードフレーム6と接続されていればよく、他方の電極は、上記の図4に示したように接続されていてもよく、その接続方法は任意である。
1 発光装置
2 LED(固体発光素子)
3 基板(実装基板)
31 実装面
32 ワイヤ通し孔
35 延設部
37 延設部
37a 折曲延設部(延設部)
4 封止部材
5 ワイヤ
6 リードフレーム
7 絶縁シート(絶縁部材)
70 絶縁性部材
8 波長変換部材
8a 拡散部材
9 応力緩和部
10 照明装置

Claims (16)

  1. 固体発光素子と、前記固体発光素子を実装するための実装基板と、前記固体発光素子を被覆する封止部材と、前記固体発光素子とワイヤによって電気的に接続されるリードフレームと、を備えた発光装置であって、
    前記リードフレームは、前記実装基板の裏面側に配置され、
    前記実装基板は、前記固体発光素子が載置され、前記封止部材で被覆される部分が平坦面から成る実装面と、前記ワイヤを表面側から裏面側へと挿通させるためのワイヤ通し孔と、を有していることを特徴とする発光装置。
  2. 前記実装基板は、金属板又はアルミニウム板から形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の発光装置。
  3. 前記実装基板は、前記固体発光素子から導出された光を反射する光反射部材として構成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の発光装置。
  4. 前記実装基板は、導電性部材から形成され、
    前記実装基板とリードフレームとの間に、絶縁部材が介在していることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の発光装置。
  5. 前記実装基板の実装面には、前記固体発光素子から導出された光を反射する光反射部が形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の発光装置。
  6. 前記封止部材は、蛍光体又は顔料を含有する樹脂材料から構成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の発光装置。
  7. 前記封止部材に直接又は空気層を介して、前記封止部材を被覆する拡散部材を更に備え、
    前記実装面は、前記拡散部材によって被覆される部分まで拡張されていることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の発光装置。
  8. 前記拡散部材は、蛍光体又は顔料を含有する樹脂材又はシート材から構成されていることを特徴とする請求項7に記載の発光装置。
  9. 前記リードフレームは、前記実装基板の裏面側に当接していることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の発光装置。
  10. 前記実装基板は、前記実装面の周囲を取り囲む延設部を有することを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の発光装置。
  11. 前記延設部の外周は、固体発光素子側に向かって折り曲げられていることを特徴とする請求項10に記載の発光装置。
  12. 前記リードフレームは、絶縁性部材によって被覆されていることを特徴とする請求項1乃至請求項11のいずれか一項に記載の発光装置。
  13. 前記固体発光素子を複数備え、
    前記封止部材は、前記複数の固体発光素子を封止するように配置されていることを特徴とする請求項1乃至請求項12のいずれか一項に記載の発光装置。
  14. 前記固体発光素子は、アレイ状又はマトリクス状に配置されていることを特徴とする請求項13に記載の発光装置。
  15. 前記リードフレームは、該リードフレームの長手方向に垂直な方向に屈曲した応力緩和部を備えることを特徴とする請求項13又は請求項14に記載の発光装置。
  16. 請求項1乃至請求項15のいずれか一項に記載の発光装置を用いた照明装置。
JP2010284765A 2010-12-21 2010-12-21 発光装置及びそれを用いた照明装置 Active JP5049382B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010284765A JP5049382B2 (ja) 2010-12-21 2010-12-21 発光装置及びそれを用いた照明装置
CN201110428440.3A CN102544341B (zh) 2010-12-21 2011-12-20 发光装置与利用其的照明设备
US13/331,028 US8592836B2 (en) 2010-12-21 2011-12-20 Light emitting device and illumination apparatus using same
EP11010023.7A EP2469613B1 (en) 2010-12-21 2011-12-20 Light emitting device and illumination apparatus using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010284765A JP5049382B2 (ja) 2010-12-21 2010-12-21 発光装置及びそれを用いた照明装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012144626A Division JP5732619B2 (ja) 2012-06-27 2012-06-27 発光装置及びそれを用いた照明装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012134305A true JP2012134305A (ja) 2012-07-12
JP5049382B2 JP5049382B2 (ja) 2012-10-17

Family

ID=45418316

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010284765A Active JP5049382B2 (ja) 2010-12-21 2010-12-21 発光装置及びそれを用いた照明装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8592836B2 (ja)
EP (1) EP2469613B1 (ja)
JP (1) JP5049382B2 (ja)
CN (1) CN102544341B (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016025160A (ja) * 2014-07-17 2016-02-08 シチズン電子株式会社 Led発光装置およびその製造方法
JP2019061954A (ja) * 2017-09-25 2019-04-18 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 照明モジュールおよびこれを備えた照明装置
JP2020523788A (ja) * 2017-06-07 2020-08-06 フルエンス・バイオエンジニアリング・インコーポレイテッドFluence Bioengineering,Inc. 照明器具のためのシステム及び方法
JP2022500816A (ja) * 2018-09-11 2022-01-04 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 照明モジュール及びこれを備えた照明アセンブリ
US11757068B2 (en) 2017-09-25 2023-09-12 Lg Innotek Co., Ltd. Lighting module and lighting apparatus having thereof
US11906149B2 (en) 2018-08-16 2024-02-20 Lg Innotek Co., Ltd. Lighting device

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8664681B2 (en) * 2012-07-06 2014-03-04 Invensas Corporation Parallel plate slot emission array
US20140209950A1 (en) * 2013-01-31 2014-07-31 Luxo-Led Co., Limited Light emitting diode package module
DE102013202542A1 (de) 2013-02-18 2014-09-18 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Substrat zur Herstellung einer LED und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102013202551A1 (de) 2013-02-18 2014-08-21 Heraeus Materials Technologies GmbH & Co. KG Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit einer Kavität
JP6303715B2 (ja) * 2013-04-18 2018-04-04 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及び発光装置
CN103413886A (zh) * 2013-08-28 2013-11-27 中国科学院半导体研究所 具有可调输出光色的发光二极管模组的制备方法
US9865783B2 (en) * 2013-09-09 2018-01-09 Luminus, Inc. Distributed Bragg reflector on an aluminum package for an LED
JP6408516B2 (ja) * 2016-07-01 2018-10-17 ミネベアミツミ株式会社 面状照明装置及び基板
CN111720760A (zh) * 2016-08-26 2020-09-29 美蓓亚三美株式会社 面状照明装置和基板
US10700252B2 (en) * 2017-04-18 2020-06-30 Bridgelux Chongqing Co., Ltd. System and method of manufacture for LED packages
CN107785474A (zh) * 2017-09-28 2018-03-09 漳州立达信光电子科技有限公司 发光二极管元件装置与其制作方法
CN110197867A (zh) * 2018-02-26 2019-09-03 世迈克琉明有限公司 半导体发光器件及其制造方法
WO2021182413A1 (ja) * 2020-03-10 2021-09-16 シチズン電子株式会社 発光装置

Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6126212U (ja) * 1984-07-24 1986-02-17 キムラ電機株式会社 薄形照光板
JP2006134996A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Hitachi Displays Ltd 照明装置、照明装置の製造方法およびこの照明装置を用いた表示装置
JP2006134992A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Hitachi Displays Ltd 光源ユニット、それを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置
JP2007073718A (ja) * 2005-09-07 2007-03-22 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 発光素子収納用パッケージ
JP2007165843A (ja) * 2005-11-18 2007-06-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置
JP2007184542A (ja) * 2005-12-09 2007-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置
JP2007184534A (ja) * 2005-12-09 2007-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置
JP2007184540A (ja) * 2005-12-09 2007-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置
JP2007184237A (ja) * 2005-12-09 2007-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置
JP2007184541A (ja) * 2005-12-09 2007-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置
JP2007214522A (ja) * 2006-02-10 2007-08-23 Intekkusu Kk 光源装置及びこれを用いた照明装置
JP2007318161A (ja) * 2003-02-18 2007-12-06 Sharp Corp 半導体発光装置およびカメラ付き携帯電話
JP2007318113A (ja) * 2006-04-27 2007-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 放熱基板及びその製造方法
JP2009130299A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
JP2009130298A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
JP2009135440A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Tysun Inc 散熱機能を有する発光デバイスとそのようなデバイスを製造するプロセス
JP2010129713A (ja) * 2008-11-27 2010-06-10 Kyocera Corp 発光装置
WO2011136236A1 (ja) * 2010-04-26 2011-11-03 パナソニック電工株式会社 リードフレーム、配線板、発光ユニット、照明装置
JP2011249737A (ja) * 2010-04-26 2011-12-08 Panasonic Electric Works Co Ltd リードフレーム、配線板およびそれを用いたledユニット

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6126212A (ja) 1984-07-16 1986-02-05 Oki Electric Ind Co Ltd Pn接合の形成方法
WO1995026047A1 (en) * 1994-03-18 1995-09-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Semiconductor package manufacturing method and semiconductor package
US6583444B2 (en) * 1997-02-18 2003-06-24 Tessera, Inc. Semiconductor packages having light-sensitive chips
US6782610B1 (en) * 1999-05-21 2004-08-31 North Corporation Method for fabricating a wiring substrate by electroplating a wiring film on a metal base
US6518885B1 (en) * 1999-10-14 2003-02-11 Intermec Ip Corp. Ultra-thin outline package for integrated circuit
JP2003332628A (ja) 2002-05-13 2003-11-21 Nippon Sheet Glass Co Ltd 発光ユニット及びこの発光ユニットを用いた照明装置及び画像読取装置
US6936855B1 (en) 2002-01-16 2005-08-30 Shane Harrah Bendable high flux LED array
JP3910171B2 (ja) 2003-02-18 2007-04-25 シャープ株式会社 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
JP4303550B2 (ja) 2003-09-30 2009-07-29 豊田合成株式会社 発光装置
JP4029843B2 (ja) 2004-01-19 2008-01-09 豊田合成株式会社 発光装置
US20050133808A1 (en) * 2003-09-11 2005-06-23 Kyocera Corporation Package for housing light-emitting element, light-emitting apparatus and illumination apparatus
JP2005175292A (ja) 2003-12-12 2005-06-30 Toshiba Corp 半導体発光装置およびその製造方法
DE10361801A1 (de) * 2003-12-30 2005-08-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2005252219A (ja) * 2004-02-06 2005-09-15 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及び封止部材
CN100411207C (zh) * 2004-06-28 2008-08-13 京瓷株式会社 发光装置及照明装置
KR100631901B1 (ko) * 2005-01-31 2006-10-11 삼성전기주식회사 Led 패키지 프레임 및 이를 채용하는 led 패키지
JP2007287967A (ja) * 2006-04-18 2007-11-01 Shinko Electric Ind Co Ltd 電子部品装置
US7633144B1 (en) 2006-05-24 2009-12-15 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package
EP2017897A1 (en) * 2007-07-16 2009-01-21 ILED Photoelectronics Inc. Package structure for a high-luminance light source
TWI426206B (zh) * 2008-12-25 2014-02-11 Au Optronics Corp 發光二極體裝置
CN201363667Y (zh) * 2009-02-25 2009-12-16 深圳市聚飞光电股份有限公司 一种贴片式发光二极管

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6126212U (ja) * 1984-07-24 1986-02-17 キムラ電機株式会社 薄形照光板
JP2007318161A (ja) * 2003-02-18 2007-12-06 Sharp Corp 半導体発光装置およびカメラ付き携帯電話
JP2006134996A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Hitachi Displays Ltd 照明装置、照明装置の製造方法およびこの照明装置を用いた表示装置
JP2006134992A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Hitachi Displays Ltd 光源ユニット、それを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置
JP2007073718A (ja) * 2005-09-07 2007-03-22 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 発光素子収納用パッケージ
JP2007165843A (ja) * 2005-11-18 2007-06-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置
JP2007184237A (ja) * 2005-12-09 2007-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置
JP2007184540A (ja) * 2005-12-09 2007-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置
JP2007184534A (ja) * 2005-12-09 2007-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置
JP2007184541A (ja) * 2005-12-09 2007-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置
JP2007184542A (ja) * 2005-12-09 2007-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置
JP2007214522A (ja) * 2006-02-10 2007-08-23 Intekkusu Kk 光源装置及びこれを用いた照明装置
JP2007318113A (ja) * 2006-04-27 2007-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 放熱基板及びその製造方法
JP2009130299A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
JP2009130298A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
JP2009135440A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Tysun Inc 散熱機能を有する発光デバイスとそのようなデバイスを製造するプロセス
JP2010129713A (ja) * 2008-11-27 2010-06-10 Kyocera Corp 発光装置
WO2011136236A1 (ja) * 2010-04-26 2011-11-03 パナソニック電工株式会社 リードフレーム、配線板、発光ユニット、照明装置
JP2011249737A (ja) * 2010-04-26 2011-12-08 Panasonic Electric Works Co Ltd リードフレーム、配線板およびそれを用いたledユニット

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016025160A (ja) * 2014-07-17 2016-02-08 シチズン電子株式会社 Led発光装置およびその製造方法
US10084122B2 (en) 2014-07-17 2018-09-25 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting apparatus and method of manufacturing the same
JP2020523788A (ja) * 2017-06-07 2020-08-06 フルエンス・バイオエンジニアリング・インコーポレイテッドFluence Bioengineering,Inc. 照明器具のためのシステム及び方法
US11320126B2 (en) 2017-06-07 2022-05-03 Fluence Bioengineering, Inc. Systems and methods for a smart module directly embedded on a lighting fixture
JP2019061954A (ja) * 2017-09-25 2019-04-18 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 照明モジュールおよびこれを備えた照明装置
US11757068B2 (en) 2017-09-25 2023-09-12 Lg Innotek Co., Ltd. Lighting module and lighting apparatus having thereof
JP7407505B2 (ja) 2017-09-25 2024-01-04 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 照明モジュールおよびこれを備えた照明装置
US11906149B2 (en) 2018-08-16 2024-02-20 Lg Innotek Co., Ltd. Lighting device
JP7481324B2 (ja) 2018-08-16 2024-05-10 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 照明装置
JP2022500816A (ja) * 2018-09-11 2022-01-04 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 照明モジュール及びこれを備えた照明アセンブリ
JP7432584B2 (ja) 2018-09-11 2024-02-16 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 照明モジュール及びこれを備えた照明アセンブリ

Also Published As

Publication number Publication date
CN102544341B (zh) 2015-04-01
CN102544341A (zh) 2012-07-04
EP2469613B1 (en) 2019-09-18
JP5049382B2 (ja) 2012-10-17
US8592836B2 (en) 2013-11-26
EP2469613A2 (en) 2012-06-27
EP2469613A3 (en) 2013-06-05
US20120153313A1 (en) 2012-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5049382B2 (ja) 発光装置及びそれを用いた照明装置
US8203157B2 (en) Light emitting device having heat generating color conversion members
US9022613B2 (en) Semiconductor light emitting device comprising cut-and-bent portions
TWI332067B (ja)
JP5276226B2 (ja) 実装用基板、発光装置及びランプ
WO2006067885A1 (ja) 発光装置および照明装置
JP2011192703A (ja) 発光装置及び照明装置
JP2012174941A (ja) 発光装置
WO2011024861A1 (ja) 発光装置および照明装置
JP5993497B2 (ja) Led照明装置
JP5330944B2 (ja) 発光装置
JP2010238972A (ja) 発光体および照明器具
JP2014082481A (ja) 発光装置
JP2010080796A (ja) 照明装置
JP2014007204A (ja) Ledモジュール
WO2013190849A1 (ja) 光源装置
JP5732619B2 (ja) 発光装置及びそれを用いた照明装置
JP5938623B2 (ja) 実装基板およびその製造方法、ledモジュール
JP2011129416A (ja) 照明ユニット及び照明装置
JP2011096876A (ja) 発光装置及び照明装置
JP2009081349A (ja) 照明装置
JP2009076803A (ja) 発光モジュール及び発光装置
JP2010287749A (ja) 発光体および照明器具
JP5493058B1 (ja) 電球形ランプ及び照明装置
JP5417556B1 (ja) 電球形ランプ及び照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20120405

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20120423

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120501

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120627

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120717

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120720

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150727

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5049382

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150