JP4962270B2 - 発光装置及びこれの製造方法 - Google Patents
発光装置及びこれの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4962270B2 JP4962270B2 JP2007283410A JP2007283410A JP4962270B2 JP 4962270 B2 JP4962270 B2 JP 4962270B2 JP 2007283410 A JP2007283410 A JP 2007283410A JP 2007283410 A JP2007283410 A JP 2007283410A JP 4962270 B2 JP4962270 B2 JP 4962270B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- emitting device
- emitting element
- reflective layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 122
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 47
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 47
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- 229920000592 inorganic polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 89
- 239000000463 material Substances 0.000 description 43
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 28
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 19
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 238000005486 sulfidation Methods 0.000 description 2
- XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N sulfur monoxide Chemical compound S=O XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NYZGMENMNUBUFC-UHFFFAOYSA-N P.[S-2].[Zn+2] Chemical compound P.[S-2].[Zn+2] NYZGMENMNUBUFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007977 PBT buffer Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007637 SnAg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007116 SnPb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- UAHZTKVCYHJBJQ-UHFFFAOYSA-N [P].S=O Chemical compound [P].S=O UAHZTKVCYHJBJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- TXKMVPPZCYKFAC-UHFFFAOYSA-N disulfur monoxide Inorganic materials O=S=S TXKMVPPZCYKFAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
図1および図2は、実施の形態に係る発光装置10、20の模式断面図である。図1と図2に示す各発光装置10、20は、発光素子11の実装方法のみが相違しており、他の構造は実質的に同一である。すなわち図1の例では、電極形成面側を主光取出し面とするフェイスアップ実装にて、また図2の例では電極形成面と対向する成長基板側を主光取出し面とするフリップチップ実装にて、各々搭載されている。
また、実施の形態1に係る発光素子11では、窒化物半導体素子の一例であるLEDチップを採用している。その他、発光素子11は公知のものを適宜利用できるが、蛍光物質を備えた発光装置とするとき、その蛍光物質を励起する光を発光可能な半導体発光素子が好ましい。このような半導体発光素子として、ZnSeやGaNなど種々の半導体を挙げることができるが、蛍光物質を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体(InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)が好適にあげられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。本実施の形態で用いられている発光素子11は、同一面側に正および負の電極が形成されているが、対応する面に正および負の電極がそれぞれ形成されているものであってもよい。また、正および負の電極は、必ずしも1つずつ形成されていなくてもよく、それぞれ2つ以上形成されていてもよい。
また、発光素子11において、接合部材18との接続領域を除く略全面に、絶縁性の保護膜9を形成できる保護膜9にはSiO2、TiO2、Al2O3、ポリイミド等が利用できる。特に保護膜として、SiO2を採用することが好ましい。なぜなら、後述するガラス体15及び透光性樹脂16と同様のケイ素材質を有する保護膜は、各部材の界面での屈折率差を近接させて、各界面での光の全反射または乱反射を抑制できるからである。この結果、発光装置における光取り出し効率が向上し、好適である。
図1、図2に示す発光装置10、20において、支持体13は、その上方に発光素子11を固定可能であって、かつ表面に導電性部材12及び反射層14を保持することが可能であれば、材質は特に限定されない。なかでも、セラミック、乳白色の樹脂等、絶縁性および遮光性を有する材料でもって構成されることが好ましい。一方で、支持体13は熱源となりうる発光素子11の近傍に位置するため、熱伝導性に優れた材質であって、外部に放熱可能な構造とすることもできる。この場合の材質としては例えば、銅、銅合金、アルミニウム等が挙げられる。さらに、支持体13を導電性部材12と同部材とすることもできる。これにより一の支持体13でもって、発光素子11を固定可能な基台と、外部電極と電気的に接続可能な導電性部材12との双方の役割を担うことができ、工程を簡略化して歩留まりの向上につながる。
支持体13の表面に形成される導電性部材12は、導電性であれば特に限定されず、発光素子11との電気的な接続に用いる部材との接着性及び電気伝導性が良好なものとする。導電性部材12の具体的な電気抵抗としては、300μΩ−cm以下が好ましく、より好ましくは3μΩ−cm以下である。材質としては、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属又は鉄−ニッケル合金、燐青銅等の合金等が挙げられる。
また、導電性部材12の最表面には、メッキ等の加工により反射層14が形成される。これにより発光素子11からの出射光を、反射層14でもって、光取り出し方向へと効率よく反射させて、発光装置の集光能力を高められる。図1及び図2に示すように、反射層14は、発光素子11の近傍に位置するため、反射層14による光の反射は、発光装置の光出力、発光色に大きく影響を与える。したがって、反射層14は反射特性の高い材質から構成されることが好ましく、例えば光反射率の高い銀を含有する金属で構成されることが好ましい。
また、図1及び図2の例では、導電性部材12の表面に形成された反射層14上に、接合部材(図示していない)を用いて発光素子11が載置されている。図1の例では、発光素子11が載置される部材は反射層14に限定されず、例えば、導電性部材12や支持体13の表面に直接固定されていてもよいし、これらの固定場所との間にヒートシンクを介してもよい。この際、発光視認側からの平面視において、発光素子11の被固定部材の露出面における、反射層14の形成領域を大きくすることが好ましい。
本発明の実施の形態に係る発光装置は、上述の通り、発光素子11および反射層14は、ガラス体15によって被覆されており、言い換えると、透光性樹脂16と、発光素子11及び反射層14との界面にはガラス体15が介在されている。このガラス体15は、透光性樹脂16側の疎な上部層15aと、反射層14側の密な下部層15bとを有している。このようなガラス体15は、各部材との熱膨張差により発生する熱応力の影響を受けることなく、厳しい使用環境下においても長期にわたって高いガスバリア性を保持することができる。このようなガラス体15を反射層14と透光性樹脂16との間に介在させることにより、各構成部材の劣化が防止され、高い出力を保持することが可能な発光装置を得ることができる。また、ガラス体15は、上部層15aの空隙中に透光性樹脂16を有していることが好ましく、これによりガラス体にかかる熱応力を緩和することができる。
本実施の形態の透光性樹脂16は、ガラス体15上を被覆しており、かつガラス体15の上部層15aの空隙に充填されている。透光性樹脂16は、搭載する発光素子の光に対して透光性であればどのような樹脂材料によって形成されていてもよい。例えば、シリコーン樹脂、ポリフタルアミド(PPA)、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、液晶ポリマー(LCP)、ABS樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、PBT樹脂等の樹脂等があげられる。これらの材料には、着色剤として、種々の染料または顔料等を混合して用いてもよい。たとえば、Cr2O3、MnO2、Fe2O3、カーボンブラック等があげられる。さらにまた、封止樹脂の光出射面側は、所望の形状にすることによってレンズ効果を持たせることができる。具体的には、凸レンズ形状、凹レンズ形状さらには、発光観測面から見て楕円形状やそれらを複数組み合わせた形状にすることができる。なお、本明細書において透光性とは、発光素子から出射された光を70%程度以上透過させる性質を意味する。
10、20…発光装置
11…発光素子
12…導電性部材
13…支持体
14…反射層(反射メッキ)
15…ガラス体
15a…上部層
15b…下部層
16…透光性樹脂
17…波長変換部材
18…接合部材
19…開口部
Claims (9)
- 光を反射可能な反射層と、
前記反射層に固定された発光素子と、
前記反射層および前記発光素子を覆う透光性樹脂と、
を有する発光装置であって、
前記反射層と前記透光性樹脂との間にガラス体が介在しており、
前記ガラス体は、前記透光性樹脂側の疎な上部層と前記反射層側の密な下部層とを有していることを特徴とする発光装置。 - 請求項1に記載の発光装置であって、
前記上部層の空隙内に、前記透光性樹脂が侵入していることを特徴とする発光装置。 - 請求項1又は2に記載の発光装置において、
前記下部層の厚みは、0.05μm以上0.2μm以下であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1ないし3のいずれか一に記載する発光装置において、
前記下部層の厚みは、前記ガラス体の総厚の1%以上10%以下であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1ないし4のいずれか一に記載の発光装置において、
前記反射層として、少なくとも銀を含有する金属で構成されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項1ないし5のいずれか一に記載の発光装置において、
前記透光性樹脂が、シリコーンからなることを特徴とする発光装置。 - 請求項1ないし6のいずれか一に記載の発光装置において、
前記発光素子の表面は、ケイ素を含有する絶縁膜によって被覆されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項1ないし7のいずれか一に記載の発光装置において、
前記透光性樹脂に波長変換部材が混入されていることを特徴とする発光装置。 - 反射層上に固定された発光素子と、
前記反射層および前記発光素子の少なくとも露出面に被覆されて、前記反射層および前記発光素子を封止するガラス体と、
を有する発光装置の製造方法であって、
無機ポリマーを無水溶剤に希釈する第1の工程と、
前記第1の工程で得られた溶液を、前記反射層及び前記発光素子の表面に塗布する第2の工程と、
前記溶液を静置して粒子状ガラスを析出させ、溶剤成分を揮発させた後ガラス転化を進行させる第3の工程と、
を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007283410A JP4962270B2 (ja) | 2007-10-31 | 2007-10-31 | 発光装置及びこれの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007283410A JP4962270B2 (ja) | 2007-10-31 | 2007-10-31 | 発光装置及びこれの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009111245A JP2009111245A (ja) | 2009-05-21 |
JP4962270B2 true JP4962270B2 (ja) | 2012-06-27 |
Family
ID=40779403
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007283410A Active JP4962270B2 (ja) | 2007-10-31 | 2007-10-31 | 発光装置及びこれの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4962270B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5609026B2 (ja) * | 2009-06-29 | 2014-10-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
KR20120124387A (ko) * | 2010-01-28 | 2012-11-13 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 발광 소자 탑재용 기판, 그 제조 방법 및 발광 장치 |
JP2012019062A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 発光半導体装置、実装基板及びそれらの製造方法 |
JP5864089B2 (ja) * | 2010-08-25 | 2016-02-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2015062261A (ja) * | 2010-08-25 | 2015-04-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2012064759A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-03-29 | Showa Denko Kk | 半導体発光装置、半導体発光装置の製造方法 |
JP5747527B2 (ja) * | 2011-01-28 | 2015-07-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US9166119B2 (en) | 2011-04-05 | 2015-10-20 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP5875816B2 (ja) * | 2011-07-11 | 2016-03-02 | ローム株式会社 | Ledモジュール |
JP2013182975A (ja) * | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Sharp Corp | 発光装置及びこれを用いたバックライトシステム |
JP5941336B2 (ja) * | 2012-05-14 | 2016-06-29 | 株式会社カネカ | ポリシロキサン系組成物、および該組成物を封止材として用いてなる光半導体装置 |
JP6303715B2 (ja) * | 2013-04-18 | 2018-04-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及び発光装置 |
JP2016092271A (ja) * | 2014-11-06 | 2016-05-23 | シャープ株式会社 | 蛍光体シートおよび照明装置 |
JP6615557B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2019-12-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP6176359B2 (ja) * | 2016-05-10 | 2017-08-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び照明装置 |
JP7193532B2 (ja) * | 2017-10-19 | 2022-12-20 | ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 発光デバイスパッケージ |
JP7053252B2 (ja) * | 2017-12-26 | 2022-04-12 | 日機装株式会社 | 半導体発光装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2924961B1 (ja) * | 1998-01-16 | 1999-07-26 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光装置及びその製法 |
JP3307316B2 (ja) * | 1998-02-27 | 2002-07-24 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光装置 |
JP5110744B2 (ja) * | 2000-12-21 | 2012-12-26 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 発光装置及びその製造方法 |
JP4415572B2 (ja) * | 2003-06-05 | 2010-02-17 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP4788109B2 (ja) * | 2003-10-28 | 2011-10-05 | パナソニック電工株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-10-31 JP JP2007283410A patent/JP4962270B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009111245A (ja) | 2009-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4962270B2 (ja) | 発光装置及びこれの製造方法 | |
US10230034B2 (en) | Light emitting device and method for manufacturing light emitting device | |
US10361347B2 (en) | Light emitting device | |
JP5289835B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP4055373B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP5660157B2 (ja) | 発光装置 | |
WO2011021402A1 (ja) | 発光装置 | |
JP5413137B2 (ja) | 発光装置および発光装置の製造方法 | |
JP5454154B2 (ja) | 発光装置および発光装置の製造方法 | |
JP2004055632A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2008244357A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP5690871B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP4661032B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP2014033168A (ja) | 発光装置 | |
JP5077282B2 (ja) | 発光素子搭載用パッケージおよび発光装置 | |
JP2011253846A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP4661031B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5515693B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6607036B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2008198962A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP2017017162A (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100929 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120228 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120312 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4962270 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150406 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150406 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |