JP4788109B2 - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1の実施形態を図1に基づいて説明する。図1は、本実施形態における半導体発光装置の製造方法の概略を示す断面図である。図1において、1はセラミックス基板、2はセラミックス基板1の表面に設けた凹部、5は第一の封止材料、6は第二の封止材料、7は第一の封止材料5と第二の封止材料6の界面、8はセラミックス基板1の表面に形成された電気回路パターン、9は半導体発光素子、9aは半導体発光素子のエッジ部、10は第二の封止材料6上に形成されたレンズ部、15はシリカ膜である。
本発明の第2の実施形態を図4に基づいて説明する。図4は、本実施形態における半導体発光装置の製造方法の概略を示す断面図である。図4において、1はセラミックス基板、3はセラミックス基板1の表面に設けた第一の凹部、4は第一の凹部3の底面に設けた第二の凹部、5は第一の封止材料、6は第二の封止材料、7は第一の封止材料5と第二の封止材料6の界面、8はセラミックス基板1の表面に形成された電気回路パターン、9は半導体発光素子、9aは半導体発光素子9のエッジ部、10は第二の封止材料6上に形成されたレンズ部である。なお、本実施形態に用いるセラミックス基板1、半導体発光素子9、第一の封止材料5及び第二の封止材料6の各々の材質等の詳細並びに電気回路パターン8の形成に関しては実施形態1と共通であるため、共通部分については説明を省略する。
本発明の第3の実施形態を図5に基づいて説明する。図5は、本実施形態における半導体発光装置の製造方法の概略を示す断面図である。本実施形態は、第二の封止材料6を凹部に充填する際に、予めプリフォームを作製した上で行なうことに特徴を有し、その他については実施形態1及び実施形態2と同一であるので説明を省略する。
本発明の第4の実施形態を図6に基づいて説明する。図6は、本実施形態における半導体発光装置の製造方法の概略を示す断面図である。図6において、3はセラミックス基板の表面に設けた第一の凹部、3aは第一の凹部3の底部に設けた収縮応力緩衝用溝部、6は第二の封止材料、9aは半導体発光素子のエッジ部である。なお、本実施形態に用いるセラミックス基板1、半導体発光素子9、第一の封止材料5及び第二の封止材料6の各々の材質等の詳細並びに電気回路パターン8の形成に関しては実施形態1と共通であるため、説明を省略する。
2 凹部
3 第一の凹部
4 第二の凹部
5 第一の封止材料
6 第二の封止材料
7 第一の封止材料5と第二の封止材料6の界面
8 電気回路パターン
9 半導体発光素子
Claims (7)
- 表面に第一の凹部と第一の凹部の底面に第二の凹部が設けられるとともに所定の電気回路パターンが形成された基板と、第二の凹部の底面に実装した半導体発光素子と、第一の凹部及び第二の凹部に充填して半導体発光素子を封止する封止材とを備えた半導体発光装置であって、
前記第二の凹部は、前記半導体発光素子の高さに相等する深さに形成されたものであると共に、前記封止材は、前記半導体発光素子の側周面と前記第二の凹部の側周面とで形成された空間に充填されることで前記半導体発光素子の高さに相等する厚みに形成された第一の封止材料と、半導体発光素子及び第一の封止材料の上面側に形成された第二の封止材料とからなり、前記第一の封止材料の厚みが前記半導体発光素子の高さに形成されることにより、半導体発光素子の上面と略同一の高さに、前記第一の封止材料と前記第二の封止材料との界面が形成され、かつ、第一の凹部の底面が位置するものであり、前記第一の封止材料と前記第二の封止材料との前記界面には、耐水性のシリカ膜が形成されてなることを特徴とする半導体発光装置。 - 前記第一の凹部の底面部に、第二の封止材料が収縮する際に発生する応力を緩和させるための収縮応力緩衝用溝部もしくは収縮応力緩衝用突起部の少なくともいずれかを設けたことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記第二の封止材料の屈折率は、第一の封止材料の屈折率より大きいものであることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光装置。
- 前記第一の封止材料は、中波長紫外線から可視光線までの波長域光を反射する高反射性物質からなる充填剤を含有するものであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体発光装置。
- 前記第一の封止材料は、前記第二の封止材料が有する官能基と親和性を有する基を備えたシランカップリング剤を含有するものであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体発光装置。
- 前記第二の封止材料は、前記第一の封止材料が有する官能基と親和性を有する基を備えたシランカップリング剤を含有するものであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体発光装置。
- 前記第二の封止材料の表面には、耐水性のシリカ膜が形成されてなることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の半導体発光装置。
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