KR101172551B1 - 금도금 인쇄 기판 상에 장착된 반도체 소자의 밀봉 방법 - Google Patents
금도금 인쇄 기판 상에 장착된 반도체 소자의 밀봉 방법 Download PDFInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 65
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 20
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 20
- 239000010931 gold Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims abstract description 50
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 125000004018 acid anhydride group Chemical group 0.000 claims abstract description 21
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims abstract description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 10
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 claims description 9
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 claims description 8
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000007809 chemical reaction catalyst Substances 0.000 claims description 4
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 abstract description 3
- 150000008064 anhydrides Chemical group 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 25
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 8
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 8
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 8
- 229920006136 organohydrogenpolysiloxane Polymers 0.000 description 8
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 8
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 7
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 alicyclic hydrocarbon Chemical class 0.000 description 6
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 6
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 4
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 4
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 3
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WUMMIJWEUDHZCL-UHFFFAOYSA-N 3-prop-2-enyloxolane-2,5-dione Chemical compound C=CCC1CC(=O)OC1=O WUMMIJWEUDHZCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- INYHZQLKOKTDAI-UHFFFAOYSA-N 5-ethenylbicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical compound C1C2C(C=C)CC1C=C2 INYHZQLKOKTDAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- OSIVCXJNIBEGCL-UHFFFAOYSA-N bis(2,2,6,6-tetramethyl-1-octoxypiperidin-4-yl) decanedioate Chemical compound C1C(C)(C)N(OCCCCCCCC)C(C)(C)CC1OC(=O)CCCCCCCCC(=O)OC1CC(C)(C)N(OCCCCCCCC)C(C)(C)C1 OSIVCXJNIBEGCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005645 diorganopolysiloxane polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- QYLFHLNFIHBCPR-UHFFFAOYSA-N 1-ethynylcyclohexan-1-ol Chemical compound C#CC1(O)CCCCC1 QYLFHLNFIHBCPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethylhex-1-yn-3-ol Chemical compound CC(C)CC(C)(O)C#C NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCZBMENVWKFZDJ-UHFFFAOYSA-N 3-trimethylsilylpropane-1-thiol Chemical compound C[Si](C)(C)CCCS HCZBMENVWKFZDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KNDQHSIWLOJIGP-UHFFFAOYSA-N 826-62-0 Chemical compound C1C2C3C(=O)OC(=O)C3C1C=C2 KNDQHSIWLOJIGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 0 C[*+]CCCC(CC(O1)=O)C1=O Chemical compound C[*+]CCCC(CC(O1)=O)C1=O 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- CLSUSRZJUQMOHH-UHFFFAOYSA-L platinum dichloride Chemical compound Cl[Pt]Cl CLSUSRZJUQMOHH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920001843 polymethylhydrosiloxane Chemical group 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3142—Sealing arrangements between parts, e.g. adhesion promotors
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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Abstract
본 발명의 과제는 반도체 소자를 장착한 금도금 인쇄 기판을 실리콘 수지로 밀봉할 때에 충분한 접착성을 갖는 반도체 소자의 밀봉 방법을 제공하는 것이다.
상기 과제는 금도금 인쇄 기판에 장착된 반도체 소자를 경화성 실리콘 수지로 피복하고, 이어서 상기 경화성 실리콘 수지를 경화시키는 공정을 갖는 반도체 소자의 밀봉 방법에 있어서, 상기 금도금 인쇄 기판을 미리 산 무수물기 함유 알콕시실란 또는 그의 부분 가수분해 축합물 또는 이들의 조합으로 이루어지는 처리제로 처리하는 상기 밀봉 방법으로 해결되며, 금도금 인쇄 기판에 장착된 반도체 소자를 경화성 실리콘 수지로 피복하고, 이어서 상기 경화성 실리콘 수지를 경화시키는 공정을 갖는 반도체 소자의 밀봉 방법에 있어서, 상기 경화성 실리콘 수지가 산 무수물기 함유 알콕시실란 또는 그의 부분 가수분해 축합물 또는 이들의 조합으로 이루어지는 처리제를 함유하는 상기 밀봉 방법으로 해결된다.
금도금 인쇄 기판, 반도체 소자, 밀봉 방법
Description
[비특허 문헌 1] 전자 재료 9월호(제44권 제9호) p.86-89(발행소: (주)고교 초사까이)
[비특허 문헌 2] 전자 재료 9월호(제44권 제9호) p.90-93(발행소: (주)고교 초사까이)
본 발명은 금도금 인쇄 기판 상에 장착된 반도체 소자의 밀봉 방법에 관한 것이다.
종래, 광 반도체로서, 각종 광 센서용 포토 다이오드, 포토 트랜지스터 등의 수광 소자 및 발광 다이오드(LED)가 알려져 있다. 이들의 성형 방법으로는, 예를 들면 금도금 인쇄 기판 상에 반도체 소자를 장착하고, 와이어 본딩 후, 포팅, 트랜스퍼 몰드 등의 성형 기술을 이용하여 상기 반도체 소자를 밀봉하는 기술이 알려져 있다.
종래, 밀봉 재료로는 에폭시 수지가 사용되고 있었지만, 소자의 고성능화에 따라 소자로부터의 광 에너지의 증대나 발열량의 증대에 의해 에폭시 수지의 변색열화가 지적되고 있다(비특허 문헌 1). 이 대신에 내구성이 우수한 수지로는 실리콘 수지가 있지만, 상기한 방법에서는 접착성이 떨어지는 경우가 있기 때문에, 그대로 치환하는 것은 곤란하였다(비특허 문헌 2).
한편, 무기 물질과 실리콘 재료를 접착하는 방법으로는, 무기 물질을 실란 커플링제로 미리 표면 처리하는 방법, 실리콘 재료에 실란 커플링제를 첨가하는 방법 등이 알려져 있다. 구체적으로는 실란 커플링제를 직접, 또는 용제(유기 용제 또는 물)로 희석한 용액을 무기 물질에 분무하는 방법이나 침지?건조하는 방법이 있다. 그러나, 무기 물질이 금(예를 들면, 금도금)인 경우에는, 양호한 접착성을 얻는 것이 곤란하였다.
상기 문제점을 감안하여, 본 발명의 목적은 반도체 소자를 장착한 금도금 인쇄 기판을 실리콘 수지로 밀봉할 때에 충분한 접착성을 갖는 반도체 소자의 밀봉 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해서 예의 검토를 행한 결과, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 첫번째로,
금도금 인쇄 기판에 장착된 반도체 소자를 경화성 실리콘 수지로 피복하고, 이어서 상기 경화성 실리콘 수지를 경화시키는 공정을 갖는 반도체 소자의 밀봉 방 법에 있어서,
상기 금도금 인쇄 기판을 미리 산 무수물기 함유 알콕시실란 또는 그의 부분 가수분해 축합물 또는 이들의 조합으로 이루어지는 처리제로 처리하는 상기 밀봉 방법(이하, "밀봉 방법 1"이라 함)을 제공한다.
본 발명은 두번째로,
금도금 인쇄 기판에 장착된 반도체 소자를 경화성 실리콘 수지로 피복하고, 이어서 상기 경화성 실리콘 수지를 경화시키는 공정을 갖는 반도체 소자의 밀봉 방법에 있어서,
상기 경화성 실리콘 수지가 산 무수물기 함유 알콕시실란 또는 그의 부분 가수분해 축합물 또는 이들의 조합으로 이루어지는 처리제를 함유하는 상기 밀봉 방법(이하, "밀봉 방법 2"라 함)을 제공한다.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
이하, 본 발명을 자세히 설명한다.
<처리제>
본 발명의 밀봉 방법에 사용되는 처리제는 산 무수물기 함유 알콕시실란 또는 그의 부분 가수분해 축합물 또는 이들의 조합이고, 상세하게는 1분자 중에 산 무수물기와 알콕시기를 갖는 화합물이다. 이 산 무수물기 함유 알콕시실란은, 예를 들면 하기 화학식 1로 표시된다.
식 중, R은 산 무수물기이고, X는 탄소 원자수 1 내지 6의 알콕시기 또는 1가 탄화수소기이며, 단 적어도 하나의 X는 알콕시기이고, n은 1 내지 3의 정수이다.
상기 화학식 1 중, R로 표시되는 산 무수물기는, 예를 들면 하기 구조식으로 표시되는 기 등이다.
상기 화학식 1 중, X로 표시되는 알콕시기는, 바람직하게는 탄소 원자수 1 내지 4이고, 구체적으로는, 예를 들면 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기 등이며, 바람직하게는 메톡시기이다. X로 표시되는 1가 탄화수소기는, 바람직하게는 탄소 원자수 1 내지 4이고, 구체적으로는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기 등의 알킬기이며, 바람직하게는 공업적으로 입수 용이한 메틸기이다. 상기 화학식 1 중, 2 내지 3개, 특히 3개의 X가 알콕시기인 것이 무기 물질과의 접착성이 향상되기 때문에 바람직하다.
상기 화학식 1로 표시되는 산 무수물기 함유 알콕시실란으로는, 예를 들면 하기 구조식 1a로 표시되는 알릴숙신산 무수물과 트리메톡시실란의 부가 반응 생성물; 하기 구조식 1b로 표시되는 알릴숙신산 무수물과 트리에톡시실란의 부가 반응 생성물; 하기 구조식 1c로 표시되는 5-노르보르넨-2,3-디카르복실산 무수물과 트리 메톡시실란의 부가 반응 생성물; 하기 구조식 1d로 표시되는 알릴나딕산 무수물과 트리메톡시실란의 부가 반응 생성물 등을 들 수 있다.
식 중, Me는 메틸기를 나타낸다. 이하, 동일하다.
식 중, Et은 에틸기를 나타낸다. 이하, 동일하다.
본 발명의 밀봉 방법에 사용되는 처리제 중, 산 무수물기 함유 알콕시실란의 부분 가수분해 축합물은 상기 산 무수물기 함유 알콕시실란을 부분 가수분해 및 축합하여 얻어지는 화합물이다.
이들 처리제는 1종 단독으로 사용하거나 2종 이상을 병용할 수도 있다.
<경화성 실리콘 수지>
본 발명의 밀봉 방법에 사용되는 경화성 실리콘 수지는, 통상 경화성 실리콘 수지 조성물이고, 바람직하게는 하기의 (A) 내지 (C) 성분을 함유하는 조성물이다. 이하, 바람직한 실시 형태인 조성물을 일례로서 설명한다.
[(A) 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 유기 규소 화합물]
(A) 성분은, 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 1분자 중에 2개 이상, 바람직하게는 2 내지 10개 갖는 유기 규소 화합물이다. "부가 반응성"이란, 규소 원자에 결합된 수소 원자와 히드로실릴화 반응에 의해 부가될 수 있는 성질을 의미한다.
부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합으로는, 예를 들면 비닐기, 알릴기 등의 알케닐기; 지환식 탄화수소의 환을 구성하고 있는 비닐렌기(-CH=CH-) 등에 포함되는 탄소-탄소 이중 결합을 들 수 있다.
(A) 성분의 구조는 직쇄상이거나, 환상이거나, 이들의 일부가 분지쇄를 갖는 것일 수도 있다.
(A) 성분은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 반도체 소자의 밀봉 분야에서 이미 알려진 부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물의 주요 성분으로서 일반적으로 사용되는 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산이나 디실릴페닐렌기 함유 유기 규소 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 디실릴페닐렌기란, 식:-SiR1 2-C6H4-SiR1 2-(식 중, R1은 독립적으로 1가 탄화수소기이다. 이하, 동일함)로 표시되는 기이다.
상기 화학식 중, R1로 표시되는 1가 탄화수소기는 탄소 원자수가 바람직하게는 1 내지 12, 보다 바람직하게는 1 내지 6이다. 이 1가 탄화수소기로는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등의 알킬기를 들 수 있다.
-알케닐기 함유 오르가노폴리실록산-
알케닐기 함유 오르가노폴리실록산은, 예를 들면 하기 화학식 2의 평균조성식으로 표시된다. 이 화학식 2의 평균조성식으로 표시되는 화합물을 사용하면, 광 투과성이 우수한 경화물이 얻어지기 때문에 바람직하다.
식 중, R2는 독립적으로 페닐기 이외의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기, 알콕시기 또는 수산기이고, 단 전체 R2의 0.1 내지 80 몰％, 바람직하게는 0.3 내지 70 몰％는 알케닐기이며, a는 0.1 내지 1.8, 바람직하게는 0.2 내지 1.6의 수, b는 0.2 내지 1.9, 바람직하게는 0.25 내지 1.7의 수이고, 단, 1≤a+b<2, 바람직하게는 1.1≤a+b≤1.9, 또한 0.20≤b/(a+b)≤0.95, 바람직하게는 0.3≤b/(a+b)≤0.85이다.
상기 화학식 2 중, R2로 표시되는 1가 탄화수소기 및 알콕시기는 탄소 원자수가 바람직하게는 1 내지 12, 보다 바람직하게는 1 내지 6이다. 상기 1가 탄화수 소기로는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등의 알킬기 등을 들 수 있다. 상기 알콕시기로는, 예를 들면 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기 등을 들 수 있다. 공업적 입수 용이함 및 반응성의 관점에서 R2로는 메톡시기, 에톡시기가 바람직하다.
상기 평균조성식 2로 표시되는 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산의 구체예로는,
(CH3)0.7(C6H5)0.55(CH2=CH-)0.2SiO1 .28
(CH3)0.4(C6H5)0.75(CH2=CH-)0.4(HO)0.13SiO1 .16
등을 들 수 있다.
-디실릴페닐렌기 함유 유기 규소 화합물-
디실릴페닐렌기 함유 유기 규소 화합물의 구체예로는, 하기 화학식 3a로 표시되는 것 등을 들 수 있다.
식 중, p는 0 내지 10의 정수이다.
(A) 성분으로는 상기 화학식 3a로 표시되고, 식 중 p의 값(평균)이 0 내지 5인 화합물이 특히 바람직하다.
(A) 성분은 1종 단독으로 사용하거나 2종 이상을 병용할 수도 있다.
[(B) 규소 원자에 결합된 수소 원자를 갖는 유기 규소 화합물]
(B) 성분은 규소 원자에 결합된 수소 원자를 1분자 중에 2개 이상, 바람직하게는 3 내지 50개 갖는 유기 규소 화합물이다. 이 규소 원자에 결합된 수소 원자는 (A) 성분 중의 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합과 히드로실릴화 반응에 의해 부가되는 것이다.
(B) 성분의 구조는 직쇄상이거나, 환상이거나, 이들의 조합일 수도 있고, 이들의 일부에 분지 구조를 갖는 것일 수도 있다.
(B) 성분은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 직쇄상 또는 환상의 오르가노하이드로젠폴리실록산, 환상의 오르가노하이드로젠폴리실록산과 비닐노르보르넨을 히드로실릴화 반응시켜 이루어지는 부가 반응 생성물 등을 들 수 있다.
직쇄상의 오르가노하이드로젠폴리실록산은, 예를 들면 하기 화학식 4로 표시된다. 특히, p 및 q가 모두 1 이상이고, 분자 중에 디페닐실록산 단위와 메틸하이드로젠실록산 단위를 갖는 오르가노하이드로젠폴리실록산이 바람직하다.
식 중, R3은 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기이고, 단, 1분자 중에 2개 이상, 바람직하게는 3개 이상의 수소 원자를 가지며, p는 0 이상, 바람직하게는 1 내지 100, q는 0 이상, 바람직하게는 1 내지 100의 정수이다.
상기 화학식 4 중, R3으로 표시되는 알킬기는 통상 탄소 원자수 1 내지 6이고, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기 등을 들 수 있다.
직쇄상의 오르가노하이드로젠폴리실록산의 구체예로는, 하기 구조식으로 표시되는 것 등을 들 수 있다.
Me3SiO(Ph2SiO)1(MeHSiO)3SiMe3
Me3SiO(Ph2SiO)2(MeHSiO)3SiMe3
Me3SiO(Ph2SiO)3(MeHSiO)3SiMe3
HMe2SiO(Ph2SiO)1(MeHSiO)1SiMe2H
HMe2SiO(Ph2SiO)2(MeHSiO)2SiMe2H
HMe2SiO(Ph2SiO)3(MeHSiO)3SiMe2H
환상의 오르가노하이드로젠폴리실록산은, 예를 들면 하기 화학식 5로 표시된다.
식 중, R4는 독립적으로 알킬기이고, r은 1 이상, 바람직하게는 2 내지 4의 정수이며, s는 0 이상, 바람직하게는 0 내지 1의 정수이다.
상기 화학식 5 중, R4로 표시되는 알킬기는 상술한 R3으로 표시되는 알킬기로서 설명한 것과 동일한 종류이다.
환상의 오르가노하이드로젠폴리실록산의 구체예로는, 하기 구조식으로 표시되는 것 등을 들 수 있다.
(HMeSiO)3
(HMeSiO)4
(HMeSiO)3(Me2SiO)
(HMeSiO)4(Me2SiO)
부가 반응 생성물은, 예를 들면 상술한 환상의 오르가노하이드로젠폴리실록산과 비닐노르보르넨을 히드로실릴화 반응시켜 이루어지는 것이다. 그 구체예로는, 하기 구조식 6으로 표시되는 것 등을 들 수 있다.
식 중, t는 1 내지 50의 정수이다.
(B) 성분의 배합량은, (A) 성분 중 부가 반응성 탄소?탄소 이중 결합 1 몰에 대하여 통상 0.3 내지 3.0 몰이지만, 밀봉재의 용도에 필요한 충분한 경도를 갖는 경화물을 얻기 위해서는, 바람직하게는 0.5 내지 2.0 몰, 보다 바람직하게는 0.6 내지 1.5 몰이다.
(B) 성분은 1종 단독으로 사용하거나 2종 이상을 병용할 수도 있다.
[(C) 히드로실릴화 반응 촉매]
(C) 성분은 히드로실릴화 반응 촉매이다. (C) 성분으로는 히드로실릴화 반응 촉매로서 종래부터 공지된 것을 모두 사용할 수 있다. (C) 성분의 구체예로는, 백금흑, 염화 제2백금, 염화백금산, 염화백금산과 1가 알코올과의 반응 생성물, 염화백금산과 올레핀류와의 착체, 비스(아세틸아세토네이토)백금: Pt{-OC(CH3)=CHC(O)CH3}2 등의 백금계 촉매; 팔라듐계 촉매, 로듐계 촉매 등의 백금족 금속계 촉매 등을 들 수 있다.
(C) 성분의 배합량은 촉매로서 작용하는 유효량이면 좋고, 특별히 제한되지 않지만, (A) 성분과 (B) 성분의 합계에 대하여, 질량 기준으로 백금족 금속 원자로서, 통상 1 내지 500 ppm, 특히 2 내지 100 ppm 정도인 것이 바람직하다. 이러한 범위를 충족하는 경우에는, 경화 반응에 요구되는 시간이 적절해진다.
[처리제]
밀봉 방법 2(후술함)를 적용하는 경우에는, 조성물에 상기 처리제를 배합할 필요가 있다. 또한, 밀봉 방법 1(후술함)을 적용하는 경우에도, 조성물에 상기 처리제를 배합할 수도 있다. 처리제의 종류는 상술한 바와 같다. 이 경우 처리제의 배합량은, 통상 조성물의 1 내지 10 질량％, 바람직하게는 2 내지 8 질량％, 보다 바람직하게는 2 내지 5 질량％이다. 이러한 범위를 충족한다면, 투명성을 손상시 키지 않는 범위 내에서 양호한 접착성을 나타낸다. 이들 처리제는 1종 단독으로 사용하거나 2종 이상을 병용할 수도 있다.
[그 밖의 성분]
본 발명의 밀봉 방법에 바람직하게 사용되는 경화성 실리콘 수지 조성물에는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 다른 성분을 배합할 수도 있다.
예를 들면, 조성물의 점도, 경화물의 경도 등을 조정하기 위해서, 규소 원자에 결합된 수소 원자 또는 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 1분자 중에 1개만 갖는 규소계 화합물을 배합할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면 규소 원자에 결합된 수소 원자 또는 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 1분자 중에 1개만 갖는 직쇄상 디오르가노폴리실록산, 삼차원 메쉬상 오르가노폴리실록산, 환상 디오르가노폴리실록산, 실페닐렌계 화합물 등을 들 수 있다.
가사 시간(pot life)을 확보하기 위해서, 1-에티닐시클로헥산올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올 등의 부가 반응 제어제를 배합할 수 있다.
강도를 향상시키기 위해서 발연 실리카 등의 무기질 충전제를 투명성에 영향을 주지 않는 범위에서 배합할 수도 있다. 또한, 실란 커플링제, 염료, 안료, 난연제 등을 배합할 수도 있다.
내구성을 향상시키기 위해서, 산화 방지제, 비스(1-옥틸옥시-2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리딜)세바케이트 등의 힌더드아민 등의 광 안정화제를 사용할 수 있다.
[제조?경화 조건]
본 발명의 밀봉 방법에 바람직하게 사용되는 경화성 실리콘 수지 조성물은 상기 (A) 내지 (C) 성분 및 경우에 따라서는 그 밖의 성분을 균일하게 혼합함으로써 제조할 수 있다. 이 조성물로부터 경화물을 제조하기 위한 경화 조건은 조성물의 양에 따라 다르지만, 통상 60 내지 180 ℃, 5 내지 600 분으로 하는 것이 바람직하다.
<반도체 소자의 밀봉 방법>
금도금 인쇄 기판 상에 장착된 반도체 소자를 밀봉하는 방법으로는, 이하의 두 가지의 방법이 있다. 이들 방법에 대해서 상술한다.
-밀봉 방법 1-
제1 방법은,
금도금 인쇄 기판에 장착된 반도체 소자를 경화성 실리콘 수지로 피복하고, 이어서 상기 경화성 실리콘 수지를 경화시키는 공정을 갖는 반도체 소자의 밀봉 방법에 있어서, 상기 금도금 인쇄 기판을 미리 상기 처리제로 처리하는 상기 밀봉 방법이다.
상기 금도금 인쇄 기판을 처리제로 처리하는 방법은, 금도금 인쇄 기판에 반도체 소자를 장착하기 전에 상기 기판을 처리제로 처리하는 방법일 수도 있고, 금도금 인쇄 기판에 반도체 소자를 장착한 후에 상기 기판을 처리제로 처리하는 방법일 수도 있다. 또한, 후자의 경우에는, 상기 기판에 장착된 반도체 소자를 처리제로 처리하지 않도록 배려할 수도 있고, 상기 기판에 장착된 반도체 소자마다 처리제로 처리할 수도 있다.
상기 밀봉 방법에서 사용하는 처리제는 상술한 바와 같다. 처리제에 의한 처리 방법은, 예를 들면 처리제를 기판에 직접 도포하는 방법 또는 처리제에 기판을 침지하는 방법일 수도 있지만, 처리제를 메탄올, 에탄올 등의 알코올에 용해시키고, 경우에 따라서는 추가로 염산, 아세트산 등의 산을 첨가한 용액을 제조하여 도포?침지를 행할 수도 있다. 용액을 제조하여 도포?침지를 행한 경우에는, 처리 후에 경화성 실리콘 수지로 피복을 행하기 전에, 미리 용액 중의 알코올을 제거하고, 기판 표면을 건조시키는 것이 필요하다. 이 처리에 사용하는 처리제의 양은 경화성 실리콘 수지와 금도금 인쇄 기판과의 양호한 접착성을 얻기 위해 충분한 양이면 된다.
상기 밀봉 방법에서 사용하는 경화성 실리콘 수지는 특별히 한정되지 않지만, 상기 경화성 실리콘 수지의 항목에서 경화성 실리콘 수지 조성물로서 설명한 것을 사용하는 것이 바람직하다. 경화성 실리콘 수지를 사용하여, 예를 들면 금도금 인쇄 기판의 일부 또는 전부와 장착된 반도체 소자를 피복하도록 포팅 등을 행하고, 이어서 경화시킴으로써, 이 반도체 소자를 밀봉할 수 있다. 사용하는 경화성 실리콘 수지의 양은 반도체 소자를 피복하기 위해 충분한 양이면 된다. 또한, 경화 방법은, 경화성 실리콘 수지의 성질에 따라 다르지만, 통상 70 내지 150 ℃에서 1 내지 10 시간 동안 가열하면 된다.
이상의 처리 방법 1의 일례를 설명하면 다음과 같다. 즉, 산 무수물기 함유 알콕시실란 또는 그의 부분 가수분해 축합물 또는 이들의 조합으로 이루어지는 처리제를 메탄올, 에탄올 등의 알코올 100 질량부에 대하여, 0.01 질량부에서 10 질량부 첨가하고, 균일하게 혼합한다. 이 때, 염산이나 아세트산을 첨가할 수도 있 다. 반도체 소자를 장착한 금도금 인쇄 기판을 얻어진 용액에 수초간 내지 수분간 침지한 후, 알코올을 제거하기 위해서 건조를 행한다. 건조 후, 경화성 실리콘 수지 조성물로 반도체 소자 및 금도금 인쇄 기판을 덮고, 가열을 행함으로써 밀봉한다.
-밀봉 방법 2-
제2 방법은,
금도금 인쇄 기판에 장착된 반도체 소자를 경화성 실리콘 수지로 피복하고, 이어서 상기 경화성 실리콘 수지를 경화시키는 공정을 갖는 반도체 소자의 밀봉 방법에 있어서, 상기 경화성 실리콘 수지가 상기 처리제를 함유하는 상기 밀봉 방법이다.
상기 밀봉 방법에서 사용하는 경화성 실리콘 수지는 상술한 바와 같고, 포함되는 처리제의 양도 상술한 바와 같다. 이 경화성 실리콘 수지로는, 상기 경화성 실리콘 수지의 항목에서 경화성 실리콘 수지 조성물로서 설명한 것을 사용하는 것이 바람직하다. 경화성 실리콘 수지를 사용하여, 예를 들면 금도금 인쇄 기판의 일부 또는 전부와 장착된 반도체 소자를 피복하도록 포팅 등을 행하고, 이어서 경화시킴으로써, 이 반도체 소자를 밀봉할 수 있다. 사용하는 경화성 실리콘 수지의 양은 반도체 소자를 피복하기 위해 충분한 양이면 된다. 또한, 경화 방법은, 경화성 실리콘 수지의 성질에 따라 다르지만, 통상 70 내지 150 ℃에서 1 내지 10 시간 동안 가열하면 된다.
이상의 처리 방법 2의 일례를 설명하면 다음과 같다. 즉, 처리제를 포함하 지 않는 열 경화성 실리콘 수지 조성물 100 질량부에 대하여, 산 무수물기 함유 알콕시실란 또는 그의 부분 가수분해 축합물 또는 이들의 조합으로 이루어지는 처리제를 0.1 질량부에서 20 질량부의 양으로 첨가하여 균일하게 혼합한다. 이와 같이 하여 얻어진 처리제 함유 조성물로 반도체 소자 및 금도금 인쇄 기판을 덮고, 가열을 행함으로써 밀봉한다.
<실시예>
이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예로 제한되는 것은 아니다.
<실시예 1>
하기 화학식 7로 표시되는 산 무수물기 함유 알콕시실란 0.5 질량부와 에탄올 99.5 질량부를 포함하는 용액에, 반도체 소자를 장착한 금도금 인쇄 기판을 5 초간 침지한 후, 100 ℃에서 10 분간 오븐에서 건조하였다.
이 기판 상에 하기 화학식 8로 표시되는 화합물 60 질량부, 하기 화학식 9로 표시되는 화합물 40 질량부, 염화백금산의 이소프로판올 용액 (화학식 8 및 9로 표시되는 화합물의 합계에 대하여 백금 금속 원자로서의 질량 환산으로 40 ppm이 되는 양), 힌더드아민계 광 안정제로서 비스(1-옥틸옥시-2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리딜)세바케이트 (화학식 8 및 9로 표시되는 화합물의 합계에 대하여 질량 환산으 로 100 ppm이 되는 양)로 이루어지는 조성물 A를 약 0.1 mm의 두께가 되도록 포팅하고, 100 ℃에서 1 시간, 150 ℃에서 5 시간 동안 경화시켰다. 이와 같이 하여 밀봉체를 제조하였다.
(식 중, u=0.5)
(식 중, v=5)
<실시예 2>
실시예 1에 기재한 조성물 A 100 질량부에 대하여, 상기 화학식 7로 표시되는 산 무수물기 함유 알콕시실란 2 질량부를 혼합하여 조성물 B를 제조하였다. 이 조성물 B를 미처리된 금도금 인쇄 기판 상에 약 0.1 mm의 두께가 되도록 포팅하고, 100 ℃에서 1 시간, 150 ℃에서 5 시간 동안 경화시켰다. 이와 같이 하여 밀봉체를 제조하였다.
<비교예 1>
실시예 1에서, 산 무수물기 함유 알콕시실란 대신에 2-(3,4-에폭시시클로헥 실)에틸트리메톡시실란을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 밀봉체를 제조하였다.
<비교예 2>
실시예 1에서, 산 무수물기 함유 알콕시실란 대신에 N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 밀봉체를 제조하였다.
<비교예 3>
실시예 1에서, 산 무수물기 함유 알콕시실란 대신에 3-메르캅토프로필트리메틸실란을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 밀봉체를 제조하였다.
<비교예 4>
실시예 1에서, 산 무수물기 함유 알콕시실란에 의한 기판의 표면 처리를 행하지 않은 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 밀봉체를 제조하였다.
<특성 평가>
상기 실시예?비교예에서 제조한 밀봉체의 실리콘 수지 경화물에 대해서, 이하의 방법에 준하여 특성을 평가하였다. 이들의 결과는 하기 표 1에 나타낸다.
-외관-
경화물의 외관을 육안으로 관찰하였다. 투명성이 양호하고 표면이 평탄한 경우를 "양호"라고 평가하고, 투명성이 떨어지거나 표면에 왜곡이 있는 경우를 "불량"이라 평가하였다.
-점착성(tack)-
경화물의 점착성의 유무를 촉감으로 판단하였다.
-경도-
경화물의 경도(쇼어 D)를 측정하였다.
-접착성 시험-
밀봉체의 수지 경화물(금도금 인쇄 기판 상의 수지)을 절단기를 이용하여 1 mm 간격의 격자상으로 절단하였다. 이 때의 박리 상황을 관찰하였다.
A: 격자상으로 절단한 후에 기판을 구부려도 박리되지 않았다.
B: 격자상으로 절단하여도 박리되지 않았다.
C: 격자상으로 절단하였을 때(즉, 두 방향으로 절단하였을 때)에 박리되었다.
D: 한 방향으로 절단하였을 때에 박리되었다.
본 발명의 밀봉 방법을 적용함으로써 얻어진 밀봉체(적층체)는 금도금 인쇄 기판과 실리콘 수지와의 접착성이 현저히 우수하며, 실리콘 수지의 외관 및 경도도 양호하고, 점착성도 인정되지 않는다. 또한, 히트사이클, 고온?고습 조건, 리플 로우 조건에 대한 내구성도 양호하다. 따라서, 본 발명의 밀봉 방법은 반도체 소자(예를 들면, 포토 다이오드, 포토 트랜지스터, 수광 소자 등의 광 반도체 소자)의 밀봉 방법으로서, 수광 소자 및 발광 다이오드의 보호, 밀봉 또는 접착의 용도에 특히 바람직하다.
Claims (3)
- 금도금 인쇄 기판에 장착된 반도체 소자를 경화성 실리콘 수지로 피복하고, 이어서 상기 경화성 실리콘 수지를 경화시키는 공정을 포함하며, 상기 금도금 인쇄 기판을 미리 산 무수물기 함유 알콕시실란 또는 그의 부분 가수분해 축합물 또는 이들의 조합으로 이루어지는 처리제로 처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 밀봉 방법.
- 금도금 인쇄 기판에 장착된 반도체 소자를 경화성 실리콘 수지로 피복하고, 이어서 상기 경화성 실리콘 수지를 경화시키는 공정을 포함하며, 상기 경화성 실리콘 수지가 산 무수물기 함유 알콕시실란 또는 그의 부분 가수분해 축합물 또는 이들의 조합으로 이루어지는 처리제를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 밀봉 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 경화성 실리콘 수지가(A) 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 1분자 중에 2개 이상 갖는 유기 규소 화합물,(B) 규소 원자에 결합된 수소 원자를 1분자 중에 2개 이상 갖는 유기 규소 화합물, 및(C) 히드로실릴화 반응 촉매를 함유하는 것을 특징으로 하는 밀봉 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2005-00323241 | 2005-11-08 | ||
| JP2005323241A JP4395472B2 (ja) | 2005-11-08 | 2005-11-08 | 金メッキプリント基板上に装着された半導体素子の封止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070049589A KR20070049589A (ko) | 2007-05-11 |
| KR101172551B1 true KR101172551B1 (ko) | 2012-08-08 |
Family
ID=38004071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060110001A KR101172551B1 (ko) | 2005-11-08 | 2006-11-08 | 금도금 인쇄 기판 상에 장착된 반도체 소자의 밀봉 방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7452571B2 (ko) |
| JP (1) | JP4395472B2 (ko) |
| KR (1) | KR101172551B1 (ko) |
| TW (1) | TWI392035B (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102638827B1 (ko) * | 2023-08-14 | 2024-02-21 | 주식회사 엠티지 | 실리콘 조성물 및 개스킷 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4395472B2 (ja) | 2005-11-08 | 2010-01-06 | 信越化学工業株式会社 | 金メッキプリント基板上に装着された半導体素子の封止方法 |
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| JP5332523B2 (ja) * | 2008-11-11 | 2013-11-06 | 信越化学工業株式会社 | 酸無水物残基含有有機ケイ素化合物の安定化剤および安定化方法ならびに該組成物を含むシランカップリング剤組成物 |
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| JP2016033969A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-10 | 株式会社東芝 | 電子部品、及び電子ユニット |
| JP6347237B2 (ja) * | 2015-08-21 | 2018-06-27 | 信越化学工業株式会社 | 付加硬化型オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置 |
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| JP2004349561A (ja) | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Kyocera Chemical Corp | 半導体装置の接着方法とそれに使用される接着剤 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS59138339A (ja) * | 1983-01-28 | 1984-08-08 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
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| JP3954582B2 (ja) * | 2004-02-03 | 2007-08-08 | 横浜ゴム株式会社 | 硬化性樹脂組成物 |
| JP2005272697A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 硬化性シリコーン樹脂組成物、光半導体用封止材および光半導体装置 |
| JP4395472B2 (ja) | 2005-11-08 | 2010-01-06 | 信越化学工業株式会社 | 金メッキプリント基板上に装着された半導体素子の封止方法 |
-
2005
- 2005-11-08 JP JP2005323241A patent/JP4395472B2/ja active Active
-
2006
- 2006-11-07 US US11/557,249 patent/US7452571B2/en active Active
- 2006-11-08 KR KR1020060110001A patent/KR101172551B1/ko active IP Right Grant
- 2006-11-08 TW TW095141339A patent/TWI392035B/zh active
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| KR102638827B1 (ko) * | 2023-08-14 | 2024-02-21 | 주식회사 엠티지 | 실리콘 조성물 및 개스킷 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20070104872A1 (en) | 2007-05-10 |
| US7452571B2 (en) | 2008-11-18 |
| JP2007134372A (ja) | 2007-05-31 |
| KR20070049589A (ko) | 2007-05-11 |
| TWI392035B (zh) | 2013-04-01 |
| JP4395472B2 (ja) | 2010-01-06 |
| TW200735236A (en) | 2007-09-16 |
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| A201 | Request for examination | ||
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| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150716 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
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|
| FPAY | Annual fee payment |
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|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180717 Year of fee payment: 7 |