JP2003249691A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光装置の基板と樹脂封止部との密着性を向
上させ、信頼性の高い発光装置及びその製造方法を提供
する。 【解決手段】 凹部を形成した基板１の表面に配線部２
を設けた後、その基板１の凹部の底面にＬＥＤチップ４
を接着し、配線部２とＬＥＤチップ４の電極とを電気的
に接続した後、上記凹部内に封止樹脂を注入して固化さ
せることで、上記ＬＥＤチップ４を封止している樹脂封
止部７を形成して、発光素子を製造する発光装置の製造
方法において、上記ＬＥＤチップ４を接着する工程の前
に、上記基板１の凹部の封止樹脂で覆われる表面に、シ
ランカップリング剤を付着させ、次いで乾燥させる表面
処理工程を設けた発光装置の製造方法及びその製造方法
で製造した発光装置。
上させ、信頼性の高い発光装置及びその製造方法を提供
する。 【解決手段】 凹部を形成した基板１の表面に配線部２
を設けた後、その基板１の凹部の底面にＬＥＤチップ４
を接着し、配線部２とＬＥＤチップ４の電極とを電気的
に接続した後、上記凹部内に封止樹脂を注入して固化さ
せることで、上記ＬＥＤチップ４を封止している樹脂封
止部７を形成して、発光素子を製造する発光装置の製造
方法において、上記ＬＥＤチップ４を接着する工程の前
に、上記基板１の凹部の封止樹脂で覆われる表面に、シ
ランカップリング剤を付着させ、次いで乾燥させる表面
処理工程を設けた発光装置の製造方法及びその製造方法
で製造した発光装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＥＤチップを封
止樹脂で封止して形成される発光装置およびその製造方
法に関するものである。
止樹脂で封止して形成される発光装置およびその製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ
Ｄｉｏｄｅ）は小型、長寿命、低電圧駆動、低発熱と
いった種々の特長を有する光源装置である。特に近年で
は、窒化ガリウム（ＧａＮ）のＬＥＤチップを用いた青
色や緑色発光のＬＥＤが開発され、従来からの赤色発光
のＬＥＤチップを加えて、光の３原色が揃ったため、任
意の発光色を得ることが可能となっている。さらに、青
色ＬＥＤチップ近傍に黄色発光の蛍光体を配置し、ＬＥ
Ｄチップからの青色発光と蛍光体によって変換された黄
色光との混色によって簡便に白色発光を得ることができ
るようになっており、ＬＥＤの光源としての用途が著し
く広くなってきている。
Ｄｉｏｄｅ）は小型、長寿命、低電圧駆動、低発熱と
いった種々の特長を有する光源装置である。特に近年で
は、窒化ガリウム（ＧａＮ）のＬＥＤチップを用いた青
色や緑色発光のＬＥＤが開発され、従来からの赤色発光
のＬＥＤチップを加えて、光の３原色が揃ったため、任
意の発光色を得ることが可能となっている。さらに、青
色ＬＥＤチップ近傍に黄色発光の蛍光体を配置し、ＬＥ
Ｄチップからの青色発光と蛍光体によって変換された黄
色光との混色によって簡便に白色発光を得ることができ
るようになっており、ＬＥＤの光源としての用途が著し
く広くなってきている。
【０００３】ＬＥＤを用いた光源としては、表面実装
型、砲弾型などがあるが、いずれの場合もＬＥＤチップ
周辺は、封止樹脂で封止されており、主として密着力の
強いエポキシ樹脂が用いられている。
型、砲弾型などがあるが、いずれの場合もＬＥＤチップ
周辺は、封止樹脂で封止されており、主として密着力の
強いエポキシ樹脂が用いられている。
【０００４】しかし、青色ＬＥＤ発光装置や、青色発光
ＬＥＤチップを用いた白色ＬＥＤ発光装置では、従来の
赤色ＬＥＤ発光装置に比べてＬＥＤチップから出てくる
光のエネルギーが高く、ＬＥＤ点灯時の光照射や発熱に
よって封止樹脂であるエポキシ樹脂が呈色してしまうと
いう問題が発生していた。このように封止樹脂であるエ
ポキシ樹脂が呈色すると、ＬＥＤチップ自身は初期の値
に近い発光光束を維持しているにも拘らず、ＬＥＤ発光
装置から取り出される光が低減してしまい、その結果、
青色ＬＥＤ発光装置や白色ＬＥＤ発光装置ではその寿命
が６０００時間程度と、赤色ＬＥＤ発光装置と比較して
短くなるものであった。
ＬＥＤチップを用いた白色ＬＥＤ発光装置では、従来の
赤色ＬＥＤ発光装置に比べてＬＥＤチップから出てくる
光のエネルギーが高く、ＬＥＤ点灯時の光照射や発熱に
よって封止樹脂であるエポキシ樹脂が呈色してしまうと
いう問題が発生していた。このように封止樹脂であるエ
ポキシ樹脂が呈色すると、ＬＥＤチップ自身は初期の値
に近い発光光束を維持しているにも拘らず、ＬＥＤ発光
装置から取り出される光が低減してしまい、その結果、
青色ＬＥＤ発光装置や白色ＬＥＤ発光装置ではその寿命
が６０００時間程度と、赤色ＬＥＤ発光装置と比較して
短くなるものであった。
【０００５】そこで、エポキシ樹脂よりも耐熱性及び耐
光性に優れたシリコーン樹脂やアクリル樹脂を、封止樹
脂として使用することが考えられるているが、シリコー
ン樹脂やアクリル樹脂は、エポキシ樹脂に比べ密着性が
劣るため、シリコーン樹脂やアクリル樹脂の封止樹脂で
形成された樹脂封止部と発光装置の基板とが剥離を起こ
し易くなり、その結果、発光装置の信頼性が低下する傾
向にあるという問題があった。
光性に優れたシリコーン樹脂やアクリル樹脂を、封止樹
脂として使用することが考えられるているが、シリコー
ン樹脂やアクリル樹脂は、エポキシ樹脂に比べ密着性が
劣るため、シリコーン樹脂やアクリル樹脂の封止樹脂で
形成された樹脂封止部と発光装置の基板とが剥離を起こ
し易くなり、その結果、発光装置の信頼性が低下する傾
向にあるという問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の点に
鑑みてなされたものであり、発光装置の基板と樹脂封止
部との密着性を向上させ、信頼性の高い発光装置及びそ
の製造方法を提供することを目的とするものである。
鑑みてなされたものであり、発光装置の基板と樹脂封止
部との密着性を向上させ、信頼性の高い発光装置及びそ
の製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発光装置
の製造方法は、凹部を形成した基板の表面に配線部を設
けた後、その基板の凹部の底面にＬＥＤチップを接着
し、次いで配線部とＬＥＤチップの電極とを電気的に接
続した後、上記凹部内に封止樹脂を注入して固化させる
ことで、上記ＬＥＤチップを封止している樹脂封止部を
形成して、発光装置を製造する発光装置の製造方法にお
いて、上記ＬＥＤチップを接着する工程の前に、上記基
板の凹部の封止樹脂で覆われる表面に、シランカップリ
ング剤を付着させ、次いで乾燥させる表面処理工程を設
けたことを特徴とする。
の製造方法は、凹部を形成した基板の表面に配線部を設
けた後、その基板の凹部の底面にＬＥＤチップを接着
し、次いで配線部とＬＥＤチップの電極とを電気的に接
続した後、上記凹部内に封止樹脂を注入して固化させる
ことで、上記ＬＥＤチップを封止している樹脂封止部を
形成して、発光装置を製造する発光装置の製造方法にお
いて、上記ＬＥＤチップを接着する工程の前に、上記基
板の凹部の封止樹脂で覆われる表面に、シランカップリ
ング剤を付着させ、次いで乾燥させる表面処理工程を設
けたことを特徴とする。
【０００８】請求項２に係る発光装置の製造方法は、請
求項１記載の発光装置の製造方法において、上記シラン
カップリング剤が、一般式（１）で示されるシランカッ
プリング剤であることを特徴とする。
求項１記載の発光装置の製造方法において、上記シラン
カップリング剤が、一般式（１）で示されるシランカッ
プリング剤であることを特徴とする。
【０００９】
【化２】
【００１０】（式中、ｎは０または１、Ｘはグリシジル
基またはアミノ基を有する１価の有機基、Ｒは炭素数１
〜３のアルキル基を示す）
基またはアミノ基を有する１価の有機基、Ｒは炭素数１
〜３のアルキル基を示す）
【００１１】請求項３に係る発光装置の製造方法は、請
求項２記載の発光装置の製造方法において、上記一般式
（１）の中のＸが、γ―グリシドキシプロピル基または
Ｎ−β（アミノエチル）γ―アミノプロピル基であるこ
とを特徴とする。
求項２記載の発光装置の製造方法において、上記一般式
（１）の中のＸが、γ―グリシドキシプロピル基または
Ｎ−β（アミノエチル）γ―アミノプロピル基であるこ
とを特徴とする。
【００１２】請求項４に係る発光装置の製造方法は、請
求項１乃至請求項３のいずれかに記載の発光装置の製造
方法において、上記封止樹脂が、付加反応型のシリコー
ン樹脂または熱硬化性のアクリル樹脂を使用しているこ
とを特徴とする。
求項１乃至請求項３のいずれかに記載の発光装置の製造
方法において、上記封止樹脂が、付加反応型のシリコー
ン樹脂または熱硬化性のアクリル樹脂を使用しているこ
とを特徴とする。
【００１３】請求項５に係る発光装置は、請求項１乃至
請求項４のいずれかに記載の発光装置の製造方法で製造
されていることを特徴とする。
請求項４のいずれかに記載の発光装置の製造方法で製造
されていることを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】（発光装置の製造方法）以下、発
光装置の製造方法に係る実施形態を、図１（ａ）〜
（ｅ）を参照にして説明する。
光装置の製造方法に係る実施形態を、図１（ａ）〜
（ｅ）を参照にして説明する。
【００１５】まず、金属板１ａの表面に、孔をあけた絶
縁部材１ｂを貼り合わせて凹部を形成した基板１を作製
する。［図１（ａ）参照］金属板１ａの材料としては、
例えば、アルミ、銀、銅などの熱伝導性の良好な材料を
用いることができる。また、絶縁部材１ｂの材料として
は、例えば、ガラスエポキシ、液晶ポリマー、ポリフタ
ルアミド、ポリフタルサルフォン、ポリブチレンテレフ
タレート（ＰＢＴ）などの絶縁材料を用いることができ
る。
縁部材１ｂを貼り合わせて凹部を形成した基板１を作製
する。［図１（ａ）参照］金属板１ａの材料としては、
例えば、アルミ、銀、銅などの熱伝導性の良好な材料を
用いることができる。また、絶縁部材１ｂの材料として
は、例えば、ガラスエポキシ、液晶ポリマー、ポリフタ
ルアミド、ポリフタルサルフォン、ポリブチレンテレフ
タレート（ＰＢＴ）などの絶縁材料を用いることができ
る。
【００１６】次に、基板１の表面全体に、スパッタリン
グ法を用いて、銅の薄膜を形成する。次いで、形成した
銅の薄膜にレーザー加工を施して、配線部２の輪郭部を
除去し、配線部２として残す必要部と除去すべき不要部
とを電気的に切り離す。この状態で銅の電気メッキを施
すことにより、必要部における銅の膜厚を大きくした
後、全体を軽くエッチングすることで銅の薄膜のうち電
気メッキが施されていない薄肉部を除去し、電気メッキ
された必要部の配線部２のみを残す。［図１（ｂ）参
照］。
グ法を用いて、銅の薄膜を形成する。次いで、形成した
銅の薄膜にレーザー加工を施して、配線部２の輪郭部を
除去し、配線部２として残す必要部と除去すべき不要部
とを電気的に切り離す。この状態で銅の電気メッキを施
すことにより、必要部における銅の膜厚を大きくした
後、全体を軽くエッチングすることで銅の薄膜のうち電
気メッキが施されていない薄肉部を除去し、電気メッキ
された必要部の配線部２のみを残す。［図１（ｂ）参
照］。
【００１７】次に、配線部２を形成した基板１を、シラ
ンカップリング剤の水溶液に、数分〜数十分間浸漬する
ことで、基板１の表面全体に、シランカップリング剤を
付着させ、次いで、乾燥機内で乾燥して、基板１の表面
全体にシランカップリング剤で処理された表面処理層３
を形成する［図１（ｃ）参照］。
ンカップリング剤の水溶液に、数分〜数十分間浸漬する
ことで、基板１の表面全体に、シランカップリング剤を
付着させ、次いで、乾燥機内で乾燥して、基板１の表面
全体にシランカップリング剤で処理された表面処理層３
を形成する［図１（ｃ）参照］。
【００１８】上記シランカップリング剤としては、一般
式（１）
式（１）
【００１９】
【化３】
【００２０】（式中、ｎは０または１、Ｘはグリシジル
基またはアミノ基を有する１価の有機基、Ｒは炭素数１
〜３のアルキル基を示す）で、示されるシランカップリ
ング剤を用いる。ここで、１価の有機基であるＸは、実
用的には、合計の炭素数が１〜２０のものを用いる。特
に、上記一般式（１）の中のＸが、γ―グリシドキシプ
ロピル基、Ｎ−β（アミノエチル）γ―アミノプロピル
基またはγ―アミノプロピル基であるシランカップリン
グ剤が、封止樹脂で形成される樹脂封止部７との密着力
が強く、入手が容易であるので好ましい。
基またはアミノ基を有する１価の有機基、Ｒは炭素数１
〜３のアルキル基を示す）で、示されるシランカップリ
ング剤を用いる。ここで、１価の有機基であるＸは、実
用的には、合計の炭素数が１〜２０のものを用いる。特
に、上記一般式（１）の中のＸが、γ―グリシドキシプ
ロピル基、Ｎ−β（アミノエチル）γ―アミノプロピル
基またはγ―アミノプロピル基であるシランカップリン
グ剤が、封止樹脂で形成される樹脂封止部７との密着力
が強く、入手が容易であるので好ましい。
【００２１】シランカップリング剤の水溶液の濃度とし
ては、０．０５〜０．５質量％の水溶液を用いることが
できるが、この水溶液の濃度は、適宜、変更することが
でき、シランカップリング剤の種類によっては、この水
溶液に酢酸やアルコールを加えて調整することもでき
る。
ては、０．０５〜０．５質量％の水溶液を用いることが
できるが、この水溶液の濃度は、適宜、変更することが
でき、シランカップリング剤の種類によっては、この水
溶液に酢酸やアルコールを加えて調整することもでき
る。
【００２２】また、シランカップリング剤を付着させる
方法としては、シランカップリング剤の水溶液に、基板
１全体を浸漬させる方法の他、上記シランカップリング
剤の水溶液を基板１の封止樹脂で覆われる凹部の表面
に、はけ等で塗布する方法やスプレーで噴霧する方法を
用いることもできる。
方法としては、シランカップリング剤の水溶液に、基板
１全体を浸漬させる方法の他、上記シランカップリング
剤の水溶液を基板１の封止樹脂で覆われる凹部の表面
に、はけ等で塗布する方法やスプレーで噴霧する方法を
用いることもできる。
【００２３】次に、基板１の凹部の底面に、青色のＬＥ
Ｄチップ４をダイボンディング剤５で接着し、次いで金
のボンディングワイヤ６を用いてワイヤボンディングし
て、ＬＥＤチップ４と配線部２とを電気的に導通接続す
る［図１（ｄ）参照］。
Ｄチップ４をダイボンディング剤５で接着し、次いで金
のボンディングワイヤ６を用いてワイヤボンディングし
て、ＬＥＤチップ４と配線部２とを電気的に導通接続す
る［図１（ｄ）参照］。
【００２４】最後に、ＬＥＤチップ４の青色発光により
励起され補色である黄色発光を行う蛍光体粒子を樹脂中
に分散させた封止樹脂を凹部に注入（ポッテイング）し
て固化させることで、ＬＥＤチップ４を封止している樹
脂封止部７を形成して発光装置とする［図１（ｅ）参
照］。
励起され補色である黄色発光を行う蛍光体粒子を樹脂中
に分散させた封止樹脂を凹部に注入（ポッテイング）し
て固化させることで、ＬＥＤチップ４を封止している樹
脂封止部７を形成して発光装置とする［図１（ｅ）参
照］。
【００２５】上記封止樹脂としては、付加反応型のシリ
コーン樹脂を用いることができる。付加反応型のシリコ
ーン樹脂は、固化する際、副生成物が発生しないという
特徴を有している。その他、熱硬化型のアクリル樹脂を
用いることもできる。
コーン樹脂を用いることができる。付加反応型のシリコ
ーン樹脂は、固化する際、副生成物が発生しないという
特徴を有している。その他、熱硬化型のアクリル樹脂を
用いることもできる。
【００２６】また、本実施形態では、封止樹脂を基板１
の凹部に注入して固化させ、ＬＥＤチップ４を１層の樹
脂封止部７で封止しているが、図２に示すように、ＬＥ
Ｄチップ４を直接封止する第１の樹脂封止部７ａと、そ
の上面に第２の樹脂封止部７ｂとを設けた、２層構造の
樹脂封止部７とすることもできる。第１の樹脂封止部７
ａを形成する封止樹脂として、耐熱性および耐光性に優
れる、シリコーン樹脂やアクリル樹脂を用い、第２の樹
脂封止部７ｂを形成する封止樹脂として、耐水性や密着
力に優れるエポキシ樹脂を用いることで、さらに、性能
が改善された樹脂封止部７とすることができるので好ま
しい。また、この場合、第１の樹脂封止部７ａと第２の
樹脂封止部７ｂとの界面をシランカップリング剤を用い
て表面処理することもできる。これにより、第１の樹脂
封止部７ａと第２の樹脂封止部７ｂの密着性を向上させ
ることができるので好ましい。
の凹部に注入して固化させ、ＬＥＤチップ４を１層の樹
脂封止部７で封止しているが、図２に示すように、ＬＥ
Ｄチップ４を直接封止する第１の樹脂封止部７ａと、そ
の上面に第２の樹脂封止部７ｂとを設けた、２層構造の
樹脂封止部７とすることもできる。第１の樹脂封止部７
ａを形成する封止樹脂として、耐熱性および耐光性に優
れる、シリコーン樹脂やアクリル樹脂を用い、第２の樹
脂封止部７ｂを形成する封止樹脂として、耐水性や密着
力に優れるエポキシ樹脂を用いることで、さらに、性能
が改善された樹脂封止部７とすることができるので好ま
しい。また、この場合、第１の樹脂封止部７ａと第２の
樹脂封止部７ｂとの界面をシランカップリング剤を用い
て表面処理することもできる。これにより、第１の樹脂
封止部７ａと第２の樹脂封止部７ｂの密着性を向上させ
ることができるので好ましい。
【００２７】また、本実施形態においては、樹脂封止部
７を形成する際、基板１の凹部に付封止樹脂を注入して
固化させることで形成しているが、この他、金型を用い
て、基板１の凹部に封止樹脂を圧入して固化させること
で形成しても良い。この場合には、樹脂封止部７の形状
制御が容易になり、樹脂封止部７を例えば、図３に示す
ように、外方に凸となる半球状の形状に形成して、樹脂
封止部７にレンズとしての機能を持たせることも可能に
なる。
７を形成する際、基板１の凹部に付封止樹脂を注入して
固化させることで形成しているが、この他、金型を用い
て、基板１の凹部に封止樹脂を圧入して固化させること
で形成しても良い。この場合には、樹脂封止部７の形状
制御が容易になり、樹脂封止部７を例えば、図３に示す
ように、外方に凸となる半球状の形状に形成して、樹脂
封止部７にレンズとしての機能を持たせることも可能に
なる。
【００２８】本実施形態では、上述したように、基板１
の表面全体にシランカップリング剤を用いた表面処理を
施すことで、基板１の凹部の封止樹脂で覆われる表面
に、シランカップリング剤を用いた表面処理がなされて
いるので、基板１の表面と樹脂封止部７との密着性が向
上し、基板１と樹脂封止部７の剥離が低減された信頼性
の向上した発光装置を得ることができる。
の表面全体にシランカップリング剤を用いた表面処理を
施すことで、基板１の凹部の封止樹脂で覆われる表面
に、シランカップリング剤を用いた表面処理がなされて
いるので、基板１の表面と樹脂封止部７との密着性が向
上し、基板１と樹脂封止部７の剥離が低減された信頼性
の向上した発光装置を得ることができる。
【００２９】（発光装置）次に、発光装置に係る実施形
態について説明する。
態について説明する。
【００３０】上記の発光装置の製造方法に係る実施形態
で詳しく説明した製造方法によって製造した発光装置
が、本実施形態の発光装置である。従って、この発光装
置は、基板１の凹部の封止樹脂で覆われる表面に、シラ
ンカップリング剤を用いた表面処理がなされた構成とな
り、基板１と樹脂封止部７の剥離が低減された信頼性の
向上した発光装置となる。
で詳しく説明した製造方法によって製造した発光装置
が、本実施形態の発光装置である。従って、この発光装
置は、基板１の凹部の封止樹脂で覆われる表面に、シラ
ンカップリング剤を用いた表面処理がなされた構成とな
り、基板１と樹脂封止部７の剥離が低減された信頼性の
向上した発光装置となる。
【００３１】
【実施例】次に、本発明を実施例によって具体的に説明
する。
する。
【００３２】（実施例１）厚み２ｍｍのアルミニウム金
属板１ａの表面に、上部の直径３ｍｍ、下部の直径１ｍ
ｍ、深さ２ｍｍのすり鉢状の孔２をあけたガラスエポキ
シの絶縁部材１ｂを張り合わせて、すり鉢状の凹部を形
成した高熱伝導性の基板１を作成した［図１（ａ）参
照］。
属板１ａの表面に、上部の直径３ｍｍ、下部の直径１ｍ
ｍ、深さ２ｍｍのすり鉢状の孔２をあけたガラスエポキ
シの絶縁部材１ｂを張り合わせて、すり鉢状の凹部を形
成した高熱伝導性の基板１を作成した［図１（ａ）参
照］。
【００３３】次に、基板１の表面に、配線部２である銅
の回路を形成した。［図１（ｂ）参照］まず、スパッタ
リング法を用いて、基板１の表面に、厚み０．２５μｍ
の銅の薄膜を形成し、次いで、形成した銅の薄膜にＹＡ
Ｇレーザーを用いてレーザー加工を施して、配線部２の
輪郭部を除去し、配線部２として残す必用部と除去すべ
き不要部とを電気的に切り離した。この状態で銅の電気
メッキを施し、配線部２における膜厚を５μｍにした
後、全体を軽くエッチングすることで銅の薄膜のうち電
気メッキが施されていない薄肉部を除去し、電気メッキ
された配線部２である銅の回路を形成した。
の回路を形成した。［図１（ｂ）参照］まず、スパッタ
リング法を用いて、基板１の表面に、厚み０．２５μｍ
の銅の薄膜を形成し、次いで、形成した銅の薄膜にＹＡ
Ｇレーザーを用いてレーザー加工を施して、配線部２の
輪郭部を除去し、配線部２として残す必用部と除去すべ
き不要部とを電気的に切り離した。この状態で銅の電気
メッキを施し、配線部２における膜厚を５μｍにした
後、全体を軽くエッチングすることで銅の薄膜のうち電
気メッキが施されていない薄肉部を除去し、電気メッキ
された配線部２である銅の回路を形成した。
【００３４】次いで、配線部２を形成した基板１を、シ
ランカップリング剤であるγ―グリシドキシプロピルト
リメトキシシランの０．１質量％水溶液に１０分間浸漬
した後に引き上げ、イオン交換水で洗浄後、乾燥器内で
１１０℃―５分間乾燥させることで、基板１の表面全体
に表面処理を施した［図１（ｃ）参照］。
ランカップリング剤であるγ―グリシドキシプロピルト
リメトキシシランの０．１質量％水溶液に１０分間浸漬
した後に引き上げ、イオン交換水で洗浄後、乾燥器内で
１１０℃―５分間乾燥させることで、基板１の表面全体
に表面処理を施した［図１（ｃ）参照］。
【００３５】次に、表面処理を施した基板１の凹部の底
面に、ＧａＮ系の青色のＬＥＤチップ４を銀ペーストの
ダイボンディング剤１５で接着し、ＬＥＤチップ４の表
面電極と配線部２である銅の回路間に、直径が２５μｍ
の金線のワイヤー６をボンディングして、ＬＥＤチップ
４と配線部２とを導通接続した［図１（ｄ）参照］。
面に、ＧａＮ系の青色のＬＥＤチップ４を銀ペーストの
ダイボンディング剤１５で接着し、ＬＥＤチップ４の表
面電極と配線部２である銅の回路間に、直径が２５μｍ
の金線のワイヤー６をボンディングして、ＬＥＤチップ
４と配線部２とを導通接続した［図１（ｄ）参照］。
【００３６】最後に、シリコン樹脂である付加反応型２
液硬化シリコーンゴムに黄色蛍光体を分散させた後、上
記基板１の凹部に注入（ポッティング）し、８０℃―２
時間の条件で固化させて、ＬＥＤチップ４を封止しする
樹脂封止部７を形成して、発光装置を作成した［図１
（ｅ）参照］。
液硬化シリコーンゴムに黄色蛍光体を分散させた後、上
記基板１の凹部に注入（ポッティング）し、８０℃―２
時間の条件で固化させて、ＬＥＤチップ４を封止しする
樹脂封止部７を形成して、発光装置を作成した［図１
（ｅ）参照］。
【００３７】（実施例２）ガラスエポキシの絶縁部材１
ｂの代わりに、液晶ポリマーの絶縁部材１ｂを用いたこ
と以外は、実施例１と同様にして発光装置を作成した。
ｂの代わりに、液晶ポリマーの絶縁部材１ｂを用いたこ
と以外は、実施例１と同様にして発光装置を作成した。
【００３８】（実施例３）シリコン樹脂である付加反応
型２液硬化シリコーンゴム（信越化学工業株式会社製
「ＫＥ２０００」）に黄色蛍光体を分散させた後、上記
基板１の凹部に注入（ポッティング）する代わりに、金
型内に上記基板１を組み込み、圧入によって、黄色蛍光
体を分散させた付加反応型２液硬化シリコーンゴムを押
し込むトランスファー成形をすることで、図２に示す形
状に樹脂封止を行うこと以外は、実施例１と同様にして
発光装置を作成した。
型２液硬化シリコーンゴム（信越化学工業株式会社製
「ＫＥ２０００」）に黄色蛍光体を分散させた後、上記
基板１の凹部に注入（ポッティング）する代わりに、金
型内に上記基板１を組み込み、圧入によって、黄色蛍光
体を分散させた付加反応型２液硬化シリコーンゴムを押
し込むトランスファー成形をすることで、図２に示す形
状に樹脂封止を行うこと以外は、実施例１と同様にして
発光装置を作成した。
【００３９】（実施例４）封止樹脂として付加反応型２
液硬化シリコーンゴムの代わりに、熱硬化型アクリル樹
脂を用いたこと以外は、実施例１と同様にして発光装置
を作成した。
液硬化シリコーンゴムの代わりに、熱硬化型アクリル樹
脂を用いたこと以外は、実施例１と同様にして発光装置
を作成した。
【００４０】（実施例５）シランカップリング剤とし
て、γ―グリシドキシプロピルトリメトキシシランの代
わりに、Ｎ−β（アミノエチル）γ―アミノプロピルト
リメトキシシランを用いたこと以外は、実施例１と同様
にして発光装置を作成した。
て、γ―グリシドキシプロピルトリメトキシシランの代
わりに、Ｎ−β（アミノエチル）γ―アミノプロピルト
リメトキシシランを用いたこと以外は、実施例１と同様
にして発光装置を作成した。
【００４１】（比較例１）シランカップリング剤で表面
処理を施さないこと以外は、実施例１と同様にして発光
装置を得た。
処理を施さないこと以外は、実施例１と同様にして発光
装置を得た。
【００４２】（比較例２）シランカップリング剤で表面
処理を施さないこと以外は、実施例３と同様にして発光
装置を得た。
処理を施さないこと以外は、実施例３と同様にして発光
装置を得た。
【００４３】（試験）得られた発光装置を各１００個づ
つ作製し、温度６０℃湿度９０％Ｒ．Ｈ．の環境下で定
格値（３．５Ｖ−２０ｍＡ）で点灯させて、５０００時
間後に基板と樹脂封止部の界面を観察し、基板と樹脂封
止部との間で剥離を起こしている発光装置の個数を確認
した。
つ作製し、温度６０℃湿度９０％Ｒ．Ｈ．の環境下で定
格値（３．５Ｖ−２０ｍＡ）で点灯させて、５０００時
間後に基板と樹脂封止部の界面を観察し、基板と樹脂封
止部との間で剥離を起こしている発光装置の個数を確認
した。
【００４４】結果を表１に示す。
【００４５】
【表１】
【００４６】表１にみられるように、シランカップリン
グ剤を用いて表面処理をした実施例１〜５の発光装置
は、表面処理をしていない比較例１、２の発光装置に対
し、いずれも良好な性能を有しているとの結果が得られ
た。
グ剤を用いて表面処理をした実施例１〜５の発光装置
は、表面処理をしていない比較例１、２の発光装置に対
し、いずれも良好な性能を有しているとの結果が得られ
た。
【００４７】
【発明の効果】請求項１〜４に係る発明の発光装置の製
造方法は、凹部を形成した基板の表面に配線部を設けた
後、その基板の凹部の底面にＬＥＤチップを接着し、次
いで配線部とＬＥＤチップの電極とを電気的に接続した
後、上記凹部内に封止樹脂を注入して固化させること
で、上記ＬＥＤチップを封止している樹脂封止部を形成
する際に、ＬＥＤチップを接着する工程の前に、基板の
凹部の封止樹脂で覆われる表面に、シランカップリング
剤を付着させ、次いで乾燥させる表面処理工程を設けて
いるので、上記基板と樹脂封止部との密着性が向上して
いて、信頼性の高い発光装置を得ることができる。
造方法は、凹部を形成した基板の表面に配線部を設けた
後、その基板の凹部の底面にＬＥＤチップを接着し、次
いで配線部とＬＥＤチップの電極とを電気的に接続した
後、上記凹部内に封止樹脂を注入して固化させること
で、上記ＬＥＤチップを封止している樹脂封止部を形成
する際に、ＬＥＤチップを接着する工程の前に、基板の
凹部の封止樹脂で覆われる表面に、シランカップリング
剤を付着させ、次いで乾燥させる表面処理工程を設けて
いるので、上記基板と樹脂封止部との密着性が向上して
いて、信頼性の高い発光装置を得ることができる。
【００４８】請求項５に係る発明の発光装置は、請求項
１乃至請求項４のいずれかに記載の発光装置の製造方法
で製造されているので、基板の凹部の封止樹脂で覆われ
る表面に、シランカップリング剤を用いた表面処理がな
された構成となり、上記基板と樹脂封止部との密着性が
向上していて、信頼性の高い発光装置となる。
１乃至請求項４のいずれかに記載の発光装置の製造方法
で製造されているので、基板の凹部の封止樹脂で覆われ
る表面に、シランカップリング剤を用いた表面処理がな
された構成となり、上記基板と樹脂封止部との密着性が
向上していて、信頼性の高い発光装置となる。
【図１】本発明の一実施形態における各工程を示す説明
図である。
図である。
【図２】本発明の他の実施形態を示す説明図である。
【図３】本発明のさらに他の実施形態を示す説明図であ
る。
る。
１ 基板
２ 配線部
３ 表面処理層
４ ＬＥＤチップ
６ ボンディングワイヤ
７ 樹脂封止部
Claims (5)
- 【請求項１】 凹部を形成した基板の表面に配線部を設
けた後、その基板の凹部の底面にＬＥＤチップを接着
し、次いで配線部とＬＥＤチップの電極とを電気的に接
続した後、上記凹部内に封止樹脂を注入して固化させる
ことで、上記ＬＥＤチップを封止している樹脂封止部を
形成して、発光装置を製造する発光装置の製造方法にお
いて、上記ＬＥＤチップを接着する工程の前に、上記基
板の凹部の封止樹脂で覆われる表面に、シランカップリ
ング剤を付着させ、次いで乾燥させる表面処理工程を設
けたことを特徴とする発光装置の製造方法。 - 【請求項２】 上記シランカップリング剤が、一般式
（１）で示されるシランカップリング剤であることを特
徴とする発光装置の製造方法。 【化１】 （式中、ｎは０または１、Ｘはグリシジル基またはアミ
ノ基を有する１価の有機基、Ｒは炭素数１〜３のアルキ
ル基を示す） - 【請求項３】 上記一般式（１）中のＸが、γ―グリシ
ドキシプロピル基またはＮ−β（アミノエチル）γ―ア
ミノプロピル基であることを特徴とする請求項２記載の
発光装置の製造方法。 - 【請求項４】 上記封止樹脂が、付加反応型のシリコー
ン樹脂または熱硬化性のアクリル樹脂を使用しているこ
とを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
の発光装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
の発光装置の製造方法で製造されていることを特徴とす
る発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002047092A JP2003249691A (ja) | 2002-02-22 | 2002-02-22 | 発光装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002047092A JP2003249691A (ja) | 2002-02-22 | 2002-02-22 | 発光装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003249691A true JP2003249691A (ja) | 2003-09-05 |
Family
ID=28660284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002047092A Pending JP2003249691A (ja) | 2002-02-22 | 2002-02-22 | 発光装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003249691A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR100714749B1 (ko) | 2006-03-21 | 2007-05-04 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 모듈 및 이의 제조 방법 |
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-
2002
- 2002-02-22 JP JP2002047092A patent/JP2003249691A/ja active Pending
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