KR100988590B1 - 실리콘 수지 조성물로 봉지된 반도체 장치 및 반도체 장치봉지용 실리콘 수지 타블렛 - Google Patents

실리콘 수지 조성물로 봉지된 반도체 장치 및 반도체 장치봉지용 실리콘 수지 타블렛 Download PDF

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Abstract

발광 반도체 장치가 아닌 반도체 장치를 제공한다. 이 장치는 JIS K 6253에 따르는 D형 듀로미터에 의해서 측정된 경도가 적어도 30이고 인장시험에서의 신장이 적어도 5%인 투명 물품으로 경화하는, 실온에서 고체이고 성형온도에서 액체인 실리콘 수지 조성물로 봉지된다.
실리콘 수지 조성물, 실리콘 수지 타블렛, 비발광 반도체 소자

Description

실리콘 수지 조성물로 봉지된 반도체 장치 및 반도체 장치 봉지용 실리콘 수지 타블렛{SEMICONDUCTOR DEVICE ENCAPSULATED BY SILICONE RESIN COMPOSITION, AND SILICONE RESIN TABLET FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR DEVICE}
관련 출원과의 상호 참조
본 일반 출원은 본원에 그 전체 내용이 참고로서 포함되는 2006년 7월 18일에 일본에서 출원된 특허 출원번호 2006-195492에 대해 35 U.S.C. 119(e)에 의거하여 우선권을 주장한다.
본 발명은 발광 반도체 장치가 아닌 반도체 장치에 관한 것이며, 기판에 부착되어 있는 LED(발광 다이오드)로써 전형적으로 표현되는 발광 반도체 장치가 아닌 반도체 장치(즉, 광검출 포토트랜지스터, 포토다이오드, 또는 포토커플러와 같은 광검출 반도체 장치 또는 발광/광검출과 관련되지 않은 각종 반도체 소자와 같은 비발광 반도체 소자)를 포함하고, 여기서 비발광 반도체 소자는 낮은 응력 특성과 투명도를 갖는 경화된 실리콘 수지 조성물로 덮여있다. 더 구체적으로는, 본 발명은 실온에서 고체이고, 경화 생성물로서의 어떤 성질들, 뛰어난 표면 점착성, 및 개선된 강도 성질을 나타내는 실리콘 수지 조성물로 봉지된, 발광 반도체 장치가 아닌 반도체 장치에 관한 것이다. 본 발명은 또한 반도체 장치를 봉지하는데 사용 하기 위한 실리콘 수지 성형 타블렛에 관한 것이다.
광검출 포토트랜지스터, 포토다이오드, 또는 포토커플러와 같은 광검출 반도체 장치를 위해, 도 1 및 도 2에서 보여지는 바와 같은 "표면 장착형" 및 "삽입 장착형"으로 불리는 광검출 반도체 장치가 사용되었다. 이들 장치에서, 리드 전극에 위치하는 광검출 반도체 장치는 투명 수지로 봉지되어있고, 대부분의 생성물은 에폭시 수지로 봉지되어있다. 그러나, 에폭시 수지의 이러한 사용은 고온에서 변색의 문제에 직면하고 있으며, 이는 환경상의 스트레스를 줄이려는 요구에 부합하는 리드 솔더 사용의 금지로 인해 솔더 리플로우는 최근 더 높은 온도에서 수행되기 때문이다.
도 1 및 도 2는 광검출기 (1), 실리콘 다이 결합 물질 (2), 리드 (3 및 4), 금선 (5), 에폭시-실리콘 혼합물의 경화 수지 조성물 (6), 및 세라믹 케이싱 (7)을 나타낸다.
광검출기와 같은 반도체 소자는 에폭시 접착제 다이 본딩 재료를 사용하여 리드 프레임, 세라믹 기판, 또는 유기 기판에 고정되었고, 비스페놀 A 에폭시 수지 또는 지환식 에폭시 수지와 같은 에폭시 수지 및 경화 후에 투명한 산 무수물 경화제로 덮여지고 보호된다(특허 문서 1: JP-B2 3241338, 특허 문서 2: JP-A 7-25987). 그러나, 더 높은 내열성 및 내광성을 갖는 실리콘 고무 조성물이 최근에 LED 봉지용으로 사용된다. 그러나 이들 실리콘 고무 조성물은, 표면 점착성의 문제를 겪고 있고, 따라서, 전기 및 전자 부품을 코팅하기 위해 사용되었을 때 입자 부 착이 발생한다.
한편, 상기 기술한 바와 같은 문제를 없앤 실리콘 니스가 개발되었다. 그러나, 실리콘 니스는 크랙 발생의 문제를 겪었다. 따라서, 전기 또는 전자 부품 패키징에서 사용될 때 입자 부착을 겪지 않으며, 뛰어난 크랙 저항성 및 충격 강도를 나타내는 경화 생성물을 제공하는 실리콘 조성물이 크게 요망된다. 또한, 요구된 것은 실온에서 고체이며 통상적인 장치에서 이송성형 및 압축성형에 의해 경화될 수 있는 실리콘 수지 조성물이다.
본 발명에 관련될 수도 있는 선행 기술은 상기 기재된 바와 같은 문서와 또한 하기의 문서에 개시되어 있다.
[특허 문서 1] JP-B2 3241338
[특허 문서 2] JP-A 7-25987
[특허 문서 3] JP-A 2005-76003
[특허 문서 4] USP 7,019,100에 대응하는 JP-A 2004-339482
부가 반응에 의해 경화하는 실리콘 고무 조성물은 조성물에 수지 폴리올가노실옥산을 포함시킴으로써 경화 후에 더 큰 강도를 나타내도록 개선될 수 있는 것으로 알려져있다. 그러나, 경화된 물품의 강도가 이러한 수지 폴리올가노실옥산을 첨가함으로써 개선되었다 할지라도, 물품은 여전히 표면 점착성과 입자 부착의 문제가 있었다. 하드 수지는 부적합한 충격 강도의 문제, 특히, 열 충격 검사에서 부적합한 크랙 발생을 가지고 있었고, 이것은 심각한 문제이었다.
본 발명의 목적은 실온에서 경질 수지이면서 개선된 가요성과 감소된 표면 점착성을 갖는 경화 생성물을 형성하고, 이송성형, 압축성형, 및 사출성형 장치와 같은 통상적인 성형 장치에 의해 용이하게 성형될 수 있는 부가 경화성 실리콘 수지 조성물에 의해 봉지된, 발광 반도체 장치가 아닌 반도체 장치를 제공하기 위한 것이다. 본 발명의 다른 목적은 반도체 장치를 봉지하기 위한 실리콘 수지 타블렛을 제공하는 것이다.
상기한 바와 같은 문제를 해결하기 위하여, 본 발명의 발명자들은 광범위한 연구를 해왔고, JIS K 6253에 따르는 D형 듀로미터에 의해서 측정된 경도가 적어도 30이고 인장시험에서의 신장이 적어도 5%인 투명 물품으로 경화하는, 실온에서 고체이고 성형온도에서 액체인 부가 경화형 실리콘 수지 조성물(실리콘 봉지제)로 봉지된, 발광 반도체 장치가 아닌 반도체 장치가, 의도된 신뢰성을 실현하는데 효과 적이라는 것을 발견하였다. 더 구체적으로는, 본 발명자들은 (A) R1SiO1 .5단위, R2 2SiO 단위, 및 R3 aR4 bSiO(4-a-b)/2 단위를 포함하는 수지 구조를 갖는 폴리올가노실옥산(여기서 R1, R2, 및 R3는 각각 메틸기, 에틸기, 프로필기, 시클로헥실기, 또는 페닐기이며, R4는 비닐기 또는 알릴기이고, a는 0, 1, 또는 2이고, b는 1 또는 2이고, 그리고 a+b는 2 또는 3이고, 그리고 R2 2SiO 단위의 반복수는 알케닐기-함유 올가노폴리실옥산에 대해 5 내지 300이다)와; (B) R1SiO1 .5단위, R2 2SiO 단위, 및 R3 cHdSiO(4-c-d)/2 단위를 포함하는 수지 구조를 갖는 폴리올가노수소 실옥산(여기서 R1, R2, 및 R3는 상기 정의한 바와 같고, c는 0, 1, 또는 2이고, d는 1 또는 2이고, 그리고 c+d는 2 또는 3이고, 그리고 R2 2SiO 단위의 반복수는 폴리올가노수소 실옥산에 대해 5 내지 300이다)을 사용하는 부가 경화성 실리콘 수지 조성물은 실온에서 경질 수지이면서, 개선된 가요성 및 감소된 표면 점착성을 갖는 경화 생성물을 형성할 수 있고, 또한 통상적인 성형 장치에 의해 용이하게 성형가능하다는 것을 발견하였다. 본 발명은 이러한 발견에 기초하여 완성되었다.
따라서, 본 발명은 발광 반도체 장치가 아닌 반도체 장치와, 반도체 장치를 봉지하기 위한 실리콘 수지 타블렛을 제공한다.
(1) JIS K 6253에 따르는 D형 듀로미터에 의해서 측정된 경도가 적어도 30이고 인장시험에서의 신장이 적어도 5%인 투명 물품으로 경화하는, 실온에서 고체이고 성형온도에서 액체인 실리콘 수지 조성물로 봉지된, 발광 반도체 장치가 아닌 반도체 장치.
(2) 상기 (1)에 따르는 발광 반도체 장치가 아닌 반도체 장치로서, 상기 실리콘 수지 조성물은
(A) R1SiO1 .5 단위, R2 2SiO 단위, 및 R3 aR4 bSiO(4-a-b)/2 단위를 포함하는 수지 구조를 갖는 폴리올가노실옥산(여기서 R1, R2, 및 R3는 각각 메틸기, 에틸기, 프로필기, 시클로헥실기, 또는 페닐기이며, R4는 비닐기 또는 알릴기이고, a는 0, 1, 또는 2이며, b는 1 또는 2이고, 그리고 a+b는 2 또는 3이고, 그리고 R2 2SiO 단위의 반복수는 5 내지 300이다);
(B) R1SiO1 .5 단위, R2 2SiO 단위, 및 R3 cHdSiO(4-c-d)/2 단위를 포함하는 수지 구조를 갖는 폴리올가노수소 실옥산(여기서 R1, R2, 및 R3는 상기 정의된 바와 같고, c는 0, 1, 또는 2이며, d는 1 또는 2이고, c+d는 2 또는 3이고, R2 2SiO 단위의 반복수는 5 내지 300이고, 구성성분 (B)는 구성성분 (A) 중 비닐기 또는 알릴기에 대한 구성성분 (B) 중의 규소 원자에 결합된 수소원자의 몰비율이 0.1 내지 4.0이도록 하는 양으로 사용된다); 그리고
(C) 촉매적으로 유효한 양의 백금족 금속 촉매를 포함한다.
(3) 상기 (2)에 따르는 발광 반도체 장치가 아닌 반도체 장치로서, 구성성분 (A) 및/또는 구성성분 (B)는 실란올기를 함유한다.
(4) 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 따르는 발광 반도체 장치가 아닌 반도체 장치로서, 실리콘 수지 조성물은 하기로부터 선택되는 적어도 하나의 접착 보조제를 더 포함한다:
한 분자에, 규소 원자에 결합된 수소 원자(SiH 기), 규소 원자에 결합된 알케닐기, 알콕시 실릴기, 및 에폭시기로부터 선택되는 적어도 2개의 기능기를 함유하는 4 내지 50개의 규소 원자를 함유하는 직쇄 또는 고리 올가노실로옥산 올리고머 그리고,
하기의 화학식 1로 표시되는 올가노옥시실릴-변형된 이소시아누레이트 화합물 및/또는 그것의 가수분해 및 축합 생성물.
Figure 112007052100830-pat00001
상기식에서 R6는 독립적으로 하기의 화학식(2)로 표시되는 유기기,
Figure 112007052100830-pat00002
(상기식에서 R7은 수소원자 또는 1 내지 8개의 탄소 원자를 함유하는 1가의 탄화수소기이고, s는 1 내지 6의 정수이다) 또는 지방족 불포화 결합을 함유하는 1가의 탄화수소기이고, 그리고 적어도 하나의 R6는 화학식 2의 유기기이다.
(5) 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나의 실리콘 수지 조성물의 압축성형에 의해 제조된, 발광 반도체 장치가 아닌 반도체 장치를 봉지하기 위한 실리콘 수지 타블렛.
본 발명은 실온에서 고체(경질 수지)인 실리콘 수지 조성물을 사용하고, 따라서 이송성형과 같은 통상적인 방법이 그것의 경화 생성물을 제조하는데 사용될 수 있다. 게다가, 경화 생성물은 경질 수지이면서 뛰어난 가요성 및 감소된 표면 점착성을 가지며, 따라서 실리콘 수지 조성물에 의해 봉지된 광검출 반도체 장치와 같은 발광 반도체 장치가 아닌 반도체 장치는 열사이클에 두었을 때, 극도로 높은 신뢰도를 갖고, 따라서 통상적인 반도체 패키징 실리콘의 사용이 곤란한 이용분야에서 사용될 수 있다.
본 발명의 반도체 장치는, JIS K 6253에 따르는 D형 듀로미터에 의해서 측정 된 경도가 적어도 30이고 인장시험에서의 신장이 적어도 5%인 투명물품으로 경화하는, 실온에서 고체이고, 성형 온도에서 액체가 되는 실리콘 수지 조성물로 봉지된 반도체 장치이다.
본 반도체 장치에서, 이러한 특성을 갖는 경화 물품을 실현하는 바람직한 실리콘 수지 조성물은
(A) 수지 구조를 갖는 폴리올가노실옥산,
(B) 수지 구조를 갖는 폴리올가노수소 실옥산,
(C) 백금족-촉매, 및
(D) 선택적인 성분을 포함한다.
(A) 수지 구조를 갖는 폴리올가노실옥산
본 발명의 실리콘 수지 조성물의 중요한 구성성분인 수지 구조(즉, 3차 망상형 구조)를 갖는 폴리올가노실옥산은 R1SiO1 .5 단위, R2 2SiO 단위, 및 R3 aR4 bSiO(4-a-b)/2 단위를 포함하는 수지 구조(즉, 3차 망상형 구조)를 갖는 것이며, 상기의 R1, R2, 및 R3는 각각, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 시클로헥실기, 또는 페닐기이고, R4는 비닐기 또는 알릴기이고, a는 0, 1 또는 2이고, b는 1 또는 2이고, 그리고 a+b는 2 또는 3이고, 그리고 R2 2SiO 단위의 반복 수는 5 내지 300이고, 바람직하게는 10 내지 200이고, 그리고 더 바람직하게는 10 내지 100이다. "R2 2SiO 단위의 반복 수는 5 내지 300이다"는 구성성분 (A) 중 모든 R2 2SiO 단위의 적어도 50몰%(50 내지 100몰%), 및 특히, 적어도 80몰%(80 내지 100몰%)가 하기와 같은 구조
Figure 112007052100830-pat00003
(상기식에서 m은 5 내지 300의 정수이다.)를 갖는 직쇄 사슬 디올가노폴리실옥산 사슬을 형성하고, 나머지 R2 2SiO 단위는 5개 이상의 R2 2SiO 단위를 함유하는 직쇄 사슬 구조 중 포함되지 않는다(즉, 모노머 R2 2SiO 단위 또는 4 개까지의 R2 2SiO 단위를 함유하는 R2 2SiO 단위들의 사슬로서 존재한다)
본 조성물에서, R2 2SiO 단위는 사슬 중합체를 형성하고, 이 중합체는 R1SiO1 .5 단위를 이 중합체에 도입함으로써 가지형 또는 망상형으로 중합체로 변환될 수 있다. R3 aR4 bSiO(4-a-b)/2 단위 중 R4(비닐기 또는 알릴기)는 하기에 기술한 바와 같은 구성성분 (B) 중 R3 cHdSiO(4-c-d)/2 단위에서 규소 원자에 결합된 수소 원자(즉, SiH 기)와 부가반응(히드로실릴화)을 하여 경화 생성물을 형성한다.
구성성분 (A)를 구성하는 R1SiO1 .5 단위, R2 2SiO 단위, 및 R3 aR4 bSiO(4-a-b)/2 단위 는 경화 생성물의 물리적 성질의 관점에서 바람직하게는 (90 내지 24) : (75 내지 9) : (50 대 1), 및 특히 (70 내지 28) :(70 내지 20) : (10 내지 2)의 몰비로 포함된다.
구성성분 (A)는, 취급 편리성 및 경화성의 관점에서 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정한, 폴리스티렌에 의한 중량 평균 분자량이 3,000 내지 1,000,000, 및 특히 10,000 내지 100,000인, 바람직하게는 고체 또는 반고체 폴리올가노실옥산이다.
수지 구조를 갖는 이러한 폴리올가노실옥산은, 예를 들어, 산의 존재하에서 각각의 각 단위의 시작물질인 화합물들의 조합을 동시에 가수분해 및 축합함으로써 합성할 수 있다.
R1SiO1 .5 단위에 대한 대표적인 출발 물질은 MeSiCl3, EtSiCl3, PhSiCl3(여기의 Me는 메틸기를 나타내고, Et는 에틸기를 나타내고, 그리고 Ph은 페닐기를 나타내고, 이러한 약어는 또한 다음의 설명들에서도 사용된다),프로필트리클로로실란, 시클로헥실트리클로로실란 및 이러한 클로로실란에 대응하는 메톡시실란과 같은 알콕시실란이 사용된다.
R2 2SiO 단위의 대표적인 시작물질은
ClMe2SiO(Me2SiO)qSiMe2Cl,
ClMe2SiO(Me2SiO)p(PhMeSiO)qSiMe2Cl,
ClMe2SiO(Me2SiO)p(Ph2SiO)qSiMe2Cl,
HOMe2SiO(Me2SiO)qSiMe2OH,
HOMe2SiO(Me2SiO)p(PhMeSiO)qSiMe2OH,
HOMe2SiO(Me2SiO)p(Ph2SiO)qSiMe2OH
MeOMe2SiO(Me2SiO)qSiMe2OMe,
MeOMe2SiO(Me2SiO)p(PhMeSiO)qSiMe2OMe, 및
MeOMe2SiO(Me2SiO)p(Ph2SiO)qSiMe2OMe를 포함한다.
상기식에서 p는 5 내지 150의 정수이고, q는 5 내지 300의 정수이다.
용어 "R3 aR4 bSiO(4-a-b)/2 단위"는 R3R4SiO 단위, R3 2R4SiO0 .5 단위, R4 2SiO 단위, 및 R3R4 2SiO0 .5 단위로부터 선택되는 적어도 하나의 실옥산 단위의 어떤 조합을 지칭하고, R3 aR4 bSiO(4-a-b)/2 단위에 대한 대표적인 출발 물질은 Me2ViSiCl, MeViSiCl2, Ph2ViSiCl(여기의 Vi는 비닐기를 나타내고, 약어는 다음의 설명들에서도 사용된다), PhViSiCl2, 및 클로로실란에 대응하는 메톡시실란과 같은 알콕시실란을 포함한다.
구성성분 (A)는 모든 실옥산 단위에 대하여 약 10몰%까지(0 내지 10% 몰), 바람직하게는 약 5몰%까지(0 내지 5몰%)의 양으로 R1SiO1 .5단위, R2 2SiO 단위, 및/또 는 R3 aR4 bSiO(4-a-b)/2 단위와의 동시적인 가수분해 및 축합의 과정에서 부산물로서 발생되는 실란올기 함유 실옥산 단위를 함유하는 것일 수도 있다. 실옥산 단위에 대응하는 대표적인 실란올기 함유 실옥산 단위는 R1(HO)SiO 단위, R1(HO)2SiO0 .5 단위, R2 2(HO)2SiO0.5 단위, R3 aR4 b(HO)SiO(3-a-b)/2 단위, 및 R3 aR4 b(HO)2SiO(2-a-b)/2 단위(여기서 a는 0 또는 1, b는 1 또는 2, 및 a+b는 1 또는 2이다)를 포함한다.
(B) 수지 구조를 갖는 폴리올가노수소 실옥산
본 발명의 실리콘 수지 조성물의 중요한 구성성분인 수지 구조(즉, 3차 망상구조)를 갖는 폴리올가노수소 실옥산은 R1SiO1 .5 단위, R2 2SiO 단위, 및 R3 cHdSiO(4-c-d)/2단위를 포함하는 수지 구조를 갖는 폴리올가노수소 실옥산이며, 여기서 R1, R2, 및 R3 는 상기 정의된 바와 같고, c는 0, 1, 또는 2이고, d는 1 또는 2이고, 그리고 c+d는 2 또는 3이고, 그리고 R2 2SiO 단위의 반복수는 5 내지 300이고, 바람직하게는 10 내지 200, 더 바람직하게는 10 내지 100이다. "R2 2SiO 단위의 반복수가 5 내지 300이다"는 구성성분 (B) 중 모든 R2 2SiO 단위의 적어도 50몰%(50 내지 100몰%), 및 특히, 적어도 80몰%(80 내지 100몰%)가 하기와 같은 구조
Figure 112007052100830-pat00004
(상기식에서 m은 5 내지 300의 정수이다.)를 갖는 직쇄 사슬 디올가노폴리실옥산 사슬을 형성하고, 나머지 R2 2SiO 단위는 5개 이상의 R2 2SiO 단위를 함유하는 직쇄 사슬 구조 중 포함되지 않는다(즉, 모노머 R2 2SiO 단위 또는 4 개까지의 R2 2SiO 단위를 함유하는 R2 2SiO 단위들의 사슬로서 존재한다)
이 조성물에서 R1SiO1 .5 단위, R2 2SiO 단위, 및 R3 cHdSiO(4-c-d)/2 단위의 기능은 상기한 바와 같다.
경화 생성물의 물리적 특성의 관점에서 R1SiO1 .5 단위, R2 2SiO 단위, 및 R3 cHdSiO(4-c-d)/2 단위는 바람직하게는 (90 내지 24) : (75 내지 9) : (50 내지 1), 및 특히, (70 내지 28) : (70 내지 20) : (10 내지 2)의 몰비로 포함된다.
구성성분 (B)는 경화 생성물의 취급 편리성 및 물리적 성질의 관점에서 바람직하게는 GPC로 측정되는 폴리스티렌에 의한 중량 평균 분자량이 3,000 내지 1,000,000, 특히 10,000 내지 100,000인 폴리올가노수소 실옥산이다.
수지 구조를 갖는 이러한 폴리올가노수소 실옥산은 예를 들어, 각각 각 단위의 출발 물질인 화합물들의 조합을 동시에 가수분해 및 축합함으로써 합성될 수 있 다.
R1SiO1 .5 단위에 대한 대표적인 출발 물질은 MeSiCl3, EtSiCl3, PhSiCl3, 프로필트리클로로실란, 시클로헥실트리클로로실란 및 이러한 클로로실란에 대응하는 메톡시 실란과 같은 알콕시실란을 포함한다.
R2 2SiO 단위에 대한 대표적인 출발물질은
ClMe2SiO(Me2SiO)qSiMe2Cl,
ClMe2SiO(Me2SiO)p(PhMeSiO)qSiMe2Cl,
ClMe2SiO(Me2SiO)p(Ph2SiO)qSiMe2Cl,
HOMe2SiO(Me2SiO)qSiMe2OH,
HOMe2SiO(Me2SiO)p(PhMeSiO)qSiMe2OH,
HOMe2SiO(Me2SiO)p(Ph2SiO)qSiMe2OH,
MeOMe2SiO(Me2SiO)qSiMe2OMe,
MeOMe2SiO(Me2SiO)p(PhMeSiO)qSiMe2OMe, 및
MeOMe2SiO(Me2SiO)p(Ph2SiO)qSiMe2OMe을 포함한다.
상기식에서 p는 5 내지 150의 정수이고, q는 5 내지 300의 정수이다.
용어 "R3 cHdSiO(4-c-d)/2 단위"는 R3R5SiO 단위, R3 2R5SiO0 .5단위, R5 2SiO 단위, 및 R3R5 2SiO0.5 단위로 부터 선택되는 적어도 하나의 실옥산에서의 어떤 조합을 지칭하고, R3 cHdSiO(4-c-d)/2 단위에 대한 대표적인 출발 물질은 Me2HSiCl, MeHSiCl2, Ph2HSiCl, PhHSiCl2, 및 이러한 클로로실란에 대응하는 메톡시실란과 같은 알콕시실란을 포함한다. 실옥산 단위에 대응하는 실란올기함유 실옥산 단위는 R1(HO)SiO 단위, R1(HO)2SiO0 .5 단위, R2 2(HO)SiO0.5 단위, R3 cHd(HO)SiO(3-c-d)/2 단위, 및 R3 cHd(HO)2SiO(2-c-d)/2 단위를 포함하며, 여기서 c는 0 또는 1이며, d는 1 또는 2이고, c+d는 1 또는 2이다.
폴리올가노수소 실옥산은 구성성분 (A) 중 비닐기 또는 알릴기에 대한 구성성분 (B)에서의 규소 원자에 결합된 수소 원자(SiH 기)의 몰비율이 0.1 내지 4.0, 바람직하게는 0.5 내지 3.0 및 더 구체적으로는 0.8 내지 2.0인 양으로 포함된다. 몰비율의 양이 0.1미만일 때, 경화는 진행하지 않을 것이고, 실리콘 경화 물품의 제조는 곤란해질 것이다. 양이 4.0을 초과할 때, 다량의 SiH 기가 경화 물품에서 관계없이 남게 될 것이고, 시간이 지남에 따라 물리적 성질의 변화를 초래할 것이다.
구성성분 (B)는 모든 실옥산 단위에 대하여 약 10몰%까지(0 내지 10 몰%), 그리고 바람직하게는 약 5몰%까지(0 내지 5몰%)의 양으로 R1SiO1 .5 단위, R2 2SiO 단위, 및/또는 R3 cHdSiO(4-c-d)/2 단위와의 동시적인 일어나는 가수분해 및 축합의 과정에서 부산물로서 발생되는 실란올기 함유 실옥산 단위를 함유하는 것일 수도 있다.
(C) 백금족 금속 촉매
이 촉매 구성성분은 부가 반응에 의해 경화를 유발하기 위해 본 발명의 조성물에 포함되고, 대표적인 촉매 구성성분은 백금, 팔라듐 및 로듐 계열 촉매를 포함한다. 바람직하게는 백금, 백금흑, 염화백금산, 예를 들어, H2PtCl·xH2O, K2PtCl, KHPtCl·xH2O, K2PtCl4, K2PtCl4·xH2O, 및 PtO2·xH2O(여기서 x는 양의 정수이다)와 같은 백금 계열 촉매, 비용면에서 이러한 촉매의 올레핀과 같은 폴리올가노실옥산 탄화수소, 알코올, 또는 비닐기 함유와의 복합체이고, 이들 촉매는 단독으로 또는 둘 이상 조합하여 사용될 수도 있다. 이러한 촉매 구성성분은 소위 "촉매량"으로 포함될 수 있고, 전형적으로, 구성요소 (A) 및 (B)의 총량에 대하여 백금족 금속의 중량으로 0.1 내지 500 ppm, 및 특히, 0.5 내지 100 ppm으로 포함될 수도 있다.
(D) 기타 첨가제
원한다면, 본 발명의 조성물은 구성성분 (A) 내지(C)에 더하여 당업계에서 알려진 다양한 첨가제를 함유할 수도 있다. 대표적인 이러한 첨가제는 흄드 실리카 및 흄드 이산화 티타늄과 같은 강화 무기 충전제와 탄산칼슘, 규산 칼슘, 이산화 티타늄, 산화제2철, 카본블랙, 및 산화아연과 같은 비강화 무기 충전제를 포함하며, 그리고 이들 첨가제는 구성성분 (A) 및 (B)의 총 량 100 중량부에 대하여 600 중량부 까지(0 내지 600 중량부)의 양으로 첨가될 수도 있다.
본 발명의 조성물에 접착성을 부여하기 위해서, 조성물은, 한분자에 규소 원자에 결합된 수소 원자(SiH 기), 규소 원자에 결합된 알케닐 기(예를 들어, Si-CH=CH2 기), 알콕시 실릴기(예를 들어, 트리메톡시 실릴기), 에폭시기(예를 들어, 글리시독시 프로필기, 및 3,4-에폭시시클로헥실에틸기)로부터 선택되는 적어도 두 개, 바람직하게는 2 또는 3 개의 기능기를 함유하는, 4 내지 50 개, 바람직하게는 4 내지 20 개의 규소 원자를 함유하는 직쇄 또는 고리 올가노실옥산 올리고머; 그리고 하기의 화학식 1로 표시되는 올가노옥시실릴-변형된 이소시아누레이트 화합물 및/또는 그것의 가수분해 및 축합 생성물(올가노실옥산-변형된 이소시아누레이트 화합물)과 같은 접착 보조제를 선택적으로 함유할 수도 있다.
(화학식 1)
Figure 112007052100830-pat00005
식에서, R6는 하기의 화학식 2로 표시되는 유기기
(화학식 2)
Figure 112007052100830-pat00006
(상기식에서, R7은 수소 원자 또는 1 내지 8, 및 특히, 1 내지 6의 탄소 원자를 함유하는 1가의 탄화수소기이고, s는 1 내지 6, 및 특히 1 내지 6의 정수이다); 또는 지방족 불포화 결합을 함유하는 1가의 탄화수소기이다. 적어도 하나의 R6는 화학식 2의 유기기이다.
R6의 지방성 불포화 결합을 함유하는 1가의 탄화수소기의 예는 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 부테닐기, 이소부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기, 및 시클로헥세닐기와 같은, 2 내지 8, 특히 2 내지 6 탄소 원자를 함유하는 알케닐 기를 포함한다. R7의 1가의 탄화수소기의 예는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 및 시클로헥실기와 같은 알킬기; R6에 대해 상기한 것들과 같은 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기 등과 같은 알케닐기, 그리고 페닐기와 같은 아릴기와 같은 1 내지 8, 및 특히 1 내지 6 탄소 원자를 함유하는 1가의 탄화수소기를 포함한다.
대표적인 접착 보조제는 하기의 화학식으로 나타나는 화합물을 포함한다.
Figure 112007052100830-pat00007
상기식에서 g 및 h는 각각, g+h가 2 내지 50, 및 바람직하게는 4 내지 20인 관계를 만족하는 양의 정수이다.
Figure 112007052100830-pat00008
Figure 112007052100830-pat00009
이러한 올가노실리콘 화합물 중에서, 경화 후에 특히 뛰어난 접착성을 실현할 수 있는 화합물은 한 분자 안에 규소 원자에 결합한 알콕시기 및 알케닐기 또는 규소 원자에 결합된 수소 원자(SiH 기)를 함유하는 것들이다.
본 발명에서, 접착 보조제(선택적인 성분)는 구성성분 (A) 및 (B)의 전체 100 중량부에 대하여 전형적으로 약 10질량부까지(즉, 0 내지 10 질량부), 바람직하게는 약 0.1 내지 8 질량부, 및 더 바람직하게는 약 0.2 내지 5 질량부의 양으로 첨가된다. 포함된 양이 지나치게 낮을 때, 결과된 조성물은 열등한 접착성을 가질 수도 있고, 지나치게 높은 함유량은 경화 생성물의 경도 및 표면 점착성에 불리하며 영향을 미칠수도 있다.
본 발명의 실리콘 조성물은 상기 기술된 바와 같은 구성성분들을 균질하게 혼합함으로써 제조될 수 있다. 그러나 본 실리콘 조성물은 가장 전형적으로는 두 부분으로 보관되어서, 보관하는 동안 경화는 진행하지 않고, 경화를 위한 사용전에 바로 혼합된다. 물론, 실리콘 조성물은 아세틸렌 알코올과 같은 소량의 경화 억제제를 첨가함으로써 한 부분으로 제조될 수도 있다. 이 조성물은 선택적인 가열에 의해 즉시 경화하여 뛰어난 경도를 가지며 표면 점착성이 없는 가요성 경화생성물 및 감소된 표면 점착성을 갖는 경화 물품을 제공한다.
성형의 과정에서 경화에 사용된 조건은 전형적으로 50 내지 200℃, 특히 70 내지 180℃에서 1 내지 30분, 특히 2 내지 10분간이다. 후-경화는 50 내지 200℃, 특히 70 내지 180℃에서 0.1 내지 10시간동안, 및 특히 1 내지 4시간 동안 행해질 수 있다.
본 발명에서 사용된 실리콘 수지 조성물은 실온(25℃)에서 고체(비유동성)이고, 성형 온도에서 액체(유동성)이다. 경화 후에, JIS K 6253에 의한 D형 듀로미터로 실온(25℃)에서 측정된 경도는 적어도 30, 바람직하게는 30 내지 80, 더 바람직하게는 35 내지 60이다. 경도가 너무 낮을 때, 수지 표면 점착성은 부당하게 높을 것이고, 생성물은 장착된 반도체 소자의 수송에서 반도체 소자에의 수지의 장착에 있어서 부적합한 취급 편리성을 겪을 것이다.
경화 생성물은 또한 적어도 5%, 바람직하게는 적어도 10%, 및 더 바람직하게 는 적어도 20%의 JIS K 6251에 의해 측정된 바와 같은 신장률을 가질 것이다. 신장률의 상한은 적당히 결정될 수도 있는 반면, 상한은 전형적으로 150%, 특히, 100%까지이다. 신장률이 너무 낮을 때, 생성물은 열사이클에 놓일 때 열등한 크랙 저항성을 나타낼 것이다.
경화 생성물은 투명하고(무색), 그리고 더 바람직하게는, 공기를 기준을 사용하여 가시범위에 대해 400nm에서 두께가 1mm인 경화된 시트를 분광광도계로 측정하였을 때 적어도 90%의 투과율을 갖는다.
본 발명의 반도체 장치의 성형에 사용되는 실리콘 수지 조성물은 그것이 실온에서 고체 또는 반고체이기 때문에 높은 취급 편리성을 가지며, 수지를 성형하기 위해 사용되는 다양한 공지의 방법에 의해 성형될 수 있다. 이송성형이 사용될 때, 실리콘 수지 조성물은 실온 근처의 낮은 온도에서 원통 또는 다른 정해진 형태의 타블렛으로 예비 형성되고, 이송성형은 이 타블렛을 사용함으로써 행해질 수도 있다. 또 다르게는, 코팅제 또는 포팅제는 실리콘 수지 조성물에 용매를 첨가함으로써 제조될 수도 있다.
본 발명의 반도체 장치를 봉지하기 위해 사용된 실리콘 수지 조성물은 또한 원함에 따라, 다른 수지, 변색 방지제, 및 광산란제를 포함할 수도 있다.
본 발명에서, 대표적인, 발광 반도체 장치가 아닌 반도체 장치(비-발광 반도체 소자)는 광검출 포토트랜지스터, 포토다이오드, 및 포토커플러와 같은 광검출 반도체 장치를 포함한다. 본 발명의 조성물은 선택적인 성분을 포함함으로써 코팅제 또는 포팅제로서 사용될 때, 그것은 트랜지스터, 보드 온 칩-볼 그리드 어레이, 및 웨이퍼 스케일 패키지와 같은 통상적인 에폭시 수지 성형 화합물에 의해 봉지된 발광/광검출과 관계되지 않은 여러가지 반도체 소자의 봉지를 위해 사용될 수 있다.
도 1에 보여진 표면에 장착된 광검출 반도체 장치 및 도 2에 보여진 삽입 장착된 광검출 반도체 장치의 경우에, 도 1 및 도 2의 숫자 (6)으로 나타낸 에폭시-실리콘 수지 혼합 조성물을 경화하는 것 대신에 본 발명의 조성물이 경화되고, 따라서, 경화는 1 내지 3분 동안 150 내지 180℃의 온도에서 높은 압력을 적용함으로써 실리콘 수지 조성물을 사용하여 통상적인 이송성형 또는 사출성형에 의해 달성될 수 있다. 표면에 장착된 장치의 경우에, 반도체 장치는 경화 생성물을 다이싱 소우에 의해 개개의 반도체 장치로 절단함으로써 용이하게 제조될 수 있다.
성형에 사용된 압력은 실리콘 수지의 점도에 의존하여 다양할 수도 있다. 그러나, 압력은 전형적으로 10Kg/cm2 내지 100Kg/cm2이다.
실시예
다음에서, 본 발명은 합성 실시예, 실시예, 및 비교예를 언급함으로써 상세하게 기술하며, 이것은 결코 본 발명의 범주를 제한하는 것이 아니다. 하기의 실시예에서, 사용된 점도는 25℃에서 측정한 값이고, 중량 평균 분자량은 폴리스티렌에 의하여 계산된 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정된 것이다. Ph는 페닐기를 지칭하며, Me는 메틸기를 지칭하고, Vi는 비닐기를 지칭한다.
합성예 1
27몰의 PhSiCl3로 표시되는 올가노실란, 1몰의 ClMe2SiO(Me2SiO)33SiMe2Cl, 및 3몰의 MeViSiCl2를 톨루엔 용매에 용해하였고, 용액을 동시적인 가수분해를 위해 물에 적가하였다. 물로 반응 혼합물을 세척하고 알칼리로 세척하여 중화한 후에, 물을 제거하였고, 용매를 제거하여 비닐기 함유 수지를 합성하였다. 이 수지는 62,000의 중량 평균 분자량 및 60℃의 융점을 가졌다.
합성예 2
27몰의 PhSiCl3로 표시되는 올가노실란, 1몰의 ClMe2SiO(Me2SiO)33SiMe2Cl, 및 3몰의 MeHSiCl2를 톨루엔 용매에 용해하였고, 용액을 동시적인 가수분해를 위하여 물에 적가하였다. 반응 혼합물을 물로 세척하고, 알칼리로 세척하여 중화한 후에, 물을 제거하였고, 용매를 제거하여 히드로실릴기 함유 수지를 합성하였다. 이 수지는 58,000의 중량 평균 분자량 및 58℃의 융점을 가졌다.
합성예 3
27몰의 PhSiCl3로 표시되는 올가노실란, 1몰의 ClMe2SiO(Me2SiO)33SiMe2Cl, 및 3몰의 Me2ViSiCl을 톨루엔 용매에 용해하였고, 용액을 동시적인 가수분해를 위하여 물에 적가하였다. 반응 혼합물을 물로 세척하고, 알칼리로 세척하여 중화한 후에, 물을 제거하였고, 용매를 제거하여 비닐기 함유 수지를 합성하였다. 이 수지는 63,000의 중량 평균 분자량 및 63℃의 융점을 가졌다.
합성예 4
27몰의 PhSiCl3로 표시되는 올가노실란, 1몰의 ClMe2SiO(Me2SiO)33SiMe2Cl, 및 3몰의 Me2HSiCl을 톨루엔 용매에 용해하였고, 용액을 동시적인 가수분해를 위하여 물에 적가하였다. 반응 혼합물을 물로 세척하고, 알칼리로 세척하여 중화한 후에, 물을 제거하였고, 용매를 제거하여 히드로실릴기 함유 수지를 합성하였다. 이 수지는 57,000의 중량 평균 분자량 및 56℃의 융점을 가졌다.
실시예 1
189g의 합성예 1에서 제조된 비닐기 함유 수지, 189g의 합성예 2에서 제조된 히드로실릴기 함유 수지, 0.2g의 에티닐시클로헥사놀(아세틸렌 알코올 계열 반응 억제제), 및 0.1g의 옥틸 알코올로 변형된 클로로백금산 용액의 혼합물을 60℃로 가열된 플라네터리 믹서(Planetary Mixer)에서 충분히 교반하였다. 하기의 구조식을 갖는 첨가제(접착제 성분)를, 비닐기 함유 수지 및 히드로실릴기 함유 수지의 전체 내용물 100 질량부 당 0.5 질량부의 양으로 혼합물에 첨가하여 실리콘 수지 조성물을 제조하였다.
이 실리콘 수지 조성물은 실온으로 냉각하였을 때 고체가 되었고, 이 고체 조성물을 분쇄하여 분말을 제조하였다.
Figure 112007052100830-pat00010
도 1에 나타난 바와 같은 광검출 반도체 장치를 광검출 포토트랜지스터 소자에 대해 가시광선에 감광성인 포토트랜지스터 칩을 사용함으로써 제조하였다. 광검출기 (1)를 180℃로 10분간 가열함으로써 실리콘 다이 결합 물질 (2)을 사용하여 리드 전극 (3)에 고정시켰다. 더 구체적으로는, 금선 (5)를 사용함으로써 광검출기 (1)를 리드 전극 (3 및 4)에 연결하였고, 실시예 1의 실리콘 수지 조성물을 150℃에서 3분간 압축성형함으로써 경화하였고, 몰드로부터 경화 물품을 제거한 후에, 경화 물품을 150℃에서 4시간동안 후경화하였고, 개개의 칩으로 절단하여 표면 장착 패키지를 제조하였다.
한편, 광검출기 (1)를 180℃에서 10분동안 가열함으로써 실리콘 다이 결합 물질 (2)을 사용하여 리드 전극 (3)에 고정시켰다. 결과된 리드 프레임을 150℃로 가열된 몰드(이송성형에 사용을 위해 적합한 몰드)에 놓았고, 실온에서 본 발명의 분말 조성물을 압축성형에 의해 제조한 원통 타블렛을 이송성형 장치의 포트에 도입하였다. 플런저로 수지에 압력을 가하여 이로써 150℃의 성형 온도, 3분의 성형시간, 및 50Kg/cm2의 성형 압력을 포함하는 조건하에서 수지를 이송 및 성형하였다. 150℃에서 4시간동안 후경화를 행하여 삽입 장착 패키지를 제조하였다.
상기 기술한 바와 같은 과정에 의해 제조된 두 가지 형태의 광검출 반도체 장치의 (각 형태에 대해 10개)를 1000 사이클의 열 충격 시험(낮은 온도, -40℃; 높은 온도 120℃)을 받게하여 이로써 외관(크랙) 및 다이 결합 물질과 실리콘 성형 수지 사이의 경계에서 발생한 박리의 수를 평가하였다. 결과를 표 2 및 표 3에 나 타낸다.
이 조성물은 또한 150℃에서 5분동안 압축 성형 장치에서 압축성형을 받게 하였다. 경화 물품은 150℃에서 4분동안 2차 경화를 받게 하였다. 결과된 물품을 인장강도(두께, 0.2mm), 신장률(두께, 0.2mm), 및 JIS K 6251 및 JIS K 6253에 따르는 경도(D형 듀로미터에 의해 측정됨)에 대해 계산하였다. 표면 점착성을 손가락으로 표면을 터치하여 확인하였다. 물품을 또한 상업적으로 이용가능한 은 분말(평균 입자 크기, 5μm)에 놓았고, 분말로부터 물품을 제거한 후에, 표면상의 더스트(즉, 은 분말)가 제거될 수 있는지 시험하기 위해 공기를 불어 넣었다. 조성물을 또한 알루미늄 접시(지름, 6cm; 깊이 0.6mm)에서 성형하였고, 경화된 샘플은 크랙 발생을 확인하기 위하여 -50℃ 내지 150℃의 열사이클에 도입하였다. 측정의 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예 2
189g의 합성예 3에서 제조된 비닐기-함유 수지의 혼합물, 189g의 합성예 4에서 제조된 히드로실릴기-함유 수지, 0.2g의 에티닐시클로헥산올(아세틸렌 알코올 계열 반응 억제제), 및 0.1g의 옥틸 알코올로 변형된 클로로백금산의 용액을 60℃로 가열된 플라네터리 믹서(Planetary Mixer)에서 충분히 교반하였다. 하기의 구조식(접착제 성분)을 갖는 첨가제를 비닐기 함유 수지 및 히드로실릴기 함유 수지의 전체 내용물 100 질량부 당 0.5 질량부의 양으로 혼합물에 첨가하여 실리콘 수지 조성물을 제조하였다.
Figure 112007052100830-pat00011
이 실리콘 수지 조성물은 실온으로 냉각하였을 때 고체가 되었고, 이 고체 조성물을 분쇄하여 분말을 제조하였다.
실시예 1의 과정을 반복하여 광검출 포토트랜지스터를 제조하고 평가하였다. 2차 경화 후에, 생성물을 실시예 1의 과정을 반복함으로써 기계적 성질(인장강도, 경도, 및 신장률), 표면 점착성, 및 크랙 발생(열 사이클 평가에 의함)에 대해 평가하였다.
비교예 1
주성분으로서 5 내지 300 개의 반복 단위의 수를 갖는 직쇄 디올가노폴리실옥산 사슬 구조를 포함하지 않는 비닐기 함유 폴리올가노실옥산 수지를 함유하는 부가반응에 의해 경화하는 상업적으로 이용가능한 실리콘 니스(KJR-632, Shin-Etsu Chemical Co. Ltd.제)의 사용을 제외하고는 실시예의 과정을 반복함으로써 성형 및 경화 물품을 제조하였다. 2차 경화 후에, 생성물을 실시예 1의 과정을 반복함으로써 기계적 성질(인장강도, 경도, 및 신장률), 표면 점착성, 및 크랙 발생(열 사이클 평가에 의함)에 대해 평가하였다. 결과를 표 1 내지 표 3에 나타낸다.
비교예 2
주성분으로서 5 내지 300 개의 반복 단위의 수를 갖는 직쇄 디올가노폴리실옥산 사슬 구조를 포함하지않는 비닐기 함유 폴리올가노실옥산 수지를 함유하는 부가반응에 의해 경화하는 상업적으로 이용가능한 실리콘 니스(KJR-632L-1, Shin-Etsu Chemical Co. Ltd.제)의 사용을 제외하고는 실시예의 과정을 반복함으로써 성형 및 경화 물품을 제조하였다. 2차 경화 후에, 생성물을 실시예 1의 과정을 반복함으로써 기계적 성질(인장강도, 경도, 및 신장률), 표면 점착성, 및 크랙 발생(열사이클 평가에 의함)에 대해 평가하였다. 결과를 표 1 내지 표 3에 나타낸다.

 실시예 비교예
1 2 1 2
SiH/SiVi 1.5 1.5 1.5 1.5
2차 경화의 조건 150℃/4hr 150℃/4hr 150℃/4hr 150℃/4hr
경도 (D형) 50 52 70 52
신장률(%) 20 20 0 0
인장강도(MPa) 9 9 2 2
표면 점착성에 기인하는 더스트 부착 없음 없음 없음 없음
표면 장착 패키지: -40℃ 내지 120℃에서 열사이클 시험에서의 실패율

실시예 비교예
1 2 1 2
250 사이클 0/10 0/10 4/10
(크랙 및 박리)		 6/10
(크랙 및 박리)
500 사이클 0/10 0/10 10/10
(크랙 및 박리)		 10/10
(크랙 및 박리)
750 사이클 0/10 0/10
1,000 사이클 0/10 0/10
삽입 장착 패키지: -40℃ 내지 120℃에서 열사이클 시험에서의 실패율

실시예 비교예
1 2 1 2
250 사이클 0/10 0/10 8/10
(크랙 및 박리)		 9/10
(크랙 및 박리)
500 사이클 0/10 0/10 10/10
(크랙 및 박리)		 10/10
(크랙 및 박리)
750 사이클 0/10 0/10
1,000 사이클 0/10 0/10
도 1은 표면 장착된 광검출 포토트랜지스터 반도체 장치의 단면도이다.
도 2는 삽입 장착된 광검출 포토트랜지스터 반도체 장치의 단면도이다.

Claims (5)

  1. JIS K 6253에 따르는 D형 듀로미터에 의해서 측정된 경도가 적어도 30이고 인장시험에서의 신장이 적어도 5%인 투명 물품으로 경화하는, 실온에서 고체이고 성형온도에서 액체인 실리콘 수지 조성물로 봉지된, 발광 반도체 장치가 아닌 반도체 장치에 있어서, 실리콘 수지 조성물이
    (A) R1SiO1.5 단위, R2 2SiO 단위, 및 R3 aR4 bSiO(4-a-b)/2 단위를 포함하는 수지 구조를 갖는 폴리올가노실옥산(여기서 R1, R2, 및 R3는 각각 메틸기, 에틸기, 프로필기, 시클로헥실기, 또는 페닐기이며, R4는 비닐기 또는 알릴기이고, a는 0, 1, 또는 2이며, b는 1 또는 2이고, 그리고 a+b는 2 또는 3이고, 그리고 R2 2SiO 단위의 반복수는 5 내지 300이다);
    (B) R1SiO1.5 단위, R2 2SiO 단위, 및 R3 cHdSiO(4-c-d)/2 단위를 포함하는 수지 구조를 갖는 폴리올가노수소 실옥산(여기서 R1, R2, 및 R3는 상기 정의된 바와 같고, c는 0, 1, 또는 2이며, d는 1 또는 2이고, c+d는 2 또는 3이고, R2 2SiO 단위의 반복수는 5 내지 300이고, 구성성분 (B)는 구성성분 (A) 중 비닐기 또는 알릴기에 대한 구성성분 (B) 중의 규소 원자에 결합된 수소원자의 몰비율이 0.1 내지 4.0이도록 하는 양으로 사용된다); 그리고
    (C) 촉매적으로 유효한 양의 백금족 금속 촉매를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 반도체 장치가 아닌 반도체 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서, 구성성분 (A) 및 구성성분 (B)중 적어도 하나는 실란올기를 함유하는 것을 특징으로 하는 발광 반도체 장치가 아닌 반도체 장치.
  4. 제 1항에 있어서, 실리콘 수지 조성물은,
    한 분자에, 규소 원자에 결합된 수소 원자(SiH 기), 규소 원자에 결합된 알케닐기, 알콕시 실릴기, 및 에폭시기로부터 선택되는 적어도 2개의 기능기를 함유하는 4 내지 50개의 규소 원자를 함유하는 직쇄 또는 고리 올가노실옥산 올리고머 그리고,
    하기의 화학식 1로 표시되는 올가노옥시실릴-변형된 이소시아누레이트 화합물, 그것의 가수분해 및 축합생성물중 적어도 하나의 접착 보조제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 반도체 장치가 아닌 반도체 장치.
    (화학식 1)
    Figure 112010026076758-pat00012
    상기식에서 R6는 독립적으로 하기의 화학식 2
    (화학식 2)
    Figure 112010026076758-pat00013
    로 표시되는 유기기(상기식에서 R7은 수소원자 또는 1 내지 8개의 탄소 원자를 함유하는 1가의 탄화수소기이고, s는 1 내지 6의 정수이다), 또는 지방족 불포화 결합을 함유하는 1가의 탄화수소기이고, 적어도 하나의 R6는 화학식 2의 유기기이다.
  5. 제 1항의 실리콘 수지 조성물의 압축성형에 의해 제조된, 발광 반도체 장치가 아닌 반도체 장치를 봉지하기 위한 실리콘 수지 타블렛.
KR1020070071858A 2006-07-18 2007-07-18 실리콘 수지 조성물로 봉지된 반도체 장치 및 반도체 장치봉지용 실리콘 수지 타블렛 KR100988590B1 (ko)

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