JP2007191697A - エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び光半導体装置 - Google Patents
エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び光半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007191697A JP2007191697A JP2006336505A JP2006336505A JP2007191697A JP 2007191697 A JP2007191697 A JP 2007191697A JP 2006336505 A JP2006336505 A JP 2006336505A JP 2006336505 A JP2006336505 A JP 2006336505A JP 2007191697 A JP2007191697 A JP 2007191697A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- epoxy
- resin composition
- epoxy resin
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 0 *CCC(C*1)C1N Chemical compound *CCC(C*1)C1N 0.000 description 5
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N C1CCCCC1 Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/32257—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
Abstract
【効果】シリコーン樹脂とエポキシ樹脂との相溶性の改善に相溶化剤を使用しないため、低粘度から高粘度のエポキシ・シリコーン混成樹脂組成物を調製でき、多様な成形法に対応できる。また、この組成物の硬化物で被覆保護された光半導体装置は、耐熱試験による変色も少なく、特に、発光半導体装置の場合、発光効率も高いため長寿命で省エネルギーに優れる発光半導体装置を提供することが可能となり、産業上のメリットは多大である。
【選択図】なし
Description
(A)一分子中に1個以上のケイ素原子結合水酸基を有する有機ケイ素化合物、
(B)フェニレンエーテル骨格を有さず、かつ反応性水酸基を有するエポキシ樹脂の、上記反応性水酸基の水素原子の一部又は全部が置換若しくは非置換一価炭化水素基又はシリル基により置換された変性エポキシ樹脂、及び
(C)アルミニウム系硬化触媒
を必須成分として含有することを特徴とするエポキシ・シリコーン混成樹脂組成物、及びその透明硬化物で光半導体素子が封止保護されたことを特徴とする光半導体装置を提供する。
本発明のエポキシ・シリコーン混成樹脂組成物は、
(A)一分子中に1個以上のケイ素原子結合水酸基を有する有機ケイ素化合物、
(B)フェニレンエーテル骨格を有さず、かつ反応性水酸基を有するエポキシ樹脂の、上記反応性水酸基の水素原子の一部又は全部が置換若しくは非置換一価炭化水素基又はシリル基により置換された変性エポキシ樹脂、及び
(C)アルミニウム系硬化触媒
を必須成分として含有するものであり、特に、(A)成分が、(A’)一分子中に1個以上のヒドロシリル化反応に関与できる多重結合を含有する基を有し、かつ1個以上のケイ素原子結合水酸基を有する有機ケイ素化合物である場合、(A’),(B)及び(C)成分と共に、更に、組成物が、
(D)オルガノハイドロジェンポリシロキサン、及び
(E)白金族金属系触媒
を必須成分として含有するものが好ましい。
R1 aR2 b(HO)c(R3O)dSiO(4-a-b-c-d)/2 (2)
(式中、R1は同一又は異種の、脂肪族不飽和結合を有する置換若しくは非置換の一価炭化水素基、R2は同一又は異種の、脂肪族不飽和結合を有さない置換若しくは非置換の一価炭化水素基、R3は同一又は異種の、脂肪族不飽和結合を有さない置換若しくは非置換の一価炭化水素基である。a,b,dは各々0又は正数、cは正数であるが、(A’)成分の場合はa>0である。また、オルガノシランである場合には、a,b,dは各々0又は正の整数、cは正の整数であって、a+b+c+d=4であり、オルガノ(ポリ)シロキサンである場合には、a+b+c+d<4である。)
で示されるものを使用することができる。
で表されるものが好適である。
He(R4)fSiO(4-e-f)/2 (3)
(式中、R4は脂肪族不飽和結合を含有しない同一又は異種の非置換又は置換の一価炭化水素基であり、e及びfは、0.001≦e<2、0.7≦f≦2、かつ0.8≦e+f≦3を満たす数である。)
で表され、一分子中にケイ素原子に結合した水素原子(SiH基)を少なくとも2個、好ましくは3個以上有するものが挙げられる。
[評価方法]
シリコーン系ダイボンド材の調製
下記式(I)
発光半導体素子として、InGaNからなる発光層を有し、主発光ピークが470nmのLEDチップを用いて、図3に示すような発光半導体装置を作製した。発光半導体素子2をリード電極3に上記シリコーン系ダイボンド材5を用い、180℃で10分間加熱して固定した。発光半導体素子2とリード電極3,4を金線6,6にて接続した後、実施例、比較例の組成物をポッティングし、180℃で1時間硬化し、発光半導体素子2が、エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物の透明硬化物7で封止保護された発光半導体装置を作製した。
作製した発光半導体装置を、低温側−40℃、高温側120℃の熱衝撃試験を1,000サイクル行って外観のクラックが発生した数を観察した。
表面埃付着性
作製した発光半導体装置に微粉末シリカをふりかけ表面に付着させた後、エアーを吹きかけることで半導体装置表面に付着した微粉末シリカを除去できるかどうか確認した。
光透過率変化
それぞれの硬化物(厚み1mm)を100℃の雰囲気下で1,000時間放置した後、初期の光透過率と1,000時間後の光透過率を測定し、光透過率の保持率を評価した。
下記式
で表される、非変性水添型ビスフェノールA型エポキシ樹脂(商品名:YL7170、ジャパンエポキシレジン製)を変性した変性エポキシ樹脂を20部、下記式
YL7170をトルエンに溶解し、溶解したYL7170の水酸基量に対し当モルのジメチルフェニルクロロシランを反応させた。脱塩酸反応により生じた塩酸をアミン塩酸塩としてフィルターにより除去した。このろ過したトルエン溶液を純水にて洗浄することによりイオン性不純物を除去した。溶剤を除去し、目的のシリコーン変性エポキシ樹脂を得た。
2種のオルガノポリシロキサンを、シロキサン単位が、(PhSiO3/2)0.6(MeSiO3/2)0.2(ViMeSiO2/2)0.2の組成(モル比)で示され、ケイ素原子に結合する水酸基を2質量%含有するオルガノポリシロキサン80部のみに変えた以外は、実施例1と同様にエポキシ・シリコーン混成樹脂組成物を調製し、硬化物を形成し、発光半導体装置を作製して評価した。結果を表1に示した。なお、硬化物は無色透明であった。
変性エポキシ樹脂を下記式
で表される、非変性水添型ビスフェノールA型エポキシ樹脂(商品名:YL7031、ジャパンエポキシレジン製)を変性した変性エポキシ樹脂に変えた以外は、実施例2と同様にエポキシ・シリコーン混成樹脂組成物を調製し、硬化物を形成し、発光半導体装置を作製して評価した。結果を表1に示した。なお、硬化物は無色透明であった。
YL7031をトルエンに溶解し、溶解したYL7031の水酸基量に対し当モルのジメチルフェニルクロロシランを反応させた。脱塩酸反応により生じた塩酸をアミン塩酸塩としてフィルターにより除去した。このろ過したトルエン溶液を純水にて洗浄することによりイオン性不純物を除去した。溶剤を除去し、目的のシリコーン変性エポキシ樹脂を得た。
変性エポキシ樹脂を下記式
で表される、非変性水添型ビスフェノールA型エポキシ樹脂(商品名:YL7170、ジャパンエポキシレジン製)を変性した変性エポキシ樹脂に変え、オルガノハイドロジェンポリシロキサンの配合を10部とした以外は、実施例2と同様にエポキシ・シリコーン混成樹脂組成物を調製し、硬化物を形成し、発光半導体装置を作製して評価した。結果を表1に示した。なお、硬化物は無色透明であった。
YL7170をトルエンに溶解し、溶解したYL7170の水酸基量に対し当モルのビニルジメチルクロロシランを反応させた。脱塩酸反応により生じた塩酸をアミン塩酸塩としてフィルターにより除去した。このろ過したトルエン溶液を純水にて洗浄することによりイオン性不純物を除去した。溶剤を除去し、目的のシリコーン変性エポキシ樹脂を得た。
変性エポキシ樹脂の代わりに非変性エポキシ樹脂YL7170を使用した以外は、実施例2と同様に組成物を調製し、硬化物を形成したが、硬化物は半透明であった。
変性エポキシ樹脂の代わりに非変性エポキシ樹脂YL7031を使用した以外は、実施例3と同様に組成物を調製し、硬化物を形成し、発光半導体装置を作製して評価した。結果を表1に示した。なお、硬化物は半透明であった。
2 発光半導体素子
3,4 リード電極
5 ダイボンド材
6 金線
7 被覆保護材
Claims (6)
- (A)一分子中に1個以上のケイ素原子結合水酸基を有する有機ケイ素化合物、
(B)フェニレンエーテル骨格を有さず、かつ反応性水酸基を有するエポキシ樹脂の、上記反応性水酸基の水素原子の一部又は全部が置換若しくは非置換一価炭化水素基又はシリル基により置換された変性エポキシ樹脂、及び
(C)アルミニウム系硬化触媒
を必須成分として含有することを特徴とするエポキシ・シリコーン混成樹脂組成物。 - (A)成分の有機ケイ素化合物が、
(A’)一分子中に1個以上のヒドロシリル化反応に関与できる多重結合を含有する基を有し、かつ1個以上のケイ素原子結合水酸基を有する有機ケイ素化合物
であり、更に、組成物が、
(D)オルガノハイドロジェンポリシロキサン、及び
(E)白金族金属系触媒
を必須成分として含有することを特徴とする請求項1又は2記載のエポキシ・シリコーン混成樹脂組成物。 - 光半導体素子封止保護用であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載のエポキシ・シリコーン混成樹脂組成物。
- 請求項1乃至3のいずれか1項記載のエポキシ・シリコーン混成樹脂組成物の透明硬化物で光半導体素子が封止保護されたことを特徴とする光半導体装置。
- 発光半導体素子が封止保護された発光半導体装置であることを特徴とする請求項5記載の光半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006336505A JP2007191697A (ja) | 2005-12-19 | 2006-12-14 | エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005364404 | 2005-12-19 | ||
JP2006336505A JP2007191697A (ja) | 2005-12-19 | 2006-12-14 | エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び光半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007191697A true JP2007191697A (ja) | 2007-08-02 |
Family
ID=38447644
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006336505A Pending JP2007191697A (ja) | 2005-12-19 | 2006-12-14 | エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び光半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007191697A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009072632A1 (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-11 | Jsr Corporation | 硬化性組成物、光学素子コーティング用組成物、およびled封止用材料ならびにその製造方法 |
JP2010070719A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Nitto Denko Corp | 熱硬化性組成物及び光半導体装置 |
CN101993593A (zh) * | 2009-08-21 | 2011-03-30 | Jsr株式会社 | 光学半导体封装用组合物 |
JP2011063664A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | アンダーフィル材組成物及び光半導体装置 |
CN113004524A (zh) * | 2019-12-20 | 2021-06-22 | 万华化学集团股份有限公司 | 一种环氧-有机硅树脂及其制备方法和应用 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07179567A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-18 | Matsushita Electron Corp | 樹脂封止材料及び樹脂封止型電子デバイス |
JPH08245749A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-09-24 | Nagase Chiba Kk | エポキシ樹脂 |
JPH11343333A (ja) * | 1998-06-01 | 1999-12-14 | Nagase Chiba Kk | エポキシ樹脂組成物およびその硬化物 |
JP2005158766A (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び発光半導体装置 |
JP2005314591A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び発光半導体装置 |
JP2006265274A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及びその製造方法、並びに発光半導体装置 |
JP2007191698A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-08-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及びその硬化物 |
-
2006
- 2006-12-14 JP JP2006336505A patent/JP2007191697A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07179567A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-18 | Matsushita Electron Corp | 樹脂封止材料及び樹脂封止型電子デバイス |
JPH08245749A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-09-24 | Nagase Chiba Kk | エポキシ樹脂 |
JPH11343333A (ja) * | 1998-06-01 | 1999-12-14 | Nagase Chiba Kk | エポキシ樹脂組成物およびその硬化物 |
JP2005158766A (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び発光半導体装置 |
JP2005314591A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び発光半導体装置 |
JP2006265274A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及びその製造方法、並びに発光半導体装置 |
JP2007191698A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-08-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及びその硬化物 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009072632A1 (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-11 | Jsr Corporation | 硬化性組成物、光学素子コーティング用組成物、およびled封止用材料ならびにその製造方法 |
JPWO2009072632A1 (ja) * | 2007-12-07 | 2011-04-28 | Jsr株式会社 | 硬化性組成物、光学素子コーティング用組成物、およびled封止用材料ならびにその製造方法 |
JP2010070719A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Nitto Denko Corp | 熱硬化性組成物及び光半導体装置 |
CN101993593A (zh) * | 2009-08-21 | 2011-03-30 | Jsr株式会社 | 光学半导体封装用组合物 |
JP2011063664A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | アンダーフィル材組成物及び光半導体装置 |
CN113004524A (zh) * | 2019-12-20 | 2021-06-22 | 万华化学集团股份有限公司 | 一种环氧-有机硅树脂及其制备方法和应用 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4300418B2 (ja) | エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び発光半導体装置 | |
JP4803339B2 (ja) | エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び発光半導体装置 | |
JP4636242B2 (ja) | 光半導体素子封止材及び光半導体素子 | |
KR101722123B1 (ko) | 경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 광반도체 장치 | |
JP4614075B2 (ja) | エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及びその製造方法、並びに発光半導体装置 | |
KR101939408B1 (ko) | Led의 리플렉터용 열경화성 실리콘 수지 조성물, 및 이를 이용한 led용 리플렉터 및 광반도체 장치 | |
US7592399B2 (en) | Epoxy/silicone hybrid resin composition and optical semiconductor device | |
KR101722089B1 (ko) | 경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 광반도체 장치 | |
JP4586967B2 (ja) | 発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置 | |
CN106103594B (zh) | 有机硅凝胶组合物 | |
KR102065203B1 (ko) | 광반도체 소자 밀봉용 실리콘 조성물 및 광반도체 장치 | |
JP6565818B2 (ja) | ヒドロシリル基含有オルガノポリシロキサン及びその製造方法並びに付加硬化型シリコーン組成物 | |
JP4479882B2 (ja) | 砲弾型発光半導体装置 | |
JP2016079320A (ja) | 光半導体素子封止用シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置 | |
JP6313722B2 (ja) | 付加硬化型シリコーン組成物および半導体装置 | |
JP6302866B2 (ja) | 付加硬化型シリコーン組成物および半導体装置 | |
JP2007191697A (ja) | エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び光半導体装置 | |
JP4822001B2 (ja) | エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及びその硬化物 | |
JP4479883B2 (ja) | 発光半導体装置 | |
JP6393659B2 (ja) | 付加硬化型シリコーン組成物および半導体装置 | |
WO2019026754A1 (ja) | 硬化性シリコーン組成物、および光半導体装置 | |
JP7360911B2 (ja) | 硬化性組成物及び該組成物を封止剤として用いた半導体装置。 | |
JP7360910B2 (ja) | 硬化性組成物及び該組成物を封止剤として用いた半導体装置。 | |
JP6307470B2 (ja) | 付加硬化型シリコーン組成物および半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081120 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110302 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110411 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111012 |