JP2018137320A - 発光装置および画像表示装置 - Google Patents

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Noriyuki YAMAZUMI
師之 山角
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達也 両輪
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Kenichi Yoshimura
健一 吉村
浩史 福永
Hiroshi Fukunaga
浩史 福永
加奈子 中田
Kanako Nakada
加奈子 中田
真 和泉
Makoto Izumi
真 和泉
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Abstract

【課題】耐久性により優れた発光装置を実現する。
【解決手段】発光装置(1)は、励起光(L1)を発する発光素子(110)と、励起光(L1)を受けて蛍光(L2)を発する蛍光体粒子(120)が内部に分散された蛍光体層(12)と、を備えている。蛍光体層(12)は、重合性官能基を有するイオン液体に由来する構成単位を含んでいる。発光装置(1)は、発光素子(110)を内部に封止する保護層(11)をさらに備えている。
【選択図】図1

Description

以下の開示は、励起光源と蛍光体層とを備えた発光装置に関する。
近年、(i)発光ダイオード(Light Emitting Diode,LED)等の励起光源と、(ii)当該励起光源からの励起光を蛍光に変換する波長変換部材(例:蛍光体粒子を樹脂の内部に分散させた部材,蛍光体層)と、を組み合わせた発光装置が開発されている。
例えば、特許文献1には、耐久性の向上を一目的とした発光装置が開示されている。特許文献1の発光装置では、青色LED(励起光源)を封止する保護層と、2層の蛍光体層(第1の蛍光体層,第2の蛍光体層)とが設けられている。2層の蛍光体のそれぞれには、ナノ粒子蛍光体が分散されている。
特開2014−56896号公報(2014年3月27日公開)
近年では、発光装置におけるナノ粒子蛍光体として、半導体ナノ粒子蛍光体が用いられる場合がある。この場合、半導体ナノ粒子蛍光体が内部に分散された蛍光体層(樹脂層)として、「重合性官能基を有するイオン液体に由来する構成単位を含む樹脂層」(以下、「イオン液体樹脂層」とも称する)が好適に用いられうる。イオン液体樹脂層は、熱に対して安定であり、かつ、半導体ナノ粒子蛍光体との親和性が高いためである。
しかしながら、後述するように、本願の発明者ら(以下、単に「発明者」とも称する)は、「イオン液体樹脂層が励起光源およびパッケージに含まれる電極に接触した場合、発光装置の劣化が生じうる」という課題を新たに見出した。
この点、当該課題を指摘する公知文献は存在しない。また、当該課題に対処するための発光装置の具体的な構成を開示する公知文献も存在しない。
本開示に係る一態様は、上記の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、耐久性により優れた発光装置を実現することにある。
上記の課題を解決するために、本開示の一態様に係る発光装置は、励起光を発する励起光源と、上記励起光を受けて蛍光を発する半導体ナノ粒子蛍光体が内部に分散された蛍光体層と、を備えており、上記蛍光体層は、重合性官能基を有するイオン液体に由来する構成単位を含んでおり、上記励起光源を内部に封止する保護層をさらに備えている。
本開示の一態様に係る発光装置によれば、耐久性により優れた発光装置を実現することが可能となるという効果を奏する。
実施形態1に係る発光装置の要部の構成を示す図である。 図1の発光装置の比較例としての発光装置の要部の構成を示す図である。 図1の発光装置および図2の発光装置のそれぞれの耐久性を確認するための試験の結果を示す図である。 図1の発光装置の変形例としての発光装置の要部の構成を示す図である。 (a)は実施形態2に係る発光装置の要部の構成を示す図であり、(b)は(a)における領域Pの拡大図である。 (a)および(b)はそれぞれ、実施形態3に係る発光装置における領域Pの拡大図である。 (a)は、実施形態6に係る画像表示装置の分解斜視図であり、(b)は、(a)に示されている画像表示装置が備える液晶表示装置の分解斜視図である。
〔実施形態1〕
以下、本開示の実施形態1について、図1〜図3に基づいて詳細に説明する。はじめに、図1を参照し、実施形態1の発光装置1の概要について述べる。図1は、発光装置1の要部の構成を示す図である。
発光装置1は、保護層11、蛍光体層12、パッケージ13、発光素子110(励起光源)、電極111、および蛍光体粒子120(半導体ナノ粒子蛍光体)を備えている。
図1に示されるように、保護層11の内部には、発光素子110が封止されている。また、蛍光体層12の内部には、蛍光体粒子120が分散されている。蛍光体層12は、波長変換部材とも称される。後述するように、蛍光体層12は、重合性官能基を有するイオン液体に由来する構成単位を含む樹脂層(イオン液体樹脂層)である。
以降、説明の便宜上、保護層11から蛍光体層12に向かう方向を、上方向と称する。また、当該上方向と逆の方向(蛍光体層12から保護層11に向かう方向)を、下方向と称する。
図1に示されるように、発光装置1では、保護層11と蛍光体層12とは直接的に接触している。但し、本開示の一態様に係る発光装置において、保護層11と蛍光体層12とは、後述する化学結合層21・31を介して間接的に接触していてもよい(後述の図4・図5を参照)。
(発光素子110)
発光装置1は、発光素子110は、上方向に向けて励起光L1を出射する励起光源である。上述のように、発光素子110は、保護層11の内部に封止されている。また、発光素子110は、パッケージ13(より具体的には、後述する底面131u)に支持されている。発光装置1において、発光素子110から発せられた励起光L1は、蛍光体層12の内部に分散された蛍光体粒子120に照射される。
蛍光体粒子120は、励起光L1によって励起され(励起光L1を受けて)、当該励起光L1よりも波長が長い蛍光L2を発する。その結果、発光装置1の上方向には、励起光L1と蛍光L2とが混合された光が、照明光として出射される。なお、照明光は、出射光Lと称されてもよい(後述の図7を参照)。
従って、励起光L1および蛍光L2のそれぞれの色を適宜選択することで、所望の色の照明光を得ることができる。例えば、励起光L1が青色光であり、蛍光L2が黄色光である場合には、白色(より厳密には擬似白色)の照明光を得ることができる。
実施形態1では、発光素子110は、励起光L1として青色光を発する青色LEDである場合を例示する。但し、励起光L1は、青色光に限定されず、蛍光体粒子120の励起に好適な波長範囲の光であればよい。一例として、励起光L1は、青色光以外の所定の色の可視光(例:緑色光)であってもよい。
あるいは、励起光L1は、不可視光であってもよい。一例として、励起光L1は、UV(Ultra Violet,紫外)光であってもよい。励起光L1が不可視光である場合、照明光の色は、蛍光L2の色とほぼ同一となる。励起光L1の波長範囲は、蛍光体粒子120の種類に応じて適宜選択されてよい。
また、発光素子110は、LEDに限定されず、例えばレーザーダイオードであってもよい。発光素子110は、電気的入力に応じて励起光L1を発する励起光源としての機能を有している限り、任意の発光素子であってよい。
なお、発光装置1には、当該発光素子110を駆動するための電気回路(不図示)が設けられている。当該電気回路には、発光素子110に電気的入力を与える(発光素子110を駆動する)ための電極111が含まれている。
一例として、図1では、2つの電極111がパッケージ13の内部に形成されている構成が示されている。2つの電極111はそれぞれ、上面において発光素子110と部分的に接触している。2つの電極111のうち、一方はアノード電極として、他方はカソード電極として用いられてよい。
電極111の一方(アノード電極)は、発光素子110の内部のアノード電極(不図示)と接続される。また、電極111の他方(カソード電極)は、発光素子110の内部のカソード電極(不図示)と接続される。これにより、電極111を介して、発光素子110に電気的入力を与えることができる。電極111は、発光素子110およびパッケージ13に含まれるものであればよい。
(蛍光体粒子120)
蛍光体粒子120は、任意の半導体ナノ粒子蛍光体であってよい。一例として、蛍光体粒子120は、直径が0.1nm以上かつ100nm以上の公知の半導体ナノ粒子蛍光体であってよい。半導体ナノ粒子蛍光体量子は、量子ドット蛍光体粒子とも称される。蛍光体粒子120の具体的な材料については、後述の実施形態5において述べる。
上述のように、蛍光体粒子120は、励起光L1を受けて蛍光L2を発する。半導体ナノ粒子蛍光体は、高い発光効率を有する蛍光体粒子であるため、発光装置1の発光効率を向上させるために好適である。
また、蛍光体粒子120の粒径または物質組成を調整することで、蛍光体粒子120のエネルギーバンドギャップを設定できる。つまり、蛍光体粒子120の粒径または物質組成を調整することで、蛍光体粒子120から発せられる蛍光L2の波長(より具体的には、波長スペクトル)を制御できる。
蛍光体粒子120は、(i)半導体ナノ粒子コアと、(ii)当該半導体ナノ粒子コアの表面を被覆するシェル層と、(iii)当該シェル層の表面に結合する修飾有機化合物層と、から成っていてよい。
修飾有機化合物層は、公知のイオン性表面修飾分子を含んでいてよい。イオン性表面修飾分子は、極性を有する分子であり、例えば陰極側においてシェル層の表面に結合する。蛍光体粒子120に修飾有機化合物層を設けることで、以下に述べる蛍光体層12(イオン液体樹脂層)の内部において、蛍光体粒子120を静電的により安定させた状態で強固に保護できる。それゆえ、蛍光体粒子120の劣化をさらに抑制できる。
(保護層11)
保護層11は、発光素子110を封止する。保護層11が設けられることによって、発光素子110が、保護層11、および、パッケージ13の底面131uに露出している電極111以外の部材と接触することを防止できる。特に、保護層11は、発光素子110および電極111が蛍光体層12(保護層11の上面と接触している層)と接触することを防止できる。
なお、発光装置1の発光効率を向上させる観点からは、保護層11の材料としては、高い光透過性を有する材料を用いることが好ましい。つまり、保護層11は、透光性に優れていることが好ましい。
また、発光装置1の耐久性を向上させる観点からは、保護層11は、耐熱性、耐光性、および耐変色性に優れていることが好ましい。
ところで、以下に述べるように、蛍光体層12は構成元素に硫黄(S)を含んでいる。発明者らは、「蛍光体層12が発光素子110およびパッケージ13に含まれる電極111に接触した場合、当該電極111において蛍光体層12と接触した部分が硫化しうる」という問題点を新たに見出した。
電極が硫化された場合、電極111には腐食が生じうる。その結果、電極の腐食に伴って、当該電極の電気的特性(例:電気伝導率)が低下する可能性がある。このような場合、発光素子110の発光効率が低下するため、発光装置1の発光効率の低下に至る。
さらに、電極111の腐食が著しい場合には、発光素子110から出射される励起光L1の強度(または光量)が顕著に低下するため、蛍光体粒子120から発せられる蛍光L2の強度(または光量)も同様に低下する。
このように、電極111が硫化された場合には、発光装置1が本来の機能を喪失する可能性がある。つまり、発光装置1があらかじめ設計された所定の強度(または光量)の照明光を出射できなくなる可能性がある。
以上のように、発明者らは、「蛍光体層12が発光素子110に接触した場合、電極111の硫化に起因して、発光装置1の劣化が生じうる」いう問題点を新たに見出した。
そして、発明者らは、上記問題点に対処するために、「保護層11によって、発光素子110を蛍光体層12から隔離する」という新たな技術的思想をさらに見出した。後述するように、当該構成によれば、耐久性により優れた発光装置1を実現できる。
保護層11の具体的な材料については、後述の実施形態4において述べる。実施形態1では、保護層11の材料としてシリコーン樹脂が用いられる場合を例示する。
(蛍光体層12)
蛍光体層12は、蛍光体粒子120を内部に封止する。より具体的には、蛍光体層12の内部には、蛍光体粒子120が分散されている。蛍光体層12は、重合性官能基を有するイオン液体に由来する構成単位を含んでいる。蛍光体層12は、イオン液体樹脂層とも称される。
蛍光体層12は、熱に対して安定であり、かつ、蛍光体粒子120との親和性が高い。このため、蛍光体層12と蛍光体粒子120との界面は化学的に安定した状態となる。蛍光体粒子120が半導体ナノ粒子であった場合、特に安定性および親和性が高くなる。
蛍光体層12が設けられることで、蛍光体粒子120の表面を、空気または水分等から十分に保護できる。また、蛍光体粒子を静電的に安定させることもできる。さらに、熱による蛍光体粒子120の劣化を特に抑制することもできる。それゆえ、発光装置1の発光効率を向上させることができる。
なお、発光装置1の発光効率をさらに向上させる観点からは、蛍光体層12についても、保護層11と同様に、透光性に優れていることが好ましい。
上述の通り、蛍光体層12は、構成元素に硫黄を含んでいる。より具体的には、蛍光体層12の由来となるイオン液体は、構成元素に硫黄を含んでいる。
一例として、蛍光体層12の由来となるイオン液体は、常温(例えば25℃)で溶融状態の塩(常温溶融塩)であり、以下の一般式(I)
(I)
で示されるものであってよい。
一般式(I)において、Xは、以下のいずれかであることが好ましい。
・イミダゾリウムイオン
・ピリジニウムイオン
・ホスホニウムイオン
・脂肪族四級アンモニウムイオン
・ピロリジニウム
・スルホニウム
これらの中でも、熱的および大気中での安定性に優れるという理由から、脂肪族四級アンモニウムイオンが特に好ましいカチオン(正イオン)として挙げられる。
また上記一般式(I)において、Yは、以下のいずれかであることが好ましい。
・テトラフルオロホウ酸イオン
・ヘキサフルオロリン酸イオン
・ビストリフルオロメチルスルホニルイミド酸イオン
・過塩素酸イオン
・トリス(トリフルオロメチルスルホニル)炭素酸イオン
・トリフルオロメタンスルホン酸イオン
・トリフルオロ酢酸イオン
・カルボン酸イオン
・ハロゲンイオン
これらの中でも、熱的および大気中での安定性に優れるという理由から、ビストリフルオロメチルスルホニルイミド酸イオンが特に好ましいアニオン(負イオン)として挙げられる。
蛍光体層12は、蛍光体粒子120が分散した状態のイオン液体を重合させることで形成される。それゆえ、蛍光体層12の内部における蛍光体粒子120の凝集を抑制できる。
イオン液体が有する重合性官能基は、特に限定されない。但し、当該重合性官能基は、(メタ)アクリル酸エステル基((メタ)アクリロイルオキシ基)であることが好ましい。当該重合性官能基によれば、蛍光体粒子120が分散された状態を維持したままで、イオン液体を固体化できるためである、
このような(メタ)アクリル酸エステル基を有するイオン液体の好適な例としては、例えば下記式
Figure 2018137320
で示される2−(メタクリロイルオキシ)−エチルトリメチルアンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、または下記式
Figure 2018137320
で示される1−(3−アクリロイルオキシ−プロピル)−3−メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド等が、熱的安定性および大気中での安定性に優れるという理由から挙げられる。
上述の重合性官能基を有するイオン液体は、公知の適宜のイオン液体に、公知の適宜の手法で重合性官能基を導入することによって得ることができる。また、重合性官能基を有するイオン液体として市販品を用いてもよい。
また、蛍光体粒子120を分散させた状態で、重合性官能基を有するイオン液体を重合させるための温度および時間等の条件は、当該イオン液体の種類および量等に応じて好適な条件が適宜選択されればよい。当該条件は、特に限定されない。
例えば、イオン液体として2−(メタクリロイルオキシ)−エチルトリメチルアンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドを用いる場合には、60〜100℃の温度で1〜10時間という条件で好適に重合させることができる。また例えば、イオン液体として1−(3−アクリロイルオキシ−プロピル)−3−メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドを用いる場合には、60〜150℃の温度で1〜10時間という条件で好適に重合させることができる。
イオン液体の重合に触媒を用いる場合、用いる触媒についても特に制限されるものではなく、例えば従来公知の以下の触媒を用いることができる。
・アゾビスイソブチロニトリル
・ジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオナート)
中でも、アゾビスイソブチロニトリルを触媒として用いることが、重合が速く進むという理由から好ましい。
イオン液体に架橋剤を添加する場合、その添加量についても特に制限されないが、イオン液体100重量部に対し1〜50重量部の範囲内であることが好ましく、10〜30重量部の範囲内であることがより好ましい。
架橋剤の添加量がイオン液体100重量部に対し1重量部未満である場合には、架橋構造の形成が進まずに蛍光体層12の強度が不足する可能性がある。また、架橋剤の添加量がイオン液体100重量部に対し50重量部を超える場合には、蛍光体粒子120が蛍光体層12の内部において安定して分散しない可能性がある。
(パッケージ13)
パッケージ13は、保護層11および蛍光体層12を受容する受容部131を備えている。パッケージ13は、受容部131の側面131sおよび底面131uにおいて保護層11および蛍光体層12を支持する支持部材として機能する。また、パッケージ13は、底面131uにおいて、保護層11の内部に封止された発光素子110を支持する。
パッケージ13の材料には、蛍光体層12との接触による硫化を抑制できるように、化学的に安定な材料が用いられることが好ましい。化学的に安定な材料としては、樹脂材料に無機酸化物を分散させた白色樹脂が好適に用いられる。
当該樹脂材料としては、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、シリコーンエポキシハイブリッド系樹脂、ポリアミド系樹脂、およびポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタラート(PCT)系樹脂等が好適に用いられる。
また、当該無機酸化物としては、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、および水酸化マグネシウム等が好適に用いられる。
また、パッケージ13は、(i)保護層11の内部において発生した熱(特に、発光素子110において発生した熱)、および、(ii)蛍光体層12において発生した熱(特に、蛍光体粒子120において発生した熱)を、発光装置1の外部へと放散する放熱部材としても機能する。発光装置1の発光効率を向上させる観点からは、パッケージ13の材料には、熱に対して安定であり、かつ、高い熱伝導率を有する樹脂材料が用いられることが好ましい。このような樹脂材料としては、エポキシ系樹脂およびシリコーン系樹脂を好適に用いることができきる。
加えて、パッケージ13は、光(励起光L1および蛍光L2)を反射する反射材としても機能するので、光漏れが少ないことが好ましい。発光装置1の光取り出し効率を向上させる観点から、パッケージ13の材料には、屈折率の高い無機酸化物を用いることが好ましい。このような無機酸化物としては、酸化チタンを好適に用いることができる。
(発光装置1の製造方法の一例)
発光装置1の製造方法の一例を説明すれば、以下の工程A1〜A3の通りである。
(工程A1):パッケージ13の底面131uに、発光素子110を載置する。そして、発光素子110を電極111に接触させる(発光素子110と電極111とを接続する)。続いて、発光素子110の全体を覆うように、保護層11の材料である樹脂材料(例:シリコーン樹脂)を、底面131uの全体に塗布する。そして、樹脂材料を加熱し、例えば150℃以下の温度で当該樹脂材料を硬化させる。
(工程A2):上記工程A1において硬化させた保護樹脂の上面(表面)に、15分程度に亘って波長185nmの紫外光と波長254nmの紫外光とを照射する。これらの紫外光の照射により発生するオゾンによって、保護樹脂の上面における化学反応をさらに促進させることで、上述の保護層11が得られる。
(工程A3):紫外光の照射を終了させた直後に、蛍光体層12の上面に、蛍光体粒子120が内部に分散されたイオン液体樹脂(イオン液体に由来する構成単位を含む樹脂)を塗布する。そして、イオン液体樹脂を加熱し、例えば120℃以下の温度で当該樹脂材料を硬化させる。その結果、上述の蛍光体層12が得られる。
(発光装置1の耐久性の確認)
発明者らは、発光装置1の比較例として、以下に述べる発光装置1Xをさらに製作した。そして、発光装置1および発光装置1Xについて、その耐久性を比較するための試験を行った。
図2は、発光装置1Xの要部の構成を示す図である。図2に示されるように、発光装置1Xは、発光装置1から保護層11が取り除かれた構成である。発光装置1Xにおける蛍光体層12は、受容部131において、発光装置1における保護層11が存在していた部分(空間)をも占めるように形成されている。
すなわち、発光装置1Xにおいて、発光素子110は、蛍光体層12の内部に封止されている。この点において、比較例としての発光装置1Xは、実施形態1の発光装置1と有意に異なる。
図3は、上記試験の結果(比較結果)を示す表である。発明者らは、発光装置1および発光装置1Xのそれぞれに一定の電流を印加し、これらの発光装置を駆動(点灯)させた。そして、発明者らは、当該電流の印加を開始した時点(開始時点)から所定の時間が経過した時点(終了時点)において、発光装置1および発光装置1Xのそれぞれの状態を確認した。
図3の項目「保護層11の有無」は、発光装置1および発光装置1Xのそれぞれが、保護層11を有しているか否かを示す。上述のように、発光装置1Xは、保護層11を有していない。他方、発光装置1は、保護層11(材料:シリコーン樹脂)を有している。
図3の項目「点灯時間」は、上記開始時点から上記終了時点までの時間を示す。当該試験では、発光装置1および発光装置1Xのいずれについても、点灯時間を5時間とした。
図3の項目「外観変色」は、終了時点において、発光装置1および発光装置1Xのそれぞれについて、電極111の外観の変化(変色)を確認した結果を示す。
発光装置1Xでは、電極111が銀色から黒色に変色したことが確認された。このことは、発光装置1Xでは、蛍光体層12(イオン液体樹脂層)に含まれる硫黄成分が電極111に接触することにより、電極111が硫化されたことを示している。
他方、発光装置1では、電極111の変色が生じなかった(電極111が銀色のままであった)ことが確認された。このことは、発光装置1では、保護層11によって発光素子110および電極111が蛍光体層12から隔離されているため、電極111の硫化が防止されたことを示している。
ここで、発光装置1および発光装置1Xのそれぞれについて、(i)開始時点における照明光の強度を開始時点強度、(ii)終了時点における照明光の強度を終了時点強度とそれぞれ称する。
図3の項目「光強度減衰率」は、発光装置1および発光装置1Xのそれぞれについて、「開始時点強度」に対する「開始時点強度と終了時点強度との差」の比率(割合)を示す。光強度減衰率は、終了時点強度が、開始時点強度(照明光の強度の初期値)に対して、どの程度減衰(低下)したかを示す指標である。
発光装置1Xでは、約90%という極めて高い光強度減衰率が確認された。つまり、発光装置1Xでは、終了時点強度が開始時点強度に対して大幅に低下していることが確認された。このことは、電極111が硫化されたことに起因して、発光装置1Xが本来の機能(発光性能)を喪失するに至ったことを示している。
他方、発光装置1では、約1%という極めて低い光強度減衰率が確認された。つまり、発光装置1では、終了時点強度が開始時点強度に対してほとんど低下していないことが確認された。このことは、保護層11によって電極111の硫化が防止されたことにより、発光装置1において本来の機能(発光性能)が十分に維持されたことを示している。
以上のように、発明者らは、発光装置1によれば、発光装置1Xに比べて十分に耐久性に優れた発光装置が実現できることを確認した。
(発光装置1の効果)
発光装置1によれば、保護層11によって発光素子110および電極111の両方を蛍光体層12(イオン液体樹脂層,硫黄成分を含む層)から隔離できる。保護層11に発光素子110を内部に封止させることにより、発光素子110に加えて、電極111をも蛍光体層12から離間して配置することが可能となるためである。その結果、電極111の硫化を防止できる。
このように、発光装置1によれば、従来の発光装置(発光素子110を蛍光体層12から隔離する保護層11を有しない発光装置)に比べて、発光装置の耐久性を十分に向上させることができる。つまり、発光装置1によれば、従来よりも耐久性に優れた発光装置を実現することが可能となる。
なお、発光装置1では、保護層11を設けることによって、蛍光体層12に含まれる蛍光体粒子120(半導体ナノ粒子蛍光体)の分解も抑制できるという利点も得られる。以下、蛍光体粒子120の分解が抑制されるメカニズムについて説明する。
一般的に、蛍光体粒子120(半導体ナノ粒子蛍光体)は、高いエネルギー密度を有する励起光L1が照射された場合に、分解する恐れがある。しかしながら、発光装置1では、保護層11によって、蛍光体粒子120が発光素子110(励起光源)から十分に離間されている。つまり、発光装置1では、発光装置1X(保護層11を有しない発光装置)に比べて、蛍光体粒子120を発光素子110からより遠くに位置させることができる。
このように、蛍光体粒子120を発光素子110からより遠くに位置させることにより、蛍光体粒子120に照射される励起光L1のエネルギー密度を低下させることができる。それゆえ、蛍光体粒子120に高いエネルギー密度を有する励起光L1が照射される可能性を低減できるので、蛍光体粒子120の分解を抑制できる。
〔変形例〕
なお、本開示の一態様に係る発光装置における電極の構成は、上述の電極111に限定されない。以下、図4を参照し、実施形態1の発光装置1の変形例としての発光装置1vについて述べる。図4は、発光装置1vの要部の構成を示す図である。
発光装置1vは、発光装置1において、電極111を電極111vに置き換え、かつ、ワイヤ112を追加した構成である。電極111vは、パッケージ13の底部の外周を囲むように形成されている点において、電極111と異なる。
発光装置1vでは、電極111vは、保護層11に封止された2つのワイヤ112を介して、発光素子110のアノード電極およびカソード電極(不図示)に接続される。なお、電極111vにおいて、パッケージ13の底面131uに露出している部分(露出部)は、発光素子110およびワイヤ112を固定するために用いられる。
発光装置1vでは、電極111vおよびワイヤ112によって、発光素子110に電気的入力を与えるための電極(発光素子110およびパッケージ13に含まれる電極)が形成されていると理解されてよい。
発光装置1vにおいても、保護層11によって発光素子110、電極111v、およびワイヤ112を、蛍光体層12から隔離できる。それゆえ、電極111vおよびワイヤ112(発光素子110およびパッケージ13に含まれる電極)の硫化を防止できる。
〔実施形態2〕
本開示の実施形態2について、図5に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
図5の(a)は、実施形態2の発光装置2の要部の構成を示す図である。発光装置2は、実施形態1の発光装置1に対して、化学結合層21をさらに設けた構成である。図5の(a)に示されるように、化学結合層21は、保護層11と蛍光体層12との間に介在している。
つまり、発光装置2では、保護層11と蛍光体層12とは、化学結合層21を介して間接的に接触している。発光装置2では、保護層11、化学結合層21、および蛍光体層12が、この順に上方向に積層されている。
図5の(b)は、図5の(a)における領域Pの拡大図である。図5の(b)に示されるように、化学結合層21の厚さを、厚さDとも称する。
(化学結合層21)
化学結合層21は、化学結合によって保護層11と蛍光体層12とを結合(固定,接着)する。化学結合層21は、保護層11と蛍光体層12との界面を接着する接着層としての役割を果たす。図5の(b)では、化学結合層21が化学結合によって保護層11と蛍光体層12とを結合している様子が、模式的に示されている。
化学結合の種類は、保護層11と蛍光体層12とを化学的に結合できるものであれば、特に限定されない。但し、後述する実施形態3において述べるように、当該化学結合には、「Si−O結合」が含まれていることが特に好ましい。
また、化学結合層21の材料についても、上記化学結合を得ることができるものであれば、特に限定されない。実施形態2では、化学結合層21の材料としてシランカップリング材が用いられる場合を例示する。化学結合層21の材料としてシランカップリング材を用いることの利点についても、実施形態3において述べる。
なお、図5の(a)では、説明の便宜上、化学結合層21を強調して図示していることに留意されたい。実際には、化学結合層21の厚さDは、保護層11および蛍光体層12のそれぞれの厚さに比べて十分に薄いことに留意されたい。なお、保護層11および蛍光体層12のそれぞれの厚さは、少なくともサブミリメートル(1mmの1/10程度)のオーダであることが一般的である。
厚さDは、保護層11および蛍光体層12のそれぞれの厚さに比べて十分に小さい値であれば、特に限定されない。但し、厚さDは、1μm以下であることが好ましい。厚さDが1μm以下である場合には、保護層11と蛍光体層12との接触面積が十分に確保されるので、化学結合層21によって保護層11と蛍光体層12との接着性を好適に向上させることができるためである。
このように、厚さDを1μm以下とした場合には、発光装置2の機械的強度をさらに向上させることができるので、発光装置2の耐久性をさらに向上させることが可能となる。
また、厚さDは、100nm以下であることがより好ましい。厚さDが100nm以下である場合には、上述の接着性の向上に加え、化学結合層21における光(励起光L1および蛍光L2)の散乱または吸収をも抑制できるためである。
このように、厚さDを100nm以下とした場合には、発光装置2における励起光L1および蛍光L2の利用効率を向上させることができるので、発光装置2の発光効率をさらに向上させることが可能となる。
(発光装置2の製造方法の一例)
発光装置2の製造方法の一例を説明すれば、以下の工程B1〜B5の通りである。
(工程B1・B2):上述の工程A1・A2と同様であるため、説明を省略する。
(工程B3):紫外光の照射を終了させた直後に、蛍光体層12の上面に、シランカップリング剤を分散させた分散液(シランカップリング剤分散液)を塗布する。シランカップリング剤分散液は、シランカップリング剤を、希釈液によって5〜10倍程度に希釈した液体である。当該希釈液は、水であってもよいし、あるいは、公知の有機溶剤であってもよい。
シランカップリング剤分散液は、蛍光体層12の上面全体を浸すように塗布されてよい。あるいは、シランカップリング剤分散液は、噴霧装置(例:スプレーガン)を用いた噴霧によって、蛍光体層12の上面に塗布されてもよい。
(工程B4):蛍光体層12の上面に存在する余分なシランカップリング剤分散液を、除去する。例えば、余分なシランカップリング剤分散液は、100℃以下の温度による加熱によって除去されてよい。あるいは、余分なシランカップリング剤分散液は、減圧乾燥等の方法によって除去することもできる。
余分なシランカップリング剤分散液を除去した後に、蛍光体層12の上面に残ったシランカップリング剤分散液を十分に乾燥させる。その結果、上述の化学結合層21が得られる。
(工程B5):化学結合層21の上面に、上述の工程A3と同様のイオン液体樹脂を塗布する。以降、工程A3と同様の処理により蛍光体層12を得る。
(発光装置2の効果)
上述のように、発光装置2は、化学結合によって保護層11と蛍光体層12とを結合する化学結合層21をさらに備えている。それゆえ、実施形態1の発光装置1に比べて、保護層11と蛍光体層12との接着性を向上させることができる。
従って、発光装置2によれば、発光装置1に比べて、発光装置の機械的強度をさらに向上させることができる。例えば、発光装置2に外力が印加された場合に、保護層11と蛍光体層12とが剥離することを防止できる。このように、発光装置2によれば、発光装置の耐久性をさらに向上させることが可能となる。
〔実施形態3〕
本開示の実施形態3について、図6に基づいて説明すれば、以下の通りである。以下、説明の便宜上、実施形態3の発光装置を発光装置3と称する。また、発光装置3における化学結合層を化学結合層31と称する。
図6の(a)および(b)はそれぞれ、発光装置3における領域P(参照:上述の図5の(a))の拡大図である。図6に示されるように、化学結合層31では、保護層11と蛍光体層12とを結合する化学結合に、Si−O結合が含まれている。
一般的に、Si−O結合は、各種の化学結合のうち、非常に強い化学結合の1つであることが知られている。このため、当該有機分子は、化学的安定性、耐熱性、および耐光性等に特に優れている。つまり、当該有機分子を含む層は、対劣化性に特に優れている。
また、Si−O結合を骨格に有する有機分子は、機械的強度においても特に優れている。このため、当該有機分子を含む層は、例えば外力が印加された場合においても、剥離しにくい。
それゆえ、Si−O結合を含む化学結合によって保護層11と蛍光体層12とを結合する化学結合層31を用いることにより、発光装置の耐久性をより一層向上させることが可能となる。このように、発光装置3によれば、実施形態2の発光装置2において、耐久性を特に向上させることができる。
Si−O結合を含む化学結合層31の材料の好適な例の1つとしては、シランカップリング剤を挙げることができる。以下、シランカップリング剤が化学結合層31の材料として好適である理由について述べる。但し、後述するように、化学結合層31の材料は、シランカップリング剤に限定されない。当該材料は、Si−O結合を含む化学結合層31を得ることができるものであればよい。
シランカップリング剤は、「X−Si−O−R」として表される分子構造を有している。ここで、Xは、ビニル基、エポキシ基、メタクリル基等の官能基(第1の官能基,X官能基)である。また、Rは、メトキシ基、エトキシ基等の官能基(第2の官能基,R官能基)である。
このように、シランカップリング剤は、2種類の異なる官能基を有している。このため、シランカップリング剤は、2つの異なる材料を接着する接着層(つまり化学結合層31)の材料として好適に用いられうる。
例えば、R官能基は、保護層11(例:シリコーン樹脂を材料とする層)との反応性が高く、蛍光体層12(イオン液体樹脂層)との反応性が低い。他方、X官能基は、保護層11との反応性が低く、蛍光体層12との反応性が高い。
このため、上述の工程B4において化学結合層31を製造した時点では、R官能基は保護層11と化学結合しているが、X官能基は保護層11と化学結合せず化学結合層31の内部に残存している状態となる。従って、上述の工程B5において蛍光体層12を製造すると、化学結合層31の上面に存在するX官能基が、当該蛍光体層12と化学結合する。
従って、例えば上述の工程B1〜B5によって発光装置3を製造した場合に、(i)R官能基を保護層11と化学結合させるとともに、(ii)X官能基を当該蛍光体層12と化学結合させることができる。その結果、図6に示されるように、Si−O結合を含む化学結合によって保護層11と蛍光体層12とを結合する化学結合層31が得られる。
上述したように化学結合層31を製造することにより、複数のSi−O結合を含む化学結合層31によって、保護層11と蛍光体層12とを結合できる。図6の(b)は、化学結合層31に複数のSi−O結合が含まれていることを模式的に示している。
一例として、図6の(b)には、化学結合層31と保護層11との界面において、複数のSi−O結合が存在している場合が示されている。このような場合には、保護層11の機械的強度を特に効果的に構造させることができる。
〔変形例〕
上述の実施形態3では、化学結合層31の好適な材料として、シランカップリング剤を例示した。但し、化学結合層31の材料は、シランカップリング剤に限定されない。
一例として、TEOS(TetraEthyl OrthoSilicate,オルトケイ酸テトラエチル)またはTMOS(TetraMethyl OrthoSilicate,オルトケイ酸テトラメチル)等のシリコン金属アルコキシドも、化学結合層31の材料として好適である。これらのシリコン金属アルコキシドを用いた場合にも、Si−O結合を含む化学結合層31を得ることができる。
〔実施形態4〕
以下、本開示の実施形態4について説明する。実施形態4では、本開示の一態様に係る発光装置における保護層11の好適な材料について、2つの例を説明する。
(シリコーン樹脂)
上述のように、発光装置の発光効率を向上させる観点からは、保護層11は、透光性に優れていることが好ましい。このため、保護層11の材料としては、高い光透過性を有する樹脂材料が好適に用いられる。当該樹脂材料としては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、およびアクリル樹脂等が挙げられる。
さらに、上述のように、発光装置の耐久性を向上させる観点からは、保護層11は、耐熱性、耐光性、および耐変色性に優れていることが好ましい。シリコーン樹脂は、上述の各種の樹脂材料の中でも、特に優れた耐熱性、耐光性、および耐変色性を有している。
それゆえ、シリコーン樹脂は、発光装置の発光効率の向上、および、発光装置の耐久性の向上の両方の観点から、保護層11の各種の材料の中でも特に好適である。
(エポキシ樹脂)
エポキシ樹脂は、ガスバリア性および水蒸気バリア性において、シリコーン樹脂よりも優れている。それゆえ、例えば、所定のガスの濃度が高い環境下(例:化学工場内)、または、高湿の環境下(例:トンネル内)において、比較的長時間に亘って発光装置を使用する場合には、保護層11の材料としてエポキシ樹脂を用いることがより好ましい。
保護層11の材料としてエポキシ樹脂を用いることにより、高濃度のガス環境下または高湿度の環境下において発光装置を使用する場合においても、当該発光装置の耐久性を十分に向上させることが可能となる。
例えば、保護層11の内部に封止された発光素子110を、上記ガスまたは水蒸気から保護できるので、当該発光素子110の劣化(例:腐食)を防止できる。また、保護層11の内部に、光(励起光L1および蛍光L2)を反射する反射部材(リフレクタ)がさらに封止されている場合には、当該反射部材の劣化を防止することもできる。
また、上述のように、エポキシ樹脂は、シリコーン樹脂と同様に高い光透過性を有している。このため、シリコーン樹脂は、発光装置の発光効率を向上させる観点からも、保護層11の材料として好適である。
〔変形例〕
上述の実施形態4では、保護層11の材料として、シリコーン樹脂およびエポキシ樹脂を例示した。但し、保護層11の材料は、これらに限定されない。
例えば、上述のように、保護層11の材料は、アクリル樹脂であってもよい。あるいは、シルセスキオキサン系UV(Ultra Violet)硬化樹脂を保護層11の材料として用いることができる。
さらに、保護層11の材料は、樹脂材料(有機材料)のみに限定されない。例えば、保護層11の材料として、SiO(酸化ケイ素)およびAl(酸化アルミニウム)等の無機材料を用いることもできる。上述の通り、保護層11の材料は、透光性、耐熱性、耐光性、および耐変色性の観点から、発光装置の仕様に応じて適宜選択されてよい。
〔実施形態5〕
以下、本開示の実施形態5について説明する。実施形態5では、本開示の一態様に係る発光装置における蛍光体粒子120(半導体ナノ粒子蛍光体)の材料の具体例について述べる。
一例として、蛍光体粒子120の材料は、「InP、InN、InAs、InSb、InBi、ZnO、In、Ga、ZrO、In、Ga、InSe、GaSe、InTe、GaTe、CdSe、CdTe、およびCdS」からなる群から選択された少なくとも1種類の材料(半導体材料)であってよい。
より具体的には、上記半導体材料のナノサイズの結晶(半導体結晶)が、蛍光体粒子120の材料として用いられる。上記半導体結晶は、約380nm〜780nmの波長範囲の可視光を、蛍光L2として発する。つまり、上記半導体結晶は、励起光L1によって励起されて、可視光としての蛍光L2を発することができるように、上記波長範囲(約380nm〜780nm)に対応したエネルギーバンドギャップを有している。
なお、上述の図1等では、説明の便宜上、蛍光体粒子120の形状が球状である場合を例示した。但し、蛍光体粒子120の形状は球状に限定されない。例えば、蛍光体粒子120の形状は、ロッド状であってもよいし、ワイヤ状であってもよい。蛍光体粒子120の形状には、公知の任意の形状が適用されてよい。
〔変形例〕
上述の各実施形態では、説明の便宜上、蛍光体層12に1種類の蛍光体粒子120のみが含まれている構成を例示した。但し、蛍光体層12には、2種類以上(複数種類)の蛍光体粒子120が含まれていてもよい。
一例として、蛍光体層12には、(i)蛍光として緑色光を発する第1の蛍光体粒子と、(ii)蛍光として赤色光を発する第2の蛍光体粒子とが含まれていてもよい。当該構成によっても、励起光(例:青色光)と蛍光(緑色光および赤色光)とを混合することで、白色の照明光を得ることができる。
蛍光体層12に含まれる複数種類の蛍光体粒子120のそれぞれの材料(換言すれば、複数種類の蛍光体粒子120のそれぞれから発せられる蛍光の波長)は、所望される照明光の色に応じて適宜選択されてよい。
〔実施形態6〕
本開示の実施形態6について、図7に基づいて説明すれば、以下の通りである。実施形態6では、実施形態1の発光装置1を備える画像表示装置1000について説明する。なお、画像表示装置1000において、発光装置1に替えて実施形態2〜5のいずれかの発光装置を設けてもよい。
図7の(a)は、画像表示装置1000の分解斜視図である。図7の(b)は、画像表示装置1000が備える液晶表示装置1024の分解斜視図である。
画像表示装置1000は、発光装置1と、導光板1022と液晶表示部1023とを備える。導光板1022は、透明または半透明の導光板である。液晶表示部1023は、画像を表示する表示部であり、複数の液晶表示装置1024を備える。
画像表示装置1000では、導光板1022の側面に、発光装置1が複数配置されている。画像表示装置1000において、複数の発光装置1はそれぞれ、バックライトとして機能する。
また、画像表示装置1000では、導光板1022に隣接して、液晶表示部1023が設けられている。発光装置1からの出射光L(励起光L1と蛍光L2とが混合された光)は、導光板1022内で散乱され、散乱光LDとして液晶表示部1023の全面に照射される。
図7の(b)に示すように、液晶表示部1023を構成する液晶表示装置1024は、偏光板1241と、透明導電膜1243a(薄膜トランジスタ1242を有する)と、配向膜1244aと、1液晶層245と、1配向膜244bと、上部薄膜電極1243bと、色画素を表示するためのカラーフィルタ1246と、上部偏光板1247とが順次積層されている。
カラーフィルタ1246は、透明導電膜243aの各画素に対応する大きさに分割されている。また、カラーフィルタ1246は、赤色光を透過する赤色カラーフィルタ1246r、緑色光を透過する緑色カラーフィルタ1246gおよび青色光を透過する青色カラーフィルタ1246bを備えている。
以上のように、画像表示装置1000は、発光装置1(従来よりも耐久性に優れた発光装置)を備えている。それゆえ、画像表示装置1000によれば、従来よりも耐久性に優れた画像表示装置を実現できる。
〔変形例〕
本開示の一態様に係る発光装置は、例えば照明装置に用いられてよい。当該照明装置は、例えば高天井照明(例:スポットライトまたはダウンライト等)に用いられてよいし、あるいは道路照明等に用いられてもよい。
本開示の一態様に係る照明装置は、本開示の一態様に係る発光装置を備えていればよい。当該構成によれば、従来よりも耐久性に優れた照明装置を実現することが可能となる。
〔まとめ〕
本開示の態様1に係る発光装置(1)は、励起光(L1)を発する励起光源(発光素子110)と、上記励起光を受けて蛍光(L2)を発する半導体ナノ粒子蛍光体(蛍光体粒子120)が内部に分散された蛍光体層(12)と、を備えており、上記蛍光体層は、重合性官能基を有するイオン液体に由来する構成単位を含んでおり、上記励起光源を内部に封止する保護層(11)をさらに備えている。
上述のように、重合性官能基を有するイオン液体に由来する構成単位を含む蛍光体層(つまり、イオン液体樹脂層)は、構成元素に硫黄(S)を含んでいる。
発明者らは、「イオン液体樹脂層が励起光源(発光素子)およびパッケージに含まれる電極(励起光源を駆動するための電極)に接触した場合、当該電極が硫化しうる。その結果、電極の硫化に起因して、発光装置の劣化が生じうる」という問題点を新たに見出した。さらに、発明者らは、上記問題点に対処するための具体的な構成として、上記の発光装置の構成を新たに見出した(上述の図1〜4等も参照)。
上記の構成によれば、励起光源が保護層の内部に封止されているので、当該保護層によって、発光素子を蛍光体層から隔離できる。加えて、電極を蛍光体層から隔離するように配置することも可能となる。それゆえ、電極の硫化を防止できるので、従来よりも耐久性に優れた発光装置を実現することが可能となる。
本開示の態様2に係る発光装置は、上記態様1において、上記励起光源を駆動するための電極(111)をさらに備えており、上記電極は、上記保護層によって上記蛍光体層から隔離されていることが好ましい。
上記の構成によれば、電極は保護層によって蛍光体層から隔離されるように配置されている。それゆえ、本開示の一態様に係る発光装置と同様の効果を奏する。
本開示の態様3に係る発光装置は、上記態様1または2において、上記保護層と上記蛍光体層とを化学結合によって結合する化学結合層(21)をさらに備えていることが好ましい。
上記の構成によれば、化学結合層によって保護層と蛍光体層と結合することにより、発光装置の機械的強度を向上させることができる。それゆえ、発光装置の耐久性をさらに向上させることが可能となる。
本開示の態様4に係る発光装置は、上記態様3において、上記化学結合には、Si−O結合が含まれていることが好ましい。
上述のように、Si−O結合は、各種の化学結合のうち、非常に強い化学結合の1つである。それゆえ、上記の構成によれば、発光装置の耐久性をさらに向上させることが可能となる。
本開示の態様5に係る発光装置は、上記態様3または4において、上記化学結合層の厚さ(D)が、1μm以下であることが好ましい。
上記の構成によれば、化学結合層によって保護層と蛍光体層との接着性をさらに向上させることができる。すなわち、発光装置の耐久性をさらに向上させることが可能となる。
本開示の態様6に係る発光装置は、上記態様5において、上記化学結合層の厚さが、100nm以下であることが好ましい。
上記の構成によれば、化学結合層における光(励起光および蛍光)の散乱または吸収を抑制することがさらに可能となる。それゆえ、発光装置の発光効率を向上させることができる。
本開示の態様7に係る発光装置は、上記態様1から6のいずれか1つにおいて、上記保護層の材料が、シリコーン樹脂であってよい。
上述のように、シリコーン樹脂は、保護層の材料の中でも、特に優れた耐熱性、耐光性、および耐変色性を有している。加えて、シリコーン樹脂は、高い光透過性をも有している。それゆえ、上記の構成によれば、発光装置の耐久性および発光効率をさらに向上させることが可能となる。
本開示の態様8に係る発光装置は、上記態様1から6のいずれか1つにおいて、上記保護層の材料が、エポキシ樹脂であってよい。
上述のように、エポキシ樹脂は、ガスバリア性および水蒸気バリア性において、シリコーン樹脂よりも優れている。それゆえ、上記の構成によれば、例えば、高濃度のガス環境下または高湿度の環境下において発光装置を使用する場合においても、当該発光装置の耐久性を十分に向上させることが可能となる。
本開示の態様9に係る画像表示装置(1000)は、上記態様1から8のいずれか1つに係る発光装置を備えていることが好ましい。
上記の構成によれば、本開示の一態様に係る発光装置と同様の効果を奏する。
〔付記事項〕
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成できる。
1,1v,2,3,4 発光装置
11 保護層
12 蛍光体層
21,31 化学結合層
110 発光素子(励起光源)
111,111v 電極
112 ワイヤ
120 蛍光体粒子
1000 画像表示装置
L1 励起光
L2 蛍光
D 化学結合層の厚さ

Claims (9)

  1. 励起光を発する励起光源と、
    上記励起光を受けて蛍光を発する半導体ナノ粒子蛍光体が内部に分散された蛍光体層と、を備えており、
    上記蛍光体層は、重合性官能基を有するイオン液体に由来する構成単位を含んでおり、
    上記励起光源を内部に封止する保護層をさらに備えていることを特徴とする発光装置。
  2. 上記励起光源を駆動するための電極をさらに備えており、
    上記電極は、上記保護層によって上記蛍光体層から隔離されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  3. 上記保護層と上記蛍光体層とを化学結合によって結合する化学結合層をさらに備えていることを特徴とする請求項1または2に記載の発光装置。
  4. 上記化学結合には、Si−O結合が含まれていることを特徴とする請求項3に記載の発光装置。
  5. 上記化学結合層の厚さは、1μm以下であることを特徴とする請求項3または4に記載の発光装置。
  6. 上記化学結合層の厚さは、100nm以下であることを特徴とする請求項5に記載の発光装置。
  7. 上記保護層の材料は、シリコーン樹脂であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の発光装置。
  8. 上記保護層の材料は、エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の発光装置。
  9. 請求項1から8のいずれか1項に記載の発光装置を備えていることを特徴とする画像表示装置。
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Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003249691A (ja) * 2002-02-22 2003-09-05 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2007262375A (ja) * 2006-03-30 2007-10-11 Kyocera Corp 波長変換器および発光装置
JP2008189917A (ja) * 2007-01-11 2008-08-21 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体用熱硬化性組成物、光半導体素子用ダイボンド材、光半導体素子用アンダーフィル材、光半導体素子用封止剤及び光半導体素子
JP2009500834A (ja) * 2005-07-08 2009-01-08 トリドニックアトコ オプトエレクトロニクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 光電子装置およびその製造方法
JP2009173789A (ja) * 2008-01-25 2009-08-06 Momentive Performance Materials Inc 光半導体封止用シリコーン組成物及びそれを用いた光半導体装置
WO2012102107A1 (ja) * 2011-01-28 2012-08-02 昭和電工株式会社 量子ドット蛍光体を含む組成物、量子ドット蛍光体分散樹脂成形体、量子ドット蛍光体を含む構造物、発光装置、電子機器、機械装置及び量子ドット蛍光体分散樹脂成形体の製造方法
US20130099213A1 (en) * 2011-10-21 2013-04-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor nanocrystal-polymer composite, method of preparing the same, and composite film and optoelectronic device including the same
US20130140600A1 (en) * 2011-05-31 2013-06-06 Nanoco Technologies, Ltd. Semiconductor nanoparticle-containing materials and light emitting devices incorporating the same
JP2014056896A (ja) * 2012-09-11 2014-03-27 Ns Materials Kk 半導体を利用した発光デバイス及びその製造方法
JP2014179457A (ja) * 2013-03-14 2014-09-25 Shinko Electric Ind Co Ltd 発光素子搭載用の配線基板、発光装置、発光素子搭載用の配線基板の製造方法及び発光装置の製造方法
JP2015023081A (ja) * 2013-07-17 2015-02-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2015156226A1 (ja) * 2014-04-08 2015-10-15 Nsマテリアルズ株式会社 量子ドット及びその製造方法、並びに、前記量子ドットを用いた成形体、シート部材、波長変換部材、発光装置
JP2015195269A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 コニカミノルタ株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2017032767A (ja) * 2015-07-31 2017-02-09 シャープ株式会社 波長変換部材および発光装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100291374A1 (en) * 2007-06-12 2010-11-18 Ajjer Llc Composites Comprising Nanoparticles
JP2010004035A (ja) 2008-05-22 2010-01-07 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置、照明装置、および画像表示装置
CN101551068A (zh) * 2009-04-30 2009-10-07 旭丽电子(广州)有限公司 一种发光二极管装置及其封装方法
KR20120050286A (ko) * 2010-11-10 2012-05-18 삼성엘이디 주식회사 양자점을 이용한 발광 소자 패키지
KR20130015847A (ko) * 2011-08-05 2013-02-14 삼성전자주식회사 발광장치, 백라이트 유닛과 디스플레이 장치 및 그 제조방법
WO2013191089A1 (ja) * 2012-06-22 2013-12-27 シャープ株式会社 反射防止フィルムの製造方法
US10174886B2 (en) 2015-07-31 2019-01-08 Sharp Kabushiki Kaisha Wavelength conversion member and light emitting device
CN205069681U (zh) * 2015-10-26 2016-03-02 陕西光电科技有限公司 一种耐高温抗硫化smd led器件
JP6158905B2 (ja) 2015-12-15 2017-07-05 シャープ株式会社 発光装置または発光装置用蛍光体含有シート
US20170166807A1 (en) 2015-12-15 2017-06-15 Sharp Kabushiki Kaisha Phosphor containing particle, and light emitting device and phosphor containing sheet using the same

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003249691A (ja) * 2002-02-22 2003-09-05 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2009500834A (ja) * 2005-07-08 2009-01-08 トリドニックアトコ オプトエレクトロニクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 光電子装置およびその製造方法
JP2007262375A (ja) * 2006-03-30 2007-10-11 Kyocera Corp 波長変換器および発光装置
JP2008189917A (ja) * 2007-01-11 2008-08-21 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体用熱硬化性組成物、光半導体素子用ダイボンド材、光半導体素子用アンダーフィル材、光半導体素子用封止剤及び光半導体素子
JP2009173789A (ja) * 2008-01-25 2009-08-06 Momentive Performance Materials Inc 光半導体封止用シリコーン組成物及びそれを用いた光半導体装置
WO2012102107A1 (ja) * 2011-01-28 2012-08-02 昭和電工株式会社 量子ドット蛍光体を含む組成物、量子ドット蛍光体分散樹脂成形体、量子ドット蛍光体を含む構造物、発光装置、電子機器、機械装置及び量子ドット蛍光体分散樹脂成形体の製造方法
JP2014519708A (ja) * 2011-05-31 2014-08-14 ナノコ テクノロジーズ リミテッド 半導体ナノ粒子含有材料及びそれを組み込んだ発光デバイス
US20130140600A1 (en) * 2011-05-31 2013-06-06 Nanoco Technologies, Ltd. Semiconductor nanoparticle-containing materials and light emitting devices incorporating the same
US20130099213A1 (en) * 2011-10-21 2013-04-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor nanocrystal-polymer composite, method of preparing the same, and composite film and optoelectronic device including the same
JP2014056896A (ja) * 2012-09-11 2014-03-27 Ns Materials Kk 半導体を利用した発光デバイス及びその製造方法
JP2014179457A (ja) * 2013-03-14 2014-09-25 Shinko Electric Ind Co Ltd 発光素子搭載用の配線基板、発光装置、発光素子搭載用の配線基板の製造方法及び発光装置の製造方法
JP2015023081A (ja) * 2013-07-17 2015-02-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2015195269A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 コニカミノルタ株式会社 発光装置及びその製造方法
WO2015156226A1 (ja) * 2014-04-08 2015-10-15 Nsマテリアルズ株式会社 量子ドット及びその製造方法、並びに、前記量子ドットを用いた成形体、シート部材、波長変換部材、発光装置
JP2017032767A (ja) * 2015-07-31 2017-02-09 シャープ株式会社 波長変換部材および発光装置

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