JP6303715B2 - 発光装置用パッケージ及び発光装置 - Google Patents

発光装置用パッケージ及び発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6303715B2
JP6303715B2 JP2014069851A JP2014069851A JP6303715B2 JP 6303715 B2 JP6303715 B2 JP 6303715B2 JP 2014069851 A JP2014069851 A JP 2014069851A JP 2014069851 A JP2014069851 A JP 2014069851A JP 6303715 B2 JP6303715 B2 JP 6303715B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
reflective film
emitting device
lead
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014069851A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014225646A (ja
Inventor
若木　貴功
貴功 若木
田中　啓之
啓之 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to JP2014069851A priority Critical patent/JP6303715B2/ja
Priority to EP14164882.4A priority patent/EP2793278B1/en
Priority to US14/255,315 priority patent/US9048390B2/en
Publication of JP2014225646A publication Critical patent/JP2014225646A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6303715B2 publication Critical patent/JP6303715B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、表面に銀が形成されたリードを用いた発光装置用パッケージと発光装置に関する。
発光素子の周囲に銀を含む反射膜を設けて出力を向上させた発光装置が知られている。このような発光装置においては、反射膜が変色すると発光出力が低下する。そのため、反射膜の上に無機材料からなる保護膜を形成して、反射膜の硫化による暗色化など(以下、単に「硫化」という。)を抑制する試みがなされている（例えば特許文献１）。
特開２００９−２２４５３８
しかしながら、従来の発光装置では、保護膜を形成した場合であっても時間の経過にともない反射膜の銀が硫化して出力が低下する恐れがあった。
本発明は、発光素子を搭載して保護膜を形成することにより、反射膜の硫化を抑制することが可能になる発光装置用パッケージと、反射膜の硫化を抑制することができ、高い光出力を維持できる発光装置とを提供することを目的とする。
本発明に係る発光装置用パッケージは、
側壁を有する樹脂部と、
銀を含む反射膜を有してなり、前記側壁の内側に前記反射膜が露出するように前記樹脂部に埋設された第１のリードと、
前記側壁の内側に少なくとも表面の一部が露出されかつ前記第１のリードと分離して前記樹脂部に埋設された第２のリードと、
を備え、
前記第１のリードにおいて、
前記反射膜は前記第１のリードと前記樹脂部との境目から内側に離間して設けられており、前記境目と前記反射膜の間に露出された分離表面は、前記反射膜より銀の含有量が少ない金属の表面からなることを特徴とする。
また、本発明に係る発光装置は、前記発光装置用パッケージと、
前記反射膜上に設けられた１以上の発光素子と、
前記第１のリード及び前記発光素子を被覆する保護膜と、
を含むことを特徴とする。
以上のように構成された本発明に係る発光装置用パッケージによれば、発光素子を搭載して保護膜を形成することにより、反射膜の硫化を抑制することが可能な発光装置用パッケージを提供することができる。
本発明に係る発光装置によれば、高い光出力を維持できる発光装置を提供することができる。
図１は、第１実施形態に係る発光装置を発光面側から見た図である。 図２は、図１の発光装置の概略断面図である。 図３は、図１の発光装置の変形例に係る概略断面図である。 図４は、第２実施形態に係る発光装置を発光面側から見た図である。 図５は、図４の発光装置を説明するための概略断面図である。 図６は、第３実施形態に係る発光装置を発光面側から見た図である。 図７は、図６の発光装置を説明するための概略断面図である。 図８は、図６の発光装置を説明するための斜視図である。
本発明を実施するための形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置を例示するものであって、本発明を以下に限定するものではない。また、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる例示にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。
＜第１実施形態＞
図１に、本実施形態に係る発光装置１００を発光面側から見た図を示す。なお、図１においては構成をわかりやすくするために、反射膜の表面（第１領域）２４Ａ，２５Ａに広い間隔でハッチングを施し、分離表面（第２領域）２４Ｂ，２５Ｂに狭い間隔でハッチングを施している（図４、図６も同様である。）。また、図２は、発光装置１００の概略断面図である（図１のＸ−Ｘにおける断面図である）。各図に示すように、発光装置１００は、側壁３１を有する樹脂部３０、第１のリード２４及び第２のリード２５を含むパッケージ２０と、側壁３１の内側において第１のリード２４に配置された１以上の発光素子１０と、側壁３１の内側において樹脂部３０、第１のリード２４及び発光素子１０を被覆する保護膜５０と、を備える。保護膜５０は、第１のリード２４及び発光素子１０だけではなく、側壁３０の内側全体を覆っている。したがって、側壁３０の内側に露出する第２のリード２５の表面及び樹脂部３０の基部３２の表面も保護膜５０により覆われる。
以下、パッケージ２０の構成、発光装置１００の全体構成を説明する。
第１実施形態の発光装置１００において、パッケージ２０は、第１のリード２４及び第２のリード２５と、実装される発光素子の周りを囲む側壁３１と第１のリード２４及び第２のリード２５を電気的に分離して保持する基部３２とを有する樹脂部３０とを含む。
第１のリード２４は、金属からなる母材２１ａと母材２１ａの上面に形成された銀を含む反射膜２２ａとを有し、側壁３１の内側に反射膜２２ａが露出するように樹脂部３０に埋設されている。また、第２のリード２５は、側壁３１の内側に少なくとも表面の一部が露出し、かつ第１のリード２４と電気的に分離されるように樹脂部３０に埋設されている。ここで、第１実施形態のパッケージ２０において、第１のリード２４と同様、第２のリード２５は、金属からなる母材２１ｂと母材２１ｂの上面に形成された反射膜２２ｂとを含み、反射膜２２ｂは側壁３１の内側に露出される。
また、第１のリード２４において、反射膜２２ａは、第１のリード２４が樹脂部３０に埋設されたときに、第１のリード２４と樹脂部３０との境目から内側に離間して露出するように形成されている。第１のリード２４において、第１のリード２４が樹脂部３０に埋設されたときに、第１のリード２４と樹脂部３０との境目と反射膜２２ａの間に露出された表面（以下、分離表面という）は、反射膜２２ａより銀の含有量が少ない金属の表面からなっている。なお、本明細書において、銀の含有量が少ない金属には、銀を含んでいない金属も含むものとする。第１実施形態では、母材２１ａを銀を含まない金属により構成し、その母材２１ａの表面を露出させて分離表面としている。
また、第１実施形態では、第２のリード２５も第１のリード２４と同様に構成している。
すなわち、第２のリード２５において、反射膜２２ｂは、第２のリード２５が樹脂部３０に埋設されたときに、第２のリード２５と樹脂部３０との境目から内側に離間して露出するように形成されている。そして、第２のリード２５において、第２のリード２５が樹脂部３０に埋設されたときに、第２のリード２５と樹脂部３０との境目と反射膜２２ｂの間に露出された表面（以下、分離表面という）は、反射膜２２ｂより銀の含有量が少ない金属の表面からなっている。具体的には、第１実施形態では、第１のリード２４と同様、母材２１ｂを銀を含まない金属により構成し、その母材２１ｂの表面を露出させて分離表面としている。
以上のように構成された第１実施形態のパッケージ２０において、側壁３１の内側を発光面側から見たときに、２つの第１と第２のリード２４，２５のそれぞれが、各リードと樹脂部３０との境目から内側に離間して配された銀を含む反射膜の表面（第１領域）２４Ａ，２５Ａと、第１と第２のリード２４，２５と樹脂部３０との境目に隣接し反射膜の表面（第１領域）２４Ａ，２５Ａを囲むように配された反射膜２２ａ，２２ｂより銀の含有量が少ない金属の表面からなる分離表面（第２領域）２４Ｂ，２５Ｂと、を有する。
発光装置１００は、第１実施形態の発光装置用パッケージ２０と、第１のリード２４の反射膜２２ａ上に設けられた１以上の発光素子１０と、第１のリード２４、発光素子１０及び樹脂部３０の基部３２を被覆する保護膜５０と、を有する。
以上のように構成された発光装置は、反射膜２２a,２２ｂの硫化を抑制することができるので、長時間にわたり高いレベルで出力を維持できる発光装置とすることができる。以下、この点について詳細に説明する。
まず、発光装置１００では、保護膜５０により第１と第２のリード２４，２５が被覆されているので、理論的には、劣化を誘発する元素に第１と第２のリード２４，２５が晒される恐れはないはずである。しかし実際は、樹脂部３０と第１と第２のリード２４，２５との境目まで銀を多く含む金属の表面が形成されていると、その境目付近に存在する銀がまず最初に硫化され、その後硫化が全体に拡がっていく傾向にある。これは、樹脂部３０の材料となる樹脂と第１と第２のリード２４，２５の材料となる金属との間における熱膨張率の差が大きいために、その界面で保護膜５０に亀裂が生じ、銀の硫化を誘発するためと考えられる。そして、さらに時間が経過すると、硫化が第１と第２のリード２４，２５の内側にまで進行してしまい、さらに出力が低下する場合もある。
そこで、本実施形態では、銀を含む反射膜の表面（第１領域）２４Ａ，２５Ａの他に、反射膜２２ａ，２２ｂよりも銀の含有量が少ない（本実施形態では銀を含まない）金属の表面からなる分離表面（第２領域）２４Ｂ，２５Ｂを反射膜の表面（第１領域）２４Ａ，２５Ａの周辺に設けている。つまり、本来であれば硫化しやすい樹脂部３０に隣接する第１と第２のリード２４，２５の表面部分に、反射膜２２ａ，２２ｂよりも銀の含有量が少ない（本実施形態では銀を含まない）金属の表面からなる分離表面（第２領域）２４Ｂ，２５Ｂを設けている。これにより、第１と第２のリード２４，２５表面における硫化の発生を抑制することができる。これにより、時間経過にともなって硫化が内側に進行するという問題も軽減することができる。
以上説明したことから明らかなように、第１実施形態の発光装置用パッケージ２０を用いて、第１のリード２４の反射膜２２ａ上に１以上の発光素子１０を設け、第１のリード２４、発光素子１０及び樹脂部３０の基部３２を被覆する保護膜５０を形成することにより、反射膜の硫化を抑制することが可能になる。
これにより、長期間にわたり高い光出力を維持できる発光装置を提供することが可能になる。
以下に、発光装置１００の主な構成要素を説明する。本明細書では、説明の便宜上、発光装置１００の発光面側（図２の上方）を上側とし、それと反対の側（図２の下方）を下側とする。
（発光素子１０）
発光素子１０としては、例えばＬＥＤ（発光ダイオード）を用いることができる。本実施形態に用いている発光素子１０は、例えば、窒化物半導体からなる青色発光が可能なＬＥＤである。発光素子１０は、図１及び図２に示すように、ｐ電極（正電極）及びｎ電極（負電極）の両方が上面側（同一面側）に設けられており、それぞれワイヤ４０を介して第１と第２のリード２４，２５とに電気的に接続されている。
なお、ここでは１つの発光装置に複数の発光素子１０を用いて構成しているが、１つの発光装置に１つの発光素子１０を用いて構成することもできる。さらに、半導体部を介して半導体部の一方の側にｐ電極が形成され、他方の側にｎ電極が形成された発光素子１０を用いることもできる。もちろん、青色以外の発光色の発光素子１０を用いてもよい。
（第１と第２のリード２４，２５）
発光装置１００は、それぞれ金属よりなる２つの第１と第２のリード２４，２５を有する。各第１と第２のリード２４，２５に使用する材料、構成、大きさ等は同一であってもよいし、異なっていてもよい。
発光装置１００では、平面視において、側壁３１の内側に樹脂部３０から露出された２つの第１と第２のリード２４，２５が、樹脂部３０の一部（樹脂部の基部３２）を介して、互いに対向するように設けられている（図１及び図２参照）。第１と第２のリード２４，２５はそれぞれ、側壁３１の内側において、第１と第２のリード２４，２５と樹脂部３０との境目から内側に離間して配された銀を含む反射膜２２ａ，２２ｂの表面（第１領域）２４Ａ，２５Ａと、第１と第２のリード２４，２５と樹脂部３０との境目に隣接し反射膜の表面（第１領域）２４Ａ，２５Ａを囲むように配された反射膜よりも銀の含有量が少ない金属の表面からなる分離表面（第２領域）２４Ｂ，２５Ｂと、を有している。図１及び図２に示すように、反射膜の表面（第１領域）２４Ａ，２５Ａは第１と第２のリード２４，２５と樹脂部３０との境目から完全に離間して配置され、分離表面（第２領域）２４Ｂ，２５Ｂは反射膜の表面（第１領域）２４Ａ，２５Ａの周囲全体を取り囲むように配置されている。
発光装置１００においては、２つの第１と第２のリード２４，２５はそれぞれ、母材２１ａ，２１ｂと、母材２１ａ，２１ｂ上に部分的に形成された反射膜２２ａ，２２ｂと、を有する。なお、ここでいう「発光面側から見て」とは、反射膜の表面（第１領域）２４Ａ，２５Ａおよび分離表面（第２領域）２４Ｂ，２５Ｂを発光面側から直接視認できるもののみならず、他の部材により被覆されて直接視認できないものも含むこととする。例えば側壁３１の内側に蛍光部材を多く含む封止部材６０を充填すると、反射膜の表面（第１領域）２４Ａ，２５Ａおよび分離表面（第２領域）２４Ｂ，２５Ｂを発光面側から直接視認できない場合がある。このような場合も、封止部材６０の下方に反射膜の表面（第１領域）２４Ａ，２５Ａおよび分離表面（第２領域）２４Ｂ，２５Ｂに相当する領域があれば本発明の範囲内とする。
発光装置１００では、２つの第１と第２のリード２４，２５それぞれに反射膜の表面（第１領域）２４Ａ，２５Ａ（反射膜２２）を設けているが、どちらか一方にのみ反射膜の表面（第１領域）２４Ａ，２５Ａを設けることもできる。
母材２１ａ，２１ｂとしては、例えば銅、銅合金、鉄、鉄合金又はアルミニウムを板状に加工したものを用いることができる。
反射膜２２ａ，２２ｂの表面には銀が分布するが、銀は反射率は高いものの硫化しやすい材料である。しかし、発光装置１００では、分離表面（第２領域）２４Ｂ，２５Ｂの存在により反射膜２２ａ，２２ｂの硫化を抑制できるので、銀の高い反射率を最大限に活かしかつ長期間維持することができる。
本実施形態では、光を反射するための反射膜の表面（第１領域）２４Ａ，２５Ａを大きく確保するために、樹脂部３０と第１と第２のリード２４，２５の境目に沿うようにして、一定の幅で分離表面（第２領域）２４Ｂ，２５Ｂを形成している。分離表面（第２領域）２４Ｂ，２５Ｂの幅は、通常の発光素子１０の大きさを前提とした場合、１μｍ以上２０μｍ以下、好ましくは３μｍ以上１０μｍ以下、より好ましくは３μｍ以上５μｍ以下、とすることができる。幅を一定以上とすることで反射膜２２ａ，２２ｂ形成時にマスクの位置合わせがばらついたとしても不良品の発生を軽減でき、幅を一定以下とすることにより反射膜の表面（第１領域）２４Ａ，２５Ａを大きくとることができる。
反射膜２２ａ，２２ｂの膜厚は、０．１μｍ以上１０μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以上５μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以上３．５μｍ以下、とすることができる。厚みを一定以上とすることでワイヤ４０の形成が容易となり、厚みを一定以下とすることにより硫化抑制の効果がより顕著となる。
反射膜２２ａ，２２ｂは、スパッタ法等公知の方法により形成することができるが、電気めっき法で形成するのが好ましい。この際、分離表面（第２領域）２４Ｂ，２５Ｂをマスキングすることで、所定の位置のみに反射膜２２ａ，２２ｂ（第１領域２４Ａ，２５Ａ）を形成することができる。これにより、反射膜２２ａ，２２ｂ形成時における銀の使用量を減らすことができるため、製造コストを削減することができる。
反射膜の表面（第１領域）２４Ａ，２５Ａには、発光素子１０が載置されている。発光素子１０を反射膜の表面（第１領域）２４Ａ，２５Ａに載置することにより、発光素子１０の発光面側に出ない光（発光素子１０から側方や下方に出る光）も上方に反射させて取り出すことができるため、発光装置の出力を向上させることができる。
また、発光装置１００では、母材２１ａ，２１ｂと、母材２１ａ，２１ｂの表面に部分的に形成された反射膜２２ａ，２２ｂと、により第１と第２のリード２４，２５を構成した。しかしながら、本発明では、分離表面が銀の含有量の少ない金属の表面により構成されていればよい。したがって、図３の断面図で示すように、母材２１と、母材２１ａ，２１ｂを被覆しており反射膜より銀の含有量が少ない金属からなる被覆膜２３ａ，２３ｂと、被覆膜２３ａ，２３ｂに部分的に形成された反射膜２２ａ，２２ｂと、により第１と第２のリード２４，２５を構成することもできる。この場合、側壁３１の内側を発光面側から見たときに、被覆膜２３ａ，２３ｂにおける反射膜２２ａ，２２ｂが形成されていない表面が分離表面（第２領域）２４Ｂ，２５Ｂに対応する。つまり、この場合においては、図１の上面視における分離表面（第２領域）２４Ｂ，２５Ｂは、被覆膜２３が露出していることとなる。
図３に示す構成では、例えば、母材２１ａ，２１ｂを銀を含んでいない金属で構成し、被覆膜２３ａ，２３ｂを、反射膜２２ａ，２２ｂよりも銀の含有量が少なくかつ母材２１ａ，２１ｂより銀の含有量が多い金属により構成することもできる。このように、被覆膜２３ａ，２３ｂを、反射膜２２ａ，２２ｂより銀の含有量が少なく、母材２１ａ，２１ｂより銀の含有量が多い金属により構成することにより、劣化抑制の効果は薄れるものの、出力の低下を抑制することができる。これは、分離表面（第２領域）２４Ｂ，２５Ｂに反射率の高い銀を含有させたことにより、母材２１ａ，２１ｂに吸収される光を低減することができるためである。
被覆膜２３ａ，２３ｂは、主として、母材２１ａ，２１ｂを被覆し反射率を上げるために設けられるものである。したがって、被覆膜２３ａ，２３ｂとしては、例えばニッケル、パラジウム、金、或いは銀合金等を用いることができるが、反射膜の表面（第１領域）２４Ａ，２５Ａよりも少ない含有量で銀を含む銀合金を用いるのが好ましい。被覆膜２３ａ，２３ｂは、単一の層から構成されていてもよいし、反射膜２２ａ，２２ｂと異なる１以上の導電膜が積層された複数の層から構成されていてもよい。
（樹脂部３０）
発光装置１００における樹脂部３０は樹脂よりなり、通常、第１と第２のリード２４，２５と一体的に形成される。発光装置１００における樹脂部３０は基部３２及び側壁３１を有し、側壁３１が突出することにより凹部が形成されている。また、発光装置１００では、封止部材６０を形成するときに、封止部材６０が側壁３１を越えて流出するのを抑制するための溝を側壁３０に設けているが、溝は設けなくともよい。
樹脂部３０の材料としては、耐光性、耐熱性に優れた電気絶縁性のものが用いられ、例えばポリフタルアミドなどの熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂を用いることができる。
（ワイヤ４０）
ワイヤ４０は、発光素子１０と第１と第２のリード２４，２５とを電気的に接続するためのものである。ワイヤ４０の材料としては、金、銀、銅、白金、アルミニウム等を含む金属を用いたものが挙げられるが、特に、反射率の高い銀を用いるのが好ましい。なお、ワイヤ４０の径は特に限定されず、目的及び用途に応じて適宜選択することができる。
発光装置１００では、複数の発光素子１０が第１のリード２４上に形成された反射膜２２ａの上に設けられており、発光素子１０のｐ電極及びｎ電極の一方の電極が第１のリード２４にワイヤ４０により電気的に接続され、他方の電極がワイヤ４０により第２のリード２５に電気的に接続される。図１に示す第１実施形態では、第１のリード２４と第２のリード２５の間に複数の発光素子を並列に接続するようにしたが、種々の接続方法を採用することができる。例えば、全ての発光素子１０を直列に接続してもよいし、複数の発光素子１０が直列に接続された直列回路と複数の発光素子１０が直列に接続された直列回路とを並列に接続することもできる。
ワイヤ４０は公知の方法により形成することができるが、接続強度に優れるボールボンディングにより形成することが好ましい。ワイヤ４０の始端部と終端部は任意に設定することができるが、ワイヤ４０の始端部を発光素子１０（正確には発光素子１０の電極部）とし終端部を第１と第２のリード２４，２５（正確には第１と第２のリード２４，２５反射膜の表面（第１領域）２４Ａ，２５Ａ）とする場合、終端部となる第１と第２のリード２４，２５に予めボールを形成して、次に、始端部となる発光素子１０にワイヤ４０をボンディングしてからキャピラリを終端部に移動させボール上でワイヤ４０を終端させる（切断する）ことができる。ここで、最終的に封止部材６０をワイヤ４０の周囲に充填すると、封止部材６０の熱膨張によりワイヤ４０が上方に引っ張られる場合がある。しかし、予め第１と第２のリード２４，２５にボールを形成するこの手法であれば、上方に引っ張られたとしても、ボールとボンディング面となる反射膜の表面（第１領域）２４Ａ，２５Ａとの間に隙間が生じにくいので、反射膜の表面（第１領域）２４Ａ，２５Ａ上で保護膜５０に亀裂が生じて反射膜の表面（第１領域）２４Ａ，２５Ａが硫化することを抑制することができる。
（保護膜５０）
保護膜５０は、反射膜２２ａ，２２ｂの劣化を抑制するためのものであり、通常は、側壁３１の内側に露出した第１と第２のリード２４，２５及びその間に介在する樹脂部３０の基部３２の一部を連続的に被覆する。また、保護膜５０は、ワイヤ４０の表面及び樹脂部３０の側壁３１等にも形成することができる。保護膜５０の材料としては、酸化アルミニウム、酸化ケイ素などの無機材料を用いることができる。
保護膜５０は、例えば原子層堆積法（以下、単に「ＡＬＤ」（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）ともいう））により形成することができる。ＡＬＤにより形成することで、スパッタや蒸着等と比較して、良質な保護力に優れる保護膜５０を形成することができる。また、ＡＬＤで形成した保護膜５０は良質であるが故に、保護膜５０の直下における第１と第２のリード２４，２５の硫化は大幅に抑えられるものの、第１と第２のリード２４，２５と樹脂部３０の境目において保護膜５０に亀裂が入った場合はその近傍が起点になって硫化が始まってしまう。これに対して、第１実施形態の発光装置１００では、たとえ保護膜５０に亀裂が入ったとしても分離表面（第２領域）２４Ｂ，２５Ｂにより硫化の起点になる部分の銀が少ない（銀が無い）ので第１と第２のリード２４，２５の硫化を効果的に抑えることができる。したがって、本発明はＡＬＤによる保護膜５０を採用する場合に特に有効である。なお、保護膜５０をＡＬＤにより形成する場合、保護膜５０は図２に示した部位だけではなく、ワイヤ４０の表面及びパッケージ２０の表面全体（側壁３１の表面、側壁の外側及びパッケージの裏側に露出する各リード及び樹脂部３０の表面を含む）に形成される。この場合であっても、パッケージの裏側に露出する各リード及び樹脂部３０の表面に形成された保護膜は、例えば、ブラスト処理等により除去することができる。ワイヤ４０の表面及び側壁３１の表面に形成された保護膜は、除去することなく残しておいてもよい。
また、保護膜５０を形成した後に、分離表面（第２領域）２４Ｂ，２５Ｂに形成された保護膜をさらに覆うように、反射部材を設けることもできる。これにより、反射部材がない場合に比べて光取出し効率を向上させることができる。つまり、本来であれば、発光素子からの光の一部は分離表面（第２領域）２４Ｂ，２５Ｂで吸収されるが、反射部材を設けておけば、その光を発光面側に反射させることができる。この場合、反射部材を設けることによって保護膜に亀裂が入らないように、反射部材の材料及び形成方法を選択する必要がある。例えば、反射部材と保護膜５０との密着力が保護膜５０と反射膜２２ａ，２２ｂとの密着力よりも弱くなるようにすることで、保護膜に亀裂が生じることを防止することができる。反射部材の具体例としては、光反射性のフィラーを含有した樹脂などがあげられる。
（封止部材６０）
樹脂部３０の側壁３１の内側には封止部材６０を充填することができる。封止部材６０は、発光素子１０からの光を外部に透過するものであればその材料は限定されない。封止部材６０の材料としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂材料を用いることができる。
封止部材６０には、発光素子１０からの光により発光する蛍光部材を含有させることもできる。蛍光部材としては公知のものを用いることができ、発光素子１０が青色発光する場合は、黄色に発光するＹＡＧ系蛍光体、ＬＡＧ系蛍光体、ＴＡＧ系蛍光体、ストロンチウムシリケート系蛍光体等とすることで、発光装置全体として白色光を得ることができる。
さらに、封止部材６０には、光散乱材を含有させることもできる。光散乱材を含有させることにより、色むらを抑制した発光装置１００とすることができる。光散乱材としては例えば、酸化ケイ素や、酸化アルミニウム等を用いることができる。
＜第２実施形態＞
図４に、第２実施形態に係る発光装置２００を発光面側から見た図を示す。また、図５は、図４のＸ−Ｘにおける概略断面図であり、母材２１ａ，２１ｂ、反射膜２２ａ，２２ｂ、樹脂部３０及び封止部材６０の概略構成を示している。発光装置２００は、次に説明する事項以外は、第１実施形態において記載した事項と実質的に同一である。
発光装置２００では、側壁３１の内側を発光面側から見た際に、複数の発光素子１０が第１のリード２４上と、第２のリード２５上とに配置されている。また、第１のリード２４と第２のリード２５の間に形成された樹脂部の基部３２の幅が第１実施形態に比較して狭くなっており、第１のリード２４上に設けられた発光素子１０と第２のリード２５上に設けられた発光素子１０の距離が離れすぎないようにしている。
これにより、第１実施形態と同様に反射膜２２ａ，２２ｂの硫化抑制による光出力の低下が軽減されることに加え、側壁３１の内側において発光素子１０をより均一に配置することができるので発光むらも抑制することができる。
＜第３実施形態＞
図６に、本実施形態に係る発光装置３００を発光面側から見た図を示す。また、図７は、図６のＸ−Ｘにおける概略断面図であり、母材２１ａ、反射膜２２ａ、樹脂部３０及び封止部材６０の概略構成を示している。さらに、発光装置３００で用いられる第１と第２のリード２４，２５の構成について理解を容易にするため、図８に第１と第２のリード２４，２５のみの斜視図を示す（図８に示す第２のリード２５の左奥端部が図６及び図７の左端部に相当し、図８に示す第１のリード２４の右手前端部が図６及び図７の右端部に相当する。）。なお図８においては、構成をわかりやすくするために反射膜２２ａの表面（第１領域）２４Ａにハッチングを施している。発光装置３００は、次に説明する事項以外は、第１実施形態において記載した事項と実質的に同一である。
発光装置３００において、側壁３１は、断面視した際に、底面３３よりも外側でありかつ発光面側に設けられた中間面３４を有して階段状になっている。つまり、中間面３４を境にして上部と下部に分けると、側壁３１の内周面は下部の内寸法よりも上部の内寸法の方が大きくなっている。
側壁に囲まれた底面３３には、一方の第１のリード２４のみが露出しており、他方の第２のリード２５は露出していない。また、底面３３において露出した第１のリード２４の表面の一部には反射膜２２ａが設けられており、反射膜２２ａの表面（第１領域）２４Ａに複数の発光素子１０が載置されている。さらに、第１のリード２４の一部は、接続用表面２４Ｂ２として中間面３４に露出しており、中間面３４にはワイヤの一端が接続される。具体的には、接続用表面２４Ｂ２は、中間面３４から露出するように反射膜２２ａの表面より発光面側に突出するように形成されている。また、第２のリード２５の一部は、第１のリード２４と同様に、接続用表面２５Ｂ２として発光面側に突出しており、中間面３４から露出し、その接続用表面２５Ｂ２にワイヤの一端が接続される。なお、中間面３４で露出する接続用表面には反射膜の表面（第１領域）２４Ａ，２５Ａが形成されていない。このようにしたのは、発光素子１０からの光が直接照射される領域ではなく、光出力の向上の効果はそれほど見込めないためである。しかしながら、第３の実施形態では、中間面３４に露出させる接続用表面に反射膜の表面（第１領域）２４Ａ，２５Ａ及び分離表面（第２領域）２４Ｂ、２５Ｂを形成してもよい。
以上のように構成された第３実施形態の発光装置によれば、底面３３において樹脂部３０の一部を露出させる必要がなく、その全域において一方の第１のリード２４のみを露出させればよい。したがって、反射膜の表面（第１領域）２４Ａを広く確保することができるので、発光素子１０を数多く載置させることにより光出力を向上させ、複数の発光素子１０をより均一に配置することにより発光むらを抑制することが可能となる。
さらに、発光装置３００では、側壁３１の内側において、下部に蛍光部材が分散された蛍光部材含有樹脂６１が充填され、上部に光散乱材が分散された光散乱材含有樹脂６２が充填されている。このとき、光散乱材含有樹脂は蛍光体を実質的に含まない。なお、ここでいう「蛍光体を実質的に含まない」とは、全く蛍光体を含んでいない場合はもとより、微量に蛍光体を含んでいて、発光素子１０によって出射される光の吸収が確認されない場合も含むことを意味する。これにより、波長変換した光をさらに拡散させることができるため、配光むらを抑制することができる。
本発明に係る発光装置は、照明用光源、ディスプレイ用光源等、種々の発光装置に使用することができる。
１００、２００、３００・・・発光装置
１０・・・発光素子
２０・・・発光装置用パッケージ
２１ａ，２１ｂ・・・母材
２２ａ，２２ｂ・・・反射膜
２３ａ，２３ｂ・・・被覆膜
３０・・・樹脂部
３１・・・側壁
３２・・・基部
３３・・・底面
３４・・・中間面
４０・・・ワイヤ
５０・・・保護膜
６０・・・封止部材
６１・・・蛍光部材含有樹脂
６２・・・光散乱材含有樹脂
２４Ａ，２５Ａ・・・反射膜の表面（第１領域）
２４Ｂ，２５Ｂ・・・分離表面（第２領域）

Claims (8)

  1. （ａ）側壁を有する樹脂部と、
    銀を含む反射膜を有してなり、前記側壁の内側に前記反射膜が露出するように前記樹脂部に埋設された第１のリードと、
    前記側壁の内側に少なくとも表面の一部が露出されかつ前記第１のリードと分離して前記樹脂部に埋設された第２のリードと、を備え、
    前記第１のリードにおいて、
    前記反射膜は前記第１のリードと前記樹脂部との境目から内側に離間して設けられており、前記境目と前記反射膜の間に露出された分離表面は、前記反射膜より銀の含有量が少ない金属の表面からなりかつ一定の幅で形成されている発光装置用パッケージと、
    （ｂ）前記反射膜上に設けられた１以上の発光素子と、
    （ｃ）前記第１のリード及び前記発光素子を被覆する保護膜と、
    を含むことを特徴とする発光装置。
  2. 前記第１のリードは母材と該母材の上に形成された前記反射膜とを有してなり、
    前記分離表面は、前記母材の表面を含むことを特徴とする請求項１記載の発光装置。
  3. 前記第１のリードは、母材と該母材の上に形成された被覆膜と該被覆膜上に形成された前記反射膜とを有してなり、
    前記分離表面は、前記被覆膜の表面を含むことを特徴とする請求項１記載の発光装置。
  4. 前記反射膜は、電気めっき法により形成されてなる請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
  5. 前記第２のリードは、銀を含む第２反射膜を有してなり、前記第２のリードは前記側壁の内側に前記第２反射膜が露出するように前記樹脂部に埋設されており、
    前記第２反射膜は前記第２のリードと前記樹脂部との境目から内側に離間して設けられており、前記境目と前記第２反射膜の間に露出された第２分離表面は、前記第２反射膜より銀の含有量が少ない金属の表面からなる請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
  6. 前記反射膜及び前記第２反射膜は、電気めっき法により形成されてなる請求項５に記載の発光装置。
  7. 前記反射膜上と前記第２反射膜上とにそれぞれ設けられた１以上の発光素子と、
    前記第１と第２のリード及び前記発光素子を被覆する保護膜と、
    を含むことを特徴とする請求項５又は６に記載の発光装置。
  8. 前記保護膜は、原子層堆積法により形成されてなることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の発光装置。
JP2014069851A 2013-04-18 2014-03-28 発光装置用パッケージ及び発光装置 Active JP6303715B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014069851A JP6303715B2 (ja) 2013-04-18 2014-03-28 発光装置用パッケージ及び発光装置
EP14164882.4A EP2793278B1 (en) 2013-04-18 2014-04-16 Package for a light emitting device, and light emitting device including the same
US14/255,315 US9048390B2 (en) 2013-04-18 2014-04-17 Package for light emitting device, and light emitting device

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013087488 2013-04-18
JP2013087488 2013-04-18
JP2014069851A JP6303715B2 (ja) 2013-04-18 2014-03-28 発光装置用パッケージ及び発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014225646A JP2014225646A (ja) 2014-12-04
JP6303715B2 true JP6303715B2 (ja) 2018-04-04

Family

ID=50479103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014069851A Active JP6303715B2 (ja) 2013-04-18 2014-03-28 発光装置用パッケージ及び発光装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9048390B2 (ja)
EP (1) EP2793278B1 (ja)
JP (1) JP6303715B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6648467B2 (ja) * 2014-12-25 2020-02-14 日亜化学工業株式会社 発光装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4530739B2 (ja) * 2004-01-29 2010-08-25 京セラ株式会社 発光素子搭載用基板および発光装置
JP2006319109A (ja) * 2005-05-12 2006-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置用リードフレームおよびそれを用いた半導体装置用パッケージとその製造方法
JP2009534799A (ja) * 2006-04-18 2009-09-24 ラミナ ライティング インコーポレーテッド 制御された色混合のための光学デバイス
JP5060074B2 (ja) * 2006-05-11 2012-10-31 東レ・ダウコーニング株式会社 接着促進剤、硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および半導体装置
JP5060172B2 (ja) * 2007-05-29 2012-10-31 岩谷産業株式会社 半導体発光装置
JP4962270B2 (ja) * 2007-10-31 2012-06-27 日亜化学工業株式会社 発光装置及びこれの製造方法
JP2009224538A (ja) 2008-03-17 2009-10-01 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置
US8525214B2 (en) * 2008-03-25 2013-09-03 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader with thermal via
US8314438B2 (en) * 2008-03-25 2012-11-20 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bump/base heat spreader and cavity in bump
JP2010239043A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Citizen Holdings Co Ltd Ｌｅｄ光源及びｌｅｄ光源の製造方法
JP2011187587A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Seiko Instruments Inc 発光デバイス
JP5864089B2 (ja) * 2010-08-25 2016-02-17 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US20120098006A1 (en) * 2010-10-22 2012-04-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light emitting diode package with photoresist reflector and method of manufacturing
JP5049382B2 (ja) * 2010-12-21 2012-10-17 パナソニック株式会社 発光装置及びそれを用いた照明装置
JP5736770B2 (ja) * 2010-12-27 2015-06-17 大日本印刷株式会社 Ｌｅｄ用基板とその製造方法および半導体装置
JP5682340B2 (ja) * 2011-02-01 2015-03-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP5875816B2 (ja) * 2011-07-11 2016-03-02 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP6203478B2 (ja) * 2012-06-06 2017-09-27 日立化成株式会社 光半導体装置、その製造方法、その製造に用いる基体およびリフレクタ成型体
JP6203479B2 (ja) * 2012-06-06 2017-09-27 日立化成株式会社 光半導体装置、その製造方法、その製造に用いる基体およびリフレクタ成型体

Also Published As

Publication number Publication date
US9048390B2 (en) 2015-06-02
EP2793278B1 (en) 2020-08-05
EP2793278A2 (en) 2014-10-22
US20140312364A1 (en) 2014-10-23
EP2793278A3 (en) 2015-10-28
JP2014225646A (ja) 2014-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6106120B2 (ja) 半導体発光装置
JP6604786B2 (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
JP6688007B2 (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
JP6545981B2 (ja) 半導体発光装置
JP6045999B2 (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
JP2015195332A (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
TWI514631B (zh) Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof
JP6182050B2 (ja) 半導体発光装置
JP6185415B2 (ja) 半導体発光装置
JP2016058689A (ja) 半導体発光装置
US20150280093A1 (en) Light emitting device, method for manufacturing same, and body having light emitting device mounted thereon
JP2016171188A (ja) 半導体発光装置とその製造方法
JPWO2016093325A1 (ja) 発光装置
JP2017055037A (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
US20140063822A1 (en) Wiring board, light-emitting device, and method of manufacturing the wiring board
US20150076541A1 (en) Light-emitting device
JP6303715B2 (ja) 発光装置用パッケージ及び発光装置
JP2018088485A (ja) 発光装置
JP2013089834A (ja) 発光装置
JP6619966B2 (ja) 半導体発光装置
JP2016058551A (ja) 半導体発光装置
JP2015188039A (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
TWI632702B (zh) 發光裝置
JP7181489B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
US10199550B2 (en) Light-emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20160217

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160926

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170614

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170704

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170901

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171107

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171222

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180206

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180219

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6303715

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250