JP2007184541A - 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置 - Google Patents
発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007184541A JP2007184541A JP2006283352A JP2006283352A JP2007184541A JP 2007184541 A JP2007184541 A JP 2007184541A JP 2006283352 A JP2006283352 A JP 2006283352A JP 2006283352 A JP2006283352 A JP 2006283352A JP 2007184541 A JP2007184541 A JP 2007184541A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- light emitting
- emitting module
- light
- module according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
Abstract
【課題】放熱性に優れた小型の発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置を提供することを目的とする。
【解決手段】金属基板3と、凹部を形成するように折り曲げた銅を主体とする複数のリードフレーム1a、1bと、金属基板3とリードフレーム1a、1bを接合するための無機フィラと熱硬化性樹脂からなる熱伝導性樹脂2と、リードフレームの上に複数個の発光素子8を実装した発光モジュールであって、少なくとも金属基板3と対向するリードフレーム1a、1bの一面を熱伝導性に優れた絶縁膜7にて被覆する。
【選択図】図2
【解決手段】金属基板3と、凹部を形成するように折り曲げた銅を主体とする複数のリードフレーム1a、1bと、金属基板3とリードフレーム1a、1bを接合するための無機フィラと熱硬化性樹脂からなる熱伝導性樹脂2と、リードフレームの上に複数個の発光素子8を実装した発光モジュールであって、少なくとも金属基板3と対向するリードフレーム1a、1bの一面を熱伝導性に優れた絶縁膜7にて被覆する。
【選択図】図2
Description
本発明は、薄型ディスプレイ等のバックライトあるいは薄型の照明装置等に使われる発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置に関するものである。
従来、液晶テレビ等のバックライトには、冷陰極管等が使われてきたが、近年、LEDやレーザ等の半導体発光素子を、放熱性の基板の上に実装することが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
図12は、従来の発光モジュールの一例を示す断面図である。図12において、セラミック基板101に形成された凹部には、発光素子102が実装されている。また複数のセラミック基板101は放熱板103の上に固定されており、この複数のセラミック基板101は窓部104を有する接続基板105で電気的に接続されている。そして発光素子102から放射される光の方向106は、接続基板105に形成された窓部104を介して、外部に放出される。なお、図12において、凹部を有するセラミック基板101や接続基板105における配線および発光素子102などの配線パターン等は図示していない。
そして、このような構成を有する発光モジュールは液晶ディスプレイ等のバックライトとして使われている。
一方、液晶TVを始めとする表示装置側からは、色表示範囲の拡大、発光素子の更なる高輝度化(大きな電流を流す必要がある)、更には多数個の発光素子を高密度で実装できる放熱性の優れた発光モジュールが要求されている。
特開2004−311791号公報
しかしながら、前記従来の構成では、発光素子を実装する基板がセラミック基板101であることから、加工性や放熱性で不利になるという課題を有しており、本発明では、前記従来の課題を解決するものであり、セラミック基板101の代わりに、リードフレームと熱伝導性に優れた絶縁体と金属基板を一体化構成することによって、放熱性と高輝度化に優れた発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置を提供することを目的とする。
前記課題を解決するために、本発明はLED等の発光素子を、放熱性と光の反射性に優れたリードフレームの上に直接実装し、更にリードフレームを薄く形成した熱伝導性樹脂を介して、一面に熱伝導性に優れた絶縁膜にて被覆した放熱用の金属基板に接合することによって効率よく放熱することができるようにしたものである。
本発明の発光モジュールとその製造方法によって得られた発光モジュールは、LEDや半導体レーザ等の発光素子によって発光された光を同一方向に集光するとともに、熱伝導性に優れた薄い絶縁膜を有する金属基板とリードフレームとを薄く形成した熱伝導性樹脂によって接合することによって効率的に拡散放熱することができることから、放熱性と発光効率に優れた小型の発光モジュールとその製造方法を実現することができ、さらにこの発光モジュールを用いてバックライト装置を構成することによって放熱性に優れた薄型の液晶用などのバックライト装置を実現することができる。
(実施の形態1)
以下、本発明の実施の形態1における発光モジュールについて、図面を用いて説明する。
以下、本発明の実施の形態1における発光モジュールについて、図面を用いて説明する。
図1は本発明の実施の形態1における発光モジュールの構成を示す斜視図であり、図2は図1の発光モジュールにおける断面図を示す。
図1および図2において、1は銅などの熱伝導性に優れたリードフレームであり、このリードフレーム1は陽極電極としてのリードフレーム1aと接地電極としてのリードフレーム1bとによって構成している。
そして、2は熱伝導性に優れた絶縁性を有する無機フィラとエポキシ樹脂などの複合材料からなる熱伝導性樹脂2であり、またこの熱伝導性樹脂2には熱伝導性に優れた金属基板3を接合している。そして、この金属基板3の一面には熱伝導性に優れた金属酸化物、金属窒化物、またはダイヤモンド・ライク・カーボン(以下、DLC膜と呼ぶ)からなる絶縁膜7を形成している。
ここで、熱伝導性樹脂2の熱伝導性はリードフレーム1、金属基板3よりも低いという問題を含んでいる。しかしながら、直接リードフレーム1と金属基板3とは接合することは不可能であり、必ず絶縁性材料を介してそれぞれを接合することが不可欠である。ここでは、熱伝導性樹脂2の熱伝導度が大きく放熱特性を支配することになる。そこで、絶縁性と熱伝導性を両立させるために、金属基板3の一面に熱伝導性に優れた絶縁膜7を薄膜にて形成し、この絶縁膜7を介して熱伝導性樹脂2と金属基板3を接合する。これによって、絶縁性は絶縁膜7で確保し、熱伝導性樹脂2は接合することを主目的に形成することができる。これによって、リードフレーム1と金属基板3との距離をより短縮することができ、熱伝導性も向上することが分かった。この熱伝導性樹脂2を薄く形成すると、リードフレーム1の一部と金属基板3とが接触することによって短絡してしまうという問題を抱えていた。従って、この短絡不良を発生させないためには、ばらつきを考慮した絶縁性を確保できる厚みを熱伝導性樹脂2に設計配慮しておくことが必要であった。
これに対して、絶縁膜7を形成することによって、リードフレーム1と金属基板3を熱伝導性樹脂2は接合するということが主要な役割となり、絶縁性は絶縁膜7で確実に実現することによって、熱伝導性樹脂2の厚みを極めて薄く形成したとしても電気的特性を阻害することはなくなり、リードフレーム1と金属基板3との接合距離を最短の寸法にて接合することができる。
その結果、発光素子8から発生した熱を、リードフレーム1から効率よく金属基板3へ熱伝導することができ、このような構成の発光モジュールとすることによって小型で発光効率に優れた発光モジュールを実現することができる。
また、この絶縁膜7には少なくとも酸化マグネシウム、酸化アルミニウムまたは酸化ベリリウムのいずれか一つを含む金属酸化物薄膜とすることが好ましい。これらの金属酸化物は熱伝導性樹脂2よりも高い熱伝導率と優れた絶縁性を有していることから放熱性に優れた発光モジュールを実現することができる。
また、絶縁膜7を窒化アルミニウム、窒化シリコンおよび窒化ボロンのいずれか一つを含む金属窒化物薄膜とすることによって前記金属酸化物と同様の作用を発揮するとともに、リードフレーム1との密着力をより高められることからより信頼性に優れた発光モジュールを実現することができる。
また、絶縁膜7をDLC膜とすることによってさらに放熱性に優れた発光モジュールを実現することができる。
これらの絶縁膜7は適宜選択することによって所望の特性を有する発光モジュールを実現することができる。
また、この絶縁膜7は薄膜プロセスを用いて形成できることから、その厚みは高精度に膜厚を管理しながら製膜することが可能であり、その厚みは少なくとも50nm以上であれば絶縁性を確保することが可能である。最低の厚みとしては材料、組成、製膜法などによって異なってくるが、少なくとも500V/μm以上の耐圧絶縁特性があれば実用上問題はなく、より好ましくは1000V/μm以上である。
そして、絶縁膜7は1μm以下の厚みが好ましい。厚みが1μmを超えると応力による絶縁膜7の接着強度を低下させたり、クラックなどの欠陥が発生したりする。
また、この絶縁膜7はスパッタ法、めっき法、CVD法などの薄膜プロセスによって形成することができる。例えば、酸化マグネシウムの薄膜は酸化マグネシウムをターゲットとし、酸素ガスと窒素ガスの制御された雰囲気下でスパッタすることによって形成することができ、窒化アルミニウムの膜は一般的にはアルミニウム(Al)をターゲットとし、スパッタガスとして窒素ガス(N2)を使用した反応性スパッタにより形成することがで
きる。
きる。
このように、熱伝導性と絶縁性に優れた絶縁膜7と、接合性に優れた熱伝導性樹脂2との相乗効果によってリードフレーム1と金属基板3との間隔を極めて接近させた構成とすることができ、絶縁性と熱伝導性に優れた発光モジュールを実現することができる。
次に、8は赤、青、緑あるいは白色などを発光するLEDであり、4はこのLED8から放射された光の進行方向を示す矢印である。そして、前記LED8は半導体レーザ等の発光素子の一例として示したものであり、他の発光素子へ応用できることは言うまでもない。
また、リードフレーム1aはどのような特性を有するLED8にも対応できるように個別に分割している。このようにリードフレーム1aを個別の分割した電極構造として構成することによってLED8への印加電圧あるいは印加電流を個別に制御できることから輝度を個別に制御することができる。
なお、あらかじめLED8を選別して用いるときには、リードフレーム1aはリードフレーム1bと同じように共通電極の構造とすることも可能であり、これによって、リードフレーム1aは連続した状態となり、横方向への熱伝導性が高まることから、より放熱性に優れた発光モジュールを実現することができる。
また、リードフレーム1a、1bは熱伝導性樹脂2に埋設されるようにして金属基板3の上に絶縁された状態で固定しており、このリードフレーム1a、1bは熱伝導性樹脂2を介して互いに絶縁されている。そして、この熱伝導性樹脂2は絶縁性と熱伝導性に優れていることから発熱の集中が起こることなくLED8から放出された熱を拡散放熱させることができる。
次に、リードフレーム1a、1bをテーパ状に折り曲げることで、図2に示すような凹部6を形成しており、前記LED8はリードフレーム1aとリードフレーム1bの上に跨るようにバンプ電極9を介して実装されている。
なお、LED8の実装形態としてはワイヤボンディング接続、あるいは導電性樹脂や半田などによりフリップチップ実装などを用いることができるが、適宜選択して実装することが可能である。
このように、リードフレーム1a、1bをテーパ状に折り曲げ加工するとともに、できる限り広い面積となるように設計することによってLED8から発光された光をリードフレーム1a、1bを介して、所定の方向へ光を反射することによって発光効率に優れた発光モジュールを実現することができる。
また、このとき、リードフレーム1a、1bには放熱性に優れた銅を主成分とする金属材料によって形成することによってリードフレーム1は電極と、光の反射板および放熱板としての作用効果を発揮することができ、発光効率に優れた小型の発光モジュールを実現することができる。
さらに、このリードフレーム1a、1bの表出面には光の反射率の高い銀またはニッケルを主成分とする金属材料の薄膜材料を用いて形成した反射膜5を形成することによって、更に発光効率の高い発光モジュールを実現することができる。
また、このリードフレーム1a、1bはテーパ状あるいは曲面状(あるいは放物線状等)に加工することで、LED8の側面から放射された光を、矢印4の方向に反射制御することができ、発光モジュールの輝度をより高められるという効果を発揮することができる。
なお、LED8の上には通常、発光素子の信頼性確保とレンズとしての機能を発揮することができる透明樹脂などを用いて密封封止している(図では省略している)。また、この透明樹脂にはPMMA(ポリメタクリレート)やシリコン系の透明な樹脂を用いることが望ましい。そして、エポキシ系樹脂を用いた場合には、エポキシ樹脂の黄化防止のUV抑制剤を添加することが必要である。これはLED8に白色、または青色発光素子を用いたときに、光によってエポキシ樹脂が黄化する場合があるためである。
また、透明樹脂にシリコン系樹脂等の柔らかい(少なくともエポキシ系より硬度が低い)透明樹脂を用いることが望ましい。この柔軟性を有する樹脂材料を用いることで、LED8が発熱、熱膨張した際のLED8とリードフレーム1a、1bの接続部への応力集中を防止することができる。
同様に、LED8とリードフレーム1a、1bをワイヤボンディング接続したときに金製ワイヤーへの応力集中を低減することもできる(金製ワイヤーが切断されにくくなる)。
また、リードフレーム1a、1bと金属基板3の間を絶縁する熱伝導性樹脂2の厚みをできる限り薄く(更には均一に)することによって、リードフレーム1a、1bから金属基板3への熱拡散性を高められる。これによって、LED8で発生した熱はリードフレーム1a、1bに伝熱する。そして、このリードフレーム1a、1bの接続先を工夫することによってリードフレーム1a、1bを通じてかなりの熱を外部へ放熱することが可能となるとともに、さらにこのリードフレーム1a、1bの裏面には熱伝導性樹脂2を介して金属基板3へ拡散できる構造としていることから、金属基板3を通じてもLED8で発生した熱を効率よく拡散できる発光モジュールを実現することができる。このように、電極と放熱板として用いるリードフレーム1a、1bと放熱のための金属基板3との複合化によって放熱をしていることから、複数の高輝度特性を有するLED8を高密度に実装することができる発光モジュールを実現することができる。
また、熱伝導性樹脂2として、熱硬化型樹脂の中に熱伝導性に優れた無機フィラを分散させたものを用いることが望ましく、特にこの無機フィラは略球形状で、その直径は0.1〜50μmが適当である(なお0.1μm未満の場合、樹脂への分散が難しくなる場合がある)。そのため、熱伝導性樹脂2における無機フィラの充填量は熱伝導率を上げるために70〜95重量%と高濃度に充填している。
さらに、本実施の形態1では無機フィラは平均粒径3μmと平均粒径12μmの2種類のAl2O3を混合したものを用いている。この大小2種類の平均粒径のAl2O3を用いることによって、大きな平均粒径のAl2O3の隙間に小さな平均粒径のAl2O3を充填できることから、Al2O3を90重量%近くまで高濃度に充填できるものである。この結果、熱伝導性樹脂2の熱伝導率は5W/(m・K)程度となる。なお、無機フィラとしては、Al2O3の代わりに熱伝導性に優れたMgO、BN、SiC、Si3N4及びAlNからなる群から選択される少なくとも一種以上を含んでもよい。
なお、熱硬化性の絶縁樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂およびシアネート樹脂の内、少なくとも1種類の樹脂を含んでいる。これらの樹脂は耐熱性や電気絶縁性に優れている。熱伝導性樹脂2の厚みは薄くすればリードフレーム1a、1bに装着したLED8から生じる熱を金属基板3に伝えやすくなるが、絶縁耐圧が問題となり、厚すぎると熱抵抗が大きくなることから、絶縁耐圧と熱抵抗を考慮して最適な厚さである50μm以下に設定すれば良い。
以上のように、LED8から発生した熱はまずリードフレーム1a、1bから横方向に熱伝導することによって放熱する。これは、リードフレーム1a、1bに銅を主体とした熱伝導率の高いものを用いていることによる。
次に、リードフレーム1a、1bに伝わった熱は、熱伝導性樹脂2を介してリードフレーム1a、1bと対向して形成した絶縁膜7から金属基板3に熱伝導する。このとき、リードフレーム1a、1bと対向する金属基板3の一面には絶縁膜7を薄膜状態にて被覆していることから、熱伝導性樹脂2の厚みを薄く設計することによって、リードフレーム1a、1bから金属基板3への熱伝導性を高めることができる。
また、製造上のばらつきによって、リードフレーム1a、1bと金属基板3とが一部の箇所で接触したとしてもリードフレーム1a、1bと対向する金属基板3の一面には絶縁膜7を形成していることから電気的に短絡することはない。
そして、金属基板3の熱は接続構造を工夫することによって放熱性に優れた構成とすることができる。例えば、ヒートシンク等に伝えることによって効率よく放熱することができる。
また、金属基板3としては、熱伝導の良いアルミニウム、銅またはそれらを主成分とする合金が望ましい。
このようにして、LED8に発生した熱を効率よく高速で拡散することができることから、LED8の効率的な冷却が可能となり、凹部6の中に複数個のLED8(更には高放熱が必要なLEDであっても)を高密度に実装することができる。
この結果、小型、低背型の高密度実装可能な発光モジュールを実現することができる。このような発光モジュールは液晶表示装置などのバックライトなどに特に効果的である。
そして、複数個のLED8は複数のリードフレーム1aから電流を供給され、リードフレーム1bの接地電極へ接続されることによって、所定の色に発光することになる。
また、異なった波長の光を発光するLED8を実装することによって所望の広い波長帯域をカバーする発光モジュールを実現することができる。
また、一方のリードフレーム1bを共通の一つの接地電極とし、他方のリードフレーム1aを一つの共通の陽極電極とし、接地電極と陽極電極の上に発光素子を並列接続して実装することによって、特にリードフレーム1aにおいて、より熱伝導性に優れた高密度実装された発光モジュールを実現することができる。そしてこのとき、同じ波長の光を発光する素子を選別して実装することが好ましい。これは、LED8へ印加する電圧あるいは電流を一定とすることが必要であるからである。
なお、熱伝導性樹脂2の色は反射率の観点から白色(もしくは白色に近い無色)が望ましい。これは表出した熱伝導性樹脂2からも反射させることによる効果を発揮することができるためである。これに対して、黒色や赤、青等に着色されている場合、LED8から放射された光を反射させにくくなり、発光効率に影響を与える。
このように、複数のLED8を凹部6の底面にてリードフレーム1a、1bの上に跨るように実装し、更にリードフレーム1a、1bをテーパ状に折り曲げて反射板としても用いていることから、側壁面にも広く形成していることが好ましく、リードフレーム1a、1bの形成を側壁面の50〜95%とすることが望ましい。これによって、効率よく発光した光を前面の所定の方向に集光して反射させることができる。
なお、リードフレーム1a、1bの側壁に占める面積割合が50%を下回る場合、リードフレーム1a、1bによる光反射量を減らす可能性がある。また95%を超えた場合(側面における熱伝導性樹脂2の露出割合が5%未満のとき)、リードフレーム1aどうし、あるいはリードフレーム1aとリードフレーム1bとが短絡する可能性が高くなる。
また、凹部6の形状は、底部に向かって狭くなる形状が望ましく、発光素子の特性、あるいはバックライトに要求される発光特性から適宜、所定の形状に折り曲げ加工することによって任意の形状の反射板として設計することができ、光の反射効率を自由に設計することができる発光モジュールを実現することができる。
次に、本実施の形態1における発光モジュールの製造方法について、図面を用いて説明する。図3、図4は本実施の形態1における発光モジュールの製造方法を説明するための平面図であり、図5〜図10は断面図である。
図3は本実施の形態1におけるリードフレーム1の平面図であり、フープ状に連続したものとして用いている。そして、リードフレーム1aはLED8をそれぞれ分離して実装することができるように個片化してあり、リードフレーム1bは接地電極として用いることから連続した金属片となるようにしている。これによって、熱伝導を効率良く行うことができる。
なお、リードフレーム1bも個片化して使用することも可能である。
そして、フープ状のリードフレーム1を機械的に搬送するために、ガイド穴20を設けている。このようなリードフレーム1aとリードフレーム1bに跨ってLED8を実装する位置を点線で示している。
また、点線30はリードフレーム1を折り曲げる位置を示しており、凹部6を形成するためのものである。
そして、図4はリードフレーム1と金属基板3を熱伝導性樹脂2によって接合してLED8を実装した後、所定の打ち抜きあるいは切断工法によって、リードフレーム1の余分な部分を切断した状態を示している。このとき、前記金属基板3の一面には絶縁膜7がスパッタ法などの薄膜プロセスによって形成している。その厚みは2000〜3000Åの厚みに製膜している。
次に、具体的に発光モジュールを作製するための製造方法についてさらに詳細に説明する。
図5〜図10は本実施の形態1における発光モジュールの製造方法の一例を示す断面図である。図5において、10は下金型、11は金型、12は上金型であり、13はリードフレーム1の汚れを防止するための汚れ防止フィルムである。
まず、所定の銅を主体とするシート状の金属板などを、プレス等を用いて所定形状に打ち抜き、これをリードフレーム1とする。
このとき、反射膜5を形成するときには、シート状の金属板の少なくとも一面に銀などを主成分とする薄膜を形成しておくと良い(図5〜図10では反射膜5は省略している)。
次に、下金型10と金型11をセットして、この中に所定の寸法に加工された厚み1mmの主成分が銅からなる金属基板3を載置し、この金属基板3の上に未硬化状態のシート状の熱伝導性樹脂2をセットする。このとき、リードフレーム1と対向する金属基板3の一面には厚みが3000Åからなる酸化アルミニウム薄膜をあらかじめスパッタ法などによって絶縁膜7を形成している。絶縁膜7を形成する方法としては、スパッタ法、蒸着法、CVD法あるいはめっき法などを用いて形成することができ、金属基板3と絶縁膜7の組み合わせによって適宜選択することができる。
また、熱伝導性樹脂2はあらかじめ熱伝導性に優れた無機フィラとエポキシ樹脂などとを所定の配合比に混練して均一化した後、所定の厚みになるように圧延ロールなどによってシート状に加工しておくことによって作製することができる。そして、この圧延したシートの厚みはリードフレーム1の隙間に充填する熱伝導性樹脂2の量を加味した厚みとすることが好ましい。
そして、この熱伝導性樹脂2の上にリードフレーム1を位置決めした状態で、金型11と上金型12の間にセットする。
次に、図6に示すようにプレス装置(図6には図示していない)によって、上金型12を下降させながら、リードフレーム1が熱伝導性樹脂2に押し付けられ、そして所定温度、所定時間で加熱硬化する。このとき、リードフレーム1と、上金型12の間に汚れ防止フィルム13をセットしておくことによって、リードフレーム1を熱伝導性樹脂2の中に押し付けた際、リードフレーム1の表面の汚れを防止するとともに、空気残りの発生を防止できる。
その後、図7に示すように成型金型から取り出すことによって、リードフレーム1と金属基板3が熱伝導性樹脂2にて一体化された成型品を作製する。
次に、図8に示すようにリードフレーム1aとリードフレーム1bに跨るようにLED8をはんだバンプ接続技術などによってバンプ実装によって実装する。
その後、図9に示すように今までは連続フープとして扱うために必要なリードフレーム1の余分な部分を金型などを用いて切断することによって所定の発光モジュールの外形形状に切断加工する。
そして、図10に示すように所定の折り曲げ位置30に沿ってテーパ状に金型などを用いて折り曲げ加工する。この折り曲げ加工の形状は発光モジュールの形状寸法あるいは反射方向、集光度合い、焦点距離などによって所定の形状に加工することが容易にできる。
その後、必要に応じて透明樹脂などでカバーすることで、図1に示したような発光モジュールが完成する。
次に、この製造方法に用いる熱伝導性樹脂2について更に詳しく説明する。熱伝導性樹脂2はフィラと絶縁樹脂から構成されている。なおこのフィラとしては無機フィラが望ましい。そして、無機フィラとしては熱伝導性に優れたAl2O3、MgO、BN、SiC、Si3N4およびAlNからなる群から選択される少なくとも一種を含む一つを含むことが望ましい。なお、MgOを用いると線熱膨張係数を大きくすることができ、BNを用いると線熱膨張係数を小さくすることができる。このようにして、熱伝導性樹脂2としての熱伝導率が1〜10W/(m・K)のものを形成することができる。なお、熱伝導率が1W/(m・K)未満の場合、発光モジュールの放熱性に影響を与える。また熱伝導率を10W/(m・K)より高くしようとした場合、無機フィラ量を増やす必要があり、プレス時の加工性に影響を与える場合がある。
また絶縁樹脂としては、熱硬化性樹脂を用いることが望ましく、具体的にはエポキシ樹脂、フェノール樹脂およびイソシアネート樹脂からなる群から選択される少なくとも一種を含むことが望ましい。
また、無機フィラは略球形状で、その直径は0.1〜50μmであるが、粒径が小さいほど樹脂への充填率を向上できる。そのため熱伝導性樹脂2における無機フィラの充填量(もしくは含有率)は、熱伝導率を上げるために70〜95重量%と高濃度に充填している。特に、本実施の形態1では、無機フィラは平均粒径3μmと平均粒径12μmの2種類のAl2O3を混合したものを用いている。この大小2種類の粒径のAl2O3を用いることによって、大きな粒径のAl2O3の隙間に小さな粒径のAl2O3を充填できるので、Al2O3を90重量%近くまで高濃度に充填できるものである。この結果、熱伝導性樹脂2の熱伝導率は5W/(m・K)程度となる。そして、無機フィラの充填率が70重量%未満の場合には熱伝導性が低下する場合がある。また、無機フィラの充填率(もしくは含有率)が95重量%を超えると、未硬化前の熱伝導性樹脂2の成型性に影響を与える場合があり、熱伝導性樹脂2とリードフレーム1の接着性(例えば埋め込んだ場合や、その表面に貼り付けた場合)に影響を与える可能性がある。
なお、熱硬化性の絶縁樹脂はエポキシ樹脂、フェノール樹脂およびシアネート樹脂の内、少なくとも1種類の樹脂を含んでいる。これらの樹脂は耐熱性や電気絶縁性に優れている。
次に、リードフレーム1の材質について説明する。リードフレーム1の材質としては、銅を主体とするものが望ましい。これは銅が熱伝導性と導電率が共に優れているためである。またリードフレーム1としての加工性や、熱伝導性を高めるためには、リードフレーム1となる銅素材に銅以外の少なくともSn、Zr、Ni、Si、Zn、P、Fe等の群から選択される少なくとも1種類以上の材料とからなる合金を使うことが望ましい。例えばCuを主体として、ここにSnを加えた、合金(以下、Cu+Snとする)を用いることができる。Cu+Sn合金の場合、例えばSnを0.1〜0.15wt%の範囲で添加することによって、その軟化温度を400℃まで高められる。比較のために、Sn無しの銅(Cu>99.96wt%)を用いて、リードフレーム1を作製したところ、導電率は低いが、でき上がった放熱基板において特に凹部6の形成部等に歪みが発生する場合があった。そこで詳細に調べたところ、その材料の軟化点が200℃程度と低いために、後工程において部品を実装した時(半田付け時)、LED8の実装後の信頼性(発熱/冷却の繰り返し等)に変形する可能性があることが予想された。
一方、Cu+Sn>99.96wt%の銅素材を用いた場合、実装された各種部品や複数個のLED8による発熱の影響は特に受けなかった。そして、半田付け性やダイボンド性にも影響が無かった。そこで、この材料の軟化点を測定したところ、400℃であることが判った。
このように、銅を主体として、いくつかの元素を添加することが望ましい。銅に添加する元素として、Zrの場合、0.015〜0.15wt%の範囲が望ましい。添加量が0.015wt%より低くなると、軟化温度の上昇効果が少ない場合がある。また添加量が0.15wt%より多いと電気特性に影響を与える場合がある。また、Ni、Si、Zn、P等を添加することでも軟化温度を高くできる。この場合、Niは0.1〜5wt%、Siは0.01〜2wt%、Znは0.1〜5wt%、Pは0.005〜0.1wt%の組成範囲が望ましい。
そして、これらの元素は、この範囲で単独、もしくは複数を添加することで、銅素材の軟化点を高くできる。なお、添加量がここで記載した割合より少ない場合、軟化点の上昇効果が低い場合がある。また、ここで記載した割合より多い場合、導電率への影響の可能性がある。同様に、Feの場合0.1〜5wt%、Crの場合0.05〜1wt%が望ましい。これらの元素の場合も前述の元素と同様である。
なお、銅合金の引張り強度は600N/mm2以下が望ましい。この引張り強度が600N/mm2を超える材料の場合、リードフレーム1の加工性に影響を与える場合がある。また、こうした引張り強度の高い材料は、その電気抵抗が増加する傾向にあるため、本実施の形態1で用いるようなLED8等の大電流用途には向かない場合がある。一方、引張り強度が600N/mm2以下(更にリードフレーム1に微細で複雑な加工が必要な場合、望ましくは400N/mm2以下)とすることでスプリングバック(必要な角度まで曲げても圧力を除くと反力によってはねかえってしまうこと)の発生を抑えられ、凹部6の形成精度を高められる。このようにリードフレーム材料としては、Cuを主体としたリードフレーム1とすることで高い導電率を実現し、柔らかくすることで加工性を高め、更に熱伝導性にも優れていることから放熱効果も高められる。
なお、リードフレーム1の熱伝導性樹脂2から露出している面(LED8あるいは、図示していないが制御用ICやチップ部品等の実装面)に、予め半田付け性を改善するように半田層や錫層を形成しておくことで、ガラエポ基板等に比べて熱容量の大きく半田付けしにくいリードフレーム1へ対する部品の実装性を高められると共に、配線の錆び防止が可能となる。なおリードフレーム1の熱伝導性樹脂2に接する面(もしくは埋め込まれた面)には、半田層は形成しないことが望ましい。このように熱伝導性樹脂2と接する面に半田層や錫層を形成すると、半田付け時にこの層が柔らかくなり、リードフレーム1と熱伝導性樹脂2の接着性(もしくは結合強度)に影響を与える場合がある。なお図1、図2において、半田層や錫層は図示していない。
また、金属基板3としては、熱伝導の良いアルミニウム、銅またはそれらを主成分とする合金からできている。特に、本実施の形態1では、金属基板3の厚みを1mmとしているが、その厚みは発光モジュール等の仕様に応じて設計できる(金属基板3の厚みが0.1mmを下回るときには放熱性や強度的に不足する可能性がある。また金属基板3の厚みが5mmを超えると、厚み寸法、重量面で不利になる)。金属基板3としては、単なる板状のものだけでなく、より放熱性を高めるため、熱伝導性樹脂2と接合した反対側の面に、表面積を広げるためにフィン部(あるいは凹凸部)を形成することによってさらに、その放熱性を高めることができる。
また、全膨張係数は8〜20×10-6/℃とすることによって、金属基板3やLED8の線膨張係数に近づけることにより、発光モジュールの基板全体の反りや歪みを小さくできる。また実装部品を表面実装する際、互いに熱膨張係数をマッチングさせることは信頼性的にも重要となる。また、金属基板3を他の放熱板(図示していない)にネジ止めできるように加工することも可能である。
さらに、リードフレーム1としては、少なくともその一部が事前に3次元の凹部形状に打ち抜かれたものを用いることができる。そしてリードフレーム1の厚みは0.1〜1.0mm(より望ましくは0.4〜0.8mm)が望ましい。これはLEDを制御するには大電流(例えば30〜150Aであり、これは駆動するLEDの数によって更に増加する場合もある)が必要であるためである。またリードフレーム1の肉厚が1mmを超えると、プレスによる打ち抜き時にパターンの微細化が影響を受ける場合がある。
(実施の形態2)
以下、本発明の実施の形態2におけるバックライト装置について、図面を用いて説明する。
以下、本発明の実施の形態2におけるバックライト装置について、図面を用いて説明する。
図11は本発明の実施の形態2におけるバックライト装置の一例であるエッジライトの構成を示す断面図である。図11に示すエッジライトは、LEDデバイスなどの発光素子を用いて薄型を要求されている液晶用バックライトに用いるエッジライトの構成を概念的に示したものであり、その構成はLED8、リードフレーム41a、41b、熱伝導性に優れた絶縁膜7にて被覆した金属基板3および熱伝導性樹脂2よりなる発光モジュールと、導光板42と、拡散板43と、反射板44およびフレーム45からなり、光源であるLED8から発光された光は導光板42の側面より入射させ、導光板42を用いてLED8からの光を面状に導光させた後、拡散板43を用いて均一性と指向性を制御しながら光を拡散させることによって、薄型の面状光源を実現するものである。そして、この反射板44は導光板42より照射された光を反射させることによって、効率良く一方向に発光する面状の光源とするために用いるものである。なお、この拡散板43と反射板44は必要に応じて用いることができるものである。また、エッジライトの光学特性を向上させるためにプリズムなどを用いることも可能である。
なお、ここでは実装した複数のLED8の輝度、色域、色調などの光学制御を行う光学制御回路部などの説明は省略する。
そして、本実施の形態2におけるエッジライトの構成において、最も特徴的なところは、少なくともリードフレーム41a、41bと対向する金属基板3の一面を熱伝導性に優れた絶縁膜7にて被覆していること、およびリードフレーム41aまたはリードフレーム41bの一端がエッジライトのフレーム45に接合していることである。このとき、リードフレーム41a、41bの表面に反射膜5を形成しておくことによって、より効率よくLED8の光を導光板42へ集中させることができる。そして、液晶ディスプレイなどに用いるエッジライトは一本の細い棒状の基板の上に発光素子を列状に配置することが通常行われており、発光効率に優れた薄型のエッジライトを実現するためには、この発光素子であるLED8からの放熱を効率良く放熱することができるエッジライトの構成が非常に重要であり、図11に示したような構成とすることによってLED8から発生した熱はリードフレーム41a、41bへ放熱され、その後リードフレーム41aからフレーム45へと放熱される。
また、リードフレーム41aの一端とフレーム45との接合は棒状の長さ方向に沿って接合長さをより大きくとることが放熱性の観点から効果的である。このとき、フレーム45は金属などの熱伝導性に優れた材料を用いることによって補強用の構造材であるとともに表示デバイスの裏側などに大きな放熱面積を有するような構造とすることが可能であり、効率良くLED8からの発熱を放熱することができる。また、フレーム45に放熱フィンあるいはヒートパイプなどの更なる冷却構造を追加することも可能である。
そして、フレーム45へ接合するリードフレーム41aは接地端子側とすることが好ましい。これによって、フレーム45への熱伝導性をより高めることができる。また、フレーム45を接地電極とすることができないときには熱伝導性樹脂2を介して絶縁処理した後、リードフレーム41aをフレーム45へ接合することが好ましい。これによって直接接合するより放熱性は若干低下するが、薄型のエッジライトを実現することができる。
そして、リードフレーム41aとフレーム45を絶縁しておく必要があるときには、前記熱伝導性樹脂2を介してリードフレーム41aをフレーム45へ接合することも可能である。さらに、もう一方のリードフレーム41bもフレーム45へ熱伝導性樹脂2を介して絶縁処理した後、接合することによってさらに放熱性を高めることができる。
また、金属基板3をフレーム45へ接合することによって、放熱性をより高めることも可能である。この金属基板3とフレーム45の絶縁性を保持する必要があるときには熱伝導性樹脂2を介して金属基板3と接合することができる。これによって、リードフレーム41a、41bより熱伝導性樹脂2へと放熱され、その後金属基板3へと放熱される。そして、この金属基板3は熱伝導性に優れた材料を用いていることから、効率良くフレーム45へと放熱することができる。また、金属基板3をフレーム45の一部に熱伝導性樹脂2を介して接合することによって放熱性を高めることと、非常に薄いエッジライトを実現したとき、たわみなどの応力に対して有効なエッジライトを実現することができる。
以上のように、本発明にかかる発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置を用いることで、高放熱性と小型化が実現できることから、多数個の発光素子を高密度に実装することによって放熱性に優れた小型の液晶TV等のバックライト、プロジェクタ、などの光源として有用である。
1、1a、1b リードフレーム
2 熱伝導性樹脂
3 金属基板
4 光の方向を示す矢印
5 反射膜
6 凹部
7 絶縁膜
8 LED
9 バンプ
10 下金型
11 金型
12 上金型
13 汚れ防止フィルム
20 ガイド穴
30 折り曲げ位置
41a、41b リードフレーム
42 導光板
43 拡散板
44 反射板
45 フレーム
2 熱伝導性樹脂
3 金属基板
4 光の方向を示す矢印
5 反射膜
6 凹部
7 絶縁膜
8 LED
9 バンプ
10 下金型
11 金型
12 上金型
13 汚れ防止フィルム
20 ガイド穴
30 折り曲げ位置
41a、41b リードフレーム
42 導光板
43 拡散板
44 反射板
45 フレーム
Claims (23)
- 金属基板と、凹部を形成するように折り曲げた銅を主体とする複数のリードフレームと、前記金属基板とリードフレームを接合するための無機フィラと熱硬化性樹脂からなる熱伝導性樹脂と、前記リードフレームの上に複数個の発光素子を実装した発光モジュールであって、少なくともリードフレームと対向する金属基板の一面を熱伝導性に優れた絶縁膜にて被覆した発光モジュール。
- 絶縁膜を少なくとも酸化マグネシウム、酸化アルミニウムまたは酸化ベリリウムのいずれか一つを含む金属酸化物薄膜とした請求項1に記載の発光モジュール。
- 絶縁膜を少なくとも窒化アルミニウム、窒化シリコンおよび窒化ボロンのいずれか一つを含む金属窒化物薄膜とした請求項1に記載の発光モジュール。
- 絶縁膜を少なくともダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜とした請求項1に記載の発光モジュール。
- 絶縁膜の厚みを1μm以下とした請求項1に記載の発光モジュール。
- 一方のリードフレームを共通の接地電極とし、他方のリードフレームを独立した複数の陽極電極とし、接地電極と独立した陽極電極の上に跨るように発光素子を実装した請求項1に記載の発光モジュール。
- 異なった波長の光を発光する発光素子を実装した請求項6に記載の発光モジュール。
- 一方のリードフレームを共通の接地電極とし、他方のリードフレームを共通の陽極電極とし、接地電極と陽極電極の上に跨るように発光素子を並列接続して実装した請求項1に記載の発光モジュール。
- 同じ波長の光を発光する発光素子を並列に実装した請求項8に記載の発光モジュール。
- リードフレームの表出面に反射膜を設けた請求項1に記載の発光モジュール。
- リードフレームをテーパを形成する側面の50〜95%の面積を占めるリードフレームとした請求項1に記載の発光モジュール。
- リードフレームの厚みを0.10〜1.0mmとした請求項1に記載の発光モジュール。
- リードフレームをSnを0.1〜0.15wt%、Zrを0.015〜0.15wt%、Niを0.1〜5wt%、Siを0.01〜2wt%、Znを0.1〜5wt%、Pを0.005〜0.1wt%、Feを0.1〜5wt%である群から選択される少なくとも一種を含む銅を主成分とするリードフレームとした請求項1に記載の発光モジュール。
- 熱伝導性樹脂の厚みを50μm以下とした請求項1に記載の発光モジュール。
- 熱伝導性樹脂の熱伝導率を1〜10W/(m・K)とした請求項1に記載の発光モジュール。
- 無機フィラをAl2O3、MgO、BN、SiC、Si3N4およびAlNからなる群から選択される少なくとも一種を含んだ無機フィラとした請求項1に記載の発光モジュール。
- 熱硬化性樹脂をエポキシ樹脂、フェノール樹脂、およびイソシアネート樹脂からなる群から選択される少なくとも一種を含んだ熱硬化性樹脂とした請求項1に記載の発光モジュール。
- 熱伝導性樹脂を白色とした請求項1に記載の発光モジュール。
- リードフレームを予め成型加工あるいは打ち抜き加工したリードフレームと、一面を熱伝導性に優れた絶縁膜にて被覆した金属基板との間に、熱伝導性樹脂を配置する工程と、
前記リードフレーム、熱伝導性樹脂、および絶縁膜にて被覆した金属基板の一面を前記リードフレームと対向するように金型の中に載置する工程と、
プレスによって加圧するとともに加熱した状態で熱伝導性樹脂を熱硬化して一体化して成型体とする工程と、
前記成型体のリードフレームの一部に跨るように発光素子を実装する工程を少なくとも含む発光モジュールの製造方法。 - 金属基板と、凹部を形成するように折り曲げた銅を主体とする複数のリードフレームと、前記金属基板とリードフレームを接合するための無機フィラと熱硬化性樹脂からなる熱伝導性樹脂と、前記リードフレームの上に複数個の発光素子を実装し、少なくともリードフレームと対向する金属基板の一面を熱伝導性に優れた絶縁膜にて被覆した発光モジュールと、側面の入射面から入射した前記発光モジュールの光を照射する導光板と、フレームとを備えたバックライト装置であって、少なくとも一つの前記リードフレームの一端を前記フレームの一部に接合したバックライト装置。
- リードフレームの一端をフレームの一部に熱伝導性樹脂を介して接合した請求項20に記載のバックライト装置。
- 金属基板をフレームの一部に接合した請求項20に記載のバックライト装置。
- 金属基板をフレームの一部に熱伝導性樹脂を介して接合した請求項22に記載のバックライト装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006283352A JP2007184541A (ja) | 2005-12-09 | 2006-10-18 | 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005355836 | 2005-12-09 | ||
JP2006283352A JP2007184541A (ja) | 2005-12-09 | 2006-10-18 | 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007184541A true JP2007184541A (ja) | 2007-07-19 |
Family
ID=38340328
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006283352A Pending JP2007184541A (ja) | 2005-12-09 | 2006-10-18 | 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007184541A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010015730A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Biotope:Kk | Led照明装置 |
WO2010059013A2 (ko) * | 2008-11-24 | 2010-05-27 | 주식회사 케이엠더블유 | 고방열기판을 구비한 엘이디 패키지 |
CN102255031A (zh) * | 2011-06-17 | 2011-11-23 | 孙伟峰 | 发光二极管散热装置及其制造方法 |
JP2012134305A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-07-12 | Panasonic Corp | 発光装置及びそれを用いた照明装置 |
JP2013152931A (ja) * | 2012-01-12 | 2013-08-08 | Longwide Technology Inc | 発光装置のled3d曲面リードフレーム |
JP2013533595A (ja) * | 2010-07-08 | 2013-08-22 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | リードフレームled照明アセンブリ |
EP2913579A1 (de) * | 2014-02-28 | 2015-09-02 | vosla GmbH | Lampe |
CN113534534A (zh) * | 2021-07-08 | 2021-10-22 | 深圳亿成光电科技有限公司 | 一种车载tft显示屏背光源结构 |
-
2006
- 2006-10-18 JP JP2006283352A patent/JP2007184541A/ja active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010015730A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Biotope:Kk | Led照明装置 |
WO2010059013A2 (ko) * | 2008-11-24 | 2010-05-27 | 주식회사 케이엠더블유 | 고방열기판을 구비한 엘이디 패키지 |
WO2010059013A3 (ko) * | 2008-11-24 | 2010-09-10 | 주식회사 케이엠더블유 | 고방열기판을 구비한 엘이디 패키지 |
JP2013533595A (ja) * | 2010-07-08 | 2013-08-22 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | リードフレームled照明アセンブリ |
US9318672B2 (en) | 2010-07-08 | 2016-04-19 | Koninklijke Philips N.V. | Leadframe LED lighting assembly |
JP2012134305A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-07-12 | Panasonic Corp | 発光装置及びそれを用いた照明装置 |
US8592836B2 (en) | 2010-12-21 | 2013-11-26 | Panasonic Corporation | Light emitting device and illumination apparatus using same |
CN102255031A (zh) * | 2011-06-17 | 2011-11-23 | 孙伟峰 | 发光二极管散热装置及其制造方法 |
JP2013152931A (ja) * | 2012-01-12 | 2013-08-08 | Longwide Technology Inc | 発光装置のled3d曲面リードフレーム |
EP2913579A1 (de) * | 2014-02-28 | 2015-09-02 | vosla GmbH | Lampe |
CN113534534A (zh) * | 2021-07-08 | 2021-10-22 | 深圳亿成光电科技有限公司 | 一种车载tft显示屏背光源结构 |
CN113534534B (zh) * | 2021-07-08 | 2024-01-05 | 深圳亿成光电科技有限公司 | 一种车载tft显示屏背光源结构 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007184542A (ja) | 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置 | |
JP7252483B2 (ja) | 発光装置、集積型発光装置および発光モジュール | |
JP5103841B2 (ja) | 発光モジュールとそれを用いたバックライト装置 | |
US9022613B2 (en) | Semiconductor light emitting device comprising cut-and-bent portions | |
JP2007214247A (ja) | 発光モジュールとその製造方法 | |
JP2007184237A (ja) | 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置 | |
JP2007184541A (ja) | 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置 | |
JP3872490B2 (ja) | 発光素子収納パッケージ、発光装置および照明装置 | |
JP2007194521A (ja) | 発光モジュールとその製造方法 | |
JP2007214249A (ja) | 発光モジュールとその製造方法 | |
JP2007180320A (ja) | 発光モジュールとその製造方法 | |
JP2007214475A (ja) | 放熱発光部品とその製造方法 | |
JP2007214472A (ja) | エッジライトとその製造方法 | |
JP2007194519A (ja) | 発光モジュールとその製造方法 | |
JP2007184534A (ja) | 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置 | |
JP2007184540A (ja) | 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置 | |
JP2007158209A (ja) | 発光モジュールとその製造方法 | |
JP2007214474A (ja) | エッジライトとその製造方法 | |
JP4659515B2 (ja) | 発光素子搭載用基板,発光素子収納用パッケージ,発光装置および照明装置 | |
JP2007214471A (ja) | 発光モジュールとその製造方法 | |
JP2007180319A (ja) | 発光モジュールとその製造方法 | |
JP2007194610A (ja) | 発光モジュールとその製造方法及びこれを用いた表示装置 | |
JP2007214248A (ja) | 発光モジュールとその製造方法 | |
JP2007158211A (ja) | 発光モジュールとその製造方法 | |
JP2007180318A (ja) | 発光モジュールとその製造方法 |